JPH0883817A - 半導体集積回路およびその製造方法 - Google Patents

半導体集積回路およびその製造方法

Info

Publication number
JPH0883817A
JPH0883817A JP6216137A JP21613794A JPH0883817A JP H0883817 A JPH0883817 A JP H0883817A JP 6216137 A JP6216137 A JP 6216137A JP 21613794 A JP21613794 A JP 21613794A JP H0883817 A JPH0883817 A JP H0883817A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
metal
integrated circuit
semiconductor device
semiconductor integrated
electrode pad
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP6216137A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiroaki Yadokoro
博明 谷所
Tsunetaro Nose
恒太郎 能勢
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Materials Corp
Original Assignee
Mitsubishi Materials Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Materials Corp filed Critical Mitsubishi Materials Corp
Priority to JP6216137A priority Critical patent/JPH0883817A/ja
Publication of JPH0883817A publication Critical patent/JPH0883817A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/90—Bond pads, in general
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
    • H10W70/60—Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers
    • H10W70/67—Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers characterised by their insulating layers or insulating parts
    • H10W70/68—Shapes or dispositions thereof
    • H10W70/682—Shapes or dispositions thereof comprising holes having chips therein
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
    • H10W70/60—Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers
    • H10W70/67—Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers characterised by their insulating layers or insulating parts
    • H10W70/68—Shapes or dispositions thereof
    • H10W70/685—Shapes or dispositions thereof comprising multiple insulating layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/01—Manufacture or treatment
    • H10W72/015—Manufacture or treatment of bond wires
    • H10W72/01551—Changing the shapes of bond wires
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071—Connecting or disconnecting
    • H10W72/0711—Apparatus therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071—Connecting or disconnecting
    • H10W72/0711—Apparatus therefor
    • H10W72/07141—Means for applying energy, e.g. ovens or lasers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071—Connecting or disconnecting
    • H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071—Connecting or disconnecting
    • H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
    • H10W72/07511—Treating the bonding area before connecting, e.g. by applying flux or cleaning
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071—Connecting or disconnecting
    • H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
    • H10W72/07521—Aligning
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071—Connecting or disconnecting
    • H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
    • H10W72/07551—Connecting or disconnecting of bond wires characterised by changes in properties of the bond wires during the connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H10W72/531—Shapes of wire connectors
    • H10W72/536—Shapes of wire connectors the connected ends being ball-shaped
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H10W72/531—Shapes of wire connectors
    • H10W72/5363—Shapes of wire connectors the connected ends being wedge-shaped
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H10W72/541—Dispositions of bond wires
    • H10W72/5434—Dispositions of bond wires the connected ends being on auxiliary connecting means on bond pads, e.g. on other bond wires
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H10W72/541—Dispositions of bond wires
    • H10W72/5445—Dispositions of bond wires being orthogonal to a side surface of the chip, e.g. parallel arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H10W72/551—Materials of bond wires
    • H10W72/552—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver
    • H10W72/5522—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver comprising gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H10W72/59—Bond pads specially adapted therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/90—Bond pads, in general
    • H10W72/921—Structures or relative sizes of bond pads
    • H10W72/926—Multiple bond pads having different sizes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/90—Bond pads, in general
    • H10W72/931—Shapes of bond pads
    • H10W72/932—Plan-view shape, i.e. in top view
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00—Package configurations
    • H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
    • H10W90/754—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL

Landscapes

  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 実装コストの低減が図られた半導体集積回路
およびその製造方法を提供する。 【構成】 金属リブ１６上に金属球体１４を配置し、そ
の金属球体１４と半導体デバイス１５の電極パッド１８
ａ，１８ｂとを金線１３でボンディングした。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高周波帯域の信号を伝
送させるのに好適な半導体集積回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】図４は、従来の半導体集積回路の組み立
てた状態を示す図である。この半導体集積回路には、Ｇ
ａＡｓ（ガリウム・ヒ素）基板上に形成された、ＨＥＭ
Ｔ（Ｈｉｇｈ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｏｂｉｌｉｔｙ
Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を基本素子とした半導体デバイ
ス１５が備えられている。この半導体デバイス１５の厚
みは、およそ１００μｍであり、その表面にはグラウン
ドと接続される２つのソース電極パッド１８ａ，１８ｂ
と、伝送ラインと接続される４つの信号電極パッド１９
ａ，１９ｂ，１９ｃ，１９ｄとが備えられている。
【０００３】また、半導体デバイス１５の長手方向の両
側には回路基板１１，１２が配置されており、これら回
路基板１１，１２に、高周波帯域の信号を伝送させるた
めの伝送ライン１１ａ，１２ａがそれぞれ形成されてい
る。ここで回路基板１１，１２の板厚は、半導体デバイ
ス１５の厚み１００μｍより大きくなっている。そこで
ソース電極パッド１８ａ，１８ｂ，信号電極パッド１９
ａ，１９ｂ，１９ｃ，１９ｄの高さ位置と、伝送ライン
１１ａ，１２ａの高さ位置とを一致させるため、半導体
デバイス１５が金属リブ１６に載置されている。また、
金属リブ１６と回路基板１１，１２は、グラウンド電位
に保持された金属キャリア１７に載置されている。
【０００４】また、外径寸法２０μｍφを有する金線１
３で、ソース電極パッド１８ａ，１８ｂが金属リブ１６
に、信号電極パッド１９ａ，１９ｂが伝送ライン１１ａ
に、信号電極パッド１９ｃ，１９ｄが伝送ライン１２ａ
にそれぞれボンディングされている。このようにして半
導体集積回路が組み立てられている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】前述したように、半導
体デバイス１５は金属リブ１６に載置され、信号電極パ
ッド１９ａ，１９ｂ，１９ｃ，１９ｄの高さ位置と伝送
ライン１１ａ，１２ａの高さ位置とが一致しているた
め、信号電極パッド１９ａ，１９ｂ，１９ｃ，１９ｄと
伝送ライン１１ａ，１２ａは、金線１３で最も短くボン
ディングされている。
【０００６】一方、ソース電極パッド１８ａ，１８ｂの
高さ位置は、金属リブ１６の、ボンディングされる部分
の高さ位置と比較し、半導体デバイス１５の厚み１００
μｍ分だけ高くなっており、ソース電極パッド１８ａ，
１８ｂと金属リブ１６は、その厚みが含まれた長さの金
線１３でボンディングされている。図５は、図４に示す
半導体集積回路のＡ−Ａ断面図である。
【０００７】半導体デバイス１５のソース電極パッド１
８ａ，１８ｂと金属リブ１６は外径寸法２０μｍφの金
線１３でボンディングされている。この金線１３の長さ
は、半導体デバイス１５の厚みｈ、即ち１００μｍを含
む少なくとも３００〜４００μｍ程度必要とされる。こ
こで、高周波帯域において、この金線１３の長さが３０
０μｍを超えると、金線１３の有する誘導成分の増加に
伴い、金線１３のインピーダンスも増加し、ソース電極
パッド１８ａ，１８ｂのグラウンド電位が上昇し、半導
体集積回路の伝送特性が低下し、半導体集積回路の動作
不良の要因とされ問題がある。
【０００８】そこでこの要因を取り除くために、金線１
３の長さが短くなるように工夫された半導体集積回路が
提案されている。図６は、金属リブ１６に設けられた凹
部に半導体デバイス１５が嵌め込まれた状態を示す断面
図である。このように半導体デバイス１５を金属リブ１
６に設けられた凹部に嵌め込むことにより、半導体デバ
イス１５のソース電極パッド１８ａ，１８ｂの高さ位置
と、金属リブ１６の、ボンディングされる部分の高さ位
置とを一致させ、金線１３の長さを短くすることによ
り、金線１３のインピーダンスが小さくなり、半導体集
積回路の伝送特性の向上が図られている。
【０００９】図７は、半導体デバイス１５と２つの金属
コラム７１ａ，７１ｂが金属リブ１６に載置された状態
を示す断面図である。このように半導体デバイス１５の
両側に、半導体デバイス１５の厚みと同じ厚みを有す
る、グラウンド電位に固定された２つの金属コラム７１
ａ，７１ｂを配置することにより、半導体デバイス１５
のソース電極パッド１８ａ，１８ｂの高さ位置と、金属
コラム７１ａ，７１ｂの、ボンディングされる部分の高
さ位置とを一致させ、金線１３の長さを短くしている。
【００１０】しかし、図６に示す半導体集積回路におい
ては、金属リブ１６に凹部を形成するための微細な金属
加工が必要とされる。この微細な金属加工は手間がかか
り、さらに加工された凹部に半導体デバイス１５を嵌め
込む手間も含め、実装コストが高くなるという問題があ
る。一方、図７に示す半導体集積回路においても２つの
金属コラム７１ａ，７１ｂを製作するための必要とされ
る。このため、これら部品の増加と、加工の手間との双
方について費用が発生し、やはり実装コストが高くなる
という問題がある。
【００１１】本発明は、上記事情に鑑み、実装コストの
低減が図られた半導体集積回路およびその製造方法を提
供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明の半導体集積回路は、グラウンドと接続される電極パ
ッドを有する半導体デバイスと、その半導体デバイスが
載置され、その半導体デバイスの電極パッドと接続され
る金属リブとを備えた半導体集積回路において、 （１）上記金属リブ上に配置された金属球体 （２）上記金属球体と上記電極パッドとの双方にボンデ
ィングされた金属ワイヤを備えたことを特徴とするもの
である。
【００１３】また、上記半導体集積回路を製造する本発
明の製造方法は、グラウンドと接続される電極パッドを
有する半導体デバイスと、その半導体デバイスが載置さ
れ、その半導体デバイスの電極パッドと接続される金属
リブとを備えた半導体集積回路の製造方法において、ボ
ールボンダを用いて上記金属リブ上に金属球体をボンデ
ィングし、さらにその金属球体の上部と上記電極パッド
とを金属ワイヤでボンディングすることを特徴とするも
のである。
【００１４】
【作用】本発明の半導体集積回路は、金属リブ上に金属
球体がボンディングされており、その金属球体の体積は
金属ワイヤの体積よりも十分大きいため、高周波帯域に
おける金属球体のインピーダンスは小さく、その金属球
体は、金属リブのグラウンド電位と同等のグラウンド電
位を有する。したがって、従来技術のように金属リブに
凹部を形成するための微細な金属加工を行うこともな
く、また半導体デバイスの両側に金属コラムを配置する
こともなく、半導体デバイスの電極パッドの高さ位置と
同等な高さ位置にグラウンド電位の部分が、簡単な工程
で容易に得られ、実装コストが低減される。
【００１５】さらに、半導体デバイスの電極パッドと、
その電極パッドと同等な高さ位置の、金属球体の部分と
が金属ワイヤでボンディングされているため、金属ワイ
ヤが短くて済み、金属ワイヤのインピーダンスが低減さ
れ、高周波帯域において、伝送特性の低下が少なく安定
した半導体集積回路が構成される。
【００１６】
【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。図
１は、本発明の一実施例の半導体集積回路の、組み立て
た状態を示す斜視図、図２は、図１に示す半導体集積回
路のＡ−Ａ断面図である。図１、図２において、前述し
た従来例（図４）と同一の構成要素には同一の番号を付
して示し、相違点についてのみ説明する。
【００１７】図１に示す半導体集積回路は、図４に示す
半導体回路と比較すると、図４に示すソース電極パッド
１８ａ，１８ｂと金属リブ１６とが金線１３で直接ボン
ディングされていることに代わり、金属リブ１６に金属
球体１４がボンディングされているとともに、その金属
球体１４の上部とソース電極パッド１８ａ，１８ｂと
が、図４に示す金線１３より短い金線１３でボンディン
グされている。
【００１８】図２に示すように、金属球体１４の高さ寸
法は、半導体デバイス１５の厚みと同等の寸法、即ちお
よそ１００μｍに形成されている。この金属球体１４の
体積は、図４に示す金線１３の体積と比較し十分大き
く、高周波帯域における金属球体１４のインピーダンス
は十分小さく、この金属球体１４は金属リブ１６のグラ
ウンド電位と同等のグラウンド電位を有する。
【００１９】また、金属球体１４の上部のボンディング
位置は、半導体デバイス１５のソース電極パッド１８
ａ，１８ｂの高さ位置と同じ高さのため、これらをボン
ディングしている金線１３は短くて済み、これに伴い金
線１３のインピーダンスも小さく、金属球体１４のイン
ピーダンスと相まって半導体デバイス１５のソース電極
パッド１８ａ，１８ｂと金属リブ１６との間のインピー
ダンスが小さくなっている。
【００２０】図３は、本発明の一実施例の半導体集積回
路の製造過程を示す図である。先ず、図３（ａ）に示す
ように、ボールボンダのワイヤボンディングツールであ
るキャピラリ３１の先端から押し出された金線１３を、
図示しない電気トーチで溶融し、半導体デバイス１５の
厚み１００μｍの約２倍の大きさの直径を有する金属球
体１４を形成した。
【００２１】次に、図３（ｂ）に示すように金属球体１
４をキャピラリ３１で金属リブ１６に押しつけ、金属球
体１４の高さがおよそ１００μｍとなるように第１ボン
ディングを行った。またこの時、金線１３は金属球体１
４の頭部で切断した。次に、図３（ｃ）に示すように、
ウェッジボンダのワイヤボンディングツールであるウェ
ッジツール３２で金属球体１４の頭部と半導体デバイス
１５のソース電極パッド１８ｂとに金線１３を押し付
け、第２ボンディングを行った。この金線１３の長さは
２００〜３００μｍの範囲に十分収まるものであった。
これにより、高周波帯域において、良好な伝送特性を有
する半導体集積回路が形成された。
【００２２】尚、本実施例では、第２ボンディングをウ
ェッジボンダを使用して行ったが、これに限定されるも
のではなく、第２ボンディングもボールボンダを使用し
て行っても良い。
【００２３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体集
積回路およびその製造方法は、金属リブ上に配置された
金属球体と半導体デバイスの電極パッドとに金属ワイヤ
がボンディングされたものであり、簡単な工程で金属ワ
イヤのインピーダンスを下げることができ、実装コスト
が低減されるとともに信頼性が向上する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例の半導体集積回路の、組み立
てた状態を示す斜視図である。
【図２】図１に示す半導体集積回路のＡ−Ａ断面図であ
る。
【図３】本発明の一実施例の半導体集積回路の製造過程
を示す図である。
【図４】従来の半導体集積回路の組み立てた状態を示す
図である。
【図５】図４に示す半導体集積回路のＡ−Ａ断面図であ
る。
【図６】金属リブに設けられた凹部に半導体デバイスが
嵌め込まれた状態を示す断面図である。
【図７】半導体デバイスと２つの金属コラムが金属リブ
に載置された状態を示す断面図である。
【符号の説明】
１１，１２ 回路基板 １１ａ，１２ａ 伝送ライン １３ 金線 １４ 金属球体 １５ 半導体デバイス １６ 金属リブ １７ 金属キャリア １８ａ，１８ｂ ソース電極パッド １９ａ，１９ｂ，１９ｃ，１９ｄ 信号電極パッド ３１ キャピラリ ７１ａ，７１ｂ 金属コラム

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 グラウンドと接続される電極パッドを有
    する半導体デバイスと、該半導体デバイスが載置され、
    該半導体デバイスの電極パッドと接続される金属リブと
    を備えた半導体集積回路において、 前記金属リブ上に配置された金属球体と、 前記金属球体と前記電極パッドとの双方にボンディング
    された金属ワイヤとを備えたことを特徴とする半導体集
    積回路。
  2. 【請求項２】 グラウンドと接続される電極パッドを有
    する半導体デバイスと、該半導体デバイスが載置され、
    該半導体デバイスの電極パッドと接続される金属リブと
    を備えた半導体集積回路の製造方法において、 ボールボンダを用いて前記金属リブ上に金属球体をボン
    ディングし、さらに該金属球体の上部と前記電極パッド
    とを金属ワイヤでボンディングすることを特徴とする半
    導体集積回路の製造方法。
JP6216137A 1994-09-09 1994-09-09 半導体集積回路およびその製造方法 Withdrawn JPH0883817A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6216137A JPH0883817A (ja) 1994-09-09 1994-09-09 半導体集積回路およびその製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6216137A JPH0883817A (ja) 1994-09-09 1994-09-09 半導体集積回路およびその製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0883817A true JPH0883817A (ja) 1996-03-26

Family

ID=16683853

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP6216137A Withdrawn JPH0883817A (ja) 1994-09-09 1994-09-09 半導体集積回路およびその製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0883817A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004529484A (ja) * 2000-09-15 2004-09-24 ヘイ，インコーポレイテッド 回路と個別の電気部品との間で高周波信号を伝達するための接続
CN116038049A (zh) * 2022-12-22 2023-05-02 苏州卓昱光子科技有限公司 一种金丝键合方法及金丝键合系统

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004529484A (ja) * 2000-09-15 2004-09-24 ヘイ，インコーポレイテッド 回路と個別の電気部品との間で高周波信号を伝達するための接続
CN116038049A (zh) * 2022-12-22 2023-05-02 苏州卓昱光子科技有限公司 一种金丝键合方法及金丝键合系统

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6495773B1 (en) Wire bonded device with ball-shaped bonds
JPH11251355A5 (ja)
KR100721280B1 (ko) 반도체 칩 조립체의 형성 방법과 기판 상의 회로로부터반도체 칩으로 와이어 본드부를 형성하는 장치
US5524811A (en) Wire bonding method
JPH05326601A (ja) ワイヤボンディング方法
JPH0883816A (ja) 半導体集積回路およびその製造方法
JP2823000B2 (ja) ワイヤボンディング方法
EP0849794A1 (en) Fine pitch lead frame
JPH04255237A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH05267385A (ja) ワイヤーボンディング装置
JPH056893A (ja) キヤピラリ、それによるバンプ製造方法及びそれによる半導体装置
JP2003086621A (ja) 半導体装置およびその製造方法
JP3202193B2 (ja) ワイヤボンディング方法
JPH0982742A (ja) ワイヤボンディング方法
KR100721274B1 (ko) 반도체 칩 조립체의 형성 방법
JPH05183090A (ja) 樹脂封止型半導体装置
JPS62169461A (ja) 半導体装置
JP2004031451A (ja) 半導体装置及びその製造方法
JPH0590320A (ja) ボール式ワイヤーボンデイング方法
JPH0262055A (ja) バンプ形成方法とそれに用いられるボンディングウェッジ
JPH11260855A (ja) 半導体装置
JP2004311644A (ja) ウェッジボンディング方法
JPH0645390A (ja) ボール式ワイヤーボンディング方法
JPH05102227A (ja) 半導体製造装置
JPH06112247A (ja) リードフレームおよびそれを用いた半導体装置の組立方法

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20011120