JPH0825978B2 - ビス(ジアゾニウム)塩化合物及びその製造法 - Google Patents
ビス(ジアゾニウム)塩化合物及びその製造法Info
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- JPH0825978B2 JPH0825978B2 JP10548887A JP10548887A JPH0825978B2 JP H0825978 B2 JPH0825978 B2 JP H0825978B2 JP 10548887 A JP10548887 A JP 10548887A JP 10548887 A JP10548887 A JP 10548887A JP H0825978 B2 JPH0825978 B2 JP H0825978B2
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- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
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- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/06—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
- G03G5/0664—Dyes
- G03G5/0675—Azo dyes
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Description
【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明は新規なビス(ジアゾニウム)塩化合物及びそ
の製造法に関し、更に詳しくは有機光導電体として有用
なビスアゾ化合物を製造するための中間体であるビス
(ジアゾニウム)塩化合物及びその製造法に関する。
の製造法に関し、更に詳しくは有機光導電体として有用
なビスアゾ化合物を製造するための中間体であるビス
(ジアゾニウム)塩化合物及びその製造法に関する。
従来技術 従来より、ある種のアゾ化合物が電子写真感光体の一
つの形態である積層型感光体に用いられる有機光導電
体、特に電荷発生顔料として有用であることが知られて
いる。この積層型感光体は周知のように導電性支持体上
に光によって電荷担体を発生する能力を有する電荷発生
顔料を主成分とする電荷発生層とその上に電荷発生層で
発生した電荷担体を効率よく注入し、更にこれを搬送す
る能力を有する電荷搬送物質を主成分とする電荷搬送層
とを設けた感光体である。従来、このような感光体に使
用されるアゾ化合物としては、例えば特開昭47-37543号
公報、同52-55643号公報等に記載されるベンジジン系ビ
スアゾ化合物や特開昭52-8832号公報に記載されるスチ
ルベン系ビスアゾ化合物、特開昭58-222152号公報に記
載されるジフェニルヘキサトリエン系ビスアゾ化合物、
特開昭58-222153号公報に記載されるジフェニルブタジ
ェン系ビスアゾ化合物等が知られている。
つの形態である積層型感光体に用いられる有機光導電
体、特に電荷発生顔料として有用であることが知られて
いる。この積層型感光体は周知のように導電性支持体上
に光によって電荷担体を発生する能力を有する電荷発生
顔料を主成分とする電荷発生層とその上に電荷発生層で
発生した電荷担体を効率よく注入し、更にこれを搬送す
る能力を有する電荷搬送物質を主成分とする電荷搬送層
とを設けた感光体である。従来、このような感光体に使
用されるアゾ化合物としては、例えば特開昭47-37543号
公報、同52-55643号公報等に記載されるベンジジン系ビ
スアゾ化合物や特開昭52-8832号公報に記載されるスチ
ルベン系ビスアゾ化合物、特開昭58-222152号公報に記
載されるジフェニルヘキサトリエン系ビスアゾ化合物、
特開昭58-222153号公報に記載されるジフェニルブタジ
ェン系ビスアゾ化合物等が知られている。
しかし従来のアゾ化合物を用いた積層型感光体は一般
に感度が低いため、高速複写機用感光体としては不満足
である。一方、近年レーザープリンター用感光体として
特に半導体レーザーの波長域をカバーできるような高感
度感光体の開発が望まれているが、前述の積層型感光体
は同様な理由からこのような目的に応じ得ないのが実状
である。そこで従来の欠点を克服した有機光導電体とし
て有用なアゾ化合物の製造が望まれている。
に感度が低いため、高速複写機用感光体としては不満足
である。一方、近年レーザープリンター用感光体として
特に半導体レーザーの波長域をカバーできるような高感
度感光体の開発が望まれているが、前述の積層型感光体
は同様な理由からこのような目的に応じ得ないのが実状
である。そこで従来の欠点を克服した有機光導電体とし
て有用なアゾ化合物の製造が望まれている。
目的 本発明の目的は高速複写機用としては勿論、レーザー
プリンター用としても実用的な高感度の電子写真感光
体、特に積層型感光体に用いられる有機光導電体として
有用なビスアゾ化合物を製造するための中間体であるビ
ス(ジアゾニウム)塩化合物及びその製造法を提供する
ことである。
プリンター用としても実用的な高感度の電子写真感光
体、特に積層型感光体に用いられる有機光導電体として
有用なビスアゾ化合物を製造するための中間体であるビ
ス(ジアゾニウム)塩化合物及びその製造法を提供する
ことである。
構成 本発明の1つは一般式(I) (但しXはアニオン官能基を表わす) で示されるビス(ジアゾニウム)塩化合物であり、他の
1つは式(II) で示される1,10−ビス(4−アミノフェニル)−1,3,5,
7,9−デカペンタエンをジアゾ化することを特徴とする
前記一般式(I)で示されるビス(ジアゾニウム)塩化
合物の製造法である。こゝで一般式(I)におけるアニ
オン官能基Xの代表例としてはCl ,Br ,I ,BF4 ,P
F6 ,B(C6H5)4 ,ClO4 ,SO4 2, AsF6 ,SbF6 等が挙げられ、好ましくはBF4 であ
る。
1つは式(II) で示される1,10−ビス(4−アミノフェニル)−1,3,5,
7,9−デカペンタエンをジアゾ化することを特徴とする
前記一般式(I)で示されるビス(ジアゾニウム)塩化
合物の製造法である。こゝで一般式(I)におけるアニ
オン官能基Xの代表例としてはCl ,Br ,I ,BF4 ,P
F6 ,B(C6H5)4 ,ClO4 ,SO4 2, AsF6 ,SbF6 等が挙げられ、好ましくはBF4 であ
る。
本発明の一般式(I)で示されるビス(ジアゾニウ
ム)塩化合物はカップラーとのカップリング反応により
形成される下記一般式(III)で示されるビスアゾ化合
物を得るための有用な中間体である〔本発明のビス(ジ
アゾニウム)塩(I)を使用したビスアゾ化合物の製造
については本出願人の「ビスアゾ化合物及びその製造
法」と題する同日付出願に詳細に記載されている。〕 〔但しArはArHで示されるカップラー(例えば水酸基及
び/又はアミノ基を有する芳香族炭化水素化合物;水酸
基及び/又はアミノ基を有する複素環式化合物;脂肪族
又は芳香族のエノール性ケトン基を有する化合物、即ち
活性メチレン基を有する化合物等)の残基を表わす。〕 次に本発明のビス(ジアゾニウム)塩化合物の製造法
について説明する。まずこの製造法で使用される式(I
I)の1,10−ビス(4−アミノフェニル)−1,3,5,7,9−
デカペンタエンは1,10−ビス(4−ニトロフェニル)−
1,3,5,7,9−デカペンタエンを還元することによって得
られる。
ム)塩化合物はカップラーとのカップリング反応により
形成される下記一般式(III)で示されるビスアゾ化合
物を得るための有用な中間体である〔本発明のビス(ジ
アゾニウム)塩(I)を使用したビスアゾ化合物の製造
については本出願人の「ビスアゾ化合物及びその製造
法」と題する同日付出願に詳細に記載されている。〕 〔但しArはArHで示されるカップラー(例えば水酸基及
び/又はアミノ基を有する芳香族炭化水素化合物;水酸
基及び/又はアミノ基を有する複素環式化合物;脂肪族
又は芳香族のエノール性ケトン基を有する化合物、即ち
活性メチレン基を有する化合物等)の残基を表わす。〕 次に本発明のビス(ジアゾニウム)塩化合物の製造法
について説明する。まずこの製造法で使用される式(I
I)の1,10−ビス(4−アミノフェニル)−1,3,5,7,9−
デカペンタエンは1,10−ビス(4−ニトロフェニル)−
1,3,5,7,9−デカペンタエンを還元することによって得
られる。
1,10−ビス(4−ニトロフェニル)−1,3,5,7,9−デ
カペンタエンは例えば1,4−ビス(トリフェニルホスホ
ニウムブロマイド)−2−ブテンと4−ニトロシンナム
アルデヒドとを塩基性触媒の存在下で縮合させる、いわ
ゆるウィティッヒ反応によって製造できる。この反応に
よって生成するジニトロ化合物には3−モノシス体ある
いは3,7−ジシス体が一部含まれるが、これは反応粗製
品をそのまゝ或いは精製後、触媒量の沃素と共にトルエ
ン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒中で加熱処理す
ることによりオールトランス体に変換することができる
〔1,10−ビス(4−ニトロフェニル)−1,3,5,7,9−デ
カペンタエンについては本出願人の「1,10−ビス(4−
ニトロフェニル)−1,3,5,7,9−デカペンタエン及びそ
の製造法」と題する同日付出願に詳細に記載されてい
る〕。
カペンタエンは例えば1,4−ビス(トリフェニルホスホ
ニウムブロマイド)−2−ブテンと4−ニトロシンナム
アルデヒドとを塩基性触媒の存在下で縮合させる、いわ
ゆるウィティッヒ反応によって製造できる。この反応に
よって生成するジニトロ化合物には3−モノシス体ある
いは3,7−ジシス体が一部含まれるが、これは反応粗製
品をそのまゝ或いは精製後、触媒量の沃素と共にトルエ
ン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒中で加熱処理す
ることによりオールトランス体に変換することができる
〔1,10−ビス(4−ニトロフェニル)−1,3,5,7,9−デ
カペンタエンについては本出願人の「1,10−ビス(4−
ニトロフェニル)−1,3,5,7,9−デカペンタエン及びそ
の製造法」と題する同日付出願に詳細に記載されてい
る〕。
次にこうして得られた1,10−ビス(4−ニトロフェニ
ル)−1,3,5,7,9−デカペンタエンの還元は通常、鉄−
塩酸、塩化第一錫−塩酸等を還元剤として70〜120℃の
温度に加熱することにより行なわれ、反応は約0.5〜3
時間で完結する。なお鉄−塩酸還元剤を用いた場合はN,
N−ジメチルホルムアミドのような有機溶媒中で行なう
ことが好ましい。
ル)−1,3,5,7,9−デカペンタエンの還元は通常、鉄−
塩酸、塩化第一錫−塩酸等を還元剤として70〜120℃の
温度に加熱することにより行なわれ、反応は約0.5〜3
時間で完結する。なお鉄−塩酸還元剤を用いた場合はN,
N−ジメチルホルムアミドのような有機溶媒中で行なう
ことが好ましい。
なお以上のようにして得られるジニトロ化合物及びジ
アミノ化合物(II)はいずれも新規物質である〔なお、
ジアミノ化合物(II)の1,10−ビス(4−アミノフェニ
ル)−1,3,5,7,9−デカペンタエンについては本出願人
の「1,10−ビス(4−アミノフェニル)−1,3,5,7,9−
デカペンタエン及びその製造法」と題する同日付出願に
詳細に記載されている〕。
アミノ化合物(II)はいずれも新規物質である〔なお、
ジアミノ化合物(II)の1,10−ビス(4−アミノフェニ
ル)−1,3,5,7,9−デカペンタエンについては本出願人
の「1,10−ビス(4−アミノフェニル)−1,3,5,7,9−
デカペンタエン及びその製造法」と題する同日付出願に
詳細に記載されている〕。
次にこうして得られた式(II)の1,10−ビス(4−ア
ミノフェニル)−1,3,5,7,9−デカペンタエンのジアゾ
化はこのジアミノ化合物(II)を塩酸、硫酸等の無機酸
中に分散し、これに、−10〜20℃の温度で亜硝酸ナトリ
ウムを添加することにより行なわれ、反応は約0.5〜3
時間で完結する。
ミノフェニル)−1,3,5,7,9−デカペンタエンのジアゾ
化はこのジアミノ化合物(II)を塩酸、硫酸等の無機酸
中に分散し、これに、−10〜20℃の温度で亜硝酸ナトリ
ウムを添加することにより行なわれ、反応は約0.5〜3
時間で完結する。
この反応により一般式(I)のビス(ジアゾニウム)
塩が得られるが、更にこのジアゾ化反応液に例えば硼弗
化水素酸、硼弗化ナトリウム等の水溶液を加えて塩変換
することにより一般式(I)のビス(ジアゾニウム)塩
を得ることができる。
塩が得られるが、更にこのジアゾ化反応液に例えば硼弗
化水素酸、硼弗化ナトリウム等の水溶液を加えて塩変換
することにより一般式(I)のビス(ジアゾニウム)塩
を得ることができる。
以下に本発明を実施例及び応用例によって説明する。
実施例 ビス(ジアゾニウム)塩の製造 1,10−ビス(4−アミノフェニル)−1,3,5,7,9−デ
カペンタエン30.0gを15vol%硫酸水溶液425mlに加え、5
0℃で90分攪拌した。−5℃まで急冷した後、亜硝酸ナ
トリウム14.46gを水45mlに溶解した溶液を−5℃〜−3
℃で90分を要して滴下した。その後−5℃で30分攪拌し
た後生成物を濾過した。濾渣を冷水10lに溶解し、微量
の不溶物をセライトと共に濾過除去した後、濾液に42%
硼弗化水素酸水溶液を加え、析出した結晶を濾取、乾燥
して暗赤色のビス(ジアゾニウム)塩42.1g(収率86.0
%)を得た。分解点120℃ビス(ジアゾニウム)塩の赤
外線吸収スペクトル(KBr錠剤法)を第1図に示した
が、2230cm-1にジアゾニウム塩の伸縮振動が、1010cm-1
にトランスオレフィンの面外変角振動に基づく吸収が認
められた。
カペンタエン30.0gを15vol%硫酸水溶液425mlに加え、5
0℃で90分攪拌した。−5℃まで急冷した後、亜硝酸ナ
トリウム14.46gを水45mlに溶解した溶液を−5℃〜−3
℃で90分を要して滴下した。その後−5℃で30分攪拌し
た後生成物を濾過した。濾渣を冷水10lに溶解し、微量
の不溶物をセライトと共に濾過除去した後、濾液に42%
硼弗化水素酸水溶液を加え、析出した結晶を濾取、乾燥
して暗赤色のビス(ジアゾニウム)塩42.1g(収率86.0
%)を得た。分解点120℃ビス(ジアゾニウム)塩の赤
外線吸収スペクトル(KBr錠剤法)を第1図に示した
が、2230cm-1にジアゾニウム塩の伸縮振動が、1010cm-1
にトランスオレフィンの面外変角振動に基づく吸収が認
められた。
応用例 本発明のビス(ジアゾニウム)塩から得られたビスア
ゾ化合物を使用して下記のように積層型感光体を製造し
た。
ゾ化合物を使用して下記のように積層型感光体を製造し
た。
電荷発生物質として上式で表わされるビスアゾ化合物
7.5部及びポリエステル樹脂〔(株)東洋紡績製バイロ
ン200〕の0.5%テトラヒドロフラン溶液500部をボール
ミル中で粉砕、混合し、得られた分散液をアルミニウム
蒸着ポリエステルフィルム上にドクターブレードで塗布
し、自然乾燥して約1μm厚の電荷発生層を形成した。
次に電荷輸送物質として9−エチルカルバゾール−3−
アルデヒド−1−メチル−1−フェニルヒドラゾン2部
をポリカーボネート樹脂〔(株)帝人製パンライトK-13
00〕の10%テトラヒドロフラン溶液20部に溶解し、この
溶液を前記電荷発生層上にドクターブレードで塗布し、
80℃で2分間、ついで120℃で5分間乾燥して厚さ約20
μmの電荷輸送層を形成した。
7.5部及びポリエステル樹脂〔(株)東洋紡績製バイロ
ン200〕の0.5%テトラヒドロフラン溶液500部をボール
ミル中で粉砕、混合し、得られた分散液をアルミニウム
蒸着ポリエステルフィルム上にドクターブレードで塗布
し、自然乾燥して約1μm厚の電荷発生層を形成した。
次に電荷輸送物質として9−エチルカルバゾール−3−
アルデヒド−1−メチル−1−フェニルヒドラゾン2部
をポリカーボネート樹脂〔(株)帝人製パンライトK-13
00〕の10%テトラヒドロフラン溶液20部に溶解し、この
溶液を前記電荷発生層上にドクターブレードで塗布し、
80℃で2分間、ついで120℃で5分間乾燥して厚さ約20
μmの電荷輸送層を形成した。
次にこうして得られた積層型電子写真感光体の可視域
での感度を調べるため、この感光体について静電複写紙
試験装置〔(株)川口電機製作所製SP428型〕を用いて
暗所で−6KVのコロナ放電を20秒間行なって帯電せしめ
た後、20秒間暗減衰せしめ、この時の表面電位Vo(ボル
ト)を測定し、ついで感光体表面の照度が4.5luxになる
ようにタングステンランプ光を照射してその表面電位が
Voの1/2になるまでの時間(sec)を求め、可視域での感
度として半減露光量E1/2(lux・sec)を算出した。この
結果、Vo=306ボルト、E1/2=1.13lux・secであった。
での感度を調べるため、この感光体について静電複写紙
試験装置〔(株)川口電機製作所製SP428型〕を用いて
暗所で−6KVのコロナ放電を20秒間行なって帯電せしめ
た後、20秒間暗減衰せしめ、この時の表面電位Vo(ボル
ト)を測定し、ついで感光体表面の照度が4.5luxになる
ようにタングステンランプ光を照射してその表面電位が
Voの1/2になるまでの時間(sec)を求め、可視域での感
度として半減露光量E1/2(lux・sec)を算出した。この
結果、Vo=306ボルト、E1/2=1.13lux・secであった。
このように本発明のテトラゾニウム塩化合物から誘導
されるビスアゾ化合物を用いた感光体は可視域での感度
が、高いことが判る。
されるビスアゾ化合物を用いた感光体は可視域での感度
が、高いことが判る。
効果 以上の説明から判るように本発明のビス(ジアゾニウ
ム)塩化物は高速複写機用としても、またレーザープリ
ンター用としても高い感度を示す電子写真感光体、特に
積層型感光体に用いられる有機光導電体であるビスアゾ
化合物の中間体としてきわめて有用である。
ム)塩化物は高速複写機用としても、またレーザープリ
ンター用としても高い感度を示す電子写真感光体、特に
積層型感光体に用いられる有機光導電体であるビスアゾ
化合物の中間体としてきわめて有用である。
第1図は本発明のビス(ジアゾニウム)塩化合物の赤外
線吸収スペクトルを示す。
線吸収スペクトルを示す。
Claims (2)
- 【請求項1】一般式(I) (但しXはアニオン官能基を表わす) で示されるビス(ジアゾニウム)塩化合物。
- 【請求項2】式(II) で示される1,10−ビス(4−アミノフェニル)−1,3,5,
7,9−デカペンタエンをジアゾ化することを特徴とする
一般式(I) (但しXはアニオン官能基を表わす) で示されるビス(ジアゾニウム)塩化合物の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10548887A JPH0825978B2 (ja) | 1987-04-28 | 1987-04-28 | ビス(ジアゾニウム)塩化合物及びその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10548887A JPH0825978B2 (ja) | 1987-04-28 | 1987-04-28 | ビス(ジアゾニウム)塩化合物及びその製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63270654A JPS63270654A (ja) | 1988-11-08 |
| JPH0825978B2 true JPH0825978B2 (ja) | 1996-03-13 |
Family
ID=14408978
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10548887A Expired - Lifetime JPH0825978B2 (ja) | 1987-04-28 | 1987-04-28 | ビス(ジアゾニウム)塩化合物及びその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0825978B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5081233A (en) * | 1986-05-15 | 1992-01-14 | Ricoh Company, Ltd. | Bisazo compounds and electrophotographic photoconductors comprising the bisazo compounds |
-
1987
- 1987-04-28 JP JP10548887A patent/JPH0825978B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63270654A (ja) | 1988-11-08 |
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