JPH08274251A - 放熱型半導体モジュール - Google Patents
放熱型半導体モジュールInfo
- Publication number
- JPH08274251A JPH08274251A JP7400795A JP7400795A JPH08274251A JP H08274251 A JPH08274251 A JP H08274251A JP 7400795 A JP7400795 A JP 7400795A JP 7400795 A JP7400795 A JP 7400795A JP H08274251 A JPH08274251 A JP H08274251A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heat dissipation
- semiconductor module
- type semiconductor
- power transistors
- resin part
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は放熱型半導体モジューに関し、特
に、複数のパワートランジスタを金属放熱板に直接取付
け、小型化することを目的とする。 【構成】 本発明による放熱型半導体モジュールは、金
属放熱板(2)に複数のパワートランジスタ(3)を直接取付
けて樹脂部(10)で一体化し、リード線(4)によってプリ
ント基板(1)に接続して小型化する構成である。
に、複数のパワートランジスタを金属放熱板に直接取付
け、小型化することを目的とする。 【構成】 本発明による放熱型半導体モジュールは、金
属放熱板(2)に複数のパワートランジスタ(3)を直接取付
けて樹脂部(10)で一体化し、リード線(4)によってプリ
ント基板(1)に接続して小型化する構成である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、放熱型半導体モジュー
ルに関し、特に、複数のパワートランジスタを金属放熱
板に直接取付け、リード線でプリント基板に接続させ、
放熱型でかつ小型化とするための新規な改良に関する。
ルに関し、特に、複数のパワートランジスタを金属放熱
板に直接取付け、リード線でプリント基板に接続させ、
放熱型でかつ小型化とするための新規な改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、用いられていたこの種の放熱型半
導体としては、例えば、図３及び図４で示す構成が採用
されていた。すなわち、図３及び図４において符号１で
示されるものはプリント基板であり、このプリント基板
１上に設けられた放熱板２には、１個のパワートランジ
スタ３が設けられている。このパワートランジスタ３の
リード線４はプリント基板１のパターン（図示せず）に
接続されている。
導体としては、例えば、図３及び図４で示す構成が採用
されていた。すなわち、図３及び図４において符号１で
示されるものはプリント基板であり、このプリント基板
１上に設けられた放熱板２には、１個のパワートランジ
スタ３が設けられている。このパワートランジスタ３の
リード線４はプリント基板１のパターン（図示せず）に
接続されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来の放熱型半導体
は、以上のように構成されていたため、次のような課題
が存在していた。すなわち、１個のパワートランジスタ
ごとに放熱板に接触させて実装するため、複数のパワー
トランジスタを用いる場合には、多くの実装スペースが
必要となり、小型化することが極めて困難であった。ま
た、放熱板が直接プリント基板に接触しているため、放
熱板の放熱効果が十分ではなく、大パワーをかけた時の
パワートランジスタの安定性に問題が存在していた。
は、以上のように構成されていたため、次のような課題
が存在していた。すなわち、１個のパワートランジスタ
ごとに放熱板に接触させて実装するため、複数のパワー
トランジスタを用いる場合には、多くの実装スペースが
必要となり、小型化することが極めて困難であった。ま
た、放熱板が直接プリント基板に接触しているため、放
熱板の放熱効果が十分ではなく、大パワーをかけた時の
パワートランジスタの安定性に問題が存在していた。
【０００４】本発明は、以上のような課題を解決するた
めになされたもので、特に、複数のパワートランジスタ
を金属放熱板に直接取付け、リード線でプリント基板に
接続させ、放熱型でかつ小型化とした放熱型半導体モジ
ュールを提供することを目的とする。
めになされたもので、特に、複数のパワートランジスタ
を金属放熱板に直接取付け、リード線でプリント基板に
接続させ、放熱型でかつ小型化とした放熱型半導体モジ
ュールを提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明による放熱型半導
体モジュールは、金属放熱板上に複数のパワートランジ
スタを直接設け、前記金属放熱板とパワートランジスタ
とを樹脂部で一体化し、前記樹脂部から突出した前記各
パワートランジスタのリード線をプリント基板と接続す
る構成である。
体モジュールは、金属放熱板上に複数のパワートランジ
スタを直接設け、前記金属放熱板とパワートランジスタ
とを樹脂部で一体化し、前記樹脂部から突出した前記各
パワートランジスタのリード線をプリント基板と接続す
る構成である。
【０００６】さらに詳細には、前記樹脂部の両端位置に
は、前記プリント基板と接触するための突起が形成さ
れ、前記突起により前記樹脂部の一面と前記プリント基
板の一面との間に空隙が形成されている構成である。
は、前記プリント基板と接触するための突起が形成さ
れ、前記突起により前記樹脂部の一面と前記プリント基
板の一面との間に空隙が形成されている構成である。
【０００７】さらに詳細には、前記金属放熱板は、アル
ミニウムよりなる構成である。
ミニウムよりなる構成である。
【０００８】
【作用】本発明による放熱型半導体モジュールにおいて
は、金属放熱板に複数のパワートランジスタが直接取付
けられ、このパワートランジスタと金属放熱板が樹脂部
によって一体化されていると共に、この樹脂部とプリン
ト基板とが空隙を介してリード線で接続されているた
め、樹脂部からの熱も放熱が効率的に行われる。また、
一枚の放熱板に複数のパワートランジスタが直接設けら
れているため、１個の半導体モジュール内に複数のパワ
ートランジスタを有することができ、パワーアンプ回路
系統の小型化を実現することができる。
は、金属放熱板に複数のパワートランジスタが直接取付
けられ、このパワートランジスタと金属放熱板が樹脂部
によって一体化されていると共に、この樹脂部とプリン
ト基板とが空隙を介してリード線で接続されているた
め、樹脂部からの熱も放熱が効率的に行われる。また、
一枚の放熱板に複数のパワートランジスタが直接設けら
れているため、１個の半導体モジュール内に複数のパワ
ートランジスタを有することができ、パワーアンプ回路
系統の小型化を実現することができる。
【０００９】
【実施例】以下、図面と共に本発明による放熱型半導体
モジュールの好適な実施例について詳細に説明する。な
お、従来例と同一又は同等部分には同一符号を付して説
明する。図１及び図２において符号２で示されるもの
は、アルミニウム等からなる金属放熱板であり、この金
属放熱板２上には、従来例と同一のパワートランジスタ
３が複数個直接設けられている。各パワートランジスタ
３及び金属放熱板２は、モールド成形による樹脂部１０
によって一体化され固定されている。
モジュールの好適な実施例について詳細に説明する。な
お、従来例と同一又は同等部分には同一符号を付して説
明する。図１及び図２において符号２で示されるもの
は、アルミニウム等からなる金属放熱板であり、この金
属放熱板２上には、従来例と同一のパワートランジスタ
３が複数個直接設けられている。各パワートランジスタ
３及び金属放熱板２は、モールド成形による樹脂部１０
によって一体化され固定されている。
【００１０】前記樹脂部１０の一面の両端位置には、一
対の突起１０ａ，１０ｂが形成されていると共に、この
樹脂部１０を貫通して外方に突出した前記パワートラン
ジスタ３のリード線４は、プリント基板１を貫通して突
出し、各リード線４はプリント基板１のパターン（図示
せず）と接続されている。また、前記各突起１０ａ，１
０ｂがプリント基板１の一面に接触していることによ
り、この樹脂部１０とプリント基板１との間には空隙１
１が形成されている。
対の突起１０ａ，１０ｂが形成されていると共に、この
樹脂部１０を貫通して外方に突出した前記パワートラン
ジスタ３のリード線４は、プリント基板１を貫通して突
出し、各リード線４はプリント基板１のパターン（図示
せず）と接続されている。また、前記各突起１０ａ，１
０ｂがプリント基板１の一面に接触していることによ
り、この樹脂部１０とプリント基板１との間には空隙１
１が形成されている。
【００１１】従って、図１で示すように半導体モジュー
ル２０をプリント基板１にリード線４を介して取付けた
場合、パワートランジスタ３からの熱は、金属放熱板２
を介して外部に放熱されると共に、樹脂部１０に伝わっ
た熱は空隙１１によりプリント基板１側には伝達され
ず、プリント基板１に設けられた各種電子部品（図示せ
ず）に対する熱による悪影響を防止することができる。
ル２０をプリント基板１にリード線４を介して取付けた
場合、パワートランジスタ３からの熱は、金属放熱板２
を介して外部に放熱されると共に、樹脂部１０に伝わっ
た熱は空隙１１によりプリント基板１側には伝達され
ず、プリント基板１に設けられた各種電子部品（図示せ
ず）に対する熱による悪影響を防止することができる。
【００１２】
【発明の効果】本発明による放熱型半導体モジュール
は、以上のように構成されているため、次のような効果
を得ることができる。すなわち、放熱金属板に複数のパ
ワートランジスタを直接設け、樹脂部によって放熱金属
板とパワートランジスタを一体化させ、放熱金属板を外
気に露出させているため、パワートランジスタの熱は効
率的に放熱され、かつ、複数のパワートランジスタを同
一の放熱金属板上に設けているため、小型化が可能とな
り、パワー回路系統の小型化を可能とするものである。
は、以上のように構成されているため、次のような効果
を得ることができる。すなわち、放熱金属板に複数のパ
ワートランジスタを直接設け、樹脂部によって放熱金属
板とパワートランジスタを一体化させ、放熱金属板を外
気に露出させているため、パワートランジスタの熱は効
率的に放熱され、かつ、複数のパワートランジスタを同
一の放熱金属板上に設けているため、小型化が可能とな
り、パワー回路系統の小型化を可能とするものである。
【図１】本発明による放熱型半導体モジュールを示す側
面図である。
面図である。
【図２】図１の基板を除去した平面図である。
【図３】従来の放熱型半導体を示す側面図である。
【図４】図３の平面図である。
１ プリント基板 ２ 金属放熱板 ３ パワートランジスタ ４ リード線 １０ 樹脂部 １０ａ，１０ｂ 突起
Claims (3)
- 【請求項１】 金属放熱板(2)上に複数のパワートラン
ジスタ(3)を直接設け、前記金属放熱板(2)とパワートラ
ンジスタ(3)とを樹脂部(10)で一体化し、前記樹脂部(1
0)から突出した前記各パワートランジスタ(3)のリード
線(4)をプリント基板(1)と接続する構成としたことを特
徴とする放熱型半導体モジュール。 - 【請求項２】 前記樹脂部(10)の両端位置には、前記プ
リント基板(1)と接触するための突起(10a,10b)が形成さ
れ、前記突起(10a,10b)により前記樹脂部(10)の一面と
前記プリント基板(1)の一面との間に空隙(11)が形成さ
れていることを特徴とする請求項１記載の放熱型半導体
モジュール。 - 【請求項３】 前記金属放熱板(2)は、アルミニウムよ
りなることを特徴とする請求項１記載の放熱型半導体モ
ジュール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7400795A JPH08274251A (ja) | 1995-03-30 | 1995-03-30 | 放熱型半導体モジュール |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7400795A JPH08274251A (ja) | 1995-03-30 | 1995-03-30 | 放熱型半導体モジュール |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08274251A true JPH08274251A (ja) | 1996-10-18 |
Family
ID=13534601
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7400795A Pending JPH08274251A (ja) | 1995-03-30 | 1995-03-30 | 放熱型半導体モジュール |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08274251A (ja) |
-
1995
- 1995-03-30 JP JP7400795A patent/JPH08274251A/ja active Pending
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