JPS583302Y2 - Ｎゲ−トサイリスタ - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 本考案はＮゲートサイリスタの構造に関するものである
。

従来、この種のＮゲートサイリスクには第１図に示す如
き構造が用いられている。

同図において、アノード部１の右上部及び左下部に比較
的鋭角になる部分があり、その部分には電流集中が起こ
り易く、時としてこの素子の破壊につながるという欠点
があった。

また、第１図においてこの素子を組み立てる場合に、金
線あるいはアルミ線等を用い、アノード部１及びカソー
ド部２の右下の比較的面積の広い部分につけ電極をとる
ものであるが、アノード部１及びカソード部２は円ある
いは正方形等の形をしていなく変化された形なので、金
線等をつける場合に実質的な有効面積は見かけより小さ
くなり、金線等をつける位置だし等１が困難になるとい
う欠点があった。

本考案は従来の技術に内在する上記欠点を解消する為に
なされたものであり、従って本考案の目的は、第１図の
アノード部１の電流集中の起こり易い角になる部分をな
くすとともに、素子全体の大きさを変える事なしに、ア
ノード部及びカソード部の金線等をつける有効面積を犬
とする構造を備えた新規なＮゲートサイリスタを提供す
ることにある。

即ち、本考案によれば、アノード部を円形又はほぼ円形
にしかつアノード、カソード間の距離を長くとるととも
に、カソード部に丸みをもたせて電極線をつける部分の
有効面積を大きくしたことを特徴とするＮゲートサイリ
スク、が与えられる。

次に本考案をその良好な実施例について図面（第２図ａ
＋ ｂ、第３図ａ、ｂ）を参照しながら詳細に説明す
る。

本考案の一実施例を第２図に示す。

従来の構造（第１図）がもつ欠点の１つであったアノー
ド部１の右上部及び左下部の角になった部分に電流集中
が起こり、過電流破壊に対しての耐量が弱かったことを
、本考案の一実施例においては第２図に示される如く、
アノード部３を円形にして角をなくシ、過電流破壊に対
する耐量の向上を得るものである。

また、アノード部３は、完全な円形にする必要はなく、
電流集中の起らない程度の曲りを持った円形にしてもよ
いわけであるが、後述する組立上の利点からみると円形
のほうが望ましい。

尚、参照番号４はカソード部を示す。過電流破壊に関し
ては、もちろんただ円形にすれば良いのではなく、アノ
ード部３の面積及び第１図のアノード部１、カソード部
２の距離とも相関がある。

アノード部の面積は大きい方が良く、また、アノード、
カソード間の距離も長い方がよいのは熱論の事である。

その為に、この素子全体を大きくするのが一番簡単な方
法ではあるが、大きくすればするほど１つの素子の利用
率がイ氏下し、原価的に高くなってしまう。

第２図ａ、ｂの実施例においてはアノード部３は、第１
盟のアノード部１と同等な面積になるように設３↑なさ
れている。

また、第２図の様な構造をとると、アノード、カソード
間の距離は第１図の素子と同一・な大きさで無理なく長
くとることができる。

以上のように、アノード部３を円形にして角をなくすこ
と及びアノード、カソード間の距離を長くとれることに
より、過電流耐量を大幅に向上せしめる効果が得られる
と共に、表面リークを減少させる効果が得られる。

また、アノード部３を円形に、カソード部４の右下部の
電極線（金線もしくはアルミニウム線等）をつける部分
を曲がりをつけて面積を尺きくとる事によって、組立の
際の電極っけを容易にすることができるという効果が得
られる。

続いて第３図ａ、ｂを参照するに、そこには本考案の第
２の実施例が示されている。

第３図ａ。ｂに示された実施例は、基本的には第２図ａ
、ｂに示された実施例と同じであるが、アノード、カソ
ード間にＮ＋層５を設けた構造をもつものである。

この第２の実施例は、第１の実施例による効果が得られ
るとともに、アノード、カソード間の距離を長くとれる
事を利用してその間にＮ」一層５を設けることによって
、アノード、カソード間に電圧を加えた場合の表面にお
けるリーク電流をＮ＋層５を入れない場合よりもさらに
少なくすることができる効果が対間されている。

以上のように、この考案による構造をとれば、素子全体
の大きさを変える事なしに、従来の素子と比較して電気
的特性は同等なものが製造できるとともに、組立を容易
にし組立に関する歩留や品質を向上することができる。

また、過電流に対しても耐着が向上せしめられ、表面Ｉ
Ｊ ＋−りをおさえることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来のＮゲー トサイリスクの構造を示す図、
第２図ａは本考案の一実施例を示す構造図、第２図すは
第２図ａのＡ−Ａ線に沿−った断面図、第３図ａは本考
案の他の実施例を示す構造図、第３図１）は第３ （Ｘ
ｒ ａのＨ−Ｒ’線に沿った断面図である。 １．３・・・・・・アノード部、２ 、４−−−−−−
カソード部、５・・・・・・Ｎ＋層部、６・・・・・・
Ｎ型シリコン基板（ゲート部）、７・・・・・・５Ｉ０
２．８・・・・・Ｐ層。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. Ｎゲートサイリスクにおいて、素子の一主面中央附近に
   平面形状が円形又はほぼ円形のアノード部が設けられ、
   該アノード部から一定間隔だけ離間し、かつ一部が切断
   された同心円状の平面形状を有するカソード部が設けら
   れ、該カソード部はその一部が幅広に形成され、該幅広
   に形成されたカソード部の外周が丸みを持っていること
   を特徴とするＮゲートサイリスク。