JPH09207064A - 両面研磨機用キャリアおよびこれを用いて被加工物の両面を研磨する方法 - Google Patents
両面研磨機用キャリアおよびこれを用いて被加工物の両面を研磨する方法Info
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- JPH09207064A JPH09207064A JP3868096A JP3868096A JPH09207064A JP H09207064 A JPH09207064 A JP H09207064A JP 3868096 A JP3868096 A JP 3868096A JP 3868096 A JP3868096 A JP 3868096A JP H09207064 A JPH09207064 A JP H09207064A
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Landscapes
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 本発明は、例えば半導体基板の両面を研磨す
る際、該基板を保持しておくキャリアの強度を確保し、
金属汚染等の不具合を避けることを目的とする。 【解決手段】 キャリア１の芯材となるＳＫ材、又はＳ
ＵＳ材等の金属板コア２に多数の小孔６、…を穿設し、
金属板コア２の表裏面に樹脂コート３を形成するととも
に、小孔６、…内にも樹脂を充填し、表面側の樹脂コー
ト３と裏面側の樹脂コート３を強固に結合して樹脂コー
ト３の剥離強度向上を図る。また、小孔６、…の径を１
０mmφ以下にする。そして、このようなキャリアを用い
て被加工物を研磨する。
る際、該基板を保持しておくキャリアの強度を確保し、
金属汚染等の不具合を避けることを目的とする。 【解決手段】 キャリア１の芯材となるＳＫ材、又はＳ
ＵＳ材等の金属板コア２に多数の小孔６、…を穿設し、
金属板コア２の表裏面に樹脂コート３を形成するととも
に、小孔６、…内にも樹脂を充填し、表面側の樹脂コー
ト３と裏面側の樹脂コート３を強固に結合して樹脂コー
ト３の剥離強度向上を図る。また、小孔６、…の径を１
０mmφ以下にする。そして、このようなキャリアを用い
て被加工物を研磨する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば半導体基板
の両面を研磨する際、当該半導体基板を保持しておくキ
ャリアの改良に関する。
の両面を研磨する際、当該半導体基板を保持しておくキ
ャリアの改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、例えば半導体基板の両面をポリッ
シング等で研磨する際、キャリアによって半導体基板を
保持して行うようにしている。すなわち、このキャリア
は、半導体基板より薄い厚みに形成され、両面研磨機の
上定盤と下定盤の間の所定位置に保持し得るようにされ
るとともに基板保持孔を備えている。そしてこの基板保
持孔に半導体基板を挿入して保持し、上定盤と下定盤の
対向面に設けられた研磨布等の研磨具で半導体基板の上
下面を挟み込み、研磨面に研磨液を供給しながら研磨す
るようにしている。
シング等で研磨する際、キャリアによって半導体基板を
保持して行うようにしている。すなわち、このキャリア
は、半導体基板より薄い厚みに形成され、両面研磨機の
上定盤と下定盤の間の所定位置に保持し得るようにされ
るとともに基板保持孔を備えている。そしてこの基板保
持孔に半導体基板を挿入して保持し、上定盤と下定盤の
対向面に設けられた研磨布等の研磨具で半導体基板の上
下面を挟み込み、研磨面に研磨液を供給しながら研磨す
るようにしている。
【０００３】ところで、このようなキャリアとして例え
ば樹脂製のもの、又は金属板の表裏面に樹脂を被覆した
ものが一般的に良く知られている。そして前者の場合は
通常繊維強化樹脂が多く用いられており、後者の場合は
金属板の表面に樹脂をスプレーコートしたり、樹脂フィ
ルムを接着したりして樹脂層を形成するようにしてい
る。
ば樹脂製のもの、又は金属板の表裏面に樹脂を被覆した
ものが一般的に良く知られている。そして前者の場合は
通常繊維強化樹脂が多く用いられており、後者の場合は
金属板の表面に樹脂をスプレーコートしたり、樹脂フィ
ルムを接着したりして樹脂層を形成するようにしてい
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところが、研磨中キャ
リアには負荷がかかるため、特に前者のような樹脂製の
ものでは強度が不足しがちで容易に破壊するという問題
があった。また、後者のように金属板の表面に単に樹脂
層を被着させるだけでは研磨中に樹脂層が剥離しやす
く、仮に金属板が露出してしまうと金属汚染という半導
体基板にとって致命的な欠陥が生じ製品の歩留りが悪く
なるという問題があった。
リアには負荷がかかるため、特に前者のような樹脂製の
ものでは強度が不足しがちで容易に破壊するという問題
があった。また、後者のように金属板の表面に単に樹脂
層を被着させるだけでは研磨中に樹脂層が剥離しやす
く、仮に金属板が露出してしまうと金属汚染という半導
体基板にとって致命的な欠陥が生じ製品の歩留りが悪く
なるという問題があった。
【０００５】そこで、強度がありしかも金属汚染等の不
具合を招かないキャリアが望まれていた。
具合を招かないキャリアが望まれていた。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
本発明は、請求項１において、被加工物の両面を研磨す
る際被加工物を保持しておくキャリアであって、金属板
コアの表裏面に樹脂層を形成するようにした両面研磨機
用キャリアにおいて、金属板コアに多数の小孔を穿設
し、この小孔内に樹脂を充填して表裏面の樹脂層を結合
するようにした。また、請求項２では、小孔の径を１０
mmφ以下とした。
本発明は、請求項１において、被加工物の両面を研磨す
る際被加工物を保持しておくキャリアであって、金属板
コアの表裏面に樹脂層を形成するようにした両面研磨機
用キャリアにおいて、金属板コアに多数の小孔を穿設
し、この小孔内に樹脂を充填して表裏面の樹脂層を結合
するようにした。また、請求項２では、小孔の径を１０
mmφ以下とした。
【０００７】そしてこのように芯材として金属板を用い
れば、研磨中にかかる荷重に対する強度は充分であり、
また金属板コアに穿設した多数の小孔内に樹脂を充填
し、表面側の樹脂層と裏面側の樹脂層を結合すれば、樹
脂の剥離強度が高まり、金属露出という事態を避けるこ
とが出来る。この際、小孔の径を１０mmφ以下にすれば
表裏面の樹脂層の結合強度を高めることが出来、しかも
金属板コアの剛性を損なわない。
れば、研磨中にかかる荷重に対する強度は充分であり、
また金属板コアに穿設した多数の小孔内に樹脂を充填
し、表面側の樹脂層と裏面側の樹脂層を結合すれば、樹
脂の剥離強度が高まり、金属露出という事態を避けるこ
とが出来る。この際、小孔の径を１０mmφ以下にすれば
表裏面の樹脂層の結合強度を高めることが出来、しかも
金属板コアの剛性を損なわない。
【０００８】従って、このような請求項１、請求項２の
キャリアを用いて、被加工物の両面を研磨すれば、金属
汚染等の心配なく、安定して被加工物を研磨することが
できるので、これを本発明の請求項３の発明とした。
キャリアを用いて、被加工物の両面を研磨すれば、金属
汚染等の心配なく、安定して被加工物を研磨することが
できるので、これを本発明の請求項３の発明とした。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態について添付
した図面に基づき説明する。ここで図１は両面研磨機の
構造を説明するための縦断面図、図２は平面視による内
部構造図、図３はキャリアの芯材となる金属板コアの一
例を示す平面図、図４はキャリアの断面モデル図であ
る。本発明の両面研磨機用キャリアは、例えば薄くスラ
イスした半導体基板の両面を鏡面仕上げするような両面
研磨機において、半導体基板を保持しておくキャリアの
改良に関するものであり、まず両面研磨機の概要につい
て図１及び図２に基づき説明する。
した図面に基づき説明する。ここで図１は両面研磨機の
構造を説明するための縦断面図、図２は平面視による内
部構造図、図３はキャリアの芯材となる金属板コアの一
例を示す平面図、図４はキャリアの断面モデル図であ
る。本発明の両面研磨機用キャリアは、例えば薄くスラ
イスした半導体基板の両面を鏡面仕上げするような両面
研磨機において、半導体基板を保持しておくキャリアの
改良に関するものであり、まず両面研磨機の概要につい
て図１及び図２に基づき説明する。
【００１０】両面研磨機１０は、上下に相対向して設け
られた下定盤１１と上定盤１２を備えており、各定盤１
１、１２の対向面側には、夫々研磨布１１ａ、１２ａが
取付けられるとともに、これら各定盤１１、１２は中心
軸まわりに不図示の駆動源によって回転自在にされてい
る。
られた下定盤１１と上定盤１２を備えており、各定盤１
１、１２の対向面側には、夫々研磨布１１ａ、１２ａが
取付けられるとともに、これら各定盤１１、１２は中心
軸まわりに不図示の駆動源によって回転自在にされてい
る。
【００１１】また、下定盤１１と上定盤１２の間の中心
部には太陽歯車１３が設けられるとともに、周縁部には
内歯歯車１４の歯部が臨んでおり、この太陽歯車１３と
内歯歯車１４の各歯部には円盤状の本キャリア１の外周
歯が噛合している。そしてこのキャリア１には、後述す
る基板保持孔４が複数形成され、この基板保持孔４にキ
ャリア１の板厚より厚い半導体基板Ｗを挿入セットした
後、この半導体基板Ｗを下定盤１１と上定盤１２で挟み
込み、太陽歯車１３と内歯歯車１４によってキャリア１
を自転させつつ公転させ、下定盤１１と上定盤１２を相
対方向に回転させて各研磨布１１ａ、１２ａで研磨する
ようにしている。
部には太陽歯車１３が設けられるとともに、周縁部には
内歯歯車１４の歯部が臨んでおり、この太陽歯車１３と
内歯歯車１４の各歯部には円盤状の本キャリア１の外周
歯が噛合している。そしてこのキャリア１には、後述す
る基板保持孔４が複数形成され、この基板保持孔４にキ
ャリア１の板厚より厚い半導体基板Ｗを挿入セットした
後、この半導体基板Ｗを下定盤１１と上定盤１２で挟み
込み、太陽歯車１３と内歯歯車１４によってキャリア１
を自転させつつ公転させ、下定盤１１と上定盤１２を相
対方向に回転させて各研磨布１１ａ、１２ａで研磨する
ようにしている。
【００１２】この際、図１に示すように、上定盤１２の
上部のノズル１５から研磨液を供給し、上定盤１２に設
けた貫通孔１６を通して研磨面に送り込むようにしてい
る。因みに、キャリア１には後述する研磨液孔５を設け
ており、この研磨液孔５を通して下面側の研磨面にもま
んべんなく研磨液が供給される。
上部のノズル１５から研磨液を供給し、上定盤１２に設
けた貫通孔１６を通して研磨面に送り込むようにしてい
る。因みに、キャリア１には後述する研磨液孔５を設け
ており、この研磨液孔５を通して下面側の研磨面にもま
んべんなく研磨液が供給される。
【００１３】前記キャリア１は、図３に示すような金属
板コア２の全周囲を図４に示すような樹脂コート３で被
覆して形成し、必要な強度を確保するとともに、樹脂コ
ート３の剥離強度を高めるようにしている。そして金属
板コア２は、外周に歯部Ｇ、…が形成された円盤状であ
り、またこの金属板コア２の板厚は、キャリア１の所望
の厚みの約８〜９割の厚みを持ち、材質は例えばＳＫ材
やＳＵＳ材の金属としている。
板コア２の全周囲を図４に示すような樹脂コート３で被
覆して形成し、必要な強度を確保するとともに、樹脂コ
ート３の剥離強度を高めるようにしている。そして金属
板コア２は、外周に歯部Ｇ、…が形成された円盤状であ
り、またこの金属板コア２の板厚は、キャリア１の所望
の厚みの約８〜９割の厚みを持ち、材質は例えばＳＫ材
やＳＵＳ材の金属としている。
【００１４】また、この金属板コア２には、前記半導体
基板Ｗを挿入する大径の基板保持孔４、…と、研磨液を
通すための中径の研磨液孔５、…と、多数の小孔６、…
がいずれも貫通孔として設けられており、前記基板保持
孔４、…の径は半導体基板Ｗの径に合せて形成されると
ともに、実施例では基板保持孔４、…を３箇所に設け、
同時に３枚の半導体基板Ｗ、…を保持し得るようにして
いる。
基板Ｗを挿入する大径の基板保持孔４、…と、研磨液を
通すための中径の研磨液孔５、…と、多数の小孔６、…
がいずれも貫通孔として設けられており、前記基板保持
孔４、…の径は半導体基板Ｗの径に合せて形成されると
ともに、実施例では基板保持孔４、…を３箇所に設け、
同時に３枚の半導体基板Ｗ、…を保持し得るようにして
いる。
【００１５】前記小孔６、…は、直径を１０mmφ以下と
し、実施例では約５mmφ〜１０mmφ程度にしている。ま
た、小孔６、…の間隔は、樹脂の材質等によって異なら
せることが好ましいが、例えば５〜１０mm程度が適当で
ある。
し、実施例では約５mmφ〜１０mmφ程度にしている。ま
た、小孔６、…の間隔は、樹脂の材質等によって異なら
せることが好ましいが、例えば５〜１０mm程度が適当で
ある。
【００１６】以上のような金属板コア２の表裏面に樹脂
コート３を被覆する。この際、基板保持孔４、…と研磨
液孔５、…については、内周端面にだけ樹脂コート３を
被覆して孔の貫通状態を維持させ、小孔６、…について
は図４に示すように内部に樹脂を充填して盲孔状態にす
る。このため、表面側の樹脂コート３と裏面側の樹脂コ
ート３は、小孔６、…内の樹脂によって結合された状態
になり、強固に金属板コア２表面に被着する。
コート３を被覆する。この際、基板保持孔４、…と研磨
液孔５、…については、内周端面にだけ樹脂コート３を
被覆して孔の貫通状態を維持させ、小孔６、…について
は図４に示すように内部に樹脂を充填して盲孔状態にす
る。このため、表面側の樹脂コート３と裏面側の樹脂コ
ート３は、小孔６、…内の樹脂によって結合された状態
になり、強固に金属板コア２表面に被着する。
【００１７】尚、上記のような樹脂コート３は、熱溶融
した樹脂を金型成形によって金属板コア２の表裏面に向
けて射出し、射出圧で小孔６、…内部に充填し表裏面に
コーティングした樹脂を結合するようにしても良く、ま
た、熱硬化性樹脂フィルムを金属板コア２の表裏面に接
着し、加熱・加圧して小孔６、…の内部に樹脂を充填
し、表裏面の樹脂を結合するようにしても良い。そし
て、金属板コア２の外表面全域を樹脂コート３で被覆し
て金属露出部を無くす。ここで、用いられる樹脂の材質
としては、加工成型性に優れたものとする必要があり、
例えばポリイミド、ポリアミド、ポリエチレン、ポリプ
ロピレン、ポリアセタール等が好適である。尚、以上の
ようなキャリア１は、半導体基板Ｗの厚みより薄く構成
される。
した樹脂を金型成形によって金属板コア２の表裏面に向
けて射出し、射出圧で小孔６、…内部に充填し表裏面に
コーティングした樹脂を結合するようにしても良く、ま
た、熱硬化性樹脂フィルムを金属板コア２の表裏面に接
着し、加熱・加圧して小孔６、…の内部に樹脂を充填
し、表裏面の樹脂を結合するようにしても良い。そし
て、金属板コア２の外表面全域を樹脂コート３で被覆し
て金属露出部を無くす。ここで、用いられる樹脂の材質
としては、加工成型性に優れたものとする必要があり、
例えばポリイミド、ポリアミド、ポリエチレン、ポリプ
ロピレン、ポリアセタール等が好適である。尚、以上の
ようなキャリア１は、半導体基板Ｗの厚みより薄く構成
される。
【００１８】以上のように構成したキャリア１におい
て、基板保持孔４内に半導体基板Ｗが挿入されて保持さ
れると半導体基板の上下面は両面研磨機の上定盤１２と
下定盤１１によって挟み込まれる。そして研磨面に研磨
液を供給しつつ、上定盤１２と下定盤１１を相対方向に
回転させながらポリッシング加工が行われる。この際、
例えば半導体基板Ｗの上面に供給された研磨液は、研磨
液孔５、…を通って下面にもまんべんなく行き渡る。
て、基板保持孔４内に半導体基板Ｗが挿入されて保持さ
れると半導体基板の上下面は両面研磨機の上定盤１２と
下定盤１１によって挟み込まれる。そして研磨面に研磨
液を供給しつつ、上定盤１２と下定盤１１を相対方向に
回転させながらポリッシング加工が行われる。この際、
例えば半導体基板Ｗの上面に供給された研磨液は、研磨
液孔５、…を通って下面にもまんべんなく行き渡る。
【００１９】この研磨中、キャリア１に加わる力は研磨
条件にもよるが、通常５００g/cm2以上にも及ぶ。しか
しながら、本案の場合は金属板コア２によって上記荷重
に充分耐え得る強度を有するとともに、この金属板コア
２の外表面を覆う樹脂コート３は、小孔６、…内の樹脂
により強固に結合しているため、樹脂コート３が剥離し
にくい。従って、半導体基板を金属汚染させることもな
い。
条件にもよるが、通常５００g/cm2以上にも及ぶ。しか
しながら、本案の場合は金属板コア２によって上記荷重
に充分耐え得る強度を有するとともに、この金属板コア
２の外表面を覆う樹脂コート３は、小孔６、…内の樹脂
により強固に結合しているため、樹脂コート３が剥離し
にくい。従って、半導体基板を金属汚染させることもな
い。
【００２０】ところで、図５は、本発明のキャリアと従
来のキャリアを比較した実験値を示すものである。ここ
で従来例は、ガラスファイバーにエポキシ樹脂を含浸さ
せたエポキシガラス製と、ＳＫ材の表面に樹脂を被覆
（フィルム）したＳＫ＋樹脂フィルム製であり、いずれ
も一定の研磨条件で延べ２０時間研磨し耐久時間（縦
軸）を調べた。
来のキャリアを比較した実験値を示すものである。ここ
で従来例は、ガラスファイバーにエポキシ樹脂を含浸さ
せたエポキシガラス製と、ＳＫ材の表面に樹脂を被覆
（フィルム）したＳＫ＋樹脂フィルム製であり、いずれ
も一定の研磨条件で延べ２０時間研磨し耐久時間（縦
軸）を調べた。
【００２１】この結果、エポキシガラス製のキャリア
は、約０．５時間で歯部Ｇが破壊し、ＳＫ＋樹脂フィル
ム製の場合は、約５時間でフィルムの剥離が生じた。こ
れに対して、本案の場合は２０時間研磨しても変化は見
られなかった。この結果から本案の有効性が確認され
た。尚、実施例では小孔６、…の形状を円形にしている
が、それ以外の形状であっても有効であることはいうま
でもない。
は、約０．５時間で歯部Ｇが破壊し、ＳＫ＋樹脂フィル
ム製の場合は、約５時間でフィルムの剥離が生じた。こ
れに対して、本案の場合は２０時間研磨しても変化は見
られなかった。この結果から本案の有効性が確認され
た。尚、実施例では小孔６、…の形状を円形にしている
が、それ以外の形状であっても有効であることはいうま
でもない。
【００２２】
【発明の効果】以上のように本発明の両面研磨機用キャ
リアは、請求項１のように、芯材となる金属板コアに多
数の小孔を穿設し、この小孔内に樹脂を充填して表裏面
に形成される樹脂層を結合するようにしたため、研磨中
にかかる荷重に充分耐え得る強度を確保出来、また表裏
面の樹脂層を強固に結合することが出来る。このため金
属露出を抑制することが出来、金属汚染等の不具合を避
けることが出来る。また、請求項２では、小孔の径を１
０mmφ以下としたため、金属板コアの剛性を損なうこと
なく表裏面の樹脂層を強固に結合出来る。従って、この
ような請求項１、請求項２のキャリアを用いて、被加工
物の両面を研磨すれば、金属汚染等の心配なく、安定し
て被加工物を研磨することができる。
リアは、請求項１のように、芯材となる金属板コアに多
数の小孔を穿設し、この小孔内に樹脂を充填して表裏面
に形成される樹脂層を結合するようにしたため、研磨中
にかかる荷重に充分耐え得る強度を確保出来、また表裏
面の樹脂層を強固に結合することが出来る。このため金
属露出を抑制することが出来、金属汚染等の不具合を避
けることが出来る。また、請求項２では、小孔の径を１
０mmφ以下としたため、金属板コアの剛性を損なうこと
なく表裏面の樹脂層を強固に結合出来る。従って、この
ような請求項１、請求項２のキャリアを用いて、被加工
物の両面を研磨すれば、金属汚染等の心配なく、安定し
て被加工物を研磨することができる。
【図１】両面研磨機の構造を説明するための縦断面図で
ある。
ある。
【図２】両面研磨機の平面視による内部構造図である。
【図３】キャリアの芯材となる金属板コアの一例を示す
平面図である。
平面図である。
【図４】キャリアの断面モデル図である。
【図５】本発明のキャリアと従来のキャリアの耐久試験
を行った結果図である。
を行った結果図である。
１…キャリア、 ２…金属板コア、３
…樹脂コート、 ４…基板保持孔、５…
研磨液孔、 ６…小孔、１０…両面研
磨機、１１…下定盤、 １１ａ…研磨
布、１２…上定盤、 １２ａ…研磨布、
１３…太陽歯車、 １４…内歯歯車、１
５…ノズル、 １６…貫通孔、Ｇ…歯
部、 Ｗ…半導体基板。
…樹脂コート、 ４…基板保持孔、５…
研磨液孔、 ６…小孔、１０…両面研
磨機、１１…下定盤、 １１ａ…研磨
布、１２…上定盤、 １２ａ…研磨布、
１３…太陽歯車、 １４…内歯歯車、１
５…ノズル、 １６…貫通孔、Ｇ…歯
部、 Ｗ…半導体基板。
フロントページの続き (72)発明者 工藤 秀雄 福島県西白河郡西郷村大字小田倉字大平 150 信越半導体株式会社半導体白河研究 所内
Claims (3)
- 【請求項１】 被加工物の両面を研磨する際被加工物を
保持しておくキャリアであって、金属板コアの表裏面に
樹脂層を形成するようにした両面研磨機用キャリアにお
いて、前記金属板コアに多数の小孔を穿設し、この小孔
内に樹脂を充填して表裏面の樹脂層を結合することを特
徴とする両面研磨機用キャリア。 - 【請求項２】 請求項１に記載の両面研磨機用キャリア
において、前記小孔の径は１０mmφ以下であることを特
徴とする両面研磨機用キャリア。 - 【請求項３】 請求項１または請求項２に記載した両面
研磨機用キャリアを用いることを特徴とする、被加工物
の両面を研磨する方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3868096A JPH09207064A (ja) | 1996-02-01 | 1996-02-01 | 両面研磨機用キャリアおよびこれを用いて被加工物の両面を研磨する方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3868096A JPH09207064A (ja) | 1996-02-01 | 1996-02-01 | 両面研磨機用キャリアおよびこれを用いて被加工物の両面を研磨する方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09207064A true JPH09207064A (ja) | 1997-08-12 |
Family
ID=12532004
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3868096A Pending JPH09207064A (ja) | 1996-02-01 | 1996-02-01 | 両面研磨機用キャリアおよびこれを用いて被加工物の両面を研磨する方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09207064A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010083429A (ko) * | 2000-02-12 | 2001-09-01 | 이은상 | 연속 전해 드레싱을 이용한 래핑 가공장치. |
| JP2004283929A (ja) * | 2003-03-20 | 2004-10-14 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | ウエーハ保持用キャリア並びにそれを用いた両面研磨装置及びウエーハの両面研磨方法 |
| JP2007331035A (ja) * | 2006-06-12 | 2007-12-27 | Epson Toyocom Corp | ワークキャリアとその製造方法及び両面研磨機 |
| US20100311312A1 (en) * | 2009-06-03 | 2010-12-09 | Masanori Furukawa | Double-side polishing apparatus and method for polishing both sides of wafer |
| JP2014128862A (ja) * | 2012-12-28 | 2014-07-10 | Shuji Iwata | 円盤状キャリア |
| US9539695B2 (en) | 2007-10-17 | 2017-01-10 | Siltronic Ag | Carrier, method for coating a carrier, and method for the simultaneous double-side material-removing machining of semiconductor wafers |
| CN115485813A (zh) * | 2020-05-19 | 2022-12-16 | 信越半导体株式会社 | 双面研磨装置用载具的制造方法及晶圆的双面研磨方法 |
-
1996
- 1996-02-01 JP JP3868096A patent/JPH09207064A/ja active Pending
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| US8485864B2 (en) * | 2009-06-03 | 2013-07-16 | Fujikoshi Machinery Corp. | Double-side polishing apparatus and method for polishing both sides of wafer |
| JP2014128862A (ja) * | 2012-12-28 | 2014-07-10 | Shuji Iwata | 円盤状キャリア |
| CN115485813A (zh) * | 2020-05-19 | 2022-12-16 | 信越半导体株式会社 | 双面研磨装置用载具的制造方法及晶圆的双面研磨方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040518 |
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| A521 | Written amendment |
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