JPS60163043A - ポジ型感光性樹脂組成物 - Google Patents
ポジ型感光性樹脂組成物Info
- Publication number
- JPS60163043A JPS60163043A JP1828784A JP1828784A JPS60163043A JP S60163043 A JPS60163043 A JP S60163043A JP 1828784 A JP1828784 A JP 1828784A JP 1828784 A JP1828784 A JP 1828784A JP S60163043 A JPS60163043 A JP S60163043A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- naphthoquinonediazide
- sulfonic acid
- quinonediazide
- hydroxyl group
- group
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/022—Quinonediazides
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、ポジ型感光性樹脂組成物に関し、さらに詳し
くはアルカリ可溶性樹脂と特定の1.2−キノンジアジ
ド化合物とを配合してなる、高感度、高解像度および高
残膜率を有し、かつ現像性に優れ、集積回路作製のため
の耐熱性を有するホトレジストとして好適なポジ型感光
性樹脂組成物に関する。
くはアルカリ可溶性樹脂と特定の1.2−キノンジアジ
ド化合物とを配合してなる、高感度、高解像度および高
残膜率を有し、かつ現像性に優れ、集積回路作製のため
の耐熱性を有するホトレジストとして好適なポジ型感光
性樹脂組成物に関する。
従来、集積回路を作製するためのホトレジストとしては
、環化イソプレンゴムにビスアジド化合物を配合したネ
ガ型ホトレジストが知られている。しかしこのネガ型ホ
トレジストは解像度に限界があるため、集積回路の高集
積化に十分対応できない欠点を有する。一方、このネガ
型ホトレジストに比べ、アルカリ可溶性樹脂に1.2−
キノンジアジド化合物を配合してなるポジ型ホトレジス
トは、解像度が優れているため集積回路の高集積化に十
分対応しうるものと期待されている。
、環化イソプレンゴムにビスアジド化合物を配合したネ
ガ型ホトレジストが知られている。しかしこのネガ型ホ
トレジストは解像度に限界があるため、集積回路の高集
積化に十分対応できない欠点を有する。一方、このネガ
型ホトレジストに比べ、アルカリ可溶性樹脂に1.2−
キノンジアジド化合物を配合してなるポジ型ホトレジス
トは、解像度が優れているため集積回路の高集積化に十
分対応しうるものと期待されている。
しかしながら、従来のポジ型ホトレジストは、感度、解
像度、残膜率等の諸性能において必ずしも満足な結果が
得られていない。
像度、残膜率等の諸性能において必ずしも満足な結果が
得られていない。
また従来のポジ型ホトレジストは、ポストベークあるい
はドライエツチングの工程において、温l負上Aによる
パターンの変形が起りやすく、温度上昇による変形の少
ないポジ型ホトレジス]・、すなわち耐熱性の優れたポ
ジ型ホトレジストが要求されている。
はドライエツチングの工程において、温l負上Aによる
パターンの変形が起りやすく、温度上昇による変形の少
ないポジ型ホトレジス]・、すなわち耐熱性の優れたポ
ジ型ホトレジストが要求されている。
本発明の目的は、上記従来技術の欠点を除去し、高感度
、高解像度および高残膜率を有し、かつ現像性に優れた
耐熱性を有するポジ型感光性樹脂組成物を提供すること
にある。
、高解像度および高残膜率を有し、かつ現像性に優れた
耐熱性を有するポジ型感光性樹脂組成物を提供すること
にある。
本発明者らは、この目的を達成するため鋭意研究の結果
、アルカリ可溶性樹脂に、特定の1.2−キノンジアジ
ド化合物を配合することにより、前記欠点が改良される
ことを見出して本発明に到達した。
、アルカリ可溶性樹脂に、特定の1.2−キノンジアジ
ド化合物を配合することにより、前記欠点が改良される
ことを見出して本発明に到達した。
すなわち本発明は、アルカリ可溶性樹脂と 1,2−キ
ノンジアジド化合物とからなるポジ型感光性樹脂組成物
において、1,2−キノンジアジド化合物がヒドロキシ
ル基をイー1するα−ピロン系天然色素、ヒドロキシル
基を有するγ−ピロン系天然色素、ヒドロキシル基を有
するジアジン系天然色素およびヒドロキシル基を有する
キノン系天然色素からなる群から選ばれる化合物、好ま
しくはヒドロキシル基を有するγ−ピロン系天然色素の
1.2−キノンジアジドスルホン酸エステルを少なくと
も1種含み、該1.2−キノンジアジドスルホン酸エス
テルが前記アルカリ可溶性樹脂100重量部に対し5〜
100重量部配合されていることを特徴とするポジ型感
光性樹脂組成物を提供するものである。
ノンジアジド化合物とからなるポジ型感光性樹脂組成物
において、1,2−キノンジアジド化合物がヒドロキシ
ル基をイー1するα−ピロン系天然色素、ヒドロキシル
基を有するγ−ピロン系天然色素、ヒドロキシル基を有
するジアジン系天然色素およびヒドロキシル基を有する
キノン系天然色素からなる群から選ばれる化合物、好ま
しくはヒドロキシル基を有するγ−ピロン系天然色素の
1.2−キノンジアジドスルホン酸エステルを少なくと
も1種含み、該1.2−キノンジアジドスルホン酸エス
テルが前記アルカリ可溶性樹脂100重量部に対し5〜
100重量部配合されていることを特徴とするポジ型感
光性樹脂組成物を提供するものである。
本発明の組成物に用いられる1、2−キノンジアジドス
ルホン酸エステルは、例えば前記ヒドロキシル基を有す
るα−ピロン系天然色素、ヒドロキシル基を有するγ−
ピロン系天然色素、ヒドロキシル基を有するジアジン系
天然色素およびヒドロキシル基を有するキノン系天然色
素からなる群から選ばれる化合物のヒドロキシル基の全
部または一部を1.2−ナフトキノンジアジド−4−ス
ルホニルクロリド、1.2−ナフトキノンジアジド−5
−スルホニルクロリド、1.2−ベンゾキノンジアジド
−4−スルホニルクロリド等の1,2−キノンジアジド
スルホニルクロリドと好ましくは1,2−ナフI・キノ
ンジアジド−5−スルホニルクロリドと、塩基性触媒の
存在下で縮合反応させ、精製することによって得ること
ができる。
ルホン酸エステルは、例えば前記ヒドロキシル基を有す
るα−ピロン系天然色素、ヒドロキシル基を有するγ−
ピロン系天然色素、ヒドロキシル基を有するジアジン系
天然色素およびヒドロキシル基を有するキノン系天然色
素からなる群から選ばれる化合物のヒドロキシル基の全
部または一部を1.2−ナフトキノンジアジド−4−ス
ルホニルクロリド、1.2−ナフトキノンジアジド−5
−スルホニルクロリド、1.2−ベンゾキノンジアジド
−4−スルホニルクロリド等の1,2−キノンジアジド
スルホニルクロリドと好ましくは1,2−ナフI・キノ
ンジアジド−5−スルホニルクロリドと、塩基性触媒の
存在下で縮合反応させ、精製することによって得ること
ができる。
前記ヒドロキシル基を有するα−ピロン系天然色素とし
ては、例えばヒスピジン、 2°、3°−ジオキシ−ジ
ベンズ−α−ピロン、エラグ酸、グルベルジン、オオス
ポラフトン等を挙げることができる。前記ヒドロキシル
基、(を有するγ−ピロン系天然色素としては、例えば
オイゲニン、ブラシリン、ヘマトキシリン、オイキサン
トン、ゲンチミン、クリシン、クリシンの配糖体である
トリンキン、ブリメチン、アビゲニン、アビゲニンの配
糖体であるアビイン、ルテオリン、ケルセチン、ケルセ
チンの配糖体であるケルシトリン、インケルシトリン、
ケルシトリンリン、ルチン、ヒペリン、カランギン、ケ
ンペロール、フィセチン、モリン、ラムネチン、ミリセ
チン、ソテツフラポン、ナリンゲニン、ナリンゲニンの
配糖体であるナリンジン、サクラネチン、ヘスペリチン
、アルピノン、カテキン、ダイゼイン、プルネチン、プ
ルネチンの配糖体であるプルニドリン、イリゲニン、ペ
リゲニンの配糖体であるイリジン、オサジン、ベラルゴ
ニジン、シアニジン、ロイコデルフィニジン等を挙げる
ことができる。前記ヒドロキシル基を有するジアジン系
天然色素としては、例えばキサントプテリン、ロイコプ
テリン、エントロプテリン、クリソプテリン、イオジニ
ン等を挙げることができる。前記ヒドロキシル基を有す
る革ノン系天然色素としては1例えばポリボール酸、ア
トロメンチン、ロイコメロン、ムスカルフィン、オオス
ボレイン、ニゲロン、エキツクロームA、スピノンA、
スピンクロームN、アリザリン、プルプリン、エモジン
、カルミン酸、ケルメス酸、スカイリン、ピロマイシン
等を挙げることができる。
ては、例えばヒスピジン、 2°、3°−ジオキシ−ジ
ベンズ−α−ピロン、エラグ酸、グルベルジン、オオス
ポラフトン等を挙げることができる。前記ヒドロキシル
基、(を有するγ−ピロン系天然色素としては、例えば
オイゲニン、ブラシリン、ヘマトキシリン、オイキサン
トン、ゲンチミン、クリシン、クリシンの配糖体である
トリンキン、ブリメチン、アビゲニン、アビゲニンの配
糖体であるアビイン、ルテオリン、ケルセチン、ケルセ
チンの配糖体であるケルシトリン、インケルシトリン、
ケルシトリンリン、ルチン、ヒペリン、カランギン、ケ
ンペロール、フィセチン、モリン、ラムネチン、ミリセ
チン、ソテツフラポン、ナリンゲニン、ナリンゲニンの
配糖体であるナリンジン、サクラネチン、ヘスペリチン
、アルピノン、カテキン、ダイゼイン、プルネチン、プ
ルネチンの配糖体であるプルニドリン、イリゲニン、ペ
リゲニンの配糖体であるイリジン、オサジン、ベラルゴ
ニジン、シアニジン、ロイコデルフィニジン等を挙げる
ことができる。前記ヒドロキシル基を有するジアジン系
天然色素としては、例えばキサントプテリン、ロイコプ
テリン、エントロプテリン、クリソプテリン、イオジニ
ン等を挙げることができる。前記ヒドロキシル基を有す
る革ノン系天然色素としては1例えばポリボール酸、ア
トロメンチン、ロイコメロン、ムスカルフィン、オオス
ボレイン、ニゲロン、エキツクロームA、スピノンA、
スピンクロームN、アリザリン、プルプリン、エモジン
、カルミン酸、ケルメス酸、スカイリン、ピロマイシン
等を挙げることができる。
縮合反応における前記天然色素に対する1、2−キノン
ジアジドスルホニルクロリドの使用量は、前記天然色素
の水酸基の数によって適宜調整することができ、通常は
1.2−キノンジアジドスルホニルクロリドを縮合させ
る水酸基数1当量に対して1.2−キノンジアジドスル
ホニルクロリドをlモル使用する。
ジアジドスルホニルクロリドの使用量は、前記天然色素
の水酸基の数によって適宜調整することができ、通常は
1.2−キノンジアジドスルホニルクロリドを縮合させ
る水酸基数1当量に対して1.2−キノンジアジドスル
ホニルクロリドをlモル使用する。
縮合反応に使用する塩基性触媒としては、例えば水酸化
すトリウム、水酸化カリウム、炭酸すトリウム等の無機
アルカリ、ジエチルアミン、トリエチルアミン等の有機
アミン類を挙げることができる。これらの塩基性触媒の
使用縫は、使用する1、2−キノンジアジドスルホニル
クロリドに対して、通常1〜2倍モル、好ましくはl−
1,3倍モルである。
すトリウム、水酸化カリウム、炭酸すトリウム等の無機
アルカリ、ジエチルアミン、トリエチルアミン等の有機
アミン類を挙げることができる。これらの塩基性触媒の
使用縫は、使用する1、2−キノンジアジドスルホニル
クロリドに対して、通常1〜2倍モル、好ましくはl−
1,3倍モルである。
縮合反応は、通常溶媒の存在下において行うが、溶媒と
しては水、ジオキサン、ジエチルエーテル、テトラヒド
ロフラン、アセI・ン、メチルエチルケトン等を挙げる
ことができ、前記天然色素100重都部に対して、通常
1oo−1000重量部を使用する。
しては水、ジオキサン、ジエチルエーテル、テトラヒド
ロフラン、アセI・ン、メチルエチルケトン等を挙げる
ことができ、前記天然色素100重都部に対して、通常
1oo−1000重量部を使用する。
縮合反応温度は、使用する溶媒によって異なるが、一般
的には一20〜60℃、好ましくは0〜40℃である。
的には一20〜60℃、好ましくは0〜40℃である。
このようにして得られる本発明の組成物に用いる 1.
2−キノンジアジドスルホン酸エステルの具体例として
は、次の化合物を挙げることができる。
2−キノンジアジドスルホン酸エステルの具体例として
は、次の化合物を挙げることができる。
ヒスピジンー1,2−ナフトキノンジアジド−5−スル
ホン酸ジエステル、 ヒスピリン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スル
ホン酸モノエステル、 2“3°−ジオキシ−ジベンズ−α−ピロン−1,2−
ナツトキノンジアジド−5−スルホン酸ジエステル、 エラグ酸−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホ
ン酸テトラエステル、 エラグ酸−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホ
ン酸トリエステル、 グルベルジン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−ス
ルホン酸モノエステル、 オオスポラクトン−1,2−ナフトキノンジアジド−5
−スルホン酸モノエステル、 オイゲニンー1.2−ナフトキノンジアジド−5−スル
ホン酸モノエステル、 ブラシリン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スル
ホン酸トリエステル、 ヘマトキシリン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−
スルホン酸ペンタエステル、 ヘマトキシリン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−
スルホン酸テトラエステル、 ヘマトキシリン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−
スルホン酸トリエステル、 ヘマトキシリン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−
スルホン酸ジエステル、 オイキサントンー1.2−ナフトキノンジアジド−5−
スルホン酸ジエステル、 ダンチミン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スル
ホン酸ジエステル、 クリシン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホ
ン酸ジエステル、 トリンギン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スル
ホン酸ジエステル、 プリメチン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スル
ホン酸ジエステル、 アビゲニン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スル
ホン酸i・リエステル、 アビイン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホ
ン酸トリエステル、 ルテオリン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スル
ホン酸トリエステル、 ケルセチン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スル
ホン酸ペンタエステル、 ケルセチン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スル
ホン酸テトラエステル、 ケルセチン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スル
ホン酸トリエステル、 ケルセチン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スル
ホン酸ジエステル、 ケルセチン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スル
ホン酸モノエステル、 ケルセチン−1,2−ナフトキノンジアジド−4−スル
ホン酸テトラエステル、 ケルセチン−1,2−ベンゾキノンジアジド−4−スル
ホン酸テトラエステル、 ケルシトリン−1,2−ナフトキノンジアジド−50 −スルホン酸テトラエステル、 イソケルシトリン−1,2−ナフトキノンジアジド−5
−スルホン酸テトラエステル、 ケルシメリトリンー1.2−ナフトキノンジアジド=5
−スルホン酸テトラエステル、 ルチン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン
酸ジエステル、 ピペリン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホ
ン酸テトラエステル、 カランギン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スル
ホン酸トリエステル、 ケンベロールー 1.2−ナフトキノンジアジド−5−
スルホン酸トリエステル、 クイセチン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スル
ホン酸トリエステル、 モリンー 1.2−ナフトキノンジアジド−5−スルホ
ン酸テトラエステル、 モリソー1.2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン
酸ペンタエステル、 ラムネチン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−1 スルホン酸トリエステル、 ミリセチン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スル
ホン酸ペンタエステル、 ソテツフラポンー1.2−ナフトキノンジアジド−5−
スルホン酸テトラエステル、 ナリンゲニンー1.2−ナフトキノンジアジド−5−ス
ルホン酸トリエステル、 ナリンジンー1.2−ナフトキノンジアジド−5−スル
ホン酸ジエステル、 ザクラネチン−1,2−ナフトキノンジアジド−5=ス
ルホン酸ジエステル、 ヘスペリチン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−ス
ルホン酸ジエステル、 アルビノン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スル
ホン酸ジエステル、 カテキン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホ
ン酸テトラエステル、 グイゼイン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スル
ホン酸モノエステル、 プルネチン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−2 スルホン酸ジエステル、 プルニドリン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−ス
ルホン酸ジエステル、 ペリゲニンー1.2−ナフトキノンジアジド−5−スル
ホン酸ジエステル。
ホン酸ジエステル、 ヒスピリン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スル
ホン酸モノエステル、 2“3°−ジオキシ−ジベンズ−α−ピロン−1,2−
ナツトキノンジアジド−5−スルホン酸ジエステル、 エラグ酸−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホ
ン酸テトラエステル、 エラグ酸−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホ
ン酸トリエステル、 グルベルジン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−ス
ルホン酸モノエステル、 オオスポラクトン−1,2−ナフトキノンジアジド−5
−スルホン酸モノエステル、 オイゲニンー1.2−ナフトキノンジアジド−5−スル
ホン酸モノエステル、 ブラシリン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スル
ホン酸トリエステル、 ヘマトキシリン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−
スルホン酸ペンタエステル、 ヘマトキシリン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−
スルホン酸テトラエステル、 ヘマトキシリン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−
スルホン酸トリエステル、 ヘマトキシリン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−
スルホン酸ジエステル、 オイキサントンー1.2−ナフトキノンジアジド−5−
スルホン酸ジエステル、 ダンチミン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スル
ホン酸ジエステル、 クリシン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホ
ン酸ジエステル、 トリンギン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スル
ホン酸ジエステル、 プリメチン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スル
ホン酸ジエステル、 アビゲニン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スル
ホン酸i・リエステル、 アビイン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホ
ン酸トリエステル、 ルテオリン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スル
ホン酸トリエステル、 ケルセチン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スル
ホン酸ペンタエステル、 ケルセチン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スル
ホン酸テトラエステル、 ケルセチン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スル
ホン酸トリエステル、 ケルセチン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スル
ホン酸ジエステル、 ケルセチン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スル
ホン酸モノエステル、 ケルセチン−1,2−ナフトキノンジアジド−4−スル
ホン酸テトラエステル、 ケルセチン−1,2−ベンゾキノンジアジド−4−スル
ホン酸テトラエステル、 ケルシトリン−1,2−ナフトキノンジアジド−50 −スルホン酸テトラエステル、 イソケルシトリン−1,2−ナフトキノンジアジド−5
−スルホン酸テトラエステル、 ケルシメリトリンー1.2−ナフトキノンジアジド=5
−スルホン酸テトラエステル、 ルチン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン
酸ジエステル、 ピペリン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホ
ン酸テトラエステル、 カランギン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スル
ホン酸トリエステル、 ケンベロールー 1.2−ナフトキノンジアジド−5−
スルホン酸トリエステル、 クイセチン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スル
ホン酸トリエステル、 モリンー 1.2−ナフトキノンジアジド−5−スルホ
ン酸テトラエステル、 モリソー1.2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン
酸ペンタエステル、 ラムネチン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−1 スルホン酸トリエステル、 ミリセチン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スル
ホン酸ペンタエステル、 ソテツフラポンー1.2−ナフトキノンジアジド−5−
スルホン酸テトラエステル、 ナリンゲニンー1.2−ナフトキノンジアジド−5−ス
ルホン酸トリエステル、 ナリンジンー1.2−ナフトキノンジアジド−5−スル
ホン酸ジエステル、 ザクラネチン−1,2−ナフトキノンジアジド−5=ス
ルホン酸ジエステル、 ヘスペリチン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−ス
ルホン酸ジエステル、 アルビノン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スル
ホン酸ジエステル、 カテキン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホ
ン酸テトラエステル、 グイゼイン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スル
ホン酸モノエステル、 プルネチン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−2 スルホン酸ジエステル、 プルニドリン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−ス
ルホン酸ジエステル、 ペリゲニンー1.2−ナフトキノンジアジド−5−スル
ホン酸ジエステル。
イリジン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホ
ン酸ジエステル、 オサジン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホ
ン酸ジエステル、 ベラルゴニジンー1.2−ナフトキノンジアジド−5−
スルホン酸トリエステル、 シアニジン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スル
ホン酸テトラエステル、 ロイコデルフィニジンー1,2−ナフトキノンジアジド
−5−スルホン酸ペンタエステル、キサントプテリン−
1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸ジエス
テル、 ロイコプテリン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−
スルホン酸トリエステル、 エントロプテリン−1,2−ナフトキノンジアジド−5
−スルホン酸トリエステル、 クリソプテリン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−
スルホン酸ジエステル、 イオジニンー1.2−ナフトキノンジアジド−5−スル
ホン酸ジエステル、 ポリボール酸−1,2−ナフトキノンジアジド−5−ス
ルホン酸ジエステル、 アトロメンチン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−
スルホン酸トリエステル、 ロイコメロン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−ス
ルホン酸トリエステル、 ムスカルフィンー1.2−ナフトキノンジアジド−5−
スルホン酸ジエステル、 オオスボレインー1.2−ナフトキノンジアジド−5−
スルホン酸トリエステル、 ニゲロン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホ
ン酸モノエステル、 エキツクロームA−1,2−ナフトキノンジアジド−5
−スルホン酸テトラエステル。
ン酸ジエステル、 オサジン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホ
ン酸ジエステル、 ベラルゴニジンー1.2−ナフトキノンジアジド−5−
スルホン酸トリエステル、 シアニジン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スル
ホン酸テトラエステル、 ロイコデルフィニジンー1,2−ナフトキノンジアジド
−5−スルホン酸ペンタエステル、キサントプテリン−
1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸ジエス
テル、 ロイコプテリン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−
スルホン酸トリエステル、 エントロプテリン−1,2−ナフトキノンジアジド−5
−スルホン酸トリエステル、 クリソプテリン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−
スルホン酸ジエステル、 イオジニンー1.2−ナフトキノンジアジド−5−スル
ホン酸ジエステル、 ポリボール酸−1,2−ナフトキノンジアジド−5−ス
ルホン酸ジエステル、 アトロメンチン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−
スルホン酸トリエステル、 ロイコメロン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−ス
ルホン酸トリエステル、 ムスカルフィンー1.2−ナフトキノンジアジド−5−
スルホン酸ジエステル、 オオスボレインー1.2−ナフトキノンジアジド−5−
スルホン酸トリエステル、 ニゲロン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホ
ン酸モノエステル、 エキツクロームA−1,2−ナフトキノンジアジド−5
−スルホン酸テトラエステル。
スビノンA−1,2−ナフトキノンジアジド−5−4
スルホン酸テトラエステル、
スピノクロームN−1,2−す7トギノンジアジ]・=
5−スルホン酸トリエステル、 アリザリン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スル
ホン酸ジエステル、 プルプリン−1,2−す7トキノンジアジドー5−スル
ホン酸ジエステル、 エモジンー1,2−ナフI・キノンジアジド−5−スル
ホン酸ジエステル、 カルミン酸−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スル
ホン酸トリエステル、 ケルメス酸−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スル
ホン酸トリエステル、 スカイリン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スル
ホン酸へキサエステル、 ピロマイシン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−ス
ルホン酸トリエステル、 これらの1.2−キノンジアジドスルホン酸エステルは
、1種単独でも2種以−にの組合せででも本発明の組成
物に用いることができる。
5−スルホン酸トリエステル、 アリザリン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スル
ホン酸ジエステル、 プルプリン−1,2−す7トキノンジアジドー5−スル
ホン酸ジエステル、 エモジンー1,2−ナフI・キノンジアジド−5−スル
ホン酸ジエステル、 カルミン酸−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スル
ホン酸トリエステル、 ケルメス酸−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スル
ホン酸トリエステル、 スカイリン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スル
ホン酸へキサエステル、 ピロマイシン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−ス
ルホン酸トリエステル、 これらの1.2−キノンジアジドスルホン酸エステルは
、1種単独でも2種以−にの組合せででも本発明の組成
物に用いることができる。
5
本発明の組成物において、前記の1,2−キノンジアジ
ドスルホン酸エステルが添加されるアルカリ可溶性樹脂
は、特に限定されないが、例えばフェノール、クレゾー
ル、キシレノール、フェニルフェノール等のフェノール
類とホルムアルデヒド、パラホルムアルデヒド、フルフ
ラール、アセトアルデヒド、ベンズアルデヒド等のアル
デヒド類とから得られるノボラック樹脂、ヒドロキシス
チレン系重合体、アミノスチレン系重合体、千ジオレフ
ィン化合物およびエチレン性不飽和カルボン酸の共重合
体等が挙げられる。
ドスルホン酸エステルが添加されるアルカリ可溶性樹脂
は、特に限定されないが、例えばフェノール、クレゾー
ル、キシレノール、フェニルフェノール等のフェノール
類とホルムアルデヒド、パラホルムアルデヒド、フルフ
ラール、アセトアルデヒド、ベンズアルデヒド等のアル
デヒド類とから得られるノボラック樹脂、ヒドロキシス
チレン系重合体、アミノスチレン系重合体、千ジオレフ
ィン化合物およびエチレン性不飽和カルボン酸の共重合
体等が挙げられる。
本発明の組成物における前記1.2−キノンジアジドス
ルホン酸エステルの配合量は、アルカリ可溶性樹脂10
0重着部に対して5〜100重量部、好ましくは10〜
50重級部である。この配合量が5重量部未満の場合に
は、得られる組成物の解像度が悪く、また現像後の残膜
率が不十分で、かつ耐熱性が悪くなるために得られるパ
ターンが熱で変形しやすくなる。一方この配合量が10
0重量部を超える場合には、高感度の組成物を得ること
ができ6 ない。
ルホン酸エステルの配合量は、アルカリ可溶性樹脂10
0重着部に対して5〜100重量部、好ましくは10〜
50重級部である。この配合量が5重量部未満の場合に
は、得られる組成物の解像度が悪く、また現像後の残膜
率が不十分で、かつ耐熱性が悪くなるために得られるパ
ターンが熱で変形しやすくなる。一方この配合量が10
0重量部を超える場合には、高感度の組成物を得ること
ができ6 ない。
本発明の組成物は、前記1,2−キノンジアジドスルホ
ン酸エステル以外の1.2−キノンジアジド化合物を、
例えばアルカリ可溶性樹脂100重量部に対して100
重星部具下、好ましくは50重置部以下、特に好ましく
は20重縦部以下の割合で配合することができる。これ
らの1.2−キノンジアジド化合物としては、例えば下
記一般式(I)(式中nは1〜3の整数、凡はアルキル
基、アリール基またはアラルキル基を意味する)で表わ
される化合物のヒドロキシル基の全部または一部に、
1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホニルクロリ
ド、 1.2−ナフトキノンジアジド−5−スルホニル
クロリドまたは1.2−ベンゾキノンジアジド−4−ス
ルホニルクロリド等を縮合反応させて得られる化合物が
挙げられる。この一般式(I)で表わされる化合物の其
体例としては、2゜3.4−トリヒドロキシフェニルメ
チルケトン、2゜3.4−1リヒドロキシフエニルエチ
ルケトン、2゜3.4−1リヒドロキシフエニルブチル
ケトン、2゜3.4−トリヒドロキシフェニル−n−へ
キシルケトン、3,4.5−トリヒドロキシフェニルメ
チルケトン、3,4.5−トリヒドロキシフェニルエチ
ルケトン、3,4.5− トリヒドロキシフェニルブチ
ルケトン、3,4.5− トリヒドロキシフェニル−n
−へキシルケトン、2,4.8− )リヒドロキシフェ
ニルメチルケトン、2,4.8−1リヒドロキシフエニ
ルエチルケトン、2,4.8− )リヒドロキシフェニ
ルブチルケトン、2,4.6−トリヒドロキシフエニル
ーn−へキシルケトン、 2,3.4− トリヒドロキ
シフェニルデシルケトン、2,3.4− )リヒドロキ
シフェニルドデシルケトン、2,3.4− トリヒドロ
キシベンゾフェノン、2,4.8− ) !Jヒドロキ
シヘンシフエノン、 2,3.4− トリヒドロキシフ
ェニルへンジルケトン、3,4.5− トリヒドロキシ
へンジルケトン、 2,4.8− )リヒドロキシフェ
ニルベンジルケトン等が挙げられる(米国特許第304
8118号および特公昭37−18015号明細書)。
ン酸エステル以外の1.2−キノンジアジド化合物を、
例えばアルカリ可溶性樹脂100重量部に対して100
重星部具下、好ましくは50重置部以下、特に好ましく
は20重縦部以下の割合で配合することができる。これ
らの1.2−キノンジアジド化合物としては、例えば下
記一般式(I)(式中nは1〜3の整数、凡はアルキル
基、アリール基またはアラルキル基を意味する)で表わ
される化合物のヒドロキシル基の全部または一部に、
1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホニルクロリ
ド、 1.2−ナフトキノンジアジド−5−スルホニル
クロリドまたは1.2−ベンゾキノンジアジド−4−ス
ルホニルクロリド等を縮合反応させて得られる化合物が
挙げられる。この一般式(I)で表わされる化合物の其
体例としては、2゜3.4−トリヒドロキシフェニルメ
チルケトン、2゜3.4−1リヒドロキシフエニルエチ
ルケトン、2゜3.4−1リヒドロキシフエニルブチル
ケトン、2゜3.4−トリヒドロキシフェニル−n−へ
キシルケトン、3,4.5−トリヒドロキシフェニルメ
チルケトン、3,4.5−トリヒドロキシフェニルエチ
ルケトン、3,4.5− トリヒドロキシフェニルブチ
ルケトン、3,4.5− トリヒドロキシフェニル−n
−へキシルケトン、2,4.8− )リヒドロキシフェ
ニルメチルケトン、2,4.8−1リヒドロキシフエニ
ルエチルケトン、2,4.8− )リヒドロキシフェニ
ルブチルケトン、2,4.6−トリヒドロキシフエニル
ーn−へキシルケトン、 2,3.4− トリヒドロキ
シフェニルデシルケトン、2,3.4− )リヒドロキ
シフェニルドデシルケトン、2,3.4− トリヒドロ
キシベンゾフェノン、2,4.8− ) !Jヒドロキ
シヘンシフエノン、 2,3.4− トリヒドロキシフ
ェニルへンジルケトン、3,4.5− トリヒドロキシ
へンジルケトン、 2,4.8− )リヒドロキシフェ
ニルベンジルケトン等が挙げられる(米国特許第304
8118号および特公昭37−18015号明細書)。
また例えば2,4.2’、4’−テトラヒドロキシ−6
゜6゛−ジメチル−ジフェニルメタン、 2,8.2’
、θ゛−テトラヒドロキシー3.5,3°、5゛−テ
トラクロル−ジフェニルメタン、2,2゛−ジヒドロキ
シ−4,4’−ジメチル−ジフェニルメタン−(1,1
) 、 2.2’−ジヒドロキシ−4,4′−ジメI・
キシ−ジフェニルエタン−(1,1)、 2,4.2′
、4′−テトラヒドロギシージフェニルエタンー(1,
1) 、 2,2°−ジヒドロキシ−4,4“−ジメト
キシ−トリフェニルメタン、2,2°−ジヒドロキシ−
ジナフチルメタン、 2,4.2’ 、4“−テトラヒ
ドロキシ−ジフェニルスルフィド、 2゜4.2’、4
°−テトラヒドロキシ−ジフェニルスルホキシド、2,
4.2’ 、4°−テi・ラヒドロキシー8,8’−ジ
メチル−ジフェニルエタン−(1,1)、 2,4.2
′。
゜6゛−ジメチル−ジフェニルメタン、 2,8.2’
、θ゛−テトラヒドロキシー3.5,3°、5゛−テ
トラクロル−ジフェニルメタン、2,2゛−ジヒドロキ
シ−4,4’−ジメチル−ジフェニルメタン−(1,1
) 、 2.2’−ジヒドロキシ−4,4′−ジメI・
キシ−ジフェニルエタン−(1,1)、 2,4.2′
、4′−テトラヒドロギシージフェニルエタンー(1,
1) 、 2,2°−ジヒドロキシ−4,4“−ジメト
キシ−トリフェニルメタン、2,2°−ジヒドロキシ−
ジナフチルメタン、 2,4.2’ 、4“−テトラヒ
ドロキシ−ジフェニルスルフィド、 2゜4.2’、4
°−テトラヒドロキシ−ジフェニルスルホキシド、2,
4.2’ 、4°−テi・ラヒドロキシー8,8’−ジ
メチル−ジフェニルエタン−(1,1)、 2,4.2
′。
4°−テトラヒドロキシ−6,6゛−ジカルポメトキシ
ージフェニルメタン、2,4.2’ 、4°−テトラヒ
ドロキシ−6,6°−ジメチル−トリフェニルメタン、
2゜4.2’、4’ −テトラヒドロキシ−ジフェニル
プロパ9 ンー(1,1) 、2,4,2°、4′ −テトラヒド
ロキシ−ジフェニル−n−ブタ7−(1,1)、2,4
,2°、4°−ペンタヒドロキシ−トリフェニルメタン
、 2+412’14′−テトラヒドロキシ−ジフェニ
ルシクロヘキサン−(1,1) 、 2,2°−ジヒド
ロキシ−4,4°−ジメトキシ−ジフェニルメタン、2
,4.2°、4°−テトラヒドロキシ−ジフェニルペン
タン−(1,1)、 2,4゜2°、4′ −テトラヒ
ドロキシ−ジフェニルプロパン−(2,2) 、 2,
4.2°、4′−テトラヒドロキシ−トリフェニルメタ
ン、2,2°−ジヒドロキシ−5,5°−ジブロム−ジ
フェニルメタン、2,2°−ジヒドロキシ−5,5°−
ジクロル−ジフェニルエタン−(1,1)、2.2°−
ジヒドロキシ−5,5′−ジブロム−ジフェニルエタン
−(1,1)等を1,2−ナフトキノンジアジド−5−
スルホニルクロリド、1,2−ナフトキノンジアジド−
4−スルホニルクロリドまたは1,2−ベンゾキノンジ
アジド−4−スルホニルクロリド等と縮合反応させて得
られる1、2−キノンジアジドスルホン酸エステル(特
公昭37−1953号公報)を配合することもできる。
ージフェニルメタン、2,4.2’ 、4°−テトラヒ
ドロキシ−6,6°−ジメチル−トリフェニルメタン、
2゜4.2’、4’ −テトラヒドロキシ−ジフェニル
プロパ9 ンー(1,1) 、2,4,2°、4′ −テトラヒド
ロキシ−ジフェニル−n−ブタ7−(1,1)、2,4
,2°、4°−ペンタヒドロキシ−トリフェニルメタン
、 2+412’14′−テトラヒドロキシ−ジフェニ
ルシクロヘキサン−(1,1) 、 2,2°−ジヒド
ロキシ−4,4°−ジメトキシ−ジフェニルメタン、2
,4.2°、4°−テトラヒドロキシ−ジフェニルペン
タン−(1,1)、 2,4゜2°、4′ −テトラヒ
ドロキシ−ジフェニルプロパン−(2,2) 、 2,
4.2°、4′−テトラヒドロキシ−トリフェニルメタ
ン、2,2°−ジヒドロキシ−5,5°−ジブロム−ジ
フェニルメタン、2,2°−ジヒドロキシ−5,5°−
ジクロル−ジフェニルエタン−(1,1)、2.2°−
ジヒドロキシ−5,5′−ジブロム−ジフェニルエタン
−(1,1)等を1,2−ナフトキノンジアジド−5−
スルホニルクロリド、1,2−ナフトキノンジアジド−
4−スルホニルクロリドまたは1,2−ベンゾキノンジ
アジド−4−スルホニルクロリド等と縮合反応させて得
られる1、2−キノンジアジドスルホン酸エステル(特
公昭37−1953号公報)を配合することもできる。
0
さらに、特公昭37−3827号公報、同37−131
09号公報、同40−26126号公報、同40−38
01号公報、同45−5804号公報、同45−273
45号公報、同51−13013号公報、特開昭48−
98575号公報、同48−E13802号公報、同4
8−f13803号公報、同58−75149号公報等
に記載された、 1.2−キノンジアジド化合物も使用
することができる。
09号公報、同40−26126号公報、同40−38
01号公報、同45−5804号公報、同45−273
45号公報、同51−13013号公報、特開昭48−
98575号公報、同48−E13802号公報、同4
8−f13803号公報、同58−75149号公報等
に記載された、 1.2−キノンジアジド化合物も使用
することができる。
さらに下記一般式(IT)、
下記一般式(m)、
(一般式(II)および(m)において、aおよびbは
同一または異なり、3または4の整数、見およびmは同
一または異なり、Oまたは1〜3の整数、Cは1〜4の
整数、nは0または1〜3の整数を意味し、また(a−
楚) 、 (b−m)および(c−n)はいずれもl以
」−の整数、R,、Rsおよび山は同一または異なり、
1.2−ナフトキノンジアジド−4−スルホニル基、1
,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホニル基または
1,2−ベンゾキノンジアジド−4−スルホニル基、R
2,R,、R,およびR1は同一または異なり、水素原
子、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基、アラルキ
ル基、アルコキシ基、シアン基またはニトロ基、fL、
L、R,および亀は同一または異なり、水素原子、アル
キル基、アリール基またはアラルキル基を意味し、烏お
よびR4ならびに九および&は炭素−炭素結合またはエ
ーテル結合で環を形成することができる)下記一般式(
rIr)、 (一般式(IV)において、nは2〜4の整数、文はO
または1〜3の整数、mは1〜4の整数、kは1〜4の
整数、かつに十見十m=5であり、&は 1,2−ナフ
トキノンジアジド−4−スルホニル基、1,2−ナフト
キノンジアジド−5−スルホニル基、または1.2−ベ
ンゾキノンジアジド−4−スルホニル基、ルは水素原子
、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基、アラルキル
基、アルコキシ基、シアノ基またはニトロ基、Zはメタ
ンまたは芳香族化合物の残基を意味する)、 下記一般式(V)、 または下記一般式(VI)、 (一般式(V)および(Vl)において、a、bおよび
Cは1〜4の整数であってaとbは同一または異なり、
l、rmおよびnはOまたは1〜3の整数であって文と
mは同一または異なり、 (a−41)、 (b−鵬)
および(c−n)は】以]−の整数、R1,R2および
亀は1.2−ナフトキノンジアジド−4−スルホニル3 基、1.2−ナフトキノンジアジド−5−スルホニル基
または1.2−ベンゾキノンジアジド−4−スルホニル
基であって民と烏は同一または異なり、R3+R4およ
びR,は水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アリー
ル基、アラルキル基、アルコキシ基、シアノ基またはニ
トロ基であって山と艮は同一または異なり、R7はアル
キル基、アリール基またはアラルギル基、Zは置換基を
有するかもしくは有しないアルキレン基またはオギサア
ルキレン基を意味する)で表わされる1、2−キノンジ
アジド化合物も使用することができる。
同一または異なり、3または4の整数、見およびmは同
一または異なり、Oまたは1〜3の整数、Cは1〜4の
整数、nは0または1〜3の整数を意味し、また(a−
楚) 、 (b−m)および(c−n)はいずれもl以
」−の整数、R,、Rsおよび山は同一または異なり、
1.2−ナフトキノンジアジド−4−スルホニル基、1
,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホニル基または
1,2−ベンゾキノンジアジド−4−スルホニル基、R
2,R,、R,およびR1は同一または異なり、水素原
子、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基、アラルキ
ル基、アルコキシ基、シアン基またはニトロ基、fL、
L、R,および亀は同一または異なり、水素原子、アル
キル基、アリール基またはアラルキル基を意味し、烏お
よびR4ならびに九および&は炭素−炭素結合またはエ
ーテル結合で環を形成することができる)下記一般式(
rIr)、 (一般式(IV)において、nは2〜4の整数、文はO
または1〜3の整数、mは1〜4の整数、kは1〜4の
整数、かつに十見十m=5であり、&は 1,2−ナフ
トキノンジアジド−4−スルホニル基、1,2−ナフト
キノンジアジド−5−スルホニル基、または1.2−ベ
ンゾキノンジアジド−4−スルホニル基、ルは水素原子
、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基、アラルキル
基、アルコキシ基、シアノ基またはニトロ基、Zはメタ
ンまたは芳香族化合物の残基を意味する)、 下記一般式(V)、 または下記一般式(VI)、 (一般式(V)および(Vl)において、a、bおよび
Cは1〜4の整数であってaとbは同一または異なり、
l、rmおよびnはOまたは1〜3の整数であって文と
mは同一または異なり、 (a−41)、 (b−鵬)
および(c−n)は】以]−の整数、R1,R2および
亀は1.2−ナフトキノンジアジド−4−スルホニル3 基、1.2−ナフトキノンジアジド−5−スルホニル基
または1.2−ベンゾキノンジアジド−4−スルホニル
基であって民と烏は同一または異なり、R3+R4およ
びR,は水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アリー
ル基、アラルキル基、アルコキシ基、シアノ基またはニ
トロ基であって山と艮は同一または異なり、R7はアル
キル基、アリール基またはアラルギル基、Zは置換基を
有するかもしくは有しないアルキレン基またはオギサア
ルキレン基を意味する)で表わされる1、2−キノンジ
アジド化合物も使用することができる。
に記一般式(II)で表わされる1、2−キノンジアジ
ド化合物は、例えばジ(2,3,4−トリヒドロキシフ
ェニル)メタン、 1.1−ジ(2,3,4−トリヒド
ロキシフェニル)プロパン、2,2−ジ(2,3,4−
トリヒドロキシフェニル)プロパン、l、1−ジ(2゜
3.4−1−ジヒドロキシフェニル)ブタン、 1.1
−ジ(2,3,4−1−ジヒドロキシシクロヘキサン、
l、1−ジ(2,3,4−)ジヒドロキシ)−4−オギ
サシクロヘキサン、ジ(2,4,8−)リヒドロキシフ
ェニ4 ル)メタン、 1.1−ジ(2,4,6−1−ジヒドロ
キシフェニル)プロパン、 2.2−ジ(2,4,6−
トリヒドロキシフェニル)プロパン、 1.1−ジ(2
,4,6−トリヒドロキシフェニル)ブタン、 1.1
−ジ(2,4,fl−トリヒドロキシフェニル)シクロ
ヘキサン、 1.1−ジ(2,4,6−トリヒドロキシ
フェニル)−4−オギサシクロヘキサン、ジ(2,3,
4−)リヒドロキシ=5−ブロモフェニル)メタン、
2,2−ジ(2,4,B−トリヒドロキシ−3−クロロ
フェニル)プロパン、ジ(2,3,4−)ジヒドロキシ
−5−メチルフェニル)メタン、2.2−(2,4,6
−トリヒドロキシ−3−) チjlz)プロパン、ジ(
2,3,4−)ジヒドロキシ−5−シアノフェニル)メ
タン、2.2−ジ(2゜4.8−)ジヒドロキシ−3−
二トロフエニル)フロパン、ジ(1,2,3,4−テト
ラヒドロキシフェニル)メタン、2,2−ジ(1,2,
3,5−テトラヒドロキシフェニル)プロパン等のポリ
ヒドロキシ化合物と 1.2−ナフトキノンジアジド−
5−スルホニルクロリド、 1.2−ナフトキノンシア
シト−4−スルホニルクロリドまたは1.2−ベンゾキ
ノンジアジド−4−スルホニルクロリドとを当量比0.
125〜1で縮合することにより得ることができる。
ド化合物は、例えばジ(2,3,4−トリヒドロキシフ
ェニル)メタン、 1.1−ジ(2,3,4−トリヒド
ロキシフェニル)プロパン、2,2−ジ(2,3,4−
トリヒドロキシフェニル)プロパン、l、1−ジ(2゜
3.4−1−ジヒドロキシフェニル)ブタン、 1.1
−ジ(2,3,4−1−ジヒドロキシシクロヘキサン、
l、1−ジ(2,3,4−)ジヒドロキシ)−4−オギ
サシクロヘキサン、ジ(2,4,8−)リヒドロキシフ
ェニ4 ル)メタン、 1.1−ジ(2,4,6−1−ジヒドロ
キシフェニル)プロパン、 2.2−ジ(2,4,6−
トリヒドロキシフェニル)プロパン、 1.1−ジ(2
,4,6−トリヒドロキシフェニル)ブタン、 1.1
−ジ(2,4,fl−トリヒドロキシフェニル)シクロ
ヘキサン、 1.1−ジ(2,4,6−トリヒドロキシ
フェニル)−4−オギサシクロヘキサン、ジ(2,3,
4−)リヒドロキシ=5−ブロモフェニル)メタン、
2,2−ジ(2,4,B−トリヒドロキシ−3−クロロ
フェニル)プロパン、ジ(2,3,4−)ジヒドロキシ
−5−メチルフェニル)メタン、2.2−(2,4,6
−トリヒドロキシ−3−) チjlz)プロパン、ジ(
2,3,4−)ジヒドロキシ−5−シアノフェニル)メ
タン、2.2−ジ(2゜4.8−)ジヒドロキシ−3−
二トロフエニル)フロパン、ジ(1,2,3,4−テト
ラヒドロキシフェニル)メタン、2,2−ジ(1,2,
3,5−テトラヒドロキシフェニル)プロパン等のポリ
ヒドロキシ化合物と 1.2−ナフトキノンジアジド−
5−スルホニルクロリド、 1.2−ナフトキノンシア
シト−4−スルホニルクロリドまたは1.2−ベンゾキ
ノンジアジド−4−スルホニルクロリドとを当量比0.
125〜1で縮合することにより得ることができる。
」二記一般式(m)で表わされる1、2−キノンジアジ
ド化合物は、例えば2,3.4− トリヒドロキシジフ
ェニルメタン、 2,4.8−1−ジヒドロキシジフェ
ニルメタン、2,3.4− )ジヒドロキシ−5−クロ
ロジフェニルメタン、2,4.B−)ジヒドロキシ−3
−ブロモジフェニルメタン、2,3.4−)ジヒドロキ
シ−5−メチルジフェニルメタン、2,4゜6−ドリヒ
ドロキシー3−シアノジフェニルメタン、 2,3.4
− トリヒドロキシ−5−ニトロジフェニルメタン、
2,3.4− )ジヒドロキシ−4°−メチルジフエニ
ルメタン、2,4.6− トリヒドロキシ−4゛−メチ
ルジフェニルメタン、2,3.4− )ジヒドロキシ−
4°−t−ブチルジフエニルメタン、2,3゜4.5−
テトラヒドロキシジフェニルメタン、2,3゜4.6−
テI・ラヒドロキシジフェニルメタン、 2,5−ジヒ
ドロキシジフェニルメタン、2,4−ジヒドロキシジフ
ェニルメタン、2.4−ジヒドロキシ−4°−メチルジ
フェニルメタン、 2.5−ジヒドロキシー4′−t−
ブチルジフェニルメタン、 2−(2゜3.4−)ジヒ
ドロキシフェニル)−2−フェニルプロパン、 2−
(2,4,6−)ジヒドロキシフェニル)−2−フェニ
ルプロパン、 2−(2,3,4−トリヒドロキシ−5
−クロロフェニル)−2−フェニルプロパン、2−(2
,3,44リヒドロキシ−5−メチルフェニル)−2−
フェニルプロパン、 2−(2,4,8−トリヒドロキ
シ−3−シアノフェニル)−2−フェニルプロパン、2
−(2,3,4−)リヒドロキシー5−二トロフェニル
)−2−フェニルプロパン、2−(2,3,4−)ジヒ
ドロキシフェニル)−2−(p−トリル)プロパン、
2−(2,4,6−)ジヒドロキシフェニル)−2−(
4−t−ブチルフェニル)プロパン、2−(2,3,4
,5〜テトラヒドロキシフエニル)−2−フェニルプロ
パン、 2−(2,3,4,8−テトラヒドロキシ)−
2−フェニルプロパン、2−(2,5−ジヒドロキシフ
ェニル)−2−フェニルプロパン、2−(2,4−ジヒ
ドロキシフェニル)−2−フェニルプロパン、2−(2
,4−ジヒドロキシフェニル)−2−(p−1リル)フ
ロ7 パン等のポリヒドロキシ化合物と1.2−ナフトキノン
ジアジド−5−スルホニルクロリド、 1,2−ナ7ト
キノンジアジド−4−スルホニルクロリドまたは1.2
−ベンゾキノンジアジド−4−スルホニルクロリドとを
当量比0.25〜lで縮合することによりl)ることか
できる。
ド化合物は、例えば2,3.4− トリヒドロキシジフ
ェニルメタン、 2,4.8−1−ジヒドロキシジフェ
ニルメタン、2,3.4− )ジヒドロキシ−5−クロ
ロジフェニルメタン、2,4.B−)ジヒドロキシ−3
−ブロモジフェニルメタン、2,3.4−)ジヒドロキ
シ−5−メチルジフェニルメタン、2,4゜6−ドリヒ
ドロキシー3−シアノジフェニルメタン、 2,3.4
− トリヒドロキシ−5−ニトロジフェニルメタン、
2,3.4− )ジヒドロキシ−4°−メチルジフエニ
ルメタン、2,4.6− トリヒドロキシ−4゛−メチ
ルジフェニルメタン、2,3.4− )ジヒドロキシ−
4°−t−ブチルジフエニルメタン、2,3゜4.5−
テトラヒドロキシジフェニルメタン、2,3゜4.6−
テI・ラヒドロキシジフェニルメタン、 2,5−ジヒ
ドロキシジフェニルメタン、2,4−ジヒドロキシジフ
ェニルメタン、2.4−ジヒドロキシ−4°−メチルジ
フェニルメタン、 2.5−ジヒドロキシー4′−t−
ブチルジフェニルメタン、 2−(2゜3.4−)ジヒ
ドロキシフェニル)−2−フェニルプロパン、 2−
(2,4,6−)ジヒドロキシフェニル)−2−フェニ
ルプロパン、 2−(2,3,4−トリヒドロキシ−5
−クロロフェニル)−2−フェニルプロパン、2−(2
,3,44リヒドロキシ−5−メチルフェニル)−2−
フェニルプロパン、 2−(2,4,8−トリヒドロキ
シ−3−シアノフェニル)−2−フェニルプロパン、2
−(2,3,4−)リヒドロキシー5−二トロフェニル
)−2−フェニルプロパン、2−(2,3,4−)ジヒ
ドロキシフェニル)−2−(p−トリル)プロパン、
2−(2,4,6−)ジヒドロキシフェニル)−2−(
4−t−ブチルフェニル)プロパン、2−(2,3,4
,5〜テトラヒドロキシフエニル)−2−フェニルプロ
パン、 2−(2,3,4,8−テトラヒドロキシ)−
2−フェニルプロパン、2−(2,5−ジヒドロキシフ
ェニル)−2−フェニルプロパン、2−(2,4−ジヒ
ドロキシフェニル)−2−フェニルプロパン、2−(2
,4−ジヒドロキシフェニル)−2−(p−1リル)フ
ロ7 パン等のポリヒドロキシ化合物と1.2−ナフトキノン
ジアジド−5−スルホニルクロリド、 1,2−ナ7ト
キノンジアジド−4−スルホニルクロリドまたは1.2
−ベンゾキノンジアジド−4−スルホニルクロリドとを
当量比0.25〜lで縮合することによりl)ることか
できる。
1:記一般式(IT)または(m)で表わされる1、2
−キノンジアジド化合物に関する詳細は、本出願人の昭
和58年12月6日付出願に記載されている。
−キノンジアジド化合物に関する詳細は、本出願人の昭
和58年12月6日付出願に記載されている。
上記一般式(IV)で表わされる1、2−キノンジアジ
ド化合物は、例えば、p−ビス(4−ヒドロキシベンゾ
イル)ベンゼン、p−ビス(2,5−ジヒドロキシベン
ゾイル)ベンゼン、p−ビス(2,3,4−トリヒドロ
キシベンゾイル)ベンゼン、m−ビス(2,4,8−ト
リヒドロキシベンゾイル)ベンゼン、p−ビス(4−ヒ
ドロキシ−3−クロロベンゾイル)ベンゼン、p−ビス
(2,3,4−)リヒドロキシー5−メチルベンゾイル
)ベンゼン、p−ビス(2,4,8−トリヒドロキシ−
3−ニトロベンシイ8 ル)ベンゼン、p−ビス(2,3,4−トリヒドロキシ
−5−シアノベンゾイル)ベンゼン、 1,3.5−1
−リス(2,5−ジヒドロキシベンゾイル)ベンゼン、
1.2.3− トリス(2,3,4−トリヒドロキシへ
ンゾイル)ベンゼン、 1,2.4− トリス(2,4
,B−1−ジヒドロキシベンゾイル)ベンゼン、 1,
2,4.5−テトラキス(2,3,4−トリヒドロキシ
ベンゾイル)ベンゼン、α、α1−ビス(2,3,4−
トリヒドロキシベンゾイル)−p−キシレン、α、α1
.α゛−トリス(2,3,4−トリヒドロキシベンゾイ
ル)メシチレン、 1.2−ビス(2,3,4−トリヒ
ドロキシベンゾイル)ナフタレン等のポリヒドロキシ化
合物と 1.2−ナフトキノンジアジド−5−スルホニ
ルクロリド、 1.2−ナフトキノンジアジド−4−ス
ルホニルクロリドまたは1,2−ベンゾキノンジアジド
−4−スルホニルクロリドとを当量比0.083〜lで
縮合することにより得ることができ、詳細は本出願人の
特願昭58−243583号(昭和58年12月23日
付出願)に記載されている。
ド化合物は、例えば、p−ビス(4−ヒドロキシベンゾ
イル)ベンゼン、p−ビス(2,5−ジヒドロキシベン
ゾイル)ベンゼン、p−ビス(2,3,4−トリヒドロ
キシベンゾイル)ベンゼン、m−ビス(2,4,8−ト
リヒドロキシベンゾイル)ベンゼン、p−ビス(4−ヒ
ドロキシ−3−クロロベンゾイル)ベンゼン、p−ビス
(2,3,4−)リヒドロキシー5−メチルベンゾイル
)ベンゼン、p−ビス(2,4,8−トリヒドロキシ−
3−ニトロベンシイ8 ル)ベンゼン、p−ビス(2,3,4−トリヒドロキシ
−5−シアノベンゾイル)ベンゼン、 1,3.5−1
−リス(2,5−ジヒドロキシベンゾイル)ベンゼン、
1.2.3− トリス(2,3,4−トリヒドロキシへ
ンゾイル)ベンゼン、 1,2.4− トリス(2,4
,B−1−ジヒドロキシベンゾイル)ベンゼン、 1,
2,4.5−テトラキス(2,3,4−トリヒドロキシ
ベンゾイル)ベンゼン、α、α1−ビス(2,3,4−
トリヒドロキシベンゾイル)−p−キシレン、α、α1
.α゛−トリス(2,3,4−トリヒドロキシベンゾイ
ル)メシチレン、 1.2−ビス(2,3,4−トリヒ
ドロキシベンゾイル)ナフタレン等のポリヒドロキシ化
合物と 1.2−ナフトキノンジアジド−5−スルホニ
ルクロリド、 1.2−ナフトキノンジアジド−4−ス
ルホニルクロリドまたは1,2−ベンゾキノンジアジド
−4−スルホニルクロリドとを当量比0.083〜lで
縮合することにより得ることができ、詳細は本出願人の
特願昭58−243583号(昭和58年12月23日
付出願)に記載されている。
上記一般式(V)で表わされる1、2−キノンジアジド
化合物は、例えば、エチレングリコールージ(2−ヒド
ロキシベンゾエート)、ジエチレングリコールージ(2
,3−ジヒドロキシベンゾエート)、iリエチレングリ
コールージ(2,8−ジヒドロキシベンゾエート)、エ
チレングリコールージ(3,4,5−トリヒドロキシへ
ンゾエート)、ジェチレングリコールージ(2,4,8
−1−リヒドロキシベンゾエーI・)、トリエチレング
リコールージ(2−ヒドロキシ−3−メチルベンゾエー
ト)、エチレングリコールージ(4−クロロ−2−ヒド
ロキシベンゾエート)、ポリエチレングリコールージ(
5−ブロモ−2−ヒドロキシベンゾエート)、プロビレ
ングリコールージ(3−クロロ−4−ヒドロキシベンゾ
エート)、スチレングリコールージ(2−ヒドロキシ−
3−メトキシベンゾエート)、ポリプロピレングリコー
ルージ(2−ヒドロキシ−5−メトキシベンゾエート)
、ポリ−3,3−ビスクロロメチルオキセタングリコー
ルージ(3−ヒドロキシ−4−メトキシベンゾエート)
、 1.3−プロパンジオールーシ(3,4,5−トリ
ヒドロキシベンゾエート)、 1.4−ブタンジオール
ージ(3−ヒドロキシベンゾエート)、ポリテトラヒド
ロフラングリコールージ(3,4,5−トリヒドロキシ
ベンゾエート)等のポリヒドロキシ化合物と1.2−ナ
フトキノンジアジド−5−スルホニルクロリド、 l、
2−ナフトキノンジアジド−4−スルホニルクロリドま
たは1,2−ベンゾキノンジアジド−4−スルホニルク
ロリドとを当量比0.17〜1で縮合することにより得
ることができる。
化合物は、例えば、エチレングリコールージ(2−ヒド
ロキシベンゾエート)、ジエチレングリコールージ(2
,3−ジヒドロキシベンゾエート)、iリエチレングリ
コールージ(2,8−ジヒドロキシベンゾエート)、エ
チレングリコールージ(3,4,5−トリヒドロキシへ
ンゾエート)、ジェチレングリコールージ(2,4,8
−1−リヒドロキシベンゾエーI・)、トリエチレング
リコールージ(2−ヒドロキシ−3−メチルベンゾエー
ト)、エチレングリコールージ(4−クロロ−2−ヒド
ロキシベンゾエート)、ポリエチレングリコールージ(
5−ブロモ−2−ヒドロキシベンゾエート)、プロビレ
ングリコールージ(3−クロロ−4−ヒドロキシベンゾ
エート)、スチレングリコールージ(2−ヒドロキシ−
3−メトキシベンゾエート)、ポリプロピレングリコー
ルージ(2−ヒドロキシ−5−メトキシベンゾエート)
、ポリ−3,3−ビスクロロメチルオキセタングリコー
ルージ(3−ヒドロキシ−4−メトキシベンゾエート)
、 1.3−プロパンジオールーシ(3,4,5−トリ
ヒドロキシベンゾエート)、 1.4−ブタンジオール
ージ(3−ヒドロキシベンゾエート)、ポリテトラヒド
ロフラングリコールージ(3,4,5−トリヒドロキシ
ベンゾエート)等のポリヒドロキシ化合物と1.2−ナ
フトキノンジアジド−5−スルホニルクロリド、 l、
2−ナフトキノンジアジド−4−スルホニルクロリドま
たは1,2−ベンゾキノンジアジド−4−スルホニルク
ロリドとを当量比0.17〜1で縮合することにより得
ることができる。
上記一般式(Vl)で表わされる1、2−キノンジアジ
ド化合物は、例えば、エチレングリコール−モノメチル
−モノ(3,4,5−トリヒドロキシベンゾエート)、
エチレングリコールーモノエチルーモ/(2,4,B−
)ジヒドロキシベンゾエート)、ジエチレングリコール
−モノエチル−モノ(2,3−ジヒドロキシベンゾエー
ト)、トリエチレングリコール−モノエチル−モノ(3
,5−ジヒドロキシベンゾエート)、エチレングリコー
ル−モノフェニル−モノ(3,4,5−トリヒドロキシ
ベンゾエート)、1.2−ベンゼンジメタノ−ルーモノ
エチル−モノ1 (3,4,5−トリヒドロキシベンゾエート)等のポリ
ヒドロキシ化合物と1.2−ナフI・キノンジアジド−
5−スルホニルクロリド、 1.2−ナフトキノンジア
ジド−4−スルホニルクロリドまたは1.2−ベンゾキ
ノンジアジド−4−スルホニルクロリドとを当量比0.
3〜lで縮合することにより得ることができる。
ド化合物は、例えば、エチレングリコール−モノメチル
−モノ(3,4,5−トリヒドロキシベンゾエート)、
エチレングリコールーモノエチルーモ/(2,4,B−
)ジヒドロキシベンゾエート)、ジエチレングリコール
−モノエチル−モノ(2,3−ジヒドロキシベンゾエー
ト)、トリエチレングリコール−モノエチル−モノ(3
,5−ジヒドロキシベンゾエート)、エチレングリコー
ル−モノフェニル−モノ(3,4,5−トリヒドロキシ
ベンゾエート)、1.2−ベンゼンジメタノ−ルーモノ
エチル−モノ1 (3,4,5−トリヒドロキシベンゾエート)等のポリ
ヒドロキシ化合物と1.2−ナフI・キノンジアジド−
5−スルホニルクロリド、 1.2−ナフトキノンジア
ジド−4−スルホニルクロリドまたは1.2−ベンゾキ
ノンジアジド−4−スルホニルクロリドとを当量比0.
3〜lで縮合することにより得ることができる。
、I−記一般式(V)または(Vl)で表わされる1、
2−キノンジアジド化合物に関する詳細は、本出願人の
昭和58年1月lO日付出願に記載されている。
2−キノンジアジド化合物に関する詳細は、本出願人の
昭和58年1月lO日付出願に記載されている。
さらに本発明の組成物は必要に応じて、現像性、組成物
の保存安定性等を向」ニさせるために、例えばロジン、
シュラツク等の天然樹脂、スチレンと無水マレイン酸と
の共重合体、スチレンとアクリル酸、メタクリル酸また
はこれらのアルキルエステルとの共重合体、アクリル酸
エステル重合体、ビニルアセタール重合体、ビニルエー
テル重合体、酢酸ビニル重合体、ビニルアルコール重合
体、ビニルピロリドン重合体等の合成樹脂を、ア2 ルカリIIf溶性樹脂100部具部に対して1〜50重
量部、好ましくは5〜30重量部の割合で伺加的に配合
含有させることもできる。
の保存安定性等を向」ニさせるために、例えばロジン、
シュラツク等の天然樹脂、スチレンと無水マレイン酸と
の共重合体、スチレンとアクリル酸、メタクリル酸また
はこれらのアルキルエステルとの共重合体、アクリル酸
エステル重合体、ビニルアセタール重合体、ビニルエー
テル重合体、酢酸ビニル重合体、ビニルアルコール重合
体、ビニルピロリドン重合体等の合成樹脂を、ア2 ルカリIIf溶性樹脂100部具部に対して1〜50重
量部、好ましくは5〜30重量部の割合で伺加的に配合
含有させることもできる。
本発明の組成物は、微細加工すべき基板」二に塗布し、
活性光線、例えば紫外線等を部分的に照射し、現像する
ことによってパターンを形成することができる。
活性光線、例えば紫外線等を部分的に照射し、現像する
ことによってパターンを形成することができる。
本発明の組成物を基板に塗布する方法としては、本発明
の組成物を、例えば濃度が5〜50重績%となるように
適当な溶剤に溶解し、これを回転塗布、流し塗布、ロー
ル塗布等により塗布する方法が挙げられる。この際に用
いられる適当な溶剤としては、例えばシクロペンタノン
、シクロヘキサノン、ジアセトンアルコール等のケトン
類、n−ブタノール等のアルコール類、ジオキサン、エ
チレングリコールジメチルエーテル、エチルグリコール
ジエチルエーテル等のエーテル類、エチルグリコールモ
ノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエー
テル等のアルコールエーテル類、酢酸ブチル、セロソル
ブアセテート、メトキシエチルアセテート等のエステル
類、1,1.2−トリクロロエチレン等のハロゲン化炭
化水素類、ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミ
ド、N−メチルピロリドン等の極性溶媒が、単独でまた
は混合して用いられる。
の組成物を、例えば濃度が5〜50重績%となるように
適当な溶剤に溶解し、これを回転塗布、流し塗布、ロー
ル塗布等により塗布する方法が挙げられる。この際に用
いられる適当な溶剤としては、例えばシクロペンタノン
、シクロヘキサノン、ジアセトンアルコール等のケトン
類、n−ブタノール等のアルコール類、ジオキサン、エ
チレングリコールジメチルエーテル、エチルグリコール
ジエチルエーテル等のエーテル類、エチルグリコールモ
ノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエー
テル等のアルコールエーテル類、酢酸ブチル、セロソル
ブアセテート、メトキシエチルアセテート等のエステル
類、1,1.2−トリクロロエチレン等のハロゲン化炭
化水素類、ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミ
ド、N−メチルピロリドン等の極性溶媒が、単独でまた
は混合して用いられる。
本発明の組成物には、必要に応じて保存安定剤、色素等
を添加配合することもできる。また本発明の組成物と基
板との接着力を向上させるために、選定した基板に応じ
て、例えばへ午サメチルジシラザン、クロロメチルシラ
ン等を接着助剤として基板に塗布してもよい。
を添加配合することもできる。また本発明の組成物と基
板との接着力を向上させるために、選定した基板に応じ
て、例えばへ午サメチルジシラザン、クロロメチルシラ
ン等を接着助剤として基板に塗布してもよい。
本発明の組成物に用いられる現像液としては、例えば水
酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケ
イ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、リン酸三ナト
リウム、リン酸水素ナトリウム等の無機アルカリ類の水
溶液、n−プロピルアミン、ジ−n−プロピルアミン、
ジ−n−ブチルアミン、メチルジエチルアミン、ビロー
ル、2.5−ジメチルピロール、β−ピコリン、コリジ
ン、ピペリジン、ピペラジン、トリエチレンジアミン等
のアミン類の水溶液、ジメチルエタノールアミン、トリ
エタノールアミン、ジエチルヒドロキシルアミン等のア
ルコールアミン類の水溶液、テトラメチルアンモニウム
ヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド
等の第4級アンモニウム塩の水溶液、アンモニア水等が
挙げられる。
酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケ
イ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、リン酸三ナト
リウム、リン酸水素ナトリウム等の無機アルカリ類の水
溶液、n−プロピルアミン、ジ−n−プロピルアミン、
ジ−n−ブチルアミン、メチルジエチルアミン、ビロー
ル、2.5−ジメチルピロール、β−ピコリン、コリジ
ン、ピペリジン、ピペラジン、トリエチレンジアミン等
のアミン類の水溶液、ジメチルエタノールアミン、トリ
エタノールアミン、ジエチルヒドロキシルアミン等のア
ルコールアミン類の水溶液、テトラメチルアンモニウム
ヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド
等の第4級アンモニウム塩の水溶液、アンモニア水等が
挙げられる。
また前記現像液に、メタノール、エタノール等のアルコ
ール類、亜硫酸系安定剤または界面活性剤を適当量添加
することもできる。
ール類、亜硫酸系安定剤または界面活性剤を適当量添加
することもできる。
本発明の組成物は、1.2−キノンジアジド化合物の結
晶が析出することなく、高感度、高解像度および高残膜
率を有し、かつ現像性にも優れたものであり、集積回路
作製用の耐熱性を有するポジ型ホトレジストとして特に
有用であるとともに、マスク製作用のポジ型ホトレジス
ト等としても有用なものである。
晶が析出することなく、高感度、高解像度および高残膜
率を有し、かつ現像性にも優れたものであり、集積回路
作製用の耐熱性を有するポジ型ホトレジストとして特に
有用であるとともに、マスク製作用のポジ型ホトレジス
ト等としても有用なものである。
次に実施例を挙げて本発明を詳述するが、本発明はこれ
らの実施例により何ら制約されるものではない。
らの実施例により何ら制約されるものではない。
5
実施例1
(1)ノボラック樹脂の合成
5001の三ツロセバラブルフラスコに、m−クレゾー
ル75gおよびp−クレゾール25gを仕込んだ後、3
7重量%のホルマリン水溶液661および蓚酸0.04
gを添加した。撹拌しながら、セパラブルフラスコな油
浴に浸して反応温度を100℃に調節し、10時間反応
させた。反応終了後、30腸鵬Hgに減圧して水を留去
し、さらに内温を130℃に上昇させて未反応物を除去
した0次いで反応生成物である溶融したアルカリ可溶性
ノボラック樹脂を室温に戻して回収した。
ル75gおよびp−クレゾール25gを仕込んだ後、3
7重量%のホルマリン水溶液661および蓚酸0.04
gを添加した。撹拌しながら、セパラブルフラスコな油
浴に浸して反応温度を100℃に調節し、10時間反応
させた。反応終了後、30腸鵬Hgに減圧して水を留去
し、さらに内温を130℃に上昇させて未反応物を除去
した0次いで反応生成物である溶融したアルカリ可溶性
ノボラック樹脂を室温に戻して回収した。
(2)感光剤の合成
遮光下で2文の三ツロセパラブルフラスコに、モリン1
5.11g、1.2−ナフトキノンジアジド−5−スル
ホニルクロリド87.17 gおよびジオキサン800
1を仕込んで溶解させた。この溶液を撹拌りながらトリ
エチルアミン30.38 gを徐々に添加し、室温で2
時間反応させた。反応終了後、内容物を多着の1重量%
塩酸水に滴下して生成物を沈6 殿させ、水洗後40℃で20時間真空乾燥してモリソー
1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸ペンタ
エステル(以下感光剤Aと略す)を得た。
5.11g、1.2−ナフトキノンジアジド−5−スル
ホニルクロリド87.17 gおよびジオキサン800
1を仕込んで溶解させた。この溶液を撹拌りながらトリ
エチルアミン30.38 gを徐々に添加し、室温で2
時間反応させた。反応終了後、内容物を多着の1重量%
塩酸水に滴下して生成物を沈6 殿させ、水洗後40℃で20時間真空乾燥してモリソー
1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸ペンタ
エステル(以下感光剤Aと略す)を得た。
(3)感光性樹脂組成物の調製と評価
遮光下で(1)で得られたアルカリ可溶性ノボラック樹
脂20gおよび(2)で得られた感光剤A5gを、75
gのジメチルホルムアミドに溶解し、孔径0.2に■の
メンブランフィルタ−で濾過して感光性樹脂組成物の溶
液を調製した。
脂20gおよび(2)で得られた感光剤A5gを、75
gのジメチルホルムアミドに溶解し、孔径0.2に■の
メンブランフィルタ−で濾過して感光性樹脂組成物の溶
液を調製した。
得られた溶液を、シリコン酸化膜ウェハー上に、スピン
ナーで塗布した後、オーブン中、90℃で25分間プレ
ベークしてlIL鵬厚の感光性樹脂組成物膜を得た。凸
版印刷■製テストパターンマスクをウェハーに密着し、
11.8鵬J/crn”の紫外線(オプティカルアソシ
エート・インコーホレイテッド製モデル205UVパワ
ーメーターにより測定)を照射し、テトラメチルアンモ
ニウムヒドロキシド2.0重量%水溶液で20℃で80
秒間現像したところ、線幅1.0%鵬のパターンを解像
することができた0本発明の感光性樹脂組成物が感度お
よび解像度に優れていることがわかる。また未露光部の
残膜率は91%と高い値を示し、現像残りがなく、パタ
ーンが鮮明で現像性が極めて優れていた。また現像後の
パターンを160℃で30分間オーブン中でボストベー
クしたが、パターン崩れは観察されず、高い耐熱性を有
していた。
ナーで塗布した後、オーブン中、90℃で25分間プレ
ベークしてlIL鵬厚の感光性樹脂組成物膜を得た。凸
版印刷■製テストパターンマスクをウェハーに密着し、
11.8鵬J/crn”の紫外線(オプティカルアソシ
エート・インコーホレイテッド製モデル205UVパワ
ーメーターにより測定)を照射し、テトラメチルアンモ
ニウムヒドロキシド2.0重量%水溶液で20℃で80
秒間現像したところ、線幅1.0%鵬のパターンを解像
することができた0本発明の感光性樹脂組成物が感度お
よび解像度に優れていることがわかる。また未露光部の
残膜率は91%と高い値を示し、現像残りがなく、パタ
ーンが鮮明で現像性が極めて優れていた。また現像後の
パターンを160℃で30分間オーブン中でボストベー
クしたが、パターン崩れは観察されず、高い耐熱性を有
していた。
災巌1ヱ:J
(1)感光剤の合成
実施例1(2)と同様に第1表に示した天然色素と 1
.2−キノンジアジドスルホニルクロリドとを縮合反応
させることによって感光剤を合成した。
.2−キノンジアジドスルホニルクロリドとを縮合反応
させることによって感光剤を合成した。
39
(2)感光性樹脂組成物の調整と評価
実施例1(1)で得たアルカリ可溶性ノボラック樹脂2
0g、第2表に示す感光剤5gおよびジメチルスルホキ
シド75gを用い、実施例1(3)と同様に感光性樹脂
組成物の溶液を調製し評価した。第2表に結果を示す。
0g、第2表に示す感光剤5gおよびジメチルスルホキ
シド75gを用い、実施例1(3)と同様に感光性樹脂
組成物の溶液を調製し評価した。第2表に結果を示す。
第2表から本発明の感光性樹脂組成物が感度、解像度お
よび残膜率に優れていることがわかる。またいずれの感
光性樹脂組成物も実施例1のものと同様に現像性および
耐熱性が優れるものであった。
よび残膜率に優れていることがわかる。またいずれの感
光性樹脂組成物も実施例1のものと同様に現像性および
耐熱性が優れるものであった。
第2表
特許出願人 日本合成ゴム株式会社
代 理 人 弁理士 岩見谷 周志
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 アルカリ可溶性樹脂と1.2−キノンジアジド化合物と
からなるポジ型感光性樹脂組成物において。 1.2−キノンジアジド化合物がヒドロキシル基を有す
るα−ピロン系天然色素、ヒドロキシル基を有するγ−
ピロン系天然色素、ヒドロキシル基を有するジアジン系
天然色素およびヒドロキシル基を有するキノン系天然色
素からなる群から選ばれる化合物の1.2−キノンジア
ジドスルホン酸エステルを少なくとも1種含み、該1.
2−キノンジアジドスルホン酸エステルが前記アルカリ
可溶性樹脂100重量部に対し5〜100重量部配合さ
れていることを特徴とするポジ型感光性樹脂組成物。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1828784A JPS60163043A (ja) | 1984-02-06 | 1984-02-06 | ポジ型感光性樹脂組成物 |
| EP85300184A EP0148787A3 (en) | 1984-01-10 | 1985-01-10 | Positive type photosensitive resin composition |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1828784A JPS60163043A (ja) | 1984-02-06 | 1984-02-06 | ポジ型感光性樹脂組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60163043A true JPS60163043A (ja) | 1985-08-24 |
| JPH0342656B2 JPH0342656B2 (ja) | 1991-06-27 |
Family
ID=11967407
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1828784A Granted JPS60163043A (ja) | 1984-01-10 | 1984-02-06 | ポジ型感光性樹脂組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60163043A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62150245A (ja) * | 1985-12-24 | 1987-07-04 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | 集積回路作製用ポジ型レジスト |
| JPS62191848A (ja) * | 1986-02-17 | 1987-08-22 | Nec Corp | ポジレジスト材料 |
| JPS62280843A (ja) * | 1986-05-30 | 1987-12-05 | Nec Corp | 感光剤 |
| JPH0422955A (ja) * | 1990-05-18 | 1992-01-27 | Fuji Photo Film Co Ltd | 新規キノンジアジド化合物及びそれを含有する感光性組成物 |
| EP0565006A2 (en) | 1992-04-06 | 1993-10-13 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Method for preparing PS plate |
| EP0684521A1 (en) | 1994-05-25 | 1995-11-29 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Positive working photosensitive compositions |
| EP0710886A1 (en) | 1994-10-31 | 1996-05-08 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Positive photoresist composition |
| JP2006350039A (ja) * | 2005-06-16 | 2006-12-28 | Fujitsu Ltd | レジスト組成物、レジストパターンの形成方法、半導体装置及びその製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3102809A (en) * | 1959-08-05 | 1963-09-03 | Azoplate Corp | Naphthoquinone-(1,2)-diozides and printing plates made therewith |
| JPS5254503A (en) * | 1975-10-25 | 1977-05-04 | Hoechst Ag | Photoosensitive copying material |
-
1984
- 1984-02-06 JP JP1828784A patent/JPS60163043A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3102809A (en) * | 1959-08-05 | 1963-09-03 | Azoplate Corp | Naphthoquinone-(1,2)-diozides and printing plates made therewith |
| JPS5254503A (en) * | 1975-10-25 | 1977-05-04 | Hoechst Ag | Photoosensitive copying material |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62150245A (ja) * | 1985-12-24 | 1987-07-04 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | 集積回路作製用ポジ型レジスト |
| JPS62191848A (ja) * | 1986-02-17 | 1987-08-22 | Nec Corp | ポジレジスト材料 |
| JPS62280843A (ja) * | 1986-05-30 | 1987-12-05 | Nec Corp | 感光剤 |
| JPH0422955A (ja) * | 1990-05-18 | 1992-01-27 | Fuji Photo Film Co Ltd | 新規キノンジアジド化合物及びそれを含有する感光性組成物 |
| EP0565006A2 (en) | 1992-04-06 | 1993-10-13 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Method for preparing PS plate |
| EP0684521A1 (en) | 1994-05-25 | 1995-11-29 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Positive working photosensitive compositions |
| EP0710886A1 (en) | 1994-10-31 | 1996-05-08 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Positive photoresist composition |
| JP2006350039A (ja) * | 2005-06-16 | 2006-12-28 | Fujitsu Ltd | レジスト組成物、レジストパターンの形成方法、半導体装置及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0342656B2 (ja) | 1991-06-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6514676B1 (en) | Method for forming micropattern of resist | |
| KR960015637B1 (ko) | 감광성 수지 조성물 | |
| JP2552891B2 (ja) | ポジ型フオトレジスト組成物 | |
| EP0395049A1 (en) | Positive-working photoresist composition | |
| JPS60189739A (ja) | ポジ型感光性樹脂組成物 | |
| JPS60121445A (ja) | 集積回路作製用ポジ型感光性樹脂組成物 | |
| US5346799A (en) | Novolak resins and their use in radiation-sensitive compositions wherein the novolak resins are made by condensing 2,6-dimethylphenol, 2,3-dimethylphenol, a para-substituted phenol and an aldehyde | |
| EP0459708A2 (en) | Image reversal negative working photoresist | |
| JPS60163043A (ja) | ポジ型感光性樹脂組成物 | |
| US5324620A (en) | Radiation-sensitive compositions containing novolak polymers made from four phenolic derivatives and an aldehyde | |
| EP0148787A2 (en) | Positive type photosensitive resin composition | |
| EP0490966B1 (en) | Radiation-sensitive compositions containing fully substituted novolak polymers | |
| KR0164962B1 (ko) | 포지티브형 포토레지스트 조성물 | |
| US5284737A (en) | Process of developing an image utilizing positive-working radiation sensitive mixtures containing alkali-soluble binder, o-quinonediazide photoactive compound and blankophor FBW actinic dye | |
| US5328806A (en) | Positive image formation utilizing radiation sensitive mixture containing dimeric or trimeric sesamol/aldehyde condensation products as sensitivity enhancers | |
| JPS61219951A (ja) | ポジ型感放射線性組成物 | |
| JPH02272457A (ja) | 感電離放射線性樹脂組成物 | |
| EP0445680A2 (en) | Positive type photoresist composition | |
| JPS62178562A (ja) | 1,2−キノンジアジド化合物の製造方法 | |
| JPS60146234A (ja) | ポジ型感光性樹脂組成物 | |
| JPH03253859A (ja) | 感電離放射線性樹脂組成物 | |
| JPH03215863A (ja) | ポジ型フオトレジスト組成物 | |
| JPH02306245A (ja) | ポジ型感光性樹脂組成物 | |
| JPH0519480A (ja) | ポジ型フオトレジスト組成物 | |
| JPH0336419B2 (ja) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |