JPH0823697B2 - ポジ型電子線レジスト - Google Patents
ポジ型電子線レジストInfo
- Publication number
- JPH0823697B2 JPH0823697B2 JP1087703A JP8770389A JPH0823697B2 JP H0823697 B2 JPH0823697 B2 JP H0823697B2 JP 1087703 A JP1087703 A JP 1087703A JP 8770389 A JP8770389 A JP 8770389A JP H0823697 B2 JPH0823697 B2 JP H0823697B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electron beam
- resist
- cyclohexyl
- sensitivity
- beam resist
- Prior art date
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は高感度、高解像度のポジ型電子線レジストに
関するものである。更に詳しくは半導体工業におけるフ
ォトマスクの製造およびシリコンウェハーへの直接描画
による半導体の製造時における選択的エッチングや選択
的拡散のためのレジストの提供を目的とする。
関するものである。更に詳しくは半導体工業におけるフ
ォトマスクの製造およびシリコンウェハーへの直接描画
による半導体の製造時における選択的エッチングや選択
的拡散のためのレジストの提供を目的とする。
［従来技術とその問題点］ ネガ型レジストは高感度であるが、解像性が低い。こ
れに対して、ポジ型電子線レジストは解像性が高いため
にICの高集積化に伴い、ネガ型からポジ型に移行しつつ
ある。ポジ型電子線レジストの代表例としてポリメタク
リル酸メチル（PMMA）が知られているが、解像度は0.1
μｍと非常に高いが、感度が100μC/cm3と低いために電
子線描画装置のスループットが問題となり、感度を高め
るために数多くの研究がなされてきた。
れに対して、ポジ型電子線レジストは解像性が高いため
にICの高集積化に伴い、ネガ型からポジ型に移行しつつ
ある。ポジ型電子線レジストの代表例としてポリメタク
リル酸メチル（PMMA）が知られているが、解像度は0.1
μｍと非常に高いが、感度が100μC/cm3と低いために電
子線描画装置のスループットが問題となり、感度を高め
るために数多くの研究がなされてきた。
PMMAのα−メチル基をシアノ基に、エステル基のメチ
ル基をシクロヘキシル基に置換した２−シアノアクリル
酸シクロヘキシル重合体は、現像液にメチルセロソルブ
を用いると１μC/cm3と高感度であるが、現像時間は10
分以上かかり、スプレー現像に適さず、また現像時間が
長くなることにより、レジストパターン剥離が発生す
る。
ル基をシクロヘキシル基に置換した２−シアノアクリル
酸シクロヘキシル重合体は、現像液にメチルセロソルブ
を用いると１μC/cm3と高感度であるが、現像時間は10
分以上かかり、スプレー現像に適さず、また現像時間が
長くなることにより、レジストパターン剥離が発生す
る。
［発明が解決しようとする課題］ 本発明は、例えば16メガビットDRAM以上の大規模集積
回路用としての高感度かつ高解像度を同時に有するポジ
型電子線レジストを提供することを目的とする。
回路用としての高感度かつ高解像度を同時に有するポジ
型電子線レジストを提供することを目的とする。
［課題を解決する手段］ 本発明は、次式（１）： で表わされる２−シアノアクリル酸シクロヘキシル重合
体に、一般式（２）： （式中、R1、R2、R3、R4は炭素数１〜20のアルキル基を
示す）で表わされる過塩素酸第４級アンモニウム塩を添
加することより成るポジ型電子線レジストである。
体に、一般式（２）： （式中、R1、R2、R3、R4は炭素数１〜20のアルキル基を
示す）で表わされる過塩素酸第４級アンモニウム塩を添
加することより成るポジ型電子線レジストである。
本発明は、（１）式で表わされる２−シアノアクリル
酸シクロヘキシル重合体を主成分とするレジストに一般
式（２）で表わされる過塩素酸第４級アンモニウム塩を
添加することにより高感度と高解像度を同時に満たすポ
ジ型電子線レジストを提供する。
酸シクロヘキシル重合体を主成分とするレジストに一般
式（２）で表わされる過塩素酸第４級アンモニウム塩を
添加することにより高感度と高解像度を同時に満たすポ
ジ型電子線レジストを提供する。
なお、過塩素酸第４級アンモニウム塩の添加量は前記
２−シアノアクリル酸シクロヘキシル重合体に対して１
〜30重量％で、感度および解像度を考慮すると５〜15重
量％が好ましい。
２−シアノアクリル酸シクロヘキシル重合体に対して１
〜30重量％で、感度および解像度を考慮すると５〜15重
量％が好ましい。
また本発明で用いる２−シアノアクリル酸シクロヘキ
シル重合体は通常の合成法で得られた２−シアノアクリ
ル酸シクロヘキシル単量体をアニオン重合またはラジカ
ル重合することによって得られ、分子量は１万から300
万であるが、分子量が大きすぎると塗布性が低下し、ま
た分子量が小さいと感度が低下することから10万〜100
万が好ましい。
シル重合体は通常の合成法で得られた２−シアノアクリ
ル酸シクロヘキシル単量体をアニオン重合またはラジカ
ル重合することによって得られ、分子量は１万から300
万であるが、分子量が大きすぎると塗布性が低下し、ま
た分子量が小さいと感度が低下することから10万〜100
万が好ましい。
［作用］ 図面の第１図は、分子量51万の２−シアノアクリル酸
シクロヘキシル重合体に過塩素酸テトラ−ｎ−ブチルア
ンモニウム塩を添加した本発明のポジ型電子線レジスト
と、無添加の場合の比較を示す残膜感度曲線である。な
お、照射電子線の加速電圧は10kVであり、照射後の現像
条件は 現像液……２−メチルセロソルブ:2−プロパノール＝8
5:15 現像時間……２分 現像温度……20℃ である。
シクロヘキシル重合体に過塩素酸テトラ−ｎ−ブチルア
ンモニウム塩を添加した本発明のポジ型電子線レジスト
と、無添加の場合の比較を示す残膜感度曲線である。な
お、照射電子線の加速電圧は10kVであり、照射後の現像
条件は 現像液……２−メチルセロソルブ:2−プロパノール＝8
5:15 現像時間……２分 現像温度……20℃ である。
この第１図からわかるように、本発明のポジ型電子線
レジストは感度の向上が顕著に見られる。
レジストは感度の向上が顕著に見られる。
［実施例１］ 分子量51万の２−シアノアクリル酸シクロヘキシル重
合体の５重量％のシクロヘキサノン溶液を作り、さらに
過塩素酸テトラ−ｎ−ブチルアンモニウム塩を重合体に
対して10重量％加え、1000Åの厚さでクロム蒸着された
ガラス基板上に回転塗布法により1500rpmで4300Åの厚
さのレジスト被膜を形成し、120℃で30分間熱処理後、
照射量１μC/cm3、加速電圧10kVで電子線照射した。電
子線照射後、２−メトキシエタノール:2−プロパノール
＝85:15の混合溶媒に20℃において１分間浸漬し、２−
プロパノール中にてリンスして乾燥することによってポ
ジ型レジストパターンが得られた。さらに、120℃、30
分間加熱処理し、硝酸第２セリウムアンモニウムと過塩
素酸のクロムエッチング液にて50秒間、浸漬すると1000
Åのクロム層がエッチングされ、アセトンでレジスト被
膜を除去すると、ガラス基板上に0.5μｍ線幅のクロム
パターンが得られた。
合体の５重量％のシクロヘキサノン溶液を作り、さらに
過塩素酸テトラ−ｎ−ブチルアンモニウム塩を重合体に
対して10重量％加え、1000Åの厚さでクロム蒸着された
ガラス基板上に回転塗布法により1500rpmで4300Åの厚
さのレジスト被膜を形成し、120℃で30分間熱処理後、
照射量１μC/cm3、加速電圧10kVで電子線照射した。電
子線照射後、２−メトキシエタノール:2−プロパノール
＝85:15の混合溶媒に20℃において１分間浸漬し、２−
プロパノール中にてリンスして乾燥することによってポ
ジ型レジストパターンが得られた。さらに、120℃、30
分間加熱処理し、硝酸第２セリウムアンモニウムと過塩
素酸のクロムエッチング液にて50秒間、浸漬すると1000
Åのクロム層がエッチングされ、アセトンでレジスト被
膜を除去すると、ガラス基板上に0.5μｍ線幅のクロム
パターンが得られた。
［実施例２］ 実施例１と同様に被膜形成し、加熱処理後、１μC/cm
3で電子線照射した。電子線照射後、２−メトキシエタ
ノール:2−ブトキシエタノール＝60:40の混合溶媒に20
℃にて２分間浸漬し、その後２−プロパノールでリンス
し、乾燥した。得られたレジストパターンを走査型電子
顕微鏡（SEM）で観察したところ、非常にシャープなパ
ターンが観測された。
3で電子線照射した。電子線照射後、２−メトキシエタ
ノール:2−ブトキシエタノール＝60:40の混合溶媒に20
℃にて２分間浸漬し、その後２−プロパノールでリンス
し、乾燥した。得られたレジストパターンを走査型電子
顕微鏡（SEM）で観察したところ、非常にシャープなパ
ターンが観測された。
［比較例１］ 分子量51万の２−シアノアクリル酸シクロヘキシル重
合体の５重量％のシクロヘキサノン溶液を作り、過塩素
酸テトラ−ｎ−ブチルアンモニウム塩は添加せず、実施
例１と同様に処理したが、電子線照射部のレジストはす
べて溶解せず、膜残りが生じた。なお、電子線照射部を
すべて溶解させるには12分の現像時間を必要としたが、
このとき、レジストパターンは膨潤し、剥離が発生し
た。
合体の５重量％のシクロヘキサノン溶液を作り、過塩素
酸テトラ−ｎ−ブチルアンモニウム塩は添加せず、実施
例１と同様に処理したが、電子線照射部のレジストはす
べて溶解せず、膜残りが生じた。なお、電子線照射部を
すべて溶解させるには12分の現像時間を必要としたが、
このとき、レジストパターンは膨潤し、剥離が発生し
た。
［発明の効果］ 上記より本発明のレジストを用いることにより、高感
度かつ高解像度でレジストパターンを形成することが可
能となり、半導体の製造において高生産性とコスト低減
に大きな効果をもたらすことができる。
度かつ高解像度でレジストパターンを形成することが可
能となり、半導体の製造において高生産性とコスト低減
に大きな効果をもたらすことができる。
第１図は、２−シアノアクリル酸シクロヘキシル重合体
に過塩素酸テトラ−ｎ−ブチルアンモニウム塩を10重量
％添加した場合と無添加の場合の残膜感度曲線の比較を
示すグラフ図である。
に過塩素酸テトラ−ｎ−ブチルアンモニウム塩を10重量
％添加した場合と無添加の場合の残膜感度曲線の比較を
示すグラフ図である。
Claims (1)
- 【請求項１】次式（１）： で表わされる２−シアノアクリル酸シクロヘキシル重合
体に、一般式（２）： （式中、R1、R2、R3、R4は炭素数１〜20のアルキル基を
示す）で表わされる過塩素酸第４級アンモニウム塩を添
加することより成るポジ型電子線レジスト。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1087703A JPH0823697B2 (ja) | 1989-04-06 | 1989-04-06 | ポジ型電子線レジスト |
| KR1019890006845A KR900018743A (ko) | 1988-05-24 | 1989-05-22 | 포지티브(positive)형 전자선 레지스트 및 이를 이용한 레지스트 패턴 형성방법 |
| DE68917521T DE68917521T2 (de) | 1988-05-24 | 1989-05-23 | Hoch-empfindlicher Positivresist mit hohem Auflösungsvermögen für Elektronenstrahlen. |
| EP89109284A EP0343603B1 (en) | 1988-05-24 | 1989-05-23 | High-sensitivity, high-resolution positive-type electron-beam resist |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1087703A JPH0823697B2 (ja) | 1989-04-06 | 1989-04-06 | ポジ型電子線レジスト |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02264955A JPH02264955A (ja) | 1990-10-29 |
| JPH0823697B2 true JPH0823697B2 (ja) | 1996-03-06 |
Family
ID=13922280
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1087703A Expired - Lifetime JPH0823697B2 (ja) | 1988-05-24 | 1989-04-06 | ポジ型電子線レジスト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0823697B2 (ja) |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58108213A (ja) * | 1981-12-22 | 1983-06-28 | Toagosei Chem Ind Co Ltd | ２−シアノアクリル酸エステル重合体の製造方法 |
| JPH0623835B2 (ja) * | 1986-10-06 | 1994-03-30 | 富士写真フイルム株式会社 | 熱現像用感光材料 |
| JPH0670105B2 (ja) * | 1986-12-29 | 1994-09-07 | 凸版印刷株式会社 | 単分散重合体の製造方法 |
| JPH0667980B2 (ja) * | 1986-12-29 | 1994-08-31 | 凸版印刷株式会社 | α−シアノアクリル酸エステル重合体の製造方法 |
| JP2550655B2 (ja) * | 1988-04-26 | 1996-11-06 | 凸版印刷株式会社 | ポジ型電子線レジスト |
| JPH0675196B2 (ja) * | 1989-11-08 | 1994-09-21 | 凸版印刷株式会社 | ポジ型電子線レジスト |
-
1989
- 1989-04-06 JP JP1087703A patent/JPH0823697B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02264955A (ja) | 1990-10-29 |
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