JPH08767Y2 - 発光素子 - Google Patents
発光素子Info
- Publication number
- JPH08767Y2 JPH08767Y2 JP1986197921U JP19792186U JPH08767Y2 JP H08767 Y2 JPH08767 Y2 JP H08767Y2 JP 1986197921 U JP1986197921 U JP 1986197921U JP 19792186 U JP19792186 U JP 19792186U JP H08767 Y2 JPH08767 Y2 JP H08767Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- sphere
- light
- compound semiconductor
- emitting device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/531—Shapes of wire connectors
- H10W72/536—Shapes of wire connectors the connected ends being ball-shaped
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/531—Shapes of wire connectors
- H10W72/5363—Shapes of wire connectors the connected ends being wedge-shaped
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
- H10W72/874—On different surfaces
- H10W72/884—Die-attach connectors and bond wires
Description
【考案の詳細な説明】 （イ） 産業上の利用分野 本考案は特に距離測定投光用に好適な球体を有した発
光素子に関する。
光素子に関する。
（ロ） 従来の技術 従来より光束を絞り、又は光取出効率をあげるために
化合物半導体からなる発光ダイオードの上に透光性の球
体（マイクロレンズ）を載置することがなされており、
これは例えば特開昭60-140771号公報や特開昭60-161684
号公報に示されている。この様な発光素子においては略
立方体の発光ダイオードの中央部に球体を載置してお
り、光通信とか光ファイバー用に用いられている。そし
て自動焦点装置等の距離を測定するに用いる投光用の発
光素子においても球体を用いる事は効果が高いが、生産
性があまりよくない。それは、第１に配線材（例えばビ
ームリード又はワイヤボンド細線）が球体の載置等に支
障を生じない様にするため、半導体（発光ダイオード）
の一辺の大きさが大きくなることである。これは単にウ
エハ１枚あたりの取り数が減少するのみならず、これら
の発光素子では電流狭窄手段等の工夫をする事が多く、
不良を生じやすいので、取り数が少ないとこれら不良の
全体に占める率が高くなる。
化合物半導体からなる発光ダイオードの上に透光性の球
体（マイクロレンズ）を載置することがなされており、
これは例えば特開昭60-140771号公報や特開昭60-161684
号公報に示されている。この様な発光素子においては略
立方体の発光ダイオードの中央部に球体を載置してお
り、光通信とか光ファイバー用に用いられている。そし
て自動焦点装置等の距離を測定するに用いる投光用の発
光素子においても球体を用いる事は効果が高いが、生産
性があまりよくない。それは、第１に配線材（例えばビ
ームリード又はワイヤボンド細線）が球体の載置等に支
障を生じない様にするため、半導体（発光ダイオード）
の一辺の大きさが大きくなることである。これは単にウ
エハ１枚あたりの取り数が減少するのみならず、これら
の発光素子では電流狭窄手段等の工夫をする事が多く、
不良を生じやすいので、取り数が少ないとこれら不良の
全体に占める率が高くなる。
またこれらの発光素子においては球体の位置合せ、載
置作業について先にあげた資料では半導体に穴をあけた
り、位置決め専用突起を設けて工夫しているが、いずれ
も煩雑な作業を伴い好ましくない。
置作業について先にあげた資料では半導体に穴をあけた
り、位置決め専用突起を設けて工夫しているが、いずれ
も煩雑な作業を伴い好ましくない。
（ハ） 考案が解決しようとする問題点 本考案は上述の点を考慮してなされたもので、生産性
がよい発光素子を提供するものである。
がよい発光素子を提供するものである。
（ニ） 問題点を解決するための手段 本考案は表面菱形の化合物半導体の上に球体を載置し
たもので、より好ましくは菱形の短い方の対角線の長さ
を球体の直径と略等しい長さとするものである。
たもので、より好ましくは菱形の短い方の対角線の長さ
を球体の直径と略等しい長さとするものである。
（ホ） 作用 これにより複雑な素子形状をとる事なく配線部分を球
体載置部から突出させることができ、不必要に素子が大
きくなる事もなく、さらに球体と化合物半導体との外形
が略等しいので載置しやすい。
体載置部から突出させることができ、不必要に素子が大
きくなる事もなく、さらに球体と化合物半導体との外形
が略等しいので載置しやすい。
（ヘ） 実施例 第１図は本考案実施例の発光素子の斜視図で、第２図
はその発光素子を用いた投光器の要部断面図である。こ
れらの図において（１）はGaAs赤外発光ダイオードまた
はシングルヘテロ接合発光ダイオードもしくはダブルヘ
テロ接合発光ダイオード等の化合物半導体で、発光PN接
合（11）を有したGaAlAs/GaAs等からなり、より好まし
くはPN逆バイアス構造等からなる電流狭窄手段（12）
（12）により、略中央部にのみ円形等の電流集中領域
（13）が設けてある。そして裏面には全面にオーミック
電極（14）が設けてあるが、表面には略中央部が光取出
部（15）になるように周辺部に囲繞電極（16）が設けて
ある。そしてこの化合物半導体（１）は略菱餅状をなし
ているので、囲繞電極（16）は中央に円形の孔を有した
菱形をしている。（２）はこの光取出部（15）に載置さ
れたガラス球等からなる透光性の球体である。
はその発光素子を用いた投光器の要部断面図である。こ
れらの図において（１）はGaAs赤外発光ダイオードまた
はシングルヘテロ接合発光ダイオードもしくはダブルヘ
テロ接合発光ダイオード等の化合物半導体で、発光PN接
合（11）を有したGaAlAs/GaAs等からなり、より好まし
くはPN逆バイアス構造等からなる電流狭窄手段（12）
（12）により、略中央部にのみ円形等の電流集中領域
（13）が設けてある。そして裏面には全面にオーミック
電極（14）が設けてあるが、表面には略中央部が光取出
部（15）になるように周辺部に囲繞電極（16）が設けて
ある。そしてこの化合物半導体（１）は略菱餅状をなし
ているので、囲繞電極（16）は中央に円形の孔を有した
菱形をしている。（２）はこの光取出部（15）に載置さ
れたガラス球等からなる透光性の球体である。
このような発光素子は、例えば導体ステム（30）等に
導電性接着剤で固定されるが、その配線は、囲繞電極
（16）の長い方の対角線上においてワイヤボンド細線
（31）等で行なわれる。また球体（２）は囲繞電極（1
6）の孔に落とし込まれるが、孔（光取出部（15））は
球体（２）の接触面積より大きく設ける方が光取出効率
がよいので中心の位置合せが必要となる。この時囲繞電
極（16）の短い方の対角線の長さと球体（２）の直径と
を略同じ長さにしておけば位置合せは容易である。尚、
より正確な中心の位置合せが必要な時には、囲繞電極
（16）の長い方の対角線上に、球体（２）の端部に対す
る位置合せマークとなる30μｍ程度の凹部（17）（17）
を設けておけばよい。また球体（２）が動かない様、固
着剤（４）もしくは粘着剤を用いてもよい。さらに、投
光用にするには球体（２）の屈折率（ガラスの時1.9）
が大きすぎ、光束が細くなりすぎて距離測定に不都合な
ことが多い。この場合は発光素子全体を透光性樹脂の被
膜（５）で覆うと球体（２）の集光特性を減じた形で投
光出来るので好ましい。
導電性接着剤で固定されるが、その配線は、囲繞電極
（16）の長い方の対角線上においてワイヤボンド細線
（31）等で行なわれる。また球体（２）は囲繞電極（1
6）の孔に落とし込まれるが、孔（光取出部（15））は
球体（２）の接触面積より大きく設ける方が光取出効率
がよいので中心の位置合せが必要となる。この時囲繞電
極（16）の短い方の対角線の長さと球体（２）の直径と
を略同じ長さにしておけば位置合せは容易である。尚、
より正確な中心の位置合せが必要な時には、囲繞電極
（16）の長い方の対角線上に、球体（２）の端部に対す
る位置合せマークとなる30μｍ程度の凹部（17）（17）
を設けておけばよい。また球体（２）が動かない様、固
着剤（４）もしくは粘着剤を用いてもよい。さらに、投
光用にするには球体（２）の屈折率（ガラスの時1.9）
が大きすぎ、光束が細くなりすぎて距離測定に不都合な
ことが多い。この場合は発光素子全体を透光性樹脂の被
膜（５）で覆うと球体（２）の集光特性を減じた形で投
光出来るので好ましい。
上記構成により、例えば直径500μｍの球体（２）に
対し、従来は１辺が700μｍの正方形をなした半導体を
用いており、１枚のウエハから1500個の半導体を得てい
たが、本考案によると短い方の対角線500μｍ、長い方
の対角線600μｍの菱形とし、同じ寸法のウエハから250
0個の半導体を得ることができた。
対し、従来は１辺が700μｍの正方形をなした半導体を
用いており、１枚のウエハから1500個の半導体を得てい
たが、本考案によると短い方の対角線500μｍ、長い方
の対角線600μｍの菱形とし、同じ寸法のウエハから250
0個の半導体を得ることができた。
（ト） 考案の効果 以上のように本考案によれば、複雑な素子形状をとる
事なく配線部分を球体載置部から突出させることがで
き、不必要に素子が大きくなる事もない。さらに球体の
直径と化合物半導体の表面対角線の１つが略等しいの
で、球体の載置作業は半導体の端縁を基準にして容易に
行うことができ、大量生産においても作業性がよい、と
いう格別な効果を奏することがでる。
事なく配線部分を球体載置部から突出させることがで
き、不必要に素子が大きくなる事もない。さらに球体の
直径と化合物半導体の表面対角線の１つが略等しいの
で、球体の載置作業は半導体の端縁を基準にして容易に
行うことができ、大量生産においても作業性がよい、と
いう格別な効果を奏することがでる。
第１図は本考案実施例の発光素子の斜視図で、第２図は
その発光素子を用いた投光器の要部断面図である。 （１）……化合物半導体、（15）……光取出部、（16）
……囲繞電極、（２）……球体。
その発光素子を用いた投光器の要部断面図である。 （１）……化合物半導体、（15）……光取出部、（16）
……囲繞電極、（２）……球体。
Claims (1)
- 【請求項１】化合物半導体の表面の略中央部が光取出部
になるように表面周辺部に囲繞電極を有し、その光取出
部に透光性の球体を載置した発光素子において、その化
合物半導体は表面が菱形をした四角柱とするとともに、
前記菱形表面は前記球体の直径と略等しい長さの対角線
と、その長さより長い対角線とを有している事を特徴と
する発光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1986197921U JPH08767Y2 (ja) | 1986-12-22 | 1986-12-22 | 発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1986197921U JPH08767Y2 (ja) | 1986-12-22 | 1986-12-22 | 発光素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63102264U JPS63102264U (ja) | 1988-07-02 |
| JPH08767Y2 true JPH08767Y2 (ja) | 1996-01-10 |
Family
ID=31158132
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1986197921U Expired - Lifetime JPH08767Y2 (ja) | 1986-12-22 | 1986-12-22 | 発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08767Y2 (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5322386A (en) * | 1976-08-12 | 1978-03-01 | Sanyo Electric Co Ltd | Polarity identifying method of light emitting diode pellets |
| JPS5961127A (ja) * | 1982-09-30 | 1984-04-07 | Fujitsu Ltd | 液相エピタキシヤル成長方法 |
-
1986
- 1986-12-22 JP JP1986197921U patent/JPH08767Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63102264U (ja) | 1988-07-02 |
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