JPH0878603A - メモリ装置 - Google Patents

メモリ装置

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JPH0878603A
JPH0878603A JP6209953A JP20995394A JPH0878603A JP H0878603 A JPH0878603 A JP H0878603A JP 6209953 A JP6209953 A JP 6209953A JP 20995394 A JP20995394 A JP 20995394A JP H0878603 A JPH0878603 A JP H0878603A
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JP
Japan
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memory
memory device
electrode
hemispherical
protruding
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Withdrawn
Application number
JP6209953A
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English (en)
Inventor
Yoshitaka Katayama
儀高 片山
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
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Publication of JPH0878603A publication Critical patent/JPH0878603A/ja
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Abstract

(57)【要約】 【目的】全固体型のメモリの利点を活かしつつその着脱
を安全かつ容易にする。 【構成】このメモリカセットは、メモリ本体1内にメモ
リ素子2を内蔵し、メモリ本体1自体が対応するソケッ
ト10に着脱されるメモリ装置であって、メモリ本体1
の縁部側壁に、メモリ素子2に接続された複数の半球状
の突起電極4を形成している。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば高密度化したデ
ィジタルデータが記録されたメモリカセットなどのメモ
リ装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来から、DRAMなどに代表されるI
Cメモリ装置の高集積化技術の進歩は目ざましく、約3
年でその容量が4倍増加すると言われている。
【0003】この高集積化技術の延長線上にはCD(コ
ンパクトディスク)にとって代わる全固体型のメモリ装
置、いわゆるメモリカセットがある。このメモリカセッ
トは小さく軽量であり、かつ可搬性、対衝撃性に優れ、
高い信頼性をもつものであり、広範囲の応用が期待され
ている。
【0004】ところで、このメモリカセットが、例えば
可搬型CDプレーヤやオーディオカセットプレーヤなど
のようなポータブルオーディオ機器に応用された場合、
レコード会社から販売されるメモリカセットには、通常
のCDと同様、音楽情報がディジタル化された形で記憶
される。その容量は約 500MB(メガバイト)などと大
容量で音楽情報のみならずデータ圧縮による動画情報も
記憶することも可能である。
【0005】この際、図3に示すように、メモリカセッ
ト31は、専用のプレーヤ32に装着して再生される。
【0006】まずメモリカセット31をプレーヤ32の
所定位置に配設されたICソケット33に挿入する。
【0007】続いてスタートボタン34を押すと、第1
の曲番号より順に演奏される。勿論、別の曲をダイレク
トに選曲することも可能で、操作性の点でもCDプレー
ヤをはるかに凌ぐものである。
【0008】このメモリカセット31は、データを高度
に集積して記録しているため、その外形(大きさ)も小
さく、複数のメモリカセットの持ち運ぶには何の苦もな
い。しかしながら、これらのメモリカセット31の着脱
(交換)については手間が掛かる上、危険でさえある。
【0009】すなわち、図4に示すように、メモリカセ
ット31は、通常のICと同様に端子41が鋭利なくさ
び形をしており、素手で着脱する際、鋭利な部分で指を
裂傷する危険がある。またメモリカセット31をポケッ
トなどに入れて持ち運ぶ場合にも衣服に傷をつけたりす
るためこの端子41の形状は良好な形状とは言えない。
さらに、メモリカセット31の一端をICカードなど
と同様にピン−コネクタ形式にした場合、図4で説明し
たような危険性はないものの、図5に示すように、対応
するコネクタ51の内部にゴミが入り込み接触不良など
になる可能性がある。また落下などによってピンが変形
する恐れがあり、可搬性、取扱い易さの点で好適ではな
い。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、メモ
リ装置は高集積化技術の進歩に伴い可搬性CDプレーヤ
などのようなポータブルオーディオ機器にとって代わる
可能性が考えられるが、その端子形状が通常のICと同
じ、くさび形などでは、交換時や持ち運び時などに手や
衣服を傷つける危険性がある。またICカードと同様な
コネクタ形式にした場合にもコネクタ内部にゴミが詰ま
る危険性があり、接触不良や落下時の変形など使用者に
対して極めて慎重な扱いを要求する神経質なシステムと
なりこの優れたシステムの普及にブレーキをかける要因
になる。
【0011】本発明はこのような課題を解決するために
なされたもので、全固体型のメモリの利点を活かしなが
ら、その着脱を安全かつ容易にし、接触不良の原因を回
避すると共に落下衝撃にも端子の変形などを起こすこと
のない端子形状を有するメモリ装置を提供することを目
的としている。
【0012】
【課題を解決するための手段】上記した目的を達成する
ために、請求項1記載のZは、本体内にメモリ素子を内
蔵し、前記本体自体が対応するソケットに着脱されるメ
モリ装置において、前記本体の縁部側壁に、前記メモリ
素子に接続された複数の突起電極を形成してなることを
特徴とする。
【0013】請求項2記載のメモリ装置は、請求項1記
載のメモリ装置において、前記突起電極を半球状に形成
したことを特徴とする。
【0014】請求項3記載のメモリ装置は、請求項1記
載のメモリ装置において、前記突起電極に金メッキを施
したことを特徴とする請求項4記載のメモリ装置は、請
求項1記載のメモリ装置において、前記突起電極を薄延
した金属で形成したことを特徴とする。
【0015】請求項5記載のメモリ装置は、請求項2記
載のメモリ装置において、前記半球状の突起電極内に非
導電性材料を充填したことを特徴とする。
【0016】請求項6記載のメモリ装置は、請求項2記
載のメモリ装置において、前記半球状の突起電極内に導
電性の金属材料を充填したことを特徴とする。
【0017】
【作用】請求項1記載の発明では、本体の縁部側壁に複
数の突起電極を形成したことにより、ソケットに装着し
たときに接触不良の原因を回避できると共にソケットか
らの不用意な脱落事故の発生も防止することができる。
【0018】また請求項2記載の発明では、突起電極を
半球状としたことにより、ソケットとの着脱が安全かつ
容易になり、落下衝撃にも端子の変形などを起こすこと
がなくなる。
【0019】さらに請求項3記載の発明では、突起電極
に金メッキを施したことにより、ソケット側の電極との
導通性および対摩擦性が向上する。
【0020】また請求項4記載の発明では、突起電極を
薄延した金属で形成したことにより、本体への固定が安
定して行え、しかも電極板に突起電極を単独で固着する
よりも強度が向上する。
【0021】さらに請求項5記載の発明では、半球状の
突起電極内に非導電性材料を充填したことによりホール
ド性が向上すると共に半円球状の突起電極の強度が向上
する。 請求項6記載の発明では、半球状の突起電極内
に導電性の金属材料を充填したことによりホールド性が
向上すると共に半円球状の突起電極の強度が向上する。
【0022】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して詳細
に説明する。
【0023】図1(a)は本発明の一実施例のメモリカ
セットを示す平面図、図1(b)は図1(a)のA−A
´断面図、図1(c)は同メモリカセットの側面図、図
2はこのメモリカセットをソケットに装着した状態を示
す図である。
【0024】図1(a)、(b)および(c)におい
て、1はメモリ本体としてのパッケージであり、非導電
性樹脂などの材料でほぼ上面がフラットな長方形の6面
体に形成されている。このパッケージ1内には、メモリ
素子2がモールドされている。このメモリ素子2は、半
導体集積回路により構成されており、約 600MB(メガ
バイト)程度の記録容量をもっている。このメモリ素子
2には高密度化されたディジタルデータ、例えばオーデ
ィオ信号などが記録されている。
【0025】このパッケージ1の縁部側壁には、内部の
メモリ素子2とボンディングワイヤなどにより接続され
た複数の電極板3が固着されている。これらの電極板3
の中央部には、ほぼ半球状の突起電極4が形成されてい
る。この突起電極4の形状をほぼ半球状としたのは、単
位面積当たりの当接力を増加させる一方、使用者に危険
を及ぼさないよう考慮したことによる。
【0026】この突起電極4は、各電極板3を導電性の
金属板で形成するときに同時に加工を施し形成したもの
である。この半球状の突起電極4を中心にその上下方向
に延長して電極板3が形成されているのでパッケージ1
への固定が安定して行え、しかも電極板3に突起電極4
を単独で固着するよりも強度が向上している。またこの
突起電極4を含む電極板3には、金メッキ加工が施され
ている。これによりソケット側の電極との導通性および
対摩擦性が向上している。またこの半円球状の突起電極
4の裏には、パッケージ1を形成するときに予め半球状
の突起部が形成されており、金属板の突起電極4に嵌合
されホールド性が向上すると共に半円球状の突起電極4
の強度が向上する。
【0027】このメモリカセットの場合、図3に示した
ような専用のプレーヤに着脱される。 専用のプレーヤ
には、図2に示すように、ソケット10が設けられてい
る。このソケット10には、メモリ本体1の突起電極4
にそれぞれ対応する電極板11が設けられている。各電
極板11はメモリ本体1の突起電極4に対応する部分の
形状が円弧状に形成されて弾性がもたされ、メモリ本体
1を装着したときに適度な押圧力が加えられ、これによ
り接触不良の防止と脱落防止とを兼ねている。
【0028】このように本実施例のメモリカセットによ
れば、突起電極4の形状を半球状としたことによりソケ
ット10に装着したとき、その電極板11との押圧力
(単位面積当たり)が増加するので、接触不良を防止す
ることができると共にソケット10の形状を円弧状にし
たことにより不用意な脱落事故の発生も防止することが
できる。
【0029】また、半球状の突起電極4を設けたことに
よりメモリ本体1をソケット10に着脱時に手や衣服の
裂傷を招くことがなく危険を回避することができる。
【0030】なお本実施例では、フラットパッケージ形
状のメモリ本体1の両側の壁面2面のみに半球状に突起
電極を形成した例を示したが、この他、メモリ本体1の
側壁部の6面全てに対して形成することも可能であり、
本発明の主旨を逸脱することのない範囲で応用できるも
のである。
【0031】また本実施例では、半球状の突起電極4内
に非導電性材料を充填したが、パッケージと異なる導電
性の金属材料を充填してもよい。
【0032】この場合、突起電極4の強度がさらに向上
する。
【0033】さらに本発明は、オーディオおよび映像関
係のディジタルデータを記録したメモリ装置のみに拘わ
れるものではなく、例えばソケットに着脱可能なICデ
バイス全てに対して適用可能であることは言うまでもな
い。
【0034】
【発明の効果】以上説明したように請求項1記載の発明
によれば、突出電極を形成したことにより単位面積当た
りの押圧力が向上し接触不良を防止することができると
共にソケット側の電極形状を考慮することにより不用意
な脱落事故をも防止することができる。
【0035】また請求項2記載の発明によれば、半球状
に電極を形成したことにより、着脱が安全かつ容易にな
り、手や衣服の裂傷を招くことがなく危険を回避するこ
とができる。また落下衝撃にも端子の変形などを起こす
ことがなくなる。
【0036】さらに請求項3記載の発明によれば、突起
電極に金メッキを施したことにより、ソケット側の電極
との導通性および対摩擦性が向上する。
【0037】また請求項4記載の発明によれば、本体へ
の固定が安定して行え、しかも電極板に突起電極を単独
で固着するよりも強度が向上する。
【0038】さらに請求項5および6記載の発明によれ
ば、半球状の突起電極内に非導電性材料または導電性の
金属材料を充填したことにより本体へのホールド性が向
上すると共に半円球状の突起電極の強度が向上する。
【図面の簡単な説明】
【図1】(a)本発明に係る一実施例のメモリカセット
を示す平面図である。 (b)図1のA−A´断面図である。 (c)図1の側面図である。
【図2】図1のメモリカセットをソケットに装着した状
態を示す図である。
【図3】従来のメモリ装置の使用方法を説明するための
図である。
【図4】従来のメモリ装置の端子形状を示す図である。
【図5】従来のメモリ装置に対応するコネクタ形状を示
す図である。
【符号の説明】
1…パッケージ(カセットメモリ本体)、2…メモリ素
子、3…端子、4…突起電極、10…ソケット、11…
電極板。

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 本体内にメモリ素子を内蔵し、前記本体
    自体が対応するソケットに着脱されるメモリ装置におい
    て、 前記本体の縁部側壁に、前記メモリ素子に接続された複
    数の突起電極を形成してなることを特徴とするメモリ装
    置。
  2. 【請求項2】 請求項1記載のメモリ装置において、 前記突起電極を半球状に形成したことを特徴とするメモ
    リ装置。
  3. 【請求項3】 請求項1記載のメモリ装置において、 前記突起電極に金メッキを施したことを特徴とするメモ
    リ装置。
  4. 【請求項4】 請求項1記載のメモリ装置において、 前記突起電極を薄延した金属で形成したことを特徴とす
    るメモリ装置。
  5. 【請求項5】 請求項2記載のメモリ装置において、 前記半球状の突起電極内に非導電性材料を充填したこと
    を特徴とするメモリ装置。
  6. 【請求項6】 請求項2記載のメモリ装置において、 前記半球状の突起電極内に導電性の金属材料を充填した
    ことを特徴とするメモリ装置。
JP6209953A 1994-09-02 1994-09-02 メモリ装置 Withdrawn JPH0878603A (ja)

Priority Applications (1)

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JP6209953A JPH0878603A (ja) 1994-09-02 1994-09-02 メモリ装置

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JP6209953A JPH0878603A (ja) 1994-09-02 1994-09-02 メモリ装置

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JPH0878603A true JPH0878603A (ja) 1996-03-22

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ID=16581406

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JP6209953A Withdrawn JPH0878603A (ja) 1994-09-02 1994-09-02 メモリ装置

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JP (1) JPH0878603A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020069276A (ko) * 2001-02-24 2002-08-30 주식회사 글로텍 모듈용 소켓 타입 멀티플 라인 그리드 어레이 패키지

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020069276A (ko) * 2001-02-24 2002-08-30 주식회사 글로텍 모듈용 소켓 타입 멀티플 라인 그리드 어레이 패키지

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Date Code Title Description
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20011106