JPH0827909B2 - 磁気ヘッドの製造法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は磁気ディスク装置において磁気ディスクに対
して情報を記録再生する磁気ヘッドの製造法に関する。

詳しくは、エアーベアリング面を有するスライダに取
り付けられることによりフローティングないし浮上形と
称される磁気ヘッドの製造法に関する。

［従来の技術］ フローティング磁気ヘッドを備えた磁気ディスク装置
においては、磁気ディスク上に磁気ヘッドをある距離
（浮上量と呼ばれる。）をもって配置し、磁気ヘッドが
有する磁気回路（この回路を構成する部材はコアと呼ば
れる。）で記録再生を行なっている。浮上量はディスク
の回転によって強制的に作られる空気の流れの中に、断
面がくさび状になるようエアーベアリング表面（これを
外側に作りこんだ部材はスライダと呼ばれる。）を配置
し、その表面に動圧を発生させ、その動圧で保たせてい
る。故に磁気ヘッドは浮上量を保つエアーベアリング表
面をもつスライダと記録再生を行なう磁気ヘッドチップ
との２つの主要部からなる。

磁気ヘッドは、磁性材料（例えばMn−Znフェライト）
を用いてスライダと磁気ヘッドチップとを一体で削り出
したモノリシックヘッドと、硬質非磁性材料（例えばCa
TiO₃,Al₂O₃−TiC）のスライダに磁性材料でできた磁気
ヘッドチップを埋め込んだコンポジットヘッドとに大別
される。

第２図はコンポジットヘッドの一例を示す斜視図であ
り、磁気ヘッドチップ１がスライダ２に取り付けられて
いる。スライダ２は２条のエアーベアリング面３、４を
有する。このコンポジットヘッドでは、スライダ２のエ
アーベアリング面４に沿って流れる空気流の出口端にス
ライダ長手方向のスリット９が設けられており、該スリ
ット９内に磁気ヘッドチップ１が差し込まれ、ガラスで
接着して埋められている。第３図は磁気ヘッドチップ１
の拡大斜視図である。第３図の如く、磁気ヘッドチップ
１はガラス７で結合された１対のコア５、６を有し、コ
ア５、６の間にギャップ８が形成されている。符号10は
巻線窓である。この巻線窓10を形成するために、一方の
コア５は直線的な棒形状であるが、他方のコア６はＣ字
形状となっている。そして、コア５はＩコアと通称さ
れ、コア６はＣコアと通称されている。なお、コア５、
６はMnO、ZnO及びFe₂O₃を主体とするMn−Znフェライト
セラミックス焼結体などよりなる。

ディスク媒体はある半径の円周に沿って磁化される
が、そのドーナツ状の磁化部分の幅（トラック幅と呼ば
れる。）を小さくするために、磁気ヘッドチップ１はス
リット９に差し込む前にディスクとの対向側の部分が予
め薄く加工（この加工はトラック絞り加工と呼ばれ
る。）される。

トラック絞り加工された形状は、種々考案されてお
り、急激な断面積の変化で磁束の流れを阻害しないよう
にするために、第５図のように徐々に薄くするものがあ
る。

また、第４図のように厚みを徐々に絞っていく形状も
あるが、これは、矢印11のように脇に漏れる磁束が増加
し、媒体の磁化部分がトラック幅方向ににじみ、好まし
くない。

このため、コンポジットヘッドの磁気ヘッドチップは
第３図に示すように、トラック幅と同一の厚みである高
さ（例えば0.1mm）だけ突出した断面形状をもつトラッ
ク絞り（この絞りはほぼ階段状であることからステップ
形トラック絞りと称される。）を主に用いる。なお、第
３図の如きコアはステップ形コアと称される。

第３図において、上記の突出した部分は肉薄の片状部
80であり、それ以外の箇所は厚肉の本体部90である。

磁気記録の分野においては、記録の高密度化に向けて
の検討が、媒体及びヘッドの両方から進められている。
媒体の高保磁力化に対応して、磁気ヘッドは狭ギャップ
化・狭トラック化の方向で対応しているが、従来のフェ
ライトヘッドでは、飽和磁束密度が5000G程度であるこ
とから、媒体を飽和させるのに十分なヘッド磁界を発生
できない状況になってきている。そこで、第３図に示す
ように、Ｉコア５のＣコア６と結合される側（以下、接
合面ということがある。）の面に高飽和磁束密度を有す
る強磁性金属薄膜（層）９をスパッタリング法により付
着させた磁気ヘッドが用いられてきている。

この磁気ヘッドは、その構造が極めて単純で生産性に
優れ、また強磁性金属薄膜９の膜厚とは無関係にトラッ
ク幅を設定できるという利点を有している。

ところが、この磁気ヘッドチップ１はコア５と強磁性
金属薄膜９との境界面16が磁気ギャップ８と平行に位置
しているため、上記境界面16が疑似ギャップ（secondar
y gap）として作用してしまい、記録再生特性の劣化を
招く原因となってしまっている。即ち、第９図に示す如
く、ギャップ８による再生出力E₁のほかに、この疑似ギ
ャップにより別の再生出力E₂が発生する。そして、この
ために再生信号の周波数特性にうねりを生じ、再生出力
の低下を招いてしまう。

上述の疑似ギャップを解消するため、特開昭60−2292
10号公報のように、強磁性金属薄膜を磁気ギャップに対
して10〜80゜程度傾けて成膜し、疑似ギャップをアジマ
ス損失によって低減したもの、あるいは強磁性金属薄膜
を付着させる面に溝や凹凸を設け、フェライトとの境界
面が磁気ギャップと平行にならないようにする方法が提
案されている。しかしながら、これらの方法では生産性
や製造コストの点で問題があった。

さらに、特開昭63−39106号及び特開昭63−32709号に
あるように、磁気コア部と強磁性金属薄膜との境界面に
高透磁率材料よりなる下地膜を介在させた方法などが提
案されている。しかし、この方法では強磁性薄膜として
鉄−アルミニウム−シリコン系（Fe−Al−Si系）合金薄
膜を用い、ニッケル−鉄（Ni−Fe）下地膜を用いた場
合、ガラスボンディング時の加熱により、NiがFe−Al−
Si中へ拡散することがより明らかとなっており（'88応
用磁気予稿集）、磁性膜の特性を低下させ、疑似ギャッ
プを十分に低減させることができない。

また、酸化ニッケル、酸化亜鉛及び酸化鉄を含むフェ
ライト（Ni−Znフェライト）等を下地膜として用いる場
合、十分な軟磁性が得られる下地膜を安定して製造する
ことが困難であった。

非磁性であるクロム（Cr）膜をフェライトコアとFe−
Al−Si膜との間に介在させ、フェライトとFe−Al−Si膜
の反応を防止する方法も提案されている（特開昭63−31
1611号、特開昭64−1109号）。

即ち、特開昭61−311611号の特許請求の範囲には、
「強磁性酸化物を主体とする磁気コアの少なくとも作動
ギャップ近傍部が金属磁性体からなる複合型磁気ヘッド
において、無歪高平坦度面となした強磁性酸化物表面
に、100Å〜1000Å厚みのCr薄膜、Fe−Al−Si系合金薄
膜の順に積層された金属磁性体を有することを特徴とす
る複合型磁気ヘッド。」と記載されている また、特開昭64−1109号の特許請求の範囲には
「（１）磁気ギャップの近傍に真空薄膜形成技術により
強磁性金属薄膜を形成し、これを挟むように後部磁路を
強磁性酸化物で形成してなる磁気ヘッドにおいて、上記
強磁性金属薄膜と上記強磁性酸化物の間に非磁性元素膜
を形成したことを特徴とする磁気ヘッド。（２）前記非
磁性元素膜としてCrあるいはTiを含んだことを特徴とす
る第１項記載の磁気ヘッド。（３）前記非磁性元素膜の
膜厚が200〜2000Åであることを特徴とする第１項記載
の磁気ヘッド。」が記載されている。

これらの請求の範囲からも明らかな通り、特開昭63−
311611号及び64−1109号の磁気ヘッドは、Fe−Al−Si膜
とフェライトコアとの間にCr層が残留されるのである。
しかし、これらの方法では疑似ギャップを小さくするこ
とはできなかった。即ち、Cr自体の透磁率が１であり、
残留するCr層が疑似ギャップ層として作用してしまうの
である。

このように、高透磁率材料または非磁性材料よりなる
下地膜を介在させる方法も、信頼性や製造コスト、生産
性の面で問題があった。

［発明が解決しようとする課題］ 前述したように、上記の強磁性金属薄膜を磁気ギャッ
プに対して平行に形成した磁気ヘッドでは、生産性や精
度に優れているものの、疑似ギャップの影響が大きく信
頼性に問題がある。強磁性金属薄膜を磁気ギャップに対
して斜めに形成した磁気ヘッドや磁気コア部と強磁性金
属薄膜との境界面に高透磁率材料や非磁性材料よりなる
下地膜を介在させた磁気ヘッドでは、生産性や製造コス
トの点で問題があった。

また、コアとFe−Al−Si薄膜層との間にクロム層を形
成する場合であっても、疑似ギャップを小さくすること
が困難である。

本発明の目的は、強磁性金属薄膜を磁気ギャップに対
して平行に形成した磁気ヘッドの特徴を活かした上で、
磁気コア部と強磁性金属薄膜との間に生じる疑似ギャッ
プの影響を抑え、信頼性及び生産性に優れた磁気ヘッド
の製造法を提供することにある。

［課題を解決するための手段］ 請求項（１）の磁気ヘッドの製造法は、磁気空隙を介
して１対のフェライトコアを対向して配置し、その少な
くとも一方のコアの対向面に金属強磁性合金膜を成膜さ
せた磁気ヘッドにおいて、ガラスにより結合される１対
のフェライトコアのうちの一方のコアの結合される側の
面にクロムをスパッタリングしてクロム層を形成すると
共に、クロムとフェライト中の酸素とを結合させて該ク
ロム層とフェライトとの間に厚さ３〜100Åの酸化クロ
ムの層を形成する工程と、該クロム層を酸化雰囲気に接
触させることなく次工程のスパッタリングを行なってク
ロム層の上に鉄−アルミニウム−シリコン系合金の薄膜
を形成する工程と、前記１対のフェライトコアをガラス
で結合（ボンディング）する工程中に、クロムを前記鉄
−アルミニウム−シリコン系合金薄膜層中に拡散させ、
該合金層が酸化クロム層に直接に接するようにする工程
と、を備えてなることを特徴とする。

請求項（２）の磁気ヘッドの製造法は、磁気空隙を介
して１対のフェライトコアを対向して配置し、その少な
くとも一方のコアの対向面に金属強磁性合金膜を成膜さ
せた磁気ヘッドにおいて、ガラスにより結合される１対
のフェライトコアのうちの少なくとも一方のコアに金属
強磁性合金膜を成膜するコアの結合される側の面にクロ
ムをスパッタリングしてクロム層を形成し、クロムとフ
ェライト中の酸素とを結合させて該クロム層とフェライ
トとの間に厚さ３〜100Åの酸化クロムの層を形成する
工程と、該クロム層を酸化雰囲気に接触させることなく
次工程のスパッタリングを行なってクロム層の上に鉄−
アルミニウム−シリコン系合金の薄膜を形成する工程
と、熱処理してクロムを鉄−アルミニウム−シリコン系
合金層中に拡散させ、該合金層が酸化クロム層に直接に
接するようにする工程と、一方のコアと他方のコアとの
間にガラスを介在させ、加熱してガラスによりコア同志
を結合する工程と、を備えてなることを特徴とする。

請求項（３）の磁気ヘッドの製造法は、請求項（１）
あるいは（２）において、クロムのスパッタリング工程
から鉄−アルミニウム−シリコン系合金の薄膜を形成す
る工程までを、酸素分圧と水分圧の合計で10^-1Pa未満の
雰囲気で行なうことを特徴とする。

［作用］ フェライトコア部と強磁性合金膜の間にクロム酸化層
を形成することにより、両者間の反応を抑制する。この
酸化クロム層は拡散し易い酸素原子、アルミニウム原
子、マンガン原子の相互拡散を防止する。

本発明に従って、クロム膜をフェライトコア上にスパ
ッタリングによって形成したとき、クロムとフェライト
材料との境界で、一部反応が起こり、酸化クロム層が形
成される。この酸化クロム層はその後の加熱で成長する
こともある。この酸化クロム層の厚みは少なくとも３Å
は必要であり、疑似ギャップを生じないためには100Å
以下にする必要がある。この酸化クロム層の厚さは10Å
以上あると酸素原子、アルミニウム原子、マンガン原子
の相互拡散を完全に防ぐことが出来るようである。

強磁性合金膜としては、フェライト材料よりも高い飽
和磁束密度と高い透磁率を有する材料が用いられる。通
常センダストと呼ばれる鉄−アルミニウム−シリコン系
強磁性合金膜を0.5〜20μｍの厚さに作成したものが用
いられる。

酸化クロム層を上記の如く薄くするために、本発明で
は金属クロムをフェライト面上にスパッタリングで付け
る。この金属クロムのフェライトに付いている境界部に
おいて酸化反応によってクロムの酸化層が形成される。
この金属クロム上に強磁性合金膜を形成し、その後加熱
すると、金属クロムは合金膜中に拡散してしまい上で生
じたクロムの酸化層だけがフェライトと強磁性合金膜の
境界に残り、きわめて薄いものとなる。予め付着させる
金属クロムの厚さは、ある程度の厚さにする必要があ
る。あまりに薄いものであると、散点状又は島状（isla
nds状）となって、フェライトと合金膜を直接に付ける
ことになる。そこで、必要とするクロムの厚さは、合金
膜を付けるフェライトコアの面の全体を覆う程度は必要
である。クロムの厚さが少々厚くとも酸化物にならなか
った部分は合金中に拡散してしまうので問題がなく、合
金中のCr含有量が4wt％未満、望ましくは2wt％以下のと
きは耐食性を改善する面から望ましいものである。

このようにクロムを合金中に拡散させるためにはクロ
ムの表面が酸化されない条件下ですべてのスパッタリン
グを行なう必要がある。その条件は温度によっても変わ
るが、通常スパッタリングが行なわれる400℃以下にお
いては、酸素分圧と水分圧の合計で10^-1Pa未満、望まし
くは10^-2Pa未満にする。

［実施例］ 以下、本発明を適用した磁気ヘッドの実施例を図面を
参考にしながら説明する。

第１図は本発明を適用した磁気ヘッドの一例を示す拡
大斜視図であり、第６図はその磁気記録媒体対向面を示
す拡大平面図である。

この磁気ヘッドにおいては、磁気コア部5,6がMn−Zn
フェライトで形成され、磁気コア５の接合面には、厚さ
３〜100Åの酸化クロム層12が形成されている。この酸
化クロム層12に直接に接して、フロントギャップ形成面
からバック磁気ヘッド形成面に至るまで、連続してCrが
拡散したFe−Al−Si系薄膜９が形成されている。

なお、第1,6図は模式図であり、酸化クロム層12及びF
e−Al−Si層９もある厚みをもって示されている。しか
しながら、これらの厚みは３〜100Åあるいは数μｍ以
下であり、肉眼では識別できないことは明らかである。

この磁気ヘッドの製造法を次に説明する。

まず、Ｉコア５とＣコア６とをMn−Znフェライトを用
いて別々に作成する。次に、スパッタリング装置にＩコ
アを入れ、Ｉコアの接合面にクロム（Cr）をスパッタリ
ングする。このスパッタリングにより好ましくは厚さ20
〜400Å、特に好ましくは50〜150ÅのCr層を形成するの
であるが、この際、おそらくはCr原子がフェライト表面
に衝突するエネルギーにより、フェライト中の酸素
（Ｏ）とCrとが反応して酸化クロム層が少なくとも一部
形成される。

Cr層を形成した後、このCr層を大気など酸化雰囲気に
晒すことなく次工程のスパッタリングを行ない、Cr層の
上にFe−Al−Si系合金層を好ましくは0.5〜20μｍ、特
に好ましくは１〜５μｍの厚さとなるように形成する。

次いで、熱処理によりCrをFe−Al−Si層中に拡散さ
せ、Cr層を消失させる。このときフェライトとCr層の境
界のクロムの酸化層も増えると考えられる。この熱処理
温度は640〜730℃が好適であり、処理時間は10min以上
とりわけ20min以上が好適である。これにより、Crを含
んだFe−Al−Si層９が酸化クロム層12に直に接するよう
に形成される。

このＩコア５は、次にガラス７によりＣコア６と結合
される。このガラスは、磁気ヘッドをスライダに固定す
るときに用いられるよりも軟化点（softening point）
の高いものを用いる。この理由は、磁気ヘッドをスライ
ダに固定するために加熱したときに、ＩコアとＣコアと
を結合しているガラス７が軟化しないようにするためで
ある。

本発明においては、Cr層の上にFe−Al−Si層を形成し
た後、Cr拡散のためだけの熱処理を行なわず、代わり
に、ＩコアとＣコアとをガラスボンディングするために
加熱するときに、Cr層をFe−Al−Si層中に拡散させ、酸
化クロム層が直接にCrを含んだFe−Al−Si層と接するよ
うにしても良い。このようにすると、熱処理工程が一つ
減少することになる。

コア同志をガラスボンディングする際の温度は640〜7
30℃が好適である。ガラスボンディング時にCrの拡散を
行なう場合は、加熱時間は好ましくは10分（min）以
上、特に20min以上とし、Crが十分にFe−Al−Si層に拡
散するようにする。

なお、Ｃコア６のＩコア５との合せ側の面にも高透磁
率の磁性合金薄膜を形成しても良い。

本発明において用いられる好適なFe−Al−Si系磁性合
金としては、重量％にてAl:2〜10％、Si:3〜16％、残部
実質的にFeであるものが挙げられ、Al:4〜８％、Si:6〜
11％、残部実質的にFeであるものがとりわけ好適であ
る。

なお、Ti、Ruをそれぞれ２％以下ずつ含んでいても、
耐食性、耐摩耗性を向上させることができ、好適であ
る。

なお、Ｃコア、Ｉコアの構成材料としてはMn−Znフェ
ライト、Ni−Znフェライト等が好適である。Mn−Znフェ
ライトの好ましい組成としては、モル％でMnO:25〜37
％、ZnO:8〜23％、Fe₂O₃:51〜57％が挙げられる。

ＣコアとＩコアとを結合するためのガラスとしてはSi
O₂−PbO−R₂O（Ｒはアルカリ金属）系ガラス又はSiO₂−
PbO−R₂O−B₂O₃系ガラスが好適である。特に好ましい組
成は次に例示される。このガラスは軟化点が560〜580℃
である。

SiO₂ 28〜49wt％ B₂O₃ 5〜15wt％ Na₂O 7〜13wt％ PbO 残 部 磁気ヘッドをスライダに結合するためのガラスとして
は、PbO−SiO₂−Al₂O₃−B₂O₃系ガラスが好適であり、特
に好ましい組成は次の通りである。

PbO 70〜83wt％ Al₂O₃ 3〜10wt％ SiO₂ 6〜13wt％ B₂O₃ 4〜10wt％ PbOを主成分としたこのガラスの軟化点は410〜450℃
である。

以下、製造の実施例を参照しながら本発明についてさ
らに詳細に説明する。

実施例１ Ｉコア５を高性能排気系を有するスパッタ装置内に配
置する。この系を、以下の条件まで排気した後、金属Cr
（純度99.99％以上）とFe−Al−Si合金を順次形成す
る。

〈排気特性〉 H₂O分圧＜10^-3Pa O₂分圧＜10^-3Pa コアの温度＝300℃ 〈スパッタ条件〉 スパッタ電力＝1KW Cr膜厚 80Å Fe−Al−Si膜厚 2.5μｍ さらに、該コアを700℃の間の温度で30分間熱処理を
施すことにより、Crの拡散を完了させた。これにより、
Crを拡散させたFe−Al−Si膜が形成された磁気コア５が
製造された。

次に、SiO₂ 35wt％、B₂O₃ 10wt％、Na₂O₃ 10wt
％、残部PbOなる組成を有し、軟化点570℃のガラスを用
いてＩコアとＣコアとを接合した。この加熱温度は700
℃、時間は60min、雰囲気はN₂である。

第６図は製造された磁気ヘッドの磁気記録媒体との対
向面の要部拡大図である。第７図は第６図に示した領域
におけるＡ−Ａ線に沿うMnとCrの分布測定結果を示すグ
ラフである。この測定から、第６図におけるフェライト
コア５とFe−Al−Si膜の境界部分13には、厚さ約25Åの
酸化クロムの層が形成されていることが確認された。Cr
層は全く存在せず、CrはFe−Al−Si膜９中に拡散してい
ることが確認された。

即ち、この酸化クロム層はフェライトコア５と、Crを
含有するようになったFe−Al−Si合金層９に直に接して
いる。なお、用いたコアの組成はMnO:31モル％、ZnO:16
モル％、残部Fe₂O₃であり、Fe−Al−Si合金はAl:6wt
％、Si:9wt％、残部Feであった。

実施例２ 実施例１においてCrスパッタリング時のコアの温度を
300℃にすると共に、スパッタ電力を2KWとし、Cr膜厚を
200Åとしたこと以外は同様にして磁気ヘッドを製造し
た。

その結果、ＩコアとFe−Al−Si系合金との間に厚さ50
Åの酸化クロム層が形成されている磁気ヘッドが製造さ
れた。

実施例3,比較例１ スパッタリング時のコアの温度、スパッタ電力を実施
例と同様にし、ガラスボンディング時の加熱時間を次の
ようにしたほかは実施例１と同様にして磁気ヘッドを製
造した。金属クロムの一部分は酸化クロムとなり、一部
分は金属クロムとして残留し、この非磁性層がＩコアと
Fe−Al−Si系合金の間にそれらに接して形成された。非
磁性層の膜厚は、次の表の通りであった。

実施例１〜３、比較例１で製造された磁気ヘッドの疑
似ギャップピーク比を測定した。結果を表Ｉに示す。疑
似ギャップピーク比は、第９図に示すようにギャップに
よる再生出力ピークE₁と、疑似ギャップによる再生出力
ピークE₂との比E₂/E₁の百分比である。再生出力の測定
は、保磁力80KAT/mのハードディスクを用い、E₂/E₁は12
5KHzで測定した孤立再生波形より読み取った。

上記の通り、酸化クロム層（非磁性層）を100Å以下
形成すると、疑似ギャップピーク比が極めて小さく、ノ
イズが著しく小さくなることが明らかである。また、非
磁性層が100Åを超えると、疑似ギャップピーク比がか
なり大きくなることも認められる。

比較例２、３、４ 実施例１、２、３において、ＩコアにCr層を形成した
後、このＩコアを大気に晒した。その後、このＩコアの
Cr層の上にFe−Al−Si系合金層を形成した。その他の条
件は実施例１、２、３と同様にして磁気ヘッドを製造し
た。

第８図は比較例２で製造された磁気ヘッドの第７図と
同様の分析図である。第８図の通り、比較例２ではCrは
拡散せずにCr層のまま残留している。残留Cr層の厚さ
は、スパッタしたCr層の厚さと一致していた。

各磁気ヘッドの疑似ギャップピーク比を測定した。結
果は次表IIの通りである。

表I,IIから明らかな通り、Cr層が残留すると疑似ギャ
ップピーク比が著しく大きくなり、磁気ヘッドのノイズ
が大きくなる。

実施例４ Ｉコアの上に形成するCrの膜厚が50〜500Åの間であ
る種々の磁気ヘッドを実施例１と同様にして製造した。
各磁気ヘッドにおいては、厚さが約10〜40Åの酸化クロ
ム層がＩコアとFe−Al−Si系合金層との間に形成されて
おり、Cr層は残留していなかった。各磁気ヘッドの疑似
ギャップピーク比（％）の測定結果を第10図に示す。

比較例５ Ｉコアの上に形成するCrの膜厚が30〜500Åの間であ
る種々の磁気ヘッドを比較例１と同様にして製造した。
ＩコアとFe−Al−Si合金層との間にはCr層が残留してお
り、残留Cr層の厚さは形成したCr層の厚さと同じであっ
た。各磁気ヘッドの疑似ギャップピーク比（％）の測定
結果を第10図に併せて示す。

比較例６ Cr層を形成することなくＩコアの上に直接にFe−Al−
Si系合金層を形成したほかは、実施例１と同様にして磁
気ヘッドを製造した。疑似ギャップピーク比（％）の測
定結果を第10図に示す。

第５図より明らかな通り、Cr層が残留すると、Cr層を
拡散消失させたものに比べ疑似ギャップピーク比が２倍
以上に大きなものとなる。即ち、Crが残留する場合に
は、Crの透磁率は１であるため、Cr層自身が疑似ギャッ
プとして作用し、疑似ギャップピーク比が大きくなる。
そして、この残留Cr層の疑似ギャップピーク比への影響
は、残留Cr層の膜厚が大きくなるほど顕著になる。

Cr層を形成しなかった比較例６の磁気ヘッドについて
オージェによる分析をしたところ、500〜1000Å程度のA
lの酸化層及びフェライトの酸素欠乏層がコアとフェラ
イト層との界面部分に生成されていることが認められ
た。この反応によって生じた疑似ギャップにより、疑似
ギャップピーク比は13％にまで及んでいる。

コアの上にCr層を形成した後、このCr層を大気等の酸
素含有雰囲気に晒すことなくFe−Al−Si膜をスパッタリ
ングにより形成すると、Fe−Al−Si膜とMn−Znフェライ
ト間の付着力が著しく増加する。

この両膜間の測定結果を表IIIに示す。なお、この付
着力は引っかき法により求めた値である。

表IIIの値はFe−Al−Si膜が剥離する荷重を示す。表I
IIから明らかな通り、Cr下地膜がない場合、５〜9Nと非
常に小さい付着力しか得られず、機械的強度も弱いた
め、ヘッド製造時の歩留も非常に低い。

これに対して、Cr薄膜を30〜500Å形成させ拡散した
場合、付着力が26〜40Nと格段に大きくなる。このCr層
は、最終的にはFe−Al−Si合金中に拡散して消失するの
であるが、このCr層は酸化クロム層を介してコアと強固
に付着していたものであり、コアとCr含有Fe−Al−Si層
とは酸化クロム層を介して強固に付着したものとなる。

このように、本発明の製造法は、疑似ギャップを抑制
し、しかも機械的強度を増すことができるため、複合型
ヘッドに非常に適した方法である。なお、本実施例で
は、Cr下地膜とFe−Al−Si膜を連続し形成した後、熱処
理することにより、Cr成分を拡散させ、さらにガラス接
合しているが、ガラス接合時にCr成分が拡散する条件で
行なうことでも全く同一の結果が得られることが認めら
れた。

［発明の効果］ 本発明の方法により製造される磁気ヘッドによれば、
従来アジマス損失の利用や、高透磁率材料よりなる下地
膜を介在させなければ低減できなかった磁気コアと強磁
性金属薄膜との境界面の疑似ギャップの影響を、Cr薄膜
でFe−Al−Si薄膜中に拡散させることにより、大幅に低
減できる。

この磁気ヘッドは構造が単純で、かつ製造方法も簡単
であるため、製造コストが低減でき、かつ高い信頼性も
確保できる利点がある。

本発明の磁気ヘッドの製造法によると、上記の磁気ヘ
ッドを容易にかつ低コストに製造できる。また、コアと
強磁性合金層との付着強度が高く、信頼性の高い磁気ヘ
ッドを製造できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明を適用した磁気ヘッドの外観斜視図、第
２図はスライダの斜視図、第３図、第４図及び第５図は
従来の磁気ヘッドの斜視図、第６図は磁気ヘッドの媒体
対向面の拡大図、第７図及び第８図はコア接合部の元素
分布図、第９図は再生出力波形図、第10図は疑似ギャッ
プピーク比の測定図である。 １……磁気ヘッドチップ、5,6……コア、 ９……Fe−Al−Si合金層、 12……酸化クロム層。

フロントページの続き (72)発明者 二反田 文雄 埼玉県熊谷市三ケ尻5200番地 日立金属株 式会社磁性材料研究所内 (72)発明者 諏訪部 繁和 埼玉県熊谷市三ケ尻5200番地 日立金属株 式会社磁性材料研究所内 (56)参考文献 特開 昭62−145510（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−311611（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−1109（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−195813（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−100714（ＪＰ，Ａ)

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】磁気空隙を介して１対のフェライトコアを
   対向して配置し、その少なくとも一方のコアの対向面に
   金属強磁性合金膜を成膜させた磁気ヘッドにおいて、ガ
   ラスにより結合される１対のフェライトコアのうちの一
   方のコアの結合される側の面にクロムをスパッタリング
   してクロム層を形成すると共に、クロムとフェライト中
   の酸素とを結合させて該クロム層とフェライトとの間に
   厚さ３〜100Åの酸化クロムの層を形成する工程と、 該クロム層を酸化雰囲気に接触させることなく次工程の
   スパッタリングを行なってクロム層の上に鉄−アルミニ
   ウム−シリコン系合金の薄膜を形成する工程と、 前記１対のフェライトコアをガラスで結合する工程中
   に、クロムを前記鉄−アルミニウム−シリコン系合金薄
   膜層中に拡散させ、該合金層が酸化クロム層に直接に接
   するようにする工程と、 を備えてなる磁気ヘッドの製造法。
2. 【請求項２】磁気空隙を介して１対のフェライトコアを
   対向して配置し、その少なくとも一方のコアの対向面に
   金属強磁性合金膜を成膜させた磁気ヘッドにおいて、ガ
   ラスにより結合される１対のフェライトコアのうちの少
   なくとも一方のコアに金属強磁性合金膜を成膜するコア
   の結合される側の面にクロムをスパッタリングしてクロ
   ム層を形成し、クロムとフェライト中の酸素とを結合さ
   せて該クロム層とフェライトとの間に厚さ３〜100Åの
   酸化クロムの層を形成する工程と、 該クロム層を酸化雰囲気に接触させることなく次工程の
   スパッタリングを行なってクロム層の上に鉄−アルミニ
   ウム−シリコン系合金の薄膜を形成する工程と、 熱処理してクロムを鉄−アルミニウム−シリコン系合金
   層中に拡散させ、該合金層が酸化クロム層に直接に接す
   るようにする工程と、 一方のコアと他方のコアとの間にガラスを介在させ、加
   熱してガラスによりコア同志を結合する工程と、 を備えてなる磁気ヘッドの製造法。
3. 【請求項３】請求項（１）あるいは（２）において、ク
   ロムのスパッタリング工程から鉄−アルミニウム−シリ
   コン系合金の薄膜を形成する工程までを、酸素分圧と水
   分圧の合計で10^-1Pa未満の雰囲気で行なうことを特徴と
   する磁気ヘッドの製造法。