JPH0828389B2 - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPH0828389B2
JPH0828389B2 JP2319647A JP31964790A JPH0828389B2 JP H0828389 B2 JPH0828389 B2 JP H0828389B2 JP 2319647 A JP2319647 A JP 2319647A JP 31964790 A JP31964790 A JP 31964790A JP H0828389 B2 JPH0828389 B2 JP H0828389B2
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置特にボンディングパッドに関する
ものである。
〔従来の技術〕
第２図は従来のボンディングパッドの形成フローを示
す工程断面図であり、図に於いて、（１）はレジスト、
（２）はボンディングパッドとなるアルミ、（３）はア
ルミと下地部を絶縁する層間絶縁膜、（６）は表面安定
化膜、（７）はボンディングワイヤである。
次にボンディングパッド形成フローについて説明す
る。
半導体基板表面に絶縁膜（３）を介しアルミ（２）を
形成し、ボンディングパッドを形成するために、レジス
ト（１）を塗布し、パターニングを行なう。（第２図
（ａ））。
次にアルミ（２）をエッチングしレジストを除去する
（第２図（ｂ））。
表面安定化膜（６）を形成し、ボンディングパッドを
開孔するためにレジストを塗布し、パターニングを行な
う（第２図（ｃ））。
表面安定化膜をエッチングしてレジストを除去し、ボ
ンディングパッドが形成される。（第２図（ｄ））。
〔発明が解決しようとする課題〕
以上の様に構成されたボンディングパッドにボンディ
ングを行う場合、ボンディングワイヤの先端部が、ボン
ディングパッド開孔部の表面安定化膜の側壁に衝撃を与
え、クラックを生じせしめ、又、開孔部とボンディング
ワイヤ先端部との間に隙間が（第２図（ｅ））できるの
で、ワイヤを伝って水分がパッド開孔部に進入し、アル
ミ表面を腐食させるなどの問題点があった。また、これ
らを防ぐ為パッド開孔部を側ぐように、ボンディングを
行うとボンディング強度を強くせしめなければならず、
表面安定化膜にクラックを生じさせるなど信頼性に影響
を与えるなどの問題点があった。（第２図（ｆ）） 本発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、ボンディング構造をボンディングパッドの
高さをボンディング開孔部の表面安定化膜の高さとほぼ
同じにして、信頼性の向上を期待できる半導体装置を得
ることを目的とする。
〔課題を解決するための手段〕
本発明に於ける半導体装置はボンディングパッド下部
に凸部を設け、パッド表面の高さと、パッド開孔部の表
面安定化膜の高さをほぼ同一にしたものである。
〔作用〕
本発明における半導体装置は、ボンディングパッド表
面の高さがパッド開孔部の表面安定化膜の高さとほぼ同
一なので、ボンディング時にボンディング強度を弱くす
ることができ、開孔部を塞ぐようにボンディングするの
で、表面安定化膜にクラックを生じさせず、且つワイヤ
を伝う水分などの進入を防ぐことができる。
〔実施例〕
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第１図は、この実施例のボンディングパッドの形成フ
ローを示す図で、（１）はレジスト、（２）は第１アル
ミ、（３）は第１アルミと下地を絶縁するための絶縁
膜、（４）は第１アルミと第２アルミを絶縁するための
絶縁膜、（５）は第２アルミ、（６）は表面安定化膜で
ある。
次にボンディングパッドの形成フローについて説明す
る。半導体基板表面に絶縁膜（３）を介し第１アルミ
（２）を形成する凸部を形成するためのパターニングを
行なう（第１図（ａ））。
アルミエッチングを行ないレジストを除去する（第１
図（ｂ））。
上層アルミとの絶縁膜（４）を形成する（第１図
（ｃ））。
第２アルミ（５）を形成し、ボンディングパッドを形
成するためにパターニングを行なう（第１図（ｄ））。
アルミエッチングを行ない、レジスト除去を行なう（第
１図（ｅ））。
表面安定化膜を形成しボンディングパッド部の開孔を
行なうが、この時、段差下側に安定膜をのこすようにパ
ターニングを行なう（第１図（ｆ））。
表面安定化膜のエッチングを行ないレジストを除去す
る。これでボンディングパッドの高さが表面安定化膜の
高さと同様のものが得られる。このようなボンディング
パッドでボンディングを行なう時、第１図（ｈ）ように
ボンディングワイヤと開孔部の表面安定化膜との余裕が
全くなくても表面安定化膜にクラックを生じさせない。
ボンディングは開孔部及び表面安定化膜を塞ぐように行
なう。
なお、上記実施例は、第１アルミと第２アルミでの例
を示したが、多層アルミの場合も、下層アルミで凸部を
構成すれば同様の効果が得られ、１層アルミの場合は下
層のポリシリコンや、分離用酸化膜で凸部を構成するこ
とにより同様の効果が得られる。
〔発明の効果〕
以上のようにこの発明によればボンディングパッド下
に凸部を形成し、ボンディングパッドの高さが表面安定
化膜の高さとほぼ同様になるように構成したので、ボン
ディングを行なったとき、ボンディングの先端とボンデ
ィングパッドの開孔部の表面安定化膜との余裕がなくて
も表面安定化膜にクラックを生じさせないのでパッドを
小さくできる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図（ａ）〜（ｈ）は本発明の一実施例を示すボンデ
ィングパッド形成フローの工程断面図、第２図（ａ）〜
（ｆ）は従来のボンディングパッド形成フローの工程断
面図である。 図において、（１）はレジスト、（２）は第１アルミ、
（３）は層間絶縁膜、（４）は1AL−2AL間層間絶縁膜、
（５）は第２アルミ、（６）は表面安定化膜、（７）は
ボンディングワイヤである。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】半導体基板の表面に設けたボンディングパ
    ッドを覆う表面安定化膜に開孔部を形成し、この開孔部
    を介しボンディングワイヤが接続された半導体装置に於
    いて、ボンディングパッド下層部に凸部を形成し、ボン
    ディングパッド部と前記パッド開孔部及びそれらを覆う
    表面安定化膜が半導体基板より同一の段差を有し、ボン
    ディングワイヤによりそれらが全て塞がれていることを
    特徴とする半導体装置。
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