JPH0693122B2 - 高感度感応性放射線レジスト - Google Patents
高感度感応性放射線レジストInfo
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- JPH0693122B2 JPH0693122B2 JP62313821A JP31382187A JPH0693122B2 JP H0693122 B2 JPH0693122 B2 JP H0693122B2 JP 62313821 A JP62313821 A JP 62313821A JP 31382187 A JP31382187 A JP 31382187A JP H0693122 B2 JPH0693122 B2 JP H0693122B2
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
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Description
【発明の詳細な説明】 ＜産業上の利用分野＞ 本発明は、放射線に対する優れた感度特性と解像度をも
っている一般式（Ｉ）に示されるα−シアノアクリル酸
エステル及び一般式（II）のモノマーを主剤とするレジ
ストを使用することにより、例えば16メガビットDRAM以
降の大規模集積回路に適用可能なレジストを提供するこ
とを目的としたものである。
っている一般式（Ｉ）に示されるα−シアノアクリル酸
エステル及び一般式（II）のモノマーを主剤とするレジ
ストを使用することにより、例えば16メガビットDRAM以
降の大規模集積回路に適用可能なレジストを提供するこ
とを目的としたものである。
＜従来の技術＞ 半導体集積回路は光学式露光の限界である0.5μｍ以下
のレベルのリソグラフィー技術として、電子ビーム直接
描画、Ｘ線リソグラフィーなどの技術が開発されている
が、これらに適合するレジストの開発も急を要する段階
となっている。
のレベルのリソグラフィー技術として、電子ビーム直接
描画、Ｘ線リソグラフィーなどの技術が開発されている
が、これらに適合するレジストの開発も急を要する段階
となっている。
これらレジスト材料には、放射線を照射することにより
架橋反応を起こし現像液に不溶化するネガ型レジスト
と、レジストの主剤ポリマーが主鎖分裂反応を起こし低
分子量化することから現像液に易溶性となり、照射領域
のみ除去されるポジ型レジストとがある。
架橋反応を起こし現像液に不溶化するネガ型レジスト
と、レジストの主剤ポリマーが主鎖分裂反応を起こし低
分子量化することから現像液に易溶性となり、照射領域
のみ除去されるポジ型レジストとがある。
ネガ型レジストの特徴は、高感度であり、耐エッチング
性が優れているが、解像度が低いことである。
性が優れているが、解像度が低いことである。
これに対してポジ型レジストの特徴は、解像度は高い
が、感度や耐エッチング性がネガ型レジストより劣るこ
とである。
が、感度や耐エッチング性がネガ型レジストより劣るこ
とである。
最近、大規模集積回路の高集積化の速度は一段と加速さ
れており、放射線感応性レジストの主流はポジ型レジス
トへ移行している。
れており、放射線感応性レジストの主流はポジ型レジス
トへ移行している。
しかしながら、このポジ型レジストは高い解像度を特徴
とするが、感度と耐ドライエッチング性に大きな弱点が
あり、この欠点は未だ解決されていない。
とするが、感度と耐ドライエッチング性に大きな弱点が
あり、この欠点は未だ解決されていない。
＜発明が解決しようとする課題＞ ポジ型レジストの代表的主剤ポリマーとしては、ポリメ
チルメタクリレート（PMMA）があるが、その優れた解像
度（0.3〜0.5μｍ）とは、極めてアンバランスな低感度
（５×105C/cm2）の故に、実用化レジストとしては、そ
の感度向上に改善努力が集中しており、多くの提案がな
されている。
チルメタクリレート（PMMA）があるが、その優れた解像
度（0.3〜0.5μｍ）とは、極めてアンバランスな低感度
（５×105C/cm2）の故に、実用化レジストとしては、そ
の感度向上に改善努力が集中しており、多くの提案がな
されている。
レジストの感度の改善には、Cl、Br、Ｆ、Ｓ、Ｏ、Ｎな
どの電子吸引基の導入が考えられる。例えば、ポリヘキ
サフルオロブチルメタクリレート、ポリトリクロロエチ
ルメタクリレート、ポリトリフルオロエチルα−クロル
アクリレート、ポリブテン−１スルホンなどが提案され
ているが、未だにその大半が感度が不十分であるばかり
でなく、密着性、寸法安定性、保存安定性などプロセス
コントロール上の不安定性が解消されておらず、本格的
レジストには程遠いのが実情である。
どの電子吸引基の導入が考えられる。例えば、ポリヘキ
サフルオロブチルメタクリレート、ポリトリクロロエチ
ルメタクリレート、ポリトリフルオロエチルα−クロル
アクリレート、ポリブテン−１スルホンなどが提案され
ているが、未だにその大半が感度が不十分であるばかり
でなく、密着性、寸法安定性、保存安定性などプロセス
コントロール上の不安定性が解消されておらず、本格的
レジストには程遠いのが実情である。
そこで本発明は、高解像度、高感度を有する16メガビッ
トDRAM以降の大規模集積回路用として一段と加工精度の
高い放射線感応性レジストを提供することを目的とす
る。
トDRAM以降の大規模集積回路用として一段と加工精度の
高い放射線感応性レジストを提供することを目的とす
る。
＜課題を解決するための手段＞ 上記目的を達成すべくなされたものであり、請求項１に
記載の発明は、 （式中、ＲはC1〜C5を除くアルキル基、シクロアルキル
基、ハロゲン化アルキル基）で表されるα−シアノアク
リル酸エステルの単独重合体もしくはこのモノマー群の
２種以上よりなる共重合体、又はこのモノマー群と、 （ただし、式中のＸは、CH3、Cl、Ｆ、Br、Ｉ、COOR、N
O2、ＹはＨ、COORで、Ｒはアルキル基、ハロゲン化アル
キル基）で表されるモノマー群のなかの１種以上よりな
る共重合体を主成分とした高感度放射線感応性レジスト
である。
記載の発明は、 （式中、ＲはC1〜C5を除くアルキル基、シクロアルキル
基、ハロゲン化アルキル基）で表されるα−シアノアク
リル酸エステルの単独重合体もしくはこのモノマー群の
２種以上よりなる共重合体、又はこのモノマー群と、 （ただし、式中のＸは、CH3、Cl、Ｆ、Br、Ｉ、COOR、N
O2、ＹはＨ、COORで、Ｒはアルキル基、ハロゲン化アル
キル基）で表されるモノマー群のなかの１種以上よりな
る共重合体を主成分とした高感度放射線感応性レジスト
である。
＜作用＞ 本発明によれば、一般式（Ｉ）に示すエステル基を構成
するＲをC1〜C5を除くアルキル基、シクロアルキル基、
ハロゲン化アルキル基としてなるα−シアノアクリル酸
エステルを基本構成単位とした重合体若しくは共重合
体、又は一般式（II）で示されるモノマーとの共重合体
を構成することにより形成したレジストは従来のレジス
トに比較して、高解像度を有するとともに高感度を示す
ものである。
するＲをC1〜C5を除くアルキル基、シクロアルキル基、
ハロゲン化アルキル基としてなるα−シアノアクリル酸
エステルを基本構成単位とした重合体若しくは共重合
体、又は一般式（II）で示されるモノマーとの共重合体
を構成することにより形成したレジストは従来のレジス
トに比較して、高解像度を有するとともに高感度を示す
ものである。
＜実施例＞ 以下、本発明を実施例に基づき詳細に説明する。
本発明は、その分子内に電子吸引基CNの他にCl、Ｆ、Br
などを有する一般式（Ｉ）； （式中、ＲはC1〜C5を除くアルキル基、シクロアルキル
基、ハロゲン化アルキル基）で表されるα−シアノアク
リル酸エステルの単独重合体もしくはこのモノマー群の
２種以上よりなる共重合体、又はこのモノマー群と、一
般式（II）； （ただし、式中のＸは、CH3、Cl、Ｆ、Br、Ｉ、COOR、N
O2、ＹはＨ、COORで、Ｒはアルキル基、ハロゲン化アル
キル基）で表されるモノマー群のなかの１種以上よりな
る共重合体を主成分とすることにより、それらが元来保
有している高い感度特性、すなわち電子線感度が５×10
7C/cm2以上であり、PMMAの感度の５×105C/cm2に比べ
て、1/100程度の放射線照射量で足りるため、約100倍の
生産性を有し、さらに線幅0.5μｍ以下の実用解像度を
有することから、16メガビットDRAM以降の大規模集積回
路用レジストに適する。
などを有する一般式（Ｉ）； （式中、ＲはC1〜C5を除くアルキル基、シクロアルキル
基、ハロゲン化アルキル基）で表されるα−シアノアク
リル酸エステルの単独重合体もしくはこのモノマー群の
２種以上よりなる共重合体、又はこのモノマー群と、一
般式（II）； （ただし、式中のＸは、CH3、Cl、Ｆ、Br、Ｉ、COOR、N
O2、ＹはＨ、COORで、Ｒはアルキル基、ハロゲン化アル
キル基）で表されるモノマー群のなかの１種以上よりな
る共重合体を主成分とすることにより、それらが元来保
有している高い感度特性、すなわち電子線感度が５×10
7C/cm2以上であり、PMMAの感度の５×105C/cm2に比べ
て、1/100程度の放射線照射量で足りるため、約100倍の
生産性を有し、さらに線幅0.5μｍ以下の実用解像度を
有することから、16メガビットDRAM以降の大規模集積回
路用レジストに適する。
上記の一般式（Ｉ）のα−シアノアクリル酸エステル
は、式中のＲは、C1〜C5を除くアルキル基、シクロアル
キル基、ハロゲン化アルキル基であり、具体的にはα−
シアノアクリル酸ｎ−ヘキシル、α−シアノアクリル酸
シクロヘキシル、α−シアノアクリル酸シクロヘプチ
ル、α−シアノアクリル酸ｎ−オクチル、α−シアノア
クリル酸２−エチルヘキシル、α−シアノアクリル酸ト
リフルオロエチル、α−シアノアクリル酸ヘキサフルオ
ロブチルなどである。
は、式中のＲは、C1〜C5を除くアルキル基、シクロアル
キル基、ハロゲン化アルキル基であり、具体的にはα−
シアノアクリル酸ｎ−ヘキシル、α−シアノアクリル酸
シクロヘキシル、α−シアノアクリル酸シクロヘプチ
ル、α−シアノアクリル酸ｎ−オクチル、α−シアノア
クリル酸２−エチルヘキシル、α−シアノアクリル酸ト
リフルオロエチル、α−シアノアクリル酸ヘキサフルオ
ロブチルなどである。
一方、一般式（II）であらわされるモノマー群は、具体
的にはニトロエチレン、メチレンマロン酸ジエチル、メ
タクリル酸トリフルオロエチル、メタクリル酸ヘキサフ
ルオロブチル、α−クロロアクリル酸トリフルオロエチ
ルなどである。
的にはニトロエチレン、メチレンマロン酸ジエチル、メ
タクリル酸トリフルオロエチル、メタクリル酸ヘキサフ
ルオロブチル、α−クロロアクリル酸トリフルオロエチ
ルなどである。
これらのモノマーは通常の合成法で得られたものでよ
く、アニオン合成抑制剤を混入したままでよい。以上か
らなる単独重合体、及び共重合体の分子量は、ともに通
常20000〜2000000であるが、好ましくは200000〜100000
0のものが使われる。
く、アニオン合成抑制剤を混入したままでよい。以上か
らなる単独重合体、及び共重合体の分子量は、ともに通
常20000〜2000000であるが、好ましくは200000〜100000
0のものが使われる。
さらに本発明の具体的な実施例を挙げて説明するが。本
発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
〔実施例１〕 アニオン重合抑制剤（SO250ppm）を含むα−シアノアク
リル酸シクロヘキシル0.5モル/800mlアセトン溶液をフ
ラスコ中に導入した。この系内を十分にかきまぜなが
ら、室温でアニオン重合開始剤（アニリン）の５×104
モル/100mlアセトン溶液を系内の温度を室温に保ちなが
ら、徐々に加えて反応させた。
リル酸シクロヘキシル0.5モル/800mlアセトン溶液をフ
ラスコ中に導入した。この系内を十分にかきまぜなが
ら、室温でアニオン重合開始剤（アニリン）の５×104
モル/100mlアセトン溶液を系内の温度を室温に保ちなが
ら、徐々に加えて反応させた。
得られた重合体を系外に取り出して、再沈澱法により精
製を行なった後、これをゲルパーミェーションクロマト
グラフィー（GPC）−光散乱法で、その分子量を測定し
たところ、その分子量は476000で、その重合率は96.4％
であった。
製を行なった後、これをゲルパーミェーションクロマト
グラフィー（GPC）−光散乱法で、その分子量を測定し
たところ、その分子量は476000で、その重合率は96.4％
であった。
この重合体の５重量％シクロヘキサノン溶液を作り、回
転塗布法により0.5μｍ厚の酸化シリコン層上に塗布し
て、0.54μｍの膜厚の重合体（レジスト）膜を得た。こ
れを140℃、30分、加熱処理（プリベーク）した後、加
速電圧10KV ５×107C/cm2の電子線を所定のパターンに
従って、重合体（レジスト）膜面に照射した。続いてこ
れを大気中に取り出して、25℃のシクロヘキサノンとメ
チルイソブチルケトンの1:2の現像液に３分間浸漬する
ことによって現像し、イソプロピルアルコールでリンス
し乾燥した。ついで140℃、30分間加熱処理（ポストベ
ーク）した。
転塗布法により0.5μｍ厚の酸化シリコン層上に塗布し
て、0.54μｍの膜厚の重合体（レジスト）膜を得た。こ
れを140℃、30分、加熱処理（プリベーク）した後、加
速電圧10KV ５×107C/cm2の電子線を所定のパターンに
従って、重合体（レジスト）膜面に照射した。続いてこ
れを大気中に取り出して、25℃のシクロヘキサノンとメ
チルイソブチルケトンの1:2の現像液に３分間浸漬する
ことによって現像し、イソプロピルアルコールでリンス
し乾燥した。ついで140℃、30分間加熱処理（ポストベ
ーク）した。
以上のように処理した、この重合体（レジスト）膜を走
査型電子顕微鏡（SEM）により観察したところ、電子線
照射領域の重合体（レジスト）膜は完全に除去されてお
り、また酸化シリコン層と重合体（レジスト）膜との接
着も良好であることが確認された。
査型電子顕微鏡（SEM）により観察したところ、電子線
照射領域の重合体（レジスト）膜は完全に除去されてお
り、また酸化シリコン層と重合体（レジスト）膜との接
着も良好であることが確認された。
これを反応性イオンエッチング装置（RIE）でエッチン
グしたところ、0.3μｍの直線状のシャープなパターン
がSEMによって確認された。
グしたところ、0.3μｍの直線状のシャープなパターン
がSEMによって確認された。
これに対し、比較のために行なったPMMAレジストの電子
線感度は５×105C/cm2で実施例１の1/100であり、解像
度は実施例１と同一条件（加速電圧10KV）では、0.5μ
ｍと実施例１の解像度に及ばなかった。
線感度は５×105C/cm2で実施例１の1/100であり、解像
度は実施例１と同一条件（加速電圧10KV）では、0.5μ
ｍと実施例１の解像度に及ばなかった。
〔実施例２〕 アニオン重合抑制剤（SO2）をそれぞれ50ppm含むα−シ
アノアクリル酸トリフルオロエチルの0.3モル/400mlア
セトン溶液とα−シアノアクリル酸ｎ−ヘプチルの0.2
モル/400mlアセトン溶液とをフラスコに導入した。
アノアクリル酸トリフルオロエチルの0.3モル/400mlア
セトン溶液とα−シアノアクリル酸ｎ−ヘプチルの0.2
モル/400mlアセトン溶液とをフラスコに導入した。
この系内を十分にかきまぜながら、アニオン重合開始剤
（ジエチルアミン）の５×104モル/100mlアセトン溶液
を系内の温度を室温に保ちつつ、徐々に加えて反応させ
た。得られた共重合体を系外に取り出して、再沈澱法に
より精製した。これをゲルパーミェーションクロマトグ
ラフィー（GPC）−光散乱法で、その分子量を測定した
ところ、その分子量は535000で、その重合率は96.7％で
あった。
（ジエチルアミン）の５×104モル/100mlアセトン溶液
を系内の温度を室温に保ちつつ、徐々に加えて反応させ
た。得られた共重合体を系外に取り出して、再沈澱法に
より精製した。これをゲルパーミェーションクロマトグ
ラフィー（GPC）−光散乱法で、その分子量を測定した
ところ、その分子量は535000で、その重合率は96.7％で
あった。
この共重合体の５重量％シクロヘキサノン溶液を作り、
回転塗布法により0.5μｍ厚の熱酸化シリコン層上に塗
布して、0.53μｍの膜厚の共重合体（レジスト）膜を得
た。これを実施例１と同様に、プリベーク後、加速電圧
10KV4×107C/cm2の電子線を所定のパターンに従って、
共重合体（レジスト）膜面に照射した。続いてこれを大
気中に取り出して、実施例１と同様に現像・リンス・ポ
ストベークした後、共重合体（レジスト）膜をSEMで観
察した。電子線照射領域の共重合体（レジスト）膜は完
全に除去されており、また酸化シリコン層と共重合体
（レジスト）膜との接着も良好であることが確認され
た。
回転塗布法により0.5μｍ厚の熱酸化シリコン層上に塗
布して、0.53μｍの膜厚の共重合体（レジスト）膜を得
た。これを実施例１と同様に、プリベーク後、加速電圧
10KV4×107C/cm2の電子線を所定のパターンに従って、
共重合体（レジスト）膜面に照射した。続いてこれを大
気中に取り出して、実施例１と同様に現像・リンス・ポ
ストベークした後、共重合体（レジスト）膜をSEMで観
察した。電子線照射領域の共重合体（レジスト）膜は完
全に除去されており、また酸化シリコン層と共重合体
（レジスト）膜との接着も良好であることが確認され
た。
またRIEによるエッチングの結果、0.4μｍの直線状のシ
ャープなパターンがSEMにより確認された。
ャープなパターンがSEMにより確認された。
〔実施例３〕 α−シアノアクリル酸ヘキサフルオロブチルとα−シア
ノアクリル酸シクロヘキシルのモル比6:4の共重合体を
実施例２と同様にして、アニオン重合法により得た。こ
れをゲルパーミェーションクロマトグラフィー（GPC）
−光散乱法で、その分子量を測定したところ、その分子
量は648000で、その重合率は96.3％であった。
ノアクリル酸シクロヘキシルのモル比6:4の共重合体を
実施例２と同様にして、アニオン重合法により得た。こ
れをゲルパーミェーションクロマトグラフィー（GPC）
−光散乱法で、その分子量を測定したところ、その分子
量は648000で、その重合率は96.3％であった。
この共重合体の５重量％シクロヘキサノン溶液を作り、
回転塗布法により0.5μｍ厚の熱酸化シリコン層上に塗
布して、0.61μｍの膜厚の共重合体（レジスト）膜を得
た。これを実施例２と同様に、プリベーク・電子線照射
・現像・リンス・ポストベークした後、共重合体（レジ
スト）膜をSEMで観察した。電子線照射領域の共重合体
（レジスト）膜は完全に除去されており、また酸化シリ
コン層と共重合体（レジスト）膜との接着も良好である
ことが確認された。
回転塗布法により0.5μｍ厚の熱酸化シリコン層上に塗
布して、0.61μｍの膜厚の共重合体（レジスト）膜を得
た。これを実施例２と同様に、プリベーク・電子線照射
・現像・リンス・ポストベークした後、共重合体（レジ
スト）膜をSEMで観察した。電子線照射領域の共重合体
（レジスト）膜は完全に除去されており、また酸化シリ
コン層と共重合体（レジスト）膜との接着も良好である
ことが確認された。
またRIEによるエッチングの結果、0.4μｍの直線状のシ
ャープなパターンがSEMにより確認された。
ャープなパターンがSEMにより確認された。
〔実施例４〕 α−シアノアクリル酸トリフルオロエチル10部とメタク
リル酸トリフルオロエチル５部、酢酸３部、アゾビスイ
ソブチロニトリル0.1部を窒素中で封管重合させた。得
られた共重合体を再沈澱法により精製した。これをゲル
パーミェーションクロマトグラフィー（GPC）−光散乱
法で、その分子量を測定したところ、その分子量は3850
00で、その重合率は95.1％であった。
リル酸トリフルオロエチル５部、酢酸３部、アゾビスイ
ソブチロニトリル0.1部を窒素中で封管重合させた。得
られた共重合体を再沈澱法により精製した。これをゲル
パーミェーションクロマトグラフィー（GPC）−光散乱
法で、その分子量を測定したところ、その分子量は3850
00で、その重合率は95.1％であった。
この共重合体の５重量％シクロヘキサノン溶液を作り、
回転塗布法により0.5μｍ厚の熱酸化シリコン層上に塗
布して、0.47μｍの膜厚の共重合体（レジスト）膜を得
た。これを130℃、30分加熱処理（プリベーク）した
後、加速電圧10KV ４×107C/cm2の電子線を所定のパタ
ーンに従って、共重合体（レジスト）膜面に照射した。
続いてこれを実施例２と同様に現像・リンス・ポストベ
ークした後、共重合体（レジスト）膜をSEMで観察した
ところ、電子線照射領域の共重合体（レジスト）膜は完
全に除かれ鮮明なポジティブ像が確認された。
回転塗布法により0.5μｍ厚の熱酸化シリコン層上に塗
布して、0.47μｍの膜厚の共重合体（レジスト）膜を得
た。これを130℃、30分加熱処理（プリベーク）した
後、加速電圧10KV ４×107C/cm2の電子線を所定のパタ
ーンに従って、共重合体（レジスト）膜面に照射した。
続いてこれを実施例２と同様に現像・リンス・ポストベ
ークした後、共重合体（レジスト）膜をSEMで観察した
ところ、電子線照射領域の共重合体（レジスト）膜は完
全に除かれ鮮明なポジティブ像が確認された。
またRIEによるエッチングの結果、0.5μｍの直線状のシ
ャープなパターンがSEMにより確認された。
ャープなパターンがSEMにより確認された。
〔実施例５〕 アニオン重合開始剤（ジエチルアミン ５×104モル）
を含むアセトン・トルエン混合溶液700mlをフラスコ内
に導入し、この系内を十分にかきまぜながら、重合抑制
剤（SO2）をそれぞれ50ppm含むメチレンマロン酸ジエチ
ル（0.3モル）とα−シアノアクリル酸シクロヘキシル
0.2モルを含む200mlのアセトン・トルエン混合溶液を系
内の温度に室温に保ちながら徐々に加えて反応させた。
得られた共重合体を再沈澱法により精製した。これをゲ
ルバーミミェーションクロマトグラフィー（GPC）−光
散乱法で、その分子量を測定したところ、その分子量は
601000で、その重合率は96.7％であった。
を含むアセトン・トルエン混合溶液700mlをフラスコ内
に導入し、この系内を十分にかきまぜながら、重合抑制
剤（SO2）をそれぞれ50ppm含むメチレンマロン酸ジエチ
ル（0.3モル）とα−シアノアクリル酸シクロヘキシル
0.2モルを含む200mlのアセトン・トルエン混合溶液を系
内の温度に室温に保ちながら徐々に加えて反応させた。
得られた共重合体を再沈澱法により精製した。これをゲ
ルバーミミェーションクロマトグラフィー（GPC）−光
散乱法で、その分子量を測定したところ、その分子量は
601000で、その重合率は96.7％であった。
この共重合体の５重量％シクロヘキサノン溶液を作り、
回転塗布法により0.5μｍ厚の熱酸化シリコン層上に塗
布して、0.59μｍの膜厚の共重合体（レジスト）膜を得
た。これを実施例１と同様に、プリベーク・電子線照射
・現像・リンス・ポストベークを行ない、RIEによるエ
ッチングの結果、0.5μｍの直線状のシャープなパター
ンがSEMにより確認された。
回転塗布法により0.5μｍ厚の熱酸化シリコン層上に塗
布して、0.59μｍの膜厚の共重合体（レジスト）膜を得
た。これを実施例１と同様に、プリベーク・電子線照射
・現像・リンス・ポストベークを行ない、RIEによるエ
ッチングの結果、0.5μｍの直線状のシャープなパター
ンがSEMにより確認された。
〔実施例６〕 α−シアノアクリル酸２エチルヘキシル10部とα−クロ
ロアクリル酸トリフルオロエチル５部、酢酸３部、アゾ
ビスイソブチロニトリル0.1部を窒素中で封管重合さ
せ、得られた共重合体を再沈澱法により精製した。これ
をゲルパーミェーションクロマトグラフィー（GPC）−
光散乱法で、その分子量を測定したところ、その分子量
は352000で、その重合率は94.6％であった。
ロアクリル酸トリフルオロエチル５部、酢酸３部、アゾ
ビスイソブチロニトリル0.1部を窒素中で封管重合さ
せ、得られた共重合体を再沈澱法により精製した。これ
をゲルパーミェーションクロマトグラフィー（GPC）−
光散乱法で、その分子量を測定したところ、その分子量
は352000で、その重合率は94.6％であった。
この共重合体の５重量％シクロヘキサノン溶液を作り、
回転塗布法により0.5μｍ厚の熱酸化シリコン層上に塗
布して、0.61μｍの膜厚の共重合体（レジスト）膜を得
た。これを実施例１と同様に、プリベーク・電子線照射
・現像・リンス・ポストベークを行ない、RIEによるエ
ッチングの結果、0.4μｍの直線状のシャープなパター
ンがSEMにより確認された。
回転塗布法により0.5μｍ厚の熱酸化シリコン層上に塗
布して、0.61μｍの膜厚の共重合体（レジスト）膜を得
た。これを実施例１と同様に、プリベーク・電子線照射
・現像・リンス・ポストベークを行ない、RIEによるエ
ッチングの結果、0.4μｍの直線状のシャープなパター
ンがSEMにより確認された。
〔実施例７〕 アニオン重合抑制剤（SO2）をそれぞれ50ppm含むα−シ
アノアクリル酸ｎ−ヘプチル0.4モルとニトロエチレン
0.1モルを800mlのアセトン中に混合し、十分にかきまぜ
ながら、室温でアニオン重合開始剤（チオ尿素）の５×
104モル/100mlアセトン溶液を系内の温度を室温に保
ち、除々に加えて反応させた。
アノアクリル酸ｎ−ヘプチル0.4モルとニトロエチレン
0.1モルを800mlのアセトン中に混合し、十分にかきまぜ
ながら、室温でアニオン重合開始剤（チオ尿素）の５×
104モル/100mlアセトン溶液を系内の温度を室温に保
ち、除々に加えて反応させた。
得られた共重合体を系外に取り出して、再沈澱法により
精製を行なった後、これをゲルパーミェーションクロマ
トグラフィー（GPC）−光散乱法で、その分子量を測定
したところ、その分子量は491000で、その重合率は97.1
％であった。
精製を行なった後、これをゲルパーミェーションクロマ
トグラフィー（GPC）−光散乱法で、その分子量を測定
したところ、その分子量は491000で、その重合率は97.1
％であった。
この共重合体の５重量％シクロヘキサノン溶液を作り、
回転塗布法により0.5μｍ厚の酸化シリコン層上に塗布
して、0.53μｍの膜厚の共重合体（レジスト）膜を得
た。これを実施例１と同様に、プリベーク・電子線照射
・現像・リンス・ポストベークを行ない、RIEによるエ
ッチングの結果、0.4μｍの直線状のシャープなパター
ンがSEMにより確認された。
回転塗布法により0.5μｍ厚の酸化シリコン層上に塗布
して、0.53μｍの膜厚の共重合体（レジスト）膜を得
た。これを実施例１と同様に、プリベーク・電子線照射
・現像・リンス・ポストベークを行ない、RIEによるエ
ッチングの結果、0.4μｍの直線状のシャープなパター
ンがSEMにより確認された。
＜効果＞ 本発明によれば、従来のPMMAレジストに比べ、約1/100
程度の放射線照射量で足りる極めて高感度なレジストで
あり、しかも線幅0.5μｍ以下の高解像度を保つことが
でき、例えば16メガビットDRAM以降の半導体大規模集積
回路製造の際のＸ線リソグラフィーに有効であり、その
優れた画像特性は加工精度の大幅な向上と広いラティチ
ュードの回路設計が可能となるばかりでなく、優れた感
度特性は高い生産性とコスト削減に大きな効果をもたら
すものである。
程度の放射線照射量で足りる極めて高感度なレジストで
あり、しかも線幅0.5μｍ以下の高解像度を保つことが
でき、例えば16メガビットDRAM以降の半導体大規模集積
回路製造の際のＸ線リソグラフィーに有効であり、その
優れた画像特性は加工精度の大幅な向上と広いラティチ
ュードの回路設計が可能となるばかりでなく、優れた感
度特性は高い生産性とコスト削減に大きな効果をもたら
すものである。
Claims (1)
- 【請求項１】 （式中、ＲはC1〜C5を除くアルキル基、シクロアルキル
基、ハロゲン化アルキル基）で表されるα−シアノアク
リル酸エステルの単独重合体もしくはこのモノマー群の
２種以上よりなる共重合体、又はこのモノマー群と、 （ただし、式中のＸは、CH3、Cl、Ｆ、Br、Ｉ、COOR、N
O2、ＹはＨ、COORで、Ｒはアルキル基、ハロゲン化アル
キル基）で表されるモノマー群のなかの１種以上よりな
る共重合体を主成分とした高感度放射線感応性レジス
ト。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62313821A JPH0693122B2 (ja) | 1987-12-11 | 1987-12-11 | 高感度感応性放射線レジスト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62313821A JPH0693122B2 (ja) | 1987-12-11 | 1987-12-11 | 高感度感応性放射線レジスト |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01154146A JPH01154146A (ja) | 1989-06-16 |
| JPH0693122B2 true JPH0693122B2 (ja) | 1994-11-16 |
Family
ID=18045918
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62313821A Expired - Fee Related JPH0693122B2 (ja) | 1987-12-11 | 1987-12-11 | 高感度感応性放射線レジスト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0693122B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH022564A (ja) * | 1988-06-15 | 1990-01-08 | Toagosei Chem Ind Co Ltd | ポジ型電子線レジスト |
| JPH0258060A (ja) * | 1988-08-24 | 1990-02-27 | Toagosei Chem Ind Co Ltd | ポジ型レジスト |
| JPH02113253A (ja) * | 1988-10-24 | 1990-04-25 | Toagosei Chem Ind Co Ltd | ポジ型レジスト |
| JPH0675196B2 (ja) * | 1989-11-08 | 1994-09-21 | 凸版印刷株式会社 | ポジ型電子線レジスト |
| JP2522087B2 (ja) * | 1990-04-19 | 1996-08-07 | 凸版印刷株式会社 | フォトマスクの製造方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55105244A (en) * | 1979-02-06 | 1980-08-12 | Victor Co Of Japan Ltd | Electron beam resist |
-
1987
- 1987-12-11 JP JP62313821A patent/JPH0693122B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01154146A (ja) | 1989-06-16 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |