JPH09176574A - 酸化物被膜形成用塗布液並びに酸化物被膜及び半導体装置の製造法 - Google Patents
酸化物被膜形成用塗布液並びに酸化物被膜及び半導体装置の製造法Info
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- JPH09176574A JPH09176574A JP33832795A JP33832795A JPH09176574A JP H09176574 A JPH09176574 A JP H09176574A JP 33832795 A JP33832795 A JP 33832795A JP 33832795 A JP33832795 A JP 33832795A JP H09176574 A JPH09176574 A JP H09176574A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 塗布均一性に優れ、熱的に安定な酸化物被膜
を形成することができる酸化物被膜形成用塗布液、均一
で熱的に安定な酸化物被膜の製造法及び均一で熱的に安
定な酸化物被膜を有する半導体装置の製造法を提供す
る。 【解決手段】 （Ａ）一般式（Ｉ） 【化１】 （式中Ｒは、炭素数１〜４のアルキル基、Ｒ′は炭素数
１〜３のアルキル基、ｍは０、１または２を意味する）
で表されるアルコキシシラン化合物を溶媒の存在下に加
水分解及び縮重合させ、加水分解によって生成する１価
アルコールを除去してなる酸化物被膜形成用塗布液、こ
の塗布液を、基体表面上に塗布後、５０〜２００℃で乾
燥し、ついで３００〜１０００℃で焼成することを特徴
とする酸化物被膜の製造法及びこの塗布液を、半導体素
子表面上に塗布後、５０〜２００℃で乾燥し、ついで３
００〜１０００℃で焼成して酸化物被膜を形成すること
を特徴とする半導体装置の製造法。
を形成することができる酸化物被膜形成用塗布液、均一
で熱的に安定な酸化物被膜の製造法及び均一で熱的に安
定な酸化物被膜を有する半導体装置の製造法を提供す
る。 【解決手段】 （Ａ）一般式（Ｉ） 【化１】 （式中Ｒは、炭素数１〜４のアルキル基、Ｒ′は炭素数
１〜３のアルキル基、ｍは０、１または２を意味する）
で表されるアルコキシシラン化合物を溶媒の存在下に加
水分解及び縮重合させ、加水分解によって生成する１価
アルコールを除去してなる酸化物被膜形成用塗布液、こ
の塗布液を、基体表面上に塗布後、５０〜２００℃で乾
燥し、ついで３００〜１０００℃で焼成することを特徴
とする酸化物被膜の製造法及びこの塗布液を、半導体素
子表面上に塗布後、５０〜２００℃で乾燥し、ついで３
００〜１０００℃で焼成して酸化物被膜を形成すること
を特徴とする半導体装置の製造法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、酸化物被膜形成用
塗布液並びに酸化物被膜及び半導体装置の製造法に関す
る。
塗布液並びに酸化物被膜及び半導体装置の製造法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体素子の層
間絶縁の方法として、シラノール化合物の加水分解、縮
合物を焼成し、酸化物被膜を形成する方法がよく用いら
れている。テトラエトキシシラン等の４官能シランを用
いる方法が最も多く知られているが、４官能シランのみ
を用いる方法では焼成してシリカ系被膜を形成する際に
三次元架橋構造が非常に密になり剛直になるため、膜厚
が厚くなるとクラックが発生するという問題がある。こ
の問題を解決するために２官能、３官能シランを共加水
分解する方法が特開昭５７−１９１２１９号公報等に示
されている。
間絶縁の方法として、シラノール化合物の加水分解、縮
合物を焼成し、酸化物被膜を形成する方法がよく用いら
れている。テトラエトキシシラン等の４官能シランを用
いる方法が最も多く知られているが、４官能シランのみ
を用いる方法では焼成してシリカ系被膜を形成する際に
三次元架橋構造が非常に密になり剛直になるため、膜厚
が厚くなるとクラックが発生するという問題がある。こ
の問題を解決するために２官能、３官能シランを共加水
分解する方法が特開昭５７−１９１２１９号公報等に示
されている。
【０００３】これらの方法は一般にゾル−ゲル法と呼ば
れ、アルコキシシラン（アルコキシ基の炭素数１〜３）
を出発原料として溶媒の存在下に水と触媒を用いて調整
された被膜形成用塗布液をＩＣ、ＬＳＩ等の基板にスピ
ンコートした後、４５０℃程度の熱処理を施して酸化物
被膜を形成するものである。しかし、これらの方法で調
整された塗布液には、スピンコート時に膜厚の均一性が
低下し、その後の半導体製造工程で加工性が劣るという
欠点がある。
れ、アルコキシシラン（アルコキシ基の炭素数１〜３）
を出発原料として溶媒の存在下に水と触媒を用いて調整
された被膜形成用塗布液をＩＣ、ＬＳＩ等の基板にスピ
ンコートした後、４５０℃程度の熱処理を施して酸化物
被膜を形成するものである。しかし、これらの方法で調
整された塗布液には、スピンコート時に膜厚の均一性が
低下し、その後の半導体製造工程で加工性が劣るという
欠点がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】請求項１に記載の発明
は、塗布均一性に優れ、熱的に安定な酸化物被膜を形成
することができる酸化物被膜形成用塗布液を提供するも
のである。請求項２に記載の発明は、より塗布均一性に
優れた酸化物被膜形成用塗布液を提供するものである。
請求項３に記載の発明は、均一で熱的に安定な酸化物被
膜の製造法を提供するものである。請求項４に記載の発
明は、均一で熱的に安定な酸化物被膜を有する半導体装
置の製造法を提供するものである。
は、塗布均一性に優れ、熱的に安定な酸化物被膜を形成
することができる酸化物被膜形成用塗布液を提供するも
のである。請求項２に記載の発明は、より塗布均一性に
優れた酸化物被膜形成用塗布液を提供するものである。
請求項３に記載の発明は、均一で熱的に安定な酸化物被
膜の製造法を提供するものである。請求項４に記載の発
明は、均一で熱的に安定な酸化物被膜を有する半導体装
置の製造法を提供するものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、（Ａ）一般式
（Ｉ）
（Ｉ）
【化２】 （式中Ｒは、炭素数１〜４のアルキル基、Ｒ′は炭素数
１〜３のアルキル基、ｍは０、１または２を意味する）
で表されるアルコキシシラン化合物を溶媒の存在下に加
水分解及び縮重合させ、加水分解によって生成する１価
アルコールを除去してなる酸化物被膜形成用塗布液に関
する。本発明は、また、上記の酸化物被膜形成用塗布液
において、溶媒の沸点が加水分解で生成する１価アルコ
ールの沸点より３０℃以上高いものである酸化物被膜形
成用塗布液に関する。
１〜３のアルキル基、ｍは０、１または２を意味する）
で表されるアルコキシシラン化合物を溶媒の存在下に加
水分解及び縮重合させ、加水分解によって生成する１価
アルコールを除去してなる酸化物被膜形成用塗布液に関
する。本発明は、また、上記の酸化物被膜形成用塗布液
において、溶媒の沸点が加水分解で生成する１価アルコ
ールの沸点より３０℃以上高いものである酸化物被膜形
成用塗布液に関する。
【０００６】さらに、本発明は、これらの塗布液を、基
体表面上に塗布後、５０〜２００℃で乾燥し、ついで３
００〜１０００℃で焼成することを特徴とする酸化物被
膜の製造法に関する。本発明は、また、これらの塗布液
を、半導体素子表面上に塗布後、５０〜２００℃で乾燥
し、ついで３００〜１０００℃で焼成して酸化物被膜を
形成することを特徴とする半導体装置の製造方法に関す
る。
体表面上に塗布後、５０〜２００℃で乾燥し、ついで３
００〜１０００℃で焼成することを特徴とする酸化物被
膜の製造法に関する。本発明は、また、これらの塗布液
を、半導体素子表面上に塗布後、５０〜２００℃で乾燥
し、ついで３００〜１０００℃で焼成して酸化物被膜を
形成することを特徴とする半導体装置の製造方法に関す
る。
【０００７】
【発明の実施の形態】本発明に用いられるアルコキシシ
ラン化合物は、前記一般式（Ｉ）で表されるものである
が、具体的には
ラン化合物は、前記一般式（Ｉ）で表されるものである
が、具体的には
【化３】 等のテトラアルコキシシラン、
【化４】 等のモノアルキルトリアセトキシシラン、
【化５】 等のジアルキルジアセトキシシランが挙げられ、これら
は１種または２種以上が用いられる。
は１種または２種以上が用いられる。
【０００８】本発明に用いられる前記アルコキシシラン
化合物の割合に特に制限は無いが、得られる酸化物被膜
の耐クラック性を改善するためには、テトラアルコキシ
シラン化合物が５０〜８０モル％、トリアルコキシシラ
ン化合物が１０〜２０モル％ジアルコキシシラン化合物
が１０〜４０モル％の範囲が好ましい。
化合物の割合に特に制限は無いが、得られる酸化物被膜
の耐クラック性を改善するためには、テトラアルコキシ
シラン化合物が５０〜８０モル％、トリアルコキシシラ
ン化合物が１０〜２０モル％ジアルコキシシラン化合物
が１０〜４０モル％の範囲が好ましい。
【０００９】本発明に用いられる溶媒としては、酢酸イ
ソプロピル、酢酸イソブチル等の酢酸エステル系、エチ
レングリコールモノメチルアセテート、エチレングリコ
ールジアセテート等のグリコールアセテート系溶媒、
Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホル
ムアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン等のアミド系溶
媒、グリコールエーテル系溶媒など種々の溶媒が挙げら
れこれらは１種または２種以上が用いられる。溶媒の沸
点は、塗布して得られる膜厚さにムラがないという観点
から、１００℃以上であることが好ましく、さらに、加
水分解で生成する１価アルコールの沸点より３０℃以上
高いものがこのアルコールを蒸留除去しやすくなるので
好ましい。
ソプロピル、酢酸イソブチル等の酢酸エステル系、エチ
レングリコールモノメチルアセテート、エチレングリコ
ールジアセテート等のグリコールアセテート系溶媒、
Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホル
ムアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン等のアミド系溶
媒、グリコールエーテル系溶媒など種々の溶媒が挙げら
れこれらは１種または２種以上が用いられる。溶媒の沸
点は、塗布して得られる膜厚さにムラがないという観点
から、１００℃以上であることが好ましく、さらに、加
水分解で生成する１価アルコールの沸点より３０℃以上
高いものがこのアルコールを蒸留除去しやすくなるので
好ましい。
【００１０】本発明における加水分解及び縮重合には、
触媒としては、塩酸、硫酸、燐酸、硼酸、フッ酸、硝酸
等の無機酸、シュウ酸、マレイン酸、スルホン酸、ギ酸
等の有機酸を用いることが好ましい。触媒は、前記アル
コキシシラン化合物１モルに対して、０．０００１〜
０．０１モル％が好ましい。また、加水分解に際し、水
が存在する必要があるが、前記アルコキシシラン化合物
中のアルコキシ基１当量に対して、０．５〜２モル使用
することが好ましい。
触媒としては、塩酸、硫酸、燐酸、硼酸、フッ酸、硝酸
等の無機酸、シュウ酸、マレイン酸、スルホン酸、ギ酸
等の有機酸を用いることが好ましい。触媒は、前記アル
コキシシラン化合物１モルに対して、０．０００１〜
０．０１モル％が好ましい。また、加水分解に際し、水
が存在する必要があるが、前記アルコキシシラン化合物
中のアルコキシ基１当量に対して、０．５〜２モル使用
することが好ましい。
【００１１】本発明の酸化物被膜形成用塗布液は、前記
の溶媒の存在下で、アルコキシシラン化合物を水と触媒
を用いて加水分解、縮重合させ、減圧下で１００℃以下
の温度で加水分解によって生成する１価のアルコールを
除去し塗布液の溶媒を均一性を保つことにより、従来の
アルコキシシラン化合物及びこれらと金属アルコキシド
化合物を加水分解及び縮合させて得られる塗布液と比較
して、塗布膜厚の均一性が極めて良好となる。１価アル
コールの除去は、加熱又は減圧下の加熱による蒸留によ
り除去することができる。
の溶媒の存在下で、アルコキシシラン化合物を水と触媒
を用いて加水分解、縮重合させ、減圧下で１００℃以下
の温度で加水分解によって生成する１価のアルコールを
除去し塗布液の溶媒を均一性を保つことにより、従来の
アルコキシシラン化合物及びこれらと金属アルコキシド
化合物を加水分解及び縮合させて得られる塗布液と比較
して、塗布膜厚の均一性が極めて良好となる。１価アル
コールの除去は、加熱又は減圧下の加熱による蒸留によ
り除去することができる。
【００１２】次に、このようにして得られた塗布液を用
いて酸化物被膜を形成するには、該塗布液をガラス、セ
ラミックス、シリコンウエハー、回路の形成されたシリ
コンウエハー等の基体上に、浸漬法、回転塗布法等の方
法で塗布した後、通常５０〜２００℃、好ましくは１０
０〜１５０℃で乾燥し、ついで通常３００〜１０００
℃、好ましくは３００〜４５０℃で焼成する。形成され
る酸化物皮膜の膜厚は、０．２〜０．５μｍであること
が好ましい。酸化物被膜が形成されてもよい半導体装置
としては、アルミニウム配線が形成されたシリコンウェ
ハー等があり、その配線は多層配線構造になっていても
よい。
いて酸化物被膜を形成するには、該塗布液をガラス、セ
ラミックス、シリコンウエハー、回路の形成されたシリ
コンウエハー等の基体上に、浸漬法、回転塗布法等の方
法で塗布した後、通常５０〜２００℃、好ましくは１０
０〜１５０℃で乾燥し、ついで通常３００〜１０００
℃、好ましくは３００〜４５０℃で焼成する。形成され
る酸化物皮膜の膜厚は、０．２〜０．５μｍであること
が好ましい。酸化物被膜が形成されてもよい半導体装置
としては、アルミニウム配線が形成されたシリコンウェ
ハー等があり、その配線は多層配線構造になっていても
よい。
【００１３】
【作用】シリコン、アルミニウム等の基体上でクラック
が発生しない酸化物被膜をアルコキシシラン化合物を含
む酸化物被膜形成用塗布液を用いて形成するためには、
（１）焼成時の硬化収縮歪を小さし、（２）膜の熱膨張
係数を基体の値に近づけるという条件を満たす塗布液を
用いることが必要であるが、このような塗布液は、塗布
液の製造時に加水分解によって生成する低沸点の１価の
アルコールを除去することにより溶媒の均一性を保つこ
とにより得られる。
が発生しない酸化物被膜をアルコキシシラン化合物を含
む酸化物被膜形成用塗布液を用いて形成するためには、
（１）焼成時の硬化収縮歪を小さし、（２）膜の熱膨張
係数を基体の値に近づけるという条件を満たす塗布液を
用いることが必要であるが、このような塗布液は、塗布
液の製造時に加水分解によって生成する低沸点の１価の
アルコールを除去することにより溶媒の均一性を保つこ
とにより得られる。
【００１４】
【実施例】以下、本発明を実施例により詳しく説明す
る。 実施例１ Ｓｉ(ＯＣＨ3)4 １５２．０ｇ及びＣＨ3Ｓｉ(ＯＣＨ3)
3 １３６．０ｇをプロピレングリコールモノプロピル
エーテル９００ｇに溶解し、この溶液に硝酸２．０ｇを
溶解させた水６３．０ｇを添加し室温で１０時間、加水
分解、縮合を行った後、２mmHgの減圧に制御された蒸留
装置で２０℃で２時間処理を行い、加水分解で生成した
メチルアルコールを塗布液中から除去した。この反応物
溶液のメチルアルコール残存量をガスクロマトグラフ
（日立２６３−５０型）で測定した結果、反応物溶液中
に０．１重量％以下であった。得られた塗布液の加熱残
分１５重量％であった。
る。 実施例１ Ｓｉ(ＯＣＨ3)4 １５２．０ｇ及びＣＨ3Ｓｉ(ＯＣＨ3)
3 １３６．０ｇをプロピレングリコールモノプロピル
エーテル９００ｇに溶解し、この溶液に硝酸２．０ｇを
溶解させた水６３．０ｇを添加し室温で１０時間、加水
分解、縮合を行った後、２mmHgの減圧に制御された蒸留
装置で２０℃で２時間処理を行い、加水分解で生成した
メチルアルコールを塗布液中から除去した。この反応物
溶液のメチルアルコール残存量をガスクロマトグラフ
（日立２６３−５０型）で測定した結果、反応物溶液中
に０．１重量％以下であった。得られた塗布液の加熱残
分１５重量％であった。
【００１５】ここで調整された塗布液をスピナーを用い
て２０００rpmで６インチのシリコンウエハー上に塗布
した後、１５０℃と２５０℃に制御されたホットプレー
ト上で各１分間乾燥し、ついで電気炉中４００℃で１時
間焼成したところ、無色透明でクラックのない被膜が得
られた。ウエハー上に形成された酸化物被膜の膜厚を干
渉膜厚計（大日本スクリーン製ラムダエース）で１０点
測定したところ０．５０±０．０１μｍであった。また
前記溶液を、厚さ１．０μｍ、ライン＆スペース幅０．
５〜５．０μｍのアルミウム配線が形成されたシリコン
ウエハー上に前記と同様な条件で成膜し、ウエハー周辺
部のパターンの形成されている部分の膜厚を上記同様に
測定したところ、膜厚は０．５０±０．０２μｍであっ
た。
て２０００rpmで６インチのシリコンウエハー上に塗布
した後、１５０℃と２５０℃に制御されたホットプレー
ト上で各１分間乾燥し、ついで電気炉中４００℃で１時
間焼成したところ、無色透明でクラックのない被膜が得
られた。ウエハー上に形成された酸化物被膜の膜厚を干
渉膜厚計（大日本スクリーン製ラムダエース）で１０点
測定したところ０．５０±０．０１μｍであった。また
前記溶液を、厚さ１．０μｍ、ライン＆スペース幅０．
５〜５．０μｍのアルミウム配線が形成されたシリコン
ウエハー上に前記と同様な条件で成膜し、ウエハー周辺
部のパターンの形成されている部分の膜厚を上記同様に
測定したところ、膜厚は０．５０±０．０２μｍであっ
た。
【００１６】比較例１ Ｓｉ(ＯＣ2Ｈ5)4 ２６４．０ｇをエチルアルコール６
００ｇに溶解し、この溶液にマレイン酸４．０ｇを溶解
させた水８０ｇを添加し、加水分解、縮合を行い反応物
溶液を作成した。ここで調整された塗布液をスピナーを
用いて２０００rpmで６インチのシリコンウエハー上に
塗布した後、１５０℃と２５０℃に制御されたホットプ
レート上で各１分間乾燥し、ついで電気炉中４００℃で
１時間焼成したところ、無色透明でクラックのない被膜
が得られた。ウエハー上に形成された酸化物被膜の膜厚
を干渉膜厚計（大日本スクリーン製ラムダエース）で１
０点測定したところ０．４５±０．５０μｍであった。
００ｇに溶解し、この溶液にマレイン酸４．０ｇを溶解
させた水８０ｇを添加し、加水分解、縮合を行い反応物
溶液を作成した。ここで調整された塗布液をスピナーを
用いて２０００rpmで６インチのシリコンウエハー上に
塗布した後、１５０℃と２５０℃に制御されたホットプ
レート上で各１分間乾燥し、ついで電気炉中４００℃で
１時間焼成したところ、無色透明でクラックのない被膜
が得られた。ウエハー上に形成された酸化物被膜の膜厚
を干渉膜厚計（大日本スクリーン製ラムダエース）で１
０点測定したところ０．４５±０．５０μｍであった。
【００１７】また前記溶液を、厚さ１．０μｍ、ライン
＆スペース幅０．５−５．０μｍのアルミ配線が形成さ
れたシリコンウエハー上に前記と同様な条件で成膜し、
ウエハー周辺部のパターンの形成されている部分の膜厚
を上記同様に測定したところ、膜厚は０．４５±０．７
５μｍであった。
＆スペース幅０．５−５．０μｍのアルミ配線が形成さ
れたシリコンウエハー上に前記と同様な条件で成膜し、
ウエハー周辺部のパターンの形成されている部分の膜厚
を上記同様に測定したところ、膜厚は０．４５±０．７
５μｍであった。
【００１８】比較例２ Ｓｉ(ＯＣＨ3) １５２．０ｇ及びＣＨ3Ｓｉ(ＯＣＨ3)
１３６．０ｇをプロピレングリコールモノプロピルエ
ーテル６００ｇに溶解し、この溶液にマレイン酸２．０
ｇを溶解させた水６３．０ｇを添加し、加水分解、縮合
を行い反応物溶液を作成した。
１３６．０ｇをプロピレングリコールモノプロピルエ
ーテル６００ｇに溶解し、この溶液にマレイン酸２．０
ｇを溶解させた水６３．０ｇを添加し、加水分解、縮合
を行い反応物溶液を作成した。
【００１９】ここで調整された塗布液をスピナーを用い
て２０００rpmで６インチのシリコンウエハー上に塗布
した後、１５０℃と２５０℃に制御されたホットプレー
ト上で各１分間乾燥し、ついで電気炉中４００℃で１時
間焼成したところ、無色透明でクラックのない被膜が得
られた。ウエハー上に形成された酸化物被膜の膜厚を干
渉膜厚計（大日本スクリーン製ラムダエース）で１０点
測定したところ０．４７±０．０１μｍであった。また
前記溶液を、厚さ１．０μｍ、ライン＆スペース幅０．
５〜５．０μｍのアルミ配線が形成されたシリコンウエ
ハー上に前記と同様な条件で成膜し、ウエハー周辺部の
パターンの形成されている部分の膜厚を上記同様に測定
したところ、膜厚は０．４７±０．２０μｍであった。
て２０００rpmで６インチのシリコンウエハー上に塗布
した後、１５０℃と２５０℃に制御されたホットプレー
ト上で各１分間乾燥し、ついで電気炉中４００℃で１時
間焼成したところ、無色透明でクラックのない被膜が得
られた。ウエハー上に形成された酸化物被膜の膜厚を干
渉膜厚計（大日本スクリーン製ラムダエース）で１０点
測定したところ０．４７±０．０１μｍであった。また
前記溶液を、厚さ１．０μｍ、ライン＆スペース幅０．
５〜５．０μｍのアルミ配線が形成されたシリコンウエ
ハー上に前記と同様な条件で成膜し、ウエハー周辺部の
パターンの形成されている部分の膜厚を上記同様に測定
したところ、膜厚は０．４７±０．２０μｍであった。
【００２０】
【発明の効果】請求項１における酸化物被膜形成用塗布
液は、塗布均一性に優れる。この塗布液は、電子部品、
特に半導体の多層配線における層間断差の被膜、磁気バ
ブルメモリー等の素子表面平坦化等に有効である。請求
項２における酸化物被膜形成用塗布液は、一層塗布均一
性に優れる。請求項３における酸化物皮膜の製造法によ
り、１．５μｍ程度の厚さにしても均一でクラックの発
生が無い皮膜が得られる。請求項４における半導体装置
の製造法により、上記の優れた半価物被膜を有する半導
体装置を製造することができる。
液は、塗布均一性に優れる。この塗布液は、電子部品、
特に半導体の多層配線における層間断差の被膜、磁気バ
ブルメモリー等の素子表面平坦化等に有効である。請求
項２における酸化物被膜形成用塗布液は、一層塗布均一
性に優れる。請求項３における酸化物皮膜の製造法によ
り、１．５μｍ程度の厚さにしても均一でクラックの発
生が無い皮膜が得られる。請求項４における半導体装置
の製造法により、上記の優れた半価物被膜を有する半導
体装置を製造することができる。
Claims (4)
- 【請求項１】 （Ａ）一般式（Ｉ） 【化１】 （式中Ｒは、炭素数１〜４のアルキル基、Ｒ′は炭素数
１〜３のアルキル基、ｍは０、１または２を意味する）
で表されるアルコキシシラン化合物を溶媒の存在下に加
水分解及び縮重合させ、加水分解によって生成する１価
アルコールを除去してなる酸化物被膜形成用塗布液。 - 【請求項２】 請求項１記載の溶媒の沸点が加水分解で
生成する１価アルコールの沸点より３０℃以上高いもの
である酸化物被膜形成用塗布液。 - 【請求項３】 請求項１記載の塗布液を、基体表面上に
塗布後、５０〜２００℃で乾燥し、ついで３００〜１０
００℃で焼成することを特徴とする酸化物被膜の製造
法。 - 【請求項４】 請求項１記載の塗布液を、半導体素子表
面上に塗布後、５０〜２００℃で乾燥し、ついで３００
〜１０００℃で焼成して酸化物被膜を形成することを特
徴とする半導体装置の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33832795A JPH09176574A (ja) | 1995-12-26 | 1995-12-26 | 酸化物被膜形成用塗布液並びに酸化物被膜及び半導体装置の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33832795A JPH09176574A (ja) | 1995-12-26 | 1995-12-26 | 酸化物被膜形成用塗布液並びに酸化物被膜及び半導体装置の製造法 |
Related Child Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2005296996A Division JP2006104479A (ja) | 2005-10-11 | 2005-10-11 | 酸化物被膜形成用塗布液並びに酸化物被膜及び半導体装置の製造法 |
| JP2005296995A Division JP2006104478A (ja) | 2005-10-11 | 2005-10-11 | 酸化物被膜形成用塗布液並びに酸化物被膜及び半導体装置の製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09176574A true JPH09176574A (ja) | 1997-07-08 |
Family
ID=18317107
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33832795A Pending JPH09176574A (ja) | 1995-12-26 | 1995-12-26 | 酸化物被膜形成用塗布液並びに酸化物被膜及び半導体装置の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09176574A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008003624A (ja) * | 1999-04-12 | 2008-01-10 | Jsr Corp | レジスト下層膜用組成物 |
| JP2008170984A (ja) * | 1999-04-12 | 2008-07-24 | Jsr Corp | レジスト下層膜用組成物 |
-
1995
- 1995-12-26 JP JP33832795A patent/JPH09176574A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008003624A (ja) * | 1999-04-12 | 2008-01-10 | Jsr Corp | レジスト下層膜用組成物 |
| JP2008170984A (ja) * | 1999-04-12 | 2008-07-24 | Jsr Corp | レジスト下層膜用組成物 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20050809 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |