JPH0868917A - 光導波路と光ファイバーとの接合方法及び光導波路型デバイス - Google Patents
光導波路と光ファイバーとの接合方法及び光導波路型デバイスInfo
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- JPH0868917A JPH0868917A JP6206631A JP20663194A JPH0868917A JP H0868917 A JPH0868917 A JP H0868917A JP 6206631 A JP6206631 A JP 6206631A JP 20663194 A JP20663194 A JP 20663194A JP H0868917 A JPH0868917 A JP H0868917A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】接着剤の広がりを抑制し、充分な接着強度を確
保することを目的とする。 【構成】基板１１上に形成された光導波路２１と光ファ
イバ１３とを接合するための方法であって、基板１１
に、光導波路２１の軸線上にあって且つ光ファイバ１３
の先端部端面ＦＴＦとその周囲の接着代とに対応する面
積を含んで基板１１から軸方向に突出した端面２４を形
成し、光ファイバ１３の先端部に接着剤ＡＤを塗布し、
光ファイバ１３の先端部端面ＦＴＦを基板１１の端面２
４に対向させ、接着剤ＡＤを硬化させて前記端面同士を
接合する。
保することを目的とする。 【構成】基板１１上に形成された光導波路２１と光ファ
イバ１３とを接合するための方法であって、基板１１
に、光導波路２１の軸線上にあって且つ光ファイバ１３
の先端部端面ＦＴＦとその周囲の接着代とに対応する面
積を含んで基板１１から軸方向に突出した端面２４を形
成し、光ファイバ１３の先端部に接着剤ＡＤを塗布し、
光ファイバ１３の先端部端面ＦＴＦを基板１１の端面２
４に対向させ、接着剤ＡＤを硬化させて前記端面同士を
接合する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光通信に使用される光
変調器又は光スイッチなどの光導波路型デバイスの光導
波路と光ファイバとの接合方法、及び光導波路型デバイ
スに関する。
変調器又は光スイッチなどの光導波路型デバイスの光導
波路と光ファイバとの接合方法、及び光導波路型デバイ
スに関する。
【０００２】光通信技術の発達にともなって、光制御デ
バイスの一層の高性能化が要求されている。中でも光導
波路型デバイスは、小型、高速、高効率、高信頼性など
の特徴から、バルク型デバイスに代わる光制御デバイス
として広く用いられており、さらに一層の性能の向上が
期待されている。
バイスの一層の高性能化が要求されている。中でも光導
波路型デバイスは、小型、高速、高効率、高信頼性など
の特徴から、バルク型デバイスに代わる光制御デバイス
として広く用いられており、さらに一層の性能の向上が
期待されている。
【０００３】
【従来の技術】図８は従来の光導波路型デバイス８０の
例を示す図である。図８（ａ）において、光導波路型デ
バイス８０は、ニオブ酸リチウムなどからなる基板８１
にチタンを拡散させることによって光導波路８２を形成
し、光ファイバ８３の端面を接着剤ＡＤを用いて接合す
ることによって構成されている。
例を示す図である。図８（ａ）において、光導波路型デ
バイス８０は、ニオブ酸リチウムなどからなる基板８１
にチタンを拡散させることによって光導波路８２を形成
し、光ファイバ８３の端面を接着剤ＡＤを用いて接合す
ることによって構成されている。
【０００４】また、基板８１と光ファイバ８３との接合
をより精密に且つ強固にするために、光ファイバ８３を
基板８１に設けた溝に嵌め込んだり、光ファイバ８３と
基板８１とを融着することが行われている（特開昭６２
−２９４２０８号、特開平３−２３３４１２号）。
をより精密に且つ強固にするために、光ファイバ８３を
基板８１に設けた溝に嵌め込んだり、光ファイバ８３と
基板８１とを融着することが行われている（特開昭６２
−２９４２０８号、特開平３−２３３４１２号）。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の光導波
路型デバイス８０では、基板８１と光ファイバ８３との
接合部において、基板８１の端面の面積が広いため、図
８（ｂ）に示すように接着剤ＡＤが基板８１の端面に沿
って広がってしまうという欠点があった。
路型デバイス８０では、基板８１と光ファイバ８３との
接合部において、基板８１の端面の面積が広いため、図
８（ｂ）に示すように接着剤ＡＤが基板８１の端面に沿
って広がってしまうという欠点があった。
【０００６】そのため、基板８１と光ファイバ８３との
間の固定に寄与する接着剤ＡＤが少なくなり、接着の強
度が低下したりばらついたりするという問題があった。
そのため、温度変化による特性の変化が生じることがあ
り、良好な温度特性が得られないという問題もあった。
間の固定に寄与する接着剤ＡＤが少なくなり、接着の強
度が低下したりばらついたりするという問題があった。
そのため、温度変化による特性の変化が生じることがあ
り、良好な温度特性が得られないという問題もあった。
【０００７】本発明は、上述の問題に鑑みてなされたも
ので、接着剤の広がりを抑制し、充分な接着強度を確保
することを目的とする。
ので、接着剤の広がりを抑制し、充分な接着強度を確保
することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明に係る方
法は、上述の課題を解決するため、基板上に形成された
光導波路と光ファイバとを接合するための方法であっ
て、前記基板に、前記光導波路の軸線上にあって且つ前
記光ファイバの先端部端面とその周囲の接着代とに対応
する面積を含んで前記基板から軸方向に突出した端面を
形成し、前記光ファイバの先端部に接着剤を塗布し、前
記光ファイバの先端部端面を前記基板の端面に対向さ
せ、前記接着剤を硬化させて前記端面同士を接合する方
法である。
法は、上述の課題を解決するため、基板上に形成された
光導波路と光ファイバとを接合するための方法であっ
て、前記基板に、前記光導波路の軸線上にあって且つ前
記光ファイバの先端部端面とその周囲の接着代とに対応
する面積を含んで前記基板から軸方向に突出した端面を
形成し、前記光ファイバの先端部に接着剤を塗布し、前
記光ファイバの先端部端面を前記基板の端面に対向さ
せ、前記接着剤を硬化させて前記端面同士を接合する方
法である。
【０００９】請求項２の発明に係る方法は、前記基板の
前記光導波路の軸線上に、前記光ファイバの直径方向の
全部又は一部が嵌まり込む案内溝を形成し、前記基板上
における前記案内溝の終端部分に、前記案内溝と垂直な
方向の切り込み部を形成し、前記切り込み部における前
記案内溝に対向する位置に、前記光導波路の軸線上にあ
って且つ前記光ファイバの先端部端面とその周囲の接着
代とに対応する面積を含んで前記切り込み部に軸方向に
突出した端面を形成し、前記光ファイバを前記案内溝内
に嵌め込み、前記光ファイバの先端部端面を前記基板の
端面に対向させた状態で、前記光ファイバの先端部に塗
布された接着剤を硬化させて前記端面同士を接合する方
法である。
前記光導波路の軸線上に、前記光ファイバの直径方向の
全部又は一部が嵌まり込む案内溝を形成し、前記基板上
における前記案内溝の終端部分に、前記案内溝と垂直な
方向の切り込み部を形成し、前記切り込み部における前
記案内溝に対向する位置に、前記光導波路の軸線上にあ
って且つ前記光ファイバの先端部端面とその周囲の接着
代とに対応する面積を含んで前記切り込み部に軸方向に
突出した端面を形成し、前記光ファイバを前記案内溝内
に嵌め込み、前記光ファイバの先端部端面を前記基板の
端面に対向させた状態で、前記光ファイバの先端部に塗
布された接着剤を硬化させて前記端面同士を接合する方
法である。
【００１０】請求項３の発明に係る方法は、前記光ファ
イバを、前記案内溝の近辺においてはんだ付けによって
前記基板に固定する方法である。請求項４の発明に係る
光導波路型デバイスは、基板上に形成された光導波路と
光ファイバとを接合してなる光導波路型デバイスであっ
て、前記基板の前記光導波路の軸線上に、前記光ファイ
バの直径方向の全部又は一部が嵌まり込む案内溝が形成
され、前記基板上における前記案内溝案内溝の終端部分
に、前記案内溝と垂直な方向の切り込み部が形成され、
前記切り込み部における前記案内溝に対向する位置に、
前記光導波路の軸線上にあって且つ前記光ファイバの先
端部端面とその周囲の接着代とに対応する面積を含んで
前記切り込み部に軸方向に突出した端面が形成され、前
記光ファイバが前記案内溝内に嵌め込まれ、前記光ファ
イバの先端部端面を前記基板の端面に対向させた状態
で、前記光ファイバの先端部に塗布された接着剤が硬化
して前記端面同士が接合されて構成される。
イバを、前記案内溝の近辺においてはんだ付けによって
前記基板に固定する方法である。請求項４の発明に係る
光導波路型デバイスは、基板上に形成された光導波路と
光ファイバとを接合してなる光導波路型デバイスであっ
て、前記基板の前記光導波路の軸線上に、前記光ファイ
バの直径方向の全部又は一部が嵌まり込む案内溝が形成
され、前記基板上における前記案内溝案内溝の終端部分
に、前記案内溝と垂直な方向の切り込み部が形成され、
前記切り込み部における前記案内溝に対向する位置に、
前記光導波路の軸線上にあって且つ前記光ファイバの先
端部端面とその周囲の接着代とに対応する面積を含んで
前記切り込み部に軸方向に突出した端面が形成され、前
記光ファイバが前記案内溝内に嵌め込まれ、前記光ファ
イバの先端部端面を前記基板の端面に対向させた状態
で、前記光ファイバの先端部に塗布された接着剤が硬化
して前記端面同士が接合されて構成される。
【００１１】請求項５の発明に係る光導波路型デバイス
は、前記光ファイバの先端部端面の外周縁から前記基板
の端面の縁部までの距離のうち、前記切り込み部の底部
との境界縁部までの距離が他の部分の距離よりも長く設
定されており、前記接着剤が前記底部に付着することな
く硬化して構成される。
は、前記光ファイバの先端部端面の外周縁から前記基板
の端面の縁部までの距離のうち、前記切り込み部の底部
との境界縁部までの距離が他の部分の距離よりも長く設
定されており、前記接着剤が前記底部に付着することな
く硬化して構成される。
【００１２】
【作用】図１乃至図４を参照して、光ファイバ１３の先
端部端面ＦＴＦは、接着剤ＡＤによって基板１１の端面
２４に固定される。このとき、接着剤ＡＤは、切り込み
部２３から突出した端面２４を越えて広がらないので、
光ファイバ１３の周囲に均一に付着し、且つ光ファイバ
１３の軸方向にも充分に付着する。
端部端面ＦＴＦは、接着剤ＡＤによって基板１１の端面
２４に固定される。このとき、接着剤ＡＤは、切り込み
部２３から突出した端面２４を越えて広がらないので、
光ファイバ１３の周囲に均一に付着し、且つ光ファイバ
１３の軸方向にも充分に付着する。
【００１３】光ファイバ１３の先端部端面ＦＴＦの外周
縁から切り込み部２３の底部との境界縁部までの距離Ｌ
３が他の部分の距離Ｌ１，Ｌ２よりも長いので、接着剤
ＡＤが底部に溜まってしまうといたことが防止される、
これによっても接着剤ＡＤの付着の均一化が図られる。
縁から切り込み部２３の底部との境界縁部までの距離Ｌ
３が他の部分の距離Ｌ１，Ｌ２よりも長いので、接着剤
ＡＤが底部に溜まってしまうといたことが防止される、
これによっても接着剤ＡＤの付着の均一化が図られる。
【００１４】
【実施例】図１は本発明に係る光導波路型デバイス１の
斜視図、図２は光導波路型デバイス１の平面図、図３は
図２の光導波路型デバイス１の III−III 線矢視断面
図、図４は光導波路型デバイス１の側面図である。
斜視図、図２は光導波路型デバイス１の平面図、図３は
図２の光導波路型デバイス１の III−III 線矢視断面
図、図４は光導波路型デバイス１の側面図である。
【００１５】これらの図において、光導波路型デバイス
１は、基板１１、ブロック１２、光ファイバ１３などか
ら構成されている。光ファイバ１３は、例えば、コアの
直径が１０μｍ、クラッドの直径が１２５μｍであり、
その外表面に金属（例えばＮｉ／Ａｕ）を２．５μｍの
厚さで蒸着して直径が１３０μｍの芯線とし、その芯線
に被覆を施して直径約０．９ｍｍとしたものである。光
ファイバ１３は、基板１１と接合するために、先端部分
の被覆を取り去り、芯線の先端部を軸方向と垂直に切断
し、先端部に円形の端面ＦＴＦを形成している。
１は、基板１１、ブロック１２、光ファイバ１３などか
ら構成されている。光ファイバ１３は、例えば、コアの
直径が１０μｍ、クラッドの直径が１２５μｍであり、
その外表面に金属（例えばＮｉ／Ａｕ）を２．５μｍの
厚さで蒸着して直径が１３０μｍの芯線とし、その芯線
に被覆を施して直径約０．９ｍｍとしたものである。光
ファイバ１３は、基板１１と接合するために、先端部分
の被覆を取り去り、芯線の先端部を軸方向と垂直に切断
し、先端部に円形の端面ＦＴＦを形成している。
【００１６】基板１１は、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂ
Ｏ3 ）の結晶からなり、その表面のＺ方向に光導波路２
１が形成されている。光導波路２１は、例えば、基板１
１上に厚さ１０００Åのチタン（Ｔｉ）を約７μｍの幅
で蒸着パターン化した後、湿った酸素雰囲気中において
温度１０５０℃で１０時間拡散させることによって形成
される。光導波路２１の上には、ＳｉＯ2 を堆積してバ
ッファ層を形成している。
Ｏ3 ）の結晶からなり、その表面のＺ方向に光導波路２
１が形成されている。光導波路２１は、例えば、基板１
１上に厚さ１０００Åのチタン（Ｔｉ）を約７μｍの幅
で蒸着パターン化した後、湿った酸素雰囲気中において
温度１０５０℃で１０時間拡散させることによって形成
される。光導波路２１の上には、ＳｉＯ2 を堆積してバ
ッファ層を形成している。
【００１７】基板１１の上には、光ファイバ１３の端面
ＦＴＦとの接合領域の対称性の確保と接合面積の増大の
ため、基板１１と同じ材料からなる厚さ約１００μｍの
ブロック１２が、接着剤によって固着されている。な
お、本明細書において、ブロック１２を含んだ意味で
「基板」ということがある。
ＦＴＦとの接合領域の対称性の確保と接合面積の増大の
ため、基板１１と同じ材料からなる厚さ約１００μｍの
ブロック１２が、接着剤によって固着されている。な
お、本明細書において、ブロック１２を含んだ意味で
「基板」ということがある。
【００１８】基板１１には、光導波路２１の軸線上に案
内溝２２が形成され、また、基板１１上における案内溝
２２の終端部分に、案内溝２２と垂直な方向の切り込み
部２３が形成されている。
内溝２２が形成され、また、基板１１上における案内溝
２２の終端部分に、案内溝２２と垂直な方向の切り込み
部２３が形成されている。
【００１９】切り込み部２３における案内溝２２に対向
する位置に、光導波路２１の軸方向と垂直であり、且つ
光ファイバ１３の端面とその周囲の接着代とに対応する
面積を含んで切り込み部２３に対して軸方向に突出した
端面２４が形成されている。
する位置に、光導波路２１の軸方向と垂直であり、且つ
光ファイバ１３の端面とその周囲の接着代とに対応する
面積を含んで切り込み部２３に対して軸方向に突出した
端面２４が形成されている。
【００２０】すなわち、案内溝２２は、光ファイバ１３
の芯線の直径方向の約半分が嵌まり込む深さで且つ横方
向に若干の余裕を持った幅のものである。上述の光ファ
イバ１３に対しては、深さが７０〜８０μｍであり、幅
が１５０μｍである。このような精密加工には、例えば
分解能のよいエキシマレーザが用いられる。
の芯線の直径方向の約半分が嵌まり込む深さで且つ横方
向に若干の余裕を持った幅のものである。上述の光ファ
イバ１３に対しては、深さが７０〜８０μｍであり、幅
が１５０μｍである。このような精密加工には、例えば
分解能のよいエキシマレーザが用いられる。
【００２１】切り込み部２３は、例えば従来から公知の
カッティングソウ（超精密研削機）を用いることによ
り、上述の案内溝２２よりも深い深さＤＢに加工されて
いる。切り込み部２３は、例えば、幅が約１００μｍで
あり、深さＤＢは上述の光ファイバ１３に対しては約２
００μｍである。
カッティングソウ（超精密研削機）を用いることによ
り、上述の案内溝２２よりも深い深さＤＢに加工されて
いる。切り込み部２３は、例えば、幅が約１００μｍで
あり、深さＤＢは上述の光ファイバ１３に対しては約２
００μｍである。
【００２２】端面２４は、切り込み部２３の光導波路２
１側の側面をエキシマレーザにより削ることによって形
成されている。端面２４は、その幅ＷＴが約１５０μｍ
であり、光ファイバ１３の接合後におけるその芯線の端
面ＦＴＦに対し、その外周縁から端面２４の上縁部まで
の距離Ｌ１が約１０〜２０μｍ、その外周縁から端面２
４の左右縁部までの距離Ｌ２が約５〜２０μｍ、その外
周縁から端面２４の下縁部つまり切り込み部２３の底部
との境界縁部までの距離Ｌ３が約２０〜６０μｍであ
る。なお、端面２４の突出量、つまりエキシマレーザに
より側面を削る深さは約１０μｍである。
１側の側面をエキシマレーザにより削ることによって形
成されている。端面２４は、その幅ＷＴが約１５０μｍ
であり、光ファイバ１３の接合後におけるその芯線の端
面ＦＴＦに対し、その外周縁から端面２４の上縁部まで
の距離Ｌ１が約１０〜２０μｍ、その外周縁から端面２
４の左右縁部までの距離Ｌ２が約５〜２０μｍ、その外
周縁から端面２４の下縁部つまり切り込み部２３の底部
との境界縁部までの距離Ｌ３が約２０〜６０μｍであ
る。なお、端面２４の突出量、つまりエキシマレーザに
より側面を削る深さは約１０μｍである。
【００２３】このように、端面ＦＴＦの周囲には、接着
剤が広がり過ぎないように約５〜２０μｍの狭い接着代
が設けられており、また、切り込み部２３の底部までの
間は、接着剤が底部に付着しないように、約２０〜６０
μｍと他の部分よりも長くなっている。
剤が広がり過ぎないように約５〜２０μｍの狭い接着代
が設けられており、また、切り込み部２３の底部までの
間は、接着剤が底部に付着しないように、約２０〜６０
μｍと他の部分よりも長くなっている。
【００２４】また、案内溝２２の周辺の端面２４側の基
板１１表面には、はんだ付けのために厚さ約２０００Å
のＮｉ／Ａｕ層２５が形成されている。光導波路型デバ
イス１の組立に当たっては、適当な冶具を用いて基板１
１と光ファイバ１３との位置決め（アライメント）を行
った後、一旦基板１１と光ファイバ１３とを離し、光フ
ァイバ１３の端面ＦＴＦの周辺に適量の紫外線硬化接着
剤（ＵＶ接着剤）ＡＤを塗布し、再度基板１１と光ファ
イバ１３とを位置決めして光ファイバ１３の端面ＦＴＦ
を基板１１の端面２４に押し当て、紫外線を約５分間照
射して接着剤ＡＤを硬化させる。このように仮固定した
後、Ｎｉ／Ａｕ層２５の表面と光ファイバ１３との間
を、例えば１８３℃程度の低温はんだによってはんだ付
けし、このはんだ層２６によって基板１１と光ファイバ
１３とを完全に固定する。
板１１表面には、はんだ付けのために厚さ約２０００Å
のＮｉ／Ａｕ層２５が形成されている。光導波路型デバ
イス１の組立に当たっては、適当な冶具を用いて基板１
１と光ファイバ１３との位置決め（アライメント）を行
った後、一旦基板１１と光ファイバ１３とを離し、光フ
ァイバ１３の端面ＦＴＦの周辺に適量の紫外線硬化接着
剤（ＵＶ接着剤）ＡＤを塗布し、再度基板１１と光ファ
イバ１３とを位置決めして光ファイバ１３の端面ＦＴＦ
を基板１１の端面２４に押し当て、紫外線を約５分間照
射して接着剤ＡＤを硬化させる。このように仮固定した
後、Ｎｉ／Ａｕ層２５の表面と光ファイバ１３との間
を、例えば１８３℃程度の低温はんだによってはんだ付
けし、このはんだ層２６によって基板１１と光ファイバ
１３とを完全に固定する。
【００２５】図７は光導波路型デバイス１の温度特性の
一例を示す図である。図７において、光ファイバ１３の
間に光導波路型デバイス１を挿入したことによる損失変
動が縦軸にとられ、温度が横軸にとられている。この図
に示されているように、光導波路型デバイス１の損失変
動は０℃〜８５℃の間において少なく、温度変化に対し
て安定しているといえる。
一例を示す図である。図７において、光ファイバ１３の
間に光導波路型デバイス１を挿入したことによる損失変
動が縦軸にとられ、温度が横軸にとられている。この図
に示されているように、光導波路型デバイス１の損失変
動は０℃〜８５℃の間において少なく、温度変化に対し
て安定しているといえる。
【００２６】上述の実施例によると、光ファイバ１３の
端面ＦＴＦを接着剤ＡＤによって固定するときに、端面
ＦＴＦの周囲の接着代が広すぎないので、端面ＦＴＦの
周囲の接着剤ＡＤが従来のように広がり過ぎることがな
く、図２乃至図４によく示されているように、接着剤Ａ
Ｄが端面ＦＴＦの周辺に均等に付着し且つ光ファイバ１
３の軸方向にも充分に付着する。したがって、接着によ
る固定強度が大きく、また均一に塗布されていることか
ら温度特性が良好である。
端面ＦＴＦを接着剤ＡＤによって固定するときに、端面
ＦＴＦの周囲の接着代が広すぎないので、端面ＦＴＦの
周囲の接着剤ＡＤが従来のように広がり過ぎることがな
く、図２乃至図４によく示されているように、接着剤Ａ
Ｄが端面ＦＴＦの周辺に均等に付着し且つ光ファイバ１
３の軸方向にも充分に付着する。したがって、接着によ
る固定強度が大きく、また均一に塗布されていることか
ら温度特性が良好である。
【００２７】上述の実施例によると、切り込み部２３の
幅が狭いので、光ファイバ１３の端面ＦＴＦの充分近傍
において案内溝２２及びはんだ層２６による支持が行わ
れ、端面ＦＴＦと端面２４との接合が強固である。案内
溝２２が光ファイバ１３に対する大体のアライメントガ
イドとなっているため、アライメントを行うことが容易
であり、また、光ファイバ１３を接近して並列に配置し
た状態で次々とアライメントできるため、マルチチャネ
ル化にも容易に対応することができる。
幅が狭いので、光ファイバ１３の端面ＦＴＦの充分近傍
において案内溝２２及びはんだ層２６による支持が行わ
れ、端面ＦＴＦと端面２４との接合が強固である。案内
溝２２が光ファイバ１３に対する大体のアライメントガ
イドとなっているため、アライメントを行うことが容易
であり、また、光ファイバ１３を接近して並列に配置し
た状態で次々とアライメントできるため、マルチチャネ
ル化にも容易に対応することができる。
【００２８】上述の実施例においては、光ファイバ１３
の端面ＦＴＦの外周縁から切り込み部２３の底部との境
界縁部までの距離Ｌ３を大きくしたが、図５に示すよう
に、端面２４の下方部分２７を底部まで削り、端面ＦＴ
Ｆの周囲の接着代を下方においても狭くし、接着剤ＡＤ
が切り込み部２３の底部まで流れないようにしてもよ
い。光ファイバ１３の先端部を軸方向と垂直に切断し、
先端部に円形の端面ＦＴＦを形成したが、先端部、特に
コアの近傍部分を球面状としてもよい。
の端面ＦＴＦの外周縁から切り込み部２３の底部との境
界縁部までの距離Ｌ３を大きくしたが、図５に示すよう
に、端面２４の下方部分２７を底部まで削り、端面ＦＴ
Ｆの周囲の接着代を下方においても狭くし、接着剤ＡＤ
が切り込み部２３の底部まで流れないようにしてもよ
い。光ファイバ１３の先端部を軸方向と垂直に切断し、
先端部に円形の端面ＦＴＦを形成したが、先端部、特に
コアの近傍部分を球面状としてもよい。
【００２９】上述の実施例においては、光ファイバ１３
の半径分が嵌め込まれる案内溝２２を基板１１に形成し
たが、図６の光導波路型デバイス１ａに示すように、基
板１１の上にブロック３１を上述のブロック１２と同じ
要領で固定し、これを加工して光ファイバ１３の直径分
が嵌め込まれる深い案内溝２２ａを形成してもよい。
の半径分が嵌め込まれる案内溝２２を基板１１に形成し
たが、図６の光導波路型デバイス１ａに示すように、基
板１１の上にブロック３１を上述のブロック１２と同じ
要領で固定し、これを加工して光ファイバ１３の直径分
が嵌め込まれる深い案内溝２２ａを形成してもよい。
【００３０】上述の実施例において、はんだ層２６に代
えて低融点硝子を用いることもできる。基板１１として
ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ3 ）の結晶を用いたが、
石英を用いてもよい。その他、案内溝２２，２２ａ、切
り込み部２３、端面２４の形状、寸法、基板１１、ブロ
ック１２、又は光ファイバ１３などの材料、形状、寸
法、光導波路型デバイス１，１ａの構造、形状、形成方
法、加工方法などは、本発明の主旨に沿って種々変更す
ることができる。
えて低融点硝子を用いることもできる。基板１１として
ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ3 ）の結晶を用いたが、
石英を用いてもよい。その他、案内溝２２，２２ａ、切
り込み部２３、端面２４の形状、寸法、基板１１、ブロ
ック１２、又は光ファイバ１３などの材料、形状、寸
法、光導波路型デバイス１，１ａの構造、形状、形成方
法、加工方法などは、本発明の主旨に沿って種々変更す
ることができる。
【００３１】
【発明の効果】請求項１乃至請求項５の発明によると、
接着剤の広がりを抑制し、充分な接着強度を確保するこ
とができる。
接着剤の広がりを抑制し、充分な接着強度を確保するこ
とができる。
【００３２】請求項５の発明によると、接着剤が切り込
み部の底部まで流れることなく、接着剤を光ファイバの
周囲に均一に塗布することができる。
み部の底部まで流れることなく、接着剤を光ファイバの
周囲に均一に塗布することができる。
【図１】本発明に係る光導波路型デバイスの斜視図であ
る。
る。
【図２】光導波路型デバイスの平面図である。
【図３】図２の光導波路型デバイス１の III−III 線矢
視断面図である。
視断面図である。
【図４】光導波路型デバイスの側面図である。
【図５】切り込み部における端面の形状の他の例を示す
図である。
図である。
【図６】本発明に係る他の実施例の光導波路型デバイス
の斜視図である。
の斜視図である。
【図７】光導波路型デバイスの温度特性の一例を示す図
である。
である。
【図８】従来の光導波路型デバイスの例を示す図であ
る。
る。
１，１ａ 光導波路型デバイス １１ 基板 １３ 光ファイバ ２１ 光導波路 ２２，２２ａ 案内溝、 ２３ 切り込み部 ２４ 端面（基板の端面） ＦＴＦ 端面（光ファイバの先端部端面） ＡＤ 接着剤
Claims (5)
- 【請求項１】基板上に形成された光導波路と光ファイバ
とを接合するための方法であって、 前記基板に、前記光導波路の軸線上にあって且つ前記光
ファイバの先端部端面とその周囲の接着代とに対応する
面積を含んで前記基板から軸方向に突出した端面を形成
し、 前記光ファイバの先端部に接着剤を塗布し、前記光ファ
イバの先端部端面を前記基板の端面に対向させ、前記接
着剤を硬化させて前記端面同士を接合する、 ことを特徴とする光導波路と光ファイバとの接合方法。 - 【請求項２】基板上に形成された光導波路と光ファイバ
とを接合するための方法であって、 前記基板の前記光導波路の軸線上に、前記光ファイバの
直径方向の全部又は一部が嵌まり込む案内溝を形成し、 前記基板上における前記案内溝の終端部分に、前記案内
溝と垂直な方向の切り込み部を形成し、 前記切り込み部における前記案内溝に対向する位置に、
前記光導波路の軸線上にあって且つ前記光ファイバの先
端部端面とその周囲の接着代とに対応する面積を含んで
前記切り込み部に軸方向に突出した端面を形成し、 前記光ファイバを前記案内溝内に嵌め込み、前記光ファ
イバの先端部端面を前記基板の端面に対向させた状態
で、前記光ファイバの先端部に塗布された接着剤を硬化
させて前記端面同士を接合する、 ことを特徴とする光導波路と光ファイバとの接合方法。 - 【請求項３】前記光ファイバを、前記案内溝の近辺にお
いてはんだ付けによって前記基板に固定する、 請求項２記載の光導波路と光ファイバとの接合方法。 - 【請求項４】基板上に形成された光導波路と光ファイバ
とを接合してなる光導波路型デバイスであって、 前記基板の前記光導波路の軸線上に、前記光ファイバの
直径方向の全部又は一部が嵌まり込む案内溝が形成さ
れ、 前記基板上における前記案内溝案内溝の終端部分に、前
記案内溝と垂直な方向の切り込み部が形成され、 前記切り込み部における前記案内溝に対向する位置に、
前記光導波路の軸線上にあって且つ前記光ファイバの先
端部端面とその周囲の接着代とに対応する面積を含んで
前記切り込み部に軸方向に突出した端面が形成され、 前記光ファイバが前記案内溝内に嵌め込まれ、前記光フ
ァイバの先端部端面を前記基板の端面に対向させた状態
で、前記光ファイバの先端部に塗布された接着剤が硬化
して前記端面同士が接合されてなる、 ことを特徴とする光導波路型デバイス。 - 【請求項５】前記光ファイバの先端部端面の外周縁から
前記基板の端面の縁部までの距離のうち、前記切り込み
部の底部との境界縁部までの距離が他の部分の距離より
も長く設定されており、前記接着剤が前記底部に付着す
ることなく硬化してなる、 請求項４記載の光導波路型デバイス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6206631A JPH0868917A (ja) | 1994-08-31 | 1994-08-31 | 光導波路と光ファイバーとの接合方法及び光導波路型デバイス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6206631A JPH0868917A (ja) | 1994-08-31 | 1994-08-31 | 光導波路と光ファイバーとの接合方法及び光導波路型デバイス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0868917A true JPH0868917A (ja) | 1996-03-12 |
Family
ID=16526568
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6206631A Withdrawn JPH0868917A (ja) | 1994-08-31 | 1994-08-31 | 光導波路と光ファイバーとの接合方法及び光導波路型デバイス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0868917A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004029568A (ja) * | 2002-06-27 | 2004-01-29 | Kyocera Corp | 光デバイス |
| EP1930757A1 (en) * | 2004-04-22 | 2008-06-11 | Hamamatsu Photonics K.K. | Optical waveguide chip and method of manufacturing the same |
| US7639904B2 (en) * | 2005-11-18 | 2009-12-29 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Optical device |
| JP2015025954A (ja) * | 2013-07-26 | 2015-02-05 | 日立化成株式会社 | 光ファイバコネクタ及びその製造方法、光ファイバケーブル |
| JP2021162643A (ja) * | 2020-03-31 | 2021-10-11 | 住友大阪セメント株式会社 | 光導波路素子及びそれを用いた光変調デバイス並びに光送信装置 |
-
1994
- 1994-08-31 JP JP6206631A patent/JPH0868917A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004029568A (ja) * | 2002-06-27 | 2004-01-29 | Kyocera Corp | 光デバイス |
| EP1930757A1 (en) * | 2004-04-22 | 2008-06-11 | Hamamatsu Photonics K.K. | Optical waveguide chip and method of manufacturing the same |
| US7639904B2 (en) * | 2005-11-18 | 2009-12-29 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Optical device |
| JP2015025954A (ja) * | 2013-07-26 | 2015-02-05 | 日立化成株式会社 | 光ファイバコネクタ及びその製造方法、光ファイバケーブル |
| JP2021162643A (ja) * | 2020-03-31 | 2021-10-11 | 住友大阪セメント株式会社 | 光導波路素子及びそれを用いた光変調デバイス並びに光送信装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
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