JPH0887705A - 磁気記録装置の記録電流高域補償増幅回路 - Google Patents
磁気記録装置の記録電流高域補償増幅回路Info
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- JPH0887705A JPH0887705A JP24890694A JP24890694A JPH0887705A JP H0887705 A JPH0887705 A JP H0887705A JP 24890694 A JP24890694 A JP 24890694A JP 24890694 A JP24890694 A JP 24890694A JP H0887705 A JPH0887705 A JP H0887705A
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- JP
- Japan
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- high frequency
- circuit
- recording
- amplifier circuit
- operational amplifier
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 Ｑの低い共振回路を用いた記録電流増幅回路
であっても、所要の記録電流周波数特性を得ることを目
的とする。 【構成】 インダクタまたはシミュレーテッドインダク
ダ回路３とコンデンサＣ１からなる共振回路を含む高域
補償増幅回路において、これを構成する演算増幅器ＯＰ
１の出力電圧の一部を抵抗Ｒ１０、Ｒ１１で分圧して演
算増幅器ＯＰ１の入力側に正帰還することにより、等価
的にＱの高いコイルを使用したときと同等に高域補償量
を増加させ、必要な高域補償特性を得る。
であっても、所要の記録電流周波数特性を得ることを目
的とする。 【構成】 インダクタまたはシミュレーテッドインダク
ダ回路３とコンデンサＣ１からなる共振回路を含む高域
補償増幅回路において、これを構成する演算増幅器ＯＰ
１の出力電圧の一部を抵抗Ｒ１０、Ｒ１１で分圧して演
算増幅器ＯＰ１の入力側に正帰還することにより、等価
的にＱの高いコイルを使用したときと同等に高域補償量
を増加させ、必要な高域補償特性を得る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高周波バイアス方式の
磁気記録装置において、高域周波数での記録損失を補償
して平坦な周波数特性を得るための記録電流高域補償増
幅回路に関する。
磁気記録装置において、高域周波数での記録損失を補償
して平坦な周波数特性を得るための記録電流高域補償増
幅回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】高周波バイアス記録方式においては、記
録減磁損失や自己減磁損失等の各種損失があり（ハイフ
ァイテープレコーダ、森園正彦著、ラジオ技術社発
行）、これらの損失は高い周波数になるほど指数関数的
に増加する。そこで、従来においては、これらの損失を
補償するために、記録磁気ヘッドを励磁する記録電流の
増幅回路に巻線インダクタとコンデンサとからなる共振
回路を有する記録電流高域補償回路が用いられている。
また、このような記録電流高域補償回路においては、高
域周波数での記録損失を補償して平坦な周波数特性を得
るために、その記録電流周波数特性に図３に示すような
ピーキング特性を持たせている。この特性図におけるピ
ーク周波数は、必要周波数帯域の上限よりも高い周波数
に設定し、このピーク値は使用するテープの材質やテー
プ記録方式によっても異なるももの、通常は１０から２
０数ｄＢに達する。
録減磁損失や自己減磁損失等の各種損失があり（ハイフ
ァイテープレコーダ、森園正彦著、ラジオ技術社発
行）、これらの損失は高い周波数になるほど指数関数的
に増加する。そこで、従来においては、これらの損失を
補償するために、記録磁気ヘッドを励磁する記録電流の
増幅回路に巻線インダクタとコンデンサとからなる共振
回路を有する記録電流高域補償回路が用いられている。
また、このような記録電流高域補償回路においては、高
域周波数での記録損失を補償して平坦な周波数特性を得
るために、その記録電流周波数特性に図３に示すような
ピーキング特性を持たせている。この特性図におけるピ
ーク周波数は、必要周波数帯域の上限よりも高い周波数
に設定し、このピーク値は使用するテープの材質やテー
プ記録方式によっても異なるももの、通常は１０から２
０数ｄＢに達する。
【０００３】図４は、従来の高周波バイアス式磁気記録
装置に用いられる高域補償増幅回路の回路例を示す。図
４において、ｅは入力信号源、ＯＰ１は演算増幅器であ
り、この演算増幅器ＯＰ１の非反転入力端（＋）には入
力信号源ｅが接続され、反転入力端（−）に抵抗Ｒ１が
接続されている。また、抵抗Ｒ１には、コンデンサＣ１
とインダクタＬ１と抵抗Ｒ２との直列回路が並列に接続
されており、さらに、演算増幅器ＯＰ１の反転入力端
（−）と出力端間には抵抗Ｒ４が接続されている。演算
増幅器ＯＰ１の出力側には、磁気ヘッド１が直流阻止用
コンデンサＣ３、抵抗Ｒ３、及びコンデンサＣ２とイン
ダクタＬ２との並列回路を介して接続されている。ま
た、磁気ヘッド１には、該磁気ヘッド１に高周波バイア
ス電流を流すための結合コンデンサＣ４を介して高周波
バイアス発振器２が並列に接続されている。
装置に用いられる高域補償増幅回路の回路例を示す。図
４において、ｅは入力信号源、ＯＰ１は演算増幅器であ
り、この演算増幅器ＯＰ１の非反転入力端（＋）には入
力信号源ｅが接続され、反転入力端（−）に抵抗Ｒ１が
接続されている。また、抵抗Ｒ１には、コンデンサＣ１
とインダクタＬ１と抵抗Ｒ２との直列回路が並列に接続
されており、さらに、演算増幅器ＯＰ１の反転入力端
（−）と出力端間には抵抗Ｒ４が接続されている。演算
増幅器ＯＰ１の出力側には、磁気ヘッド１が直流阻止用
コンデンサＣ３、抵抗Ｒ３、及びコンデンサＣ２とイン
ダクタＬ２との並列回路を介して接続されている。ま
た、磁気ヘッド１には、該磁気ヘッド１に高周波バイア
ス電流を流すための結合コンデンサＣ４を介して高周波
バイアス発振器２が並列に接続されている。
【０００４】このように構成された高域補償増幅回路に
おいて、抵抗Ｒ１、Ｒ４は高域補償増幅回路の低域ない
し中域ゲインを決定し、抵抗Ｒ１とこれに並列なコンデ
ンサＣ１及び抵抗Ｒ４は中域から高域の周波数特性を決
定し、さらに抵抗Ｒ１と、Ｃ１とＬ１とＲ２の直列回
路、及び抵抗Ｒ４により図３に示す高域ピーキング特性
を得ている。また、抵抗Ｒ３は磁気ヘッド１の誘導性イ
ンピーダンスに対して、定電流特性を付与するためのも
ので、周波数特性の微調整のために、抵抗Ｒ３にコンデ
ンサを並列に接続する場合もある。コンデンサＣ２とイ
ンダクタＬ２は高周波バイアス電流が演算増幅器ＯＰ側
に流れ込むのを防止するためのバイアストラップを構成
する。抵抗Ｒ２は、この抵抗Ｒ２を含むコンデンサＣ
１、インダクタＬ１の直列共振回路のＱを決定する抵抗
であり、この抵抗Ｒ２の大小により、記録電流周波数特
性が図５に示すように変化する。
おいて、抵抗Ｒ１、Ｒ４は高域補償増幅回路の低域ない
し中域ゲインを決定し、抵抗Ｒ１とこれに並列なコンデ
ンサＣ１及び抵抗Ｒ４は中域から高域の周波数特性を決
定し、さらに抵抗Ｒ１と、Ｃ１とＬ１とＲ２の直列回
路、及び抵抗Ｒ４により図３に示す高域ピーキング特性
を得ている。また、抵抗Ｒ３は磁気ヘッド１の誘導性イ
ンピーダンスに対して、定電流特性を付与するためのも
ので、周波数特性の微調整のために、抵抗Ｒ３にコンデ
ンサを並列に接続する場合もある。コンデンサＣ２とイ
ンダクタＬ２は高周波バイアス電流が演算増幅器ＯＰ側
に流れ込むのを防止するためのバイアストラップを構成
する。抵抗Ｒ２は、この抵抗Ｒ２を含むコンデンサＣ
１、インダクタＬ１の直列共振回路のＱを決定する抵抗
であり、この抵抗Ｒ２の大小により、記録電流周波数特
性が図５に示すように変化する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、図４に示す
ような高域補償増幅回路では、その高域ピーキング特性
を得る共振回路のインダクタＬ１に外付けのコイルを使
用しているため、その体積が大きく、重いほか、電源ト
ランスの漏れ磁界などの外部磁界の誘導を受け易く、こ
れによってＳ／Ｎ劣化を招き易い等の問題がある。この
場合、コイルを小型化することが考えられるが、コイル
を小さくするとＱが低くなる傾向があり、必要な記録電
流周波数特性が得られない。
ような高域補償増幅回路では、その高域ピーキング特性
を得る共振回路のインダクタＬ１に外付けのコイルを使
用しているため、その体積が大きく、重いほか、電源ト
ランスの漏れ磁界などの外部磁界の誘導を受け易く、こ
れによってＳ／Ｎ劣化を招き易い等の問題がある。この
場合、コイルを小型化することが考えられるが、コイル
を小さくするとＱが低くなる傾向があり、必要な記録電
流周波数特性が得られない。
【０００６】そこで、コイルの代わりに能動素子と抵
抗、コンデンサを組み合わせてコイルと同様の働きをす
るシミュレーテッドインダクタを用いることが考えられ
る。シミュレーテッドインダクタを用いた共振回路を図
６及び図７に示す。図６（ａ）は、シミュレーテッドイ
ンダクタを用いた共振回路の一例を示すもので、そのシ
ミュレーテッドインダクタは、反転入力端と出力端間を
直結した演算増幅器ＯＰと、この演算増幅器ＯＰの非反
転入力端とアース間に接続した抵抗Ｒｂと、演算増幅器
ＯＰの出力端と非反転入力端間に直列に接続したコンデ
ンサＣａ及び抵抗Ｒａから構成される。そして、シミュ
レーテッドインダクタのコンデンサＣａと抵抗Ｒａとの
接続点と端子Ｔ間にはコンデンサＣ１が接続されてい
る。図６（ｂ）は、その等価回路である。
抗、コンデンサを組み合わせてコイルと同様の働きをす
るシミュレーテッドインダクタを用いることが考えられ
る。シミュレーテッドインダクタを用いた共振回路を図
６及び図７に示す。図６（ａ）は、シミュレーテッドイ
ンダクタを用いた共振回路の一例を示すもので、そのシ
ミュレーテッドインダクタは、反転入力端と出力端間を
直結した演算増幅器ＯＰと、この演算増幅器ＯＰの非反
転入力端とアース間に接続した抵抗Ｒｂと、演算増幅器
ＯＰの出力端と非反転入力端間に直列に接続したコンデ
ンサＣａ及び抵抗Ｒａから構成される。そして、シミュ
レーテッドインダクタのコンデンサＣａと抵抗Ｒａとの
接続点と端子Ｔ間にはコンデンサＣ１が接続されてい
る。図６（ｂ）は、その等価回路である。
【０００７】図７（ａ）は、シミュレーテッドインダク
タを用いた共振回路の他の例を示すもので、そのシミュ
レーテッドインダクタは、反転入力端と出力端間を直結
した演算増幅器ＯＰと、この演算増幅器ＯＰの非反転入
力端とアース間に直列に接続した抵抗Ｒａ及びＲｂと、
この抵抗ＲａとＲｂとの接続点と演算増幅器ＯＰの出力
端間に接続したコンデンサＣａとから構成される。そし
て、演算増幅器ＯＰの非反転入力端と端子Ｔ間にはコン
デンサＣ１が接続されている。−端子と出力端子を短絡
した能動素子７とＲａとの直列回路を並列接続し、能動
素子の出力端子に遅れ電流を出力させる模擬インダクタ
を示す。図７（ｂ）は、その等価回路である。
タを用いた共振回路の他の例を示すもので、そのシミュ
レーテッドインダクタは、反転入力端と出力端間を直結
した演算増幅器ＯＰと、この演算増幅器ＯＰの非反転入
力端とアース間に直列に接続した抵抗Ｒａ及びＲｂと、
この抵抗ＲａとＲｂとの接続点と演算増幅器ＯＰの出力
端間に接続したコンデンサＣａとから構成される。そし
て、演算増幅器ＯＰの非反転入力端と端子Ｔ間にはコン
デンサＣ１が接続されている。−端子と出力端子を短絡
した能動素子７とＲａとの直列回路を並列接続し、能動
素子の出力端子に遅れ電流を出力させる模擬インダクタ
を示す。図７（ｂ）は、その等価回路である。
【０００８】しかしながら、このような共振回路は、そ
の等価直列抵抗が大きくなりがちなため、Ｑの低い共振
回路しか得ることができず、その結果、図３に示すよう
な記録電流周波数特性が得られないという問題がある。
の等価直列抵抗が大きくなりがちなため、Ｑの低い共振
回路しか得ることができず、その結果、図３に示すよう
な記録電流周波数特性が得られないという問題がある。
【０００９】本発明は、このような事情に鑑みなされた
もので、Ｑの低い共振回路を用いた記録電流増幅回路で
あっても、所要の記録電流周波数特性を得ることができ
る磁気記録装置の記録電流高域補償増幅回路を提供する
ことを目的としている。
もので、Ｑの低い共振回路を用いた記録電流増幅回路で
あっても、所要の記録電流周波数特性を得ることができ
る磁気記録装置の記録電流高域補償増幅回路を提供する
ことを目的としている。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、記録用の入力信号を増幅して記録ヘッドに
供給する増幅回路と、前記記録ヘッドに高周波バイアス
電流を供給する高周波バイアス発振器と、前記増幅回路
に付加され、高域周波数での記録損失を補償するために
記録電流周波数特性にピーキング特性を持たせるインダ
クタまたはシミュレーテッドインダクダとキャパシタか
らなる共振回路と、を有する磁気記録装置の記録電流高
域補償増幅回路において、前記増幅回路の出力電圧の一
部を増幅回路の入力側に正帰還する帰還回路を設けたも
のである。
に本発明は、記録用の入力信号を増幅して記録ヘッドに
供給する増幅回路と、前記記録ヘッドに高周波バイアス
電流を供給する高周波バイアス発振器と、前記増幅回路
に付加され、高域周波数での記録損失を補償するために
記録電流周波数特性にピーキング特性を持たせるインダ
クタまたはシミュレーテッドインダクダとキャパシタか
らなる共振回路と、を有する磁気記録装置の記録電流高
域補償増幅回路において、前記増幅回路の出力電圧の一
部を増幅回路の入力側に正帰還する帰還回路を設けたも
のである。
【００１１】
【作用】本発明においては、増幅回路の出力電圧の一部
を入力側に正帰還することにより、記録電流周波数特性
のピーク値が大きくなり、等価的にＱの高いコイルを使
用したときと同等の特性が得られる。よって、Ｑの低い
小形のコイルを用いても、Ｑの低いシミュレーテッドイ
ンダクダを用いても、Ｑの高い大形のコイルを使用した
ときと同様の高周波領域の補償量を増加させ、所要の高
域周波補償特性を得ることができる。
を入力側に正帰還することにより、記録電流周波数特性
のピーク値が大きくなり、等価的にＱの高いコイルを使
用したときと同等の特性が得られる。よって、Ｑの低い
小形のコイルを用いても、Ｑの低いシミュレーテッドイ
ンダクダを用いても、Ｑの高い大形のコイルを使用した
ときと同様の高周波領域の補償量を増加させ、所要の高
域周波補償特性を得ることができる。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。図１は、本発明にかかる高周波バイアス式磁気記
録装置の記録電流高域補償増幅回路の構成図を示す。図
１において、図４と同一の構成部分には同一符号を付し
て説明すると、ｅは入力信号源、ＯＰ１は入力信号を増
幅する演算増幅器であり、この演算増幅器ＯＰ１の非反
転入力端（＋）とアース間には入力信号源ｅが抵抗Ｒ１
１を介して接続され、反転入力端（−）とアース間には
抵抗Ｒ１が接続されている。上記抵抗Ｒ１には、コンデ
ンサＣ１とシミュレーテッドインダクタ回路３からなる
共振回路が並列に接続されており、さらに、演算増幅器
ＯＰ１の反転入力端（−）と出力端間には抵抗Ｒ４が接
続されている。上記演算増幅器ＯＰ１の出力側には、磁
気ヘッド１が直流阻止用コンデンサＣ３、抵抗Ｒ３、及
びコンデンサＣ２とインダクタＬ２との並列回路を介し
て接続せれており、さらに、磁気ヘッド１には、該磁気
ヘッド１に高周波バイアス電流を流すための結合コンデ
ンサＣ４を介して高周波バイアス発振器２が並列に接続
されている。
する。図１は、本発明にかかる高周波バイアス式磁気記
録装置の記録電流高域補償増幅回路の構成図を示す。図
１において、図４と同一の構成部分には同一符号を付し
て説明すると、ｅは入力信号源、ＯＰ１は入力信号を増
幅する演算増幅器であり、この演算増幅器ＯＰ１の非反
転入力端（＋）とアース間には入力信号源ｅが抵抗Ｒ１
１を介して接続され、反転入力端（−）とアース間には
抵抗Ｒ１が接続されている。上記抵抗Ｒ１には、コンデ
ンサＣ１とシミュレーテッドインダクタ回路３からなる
共振回路が並列に接続されており、さらに、演算増幅器
ＯＰ１の反転入力端（−）と出力端間には抵抗Ｒ４が接
続されている。上記演算増幅器ＯＰ１の出力側には、磁
気ヘッド１が直流阻止用コンデンサＣ３、抵抗Ｒ３、及
びコンデンサＣ２とインダクタＬ２との並列回路を介し
て接続せれており、さらに、磁気ヘッド１には、該磁気
ヘッド１に高周波バイアス電流を流すための結合コンデ
ンサＣ４を介して高周波バイアス発振器２が並列に接続
されている。
【００１３】そして、この実施例の特徴部分は、上記演
算増幅器ＯＰ１の非反転入力端（＋）と、演算増幅器Ｏ
Ｐ１の出力側に接続した抵抗Ｒ３とインダクタＬ２との
接続点間に抵抗Ｒ１０を接続し、これによって、演算増
幅器ＯＰ１の出力信号の一部を抵抗Ｒ１０、Ｒ１１によ
り演算増幅器ＯＰ１の入力側に正帰還する帰還回路を設
けたところにある。
算増幅器ＯＰ１の非反転入力端（＋）と、演算増幅器Ｏ
Ｐ１の出力側に接続した抵抗Ｒ３とインダクタＬ２との
接続点間に抵抗Ｒ１０を接続し、これによって、演算増
幅器ＯＰ１の出力信号の一部を抵抗Ｒ１０、Ｒ１１によ
り演算増幅器ＯＰ１の入力側に正帰還する帰還回路を設
けたところにある。
【００１４】なお、上記シミュレーテッドインダクタ回
路３は、反転入力端と出力端間を直結した演算増幅器Ｏ
Ｐと、この演算増幅器ＯＰの非反転入力端とアース間に
接続した抵抗Ｒｂと、演算増幅器ＯＰの出力端と非反転
入力端間に直列に接続したコンデンサＣａ及び抵抗Ｒａ
から構成される。このシミュレーテッドインダクタ回路
３とコンデンサＣ１とからなる共振回路の等価回路は、
図６（ｂ）に示すようになり、また、その回路構成素子
の値を図１に示すように設定したときの直列共振周波数
ｆ0 は１６．８６ＫＨｚとなり、Ｑは１．３となる。
路３は、反転入力端と出力端間を直結した演算増幅器Ｏ
Ｐと、この演算増幅器ＯＰの非反転入力端とアース間に
接続した抵抗Ｒｂと、演算増幅器ＯＰの出力端と非反転
入力端間に直列に接続したコンデンサＣａ及び抵抗Ｒａ
から構成される。このシミュレーテッドインダクタ回路
３とコンデンサＣ１とからなる共振回路の等価回路は、
図６（ｂ）に示すようになり、また、その回路構成素子
の値を図１に示すように設定したときの直列共振周波数
ｆ0 は１６．８６ＫＨｚとなり、Ｑは１．３となる。
【００１５】上記のように構成された記録電流高域補償
増幅回路において、入力信号が演算増幅器ＯＰ１に印加
されると、演算増幅器ＯＰ１の出力側には非反転入力端
子と同位相の電圧が発生する。この出力電圧の一部を抵
抗Ｒ１０、Ｒ１１により演算増幅器ＯＰ１の入力端子に
正帰還すると、記録電流周波数特性のピーク値が図２の
高域補償特性曲線１１に示すように大きくなり、等価的
にＱの高いコイルを使用したときと同等の特性が得られ
る。なお、正帰還がないときの高域補償特性は、図２の
曲線１２に示すようになる。これは、もともとゲインの
高い共振周波数ｆ0 付近では帰還量が大きく、正帰還の
効果がより大きく表われ、ゲインの低い中、低域では帰
還量は小さく、ほとんど正帰還の効果が表われないため
である。
増幅回路において、入力信号が演算増幅器ＯＰ１に印加
されると、演算増幅器ＯＰ１の出力側には非反転入力端
子と同位相の電圧が発生する。この出力電圧の一部を抵
抗Ｒ１０、Ｒ１１により演算増幅器ＯＰ１の入力端子に
正帰還すると、記録電流周波数特性のピーク値が図２の
高域補償特性曲線１１に示すように大きくなり、等価的
にＱの高いコイルを使用したときと同等の特性が得られ
る。なお、正帰還がないときの高域補償特性は、図２の
曲線１２に示すようになる。これは、もともとゲインの
高い共振周波数ｆ0 付近では帰還量が大きく、正帰還の
効果がより大きく表われ、ゲインの低い中、低域では帰
還量は小さく、ほとんど正帰還の効果が表われないため
である。
【００１６】このように本実施例によれば、演算増幅器
ＯＰ１の出力電圧の一部を抵抗Ｒ１０、Ｒ１１で分圧し
て演算増幅器ＯＰ１の入力側に正帰還することにより、
等価的にＱの高いコイルを使用したときと同等に高域補
償量を増加させ、必要な高域補償特性を得ることができ
る。これに伴い大きなＱの得にくいシミュレーテッドイ
ンダクタを使用できるため、外部磁界の誘導の影響が受
けにくく、ＩＣ化及び小型、薄型化が可能になる。
ＯＰ１の出力電圧の一部を抵抗Ｒ１０、Ｒ１１で分圧し
て演算増幅器ＯＰ１の入力側に正帰還することにより、
等価的にＱの高いコイルを使用したときと同等に高域補
償量を増加させ、必要な高域補償特性を得ることができ
る。これに伴い大きなＱの得にくいシミュレーテッドイ
ンダクタを使用できるため、外部磁界の誘導の影響が受
けにくく、ＩＣ化及び小型、薄型化が可能になる。
【００１７】なお、上記実施例では、共振回路に演算増
幅器を用いてシミュレーテッドインダクタを構成する場
合について説明したが、本発明はこれに限らず、薄い小
型のコイルを用いて記録電流の高域補償用の共振回路を
構成するものにも適用できる。
幅器を用いてシミュレーテッドインダクタを構成する場
合について説明したが、本発明はこれに限らず、薄い小
型のコイルを用いて記録電流の高域補償用の共振回路を
構成するものにも適用できる。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、イ
ンダクタまたはシミュレーテッドインダクダとキャパシ
タからなる共振回路を含む高域補償増幅回路の出力電圧
の一部を入力側に正帰還することにより、記録電流周波
数特性の高域補償量を増加でき、Ｑの低い共振回路であ
っても所要の記録電流特性を得ることができる。これに
伴い大きなＱの得にくいシミュレーテッドインダクタま
たは薄型のインダクタを使用できるため、外部磁界の誘
導の影響が受けにくく、ＩＣ化及び小型、薄型化ができ
るという効果を有する。
ンダクタまたはシミュレーテッドインダクダとキャパシ
タからなる共振回路を含む高域補償増幅回路の出力電圧
の一部を入力側に正帰還することにより、記録電流周波
数特性の高域補償量を増加でき、Ｑの低い共振回路であ
っても所要の記録電流特性を得ることができる。これに
伴い大きなＱの得にくいシミュレーテッドインダクタま
たは薄型のインダクタを使用できるため、外部磁界の誘
導の影響が受けにくく、ＩＣ化及び小型、薄型化ができ
るという効果を有する。
【図１】本発明にかかる高周波バイアス式磁気記録装置
の記録電流高域補償増幅回路の構成図である。
の記録電流高域補償増幅回路の構成図である。
【図２】本実施例における記録電流周波数特性を示す図
である。
である。
【図３】記録電流周波数特性を示す図である。
【図４】従来の高域補償増幅回路を示す構成図である。
【図５】従来における記録電流周波数特性を示す図であ
る。
る。
【図６】同図（ａ）はシミュレーテッドインダクタを含
む共振回路の構成図、同図（ｂ）はその等価回路図であ
る。
む共振回路の構成図、同図（ｂ）はその等価回路図であ
る。
【図７】同図（ａ）はシミュレーテッドインダクタを含
む共振回路の構成図、同図（ｂ）はその等価回路図であ
る。
む共振回路の構成図、同図（ｂ）はその等価回路図であ
る。
ｅ 入力信号源 ＯＰ１ 演算増幅器 １ 記録ヘッド ２ 高周波バイアス発振器 ３ シミュレーテッドインダクタ回路 Ｃ１ コンデンサ（キャパシタ） Ｒ１０ 正帰還用の抵抗
Claims (1)
- 【請求項１】 記録用の入力信号を増幅して記録ヘッド
に供給する増幅回路と、 前記記録ヘッドに高周波バイアス電流を供給する高周波
バイアス発振器と、 前記増幅回路に付加され、高域周波数での記録損失を補
償するために記録電流周波数特性にピーキング特性を持
たせるインダクタまたはシミュレーテッドインダクダと
キャパシタからなる共振回路と、 を有する磁気記録装置の記録電流高域補償増幅回路にお
いて、 前記増幅回路の出力電圧の一部を増幅回路の入力側に正
帰還する帰還回路を設けた、 ことを特徴とする磁気記録装置の記録電流高域補償増幅
回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24890694A JPH0887705A (ja) | 1994-09-16 | 1994-09-16 | 磁気記録装置の記録電流高域補償増幅回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24890694A JPH0887705A (ja) | 1994-09-16 | 1994-09-16 | 磁気記録装置の記録電流高域補償増幅回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0887705A true JPH0887705A (ja) | 1996-04-02 |
Family
ID=17185194
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24890694A Pending JPH0887705A (ja) | 1994-09-16 | 1994-09-16 | 磁気記録装置の記録電流高域補償増幅回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0887705A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011154028A (ja) * | 2010-01-26 | 2011-08-11 | Maxim Integrated Products Inc | エミュレートされた可変インダクタンスを利用した絶縁性監視システム及び方法 |
| JP2020167502A (ja) * | 2019-03-29 | 2020-10-08 | ホーチキ株式会社 | 非常電話システム |
-
1994
- 1994-09-16 JP JP24890694A patent/JPH0887705A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011154028A (ja) * | 2010-01-26 | 2011-08-11 | Maxim Integrated Products Inc | エミュレートされた可変インダクタンスを利用した絶縁性監視システム及び方法 |
| JP2020167502A (ja) * | 2019-03-29 | 2020-10-08 | ホーチキ株式会社 | 非常電話システム |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20040302 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |