JPH0744810A - 積層型磁気ヘッド - Google Patents
積層型磁気ヘッドInfo
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- JPH0744810A JPH0744810A JP5187948A JP18794893A JPH0744810A JP H0744810 A JPH0744810 A JP H0744810A JP 5187948 A JP5187948 A JP 5187948A JP 18794893 A JP18794893 A JP 18794893A JP H0744810 A JPH0744810 A JP H0744810A
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- magnetic
- nitride
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 高歩留まりで良好な電磁変換特性を有する積
層型磁気ヘッドを提供すること。 【構成】 磁気コアがα−Ｆｅ2 Ｏ3 もしくはα−Ｆｅ
2 Ｏ3 を主成分とする非磁性基板４，１０及び非磁性基
板５，１１で挟持され、磁気コアが膜厚が１μｍ以上で
１０μｍ以下の窒化磁性膜２６ａ，２６ｃ、または窒化
磁性膜２６ａ，２６ｃと膜厚が０．０５μｍ以上で０．
５μｍ以下の絶縁膜２６ｂとの積層体で構成され、非磁
性基板５，１１上の磁気コアと接着ガラス膜２２の間に
順次反応防止膜１９，酸化物薄膜２０を設けるととも
に、接着ガラス膜２２と非磁性基板４，１０の間に酸化
物薄膜２１を設けた。また、窒化磁性膜２６ａと非磁性
基板５，１１との界面に０．０５μｍ以上で０．５μｍ
以下の酸化アルミニウム膜の拡散防止膜２４を設けた。
層型磁気ヘッドを提供すること。 【構成】 磁気コアがα−Ｆｅ2 Ｏ3 もしくはα−Ｆｅ
2 Ｏ3 を主成分とする非磁性基板４，１０及び非磁性基
板５，１１で挟持され、磁気コアが膜厚が１μｍ以上で
１０μｍ以下の窒化磁性膜２６ａ，２６ｃ、または窒化
磁性膜２６ａ，２６ｃと膜厚が０．０５μｍ以上で０．
５μｍ以下の絶縁膜２６ｂとの積層体で構成され、非磁
性基板５，１１上の磁気コアと接着ガラス膜２２の間に
順次反応防止膜１９，酸化物薄膜２０を設けるととも
に、接着ガラス膜２２と非磁性基板４，１０の間に酸化
物薄膜２１を設けた。また、窒化磁性膜２６ａと非磁性
基板５，１１との界面に０．０５μｍ以上で０．５μｍ
以下の酸化アルミニウム膜の拡散防止膜２４を設けた。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ハードディスク装置等
の磁気記録再生装置等に用いられる積層型磁気ヘッドに
関するものである。
の磁気記録再生装置等に用いられる積層型磁気ヘッドに
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、磁気記憶装置の高密度化に伴い記
録媒体の高保磁力化、薄膜化が進んでいる。これに対応
して磁気ヘッドでは、フェライトヘッドのギャップ対向
面に高飽和磁束密度を有する金属軟磁性膜を設けたメタ
ル・イン・ギャップ型磁気ヘッドや、積層型磁気ヘッド
が実用化されている。特に、ＶＴＲ用磁気ヘッドとして
は、高飽和磁束密度のセンダスト合金膜やアモルファス
合金膜を磁気コア材とする金属磁性膜ヘッドが数多く用
いられている。今後、記録媒体の高保磁力化に伴い、従
来用いられているセンダスト合金膜やアモルファス合金
膜では十分な記録再生ができず、さらなる金属軟磁性膜
の飽和磁束密度の向上が必要となる。
録媒体の高保磁力化、薄膜化が進んでいる。これに対応
して磁気ヘッドでは、フェライトヘッドのギャップ対向
面に高飽和磁束密度を有する金属軟磁性膜を設けたメタ
ル・イン・ギャップ型磁気ヘッドや、積層型磁気ヘッド
が実用化されている。特に、ＶＴＲ用磁気ヘッドとして
は、高飽和磁束密度のセンダスト合金膜やアモルファス
合金膜を磁気コア材とする金属磁性膜ヘッドが数多く用
いられている。今後、記録媒体の高保磁力化に伴い、従
来用いられているセンダスト合金膜やアモルファス合金
膜では十分な記録再生ができず、さらなる金属軟磁性膜
の飽和磁束密度の向上が必要となる。
【０００３】以下に従来の積層型磁気ヘッドについて説
明する。図７は従来の積層型磁気ヘッドを示す斜視図
で、図８は図７のＡ部の部分拡大図である。図７及び図
８において、１はスライダーで、スライダー１には一対
の互いに平行な浮上レール２，３が設けられている。ス
ライダー１はα−Ｆｅ2 Ｏ 3 を主成分とする非磁性基板
材料よりなる非磁性基板４と、非磁性基板４と同じ材料
で構成された非磁性基板５と、非磁性基板４と非磁性基
板５との間に設けられた磁気コア１６によって構成され
ている。ここでスライダー１の端面には巻線溝７が設け
られている。またヘッドコア８，９はそれぞれ浮上レー
ル２，３の端面に磁気ギャップとなる非磁性膜１２を介
して接合されたコアであり、ヘッドコア８はα−Ｆｅ2
Ｏ3 を主成分とする非磁性材料で構成された非磁性基板
１０，１１とその非磁性基板１０，１１間に設けられた
磁気コア１６によって構成されている。このときスライ
ダー１とヘッドコア８は接合されており、ヘッドコア９
は全てα−Ｆｅ2 Ｏ3 を主成分とする非磁性材料によっ
て構成されている。ここで磁気コア１６は図８に示すよ
うに非磁性基板５の上に窒化磁性膜１６ａを形成し、窒
化磁性膜１６ａの上に絶縁膜１６ｂを形成し、再度、絶
縁膜１６ｂの上に窒化磁性膜１６ｃを形成する。そして
酸化物薄膜２０を窒化磁性膜１６ｃの上に形成し、その
後、非磁性基板４を磁気コア１６の表面に接着ガラス膜
２２によって接合する。ヘッドコア８の磁気コア１６も
同様に形成する。この時窒化磁性膜１６ａ，１６ｃはＦ
ｅ100-x-y-z Ｔａx Ｚｒy Ｎz （ただし、ｘ，ｙ，ｚは
原子％を表し、２≦ｘ≦１０，２≦ｙ≦８，５≦ｚ≦１
５）の窒化磁性材料が用いられ、絶縁膜１６ｂには酸化
珪素あるいは酸化アルミニウム等の絶縁材料が用いられ
る。また、窒化磁性膜１６ａ，１６ｃ及び絶縁膜１６ｂ
ともスパッタリング法等の薄膜形成法により形成され
る。また酸化物薄膜２０は酸化珪素や酸化アルミニウム
等の材料で構成されているとともに、スパッタリング法
等の薄膜形成法を用いて形成される。２３はヘッドコア
８に巻かれた巻線である。
明する。図７は従来の積層型磁気ヘッドを示す斜視図
で、図８は図７のＡ部の部分拡大図である。図７及び図
８において、１はスライダーで、スライダー１には一対
の互いに平行な浮上レール２，３が設けられている。ス
ライダー１はα−Ｆｅ2 Ｏ 3 を主成分とする非磁性基板
材料よりなる非磁性基板４と、非磁性基板４と同じ材料
で構成された非磁性基板５と、非磁性基板４と非磁性基
板５との間に設けられた磁気コア１６によって構成され
ている。ここでスライダー１の端面には巻線溝７が設け
られている。またヘッドコア８，９はそれぞれ浮上レー
ル２，３の端面に磁気ギャップとなる非磁性膜１２を介
して接合されたコアであり、ヘッドコア８はα−Ｆｅ2
Ｏ3 を主成分とする非磁性材料で構成された非磁性基板
１０，１１とその非磁性基板１０，１１間に設けられた
磁気コア１６によって構成されている。このときスライ
ダー１とヘッドコア８は接合されており、ヘッドコア９
は全てα−Ｆｅ2 Ｏ3 を主成分とする非磁性材料によっ
て構成されている。ここで磁気コア１６は図８に示すよ
うに非磁性基板５の上に窒化磁性膜１６ａを形成し、窒
化磁性膜１６ａの上に絶縁膜１６ｂを形成し、再度、絶
縁膜１６ｂの上に窒化磁性膜１６ｃを形成する。そして
酸化物薄膜２０を窒化磁性膜１６ｃの上に形成し、その
後、非磁性基板４を磁気コア１６の表面に接着ガラス膜
２２によって接合する。ヘッドコア８の磁気コア１６も
同様に形成する。この時窒化磁性膜１６ａ，１６ｃはＦ
ｅ100-x-y-z Ｔａx Ｚｒy Ｎz （ただし、ｘ，ｙ，ｚは
原子％を表し、２≦ｘ≦１０，２≦ｙ≦８，５≦ｚ≦１
５）の窒化磁性材料が用いられ、絶縁膜１６ｂには酸化
珪素あるいは酸化アルミニウム等の絶縁材料が用いられ
る。また、窒化磁性膜１６ａ，１６ｃ及び絶縁膜１６ｂ
ともスパッタリング法等の薄膜形成法により形成され
る。また酸化物薄膜２０は酸化珪素や酸化アルミニウム
等の材料で構成されているとともに、スパッタリング法
等の薄膜形成法を用いて形成される。２３はヘッドコア
８に巻かれた巻線である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】窒化磁性膜１６ａ，１
６ｃとしてＦｅ100-x-y-z Ｔａx Ｚｒy Ｎz （ただし、
ｘ，ｙ，ｚは原子％を表し、２≦ｘ≦１０，２≦ｙ≦
８，５≦ｚ≦１５）よりなる窒化磁性材料を用いた従来
の積層型磁気ヘッドの構成では、ギャップ形成する際の
高温熱処理後において、接着ガラス膜２２と酸化物薄膜
２０が相互拡散し、窒化磁性膜１６ｃとその拡散した接
着ガラス膜２２が反応することによって窒化磁性膜１６
ｃの磁気特性が劣化してしまい、磁気ヘッドとしての諸
特性が悪くなったり、接着ガラス膜２２内に気泡が発生
したり、非磁性基板４，１０にチッピングが発生すると
いう問題点があった。さらに接着ガラス膜２２の拡散に
よって接着ガラス膜２２自体の組成が変化し、非磁性基
板４，１０と磁気コア１６の充分な接合強度が得られな
いことや、α−Ｆｅ2 Ｏ3 を主成分とする非磁性基板
５，１１に含まれる酸素が窒化磁性膜１６ａ中に拡散す
ることによって、窒化磁性膜１６ａが変色し、軟磁気特
性が劣化し、磁気ヘッドとしての諸特性が悪くなるとい
った問題点が生じた。
６ｃとしてＦｅ100-x-y-z Ｔａx Ｚｒy Ｎz （ただし、
ｘ，ｙ，ｚは原子％を表し、２≦ｘ≦１０，２≦ｙ≦
８，５≦ｚ≦１５）よりなる窒化磁性材料を用いた従来
の積層型磁気ヘッドの構成では、ギャップ形成する際の
高温熱処理後において、接着ガラス膜２２と酸化物薄膜
２０が相互拡散し、窒化磁性膜１６ｃとその拡散した接
着ガラス膜２２が反応することによって窒化磁性膜１６
ｃの磁気特性が劣化してしまい、磁気ヘッドとしての諸
特性が悪くなったり、接着ガラス膜２２内に気泡が発生
したり、非磁性基板４，１０にチッピングが発生すると
いう問題点があった。さらに接着ガラス膜２２の拡散に
よって接着ガラス膜２２自体の組成が変化し、非磁性基
板４，１０と磁気コア１６の充分な接合強度が得られな
いことや、α−Ｆｅ2 Ｏ3 を主成分とする非磁性基板
５，１１に含まれる酸素が窒化磁性膜１６ａ中に拡散す
ることによって、窒化磁性膜１６ａが変色し、軟磁気特
性が劣化し、磁気ヘッドとしての諸特性が悪くなるとい
った問題点が生じた。
【０００５】本発明は、このような課題を解決し、高歩
留まりで良好な電磁変換特性を有する積層型磁気ヘッド
を提供することを目的とする。
留まりで良好な電磁変換特性を有する積層型磁気ヘッド
を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、α−Ｆｅ2 Ｏ3 もしくはα−Ｆｅ2 Ｏ3 を主成分と
する材料で構成された第１の基板としての非磁性基板上
にＦｅ100-x-y-z Ｔａ x Ｚｒy Ｎz （ただし、ｘ，ｙ，
ｚは原子％を表し、２≦Ｘ≦１０，２≦ｙ≦８，５≦ｚ
≦１５）なる組成式で示された窒化磁性膜もしくは窒化
磁性膜と絶縁膜の積層した磁気コアを設け、磁気コアの
上に接着ガラスで接合した第１の基板と第２の基板を備
え、第２の基板が第１の基板と同一材料であって、磁気
コアと接着ガラスの間に磁気コア側から順次に反応防止
膜と第１の酸化物薄膜を設けるとともに、接着ガラスと
第２の基板の間に第２の酸化物薄膜を設けた積層型磁気
ヘッドを用いる。
に、α−Ｆｅ2 Ｏ3 もしくはα−Ｆｅ2 Ｏ3 を主成分と
する材料で構成された第１の基板としての非磁性基板上
にＦｅ100-x-y-z Ｔａ x Ｚｒy Ｎz （ただし、ｘ，ｙ，
ｚは原子％を表し、２≦Ｘ≦１０，２≦ｙ≦８，５≦ｚ
≦１５）なる組成式で示された窒化磁性膜もしくは窒化
磁性膜と絶縁膜の積層した磁気コアを設け、磁気コアの
上に接着ガラスで接合した第１の基板と第２の基板を備
え、第２の基板が第１の基板と同一材料であって、磁気
コアと接着ガラスの間に磁気コア側から順次に反応防止
膜と第１の酸化物薄膜を設けるとともに、接着ガラスと
第２の基板の間に第２の酸化物薄膜を設けた積層型磁気
ヘッドを用いる。
【０００７】窒化磁性膜として、１層当たりの膜厚が１
μｍ以上で１０μｍ以下の窒化磁性膜を用い、第１の酸
化物薄膜及び第２の酸化物薄膜の膜厚を０．２μｍ以上
で２μｍ以下、接着ガラス膜を結晶化ガラスとし、この
膜厚を０．２μｍ以上で２μｍ以下とし、反応防止膜を
クロムもしくは窒化クロムとし、これら膜厚を０．０１
μｍ以上で０．５μｍとしたときに有効である。
μｍ以上で１０μｍ以下の窒化磁性膜を用い、第１の酸
化物薄膜及び第２の酸化物薄膜の膜厚を０．２μｍ以上
で２μｍ以下、接着ガラス膜を結晶化ガラスとし、この
膜厚を０．２μｍ以上で２μｍ以下とし、反応防止膜を
クロムもしくは窒化クロムとし、これら膜厚を０．０１
μｍ以上で０．５μｍとしたときに有効である。
【０００８】また、α−Ｆｅ2 Ｏ3 もしくはα−Ｆｅ2
Ｏ3 を主成分とする非磁性基板と窒化磁性膜の反応を防
止する目的に対しては、窒化磁性膜と第１の基板との間
に酸化アルミニウムの拡散防止膜を設け、拡散防止膜の
膜厚を０．０５μｍ以上０．５μｍ以下にすることによ
り、高温熱処理後の窒化磁性膜の変色及び非磁性基板か
らの剥離に対し特に有効となる。
Ｏ3 を主成分とする非磁性基板と窒化磁性膜の反応を防
止する目的に対しては、窒化磁性膜と第１の基板との間
に酸化アルミニウムの拡散防止膜を設け、拡散防止膜の
膜厚を０．０５μｍ以上０．５μｍ以下にすることによ
り、高温熱処理後の窒化磁性膜の変色及び非磁性基板か
らの剥離に対し特に有効となる。
【０００９】
【作用】窒化磁性膜として、組成がＦｅ100-x-y-z Ｔａ
x Ｚｒy Ｎz （ただし、ｘ，ｙ，ｚは原子％を表し、２
≦ｘ≦１０，２≦ｙ≦８，５≦ｚ≦１５）よりなる窒化
磁性膜を用いた場合特に有効である。
x Ｚｒy Ｎz （ただし、ｘ，ｙ，ｚは原子％を表し、２
≦ｘ≦１０，２≦ｙ≦８，５≦ｚ≦１５）よりなる窒化
磁性膜を用いた場合特に有効である。
【００１０】これらにおいて、窒化磁性膜もしくは窒化
磁性膜と絶縁膜の積層体として、窒化磁性膜の膜厚を１
μｍ以上で１０μｍ以下で、積層型磁気ヘッドの電磁変
換特性に対して有効である。
磁性膜と絶縁膜の積層体として、窒化磁性膜の膜厚を１
μｍ以上で１０μｍ以下で、積層型磁気ヘッドの電磁変
換特性に対して有効である。
【００１１】また、以上において、第１の酸化物薄膜及
び第２の酸化物薄膜の膜厚を０．０５μｍ以上で２μｍ
以下で、接着ガラス膜の膜厚を０．２μｍ以上で２μｍ
以下とし、反応防止膜をクロムもしくは窒化クロムとし
０．０１μｍ以上０．５μｍ以下の膜厚にすることによ
り、接着ガラス膜の拡散による磁気コア中の窒化磁性膜
の特性劣化及び接着ガラス膜内に発生する気泡を防止す
ることができ、接着ガラス膜の特性劣化による接着強度
の低下を防止することができる。
び第２の酸化物薄膜の膜厚を０．０５μｍ以上で２μｍ
以下で、接着ガラス膜の膜厚を０．２μｍ以上で２μｍ
以下とし、反応防止膜をクロムもしくは窒化クロムとし
０．０１μｍ以上０．５μｍ以下の膜厚にすることによ
り、接着ガラス膜の拡散による磁気コア中の窒化磁性膜
の特性劣化及び接着ガラス膜内に発生する気泡を防止す
ることができ、接着ガラス膜の特性劣化による接着強度
の低下を防止することができる。
【００１２】一方、ギャップを形成する際の高温熱処理
後、α−Ｆｅ2 Ｏ3 もしくはα−Ｆｅ2 Ｏ3 を主成分と
する非磁性基板から窒化磁性膜への酸素の拡散が生じ、
窒化磁性膜が変色し、窒化磁性膜の特性を劣化させ、積
層型磁気ヘッドの電磁変換特性をも劣化させていた。ま
た、拡散防止膜として酸化珪素膜を用いると非磁性基板
からの酸素の侵入を防ぐには酸化珪素膜の膜厚が０．５
μｍ程度以上必要となり、酸化珪素の熱膨張係数は窒化
磁性膜の熱膨張係数と比較し非常に小さいため非磁性基
板からの窒化磁性膜の剥離が起きやすい。これに対し
て、本発明はα−Ｆｅ2 Ｏ3 もしくはα−Ｆｅ2 Ｏ3 を
主成分とする非磁性基板と窒化磁性膜の間に拡散防止膜
を設けることにより、非磁性基板から窒化磁性膜中への
拡散を防止し、窒化磁性膜の変色を防いでいる。このよ
うな拡散防止膜としては、酸化珪素に比べ窒化磁性膜の
熱膨張係数に比較的近い酸化アルミニウムが有効である
ことが確認され、これら拡散防止膜を用いることによっ
て、ヘッド作製プロセスのような高温加熱後の窒化磁性
膜の変色がなく、かつ、非磁性基板からの剥離がない。
後、α−Ｆｅ2 Ｏ3 もしくはα−Ｆｅ2 Ｏ3 を主成分と
する非磁性基板から窒化磁性膜への酸素の拡散が生じ、
窒化磁性膜が変色し、窒化磁性膜の特性を劣化させ、積
層型磁気ヘッドの電磁変換特性をも劣化させていた。ま
た、拡散防止膜として酸化珪素膜を用いると非磁性基板
からの酸素の侵入を防ぐには酸化珪素膜の膜厚が０．５
μｍ程度以上必要となり、酸化珪素の熱膨張係数は窒化
磁性膜の熱膨張係数と比較し非常に小さいため非磁性基
板からの窒化磁性膜の剥離が起きやすい。これに対し
て、本発明はα−Ｆｅ2 Ｏ3 もしくはα−Ｆｅ2 Ｏ3 を
主成分とする非磁性基板と窒化磁性膜の間に拡散防止膜
を設けることにより、非磁性基板から窒化磁性膜中への
拡散を防止し、窒化磁性膜の変色を防いでいる。このよ
うな拡散防止膜としては、酸化珪素に比べ窒化磁性膜の
熱膨張係数に比較的近い酸化アルミニウムが有効である
ことが確認され、これら拡散防止膜を用いることによっ
て、ヘッド作製プロセスのような高温加熱後の窒化磁性
膜の変色がなく、かつ、非磁性基板からの剥離がない。
【００１３】
（実施例１）図１は本発明の第１の実施例における積層
型磁気ヘッドを示す斜視図である。図１において１はス
ライダー、２，３はそれぞれ浮上レール、４，１０はそ
れぞれ第２の基板としての非磁性基板、５，１１はそれ
ぞれ第１の基板としての非磁性基板、８，９はそれぞれ
ヘッドコアでこれらは従来の構成と同じである。６は非
磁性基板４と非磁性基板５で挟まれるとともに、非磁性
基板１０と非磁性基板１１で挟まれた磁気コアで、磁気
コア６は図２のように構成されている。図２は図１に示
すＢ部の部分拡大図である。図２において１２は非磁性
膜でこれは従来の構成と同じである。図２において１７
は非磁性基板５，１１上にそれぞれ設けられた拡散防止
膜で、拡散防止膜１７の構成材料としては酸化珪素が用
いられる。また、拡散防止膜１７はスパッタリング法等
の薄膜形成法を用いて膜厚０．０１μｍ〜２μｍ程度形
成される。１８は拡散防止膜１７の上に設けられて拡散
防止膜で、拡散防止膜１８の構成材料としてはクロムも
しくは窒化クロムが用いられる。また拡散防止膜１８は
スパッタリング法等の薄膜形成法を用いて膜厚０．０１
μ〜２μｍ程度形成される。６ａは窒化磁性膜であり、
Ｆｅ100-x-y-z Ｔａ x Ｚｒy Ｎz （ただし、ｘ，ｙ，ｚ
は原子％を表わし、２≦ｘ≦１０，２≦ｙ≦８，５≦ｚ
≦１５）の窒化磁性材料で構成され、スパッタリング法
等の薄膜形成法を用いて形成される。また窒化磁性膜６
ａは膜厚が１μ〜１０μｍになるように形成されてい
る。６ｂは窒化磁性膜６ａの上に形成された絶縁膜で、
絶縁膜６ｂは酸化珪素等の絶縁材料によって構成されて
いる。また絶縁膜６ｂはスパッタリング法等の薄膜形成
法を用いて膜厚が０．０５μｍ〜０．５０μｍ程度にな
るように形成される。６ｃは絶縁膜６ｂの上に形成され
た窒化磁性膜で、窒化磁性膜６ｃは前述の窒化磁性膜６
ａとほぼ同じ条件で、製法、膜厚等が同じになるように
形成されている。１９は窒化磁性膜６ｃの上に設けられ
た反応防止膜でクロム膜もしくは窒化クロム膜で構成さ
れているとともに、スパッタリング法等の薄膜形成法を
用いて膜厚０．０１μｍ〜０．５μｍ程度になるように
形成されている。２０は反応防止膜１９の上に設けられ
た第１の酸化物薄膜としての酸化物薄膜で、酸化物薄膜
２０は酸化珪素や酸化アルミニウム等の材料で構成され
ているとともに、スパッタリング法等の薄膜形成法を用
いて膜厚０．２μｍ〜２μｍ程度形成される。第２の酸
化物薄膜としての酸化物薄膜２１は酸化物薄膜２０と同
様の材料及び製法によって形成される。これら酸化物薄
膜２０，２１はそれぞれ磁気コア６の上に汚染物質が吸
着したり、また磁気コア６自身の酸化の防止、さらには
耐摩耗性の向上等を目的として設けられた。２２は酸化
物薄膜２０と酸化物薄膜２１の間に設けられた接着ガラ
ス膜で、接着ガラス膜２２は非磁性基板４，１０と磁気
コア６を接合している。接着ガラス膜２２は酸化物薄膜
２０，２１の少なくとも一方の表面にスパッタリング法
や粉末沈澱法等を用いて膜厚０．２μｍ〜２μｍ形成さ
れるとともに、構成材料としてはＰｂＯ−Ｂ2 Ｏ3 −Ｚ
ｎＯ系の結晶化ガラスが用いられる。２３はヘッドコア
８に巻かれた巻線である。このように構成された積層型
磁気ヘッドでは、窒化磁性膜６ｃの上に反応防止膜１９
を設け、さらに非磁性基板４，１０との間に、酸化物薄
膜２０，２１、低融点ガラスからなる接着ガラス膜２２
をそれぞれ設けることによって、積層型磁気ヘッドを作
製する際の熱処理工程を施しても窒化磁性膜６ｃと酸化
物薄膜２０，２１との反応を防ぎ、酸化物薄膜２０，２
１と接着ガラス膜２２の相互拡散を抑えることができ、
窒化磁性膜６ａ，６ｃの磁気特性の劣化及び接着ガラス
膜２２内の気泡を防止することができ、接着ガラス膜２
２の特性劣化による接着強度の低下を防止できるので、
積層型磁気ヘッドの電磁変換特性を劣化させることはな
い。
型磁気ヘッドを示す斜視図である。図１において１はス
ライダー、２，３はそれぞれ浮上レール、４，１０はそ
れぞれ第２の基板としての非磁性基板、５，１１はそれ
ぞれ第１の基板としての非磁性基板、８，９はそれぞれ
ヘッドコアでこれらは従来の構成と同じである。６は非
磁性基板４と非磁性基板５で挟まれるとともに、非磁性
基板１０と非磁性基板１１で挟まれた磁気コアで、磁気
コア６は図２のように構成されている。図２は図１に示
すＢ部の部分拡大図である。図２において１２は非磁性
膜でこれは従来の構成と同じである。図２において１７
は非磁性基板５，１１上にそれぞれ設けられた拡散防止
膜で、拡散防止膜１７の構成材料としては酸化珪素が用
いられる。また、拡散防止膜１７はスパッタリング法等
の薄膜形成法を用いて膜厚０．０１μｍ〜２μｍ程度形
成される。１８は拡散防止膜１７の上に設けられて拡散
防止膜で、拡散防止膜１８の構成材料としてはクロムも
しくは窒化クロムが用いられる。また拡散防止膜１８は
スパッタリング法等の薄膜形成法を用いて膜厚０．０１
μ〜２μｍ程度形成される。６ａは窒化磁性膜であり、
Ｆｅ100-x-y-z Ｔａ x Ｚｒy Ｎz （ただし、ｘ，ｙ，ｚ
は原子％を表わし、２≦ｘ≦１０，２≦ｙ≦８，５≦ｚ
≦１５）の窒化磁性材料で構成され、スパッタリング法
等の薄膜形成法を用いて形成される。また窒化磁性膜６
ａは膜厚が１μ〜１０μｍになるように形成されてい
る。６ｂは窒化磁性膜６ａの上に形成された絶縁膜で、
絶縁膜６ｂは酸化珪素等の絶縁材料によって構成されて
いる。また絶縁膜６ｂはスパッタリング法等の薄膜形成
法を用いて膜厚が０．０５μｍ〜０．５０μｍ程度にな
るように形成される。６ｃは絶縁膜６ｂの上に形成され
た窒化磁性膜で、窒化磁性膜６ｃは前述の窒化磁性膜６
ａとほぼ同じ条件で、製法、膜厚等が同じになるように
形成されている。１９は窒化磁性膜６ｃの上に設けられ
た反応防止膜でクロム膜もしくは窒化クロム膜で構成さ
れているとともに、スパッタリング法等の薄膜形成法を
用いて膜厚０．０１μｍ〜０．５μｍ程度になるように
形成されている。２０は反応防止膜１９の上に設けられ
た第１の酸化物薄膜としての酸化物薄膜で、酸化物薄膜
２０は酸化珪素や酸化アルミニウム等の材料で構成され
ているとともに、スパッタリング法等の薄膜形成法を用
いて膜厚０．２μｍ〜２μｍ程度形成される。第２の酸
化物薄膜としての酸化物薄膜２１は酸化物薄膜２０と同
様の材料及び製法によって形成される。これら酸化物薄
膜２０，２１はそれぞれ磁気コア６の上に汚染物質が吸
着したり、また磁気コア６自身の酸化の防止、さらには
耐摩耗性の向上等を目的として設けられた。２２は酸化
物薄膜２０と酸化物薄膜２１の間に設けられた接着ガラ
ス膜で、接着ガラス膜２２は非磁性基板４，１０と磁気
コア６を接合している。接着ガラス膜２２は酸化物薄膜
２０，２１の少なくとも一方の表面にスパッタリング法
や粉末沈澱法等を用いて膜厚０．２μｍ〜２μｍ形成さ
れるとともに、構成材料としてはＰｂＯ−Ｂ2 Ｏ3 −Ｚ
ｎＯ系の結晶化ガラスが用いられる。２３はヘッドコア
８に巻かれた巻線である。このように構成された積層型
磁気ヘッドでは、窒化磁性膜６ｃの上に反応防止膜１９
を設け、さらに非磁性基板４，１０との間に、酸化物薄
膜２０，２１、低融点ガラスからなる接着ガラス膜２２
をそれぞれ設けることによって、積層型磁気ヘッドを作
製する際の熱処理工程を施しても窒化磁性膜６ｃと酸化
物薄膜２０，２１との反応を防ぎ、酸化物薄膜２０，２
１と接着ガラス膜２２の相互拡散を抑えることができ、
窒化磁性膜６ａ，６ｃの磁気特性の劣化及び接着ガラス
膜２２内の気泡を防止することができ、接着ガラス膜２
２の特性劣化による接着強度の低下を防止できるので、
積層型磁気ヘッドの電磁変換特性を劣化させることはな
い。
【００１４】ここで、本実施例の構成において、窒化磁
性膜の組成、さらに窒化磁性膜、反応防止膜、酸化物薄
膜及び接着ガラス膜のそれぞれの膜厚を変えたときの接
着ガラス膜内に発生する気泡の有無、剥離の有無、及び
保磁力の結果を（表１）〜（表３）に示す。反応防止膜
を設けることにより、接着ガラス膜内の気泡の発生がな
くなり、反応防止膜、酸化物薄膜及び接着ガラス膜の各
々の膜厚を限定させることにより、ギャップ形成する際
の高温熱処理後の非磁性基板からの窒化磁性膜の剥離が
なくなり、１層当たりの窒化磁性膜を限定させることに
より、良好な保磁力が得られる。
性膜の組成、さらに窒化磁性膜、反応防止膜、酸化物薄
膜及び接着ガラス膜のそれぞれの膜厚を変えたときの接
着ガラス膜内に発生する気泡の有無、剥離の有無、及び
保磁力の結果を（表１）〜（表３）に示す。反応防止膜
を設けることにより、接着ガラス膜内の気泡の発生がな
くなり、反応防止膜、酸化物薄膜及び接着ガラス膜の各
々の膜厚を限定させることにより、ギャップ形成する際
の高温熱処理後の非磁性基板からの窒化磁性膜の剥離が
なくなり、１層当たりの窒化磁性膜を限定させることに
より、良好な保磁力が得られる。
【００１５】
【表１】
【００１６】
【表２】
【００１７】
【表３】
【００１８】したがって、本発明を用いた場合、磁気コ
アに窒化磁性膜用いて良好な記録再生特性を有する積層
型磁気ヘッドを得ることができるのである。
アに窒化磁性膜用いて良好な記録再生特性を有する積層
型磁気ヘッドを得ることができるのである。
【００１９】窒化磁性膜として、組成がＦｅ100-x-y-z
Ｔａx Ｚｒy Ｎz （ただし、ｘ，ｙ，ｚは原子％を表
し、２≦ｘ≦１０，２≦ｙ≦８，５≦ｚ≦１５）よりな
る窒化磁性膜もしくは窒化磁性膜と絶縁膜の積層体とし
て、窒化磁性膜の膜厚を１μｍ以上で１０μｍ以下で、
積層型磁気ヘッドの電磁変換特性に対して有効である。
Ｔａx Ｚｒy Ｎz （ただし、ｘ，ｙ，ｚは原子％を表
し、２≦ｘ≦１０，２≦ｙ≦８，５≦ｚ≦１５）よりな
る窒化磁性膜もしくは窒化磁性膜と絶縁膜の積層体とし
て、窒化磁性膜の膜厚を１μｍ以上で１０μｍ以下で、
積層型磁気ヘッドの電磁変換特性に対して有効である。
【００２０】また、第１の酸化物薄膜及び第２の酸化物
薄膜の膜厚を０．０５μｍ以上で２μｍ以下で、接着ガ
ラス膜の膜厚を０．２μｍ以上で２μｍ以下とし、反応
防止膜をクロムもしくは窒化クロムとし０．０１μｍ以
上０．５μｍ以下の膜厚にすることにより、高歩留まり
で積層型磁気ヘッドを得ることができる。
薄膜の膜厚を０．０５μｍ以上で２μｍ以下で、接着ガ
ラス膜の膜厚を０．２μｍ以上で２μｍ以下とし、反応
防止膜をクロムもしくは窒化クロムとし０．０１μｍ以
上０．５μｍ以下の膜厚にすることにより、高歩留まり
で積層型磁気ヘッドを得ることができる。
【００２１】（実施例２）図３は本発明の第２の実施例
における積層型磁気ヘッドの斜視図を示し、図３におい
て、１はスライダー、２，３はそれぞれ浮上レール、
４，１０はそれぞれ第２の基板としての非磁性基板、
５，１１はそれぞれ第１の基板としての非磁性基板、７
は巻線溝、８，９はそれぞれヘッドコアで、これらは従
来の構成と同じである。２６は非磁性基板４，１０と非
磁性基板５，１１とで挟まれた磁気コアで、磁気コア２
６は図４のように構成されている。図４は図３に示すＣ
部の部分拡大図である。図４においては、２４は非磁性
基板５，１１上にそれぞれ設けられた拡散防止膜で、拡
散防止膜２４の構成材料としては酸化アルミニウムが用
いられる。また、拡散防止膜２４はスパッタリング法等
の薄膜形成法を用いて膜厚０．０５μｍ〜０．５μｍ程
度に形成される。２６ａは窒化磁性膜で、Ｆｅ100-
x-y-z Ｔａx Ｚｒy Ｎz （ただし、ｘ，ｙ，ｚ，は原子
％を表し、２≦ｘ≦１０，２≦ｙ≦８，５≦ｚ≦１５）
の窒化磁性材料で構成され、スパッタリング法等の手法
を用いて膜厚１μｍ〜１０μｍ程度なるように形成され
る。２６ｂは窒化磁性膜２６ａの上に形成された絶縁膜
で、絶縁膜２６ｂは酸化珪素等の絶縁材料によって構成
され、スパッタリング法等の薄膜形成法を用いて、膜厚
が０．０５μｍ〜０．５μｍ程度になるように形成され
る。２６ｃは窒化磁性膜であり、絶縁膜２６ｂの上に形
成された窒化磁性膜２６ａとほぼ同じで条件、製法、膜
厚等が同じように形成される。１９は窒化磁性膜２６ｃ
の上に設けられた反応防止膜でクロム膜もしくは窒化ク
ロム膜で構成され、スパッタリング法等の薄膜形成法を
用いて膜厚０．０１μｍ〜０．５μｍ程度になるように
形成される。２０は反応防止膜１９の上に設けられた酸
化物薄膜で、酸化物薄膜２０は酸化珪素や酸化アルミニ
ウム等の材料で構成され、スパッタリング法等の薄膜形
成法を用いて膜厚０．２μｍ〜２μｍ程度になるように
形成される。酸化物薄膜２１は酸化物薄膜２０と同様な
材料及び製法で形成される。これら酸化物薄膜２０，２
１はそれぞれ磁気コア２６の上に汚染物質が吸着した
り、また磁気コア２６自身の酸化防止、さらには耐摩耗
性の向上等を目的として設けられた。２２は酸化物薄膜
２０，２１の間に設けられた接着ガラス膜で、接着ガラ
ス膜２２は非磁性基板４，１０と磁気コア２６を接合し
ている。接着ガラス膜２２は酸化物薄膜２０，２１の少
なくとも一方の表面にスパッタリング法や粉末沈澱法等
を用いて膜厚０．２μｍ〜２μｍ形成されるとともに、
構成材料としてはＰｂＯ−Ｂ2 Ｏ3 −ＺｎＯ系の結晶化
ガラスが用いられる。２３はヘッドコア８に巻かれた巻
線である。
における積層型磁気ヘッドの斜視図を示し、図３におい
て、１はスライダー、２，３はそれぞれ浮上レール、
４，１０はそれぞれ第２の基板としての非磁性基板、
５，１１はそれぞれ第１の基板としての非磁性基板、７
は巻線溝、８，９はそれぞれヘッドコアで、これらは従
来の構成と同じである。２６は非磁性基板４，１０と非
磁性基板５，１１とで挟まれた磁気コアで、磁気コア２
６は図４のように構成されている。図４は図３に示すＣ
部の部分拡大図である。図４においては、２４は非磁性
基板５，１１上にそれぞれ設けられた拡散防止膜で、拡
散防止膜２４の構成材料としては酸化アルミニウムが用
いられる。また、拡散防止膜２４はスパッタリング法等
の薄膜形成法を用いて膜厚０．０５μｍ〜０．５μｍ程
度に形成される。２６ａは窒化磁性膜で、Ｆｅ100-
x-y-z Ｔａx Ｚｒy Ｎz （ただし、ｘ，ｙ，ｚ，は原子
％を表し、２≦ｘ≦１０，２≦ｙ≦８，５≦ｚ≦１５）
の窒化磁性材料で構成され、スパッタリング法等の手法
を用いて膜厚１μｍ〜１０μｍ程度なるように形成され
る。２６ｂは窒化磁性膜２６ａの上に形成された絶縁膜
で、絶縁膜２６ｂは酸化珪素等の絶縁材料によって構成
され、スパッタリング法等の薄膜形成法を用いて、膜厚
が０．０５μｍ〜０．５μｍ程度になるように形成され
る。２６ｃは窒化磁性膜であり、絶縁膜２６ｂの上に形
成された窒化磁性膜２６ａとほぼ同じで条件、製法、膜
厚等が同じように形成される。１９は窒化磁性膜２６ｃ
の上に設けられた反応防止膜でクロム膜もしくは窒化ク
ロム膜で構成され、スパッタリング法等の薄膜形成法を
用いて膜厚０．０１μｍ〜０．５μｍ程度になるように
形成される。２０は反応防止膜１９の上に設けられた酸
化物薄膜で、酸化物薄膜２０は酸化珪素や酸化アルミニ
ウム等の材料で構成され、スパッタリング法等の薄膜形
成法を用いて膜厚０．２μｍ〜２μｍ程度になるように
形成される。酸化物薄膜２１は酸化物薄膜２０と同様な
材料及び製法で形成される。これら酸化物薄膜２０，２
１はそれぞれ磁気コア２６の上に汚染物質が吸着した
り、また磁気コア２６自身の酸化防止、さらには耐摩耗
性の向上等を目的として設けられた。２２は酸化物薄膜
２０，２１の間に設けられた接着ガラス膜で、接着ガラ
ス膜２２は非磁性基板４，１０と磁気コア２６を接合し
ている。接着ガラス膜２２は酸化物薄膜２０，２１の少
なくとも一方の表面にスパッタリング法や粉末沈澱法等
を用いて膜厚０．２μｍ〜２μｍ形成されるとともに、
構成材料としてはＰｂＯ−Ｂ2 Ｏ3 −ＺｎＯ系の結晶化
ガラスが用いられる。２３はヘッドコア８に巻かれた巻
線である。
【００２２】ここで、本実施例の窒化磁性膜２６ａとα
−Ｆｅ2 Ｏ3 を主成分とする非磁性基板５，１１の界面
に拡散防止膜２４（酸化アルミニウム膜）を介在させた
サンプルと従来例のサンプルについて、膜厚が１μｍの
Ｆｅ100-x-y-z Ｔａx ＺｒyＮz （ただし、ｘ，ｙ，ｚ
は原子％を表し、２≦ｘ≦１０，２≦ｙ≦８，５≦ｚ≦
１５）の組成よりなる窒化磁性膜とα−Ｆｅ2 Ｏ3 もし
くは、α−Ｆｅ2 Ｏ3を主成分とする非磁性基板５，１
１の界面の構成原子の拡散状況をＸ線光電子分光分析に
よるデータを基に説明する。
−Ｆｅ2 Ｏ3 を主成分とする非磁性基板５，１１の界面
に拡散防止膜２４（酸化アルミニウム膜）を介在させた
サンプルと従来例のサンプルについて、膜厚が１μｍの
Ｆｅ100-x-y-z Ｔａx ＺｒyＮz （ただし、ｘ，ｙ，ｚ
は原子％を表し、２≦ｘ≦１０，２≦ｙ≦８，５≦ｚ≦
１５）の組成よりなる窒化磁性膜とα−Ｆｅ2 Ｏ3 もし
くは、α−Ｆｅ2 Ｏ3を主成分とする非磁性基板５，１
１の界面の構成原子の拡散状況をＸ線光電子分光分析に
よるデータを基に説明する。
【００２３】従来例の組み合わせサンプルとして、α−
Ｆｅ2 Ｏ3 を主成分とする非磁性基板上に膜厚１μｍの
窒化磁性膜をスパッタリング法により形成し、５５０℃
の熱処理を行ったものを第１のサンプルとした。一方、
本実施例のサンプルとして、α−Ｆｅ2 Ｏ3 を主成分と
する非磁性基板に膜厚が０．３μｍの酸化アルミニウム
膜（拡散防止膜）を形成し、さらに膜厚が１μｍの窒化
磁性膜をスパッタリング法により形成して、５５０℃の
熱処理を行ったものを第２のサンプルとした。第１〜２
のサンプルを窒化磁性膜表面上からＸ線光電子分光分析
により、拡散及び反応状態を測定した。第１及び第２の
サンプルの測定結果をそれぞれ図５及び図６に示す。縦
軸は各原子のＸ線強度である。横軸はエッチング時間で
あり、これは膜表面からの深さを示している。図５から
明らかなように酸化アルミニウム膜（拡散防止膜）がな
い場合には、α−Ｆｅ2 Ｏ3 を主成分とする非磁性基板
に含まれる酸素が窒化磁性膜へ拡散している。一方、酸
化アルミニウム膜（拡散防止膜）を用いた場合には、図
６から明らかなようにα−Ｆｅ2 Ｏ3 を主成分とする非
磁性基板中に含まれる酸素の拡散が抑制されていること
がわかる。
Ｆｅ2 Ｏ3 を主成分とする非磁性基板上に膜厚１μｍの
窒化磁性膜をスパッタリング法により形成し、５５０℃
の熱処理を行ったものを第１のサンプルとした。一方、
本実施例のサンプルとして、α−Ｆｅ2 Ｏ3 を主成分と
する非磁性基板に膜厚が０．３μｍの酸化アルミニウム
膜（拡散防止膜）を形成し、さらに膜厚が１μｍの窒化
磁性膜をスパッタリング法により形成して、５５０℃の
熱処理を行ったものを第２のサンプルとした。第１〜２
のサンプルを窒化磁性膜表面上からＸ線光電子分光分析
により、拡散及び反応状態を測定した。第１及び第２の
サンプルの測定結果をそれぞれ図５及び図６に示す。縦
軸は各原子のＸ線強度である。横軸はエッチング時間で
あり、これは膜表面からの深さを示している。図５から
明らかなように酸化アルミニウム膜（拡散防止膜）がな
い場合には、α−Ｆｅ2 Ｏ3 を主成分とする非磁性基板
に含まれる酸素が窒化磁性膜へ拡散している。一方、酸
化アルミニウム膜（拡散防止膜）を用いた場合には、図
６から明らかなようにα−Ｆｅ2 Ｏ3 を主成分とする非
磁性基板中に含まれる酸素の拡散が抑制されていること
がわかる。
【００２４】次に、窒化磁性膜の組成及び酸化アルミニ
ウム膜の膜厚をいろいろ変えたときの窒化磁性膜を５５
０℃で１時間窒素中で熱処理した後の窒化磁性膜の変色
及び基板からの剥離状況を調べた結果について（表４）
に示す。窒化磁性膜の組成が、Ｆｅ100-x-y-z Ｔａx Ｚ
ｒy Ｎz （ただし、ｘ，ｙ，ｚは原子％を表し、２≦ｘ
≦１０，２≦ｙ≦８，５≦ｚ≦１５）の範囲及び酸化ア
ルミニウムの膜厚が０．０５μｍ以上になると窒化磁性
膜の変色がなくなってきており、０．５μｍ以下におい
て非磁性基板からの剥離は生じなかった。
ウム膜の膜厚をいろいろ変えたときの窒化磁性膜を５５
０℃で１時間窒素中で熱処理した後の窒化磁性膜の変色
及び基板からの剥離状況を調べた結果について（表４）
に示す。窒化磁性膜の組成が、Ｆｅ100-x-y-z Ｔａx Ｚ
ｒy Ｎz （ただし、ｘ，ｙ，ｚは原子％を表し、２≦ｘ
≦１０，２≦ｙ≦８，５≦ｚ≦１５）の範囲及び酸化ア
ルミニウムの膜厚が０．０５μｍ以上になると窒化磁性
膜の変色がなくなってきており、０．５μｍ以下におい
て非磁性基板からの剥離は生じなかった。
【００２５】
【表４】
【００２６】したがって、本発明を用いた場合、磁気コ
アに窒化磁性膜用いて良好な記録再生特性を有する積層
型磁気ヘッドを高歩留まりで得ることができる。
アに窒化磁性膜用いて良好な記録再生特性を有する積層
型磁気ヘッドを高歩留まりで得ることができる。
【００２７】
【発明の効果】本発明は、接着ガラス膜の拡散による磁
気コア中の窒化磁性膜の特性劣化及び接着ガラス膜内に
発生する気泡を防止することができ、接着ガラス膜の特
性劣化による接着強度の低下を防止することができる。
また、α−Ｆｅ2 Ｏ3 もしくはα−Ｆｅ2 Ｏ3 を主成分
とする非磁性基板と窒化磁性膜の反応を防止することに
よって、窒化磁性膜の軟磁気特性の劣化を防止でき、か
つ窒化磁性膜に比較的近い熱膨張係数を有する酸化アル
ミニウムで構成される拡散防止膜の膜厚を薄くすること
ができるので、高歩留まりで良好な電磁変換特性を有す
る積層型磁気ヘッドを提供することができる。したがっ
て、本発明は産業上の利用価値が高いものである。
気コア中の窒化磁性膜の特性劣化及び接着ガラス膜内に
発生する気泡を防止することができ、接着ガラス膜の特
性劣化による接着強度の低下を防止することができる。
また、α−Ｆｅ2 Ｏ3 もしくはα−Ｆｅ2 Ｏ3 を主成分
とする非磁性基板と窒化磁性膜の反応を防止することに
よって、窒化磁性膜の軟磁気特性の劣化を防止でき、か
つ窒化磁性膜に比較的近い熱膨張係数を有する酸化アル
ミニウムで構成される拡散防止膜の膜厚を薄くすること
ができるので、高歩留まりで良好な電磁変換特性を有す
る積層型磁気ヘッドを提供することができる。したがっ
て、本発明は産業上の利用価値が高いものである。
【図１】本発明の第１の実施例における積層型磁気ヘッ
ドを示す斜視図
ドを示す斜視図
【図２】本発明の第１の実施例における積層型磁気ヘッ
ドのＢ部の部分拡大図
ドのＢ部の部分拡大図
【図３】本発明の第２の実施例における積層型磁気ヘッ
ドを示す斜視図
ドを示す斜視図
【図４】本発明の第２の実施例における積層型磁気ヘッ
ドのＣ部の部分拡大図
ドのＣ部の部分拡大図
【図５】本発明の第２の実施例における積層型磁気ヘッ
ドの比較試験に用いた従来例の非磁性基板と窒化磁性膜
の界面でのＸ線電子分光分析を示す図
ドの比較試験に用いた従来例の非磁性基板と窒化磁性膜
の界面でのＸ線電子分光分析を示す図
【図６】本発明の第２の実施例における積層型磁気ヘッ
ドの比較試験に用いた実施例の非磁性基板と窒化磁性膜
の界面でのＸ線電子分光分析を示す図
ドの比較試験に用いた実施例の非磁性基板と窒化磁性膜
の界面でのＸ線電子分光分析を示す図
【図７】従来の積層型磁気ヘッドを示す斜視図
【図８】従来の積層型磁気ヘッドのＡ部の部分拡大図
１ スライダー ２ 浮上レール ３ 浮上レール ４ 非磁性基板 ５ 非磁性基板 ７ 巻線溝 ８ ヘッドコア ９ ヘッドコア １０ 非磁性基板 １１ 非磁性基板 １２ 非磁性膜 １６ 磁気コア １６ａ 窒化磁性膜 １６ｂ 絶縁膜 １６ｃ 窒化磁性膜 １７ 拡散防止膜 １８ 拡散防止膜 １９ 反応防止膜 ２０ 酸化物薄膜 ２１ 酸化物薄膜 ２２ 接着ガラス膜 ２３ 巻線 ２４ 拡散防止膜
Claims (8)
- 【請求項１】α−Ｆｅ2 Ｏ3 もしくはα−Ｆｅ2 Ｏ3 を
主成分とする材料で構成された第１の基板上に少なくと
も一部をＦｅ100-x-y-z Ｔａx Ｚｒy Ｎz （ただし、
ｘ，ｙ，ｚは原子％を表し、２≦ｘ≦１０，２≦ｙ≦
８，５≦ｚ≦１５）の組成式で示される窒化磁性膜で構
成された磁気コアを設け、前記磁気コアの上に接着ガラ
スで接合した第２の基板を備え、前記磁気コアと前記接
着ガラスの間に前記磁気コア側から順次に反応防止膜と
第１の酸化物薄膜を設けるとともに、前記接着ガラスと
前記第２の基板の間に第２の酸化物薄膜を設けたことを
特徴とする積層型磁気ヘッド。 - 【請求項２】窒化磁性膜として１層当たりの膜厚が１μ
ｍ以上で１０μｍ以下の窒化磁性膜を用いたことを特徴
とする請求項１記載の積層型磁気ヘッド。 - 【請求項３】第１の酸化物薄膜及び第２の酸化物薄膜の
膜厚を０．２μｍ以上で２μｍ以下としたことを特徴と
する請求項１記載の積層型磁気ヘッド。 - 【請求項４】接着ガラスを結晶化ガラスとし、膜厚を
０．２μｍ以上で２μｍ以下としたことを特徴とする請
求項１記載の積層型磁気ヘッド。 - 【請求項５】反応防止膜をクロムもしくは窒化クロムと
し、膜厚を０．０１μｍ以上で０．５μｍ以下としたこ
とを特徴とする請求項１記載の積層型磁気ヘッド。 - 【請求項６】α−Ｆｅ2 Ｏ3 もしくはα−Ｆｅ2 Ｏ3 を
主成分とする材料で構成された第１の基板上に少なくと
も一部をＦｅ100-x-y-z Ｔａx Ｚｒy Ｎz （ただし、
ｘ，ｙ，ｚは原子％を表し、２≦ｘ≦１０，２≦ｙ≦
８，５≦ｚ≦１５）の組成式で示される窒化磁性膜で構
成された磁気コアを設け、前記磁気コアの上に接着ガラ
スで接合した第２の基板を備え、前記窒化磁性膜と前記
第１の基板との間に酸化アルミニウムで構成された拡散
防止膜を設けたことを特徴とする積層型磁気ヘッド。 - 【請求項７】窒化磁性膜として１層当たりの膜厚が１μ
ｍ以上で１０μｍ以下の窒化磁性膜を用いたことを特徴
とする請求項６記載の積層型磁気ヘッド。 - 【請求項８】拡散防止膜として膜厚を０．０５μｍ以上
で０．５μｍ以下としたことを特徴とする請求項７記載
の積層型磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5187948A JPH0744810A (ja) | 1993-07-29 | 1993-07-29 | 積層型磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5187948A JPH0744810A (ja) | 1993-07-29 | 1993-07-29 | 積層型磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0744810A true JPH0744810A (ja) | 1995-02-14 |
Family
ID=16214975
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5187948A Pending JPH0744810A (ja) | 1993-07-29 | 1993-07-29 | 積層型磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0744810A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6320293B1 (en) | 1999-10-04 | 2001-11-20 | Asmo Co., Ltd. | Electric motor having brushes and commutator of armature |
| US11214419B2 (en) | 2017-07-31 | 2022-01-04 | Kabushiki Kaisha Toyota Jidoshokki | Sealing cap |
-
1993
- 1993-07-29 JP JP5187948A patent/JPH0744810A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6320293B1 (en) | 1999-10-04 | 2001-11-20 | Asmo Co., Ltd. | Electric motor having brushes and commutator of armature |
| US11214419B2 (en) | 2017-07-31 | 2022-01-04 | Kabushiki Kaisha Toyota Jidoshokki | Sealing cap |
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