JPH087629Y2 - トランジスタ - Google Patents
トランジスタInfo
- Publication number
- JPH087629Y2 JPH087629Y2 JP1990125389U JP12538990U JPH087629Y2 JP H087629 Y2 JPH087629 Y2 JP H087629Y2 JP 1990125389 U JP1990125389 U JP 1990125389U JP 12538990 U JP12538990 U JP 12538990U JP H087629 Y2 JPH087629 Y2 JP H087629Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- base
- transistor
- emitter
- collector
- damper diode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Bipolar Transistors (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】 産業上の利用分野 この考案はトランジスタに関し、特にコレクタ・エミ
ッタ間にダイパーダイオードを有するトランジスタの構
造に関するものである。
ッタ間にダイパーダイオードを有するトランジスタの構
造に関するものである。
従来の技術 現在、トランジスタのコレクタ・エミッタ間にダンパ
ーダイオードを付加する場合、ペレットの有効利用の観
点からエミッタのボンディングパッドの下部を利用して
いる。
ーダイオードを付加する場合、ペレットの有効利用の観
点からエミッタのボンディングパッドの下部を利用して
いる。
第３図は従来のトランジスタのエミッタボンディング
パッド部の断面図を示す。図において、１はコレクタ、
２はコレクタ１に選択的に形成されたベース、３はベー
ス２に選択的に形成されたエミッタ、４はベース2,エミ
ッタ３と部分的に接続されたエミッタ金属電極、５はベ
ース２に接続されたベース金属電極、６はエミッタ金属
電極4,ベース金属電極５とコレクタ1,ベース2,エミッタ
３との短絡を防ぐ絶縁膜である。
パッド部の断面図を示す。図において、１はコレクタ、
２はコレクタ１に選択的に形成されたベース、３はベー
ス２に選択的に形成されたエミッタ、４はベース2,エミ
ッタ３と部分的に接続されたエミッタ金属電極、５はベ
ース２に接続されたベース金属電極、６はエミッタ金属
電極4,ベース金属電極５とコレクタ1,ベース2,エミッタ
３との短絡を防ぐ絶縁膜である。
コレクタ・エミッタ間に付加するダンパーダイオード
は、エミッタ金属電極４を部分的にベース２と短絡させ
ることにより、エミッタ金属電極４とコレクタ１との間
に形成される。
は、エミッタ金属電極４を部分的にベース２と短絡させ
ることにより、エミッタ金属電極４とコレクタ１との間
に形成される。
考案が解決しようとする課題 ところで、上記のようにエミッタ金属電極４がダンパ
ーダイオードを形成するために、ベース２と部分的に接
続されていると、エミッタ金属電極４とベース金属電極
５との間にベース２を介して寄生抵抗が形成される。
ーダイオードを形成するために、ベース２と部分的に接
続されていると、エミッタ金属電極４とベース金属電極
５との間にベース２を介して寄生抵抗が形成される。
第４図は第３図の構造を有するトランジスタの等価回
路図を示す。図において10はトランジスタ、11はトラン
ジスタ10のコレクタ・エミッタ間に形成されるダンパー
ダイオード、12はトランジスタ10のベース・エミッタ間
に形成される寄生抵抗である。
路図を示す。図において10はトランジスタ、11はトラン
ジスタ10のコレクタ・エミッタ間に形成されるダンパー
ダイオード、12はトランジスタ10のベース・エミッタ間
に形成される寄生抵抗である。
上記のようにベース・エミッタ間に寄生抵抗12が形成
されると、トランジスタ10を動作させる場合、ベース電
流が寄生抵抗12を通ってエミッタに流れ、電流増幅率h
FEが通常の寄生抵抗がない場合比べ低くなってしまい、
高い電流増幅率hFEを得るのは困難になる。また、寄生
抵抗12の値を大きくするためには寄生抵抗12の主成分で
あるエミッタ３の下のベース２のピンチ抵抗を大きくす
る必要がある。しかし、ピンチ抵抗を大きくするために
は、エミッタ金属電極４の下のエミッタ３を長くする必
要があり、ペレットの有効利用が計れない。
されると、トランジスタ10を動作させる場合、ベース電
流が寄生抵抗12を通ってエミッタに流れ、電流増幅率h
FEが通常の寄生抵抗がない場合比べ低くなってしまい、
高い電流増幅率hFEを得るのは困難になる。また、寄生
抵抗12の値を大きくするためには寄生抵抗12の主成分で
あるエミッタ３の下のベース２のピンチ抵抗を大きくす
る必要がある。しかし、ピンチ抵抗を大きくするために
は、エミッタ金属電極４の下のエミッタ３を長くする必
要があり、ペレットの有効利用が計れない。
課題を解決するための手段 この考案は上記の課題を解決するために、コレクタ
と、このコレクタに選択的に形成したトランジスタのベ
ースと、このベースに選択的に形成したエミッタと、コ
レクタにトランジスタのベースから分離して形成したダ
ンパーダイオードのベースと、コレクタ，トランジスタ
のベース，エミッタ，ダンパーダイオードのベース上に
形成した絶縁膜と、エミッタ及びダンパーダイオードの
ベース上の絶縁膜にコンタクト用の窓をあけて相互間を
電気的に接続したエミッタ金属電極とを具備したトラン
ジスタであって、ダンパーダイオードのベースをトラン
ジスタのベースで取り囲み、ダンパーダイオードのベー
ス及びトランジスタのベースに挟まれたコレクタ上を絶
縁膜を介してエミッタ金属電極で覆い、それによりトラ
ンジスタhFEの低下を防止し、且つダイオード順方向電
圧を低くしたことを特徴とするものである。
と、このコレクタに選択的に形成したトランジスタのベ
ースと、このベースに選択的に形成したエミッタと、コ
レクタにトランジスタのベースから分離して形成したダ
ンパーダイオードのベースと、コレクタ，トランジスタ
のベース，エミッタ，ダンパーダイオードのベース上に
形成した絶縁膜と、エミッタ及びダンパーダイオードの
ベース上の絶縁膜にコンタクト用の窓をあけて相互間を
電気的に接続したエミッタ金属電極とを具備したトラン
ジスタであって、ダンパーダイオードのベースをトラン
ジスタのベースで取り囲み、ダンパーダイオードのベー
ス及びトランジスタのベースに挟まれたコレクタ上を絶
縁膜を介してエミッタ金属電極で覆い、それによりトラ
ンジスタhFEの低下を防止し、且つダイオード順方向電
圧を低くしたことを特徴とするものである。
作用 上記の構成によると、ダンパーダイオードのベースと
トランジスタのベースを分離したことにより、トランジ
スタのベース・エミッタ間に寄生抵抗が形成されないた
め、電流増幅率hFEが低下することを防止できる。
トランジスタのベースを分離したことにより、トランジ
スタのベース・エミッタ間に寄生抵抗が形成されないた
め、電流増幅率hFEが低下することを防止できる。
しかも、ダンパーダイオードの接合部面積も、深さ方
向にPN接合が形成されることによって、従来構造に比較
して広くとることができ、ダイオードの順方向電圧VFも
低くできる。
向にPN接合が形成されることによって、従来構造に比較
して広くとることができ、ダイオードの順方向電圧VFも
低くできる。
実施例 以下、この考案の実施例について図面を参照して説明
する。
する。
第１図はこの考案の一実施例のエミッタボンディング
パッド部の断面図を示す。図において、１はコレクタ、
２はコレクタ１に選択的に形成したトランジスタのベー
ス、2aはトランジスタのベース２と分離しコレクタ１に
ベース２で取り囲まれたダンパーダイオードのベース、
３はトランジスタのベース２に選択的に形成したエミッ
タ、４はダンパーダイオードのベース2a及びエミッタ３
を電気的に接続したエミッタ金属電極、５はトランジス
タのベース２に電気的に接続したベース金属電極、６は
コレクタ1,トランジスタのベース2,ダンパーダイオード
のベース2a及びエミッタ３上に形成した絶縁膜である。
エミッタ金属電極４は絶縁膜６を介してベース２及び2a
に挟まれたコレクタ１上を覆っている。第２図は第１図
の構造を有するトランジスタの等価回路図を示す。10は
トランジスタ、11はダンパーダイオードである。
パッド部の断面図を示す。図において、１はコレクタ、
２はコレクタ１に選択的に形成したトランジスタのベー
ス、2aはトランジスタのベース２と分離しコレクタ１に
ベース２で取り囲まれたダンパーダイオードのベース、
３はトランジスタのベース２に選択的に形成したエミッ
タ、４はダンパーダイオードのベース2a及びエミッタ３
を電気的に接続したエミッタ金属電極、５はトランジス
タのベース２に電気的に接続したベース金属電極、６は
コレクタ1,トランジスタのベース2,ダンパーダイオード
のベース2a及びエミッタ３上に形成した絶縁膜である。
エミッタ金属電極４は絶縁膜６を介してベース２及び2a
に挟まれたコレクタ１上を覆っている。第２図は第１図
の構造を有するトランジスタの等価回路図を示す。10は
トランジスタ、11はダンパーダイオードである。
上記の構成によれば、ダンパーダイオードのベース2a
とトランジスタのベース２が分離しているため、トラン
ジスタのベース・エミッタ間に寄生抵抗が形成されず、
電流増幅率hFEの低下が防止できる。
とトランジスタのベース２が分離しているため、トラン
ジスタのベース・エミッタ間に寄生抵抗が形成されず、
電流増幅率hFEの低下が防止できる。
上記実施例は、NPN個別半導体装置の例を示したが、
本考案はその他、たとえばPNPトランジスタを内蔵したI
CやLSIにも適用できるものである。
本考案はその他、たとえばPNPトランジスタを内蔵したI
CやLSIにも適用できるものである。
考案の効果 以上説明したように、この考案はダンパーダイオード
のベース2aをトランジスタのベース２から分離し、かつ
ベース２で取り囲み、ベース２及び2aに挟まれたコレク
タ１上を絶縁膜を介してエミッタ金属電極で覆っている
ことにより、トランジスタのベース・エミッタ間に寄生
抵抗が形成されず、その結果、電流増幅率hFEの低下を
防ぐことができる。さらに電流増幅率hFEの低下を防ぐ
ことにより、コレクタ・エミッタ間の飽和電圧VCE(sat)
も低くできるため、トランジスタの小電力化ができる効
果がある。
のベース2aをトランジスタのベース２から分離し、かつ
ベース２で取り囲み、ベース２及び2aに挟まれたコレク
タ１上を絶縁膜を介してエミッタ金属電極で覆っている
ことにより、トランジスタのベース・エミッタ間に寄生
抵抗が形成されず、その結果、電流増幅率hFEの低下を
防ぐことができる。さらに電流増幅率hFEの低下を防ぐ
ことにより、コレクタ・エミッタ間の飽和電圧VCE(sat)
も低くできるため、トランジスタの小電力化ができる効
果がある。
また、ダンパーダイオード部のPNジャンクションの面
積を従来の構造に比べ広くでき、ダンパーダイオードの
順方向電圧VFも低くすることができる。
積を従来の構造に比べ広くでき、ダンパーダイオードの
順方向電圧VFも低くすることができる。
第１図はこの考案の一実施例のトランジスタのエミッタ
ボンディングパッド部の断面図である。 第２図は第１図の構造を有するトランジスタの等価回路
図である。 第３図は従来のダンパーダイオードを形成したトランジ
スタのエミッタボンディングパッド部の断面図である。 第４図は第３図の構造を有するトランジスタの等価回路
図である。 １……コレクタ、２……ベース、2a……ダンパーダイオ
ード部のベース、３……エミッタ、４……エミッタ金属
電極、10……トランジスタ、11……ダンパーダイオー
ド。
ボンディングパッド部の断面図である。 第２図は第１図の構造を有するトランジスタの等価回路
図である。 第３図は従来のダンパーダイオードを形成したトランジ
スタのエミッタボンディングパッド部の断面図である。 第４図は第３図の構造を有するトランジスタの等価回路
図である。 １……コレクタ、２……ベース、2a……ダンパーダイオ
ード部のベース、３……エミッタ、４……エミッタ金属
電極、10……トランジスタ、11……ダンパーダイオー
ド。
Claims (1)
- 【請求項１】コレクタと、このコレクタに選択的に形成
したトランジスタのベースと、このベースに選択的に形
成したエミッタと、前記コレクタに前記ベースから分離
して形成したダンパーダイオードのベースと、前記コレ
クタ，トランジスタのベース，エミッタ，ダンパーダイ
オードのベース上に形成した絶縁膜と、前記エミッタ及
びダンパーダイオードのベース上の絶縁膜にコンタクト
用の窓をあけて相互間を電気的に接続したエミッタ金属
電極とを具備したトランジスタであって、 前記ダンパーダイオードのベースを前記トランジスタの
ベースで取り囲み、前記ダンパーダイオードのベース及
び前記トランジスタのベースに挟まれた前記コレクタ上
を前記絶縁膜を介して前記エミッタ金属電極で覆い、そ
れによりトランジスタhFEの低下を防止し、且つダイオ
ード順方向電圧を低くしたことを特徴とするコレクタ・
エミッタ間にダンパーダイオードを有するトランジス
タ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1990125389U JPH087629Y2 (ja) | 1990-11-27 | 1990-11-27 | トランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1990125389U JPH087629Y2 (ja) | 1990-11-27 | 1990-11-27 | トランジスタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0480047U JPH0480047U (ja) | 1992-07-13 |
| JPH087629Y2 true JPH087629Y2 (ja) | 1996-03-04 |
Family
ID=31872989
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1990125389U Expired - Lifetime JPH087629Y2 (ja) | 1990-11-27 | 1990-11-27 | トランジスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH087629Y2 (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61107773A (ja) * | 1984-10-30 | 1986-05-26 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
| JPS62263674A (ja) * | 1986-05-12 | 1987-11-16 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
-
1990
- 1990-11-27 JP JP1990125389U patent/JPH087629Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0480047U (ja) | 1992-07-13 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |