JPH02156646A - 集積回路装置 - Google Patents

集積回路装置

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JPH02156646A
JPH02156646A JP63311211A JP31121188A JPH02156646A JP H02156646 A JPH02156646 A JP H02156646A JP 63311211 A JP63311211 A JP 63311211A JP 31121188 A JP31121188 A JP 31121188A JP H02156646 A JPH02156646 A JP H02156646A
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JP
Japan
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insulating film
metal conductor
film
opening part
integrated circuit
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JP63311211A
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Ichiro Kitao
北尾　一郎
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NEC IC Microcomputer Systems Co Ltd
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NEC IC Microcomputer Systems Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、多層配線の集積回路に関し、特に、ポンディ
ングパッドの構造に関するものである。
〔従来の技術〕
従来、多層配線の集積回路装置は、ポンディングパッド
部で金属導体と絶縁膜の重なりにより著しい段差が生じ
ていた。その構造断面図を第２図に示す。半導体基板１
上に酸化膜２および絶縁膜３上に配線につながる下層金
属導体４が設けられる。この後、層間絶縁膜５で全面を
被い、所定の開口部を設け、上層金属導体６を全面に形
成した後、バターニングし、所定のポンディングパッド
部を形成し、このパッド部のみ露出するように全面に保
護絶縁膜を設ける。この後、図示していないが、所定の
ワイヤボンディングを行ない、実装のため、たとえば装
置全体を樹脂で封止する。
〔軸明が解決しようとする課題〕
上述した従来の集積回路装置は、ポンディングパッドと
なる下層金属導体４が絶縁膜１０２上に置かれているた
め、段差が大きくなっていた。その為ポンディングパッ
ド周辺における保護絶縁膜７に急峻な傾斜ができ、保護
絶縁膜の厚さにばらつきができる。そのため、実装時に
施される樹脂封止により、保護絶縁膜に熱が加わり、保
護絶縁膜の厚薄によってストレスが生じ、保護絶縁膜が
損傷し、十分な保護機能が果せない。またポンディング
パッド部では、電流の流下により発生する熱も加わり易
く、保護絶縁膜が薄い場合１、痛み易い欠点がある。
〔目的〕
本発明の目的は、上述したような欠点を軽減し、信頼性
のより高い集積回路装置を提供することにある。
〔課題を解決するための手段〕
本発明の多層配線の集積回路装置は、半導体基板上に設
けられた第１の絶縁膜と、該第１の絶縁膜上に所定の形
状で設けられた第１の金属導体と、該第１の金属導体に
隣接し、前記第１の絶縁膜上に設けられた第２の絶縁膜
と、前記第１の金属導体上部に開口部を有し、前記第２
の絶縁膜上に設けられた第３の絶縁膜と、該第３の絶縁
膜の開口部を介して、前記第１の金属導体と接続され、
所定の形状で設けられた第２の金属導体と、該第２の金
属導体上部に開口部を有し、前記第３の絶縁膜上に設け
られた第４の絶縁膜とを有している。
このような構成により、第１の金属導体と、第２の絶縁
膜との重なりをなくし、段差を軽減し、第４の絶縁膜に
急峻な傾斜を生じさせないようにしたものである。
〔実施例〕
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例で、多層配線の集積回路装置
におけるポンディングパッドの構造断面図である。半導
体基板ｌ上にシリコン酸化膜２をたとえば厚さ１０，０
００人形成し、このシリコン酸化膜２の全面をｉｏ、ｏ
ｏｏ人のガラス質の絶縁膜３で覆５゜その後、フォトエ
ツチング工程で絶縁膜３に開口部を開孔し、アルミニウ
ムを全面にスパッタリングし、開口部にのみ、アルミニ
ウムを残すようにエツチングして、下層金属導体４とす
る。次に、再びガラス質の絶縁膜を形成して層間絶縁膜
５とした後、フォトエツチング工程で下層アルミニウム
４上の層間絶縁膜５に開口部をつくり、全面にアルミニ
ウムをスパッタリングして、所定の上層金属導体の形状
、たとえば−辺１００μｍの方形のポンディングパッド
にバターニングする。こうして開口部を通じて、下層金
属導体４と上層金属導体６が接続するようにする。さら
に、ガラス質の絶縁膜により保護絶縁膜７を全面に形成
し、ポンディングができるように所定の開口部をつくる
。こうして、ポンディングパッド部の金属導体と、絶縁
膜との重なりが少なく、ポンディングパッド部での段差
の軽減された集積回路が得られる。
〔発明の効果〕
以上説明したように、本発明は酸化膜上にある絶縁膜の
開口部におかれた下層金属導体と絶縁膜との重なりを軽
減し、なだらかな面を有することにより、保護絶縁膜の
傾斜を緩和でき、熱衝撃に対する強度を向上して、集積
回路装置の信頼性を高める効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図は、本発明の多層配線の集積回路におけるポンデ
ィングパッドの構造を示した構造断面図、第２図は、従
来の構造断面図である。 １・・・・・・半導体基板、２・・・・・・酸化膜、３
・・・・・・絶縁膜、４・・・・・・下層金属導体、５
・・・・・・層間絶縁膜、６・・・・・・上層金属導体
、７．・・・・・・保護絶縁膜。 代理人　弁理士　　内　原　　　晋

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 半導体基板上に設けられた第１の絶縁膜と、該第１の絶
    縁膜上に所定の形状で設けられた第１の金属導体と、該
    第１の金属導体に隣接し、前記第１の絶縁膜上に設けら
    れた第２の絶縁膜と、前記第１の金属導体上部に開口部
    を有し、前記第２の絶縁膜上に設けられた第３の絶縁膜
    と、該第３の絶縁膜の開口部を介して前記第１の金属導
    体と接続され、所定の形状で設けられた第２の金属導体
    と、該第２の金属導体上部に開口部を有し、前記第３の
    絶縁膜上に設けられた第４の絶縁膜とを含むことを特徴
    とする集積回路装置。
JP63311211A 1988-12-09 1988-12-09 集積回路装置 Expired - Fee Related JP2806538B2 (ja)

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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58194345A (ja) * 1982-05-07 1983-11-12 Hitachi Ltd 半導体装置
JPS60103655A (ja) * 1983-11-11 1985-06-07 Hitachi Ltd 半導体装置およびその製造方法
JPS60242657A (ja) * 1984-05-16 1985-12-02 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置

Patent Citations (3)

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