JPH0844055A - ポジ型感光性組成物 - Google Patents

ポジ型感光性組成物

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JPH0844055A
JPH0844055A JP7069586A JP6958695A JPH0844055A JP H0844055 A JPH0844055 A JP H0844055A JP 7069586 A JP7069586 A JP 7069586A JP 6958695 A JP6958695 A JP 6958695A JP H0844055 A JPH0844055 A JP H0844055A
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    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/022Quinonediazides

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  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 (1)感度が高くかつ現像ラチチュードの良
い平版印刷版用感光性組成物、及び(2)高感度で高解
像力である超微細加工用ポジ型フォトレジスト組成物を
提供することを目的とする。 【構成】 キノンジアジド構造及びこのキノンジアジド
構造と独立したN−スルホニルアミド〔−C(=O)−
NHSO2 −〕構造を同一分子内に含む、また、キノン
ジアジド構造及びこのキノンジアジド構造と独立したス
ルホンアミド〔−NHSO2 −〕構造を同一分子内に含
む、特定の構造式を有するキノンジアジドエステル化合
物を含有する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は平版印刷版、IC回路や
フォトマスクの製造に適する感光性組成物に関するもの
である。更に詳しくは、ポジ型に作用する感光性物質
と、アルカリ性水溶液または水を主体とするアルカリ性
溶媒に可溶性(以下、「アルカリ水可溶性」という)の
高分子化合物とを含有するポジ型感光性組成物に関する
ものである。
【0002】本発明によるポジ型感光性組成物は平版印
刷版の感光材料として、また微細加工用ポジ型フォトレ
ジストとして特に有用である。
【0003】
【従来の技術】一般にノボラック等のアルカリ可溶性樹
脂と感光物であるキノンジアジド化合物とを含む組成物
は平版印刷版の感光性組成物としてまた微細加工用ポジ
型フォトレジスト組成物として用いられている。これま
で数多くのアルカリ可溶性樹脂とキノンジアジド化合物
とを含む感光性組成物が開発されてきた。これらのいく
つかの例については、A.Reiser著"Photoreactive Polym
ers" John Wiley & Sons(1989) に記載されている。
【0004】これらの感光性組成物はある程度実用に耐
えうるものであり、平版印刷版用感光性組成物として、
また微細加工用レジストとして用いられてきた。しかし
平版印刷版用感光性組成物としては、今まで以上に高い
感度を示すもの、および良好な現像ラチチュードを示す
ものが求められているのが現状である。また微細加工用
レジストとしては、今まで以上に、高い解像力をもち、
パターン形状の良い画像再現を与えるものが求められて
いるのが現状である。
【0005】従来、解像力を高め、パターン形状の良い
画像再現を得るには、高いコントラスト(γ値)を有す
るレジストの使用が有利とされ、このような目的に合う
レジスト組成物の技術開発が行われてきた。かかる技術
を開示する刊行物は極めて多数に上り、特にポジ型フォ
トレジストの主要部分であるノボラック樹脂に関して
は、そのモノマー組成、分子量分布、合成の方法等に関
して多くの特許出願がなされており、一定の成果を収め
てきた。また、もう一つの主要成分である感光物につい
ても、高コントラスト化に有効とされる多くの構造の化
合物が開示されてきている。
【0006】これまで、解像力を高めるためにある特定
構造を有するポリヒドロキシ化合物の1,2−ナフトキ
ノンジアジド化合物が数多く提案されている。例えば、
特開昭57−63526、同60−163043、同6
2−10645、同62−10646、同62−150
245、同63−220139、同64−76047、
特開平1−189644、同2−285351、同2−
296248、同2−296249、同3−4824
9、同3−48250、同3−158856、同3−2
28057、特表平4−502519、米国特許495
7846、同4992356、同5151340、同5
178986、欧州特許530148等である。ところ
が、これらの感光物を用いても、解像力は高められるも
のの、感度は不十分であった。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】本発明の第1の目的
は、感度が高くかつ現像ラチチュードの良い平版印刷版
用感光性組成物を提供することである。また本発明の第
2の目的は、高感度で高解像力である超微細加工用ポジ
型フォトレジスト組成物を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、上記諸特
性に留意し鋭意検討した結果、ある特定の酸性基を有す
る新規なキノンジアジドエステル化合物を用いることに
より上記の問題点が解決されることを見い出し、この知
見にもとづいて本発明を完成するに到った。すなわち本
発明は、下記構成により目的を達成することができる。 (1) 少なくとも1個以上のキノンジアジド構造及び
このキノンジアジド構造と独立した少なくとも1個以上
のN−スルホニルアミド〔−C(=O)−NHSO
2 −〕構造を同一分子内に含む下記一般式〔I〕で表さ
れるキノンジアジドエステル化合物を含有することを特
徴とするポジ型感光性組成物。
【0009】
【化3】
【0010】一般式〔I〕において、L1 およびL2
それぞれ独立して置換基を有していてもよい非金属原子
からなる多価の連結基を表す。Q1 およびQ2 はそれぞ
れ独立して水素原子またはキノンジアジド構造を表し、
1 およびm2 はそれぞれ独立して1〜15の整数を表
す。但し、Q1 およびQ2 の少なくとも1つはキノンジ
アジド構造を表す。 (2) 少なくとも1個以上のキノンジアジド構造及び
このキノンジアジド構造と独立した少なくとも1個以上
のスルホンアミド〔−NHSO2 −〕構造を同一分子内
に含み、且つスルホンアミド〔−NHSO2 −〕構造と
キノンジアジド構造との割合が、1/3<スルホンアミ
ド構造/キノンジアジド構造≦1である下記一般式〔I
I〕で表されるキノンジアジドエステル化合物を含有す
しことを特徴とするポジ型感光性組成物。
【0011】
【化4】
【0012】一般式〔II〕において、L1 、L2 、Q
1 、Q2 、m1 およびm2 は前記式〔I〕と同様の内容
を示す。
【0013】一般式〔I〕中のN−スルホニルアミド構
造〔−C(=O)−NHSO2 −〕及び一般式〔II〕
中のスルホンアミド構造〔−NHSO2 −〕は酸性基で
あり、これらの酸性基と感光性を示すキノンジアジド構
造とが、それぞれ分子構造中に独立して存在することに
よりこれらの化合物は、上記の問題点を解決する優れた
性能を示す。
【0014】ここでキノンジアジド構造としては、V.V.
Ershov著"Quinone Diazides" Elsevier(1981) に記載の
キノンジアジドを広く用いることができる。このうち特
に有用なキノンジアジドとしては1,2−ナフトキノン
ジアジトおよび2,1−ナフトキノンジアジドである。
N−スルホニルアミド構造とキノンジアジド構造とが独
立して存在する、又はスルホンアミド構造とキノンジア
ジド構造とが独立して存在するとは、キノンジアジド構
造より具体的にはベンゾキノンジアジドもしくはナフト
キノンジアジドと、スルホンアミド構造もしくはN−ス
ルホニルアミド構造とは少なくとも1個の炭素原子を含
む非金属原子からなる多価の連結基を介して結合してお
り、直接連結するものではないことを示している。
【0015】キノンジアジド構造は同一分子内に1個以
上、好ましくは1個から15個の範囲で、より好ましく
は1個から10個の範囲で存在する。また一般式〔I〕
中のN−スルホニルアミド構造単位および一般式[I
I]中のスルホンアミド構造単位は、少なくとも1個以
上、好ましくは1個から10個の範囲で、より好ましく
は1個から6個の範囲内で、更に好ましくは1〜4個の
範囲で同一分子内に存在する。
【0016】式[I]において、同一分子内に含まれる
キノンジアジド構造と一般式〔I〕中のN−スルホニル
アミド構造単位の数の割合は(キノンジアジド構造の
数)/(一般式〔I〕中のN−スルホニルアミド構造単
位の数)の形で表すと、1/2から15/1の割合であ
り、好ましくは1/1から10/1の割合である。更によ
り好ましくは2/1から8/1の範囲である。この範囲
であると感度と現像ラチチュードあるいは解像度のバラ
ンスがよい。キノンジアジド構造の割合が少ないと膜べ
りが著しくなり、結果として現像ラチチュードあるいは
解像度が劣化する。逆に、キノンジアジド構造が多い
と、本発明の効果である感度が著しく低下する。
【0017】式〔II〕において、同一分子内に含まれ
るキノンジアジド構造とスルホンアミド構造単位の数の
割合は、(スルホンアミド構造単位の数)/(キノンジ
アジド構造の数)の形で表わすと、1/3<(スルホン
アミド構造単位の数)/(キノンジアジド構造の数)≦
1の割合であり、好ましくは2/5〜1の割合である。
この割合であると感度と現像ラチチュードあるいは解像
度のバランスがよい。
【0018】本発明の式〔I〕及び式〔II〕で示され
る新規なキノンジアジド化合物は、それぞれ一般式
〔I〕中のN−スルホニルアミド構造及び一般式〔I
I〕中のスルホンアミド構造以外に他の置換基を有して
いても良い。この置換基としては、水酸基、カルボキシ
ル基、カルボニル基の他、アセトキシ基のようなアシル
オキシ基〔好ましくは炭素数(以下、C数という)1〜
6〕、メトキシ、エトキシのようなアルコキシ基(好ま
しくはC数1〜6)、塩素、臭素のようなハロゲン原
子、メチル、エチルのようなアルキル基(好ましくはC
数1〜20)、フェニル等のような芳香族基(好ましく
はC数6〜16)が含まれる。
【0019】本発明の式〔I〕及び式〔II〕で示され
る新規なキノンジアジド化合物は低分子量のものが有効
である。この低分子量の範囲としては400から500
0の範囲にあるものを用いることができる。より好まし
くは500から3000までのものである。
【0020】一般式〔I〕及び一般式〔II〕におい
て、L1 およびL2 はそれぞれ独立して置換基を有して
いてもよい非金属原子からなる多価の連結基を表す。Q
1 およびQ2 はそれぞれ独立して水素原子またはキノン
ジアジド構造を表し、m1 およびm2 はそれぞれ独立し
て1〜15の整数を表す。但し、Q1 およびQ2 の少な
くとも1つはキノンジアジド構造を表す。
【0021】L1 およびL2 で表される置換基を有して
いてもよい非金属原子からなる多価の連結基とは、1か
ら60個までの炭素原子、0個から10個までの窒素原
子、0個から50個までの酸素原子、1個から100個
までの水素原子、および0個から20個までの硫黄原子
から成り立つものである。より具体的な連結基としては
下記の構造単位が組み合わさって構成されるものを挙げ
ることができる。
【0022】
【化5】
【0023】多価の連結基が置換基を有する場合、置換
基としてはメチル、エチルなどの炭素数1から20まで
のアルキル基、フェニル、ナフチルなどの炭素数6から
16までの芳香族基、水酸基、カルボキシル基、スルホ
ンアミド基、N−スルホニルアミド基、アセトキシのよ
うな炭素数1から6までのアシルオキシ基、メトキシ、
エトキシのような炭素数1から6までのアルコキシ基、
塩素、臭素のようなハロゲン原子、メトキシカルボニ
ル、エトキシカルボニル、シクロヘキシルオキシカルボ
ニルのような炭素数2から7までのアルコキシカルボニ
ル基、シアノ基、t−ブチルカーボネートのような炭酸
エステル基などを用いることができる。
【0024】上記一般式〔I〕で示される新規なキノン
ジアジド化合物の中で、特に好ましいものは下記一般式
〔III〕で示されるものである。また、上記一般式
〔II〕で示される新規なキノンジアジド化合物の中
で、特に好ましいものは下記一般式〔IV〕で示される
ものである。
【0025】
【化6】
【0026】一般式〔III〕及び〔IV〕において、
1 、Q2 、L1 、m1 、m2 は一般式〔I〕で用いた
記号と同義である。qおよびrはそれぞれ独立して、0
から5までの整数である。ただしqおよびrが同時に0
になることはない。L11、L 12は非金属原子から成る置
換基を有していてもよい多価の連結基であり、これは0
個から60個までの炭素原子、0個から10個までの窒
素原子、0個から50個までの酸素原子、0個から10
0個までの水素原子、および0個から20個までの硫黄
原子から成り立つものである。炭素、窒素、酸素、水
素、および硫黄の各原子数が0個のときL11、L12は単
結合を表わす。
【0027】L11、L12が単結合以外のとき、L11、L
12は前記L1 、L2 で示された(化5)と同様の構造単
位もしくはこれらが組み合わさって構成されるものを挙
げることができる。L11、L12で示される多価の連結基
が置換基を有する場合、前記L1 、L2 で示される多価
の連結基と同様の置換基を挙げることができる。
【0028】一般式〔III〕もしくは〔IV〕で表わ
される化合物の分子量の範囲は400から5000であ
り、より好ましくは500から3000までのものであ
る。一般式〔III〕で表わされる化合物に含まれるキ
ノンジアジド構造と一般式〔III〕中のN−スルホニ
ルアミド構造単位の数の割合は、(キノンジアジド構造
の数)/(一般式〔III〕中のN−スルホニルアミド
構造単位の数)の形で表わすと、1/2〜15/1の割
合であり、好ましくは1/1〜10/1の割合である。
更により好ましくは2/1〜8/1の範囲である。この
範囲であると感度と現像ラチチュードあるいは解像度の
バランスがよい。キノンジアジド構造の割合が少ないと
膜べりが著しくなり、結果として現像ラチチュードある
いは解像度が劣化する。逆に、キノンジアジド構造が多
いと、本発明の効果である感度が著しく低下する。
【0029】一般式〔IV〕で表わされる化合物に含ま
れるキノンジアジド構造と一般式〔IV〕中のスルホン
アミド構造単位の数の割合は、(一般式〔IV〕中のス
ルホンアミド構造単位の数)/(キノンジアジド構造の
数)の形で表わすと、1/3<(一般式〔IV〕中のス
ルホンアミド構造単位の数)/(キノンジアジド構造の
数)≦1の割合であり、好ましくは2/5〜1/1の割
合である。この範囲であると感度と現像ラチチュードあ
るいは解像度のバランスがよい。キノンジアジド構造の
割合が少ないと膜べりが著しくなり、結果として現像ラ
チチュードあるいは解像度が劣化する。逆に、キノンジ
アジド構造が多いと、本発明の効果である感度が著しく
低下する。
【0030】本発明による一般式〔I〕〜〔IV〕で示
される新規な化合物の具体例を以下に示す。但し、本発
明で使用できる化合物はこれに限定されるものではな
い。具体例中、D1は、下記の1,2−ナフトキノンジ
アジド−5−スルホニル構造を、また、D2は、下記の
1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホニル構造を
示す。
【0031】
【化7】
【0032】以下に一般式〔I〕〜〔IV〕の一具体例
を示す。
【0033】
【化8】
【0034】
【化9】
【0035】
【化10】
【0036】
【化11】
【0037】
【化12】
【0038】
【化13】
【0039】本発明の化合物は、例えばヒドロキシ化合
物もしくはポリヒドロキシ化合物と1,2−ナフトキノ
ンジアジド−5−(及び/又は−4−)スルホニルクロ
リドとを、塩基性触媒の存在下で、エステル化反応を行
うことにより得られる。即ち、所定量の(ポリ)ヒドロ
キシ化合物と1,2−ナフトキノンジアジド−5−(及
び/又は−4−)スルホニルクロリド、および溶媒(例
えば、ジオキサン、アセトン、メチルエチルケトン、N
−メチルピロリドン、クロロホルム、トリクロルエタ
ン、トリクロルエチレン、ジクロルエタン等)をフラス
コ中に仕込み、塩基性触媒(例えば、水酸化ナトリウ
ム、炭酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウム、トリエチル
アミン等)を滴下して縮合させる。得られた生成物は、
水洗後精製し乾燥する。
【0040】反応温度は通常−20〜60℃、好ましく
は0〜40℃である。
【0041】ポリヒドロキシ化合物とナフトキノンジア
ジドスルホニルクロリドとの反応では、合成条件によっ
ては、原料の水酸基が残存し、エステル化数及びエステ
ル化位置が種々異なった混合物が得られる場合がある。
分子中に原料の水酸基が残存していてもキノンジアジド
が1個以上結合していれば本発明の新規な感光物として
有用である。
【0042】また分子中に水酸基が残存し、かつキノン
ジアジドが結合しているエステル化位置が種々異なった
混合物であっても、これらの化合物は本発明の新規な感
光物として有用である。
【0043】以下、本発明のポジ型感光性組成物を平版
印刷に用いたときの実施態様について説明する。本発明
の感光性化合物は、樹脂を混合しなくても、あるいは樹
脂を混合しても用いることができる。樹脂組成物として
使用する際には、単独でもしくは2種以上混合してアル
カリ可溶性樹脂に配合して使用される。その配合量は、
アルカリ可溶性樹脂100重量部に対し該化合物5〜1
00重量部、好ましくは20〜60重量部である。
【0044】また本発明では必要に応じて、前記感光性
物質にすでに公知の感光性物質を併用してもよい。例え
ば特公昭43−28403号公報に記載されている1,
2−ジアゾナフトキノンスルホン酸クロリドとピロガロ
ール−アセトン樹脂のエステル、米国特許第3,04
6,120号および同第3,188,210号明細書に
記載されている1,2−ジアゾナフトキノン−5−スル
ホン酸クロリドとフェノール−ホルムアルデヒド樹脂と
のエステル、特開平2−96163号公報、特開平2−
96165号公報、特開平2−96761号公報に記載
されている1,2−ジアゾキノン−4−スルホン酸クロ
リドとフェノール−ホルムアルデヒド樹脂とのエステ
ル、特開昭47−5303号、同48−63802号、
同48−63803号、同48−96575号、同49
−38701号、同48−13354号、特公昭37−
18015号、同41−11222号、同45−961
0号、同49−17481号公報、米国特許第2,79
7,213号、同第3,454,400号、同第3,5
44,323号、同第3,573,917号、同第3,
674,495号、同第3,785,825号、英国特
許第1,227,602号、同第1,251,345
号、同第1,267,005号、同第1,329,88
8号、同第1,330,932号、ドイツ特許第85
4,890号などの各明細書に記載されているものを併
用することができる。
【0045】この場合、本発明の感光性物質100重量
部に対し、1〜100重量部、好ましくは5〜30重量
部以下の割合で使用することができる。
【0046】本発明に用いられるアルカリ可溶性樹脂と
しては、この性質を有する種々の樹脂を使用することが
できるが、好ましい樹脂としては下記のノボラック樹脂
を挙げることができる。例えばフェノールホルムアルデ
ヒド樹脂、m−クレゾールホルムアルデヒド樹脂、p−
クレゾールホルムアルデヒド樹脂、o−クレゾールホル
ムアルデヒド樹脂、m−/p−混合クレゾールホルムア
ルデヒド樹脂、フェノール/クレゾール(m−,p−,
o−またはm−/p−,m−/o−混合のいずれでもよ
い)混合ホルムアルデヒド樹脂などのクレゾールホルム
アルデヒド樹脂などが挙げられる。その他、レゾール型
のフェノール樹脂類も好適に用いられ、フェノール/ク
レゾール(m−,p−,o−またはm−/p−,m−/
o−混合のいずれでもよい)混合ホルムアルデヒド樹脂
が好ましく、特に特開昭61−217034号公報に記
載されているフェノール樹脂類が好ましい。
【0047】また、特開昭60−45238号、同60
−97347号、同60−140235号、同60−1
89739号、同64−14229号、特開平1−27
6131号、同2−60915号、同2−275955
号、同2−282745号、同4−101147号、同
4−122938号等の公報に開示されている技術、即
ち、ノボラック樹脂の低分子成分を除去あるいは減少さ
せたものを用いてもよい。
【0048】またフェノール変性キシレン樹脂、ポリヒ
ドロキシスチレン、ポリハロゲン化ヒドロキシスチレ
ン、特開昭51−34711号公報に開示されているよ
うなフェノール性水酸基を含有するアクリル系樹脂、特
開平2−866号に記載のスルホンアミド基を有するア
クリル系樹脂や、特開昭63−226641号および特
願平5−170484号に記載のN−スルホニルアミド
基を有するアクリル系樹脂およびウレタン系の樹脂等、
種々のアルカリ可溶性の高分子化合物も用いることがで
きる。これらのアルカリ可溶性高分子化合物は、重量平
均分子量が500〜20,000で数平均分子量が20
0〜6,000のものが好ましい。
【0049】かかるアルカリ可溶性の高分子化合物は1
種類あるいは2種類以上を組み合わせて使用してもよ
く、全組成物の80重量%以下の添加量で用いられる。
更に、米国特許第4,123,279号明細書に記載さ
れているように、t−ブチルフェノールホルムアルデヒ
ド樹脂、オクチルフェノールホルムアルデヒド樹脂のよ
うな炭素数3〜8のアルキル基を置換基として有するフ
ェノールとホルムアルデヒドとの縮合物を併用すること
は画像の感脂性を向上させる上で好ましい。
【0050】本発明における感光性組成物中には、感度
を高めるために環状酸無水物類、フェノール類、有機酸
類を添加することが好ましい。環状酸無水物としては米
国特許第4,115,128号明細書に記載されている
ように無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、ヘキ
サヒドロ無水フタル酸、3,6−エンドオキシ−△4
テトラヒドロ無水フタル酸、テトラクロル無水フタル
酸、無水マレイン酸、クロル無水マレイン酸、α−フェ
ニル無水マレイン酸、無水コハク酸、無水ピロメリット
酸等がある。
【0051】フェノール類としては、ビスフェノール
A、p−ニトロフェノール、p−エトキシフェノール、
2,3,4−トリヒドロキシベンゾフェノン、4−ヒドロ
キシベンゾフェノン、、2,4,4′−トリヒドロキシベ
ンゾフェノン、4,4,4″−トリヒドロキシ−トリフェ
ニルメタン、4,4′,3″,4″−テトラヒドロキシ−
3,5,3′,5′−テトラメチルトリフェニルメタンな
どが挙げられる。
【0052】有機酸類としては、特開昭60−8894
2号公報、特開平2−96755号公報などに記載され
ている、スルホン酸類、スルフィン酸類、アルキル硫酸
類、ホスホン酸類、ホスフィン酸類、リン酸エステル
類、カルボン酸類などがあり、具体的にはp−トルエン
スルホン酸、ドデシルベンゼンスルホン酸、p−トルエ
ンスルフィン酸、エチル硫酸、フェニルホスホン酸、フ
ェニルホスフィン酸、リン酸フェニル、リン酸ジフェニ
ル、安息香酸、イソフタル酸、アジピン酸、p−トルイ
ル酸、3,4−ジメトキシ安息香酸、フタル酸、テレフ
タル酸、1,4−シクロヘキセン−2,2−ジカルボン
酸、エルカ酸、ラウリン酸、n−ウンデカン酸、アスコ
ルビン酸などが挙げられる。
【0053】上記の環状酸無水物類、フェノール類、有
機酸類の感光性組成物中に占める割合は、好ましくは0.
05〜15重量%の範囲であり、特に0.1〜5重量%が
好ましい。
【0054】また本発明における感光性組成物中には、
現像ラチチュードを広げるために、特開昭62−251
740号公報や、特開平4−68355号公報に記載さ
れているような非イオン性界面活性剤、特開昭59−1
21044号公報、特開平4−13149号公報に記載
されているような両性界面活性剤を添加することができ
る。
【0055】非イオン性界面活性剤の具体例としては、
ソルビタントリステアレート、ソルビタンモノパルミテ
ート、ソルビタントリオレート、ステアリン酸モノグリ
セリド、ポリオキシエチレンソルビタンモノオレート、
ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテルなどが挙げ
られ、両性界面活性剤の具体例としては、アルキルジ
(アミノエチル)グリシン、アルキルポリアミノエチル
グリシン塩酸塩、アモーゲンK(商品名、第一工業
(株)製、N−テトラデシル−N,N−ベタイン型)、
2−アルキル−N−カルボキシエチル−N−ヒドロキシ
エチルイミダゾリニウムベタイン、レボン15(商品
名、三洋化成(株)製、アルキルイミダゾリン系)など
が挙げられる。
【0056】上記非イオン性界面活性剤、両性界面活性
剤の感光性組成物中に占める割合は0.05%〜15重量
%が好ましく、より好ましくは、0.1〜5重量%であ
る。
【0057】また本発明における感光性組成物中には、
露光後直ちに可視像を得るための焼きだし剤、画像着色
剤としての染料やその他のフィラーなどを加えることが
できる。露光後直ちに可視像を得るための焼きだし剤と
しては露光によって酸を放出する感光性化合物と塩を形
成し得る有機染料の組合せを代表として挙げることがで
きる。
【0058】露光によって酸を放出する感光性化合物と
して種々の化合物が提案されており、具体的には、特開
昭50−36209号にo−ナフトキノンジアジド−4
−スルホン酸ハロゲニド、特開昭53−36223号に
はトリハロメチル−2−ピロンやトリハロメチルトリア
ジン、特開昭55−62444号には種々のo−ナフト
キノンジアジド化合物、特開昭55−77742号には
2−トリハロメチル−5−アリール−1,3,4−オキ
サジアゾール化合物などが提案されている。
【0059】またこれらの光分解物質と相互作用を行う
ことによってその色調を変える有機染料としては、ジフ
ェニルメタン系、トリアリールメタン系、チアジン系、
オキサジン系、フェナジン系、キサンテン系、アントラ
キノン系、イミノナフトキノン系、アゾメチン系の色素
が示されており、具体的には、ブリリアントグリーン、
エオシン、エチルバイオレット、エリスロシンB、メチ
ルグリーン、クリスタルバイオレット、ベイシックフク
シン、フェノールフタレイン、1,3−ジフェニルトリ
アジン、アリザリンレッドS、チモールフタレイン、メ
チルバイオレット2B、キナルジンレッド、ローズベン
ガル、メタニルイエロー、チモールスルホフタレイン、
キシレノールブルー、メチルオレンジ、オレンジIV、ジ
フェニルチオカルバゾン、2,7−ジクロロフルオレセ
イン、パラメチルレッド、コンゴーレッド、ベンゾプル
プリン4B、α−ナフチルレッド、ナイルブルーA、フ
ェナセタリン、メチルバイオレット、マラカイトグリー
ン、パラフクシン、オイルブルー#603(オリエント
化学工業(株)製)、オイルピンク#312(オリエン
ト化学工業(株)製)、オイルレッド5B(オリエント
化学工業(株)製)、オイルスカーレット#308(オ
リエント化学工業(株)製)、オイルレッドOG(オリ
エント化学工業(株)製)、オイルレッドRR(オリエ
ント化学工業(株)製)、オイルグリーン#502(オ
リエント化学工業(株)製)、スピロンレッドBEHス
ペシャル(保土谷化学工業(株)製)、ビクトリアピュ
アーブルーBOH(保土谷化学工業(株)製)、パテン
トピュアーブルー(住友三国化学工業(株)製)、スー
ダンブルーII(BASF社製)、m−クレゾールパープ
ル、クレゾールレッド、ローダミンB、ローダミン6
G、ファーストアッシドバイオレットR、スルホローダ
ミンB、オーラミン、4−p−ジエチルアミノフェニル
イミノナフトキノン、2−カルボキシアニリノ−4−p
−ジエチルアミノフェニルイミノナフトキノン、2−カ
ルボステアリルアミノ−4−p−ジヒドロキシエチル−
アミノ−フェニルイミノナフトキノン、p−メトキシベ
ンゾイル−p′−ジエチルアミノ−o′−メチルフェニ
ルイミノアセトアニリド、シアノ−p−ジエチルアミノ
フェニルイミノアセトアニリド、1−フェニル−3−メ
チル−4−p−ジエチルアミノフェニルイミノ−5−ピ
ラゾリン、1−β−ナフチル−4−p−ジエチルアミノ
フェニルイミノ−5−ピラゾロン等を挙げることができ
る。
【0060】特に有用な染料としては、特開昭62−2
93247号公報に開示されているビクトリアピュアブ
ルーや、エチルバイオレット等の塩基性染料の対アニオ
ンを有機スルホン酸に変えた染料が挙げられる。
【0061】本発明の感光物、アルカリ可溶性樹脂およ
び上記各成分を溶解させる溶剤としては、エチレングリ
コールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエ
チルエーテル、メチルセロソルブアセテート、エチルセ
ロソルブアセテート、ジエチレングリコールモノメチル
エーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、
プロピレングリコールメチルエーテルアセテート、プロ
ピレングリコールプロピルエーテルアセテート、1−メ
トキシ−2−プロパノール、1−メトキシ−2−プロピ
ルアセテート、アセトン、メタノール、エタノール、
水、イソプロパノール、トルエン、キシレン、メチルエ
チルケトン、シクロヘキサノン、2−ヒドロキシプロピ
オン酸エチル、2−ヒドロキシ−2−メチルプロピオン
酸エチル、エトキシ酢酸エチル、ヒドロキシ酢酸エチ
ル、2−ヒドロキシ−3−メチルブタン酸メチル、3−
メトキシプロピオン酸メチル、3−メトキシプロピオン
酸エチル、3−エトキシプロピオン酸エチル、3−エト
キシプロピオン酸メチル、ピルビン酸メチル、ピルビン
酸エチル、酢酸エチル、酢酸ブチル等を用いることがで
きる。これらの有機溶剤は単独で、又は2種以上の組み
合わせで使用される。
【0062】更に、N−メチルホルムアミド、N,N−
ジメチルホルムアミド、N−メチルアセトアミド、N,
N−ジメチルアセトアミド、N−メチルピロリドン、ジ
メチルスルホキシド、ベンジルエチルエーテル等の高沸
点溶剤を混合して使用することができる。
【0063】本発明における感光性組成物中には、塗布
性を良化するための界面活性剤、例えば特開昭62−1
70950号公報に記載されているようなフッ素系界面
活性剤を添加することができる。好ましい添加量は、全
感光性組成物の0.01〜1重量%、さらに好ましくは0.
05〜0.5重量%である。
【0064】本発明の感光性組成物を平版印刷版用とし
て用いる場合には、本発明の感光性組成物は寸度的に安
定な支持体上に塗布される。かかる支持体としては紙、
プラスチック(例えばポリエチレン、ポリプロピレン、
ポリスチレンなど)がラミネートされた紙、アルミニウ
ム(アルミニウム合金を含む。)、亜鉛、銅などのよう
な金属板、二酢酸セルロース、三酢酸セルロース、プロ
ピオン酸セルロース、酢酸セルロース、酢酸−酪酸セル
ロース、硝酸セルロース、ポリエチレンテレフタレー
ト、ポリエチレン、ポリスチレン、ポリプロピレン、ポ
リカーボネート、ポリビニルアセタールなどのようなプ
ラスチックフィルム、上記の如き金属がラミネートもし
くは蒸着された紙もしくはプラスチックフィルムなどが
含まれる。これらの支持体のうち、アルミニウム板は寸
度的に著しく安定であり、しかも安価であるうえ、本発
明の感光性組成物を用いた感光層等との接着性が特に良
好なので好ましい。更に、特公昭48−18327号公
報に記載されているようなポリエチレンテレフタレート
フィルム上にアルミニウムシートが積層された複合体シ
ートも好ましい。
【0065】金属、特にアルミニウム支持体の場合に
は、砂目立て処理、陽極酸化処理などの表面処理がなさ
れていることが望ましい。さらに表面の親水性を高める
ために、珪酸ソーダ、弗化ジルコニウム酸カリウム、リ
ン酸塩等の水溶液への浸漬処理を行ってもよい。米国特
許第2,714,066号明細書に記載されているよう
に、砂目立てした後に珪酸ナトリウム水溶液に浸漬処理
されたアルミニウム板、特公昭47−5125号公報に
記載されているようにアルミニウム板を陽極酸化処理し
た後に、アルカリ金属珪酸塩の水溶液に浸漬処理したも
のが好適である。また、米国特許第3,658,662
号明細書に記載されているようなシリケート電着も有効
である。また、特公昭46−27481号公報、特開昭
52−58602号公報、特開昭52−30503号公
報に開示されているような電解グレインと、上記陽極酸
化処理及び珪酸ソーダ処理を組合せた表面処理も有用で
ある。また、特開昭56−28893号公報に開示され
ているような、ブラシグレイン、電解グレイン、陽極酸
化処理、更に珪酸ソーダ処理を順に行ったものも好適で
ある。
【0066】アルミニウム板は、感光層を塗設する前に
必要に応じて有機下塗層が設けられる。この有機下塗層
に用いられる有機化合物としては、例えば、カルボキシ
メチルセルロース、デキストリン、アラビアガム、2−
アミノエチルホスホン酸などのアミノ基を有するホスホ
ン酸類、置換基を有してもよいフェニルホスホン酸、ナ
フチルホスホン酸、アルキルホスホン酸、グリセロホス
ホン酸、メチレンジホスホン酸およびエチレンジホスホ
ン酸などの有機ホスホン酸、置換基を有してもよいフェ
ニルリン酸、ナフチルリン酸、アルキルリン酸およびグ
リセロリン酸などの有機リン酸エステル、置換基を有し
てもよいフェニルホスフィン酸、ナフチルホスフィン
酸、アルキルホスフィン酸およびグリセロホスフィン酸
などの有機ホスフィン酸、グリシンやβ−アラニンなど
のアミノ酸類、およびトリエタノールアミンの塩酸塩な
どのヒドロキシル基を有するアミンの塩酸塩などから選
ばれるが、二種以上混合して用いてもよい。
【0067】この有機下塗層は次のような方法で設ける
ことができる。即ち、水またはメタノール、エタノー
ル、メチルエチルケトンなどの有機溶剤もしくはそれら
の混合溶剤に上記の有機化合物を溶解させた溶液をアル
ミニウム板上に塗布、乾燥して設ける方法と、水または
メタノール、エタノール、メチルエチルケトンなどの有
機溶剤もしくはそれらの混合溶剤に上記の有機化合物を
溶解させた溶液に、アルミニウム板を浸漬して上記有機
化合物を吸着させ、その後、水などによって洗浄、乾燥
して有機下塗層を設ける方法である。前者の方法では、
上記の有機化合物の0.005〜10重量%の濃度の溶液
を種々の方法で塗布できる。例えば、バーコーター塗
布、回転塗布、スプレー塗布、カーテン塗布などいずれ
の方法を用いてもよい。また、後者の方法では、溶液の
濃度は0.01〜20重量%、好ましくは0.05〜5重量
%であり、浸漬温度は20〜90℃、好ましくは25〜
50℃であり、浸漬時間は0.1秒〜20分、好ましくは
2秒〜1分である。
【0068】これに用いる溶液は、アンモニア、トリエ
チルアミン、水酸化カリウムなどの塩基性物質や、塩
酸、リン酸などの酸性物質によりpHを調節し、pH1
〜12の範囲で使用することもできる。また、感光性平
版印刷版の調子再現性改良のために黄色染料を添加する
こともできる。
【0069】有機下塗層の乾燥後の被覆量は、2〜20
0mg/m2が適当であり、好ましくは5〜100mg/m2
ある。上記の被覆量が2mg/m2より少ないと十分な耐刷
性能がえられない。また、200mg/m2より大きくても
同様である。感光性平版印刷版の感光層の表面は、真空
焼枠を用いた密着露光の際の真空引きの時間を短縮し、
且つ焼きボケを防ぐ為、マット化することが好ましい。
具体的には、特開昭50−125805号、特公昭57
−6582号、同61−28986号の各公報に記載さ
れているようなマット層を設ける方法、特公昭62−6
2337号公報に記載されているような固体粉末を熱融
着させる方法などがあげられる。
【0070】本発明の感光性平版印刷版の画像露光に使
用される光源としては、カーボンアーク灯、水銀灯、キ
セノンランプ、タングステンランプ、メタルハライドラ
ンプなどがある。
【0071】本発明の感光性組成物に対する現像液は、
実質的に有機溶剤を含まないアルカリ性の水溶液が好ま
しく(ここで、実質的に有機溶剤を含まないとは、有機
溶剤の濃度が10重量%以下を意味する)、具体的には
ケイ酸ナトリウム、ケイ酸カリウム、水酸化ナトリウ
ム、水酸化カリウム、水酸化リチウム、第三リン酸ナト
リウム、第二リン酸ナトリウム、第三リン酸アンモニウ
ム、第二リン酸アンモニウム、メタケイ酸ナトリウム、
炭酸ナトリウム、重炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、重
炭酸カリウム、アンモニア水などのような水溶液が適当
であり、それらの濃度の0.1〜10重量%、好ましくは
0.5〜5重量%になるように添加される。
【0072】また上記の無機アルカリの他にも、エチル
アミン、n−プロピルアミン等の第一アミン類、ジエチ
ルアミン、ジ−n−ブチルアミン等の第二アミン類、ト
リエチルアミン、メチルジエチルアミン等の第三アミン
類、ジメチルエタノールアミン、トリエタノールアミン
等のアルコールアミン類、テトラメチルアンモニウムヒ
ドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド等
の第四級アンモニウム塩、ピロール、ピペリジン等の環
状アミン類、等のアルカリ類の水溶液を使用することが
できる。
【0073】更に、上記アルカリ類の水溶液にアルコー
ル類、界面活性剤を適当量添加して使用することもでき
る。アニオン界面活性剤としては例えば、ラウリルアル
コールサルフェートのナトリウム塩、オクチルアルコー
ルサルフェートのナトリウム塩、ラウリルアルコールサ
ルフェートのアンモニウム塩、第2ナトリウムアルキル
サルフェートなどの炭素数8〜22の高級アルコール硫
酸エステル塩類、例えばセチルアルコール燐酸エステル
のナトリウム塩などのような脂肪族アルコール燐酸エス
テル塩類、例えばドデシルベンゼンスルホン酸のナトリ
ウム塩、イソプロピルナフタレンスルホン酸のナトリウ
ム塩、メタニトロベンゼンスルホン酸のナトリウム塩な
どのようなアルキルアリールスルホン酸塩類、例えばC
17H33CON(CH3)CH2CH2SO3Naなどのようなアルキルアミド
のスルホン酸塩類、例えばナトリウムスルホこはく酸ジ
オクチルエステル、ナトリウムスルホこはく酸ジヘキシ
ルエステルなどの二塩基性脂肪酸エステルのスルホン酸
塩類などが含まれる。
【0074】アニオン界面活性剤は、使用時の現像液の
総重量に対して0.1〜5重量%の範囲で含有させておく
ことが適当である。0.1重量%よりも少なくなるとその
使用効果が低くなり、5重量%よりも多くなると、画像
部の色素の溶出(色抜け)が過多になったり、画像の耐
摩耗性などの機械的、化学的強度が劣化するなどの弊害
が出てくる。
【0075】有機溶媒としては、水に対する溶解度が1
0重量%以下のものが適しており、好ましくは5重量%
以下のものから選ばれる。たとえば1−フェニルエタノ
ール、2−フェニルエタノール、3−フェニル−1−プ
ロパノール、4−フェニル−1−ブタノール、4−フェ
ニル−2−ブタノール、2−フェニル−1−ブタノー
ル、2−フェノキシエタノール、2−ベンジルオキシエ
タノール、o−メトキシベンジルアルコール、m−メト
キシベンジルアルコール、p−メトキシベンジルアルコ
ール、ベンジルアルコール、シクロヘキサノール、2−
メチルシクロヘキサノール、4−メチルシクロヘキサノ
ール及び3−メチルシクロヘキサノール等を挙げること
ができる。
【0076】有機溶媒の含有量は使用時の現像液の総重
量に対して1〜5重量%が好適である。その使用量は界
面活性剤の使用量と密接な関係があり、有機溶媒の量が
増すにつれ、アニオン界面活性剤の量は増加させること
が好ましい。これはアニオン界面活性剤の量が少なく、
有機溶媒の量を多く用いると有機溶媒が溶解せず、従っ
て良好な現像性の確保が期待できなくなるからである。
【0077】以上が本発明のポジ型感光性組成物を平版
印刷に用いた場合の実施態様である。以下、本発明のポ
ジ型感光性組成物をフォトレジストに用いた場合の実施
態様について説明する。
【0078】本発明に用いるアルカリ可溶性樹脂として
は、ノボラツク樹脂、アセトン−ピロガロール樹脂やポ
リヒドロキシスチレン及びその誘導体を挙げることがで
きる。これらの中で、特にノボラツク樹脂が好ましく、
所定のモノマーを主成分として、酸性触媒の存在下、ア
ルデヒド類と付加縮合させることにより得られる。
【0079】所定のモノマーとしては、フエノール、m
−クレゾール、p−クレゾール、o−クレゾール等のク
レゾール類、2,5−キシレノール、3,5−キシレノー
ル、3,4−キシレノール、2,3−キシレノール等のキ
シレノール類、m−エチルフエノール、p−エチルフエ
ノール、o−エチルフエノール、p−t−ブチルフエノ
ール等のアルキルフエノール類、2,3,5−トリメチ
ルフエノール、2,3,4−トリメチルフエノール等の
トリアルキルフエノール類、p−メトキシフエノール、
m−メトキシフエノール、3,5−ジメトキシフエノー
ル、2−メトキシ−4−メチルフエノール 、m−エト
キシフエノール、p−エトキシフエノール、m−プロポ
キシフエノール、p−プロポキシフエノール、m−ブト
キシフエノール、p−ブトキシフエノール等のアルコキ
シフエノール類、2−メチル−4−イソプロピルフエノ
ール等のビスアルキルフエノール類、m−クロロフエノ
ール、p−クロロフエノール、o−クロロフエノール、
ジヒドロキシビフエニル、ビスフエノールA、フエニル
フエノール、レゾルシノール、ナフトール等のヒドロキ
シ芳香族化合物を単独もしくは2種以上混合して使用す
ることができるが、これらに限定されるものではない。
【0080】アルデヒド類としては、例えばホルムアル
デヒド、パラホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、プ
ロピルアルデヒド、ベンズアルデヒド、フエニルアセト
アルデヒド、α−フエニルプロピルアルデヒド、β−フ
エニルプロピルアルデヒド、o−ヒドロキシベンズアル
デヒド、m−ヒドロキシベンズアルデヒド、p−ヒドロ
キシベンズアルデヒド、o−クロロベンズアルデヒド、
m−クロロベンズアルデヒド、p−クロロベンズアルデ
ヒド、o−ニトロベンズアルデヒド、m−ニトロベンズ
アルデヒド、p−ニトロベンズアルデヒド、o−メチル
ベンズアルデヒド、m−メチルベンズアルデヒド、p−
メチルベンズアルデヒド、p−エチルベンズアルデヒ
ド、p−n−ブチルベンズアルデヒド、フルフラール、
クロロアセトアルデヒド及びこれらのアセタール体、例
えばクロロアセトアルデヒドジエチルアセタール等を使
用することができるが、これらの中で、ホルムアルデヒ
ドを使用するのが好ましい。
【0081】これらのアルデヒド類は、単独でもしくは
2種以上組み合わせて用いられる。酸性触媒としては塩
酸、硫酸、ギ酸、酢酸及びシユウ酸等を使用することが
できる。
【0082】また、特開昭60−45238、同60−
97347、同60−140235、同60−1897
39、同64−14229、特開平1−276131、
同2−60915、同2−275955、同2−282
745、同4−101147、同4−122938等の
公報に開示されている技術、即ち、ノボラック樹脂の低
分子成分を除去あるいは減少させたものを用いるのが好
ましい。
【0083】こうして得られたノボラツク樹脂の重量平
均分子量は、2000〜20000の範囲であることが
好ましい。2000未満では未露光部の現像後の膜減り
が大きく、20000を越えると現像速度が小さくなつ
てしまう。特に好適なのは3000〜15000の範囲
である。ここで、重量平均分子量はゲルパーミエーシヨ
ンクロマトグラフイーのポリスチレン換算値をもつて定
義される。
【0084】また、ノボラック樹脂の分散度(重量平均
分子量Mwと数平均分子量Mnの比、即ちMw/Mn)
が1.5〜7.0のものが好ましく、更に好ましくは
1.5〜5.0である。7を越えると、膜厚依存性が良
好であるという本発明の効果が得られず、他方、1.5
未満ではノボラック樹脂を合成する上で高度の精製工程
を要するので、実用上の現実性を欠き不適切である。
【0085】本発明では、前記感光物を用いるべきであ
るが、必要に応じて、以下に示すポリヒドロキシ化合物
の1,2−ナフトキノンジアジド−5− (及び/又は−
4−)スルホニルクロリドとのエステル化物を併用する
ことができる。この際、これらのポリヒドロキシ化合物
のナフトキノンジアジドエステル感光物と本発明の感光
物の比率は、20/80〜80/20(重量比)の割合
であることが好ましい。即ち、本発明の感光物が全感光
物の20重量%未満では本発明の効果を十分に発揮でき
ない。
【0086】ポリヒドロキシ化合物の例としては、2,
3,4−トリヒドロキシベンゾフエノン、2,4,4'−ト
リヒドロキシベンゾフエノン、2,4,6−トリヒド ロ
キシベンゾフエノン、2,3,4−トリヒドロキシ−2'
−メチルベンゾフエノン、2,3,4,4'−テトラヒドロ
キシベンゾフエノン、2,2',4,4'−テトラヒドロキ
シベンゾフエノン、2,4,6,3',4'−ペンタヒドロキ
シベンゾフエノン、2,3,4,2',4'−ペンタヒドロキ
シベンゾフエノン、2,3,4,2',5'−ペンタヒドロキ
シベンゾフエノン、2,4,6,3',4',5'−ヘキサヒド
ロキシベンゾフエノン、2,3,4,3',4',5'−ヘキサ
ヒドロキシベンゾフエノン等のポリヒドロキシベンゾフ
エノン類、
【0087】2,3,4−トリヒドロキシアセトフエノ
ン、2,3,4−トリヒドロキシフエニルペンチルケト
ン、2,3,4−トリヒドロキシフエニルヘキシルケトン
等のポリヒドロキシフエニルアルキルケトン類、
【0088】ビス(2,4−ジヒドロキシフエニル)メ
タン、ビス(2,3,4−トリヒドロキシフエニル)メタ
ン、ビス(2,4−ジヒドロキシフエニル)プロパン−
1、ビス(2,3,4−トリヒドロキシフエニル)プロパ
ン−1、ノルジヒドログアイアレチン酸等のビス((ポ
リ)ヒドロキシフエニル)アルカン類、
【0089】3,4,5−トリヒドロキシ安息香酸プロピ
ル、2,3,4−トリヒドロキシ安息香酸フエニル、3,
4,5−トリヒドロキシ安息香酸フエニル等のポリヒド
ロキシ安息香酸エステル類、
【0090】ビス(2,3,4−トリヒドロキシベンゾイ
ル)メタン、ビス(3−アセチル−4,5,6−トリヒド
ロキシフエニル)ーメタン、ビス(2,3,4−トリヒド
ロキシベンゾイル)ベンゼン、ビス(2,4,6−トリヒ
ドロキシベンゾイル)ベンゼン等のビス(ポリヒドロキ
シベンゾイル)アルカン又はビス(ポリヒドロキシベン
ゾイル)アリール類、
【0091】エチレングリコール−ジ(3,5−ジヒド
ロキシベンゾエート)、エチレングリコール−ジ(3,
4,5−トリヒドロキシベンゾエート)等のアルキレン
−ジ(ポリヒドロキシベンゾエート)類、
【0092】2,3,4−ビフエニルトリオール、3,4,
5−ビフエニルトリオール、3,5,3',5'−ビフエニ
ルテトロール、2,4,2',4'−ビフエニルテトロー
ル、2,4,6,3',5'−ビフエニルペントール、2,4,
6,2',4',6'−ビフエニルヘキソール、2,3,4,
2',3',4'−ビフエニルヘキソール等のポリヒドロキ
シビフエニル類、
【0093】4,4'−チオビス(1,3−ジヒドロキ
シ)ベンゼン等のビス(ポリヒドロキシ)スルフイド
類、
【0094】2,2',4,4'−テトラヒドロキシジフエ
ニルエーテル等のビス(ポリヒドロキシフエニル)エー
テル類、
【0095】2,2',4,4'−テトラヒドロキシジフエ
ニルスルフオキシド等のビス(ポリヒドロキシフエニ
ル)スルフオキシド類、
【0096】2,2',4,4'−ジフエニルスルフオン等
のビス(ポリヒドロキシフエニル)スルフオン類、
【0097】トリス(4−ヒドロキシフェニル)メタ
ン、4,4',4"−トリヒドロキシ−3,5,3',5'−テ
トラメチルトリフェニルメタン、4,4',3'',4''−テ
トラヒドロキシ−3,5,3',5'−テトラメチルトリフ
エニルメタン、4,4',2'',3'',4''−ペンタヒドロ
キシ−3,5,3',5'−テトラメチルトリフエニルメタ
ン、2,3,4,2',3',4'−ヘキサヒドロキシ−5,5'
−ジアセチルトリフエニルメタン、2,3,4,2',3',
4',3'',4''−オクタヒドロキシ−5,5'−ジアセチ
ルトリフエニルメタン、2,4,6,2',4',6'−ヘキサ
ヒドロキシ−5,5'−ジプロピオニルトリフエニルメタ
ン等のポリヒドロキシトリフエニルメタン類、
【0098】3,3,3',3'−テトラメチル−1,1'−
スピロビ−インダン−5,6,5',6'−テトロール、3,
3,3',3'−テトラメチル−1,1'−スピロビ−インダ
ン−5,6,7,5',6',7'−ヘキソオール、3,3,3',
3'−テトラメチル−1,1'−スピロビ−インダン−4,
5,6,4',5',6'−ヘキソオール、3,3,3',3'−テ
トラメチル−1,1'−スピロビ−インダン−4,5,6,
5',6',7'−ヘキソオール等のポリヒドロキシスピロ
ビ−インダン類、
【0099】3,3−ビス(3,4−ジヒドロキシフエニ
ル)フタリド、3,3−ビス(2,3,4−トリヒドロキ
シフエニル)フタリド、3',4',5',6'−テトラヒド
ロキシスピロ[フタリド−3,9'−キサンテン]等のポ
リヒドロキシフタリド類、
【0100】モリン、ケルセチン、ルチン等のフラボノ
色素類、
【0101】α,α',α"−トリス(4−ヒドロキシフ
エニル)1,3,5−トリイソプロピルベンゼン、α,
α',α"−トリス(3,5−ジメチル−4−ヒドロキシ
フエニル)1,3,5−トリイソプロピルベンゼン、
α,α',α"−トリス(3,5−ジエチル−4−ヒドロ
キシフエニル)1,3,5−トリイソプロピルベンゼ
ン、α,α',α"−トリス(3,5−ジn−プロピル−
4−ヒドロキシフエニル)1,3,5−トリイソプロピ
ルベンゼン、α,α',α"−トリス(3,5−ジイソプ
ロピル−4−ヒドロキシフエニル)1,3,5−トリイ
ソプロピルベンゼン、α,α',α"−トリス(3,5−
ジn−ブチル−4−ヒドロキシフエニル)1,3,5−
トリイソプロピルベンゼン、α,α',α"−トリス(3
−メチル−4−ヒドロキシフエニル)1,3,5−トリ
イソプロピルベンゼン、α,α',α"−トリス(3−メ
トキシ−4−ヒドロキシフエニル)1,3,5−トリイ
ソプロピルベンゼン、α,α',α"−トリス(2,4−
ジヒドロキシフエニル)1,3,5−トリイソプロピル
ベンゼン、1,3,5−トリス(3,5−ジメチル−4
−ヒドロキシフエニル)ベンゼン、1,3,5−トリス
(5−メチル−2−ヒドロキシフエニル)ベンゼン、
2,4,6−トリス(3,5−ジメチル−4−ヒドロキ
シフエニルチオメチル)メシチレン、1−[α−メチル
−α−(4'−ヒドロキシフエニル)エチル]−4−
[α,α'−ビス(4"−ヒドロキシフエニル)エチル]
ベンゼン、1−[α−メチル−α−(4'−ヒドロキシ
フエニル)エチル]−3−[α,α'−ビス(4"−ヒド
ロキシフエニル)エチル]ベンゼン、1−[α−メチル
−α−(3',5'−ジメチル−4'−ヒドロキシフエニ
ル)エチル]−4−[α,α'−ビス(3",5"−ジメ
チル−4"−ヒドロキシフエニル)エチル]ベンゼン、
1−[α−メチル−α−(3'−メチル−4'−ヒドロキ
シフエニル)エチル]−4−[α',α'−ビス(3"−
メチル−4"−ヒドロキシフエニル)エチル]ベンゼ
ン、1−[α−メチル−α−(3'−メトキシ−4'−ヒ
ドロキシフエニル)エチル]−4−[α',α'−ビス
(3"−メトキシ−4"−ヒドロキシフエニル)エチル]
ベンゼン、1−[α−メチル−α−(2',4'−ジヒド
ロキシフエニル)エチル]−4−[α',α'−ビス
(4"−ヒドロキシフエニル)エチル]ベンゼン、1−
[α−メチル−α−(2',4'−ジヒドロキシフエニ
ル)エチル]−3−[α'',α'−ビス(4"−ヒドロキ
シフエニル)エチル]ベンゼン等の特開平4−2530
58に記載のポリヒドロキシ化合物、
【0102】p−ビス(2,3,4−トリヒドロキシベン
ゾイル)ベンゼン、p−ビス(2,4,6−トリヒドロキ
シベンゾイル)ベンゼン、m−ビス(2,3,4−トリヒ
ドロキシベンゾイル)ベンゼン、m−ビス(2,4,6−
トリヒドロキシベンゾイル)ベンゼン、p−ビス(2,
5−ジヒドロキシ−3−ブロムベンゾイル)ベンゼン、
p−ビス(2,3,4−トリヒドロキシ−5−メチルベン
ゾイル)ベンゼン、p−ビス(2,3,4−トリヒドロキ
シ−5−メトキシベンゾイル)ベンゼン、p−ビス
(2,3,4−トリヒドロキシ−5−ニトロベンゾイル)
ベンゼン、p−ビス(2,3,4−トリヒドロキシ−5−
シアノベンゾイル)ベンゼン、1,3,5−トリス(2,
5−ジヒドロキシベンゾイル)ベンゼン、1,3,5−ト
リス(2,3,4 −トリヒドロキシベンゾイル)ベンゼ
ン、1,2,3−トリス(2,3,4−トリヒドロキシベン
ゾイル)ベンゼン、1,2,4−トリス(2,3,4−トリ
ヒドロキシベンゾイル)ベンゼン、1,2,4,5−テト
ラキス(2,3,4−トリヒドロキシベンゾイル)ベンゼ
ン、α,α'−ビス(2,3,4−トリヒドロキシベンゾイ
ル)−p−キシレン、α,α',α'−トリス(2,3,4−
トリヒドロキシベンゾイル)メシチレン、
【0103】2,6−ビス−(2'−ヒドロキシ−3',
5'−ジメチル−ベンジル)−p−クレゾール、2,6
−ビス−(2'−ヒドロキシ−5'−メチル−ベンジル)
−p−クレゾール、2,6−ビス−(2'−ヒドロキシ
−3',5'−ジ−t−ブチル−ベンジル)−p−クレゾ
ール、2,6−ビス−(2'−ヒドロキシ−5'−エチル
−ベンジル)−p−クレゾール、2,6−ビス−
(2',4'−ジヒドロキシ−ベンジル)−p−クレゾー
ル、2,6−ビス−(2'−ヒドロキシ−3'−t−ブチ
ル−5'−メチル−ベンジル)−p−クレゾール、2,
6−ビス−(2',3',4'−トリヒドロキシ−5'−ア
セチル−ベンジル)−p−クレゾール、2,6−ビス−
(2',4',6'−トリヒドロキシ−ベンジル)−p−
クレゾール、2,6−ビス−(2',3',4'−トリヒ
ドロキシ−ベンジル)−p−クレゾール、2,6−ビス
−(2',3',4'−トリヒドロキシ−ベンジル)−
3,5−ジメチル−フエノール、4,6−ビス−(4'
−ヒドロキシ−3',5'−ジメチル−ベンジル)−ピロ
ガロール、4,6−ビス−(4'−ヒドロキシ−3',
5'−ジメトキシ−ベンジル)−ピロガロール、2,6
−ビス−(4'−ヒドロキシ−3',5'−ジメチル−ベ
ンジル)−1,3,4−トリヒドロキシ−フエノール、
4,6−ビス−(2',4',6'−トリヒドロキシ−ベ
ンジル)−2,4−ジメチル−フエノール、4,6−ビ
ス−(2',3',4'−トリヒドロキシ−ベンジル)−
2,5−ジメチル−フエノール等を挙げることができ
る。
【0104】また、ノボラツク樹脂等フエノール樹脂の
低核体を用いる事もできる。
【0105】本発明に用いることのできるフェノール性
水酸基を有する低分子化合物(水不溶性アルカリ可溶性
低分子)について説明する。
【0106】本発明の組成物には、更に現像液への溶解
促進のために、水不溶性アルカリ可溶性低分子を含有さ
せることが好ましい。これにより、現像ラチチュードを
向上させることができる。水不溶性アルカリ可溶性低分
子としては、具体的にはポリヒドロキシ化合物を挙げる
ことができる。好ましいポリヒドロキシ化合物として
は、フエノール類、レゾルシン、フロログルシン、2,
3,4−トリヒドロキシベンゾフエノン、2,3,4,4'
−テトラヒドロキシベンゾフエノン、2,3,4,3',
4',5'−ヘキサヒドロキシベンゾフエノン、アセトン
−ピロガロール縮合樹脂、フロログルシド、2,4,2',
4'−ビフエニルテトロール、4,4'−チオビス(1,
3−ジヒドロキシ)ベンゼン、2,2',4,4'−テトラ
ヒドロキシジフエニル エーテル、2,2',4,4'−テト
ラヒドロキシジフエニルスルフオキシド、2,2',4,
4'−テトラヒドロキシジフエニルスルフオン、トリス
(4−ヒドロキシフェニル)メタン、1,1−ビス(4
−ヒドロキシフェニル)シクロヘキサン、4,4'−
(α−メチルベンジリデン)ビスフェノール、α,α',
α"−トリス(4−ヒドロキシフェニル)−1,3,5−
トリイソプロピルベンゼン、α,α',α"−トリス(4−
ヒドロキシフェニル)−1−エチル−4−イソプロピル
ベンゼン、1,2,2−トリス(ヒドロキシフェニル)
プロパン、1,1,2−トリス(3,5−ジメチル−4
−ヒドロキシフェニル)プロパン、2,2,5,5−テ
トラキス(4−ヒドロキシフェニル)ヘキサン、1,2
−テトラキス(4−ヒドロキシフェニル)エタン、1,
1,3−トリス(ヒドロキシフェニル)ブタン、パラ
[α,α,α',α'−テトラキス(4−ヒドロキシフェ
ニル)]−キシレン等を挙げることができる。
【0107】これらの中でも、水不溶性アルカリ可溶性
低分子化合物として、一分子中の総炭素数が60以下で
あり、かつ1分子中に2〜8個のフェノール性水酸基を
有する水不溶性アルカリ可溶性低分子化合物が好まし
い。更には、該水不溶性アルカリ可溶性低分子化合物
は、フェノール性水酸基と芳香環との比が0.5〜1.
4であって、かつ1分子中の総炭素数が12〜50であ
り、1分子中に2〜10個のフェノール性水酸基を有す
る少なくとも1種の水不溶性アルカリ可溶性低分子化合
物であることが好ましい。かかる化合物のうち、水不溶
性アルカリ可溶性樹脂に添加した際に、該アルカリ可溶
性樹脂のアルカリ溶解速度を増大させる化合物が特に好
ましい。これにより、より一層現像ラチチュードが向上
するようになる。
【0108】また該化合物の炭素数が60より大きいも
のでは本発明の効果が減少する。また12より小さいも
のでは耐熱性が低下するなどの新たな欠点が発生する。
本発明の効果を発揮させるためには、分子中に少なくと
も2個の水酸基数を有することが必要であるが、これが
10を越えると、現像ラチチュードの改良効果が失われ
る。また、フェノール性水酸基と芳香環との比が0.5
未満では膜厚依存性が大きく、また、現像ラチチュード
が狭くなる傾向がある。この比が1.4を越える場合で
は該組成物の安定性が劣化し、高解像力及び良好な膜厚
依存性を得るのが困難となって好ましくない。
【0109】この低分子化合物の好ましい添加量は、ア
ルカリ可溶性樹脂に対して1〜100重量%であり、更
に好ましくは2〜90重量%である。100重量%を越
えた添加量では、現像残渣が悪化し、また現像時にパタ
ーンが変形するという新たな欠点が発生して好ましくな
い。本発明に用いられる芳香族水酸基を有する水不溶性
アルカリ可溶性低分子化合物は、例えば、特開平4−1
22938、特開平2−28531、米国特許第491
6210、欧特許第219294等に記載の方法を参考
にして、当業者に於て容易に合成することが出来る。
【0110】本発明に用いられる感光物及びアルカリ可
溶性樹脂等を溶解させる溶剤としては、エチレングリコ
ールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチ
ルエーテル、メチルセロソルブアセテート、エチルセロ
ソルブアセテート、ジエチレングリコールモノメチルエ
ーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、プ
ロピレングリコールメチルエーテルアセテート、プロピ
レングリコールプロピルエーテルアセテート、トルエ
ン、キシレン、メチルエチルケトン、シクロペンタノ
ン、シクロヘキサノン、2−ヒドロキシプロピオン酸エ
チル、2−ヒドロキシ−2−メチルプロピオン酸エチ
ル、エトキシ酢酸エチル、ヒドロキシ酢酸エチル、2−
ヒドロキシ−3−メチルブタン酸メチル、3−メトキシ
プロピオン酸メチル、3−メトキシプロピオン酸エチ
ル、3−エトキシプロピオン酸エチル、3−エトキシプ
ロピオン酸メチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチ
ル、酢酸エチル、酢酸ブチル等を用いることができる。
これらの有機溶剤は単独で、又は2種以上の組み合わせ
で使用される。
【0111】更に、N−メチルホルムアミド、N,N−
ジメチルホルムアミド、N−メチルアセトアミド、N,
N−ジメチルアセトアミド、N−メチルピロリドン、ジ
メチルスルホキシド、ベンジルエチルエーテル等の高沸
点溶剤を混合して使用することができる。
【0112】本発明のポジ型フォトレジスト用組成物に
は、ストリエーション等の塗布性を更に向上させるため
に、界面活性剤を配合する事ができる。界面活性剤とし
ては、例えばポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポ
リオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチ
レンセチルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエー
テル等のポリオキシエチレンアルキルエーテル類、ポリ
オキシエチレンオクチルフェノールエーテル、ポリオキ
シエチレンノニルフェノールエーテル等のポリオキシエ
チレンアルキルアリルエーテル類、ポリオキシエチレン
・ポリオキシプロピレンブロックコポリマー類、ソルビ
タンモノラウレート、ソルビタンモノパルミテート、ソ
ルビタンモノステアレート、ソルビタンモノオレエー
ト、ソルビタントリオレエート、ソルビタントリステア
レート等のソルビタン脂肪酸エステル類、ポリオキシエ
チレンソルビタンモノラウレート、ポリオキシエチレン
ソルビタンモノパルミテート、ポリオキシエチレンソル
ビタンモノステアレート、ポリオキシエチレンソルビタ
ントリオレエート、ポリオキシエチレンソルビタントリ
ステアレート等のポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸
エステル類等のノニオン系界面活性剤、エフトップEF
301,EF303,EF352(新秋田化成(株)
製、)メガファックF171,F173(大日本インキ
(株)製)、フロラードFC430,431(住友スリ
ーエム(株)製)、アサヒガードAG710,サーフロ
ンS−382,SC101,SC102,SC103,
SC104,SC105,SC106(旭硝子(株)
製)等のフッ素系界面活性剤、オルガノシロキサンポリ
マーKP341(信越化学工業(株)製)やアクリル酸
系もしくはメタクリル酸系(共)重合ポリフローNo.
75,No.95(共栄社油脂化学工業(株)製)等を
挙げることができる。これらの界面活性剤の配合量は組
成物中のアルカリ可溶性樹脂及びキノンジアジド化合物
100重量部当たり、通常、2重量部以下、好ましくは
1重量部以下である。
【0113】これらの界面活性剤は単独で添加してもよ
いし、また、いくつかの組み合わせで添加することもで
きる。
【0114】本発明のポジ型フォトレジスト用組成物の
現像液としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、
炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリ
ウム、アンモニア水等の無機アルカリ類、エチルアミ
ン、n−プロピルアミン等の第一アミン類、ジエチルア
ミン、ジ−n−ブチルアミン等の第二アミン類、トリエ
チルアミン、メチルジエチルアミン等の第三アミン類、
ジメチルエタノールアミン、トリエタノールアミン等の
アルコールアミン類、テトラメチルアンモニウムヒドロ
キシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、コリ
ン等の第四級アンモニウム塩、ピロール、ピペリジン等
の環状アミン類、等のアルカリ類の水溶液を使用するこ
とができる。更に、上記アルカリ類の水溶液にイソプロ
ピルアルコール等のアルコール類、ノニオン系界面活性
剤等の界面活性剤を適当量添加して使用することもでき
る。
【0115】本発明のポジ型フォトレジスト用組成物に
は、必要に応じ、吸光剤、架橋剤、接着助剤を配合する
ことができる。吸光剤は、基板からのハレーションを防
止する目的や透明基板に塗布した際の視認性を高める目
的で、必要に応じて添加される。例えば、「工業用色素
の技術と市場」(CMC出版)や、染料便覧(有機合成
化学協会編)に記載の市販の吸光剤、例えば、C.I.Disp
erse Yellow 1, 3, 4,5, 7, 8, 13, 23, 31, 49, 50, 5
1, 54, 56, 60, 64, 66, 68, 79, 82, 88, 90, 93, 10
2, 114及び124、C.I.Disperse Orange 1, 5, 13, 25, 2
9, 30, 31, 44,57, 72及び73、C.I.Disperse Red 1, 5,
7, 13, 17, 19, 43, 50, 54, 58, 65,72, 73, 88, 11
7, 137, 143, 199及び210、C.I.Disperse Violet 43、
C.I.Disperse Blue 96、C.I.Fluorescent Brightening
Agent 112, 135及び163、C.I.Solvent Yellow 14, 16,
33及び56、C.I.Solvent Orange 2及び45、C.I.Solvent
Red 1, 3, 8, 23, 24, 25, 27及び49、C.I.Pigment Gre
en 10、C.I.Pigment Brown2等を好適に用いることがで
きる。吸光剤は通常、アルカリ可溶性樹脂100重量部
に対し、100重量部以下、好ましくは50重量部以
下、更に好ましくは30重量部以下の割合で配合され
る。
【0116】架橋剤は、ポジ画像を形成するのに影響の
無い範囲で添加される。架橋剤の添加の目的は、主に、
感度調整、耐熱性の向上、耐ドライエッチング性向上等
である。架橋剤の例としては、メラミン、ベンゾグアナ
ミン、グリコールウリル等にホルムアルデヒドを作用さ
せた化合物、又はそのアルキル変性物や、エポキシ化合
物、アルデヒド類、アジド化合物、有機過酸化物、ヘキ
サメチレンテトラミン等を挙げることができる。これら
の架橋剤は、感光剤100重量部に対して、10重量部
未満、好ましくは5重量部未満の割合で配合できる。架
橋剤の配合量が10重量部を超えると感度が低下し、ス
カム(レジスト残渣)が生じるようになり好ましくな
い。
【0117】接着助剤は、主に、基板とレジストの密着
性を向上させ、特にエッチング工程においてレジストが
剥離しないようにするための目的で添加される。具体例
としては、トリメチルクロロシラン、ジメチルビニルク
ロロシラン、メチルジフェニルクロロシラン、クロロメ
チルジメチルクロロシラン等のクロロシラン類、トリメ
チルメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、メチ
ルジメトキシシラン、ジメチルビニルエトキシシラン、
ジフェニルジメトキシシラン、フェニルトリエトキシシ
ラン等のアルコキシシラン類、ヘキサメチルジシラザ
ン、N,N′−ビス(トリメチルシリル)ウレア、ジメ
チルトリメチルシリルアミン、トリメチルシリルイミダ
ゾール等のシラザン類、ビニルトリクロロシラン、γ−
クロロプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピ
ルトリエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリ
メトキシシラン等のシラン類、ベンゾトリアゾール、ベ
ンゾイミダゾール、インダゾール、イミダゾール、2−
メルカプトベンズイミダゾール、2−メルカプトベンズ
チアゾール、2−メルカプトベンズオキサゾール、ウラ
ゾール、チオウラシル、メルカプトイミダゾール、メル
カプトピリミジン等の複素環状化合物や、1,1−ジメ
チルウレア、1,3−ジメチルウレア等の尿素、又はチ
オ尿素化合物を挙げることができる。
【0118】これらの接着助剤は、アルカリ可溶性樹脂
100重量部に対し、通常10重量部未満、好ましくは
5重量部未満の割合で配合される。
【0119】上記ポジ型フォトレジスト用組成物を精密
集積回路素子の製造に使用されるような基板(例:シリ
コン/二酸化シリコン被覆、ガラス基板、ITO基板等
の透明基板等)上にスピンコート法、ロールコート法、
フローコート法、ディップコート法、スプレーコート
法、ドクターコート法等の適当な塗布方法により塗布後
プリベークして、所定のマスクを通して露光し、必要に
応じて後加熱(PEB:Post Exposure
Bake)を行い、現像、リンス、乾燥することにより
良好なレジストを得ることができる。
【0120】
【実施例】以下、本発明の合成例および実施例を示す
が、本発明はこれらに限定されるものではない。
【0121】合成例1 具体例の化合物1の合成 下記構造〔A〕の化合物58.2g、1,2−ナフトキノ
ンジアジド−5−スルホニルクロリド53.7g、及びア
セトン800mlを3つ口フラスコに仕込み、均一に溶解
した。次いで、トリエチルアミン42.4gを徐々に滴下
し、25℃で3時間反応させた。反応混合液を1%塩酸
水溶液2500ml中に注ぎ、生じた沈澱を濾別し、水
洗、乾燥(40℃)を行い、具体例の化合物1を93.5
g得た。
【0122】
【化14】
【0123】合成例2 具体例の化合物9の合成 下記構造〔B〕の化合物43.9g、1,2−ナフトキノ
ンジアジド−5−スルホニルクロリド53.7g、及びア
セトン1000mlを3つ口フラスコに仕込み、均一に溶
解した。次いで、トリエチルアミン31.3gを徐々に滴
下し、25℃で3時間反応させた。反応混合液を1%塩
酸水溶液3500ml中に注ぎ、生じた沈澱を濾別し、水
洗、乾燥(40℃)を行い、化合物〔B〕の1,2−ナ
フトキノンジアジド−5−スルホン酸エステル体を86.
2g得た。
【0124】254nmの紫外線を使用した検出器を用
いて測定した高速液体クロマトグラフィーにおいて、化
合物〔B〕のジエステル体(具体例の化合物9)は全パ
ターン面積の80%であり、また、モノエステル体は全
パターン面積の8%であった。なお、上記高速液体クロ
マトグラフィーの測定は、島津製作所(株)製のLC−
6Aクロマトグラフ装置を用い、Nova−PakC18
(4μm)8mmφ×100mmカラムを使用し、キャ
リア溶媒として、水68.4%、アセトニトリル30.0
%、トリエチルアミン0.7%、燐酸0.7%の溶液を2.0
ml/分の流速で流して行った。
【0125】
【化15】
【0126】合成例3 具体例の化合物23の合成 下記構造〔C〕の化合物27.9g、1,2−ナフトキノ
ンジアジド−5−スルホニルクロリド53.7g、及びア
セトン800mlを3つ口フラスコに仕込み、均一に溶解
した。次いで、トリエチルアミン31.2gを徐々に滴下
し、25℃で3時間反応させた。反応混合液を1%塩酸
水溶液2500ml中に注ぎ、生じた沈澱を濾別し、水
洗、乾燥(40℃)を行い、化合物〔C〕の1,2−ナ
フトキノンジアジド−5−スルホン酸エステルを78.8
g得た。
【0127】254nmの紫外線を使用した検出器を用
いて測定した高速液体クロマトグラフィーにおいて、化
合物〔C〕のジエステル体(具体例の化合物23)は全
パターン面積の95%であった。
【0128】
【化16】
【0129】合成例4 具体例の化合物7の合成 下記構造[D]の化合物30.9gと1,2−ナフトキ
ノンジアジド−5−スルフォニルクロリド80.6g、
及びアセトン800mLを3つ口フラスコに仕込み、均
一に溶解した。次いで、トリエチルアミン31.9gを
徐々に滴下し、25℃で3時間反応させた。反応混合液
を1%塩酸水溶液2500mLに注ぎ、生じた沈澱を漉
別し、水洗、乾燥(40℃)を行い、具体例の化合物7
を95.6g得た。
【0130】
【化17】
【0131】合成例5 具体例の化合物10の合成 下記構造[E]の化合物52.8gと1,2−ナフトキ
ノンジアジド−5−スルフォニルクロリド53.7g、
及びアセトン800mLを3つ口フラスコに仕込み、均
一に溶解した。次いで、トリエチルアミン21.2gを
徐々に滴下し、25℃で3時間反応させた。反応混合液
を1%塩酸水溶液2500mLに注ぎ、生じた沈澱を漉
別し、水洗、乾燥(40℃)を行い、化合物[E]の
1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステ
ル体94.2gを得た。
【0132】254nmの紫外線を使用した検出器を用
いて測定した高速液体クロマトグラフィーにおいて、化
合物[E]のジエステル体(具体例の化合物10)は全
パターン面積の85%であった。
【0133】
【化18】
【0134】合成例6 具体例の化合物11の合成 下記構造[F]の化合物56.0gと1,2−ナフトキ
ノンジアジド−5−スルフォニルクロリド107.5
g、及びアセトン1200mLを3つ口フラスコに仕込
み、均一に溶解した。次いで、トリエチルアミン42.
5gを徐々に滴下し、25℃で3時間反応させた。反応
混合液を1%塩酸水溶液3800mLに注ぎ、生じた沈
澱を漉別し、水洗、乾燥(40℃)を行い、化合物
[F]の1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン
酸エステル体114.0gを得た。
【0135】254nmの紫外線を使用した検出器を用
いて測定した高速液体クロマトグラフィーにおいて、化
合物[F]のテトラエステル体(具体例の化合物11)
は全パターン面積の82%であった。
【0136】
【化19】
【0137】合成例7 具体例の化合物16の合成 下記構造[G]の化合物60.1gと1,2−ナフトキ
ノンジアジド−5−スルフォニルクロリド107.5
g、及びアセトン1200mLを3つ口フラスコに仕込
み、均一に溶解した。次いで、トリエチルアミン42.
5gを徐々に滴下し、25℃で3時間反応させた。反応
混合液を1%塩酸水溶液3800mLに注ぎ、生じた沈
澱を漉別し、水洗、乾燥(40℃)を行い、化合物
[G]の1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン
酸エステル体137.8gを得た。
【0138】254nmの紫外線を使用した検出器を用
いて測定した高速液体クロマトグラフィーにおいて、化
合物[G]のテトラエステル体(具体例の化合物16)
は全パターン面積の78%であった。
【0139】
【化20】
【0140】合成例8 具体例の化合物27の合成 下記構造[H]の化合物45.2gと1,2−ナフトキ
ノンジアジド−5−スルフォニルクロリド107.5
g、及びアセトン1000mLを3つ口フラスコに仕込
み、均一に溶解した。次いで、トリエチルアミン42.
5gを徐々に滴下し、25℃で3時間反応させた。反応
混合液を1%塩酸水溶液3200mLに注ぎ、生じた沈
澱を漉別し、水洗、乾燥(40℃)を行い、化合物
[H]の1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン
酸エステル体124.3gを得た。
【0141】254nmの紫外線を使用した検出器を用
いて測定した高速液体クロマトグラフィーにおいて、化
合物[H]のテトラエステル体(具体例の化合物27)
は全パターン面積の79%であった。
【0142】
【化21】
【0143】合成例9 具体例の化合物28の合成 下記構造[I]の化合物48.3gと1,2−ナフトキ
ノンジアジド−5−スルフォニルクロリド53.7g、
及びアセトン800mLを3つ口フラスコに仕込み、均
一に溶解した。次いで、トリエチルアミン21.2gを
徐々に滴下し、25℃で3時間反応させた。反応混合液
を1%塩酸水溶液2500mLに注ぎ、生じた沈澱を漉
別し、水洗、乾燥(40℃)を行い、化合物[I]の
1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステ
ル体90.0gを得た。
【0144】254nmの紫外線を使用した検出器を用
いて測定した高速液体クロマトグラフィーにおいて、化
合物[I]のジエステル体(具体例の化合物28)は全
パターン面積の89%であった。
【0145】
【化22】
【0146】合成例10 具体例の化合物30の合成 下記構造[J]の化合物56.1gと1,2−ナフトキ
ノンジアジド−5−スルフォニルクロリド107.5
g、及びアセトン1200mLを3つ口フラスコに仕込
み、均一に溶解した。次いで、トリエチルアミン42.
5gを徐々に滴下し、25℃で3時間反応させた。反応
混合液を1%塩酸水溶液3800mLに注ぎ、生じた沈
澱を漉別し、水洗、乾燥(40℃)を行い、化合物
[J]の1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン
酸エステル体134.1gを得た。
【0147】254nmの紫外線を使用した検出器を用
いて測定した高速液体クロマトグラフィーにおいて、化
合物[J]のテトラエステル体(具体例の化合物30)
は全パターン面積の79%であった。
【0148】
【化23】
【0149】合成例11 比較例の化合物1の合成 特開平4−274431号公報に記載の方法で、下記構
造[K]の1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホ
ン酸トリエステル体(比較例の化合物1)を合成した。
【0150】
【化24】
【0151】合成例12 比較例の化合物2の合成 下記構造[L]の化合物29.7gと1,2−ナフトキ
ノンジアジド−5−スルフォニルクロリド107.5
g、及びアセトン1000mLを3つ口フラスコに仕込
み、均一に溶解した。次いで、トリエチルアミン42.
5gを徐々に滴下し、25℃で3時間反応させた。反応
混合液を1%塩酸水溶液3200mLに注ぎ、生じた沈
澱を漉別し、水洗、乾燥(40℃)を行い、化合物
[L]の1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン
酸エステル体110.4gを得た。
【0152】254nmの紫外線を使用した検出器を用
いて測定した高速液体クロマトグラフィーにおいて、化
合物[L]のテトラエステル体(比較例の化合物2)は
全パターン面積の80%であった。
【0153】
【化25】
【0154】実施例1〜4、比較例a〜c 厚さ0.30mmのアルミニウム板をナイロンブラシと40
0メッシュのパミストンの水懸濁液を用いその表面を砂
目立てした後、よく水で洗浄した。10%水酸化ナトリ
ウムに70℃で60秒間浸漬してエッチングした後、流
水で水洗後20%硝酸で中和洗浄、水洗した。これを電
圧12.7Vの条件下で正弦波の交番波形電流を用いて1
%硝酸水溶液中で160クーロン/dm2の陽極時電気量
で電解粗面化処理を行った。その表面粗さを測定したと
ころ、0.6μm(Ra表示)であった。ひき続いて30%
の硫酸水溶液中に浸漬し55℃で2分間デスマットした
後、20%硫酸水溶液中、電流密度2A/dm2において
厚さが2.7g/m2になるように陽極酸化し、基板を調整
した。
【0155】このように処理された基板の表面に下記組
成の下塗り液(A)を塗布し、80℃、30秒間乾燥し
た。乾燥後の被覆量は30mg/m2であった。
【0156】<下塗り液A> ・アミノエチルホスホン酸 0.1 g ・フェニルホスホン酸 0.15g ・β−アラニン 0.1 g ・メタノール 40 g ・純 水 60 g 次にこの基板の上に下記の感光液(A)を塗布し、10
0℃で1分間乾燥してポジ型感光性印刷版を得た。乾燥
後の塗布量は1.7g/m2であった。
【0157】 <感光液A> ・表1に記載の感光性物質 0.43g ・クレゾール−ホルムアルデヒドノボラック樹脂(メタパラ 1.1 g 比;6対4、平均分子量1100、未反応のクレゾールを 0.5%含有) ・m−クレゾール−ホルムアルデヒド樹脂(重量平均分子量 0.3 g 1700、数平均分子量 600、未反応のクレゾールを1% 含有) ・N−(p−アミノスルホニルフェニル)アクリルアミド/ 0.2 g n−ブチルアクリレート/ジエチレングリコールモノ メチルエーテルメタクリレート(40:40:20)の共重合体 ・p−nオクチルフェノール−ホルムアルデヒド樹脂 0.02g ・ナフトキノンジアジド−1,2−ジアジド−4−スルホン 0.01g 酸クロリド ・安息香酸 0.02g ・テトラヒドロ無水フタル酸 0.05g ・4−(p−N,N−ジ(エトキシカルボニル)アミノフェ 0.02g ニル)−2,6−ビス(トリクロロメチル)−s−ト リアジン ・4−(p−N−(p−ヒドロキシベンゾイル)アミノフェ 0.02g ニル)−2,6−ビス(トリクロロメチル)−s−ト リアジン ・2−トリクロロメチル−5−(4−ヒドロキシスチリル) 0.01g −1,3,4−オキサジアゾール ・ビクトリアピュアーBOHの対イオンを1−ナフタレンス 0.01g ルホン酸にした染料 ・エチルバイオレットの対イオンを6−ヒドロキシナフタレ 0.01g ンスルホン酸にした染料 ・メガファックF−176(大日本インキ化学工業(株)製、 0.06g フッ素系界面活性剤) ・メチルエチルケトン 25 g
【0158】このようにして作られた感光性平版印刷版
を、真空焼枠中で、ハライドランプを光源として、富士
ステップガイド(富士写真フイルム(株)製、初段の透
過光学濃度が0.05で順次0.15増えていき15段ある
ステップタブレット)を通して、60秒間露光し、次い
で富士写真フイルム(株)製現像液、DP−4(1:
8、即ち、DP−4原液1容量部に対して水8容量部を
加えて希釈した液)、リンス液FR−3(1:7、即
ち、リンス液FR−3原液1容量部に対して水7容量部
を加えて希釈した液)を仕込んだ自動現像機を通して処
理した。
【0159】また上記の現像条件で現像液の温度は25
℃であるが、40℃に温度が上昇した時、画像部の感光
層が溶出しているかどうかを目視で判定した。これらの
結果を表2に示す。これらの結果より、本発明のポジ型
感光性平版印刷版は比較例に比べ、良好な感度を示し、
かつ現像ラチチュードが大きいことが明らかになった。
【0160】
【表1】 ――――――――――――――――――――――――――――――――――― 感 光 性 物 質 ――――――――――――――――――――――――――――――――――― 実施例1 合成例1で得られた化合物 実施例2 合成例2で得られた化合物 実施例3 合成例6で得られた化合物 実施例4 合成例3で得られた化合物 比較例a ピロガロール−アセトン樹脂と1,2−ジアゾナフトキノン− 5−スルホニルクロリドとのエステル化物(米国特許3635709 号明細書の実施例1に記載されているもの) 比較例b フェノールホルムアルデヒド樹脂と1,2−ジアゾナフトキノ ン−5−スルホニルクロリドとのエステル化物(米国特許3046 120 号明細書の実施例1に記載されているもの) 比較例c 2,2,4,4′−テトラヒドロキシベンゾフェノンと1,2 −ジアゾナフトキノン−5−スルホニルクロリドとのエステル 化物(エステル化率 77%) 比較例d 比較例の化合物1 ―――――――――――――――――――――――――――――――――――
【0161】
【表2】 ――――――――――――――――――――――――――――― 画像として残っている 40℃現像時の膜減り ステップの最小の段数 (目視) ――――――――――――――――――――――――――――― 実施例1 5 膜減り 僅か 実施例2 6 膜減り 僅か 実施例3 5 膜減り なし 実施例4 5 膜減り 僅か 比較例a 4 半分程度膜減り 比較例b 3 膜減り 大 比較例c 3 半分程度膜減り 比較例d 4 膜減り 僅か ―――――――――――――――――――――――――――――
【0162】実施例5、比較例e 厚さ0.30mmのアルミニウム板をナイロンブラシと40
0メッシュのパミストンの水懸濁液を用いその表面を砂
目立てした後、よく水で洗浄した。10%水酸化ナトリ
ウムに70℃で60秒間浸漬してエッチングした後、流
水で水洗後20% HNO2 で中和洗浄、水洗した。これを
A=12.7Vの条件下で正弦波の交番波形電流を用い
て1%硝酸水溶液中で160クローン/dm2の陽極時電
気量で電解粗面化処理を行った。その表面粗さを測定し
たところ、0.6μm(Ra表示)であった、引き続いて3
0%の H2SO4水溶液中に浸漬し55℃で2分間デスマッ
トした後、20% H2SO4水溶液中、電流密度2A/dm2
において厚さが2.7g/m2になるように陽極酸化した。
その後70℃の珪酸ソーダの2.5%水溶液に1分間浸漬
し、水洗し、乾燥させた。このように処理された基板の
表面に下記組成の下塗り液(B)を塗布し80℃、30
秒間乾燥した。乾燥後の被覆量は30mg/m2であった。
【0163】<下塗り液B> ・フェニルフォスフォン酸 0.10g ・メタノール 40 g ・純 水 60 g このようにして基板を作製した。
【0164】次にこの基板上に次の感光液(B)をロッ
ドコーティングで25ml/m2塗設し、100℃で1分間
乾燥してポジ型感光性平版印刷版を得た。乾燥後の塗布
量は約1.7g/m2であった。
【0165】 <感光液B> ・表3に記載の感光性物質 0.75g ・下記化26に記載のポリマー〔C〕 2.0 g ・2−(p−ブトキシフェニル)−4,6−ビス(トリクロ 0.02g ルメチル)−s−トリアジン ・ナフトキノン−1,2−ジアジド−4−スルホン酸クロラ 0.03g イド ・クリスタルバイオレット 0.01g ・オイルブル−#603(オリエント化学工業株式会社製) 0.015g ・エチレンジクロリド 18 g ・2−メトキシエチルアセテート 12 g
【0166】これらの感光性平版印刷版をそれぞれ2k
Wのメタルハライドランプで1mの距離より富士ステッ
プガイドを通して40秒間露光した。露光した感光性平
版印刷版を次に示す条件で現像処理を行った。即ち、ま
ず富士写真フイルム(株)製自現機スタブロン900N
Pに下記の現像原液−1を水で4倍に希釈した現像液
(pH10)と富士写真フイルム(株)製フィニシャー
FP−2をそれぞれ仕込み、現像液温30℃、現像時間
30秒の条件にて現像処理を行った。
【0167】現像原液−1 炭酸ナトリウム・1水塩 6g 炭酸水素ナトリウム 3g エチレンジアミンテトラ酢酸 2g ドデシルベンゼンスルホン酸ナトリウム 1g 水 100g
【0168】現像処理後、残存している画像のステップ
段階をしらベた。また適性現像条件の範囲の広さ(現像
許容性)を調べるため、前記の現像液に5分間浸漬して
現像して60秒浸漬して現像した場合との調子再現性の
変化を調べた。ほとんど変化がなかったものを○、大き
く変化したものを×、その中間を△で表示した。
【0169】これらの結果を表4に示す。
【0170】
【表3】 ――――――――――――――――――――――――――――――――――― 感 光 性 物 質 ――――――――――――――――――――――――――――――――――― 実施例5 具体例8の化合物 比較例e 1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホニルクロリドと 2,3,4−トリヒドロキシベンゾフェノンとのエステル化 反応物 ―――――――――――――――――――――――――――――――――――
【0171】
【化26】
【0172】
【表4】 ――――――――――――――――――――――――――― 画像として残っている 現像許容性 ステップの最小の段数 ――――――――――――――――――――――――――― 実施例5 5 ○ 比較例e 4 △ ―――――――――――――――――――――――――――
【0173】実施例6〜19及び比較例f〜g 下記合成例で得られたノボラック樹脂(A)〜(B)
と、合成例1〜12で得られた感光物、更に本発明で示
した具体例の感光性物質及び必要に応じて低分子化合物
を表5に記載の種類と量で混合し、これを乳酸エチル1
8gとエトキシエチルプロピオネート4.5gに溶解
し、0.1μmのミクロフイルターを用いて濾過しフォ
トレジスト組成物を調製した。このフォトレジスト組成
物をスピナーを用いてシリコンウエハーに塗布し、真空
吸着式ホットプレートで90℃、60秒間乾燥して膜厚
0.98μmのレジスト膜を得た。この膜に縮少投影露
光装置(ニコン社製 NSR−2005i9C)を用い
露光した後、120℃の真空吸着式ホットプレートで6
0秒間加熱し、2.38%のテトラメチルアンモニウム
ヒドロオキシド水溶液で1分間現像し、30秒間水洗し
て乾燥した。
【0174】ノボラック樹脂(A)の合成 攪拌器と還流器をセットした内容積500mLの三つ口
フラスコに、m−クレゾール58.5g、2,6−ビス
(ヒドロキシメチル)−4−メチルフェノール4.92
g、2,3−キシレノール49.3g、フォルマリン
(37%水溶液)48.5gを仕込み、109℃の油浴
で加熱しながら良く攪拌し、蓚酸0.15gを加えて1
5時間加熱攪拌を行った。
【0175】次いで温度を205℃に上げ徐々に1〜2
mmHgまで減圧して2時間蒸留を行い、未反応モノマ
ー、水、ホルムアルデヒド、蓚酸等を除いた。温度を室
温まで降温しノボラック樹脂73gを得た。このノボラ
ック樹脂20gをメタノール65gで溶解した。これに
蒸留水30gを攪拌しながら徐々に加え樹脂成分を沈澱
させた。2層に分離した上層をデカントにより除いた。
次いでこれにメタノール30gを加えて溶解し、再び蒸
留水40gを攪拌しながら徐々に加え樹脂成分を沈澱さ
せた。分離した上層をデカントにより除去して回収した
樹脂成分を真空乾燥器で40℃に加熱し24時間乾燥し
てノボラック樹脂(A)9.2gを得た。GPCで分析
したところ、Mwは8570であった。
【0176】ノボラック樹脂(B)の合成 メチレンビス−p−クレゾール6.5g、o−クレゾー
ル2.2g、2,3−ジメチルフェノール79.7g、
2,3,5−トリメチルフェノール26.2g、2,6
−ジメチルフェノール11.9gを51gのジエチレン
グリコールモノメチルエーテルと混合し、攪拌機、還流
冷却管、温度計を取り付けた3つ口フラスコに仕込ん
だ。次いで、37%フォルマリン水溶液84gを添加、
110℃の油浴で加熱しながら攪拌した。内温が90℃
に達した時点で、6.1gの蓚酸2水和物を添加した。
その後18時間油浴の温度を128℃に保って反応を続
け、次いで還流冷却管を取り除いて200℃で減圧蒸留
し、未反応モノマーを取り除いた。得られたノボラック
樹脂(B)はMwが3640であった。
【0177】このようにして得られたシリコンウエハー
のレジストパターンを走査型電子顕微鏡で観察し、フォ
トレジスト組成物を評価した。その結果を表6に示す。
感度は0.4μmのマスクパターンを再現する露光量で
もって定義した。現像ラチチュードを評価するために現
像時間を40秒と90秒とに変えて同様な評価を行っ
た。この両者での、上記で定義された感度の比をもって
現像安定性の指標とした。この値が1.0に近いほど、
現像安定性が高くて望ましい結果ということになる。
【0178】解像力は0.4μmのマスクパターンを再
現する露光量における限界解像力を表す。耐熱性は、レ
ジストパターンが形成されたシリコーンウエハーをホッ
トプレートで4分間加熱し、そのパターンの変形が起こ
らない温度で示した。
【0179】
【表5】 表5:ポジ型フォトレジスト組成物の処方 ------------------------------------------------------------------------ 水不溶性 水不溶性 実 アルカリ アルカリ可溶性 感放射線性化合物 施 可溶性樹脂 低分子化合物 例 種類 (g) 種類 (g) I (g) II (g) ------------------------------------------------------------------------ 6 ノボラック 4.37 P-1 0.96 具体例7 2.18 なし 樹脂(B) 7 〃 〃 〃 〃 〃 10 2.18 なし 8 〃 〃 〃 〃 〃 11 2.18 なし 9 〃 〃 〃 〃 〃 16 2.18 なし 10 〃 〃 〃 〃 〃 29 2.18 なし 11 〃 〃 〃 〃 〃 30 2.18 なし 12 〃 4.61 〃 1.013 〃 27 0.938 S-2 0.938 13 〃 4.37 〃 0.96 〃 28 0.655 S-1 1.523 14 〃 〃 P-2 〃 〃 30 2.18 なし 15 〃 〃 P-3 〃 〃 30 2.18 なし 16 〃 〃 P-4 〃 〃 30 2.18 なし 17 ノボラック 3.62 P-1 1.208 〃 10 0.682 S-1 1.59 樹脂(A) 18 ノボラック 3.62 P-1 0.846 〃 11 0.909 S-1 1.364 樹脂(A) /P-5 /0.362 19 ノボラック 2.54 P-1 1.208 〃 11 0.909 S-1 1.364 樹脂(A/B) /1.09 -------------------------------------------------------------------- 比較 ノボラック 4.37 P-1 0.96 比較例1 2.18 なし 例f 樹脂(B) 比較 ノボラック 4.37 P-1 0.96 比較例2 2.18 なし 例g 樹脂(B) 比較 ノボラック 4.37 P-1 0.96 S-3 2.18 なし 例h 樹脂(B) ------------------------------------------------------------------------
【0180】上記表5中の化合物を下記に示した。 P−1:1−[α−メチル−α−(4′−ビトロキシフ
ェニル]−4−[α′−α′−ビス(4″−ヒドロキシ
フェニル)エチル]ベンゼン P−2:トリス(4−ヒドロキシフェニル)メタン P−3:1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)シク
ロヘキサン P−4:ビス(2,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェ
ニル)−2′−ヒドロキシフェニルメタン P−5:2,6−ビス(2′−ヒドロキシ−5′−メチ
ルベンジル)4−メチルフェノール S−1:1,1−ビス{3−(4′−ヒドロキシベンジ
ル)−4−ヒドロキシ−5−メチルフェニル}シクロヘ
キサンの1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン
酸エステル化物(2等量) S−2:2,6−ビス(4′−ヒドロキシベンジル)−
4−シクロヘキシル−フェノールの1,2−ナフトキノ
ンジアジド−5−スルホン酸エステル化物(2等量) S−3:2,3,4,4′−テトラヒドロキシベンゾフ
ェノンの1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン
酸エステル化物(4等量)
【0181】
【表6】 表6:評価結果 ------------------------------------------------------------------------ 実施例 感度 現像 解像力 耐熱性 mJ/cm2 安定性 (μm) ------------------------------------------------------------------------ 6 190 0.90 0.31 130 7 225 0.90 0.31 125 8 240 0.92 0.30 130 9 185 0.91 0.31 130 10 190 0.92 0.31 135 11 195 0.89 0.30 135 12 180 0.89 0.31 125 13 175 0.87 0.32 125 14 180 0.88 0.31 135 15 195 0.90 0.31 125 16 205 0.92 0.30 130 17 225 0.92 0.31 125 18 200 0.91 0.31 130 19 210 0.90 0.32 125 ------------------------------------------------------------ 比較例 f 255 0.72 0.35 120 g 260 0.78 0.34 120 h 270 0.68 0.34 115 ------------------------------------------------------------------------
【0182】以上のように、本発明の要件を満たすレジ
ストサンプルは比較レジストに対して、高感度で高い解
像力を発揮し、更に耐熱性が高く、その他のレジスト性
能バランスが優れていることが判る。
【0183】
【発明の効果】本発明のポジ型感光性組成物を用いるこ
とにより、(1)感度が高くかつ現像ラチチュードの大
きい感光性平版印刷版、および(2)感度・解像力に優
れた超微細加工用ポジ型フォトレジストが得られる。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 少なくとも1個以上のキノンジアジド構
    造及びこのキノンジアジド構造と独立した少なくとも1
    個以上のN−スルホニルアミド〔−C(=O)−NHS
    2 −〕構造を同一分子内に含む下記一般式〔I〕で表
    されるキノンジアジドエステル化合物を含有することを
    特徴とするポジ型感光性組成物。 【化1】 一般式〔I〕において、L1およびL2はそれぞれ独立し
    て置換基を有していてもよい非金属原子からなる多価の
    連結基を表す。Q1およびQ2はそれぞれ独立して水素原
    子またはキノンジアジド構造を表し、m1およびm2はそ
    れぞれ独立して1〜15の整数を表す。但し、Q1およ
    びQ2の少なくとも1つはキノンジアジド構造を表す。
  2. 【請求項2】 少なくとも1個以上のキノンジアジド構
    造及びこのキノンジアジド構造と独立した少なくとも1
    個以上のスルホンアミド〔−NHSO2 −〕構造を同一
    分子内に含み、且つスルホンアミド〔−NHSO2 −〕
    構造とキノンジアジド構造との割合が、1/3<スルホ
    ンアミド構造/キノンジアジド構造≦1である下記一般
    式〔II〕で表されるキノンジアジドエステル化合物を
    含有することを特徴とするポジ型感光性組成物。 【化2】 一般式〔II〕において、L1、L2、Q1、Q2、m1
    よびm2は前記式〔I〕と同様の内容を示す。
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Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3290316B2 (ja) * 1994-11-18 2002-06-10 富士写真フイルム株式会社 感光性平版印刷版
US6063175A (en) * 1998-02-17 2000-05-16 Milliken & Company Triphenylmethane polymeric colorant having sterically hindered amine counter ion
US6660445B2 (en) 2000-10-13 2003-12-09 Fuji Photo Film Co., Ltd. Photosensitive composition comprising a vinyl copolymer and an o-naphthoquinone diazide compound
US6451510B1 (en) 2001-02-21 2002-09-17 International Business Machines Corporation Developer/rinse formulation to prevent image collapse in resist
US6592364B2 (en) 2001-11-30 2003-07-15 David Zapata Apparatus, method and system for independently controlling airflow in a conveyor oven
US6645689B2 (en) 2002-03-13 2003-11-11 Kodak Polychrome Graphics Llc Solvent resistant polymers with improved bakeability features
US7766899B2 (en) * 2003-09-17 2010-08-03 Prostalund Operations Ab Partial-length, indwelling prostatic catheter using coiled inflation tube as an anchor and methods of draining urine and flushing clots
US8007754B2 (en) * 2005-02-04 2011-08-30 Mineral And Coal Technologies, Inc. Separation of diamond from gangue minerals
KR101232179B1 (ko) * 2006-12-04 2013-02-12 엘지디스플레이 주식회사 박막 패턴의 제조장치 및 방법
US20090311494A1 (en) * 2008-06-17 2009-12-17 Fujifilm Corporation Relief printing plate precursor for laser engraving, relief printing plate, and process for producing relief printing plate
WO2012004743A1 (en) 2010-07-09 2012-01-12 Pfizer Limited Benzenesulfonamides useful as sodium channel inhibitors
US9102621B2 (en) 2010-07-12 2015-08-11 Pfizer Limited Acyl sulfonamide compounds
JP2013532185A (ja) 2010-07-12 2013-08-15 ファイザー・リミテッド 化合物
JP2013532184A (ja) 2010-07-12 2013-08-15 ファイザー・リミテッド 電位開口型ナトリウムチャネル阻害剤として有用なn−スルホニルベンズアミド誘導体
EP2593433B1 (en) 2010-07-12 2014-11-26 Pfizer Limited N-sulfonylbenzamides as inhibitors of voltage-gated sodium channels
ES2532357T3 (es) 2010-07-12 2015-03-26 Pfizer Limited Derivados de sulfonamida como inhibidores de Nav1.7 para el tratamiento del dolor
JP6765988B2 (ja) * 2017-02-22 2020-10-07 信越化学工業株式会社 導電性ポリマー用高分子化合物及びその製造方法
JP6661212B2 (ja) * 2017-02-22 2020-03-11 信越化学工業株式会社 導電性ポリマー複合体及び基板

Family Cites Families (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
BE506677A (ja) 1950-10-31
GB742557A (en) * 1952-10-01 1955-12-30 Kalle & Co Ag Light-sensitive material for photomechanical reproduction and process for the production of images
NL199484A (ja) 1954-08-20
US2975053A (en) * 1958-10-06 1961-03-14 Azoplate Corp Reproduction material
NL130248C (ja) 1959-01-21
GB1053866A (ja) 1964-08-05
JPS459610B1 (ja) 1965-07-19 1970-04-07
JPS4328403B1 (ja) 1965-12-17 1968-12-06
JPS4917481B1 (ja) 1970-02-17 1974-05-01
JPS5429922B2 (ja) 1971-12-13 1979-09-27
JPS5423571B2 (ja) 1971-12-13 1979-08-15
BE795809A (fr) 1972-02-22 1973-08-22 Eastman Kodak Co Nouveaux polymeres photosensibles a groupes o-quinone diazide
JPS51483B2 (ja) 1972-08-18 1976-01-08
JPS5024641B2 (ja) * 1972-10-17 1975-08-18
JPS5763526A (en) 1980-10-04 1982-04-17 Ricoh Co Ltd Photosensitive material
JPS60163043A (ja) 1984-02-06 1985-08-24 Japan Synthetic Rubber Co Ltd ポジ型感光性樹脂組成物
JPS6210645A (ja) 1985-07-09 1987-01-19 Kanto Kagaku Kk ポジ型フオトレジスト組成物
JPS6210646A (ja) 1985-07-09 1987-01-19 Kanto Kagaku Kk ポジ型フオトレジスト組成物
JPH0654381B2 (ja) 1985-12-24 1994-07-20 日本合成ゴム株式会社 集積回路作製用ポジ型レジスト
DE3752371T2 (de) 1986-12-23 2004-04-15 Shipley Co. Inc., Marlborough Fotoresistzusammensetzungen und ihre Bestandteile
JPH0814696B2 (ja) 1987-09-17 1996-02-14 富士写真フイルム株式会社 感光性樹脂組成物
JP2552891B2 (ja) 1988-01-26 1996-11-13 富士写真フイルム株式会社 ポジ型フオトレジスト組成物
JPH0296163A (ja) 1988-10-03 1990-04-06 Konica Corp 感光性組成物
JP2947518B2 (ja) 1988-10-03 1999-09-13 コニカ株式会社 感光性平版印刷版
JPH0296761A (ja) 1988-10-04 1990-04-09 Mitsubishi Kasei Corp 感光性組成物
US5178986A (en) 1988-10-17 1993-01-12 Shipley Company Inc. Positive photoresist composition with naphthoquinonediazidesulfonate of oligomeric phenol
US4992356A (en) 1988-12-27 1991-02-12 Olin Hunt Specialty Products Inc. Process of developing a radiation imaged product with trinuclear novolak oligomer having o-naphthoquinone diazide sulfonyl group
US4957846A (en) 1988-12-27 1990-09-18 Olin Hunt Specialty Products Inc. Radiation sensitive compound and mixtures with trinuclear novolak oligomer with o-naphthoquinone diazide sulfonyl group
JPH087433B2 (ja) 1989-04-19 1996-01-29 日本ゼオン株式会社 ポジ型レジスト組成物
JP2709507B2 (ja) 1989-04-19 1998-02-04 日本ゼオン株式会社 ポジ型レジスト組成物
JP2700918B2 (ja) 1989-04-26 1998-01-21 富士写真フイルム株式会社 ポジ型フオトレジスト組成物
JP2741243B2 (ja) 1989-05-11 1998-04-15 日本ゼオン株式会社 ポジ型レジスト組成物
JP2631744B2 (ja) 1989-05-11 1997-07-16 日本ゼオン株式会社 ポジ型レジスト組成物
JP2571136B2 (ja) 1989-11-17 1997-01-16 日本ゼオン株式会社 ポジ型レジスト組成物
JP2761786B2 (ja) 1990-02-01 1998-06-04 富士写真フイルム株式会社 ポジ型フオトレジスト組成物
US5151340A (en) 1990-07-02 1992-09-29 Ocg Microelectronic Materials, Inc. Selected photoactive methylolated cyclohexanol compounds and their use in radiation-sensitive mixtures
JPH04274431A (ja) * 1991-03-01 1992-09-30 Fuji Photo Film Co Ltd ポジ型フオトレジスト組成物
US5223373A (en) * 1991-04-29 1993-06-29 Industrial Technology Research Institute Positive working photosensitive composition and photosensitive electrodeposition composition prepared therefrom
US5296330A (en) 1991-08-30 1994-03-22 Ciba-Geigy Corp. Positive photoresists containing quinone diazide photosensitizer, alkali-soluble resin and tetra(hydroxyphenyl) alkane additive

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