JPH0850304A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
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- JPH0850304A JPH0850304A JP18500394A JP18500394A JPH0850304A JP H0850304 A JPH0850304 A JP H0850304A JP 18500394 A JP18500394 A JP 18500394A JP 18500394 A JP18500394 A JP 18500394A JP H0850304 A JPH0850304 A JP H0850304A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 絶縁耐圧を高めた陽極酸化膜を有する液晶表
示装置を提供する。 【構成】 アレイ基板１は、ガラス基板２上にアルミニ
ウムのゲート電極３を形成する。ゲート電極３上にこの
ゲート電極３をウエットプロセスにより陽極酸化した酸
化アルミニウム（Ａｌ2 Ｏ3 ）の酸化アルミニウムゲー
ト絶縁膜４を形成する。陽極酸化に際しては、化成液は
３ｗｔ％酒石酸水溶液と１５ｗｔ％酢酸とエチレングリ
コールとを９：１：１０で混合し、アンモニア水を添加
してｐＨ＝７に調整した溶液を用いる。化成液に酢酸を
添加することで、酸化アルミニウムゲート絶縁膜４の酸
化アルミニウム（Ａｌ2 Ｏ3 ）中に炭素を添加し、絶縁
耐圧が高くなる。シリコン酸化ゲート絶縁膜５を一面に
形成する。半導体層７、エッチングストッパ層８、コン
タクト層９，10、画素電極11、ソース電極12およびドレ
イン電極13を形成する。
示装置を提供する。 【構成】 アレイ基板１は、ガラス基板２上にアルミニ
ウムのゲート電極３を形成する。ゲート電極３上にこの
ゲート電極３をウエットプロセスにより陽極酸化した酸
化アルミニウム（Ａｌ2 Ｏ3 ）の酸化アルミニウムゲー
ト絶縁膜４を形成する。陽極酸化に際しては、化成液は
３ｗｔ％酒石酸水溶液と１５ｗｔ％酢酸とエチレングリ
コールとを９：１：１０で混合し、アンモニア水を添加
してｐＨ＝７に調整した溶液を用いる。化成液に酢酸を
添加することで、酸化アルミニウムゲート絶縁膜４の酸
化アルミニウム（Ａｌ2 Ｏ3 ）中に炭素を添加し、絶縁
耐圧が高くなる。シリコン酸化ゲート絶縁膜５を一面に
形成する。半導体層７、エッチングストッパ層８、コン
タクト層９，10、画素電極11、ソース電極12およびドレ
イン電極13を形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ゲート配線およびデー
タ配線が交差して設けられ、ゲート配線上を覆って設け
られたゲート絶縁膜の絶縁性を向上した液晶表示装置に
関する。
タ配線が交差して設けられ、ゲート配線上を覆って設け
られたゲート絶縁膜の絶縁性を向上した液晶表示装置に
関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のこの種の液晶表示装置としては、
たとえば図１に示す液晶表示装置用の薄膜トランジスタ
（ＴＦＴ）の構成が知られている。
たとえば図１に示す液晶表示装置用の薄膜トランジスタ
（ＴＦＴ）の構成が知られている。
【０００３】この図１に示すように、液晶表示装置に用
いるアレイ基板１は、ガラス基板２上に図示しないゲー
ト配線に接続されたアルミニウム（Ａｌ）のゲート電極
３が形成され、このゲート電極３上にこのゲート電極３
をウエットプロセスにより陽極酸化した酸化アルミニウ
ム（Ａｌ2 Ｏ3 ）の酸化アルミニウムゲート絶縁膜４が
形成され、さらに、この酸化アルミニウムゲート絶縁膜
４を含むガラス基板２上には、シリコン酸化膜（ＳｉＯ
2 ）のシリコン酸化ゲート絶縁膜５が一面に形成されて
いる。そして、これら酸化アルミニウムゲート絶縁膜４
およびシリコン酸化ゲート絶縁膜５にて多層積層構造の
ゲート絶縁膜６を形成している。なお、陽極酸化の際に
ウエットプロセスを用いることにより、ごみなどの異物
付着による短絡不良が生じにくい。また、酸化アルミニ
ウムゲート絶縁膜４は、酸化アルミニウム（Ａｌ
2 Ｏ3 ）により形成するため、シリコン酸化膜やシリコ
ン窒化膜を形成する際の熱工程でゲート電極３のヒロッ
ク発生が抑制される。
いるアレイ基板１は、ガラス基板２上に図示しないゲー
ト配線に接続されたアルミニウム（Ａｌ）のゲート電極
３が形成され、このゲート電極３上にこのゲート電極３
をウエットプロセスにより陽極酸化した酸化アルミニウ
ム（Ａｌ2 Ｏ3 ）の酸化アルミニウムゲート絶縁膜４が
形成され、さらに、この酸化アルミニウムゲート絶縁膜
４を含むガラス基板２上には、シリコン酸化膜（ＳｉＯ
2 ）のシリコン酸化ゲート絶縁膜５が一面に形成されて
いる。そして、これら酸化アルミニウムゲート絶縁膜４
およびシリコン酸化ゲート絶縁膜５にて多層積層構造の
ゲート絶縁膜６を形成している。なお、陽極酸化の際に
ウエットプロセスを用いることにより、ごみなどの異物
付着による短絡不良が生じにくい。また、酸化アルミニ
ウムゲート絶縁膜４は、酸化アルミニウム（Ａｌ
2 Ｏ3 ）により形成するため、シリコン酸化膜やシリコ
ン窒化膜を形成する際の熱工程でゲート電極３のヒロッ
ク発生が抑制される。
【０００４】また、ゲート電極３上方のシリコン酸化ゲ
ート絶縁膜４上にはアモルファスシリコン（ａ−ＳｉＯ
2 ）の半導体層７が形成され、この半導体層７の上部に
は窒化シリコン（ＳＩＮx ）のエッチングストッパ層８
が形成され、このエッチングストッパ層８の一方側には
ソース領域となるアモルファスシリコン（ｎ+ ａ−Ｓ
ｉ）のコンタクト層９が、他方側にはドレイン領域とな
るアモルファスシリコン（ｎ+ ａ−Ｓｉ）のコンタクト
層10がエッチングにより形成されている。
ート絶縁膜４上にはアモルファスシリコン（ａ−ＳｉＯ
2 ）の半導体層７が形成され、この半導体層７の上部に
は窒化シリコン（ＳＩＮx ）のエッチングストッパ層８
が形成され、このエッチングストッパ層８の一方側には
ソース領域となるアモルファスシリコン（ｎ+ ａ−Ｓ
ｉ）のコンタクト層９が、他方側にはドレイン領域とな
るアモルファスシリコン（ｎ+ ａ−Ｓｉ）のコンタクト
層10がエッチングにより形成されている。
【０００５】さらに、シリコン酸化ゲート絶縁膜５上に
は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）からなる画素電極11が
形成されている。
は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）からなる画素電極11が
形成されている。
【０００６】そして、コンタクト層９上にはゲート配線
に交差して形成された図示しないデータ配線に接続され
モリブデン、アルミニウムおよびモリブデン（Ｍｏ、Ａ
ｌ、Ｍｏ）の多層構造のソース電極12が形成され、コン
タクト層10上には画素電極11に接続され同様にモリブデ
ン、アルミニウムおよびモリブデン（Ｍｏ、Ａｌ、Ｍ
ｏ）の多層構造のドレイン電極13が形成され、これらに
てスイッチング素子となる薄膜トランジスタ14が構成さ
れる。
に交差して形成された図示しないデータ配線に接続され
モリブデン、アルミニウムおよびモリブデン（Ｍｏ、Ａ
ｌ、Ｍｏ）の多層構造のソース電極12が形成され、コン
タクト層10上には画素電極11に接続され同様にモリブデ
ン、アルミニウムおよびモリブデン（Ｍｏ、Ａｌ、Ｍ
ｏ）の多層構造のドレイン電極13が形成され、これらに
てスイッチング素子となる薄膜トランジスタ14が構成さ
れる。
【０００７】さらに、全面にわたって保護膜15が形成さ
れている。
れている。
【０００８】ここで、ゲート電極３のウエットプロセス
による陽極酸化としては、３．６８％酒石酸アンモニウ
ム水溶液をエチレングリコールで希釈した溶液を化成液
とし、化成液温度は室温で、化成電圧は１５０Ｖで行な
い、陽極酸化後に２５０℃で２時間の熱処理を行なっ
た。そして、このように形成した酸化アルミニウムゲー
ト絶縁膜４の耐圧は膜厚２００ｎｍで１１０Ｖ（５．５
ＭＶ／ｃｍ）となる。なお、エチレングリコールを使用
するのは膜表面の凹凸をなくすためである。
による陽極酸化としては、３．６８％酒石酸アンモニウ
ム水溶液をエチレングリコールで希釈した溶液を化成液
とし、化成液温度は室温で、化成電圧は１５０Ｖで行な
い、陽極酸化後に２５０℃で２時間の熱処理を行なっ
た。そして、このように形成した酸化アルミニウムゲー
ト絶縁膜４の耐圧は膜厚２００ｎｍで１１０Ｖ（５．５
ＭＶ／ｃｍ）となる。なお、エチレングリコールを使用
するのは膜表面の凹凸をなくすためである。
【０００９】また、たとえば特開平３−２３２２７４号
公報に記載された陽極酸化では、金属をアルミニウム
（Ａｌ）もしくはアルミニウムを主成分とした金属、た
とえばＡｌ−Ｓｉ、Ａｌ−Ｐｄを用いている。そして、
陽極酸化の化成液には、３％酒石酸溶液をエチレングリ
コールで希釈し、アンモニウム水を添加してｐＨ７．０
±０．５に調整した溶液を用いている。また、化成電圧
は、アルミニウムが放電して消失するため、１５０Ｖ以
下が望ましいとし、酸化アルミニウム（Ａｌ2 Ｏ3 ）の
絶縁特性を良くするために、陽極酸化終了後に２００℃
／４００℃の熱処理をしている。そして、この場合のＡ
ｌ2 Ｏ3 膜の耐圧は膜厚５００オングストロームで２５
Ｖ（５ＭＶ／ｃｍ）となる。
公報に記載された陽極酸化では、金属をアルミニウム
（Ａｌ）もしくはアルミニウムを主成分とした金属、た
とえばＡｌ−Ｓｉ、Ａｌ−Ｐｄを用いている。そして、
陽極酸化の化成液には、３％酒石酸溶液をエチレングリ
コールで希釈し、アンモニウム水を添加してｐＨ７．０
±０．５に調整した溶液を用いている。また、化成電圧
は、アルミニウムが放電して消失するため、１５０Ｖ以
下が望ましいとし、酸化アルミニウム（Ａｌ2 Ｏ3 ）の
絶縁特性を良くするために、陽極酸化終了後に２００℃
／４００℃の熱処理をしている。そして、この場合のＡ
ｌ2 Ｏ3 膜の耐圧は膜厚５００オングストロームで２５
Ｖ（５ＭＶ／ｃｍ）となる。
【００１０】このようにして、図１に示すアレイ基板１
を形成し、このアレイ基板１を図示しない対向基板と対
向させ、これらアレイ基板１および対向基板間に液晶を
注入することで液晶表示装置が完成する。
を形成し、このアレイ基板１を図示しない対向基板と対
向させ、これらアレイ基板１および対向基板間に液晶を
注入することで液晶表示装置が完成する。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来技術にて形成した酸化アルミニウムゲート絶縁膜４
は、高い方でも耐圧が５．５ＭＶ／ｃｍで低いという問
題を有している。
来技術にて形成した酸化アルミニウムゲート絶縁膜４
は、高い方でも耐圧が５．５ＭＶ／ｃｍで低いという問
題を有している。
【００１２】本発明は、上記問題点に鑑みなされたもの
で、絶縁耐圧を高めた陽極酸化膜を有する液晶表示装置
を提供することを目的とする。
で、絶縁耐圧を高めた陽極酸化膜を有する液晶表示装置
を提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の液晶表示
装置は、基板上に形成されたゲート配線と、このゲート
配線を覆って形成されるゲート絶縁膜と、前記基板上に
このゲート配線と交差して配置されたデータ配線と、前
記ゲート配線および前記データ配線の交点近傍に設けら
れたスイッチング素子とを有するアレイ基板を備えた液
晶表示装置において、前記ゲート配線は、アルミニウム
からなり、前記ゲート絶縁膜は、アルミニウムの陽極酸
化膜およびシリコン酸化膜を含む多層積層構造であり、
前記陽極酸化膜は、炭素を含み、炭素含有量が１〜３原
子％であるものである。
装置は、基板上に形成されたゲート配線と、このゲート
配線を覆って形成されるゲート絶縁膜と、前記基板上に
このゲート配線と交差して配置されたデータ配線と、前
記ゲート配線および前記データ配線の交点近傍に設けら
れたスイッチング素子とを有するアレイ基板を備えた液
晶表示装置において、前記ゲート配線は、アルミニウム
からなり、前記ゲート絶縁膜は、アルミニウムの陽極酸
化膜およびシリコン酸化膜を含む多層積層構造であり、
前記陽極酸化膜は、炭素を含み、炭素含有量が１〜３原
子％であるものである。
【００１４】請求項２記載の液晶表示装置は、請求項１
記載の液晶表示装置において、陽極酸化膜は、カルボン
酸を含む化成液で形成されたものである。
記載の液晶表示装置において、陽極酸化膜は、カルボン
酸を含む化成液で形成されたものである。
【００１５】請求項３記載の液晶表示装置は、請求項２
記載の液晶表示装置において、カルボン酸は、低分子量
であるものである。
記載の液晶表示装置において、カルボン酸は、低分子量
であるものである。
【００１６】
【作用】請求項１記載の液晶表示装置は、陽極酸化膜
は、酸化アルミニウム中の炭素含有量が１〜３原子％で
あるため、絶縁耐圧が向上する。
は、酸化アルミニウム中の炭素含有量が１〜３原子％で
あるため、絶縁耐圧が向上する。
【００１７】請求項２記載の液晶表示装置は、請求項１
記載の液晶表示装置において、陽極酸化膜は、カルボン
酸を含む化成液で形成されたため、容易に形成できる。
記載の液晶表示装置において、陽極酸化膜は、カルボン
酸を含む化成液で形成されたため、容易に形成できる。
【００１８】請求項３記載の液晶表示装置は、請求項２
記載の液晶表示装置において、カルボン酸は、低分子量
であるため、安価に絶縁耐圧を向上できる。
記載の液晶表示装置において、カルボン酸は、低分子量
であるため、安価に絶縁耐圧を向上できる。
【００１９】
【実施例】以下、本発明の液晶表示装置の一実施例を従
来例に用いた図１を参照して説明する。
来例に用いた図１を参照して説明する。
【００２０】図１に示すように、液晶表示装置に用いる
アレイ基板１は、ガラス基板２上に図示しないゲート配
線に接続されたアルミニウム（Ａｌ）のゲート電極３が
形成されるとともに、図示しない補助容量配線が形成さ
れ、このゲート電極３上にこのゲート電極３をウエット
プロセスにより陽極酸化した陽極酸化膜としての酸化ア
ルミニウム（Ａｌ2 Ｏ3 ）の酸化アルミニウムゲート絶
縁膜４が形成され、さらに、この酸化アルミニウムゲー
ト絶縁膜４を含むガラス基板２上には、シリコン酸化膜
（ＳｉＯ2 ）のシリコン酸化ゲート絶縁膜５が一面に形
成されている。そして、これら酸化アルミニウムゲート
絶縁膜４およびシリコン酸化ゲート絶縁膜５にて多層積
層構造のゲート絶縁膜６を形成している。
アレイ基板１は、ガラス基板２上に図示しないゲート配
線に接続されたアルミニウム（Ａｌ）のゲート電極３が
形成されるとともに、図示しない補助容量配線が形成さ
れ、このゲート電極３上にこのゲート電極３をウエット
プロセスにより陽極酸化した陽極酸化膜としての酸化ア
ルミニウム（Ａｌ2 Ｏ3 ）の酸化アルミニウムゲート絶
縁膜４が形成され、さらに、この酸化アルミニウムゲー
ト絶縁膜４を含むガラス基板２上には、シリコン酸化膜
（ＳｉＯ2 ）のシリコン酸化ゲート絶縁膜５が一面に形
成されている。そして、これら酸化アルミニウムゲート
絶縁膜４およびシリコン酸化ゲート絶縁膜５にて多層積
層構造のゲート絶縁膜６を形成している。
【００２１】また、ゲート電極３上方のシリコン酸化ゲ
ート絶縁膜５上にはアモルファスシリコン（ａ−ＳｉＯ
2 ）の半導体層７が形成され、この半導体層７の上部に
は窒化シリコン（ＳＩＮx ）のエッチングストッパ層８
が形成され、このエッチングストッパ層８の一方側には
ソース領域となるアモルファスシリコン（ｎ+ ａ−Ｓ
ｉ）のコンタクト層９が、他方側にはドレイン領域とな
るアモルファスシリコン（ｎ+ ａ−Ｓｉ）のコンタクト
層10がエッチングにより形成されている。
ート絶縁膜５上にはアモルファスシリコン（ａ−ＳｉＯ
2 ）の半導体層７が形成され、この半導体層７の上部に
は窒化シリコン（ＳＩＮx ）のエッチングストッパ層８
が形成され、このエッチングストッパ層８の一方側には
ソース領域となるアモルファスシリコン（ｎ+ ａ−Ｓ
ｉ）のコンタクト層９が、他方側にはドレイン領域とな
るアモルファスシリコン（ｎ+ ａ−Ｓｉ）のコンタクト
層10がエッチングにより形成されている。
【００２２】さらに、シリコン酸化ゲート絶縁膜５上に
は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）からなる画素電極11が
形成されている。
は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）からなる画素電極11が
形成されている。
【００２３】そして、コンタクト層９上にはゲート配線
に交差して形成された図示しないデータ配線に接続され
モリブデン、アルミニウムおよびモリブデン（Ｍｏ、Ａ
ｌ、Ｍｏ）の多層構造のソース電極12が形成され、コン
タクト層10上には画素電極11に接続され同様にモリブデ
ン、アルミニウムおよびモリブデン（Ｍｏ、Ａｌ、Ｍ
ｏ）の多層構造のドレイン電極13が形成され、これらに
てスイッチング素子となる薄膜トランジスタ14が構成さ
れる。
に交差して形成された図示しないデータ配線に接続され
モリブデン、アルミニウムおよびモリブデン（Ｍｏ、Ａ
ｌ、Ｍｏ）の多層構造のソース電極12が形成され、コン
タクト層10上には画素電極11に接続され同様にモリブデ
ン、アルミニウムおよびモリブデン（Ｍｏ、Ａｌ、Ｍ
ｏ）の多層構造のドレイン電極13が形成され、これらに
てスイッチング素子となる薄膜トランジスタ14が構成さ
れる。
【００２４】さらに、全面にわたって保護膜15が形成さ
れている。
れている。
【００２５】次に、上記実施例のアレイ基板１の製造に
ついて説明する。
ついて説明する。
【００２６】まず、ガラス基板２に、スパッタ法により
アルミニウム膜を３５０ｎｍの膜厚に堆積させ、フォト
リソグラフィにより、ゲート電極３、図示しないゲート
配線および補助容量配線のパターンを形成する。
アルミニウム膜を３５０ｎｍの膜厚に堆積させ、フォト
リソグラフィにより、ゲート電極３、図示しないゲート
配線および補助容量配線のパターンを形成する。
【００２７】次に、このゲート電極３のアルミニウム
（Ａｌ）の陽極酸化を行なう。この陽極酸化に際して
は、化成液は３ｗｔ％酒石酸水溶液と１５ｗｔ％酢酸と
エチレングリコールとを９：１：１０で混合し、アンモ
ニア水を添加してｐＨ＝７に調整した溶液を用いる。ま
た、化成液に酢酸を添加することで、酸化アルミニウム
ゲート絶縁膜４の酸化アルミニウム（Ａｌ2 Ｏ3 ）中に
炭素が添加され、絶縁耐圧が高くなり、上記方法によっ
た場合には８．５ＭＶ／ｃｍになる。
（Ａｌ）の陽極酸化を行なう。この陽極酸化に際して
は、化成液は３ｗｔ％酒石酸水溶液と１５ｗｔ％酢酸と
エチレングリコールとを９：１：１０で混合し、アンモ
ニア水を添加してｐＨ＝７に調整した溶液を用いる。ま
た、化成液に酢酸を添加することで、酸化アルミニウム
ゲート絶縁膜４の酸化アルミニウム（Ａｌ2 Ｏ3 ）中に
炭素が添加され、絶縁耐圧が高くなり、上記方法によっ
た場合には８．５ＭＶ／ｃｍになる。
【００２８】そして、酸化アルミニウムゲート絶縁膜４
の酸化アルミニウムの絶縁耐圧と炭素含有量の関係は、
実験によれば、図２に示すように、炭素含有量が１原子
％以下および３原子％以上の場合に耐圧が約５ＭＶ／ｃ
ｍ、１〜３原子％の場合に約８ＭＶ／ｃｍとなるので、
炭素含有量は１〜３原子％が望ましい。
の酸化アルミニウムの絶縁耐圧と炭素含有量の関係は、
実験によれば、図２に示すように、炭素含有量が１原子
％以下および３原子％以上の場合に耐圧が約５ＭＶ／ｃ
ｍ、１〜３原子％の場合に約８ＭＶ／ｃｍとなるので、
炭素含有量は１〜３原子％が望ましい。
【００２９】また、酸化アルミニウムゲート絶縁膜４の
酸化アルミニウムの炭素含有量は酒石酸と酢酸の濃度を
上げることで増やすことができる。なお、化成液に添加
するものは、酢酸に限らず、ギ酸やカルボン酸のような
低分子量のカルボン酸も用いることができる。
酸化アルミニウムの炭素含有量は酒石酸と酢酸の濃度を
上げることで増やすことができる。なお、化成液に添加
するものは、酢酸に限らず、ギ酸やカルボン酸のような
低分子量のカルボン酸も用いることができる。
【００３０】そして、化成液を冷却し、化成電圧を１４
０Ｖにすることでゲート電極３の表面約１００ｎｍが陽
極酸化され、酸化アルミニウム（Ａｌ2 Ｏ3 ）の酸化ア
ルミニウムゲート絶縁膜４が２００ｎｍの厚さで形成さ
れる。
０Ｖにすることでゲート電極３の表面約１００ｎｍが陽
極酸化され、酸化アルミニウム（Ａｌ2 Ｏ3 ）の酸化ア
ルミニウムゲート絶縁膜４が２００ｎｍの厚さで形成さ
れる。
【００３１】なお、陽極酸化の際にウエットプロセスを
用いることにより、ごみなどの異物付着による短絡不良
が生じにくい。また、酸化アルミニウムゲート絶縁膜４
は、酸化アルミニウム（Ａｌ2 Ｏ3 ）により形成するた
め、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜を形成する際の熱
工程でゲート電極３のヒロック発生が抑制される。次
に、酸化アルミニウムゲート絶縁膜４を含むガラス基板
２上に、ＣＶＤ法により酸化シリコン（ＳｉＯx ）膜、
アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）膜、窒化シリコン
（ＳｉＮx ）膜を積層して堆積させる。
用いることにより、ごみなどの異物付着による短絡不良
が生じにくい。また、酸化アルミニウムゲート絶縁膜４
は、酸化アルミニウム（Ａｌ2 Ｏ3 ）により形成するた
め、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜を形成する際の熱
工程でゲート電極３のヒロック発生が抑制される。次
に、酸化アルミニウムゲート絶縁膜４を含むガラス基板
２上に、ＣＶＤ法により酸化シリコン（ＳｉＯx ）膜、
アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）膜、窒化シリコン
（ＳｉＮx ）膜を積層して堆積させる。
【００３２】そして、窒化シリコン膜をパターニングし
てエッチングストッパ層８を形成し、エッチングストッ
パ層８のパターン形成後に、ＣＶＤ法によりアモルファ
スシリコン（ｎ+ ａ−Ｓｉ）膜を堆積し、半導体層７お
よびコンタクト層９，10をパターニングする。
てエッチングストッパ層８を形成し、エッチングストッ
パ層８のパターン形成後に、ＣＶＤ法によりアモルファ
スシリコン（ｎ+ ａ−Ｓｉ）膜を堆積し、半導体層７お
よびコンタクト層９，10をパターニングする。
【００３３】次に、透明電極としてＩＴＯ膜をスパッタ
法により堆積して画素電極11をパターン形成し、図示し
ないゲート配線のパッド部分の酸化アルミニウム（Ａｌ
2 Ｏ3 ）および酸化シリコン（ＳｉＯx ）を除去する。
法により堆積して画素電極11をパターン形成し、図示し
ないゲート配線のパッド部分の酸化アルミニウム（Ａｌ
2 Ｏ3 ）および酸化シリコン（ＳｉＯx ）を除去する。
【００３４】さらに、スパッタ法により、モリブデン
（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）およびモリブデン（Ｍ
ｏ）の３層を順次堆積させ、パターニングして図示しな
いデータ配線、ソース電極12およびドレイン電極13を形
成する。
（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）およびモリブデン（Ｍ
ｏ）の３層を順次堆積させ、パターニングして図示しな
いデータ配線、ソース電極12およびドレイン電極13を形
成する。
【００３５】その後、図示しないバックチャネル上のア
モルファスシリコン（ｎ+ ａ−Ｓｉ）膜を除去した後、
ＣＶＤ法により酸化シリコン（ＳｉＮx ）膜を堆積し保
護膜15を形成して、液晶表示用のアレイ基板１が完成す
る。
モルファスシリコン（ｎ+ ａ−Ｓｉ）膜を除去した後、
ＣＶＤ法により酸化シリコン（ＳｉＮx ）膜を堆積し保
護膜15を形成して、液晶表示用のアレイ基板１が完成す
る。
【００３６】そうして、このアレイ基板１を図示しない
対向基板と対向させ、これらアレイ基板１および対向基
板間に液晶を注入することで液晶表示装置が完成する。
対向基板と対向させ、これらアレイ基板１および対向基
板間に液晶を注入することで液晶表示装置が完成する。
【００３７】
【発明の効果】請求項１記載の液晶表示装置によれば、
陽極酸化膜は、酸化アルミニウム中の炭素含有量が１〜
３原子％であるため、絶縁耐圧を向上できるので、信頼
性を向上できる。
陽極酸化膜は、酸化アルミニウム中の炭素含有量が１〜
３原子％であるため、絶縁耐圧を向上できるので、信頼
性を向上できる。
【００３８】請求項２記載の液晶表示装置によれば、請
求項１記載の液晶表示装置に加え、陽極酸化膜は、カル
ボン酸を含む化成液で形成されたため、容易に形成でき
る。
求項１記載の液晶表示装置に加え、陽極酸化膜は、カル
ボン酸を含む化成液で形成されたため、容易に形成でき
る。
【００３９】請求項３記載の液晶表示装置によれば、請
求項２記載の液晶表示装置に加え、カルボン酸は、低分
子量であるため、安価に絶縁耐圧を向上できる。
求項２記載の液晶表示装置に加え、カルボン酸は、低分
子量であるため、安価に絶縁耐圧を向上できる。
【図１】本発明の液晶表示装置の一実施例のアレイ基板
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図２】酸化アルミニウム（Ａｌ2 Ｏ3 ）中の炭素含有
量と絶縁耐圧との関係を示すグラフである。
量と絶縁耐圧との関係を示すグラフである。
１ アレイ基板 ２ ガラス基板 ４ 陽極酸化膜としての酸化アルミニウムゲート絶縁
膜 ６ ゲート絶縁膜 14 スイッチング素子としての薄膜トランジスタ
膜 ６ ゲート絶縁膜 14 スイッチング素子としての薄膜トランジスタ
Claims (3)
- 【請求項１】 基板上に形成されたゲート配線と、この
ゲート配線を覆って形成されるゲート絶縁膜と、前記基
板上にこのゲート配線と交差して配置されたデータ配線
と、前記ゲート配線および前記データ配線の交点近傍に
設けられたスイッチング素子とを有するアレイ基板を備
えた液晶表示装置において、 前記ゲート配線は、アルミニウムからなり、 前記ゲート絶縁膜は、アルミニウムの陽極酸化膜および
シリコン酸化膜を含む多層積層構造であり、 前記陽極酸化膜は、炭素を含み、炭素含有量が１〜３原
子％であることを特徴とした液晶表示装置。 - 【請求項２】 陽極酸化膜は、カルボン酸を含む化成液
で形成されたことを特徴とした請求項１記載の液晶表示
装置。 - 【請求項３】 カルボン酸は、低分子量であることを特
徴とする請求項２記載の液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18500394A JPH0850304A (ja) | 1994-08-05 | 1994-08-05 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18500394A JPH0850304A (ja) | 1994-08-05 | 1994-08-05 | 液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0850304A true JPH0850304A (ja) | 1996-02-20 |
Family
ID=16163081
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18500394A Pending JPH0850304A (ja) | 1994-08-05 | 1994-08-05 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0850304A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10293321A (ja) * | 1997-04-17 | 1998-11-04 | Mitsubishi Electric Corp | 液晶表示装置およびその製造方法 |
| US7476937B2 (en) * | 1999-08-18 | 2009-01-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of fabricating the same |
-
1994
- 1994-08-05 JP JP18500394A patent/JPH0850304A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10293321A (ja) * | 1997-04-17 | 1998-11-04 | Mitsubishi Electric Corp | 液晶表示装置およびその製造方法 |
| US7476937B2 (en) * | 1999-08-18 | 2009-01-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of fabricating the same |
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