JPH09218429A

JPH09218429A - アクティブマトリクス基板及びその製造方法並びに液晶表示装置

Info

Publication number: JPH09218429A
Application number: JP2451496A
Authority: JP
Inventors: Takashi Inoue; 孝井上
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 1996-02-09
Filing date: 1996-02-09
Publication date: 1997-08-19

Abstract

(57)【要約】【課題】極性差のない非線形素子を備えたアクティブマ
トリクス基板を提供する。焼き付きのない液晶表示装置
を提供する。【解決手段】アクティブマトリクス基板の配線膜とＭＩ
Ｍ型非線形素子との間の導電接続を、画素電極と同一の
膜を介して行った。アクティブマトリクス基板の配線膜
から画素電極膜までの接触膜の構成を対称にした。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はアクティブマトリク
ス基板及びその製造方法並びに液晶表示装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】アクティブマトリクス方式の液晶表示装
置は、画素領域ごとに非線形素子を設けてマトリクスア
レイを形成した一方側の基板と、カラーフィルタが形成
された他方側の基板との間に液晶を充填しておき、各画
素領域ごとの液晶の配向状態を制御して、所定の情報を
表示するものである。非線形素子として薄膜トランジス
タなどの３端子素子またはＭＩＭ型非線形素子などの２
端子素子を用いるが、液晶表示素子に対する画面の大型
化および低コスト化などの要求に対応するには、ＭＩＭ
型非線形素子を用いた方式が製造工程が短いために有利
である。しかも、ＭＩＭ型非線形素子を用いた場合に
は、マトリクスアレイを形成した一方側の基板に走査線
を設け、他方側の基板には信号線を設けることができる
ので、３端子素子の不良の大きな原因となっている走査
線と信号線のクロスオーバー短絡が発生しないというメ
リットもある。これに対して、薄膜トランジスタは書き
込み特性や保持特性に優れているために画質が優れてい
る，画素の高密度化が可能である等の利点がある。

【０００３】ＭＩＭ型非線形素子を用いたアクティブマ
トリクス方式の液晶表示パネルにおいては、液晶表示パ
ネルの等価回路である図７に示すように、各画素領域３
で各走査線７１と各信号線７２との間にＭＩＭ型非線形
素子１（図中、バリスタの符号で示す。）と液晶表示素
子２（図中、コンデンサの符号で示す。）が直列接続さ
れた構成として表され、走査線７１および信号線７２に
印加された信号に基づいて、液晶表示素子２を表示状態
および非表示状態あるいはその中間状態に切り換えて表
示動作を制御する。

【０００４】図８（ａ）に示すように、ＭＩＭ型非線形
素子１において、ＭＩＭ型非線形素子の第一の金属膜と
第二の金属膜への印加電圧ＶNLと前記の２つの金属膜の
間を流れる電流ＩNLとは非線形性の関係を有している。
ＭＩＭ型非線形素子１のしきい値電圧をＶｔｈ、液晶表
示素子２のしきい値電圧をＶｂ、表示状態となる電位を
（Ｖｂ＋△Ｖ）とすると、図８（ｂ）に示すように選択
期間では、所定の画素領域３における走査線７１と信号
線７２との間の電位差Ｖ（単位画素への印加電圧）を
（Ｖｂ＋Ｖｔｈ）とすることによって、液晶表示素子２
を非表示状態とする事ができ、走査線７１と信号線７２
との間の電位差Ｖを（Ｖｂ＋Ｖｔｈ＋△Ｖ）とすること
によって、液晶表示素子２を表示状態とする事ができ
る。一方、非選択期間では単位画素に印加する電位Ｖ
を、液晶表示素子２に残留した電位に対して概ね近接す
る様に設定しその差がＭＩＭ型非線形素子のしきい値電
圧Ｖｔｈ以下であれば、非選択期間内でＭＩＭ型非線形
素子１は常に遮断状態となり、選択期間に定められた状
態をそのまま維持する事になる。

【０００５】以上は、ＭＩＭ型非線形素子の容量が十分
小さく、電圧−電流特性の非線形性が十分高く、電圧の
印加方向によって流れる電流値が同じである理想的なＭ
ＩＭ型非線形素子１を得る事ができ、ＭＩＭ型非線形素
子に信号を与える配線の抵抗が十分に低くできた場合の
最も基本的な動作例である。

【０００６】特開昭５２−１４９０９０に述べられてい
るような一般的な構造をＭＩＭ型非線形素子の平面図で
ある図６（ａ）と、ＡＡ´の断面図である図６（ｂ）を
用いて述べる。ＭＩＭ型非線形素子１は、透明基板６１
の表面側に形成され、走査線７１を介して走査回路側に
導電接続するＴａ原子を主成分とした第１の金属膜６２
と、その表面側の絶縁膜である金属酸化膜６３と、その
表面側に形成されて画素電極６５に導電接続するＣｒか
らなる第２の金属膜６４とから構成されている。金属酸
化膜６３は、Ｔａ膜の表面に膜厚が均一で、しかもピン
ホールがない状態で形成されるように、第一の金属膜６
２に対する陽極酸化によって形成される。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
ＭＩＭ型非線形素子１を用いた液晶表示パネルにおいて
は、数時間同じ絵を表示したのちに、パネル全面を同じ
色にすると前に表示していた絵が薄く見えるという問題
点があった。以後この現象を焼き付きと呼ぶことにす
る。

【０００８】この問題点を解消する手段として、特開昭
５７−１９６５８８にあるようにＭＩＭ型非線形素子の
酸化膜を３００℃以上に保った状態で酸素プラズマ処理
で堆積する方法が示されている。この方法では、膜厚の
基板内での均一性が得られないのであまり好ましくな
い。特開昭６３−４８５２８には、陽極酸化膜の上層部
を除去してから第２の金属膜を形成する方法が示されて
いるが、酸化膜の除去を基板内に均一にすることが難し
い，これらの酸化膜の除去はドライエッチングになるの
でガラス基板へのダメージが発生し好ましい技術ではな
かった。

【０００９】さらに、特開昭５８−３４４２８に示され
ているように、ＭＩＭ型非線形素子の構造を極性が反対
になるように直列に配列する方法が示されているが、第
２の金属膜と画素電極膜とのコンタクト抵抗に電圧の印
加方向によって流れる電流値が異なるという極性差があ
るために、どうしても焼き付き現象が残っていた。

【００１０】本発明は、ＭＩＭ型非線形素子を用いたア
クティブマトリクス基板用いた焼き付きのない液晶表示
パネルを提供することを目的とする。

【００１１】また、本発明は、電圧の印加方向によって
も流れる電流値が同じになるＭＩＭ型非線形素子を提供
することを目的とする。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明のアクティブマト
リクス基板は、第１の金属膜−第１の金属膜の陽極酸化
膜からなる絶縁膜−第２の金属膜構造を有するＭＩＭ型
非線形素子を用いたアクティブマトリクス基板におい
て、配線膜と前記ＭＩＭ型非線形素子との間の導電接続
は画素電極と同一材料を介して行うことを特徴とする。

【００１３】また、本発明のアクティブマトリクス基板
は、第１の金属膜−第１の金属膜の陽極酸化膜からなる
絶縁膜−第２の金属膜構造を有するＭＩＭ型非線形素子
を用いたアクティブマトリクス基板において、配線膜か
ら画素電極まで接触膜の構成は対称となることを特徴と
する。

【００１４】さらに、本発明のアクティブマトリクス基
板は、上記したアクティブマトリクス基板において、Ｍ
ＩＭ型非線形素子は、極性を反対にして直列に接続した
バック・トゥ・バック構造であることを特徴とする。

【００１５】さらに、本発明のアクティブマトリクス基
板は、これらのアクティブマトリクス基板において、画
素電極と第１または第２の金属膜と導電接続をとる面積
をＳ１とし、画素電極と同一材料を介する配線膜と第１
又は第２の金属膜と導電接続をとる面積をＳ２とすれ
ば、０．４Ｓ１≧Ｓ２≧２．５Ｓ１の関係であることを特徴とする。

【００１６】さらに、本発明のアクティブマトリクス基
板は、上記アクティブマトリクス基板において、前記Ｓ
１及びＳ２の面積は、ＭＩＭ型非線形素子の面積の３倍
以上であることを特徴とする。

【００１７】また、本発明のアクティブマトリクス基板
の製造方法は、請求項３記載のアクティブマトリクス基
板の製造方法であって、ａ）第１の金属膜を形成する工程と、ｂ）第１の金属膜に対する陽極酸化膜を堆積する工程
と、ｃ）第１の金属膜を島状に加工する工程と、ｄ）第２の金属膜を形成する工程と、ｅ）画素電極および配線膜と素子との接続膜を同時に形
成する工程と、を有することを特徴とする。

【００１８】また、本発明の液晶表示装置は、請求項１
乃至５のいずれかの請求項に記載のアクティブマトリク
ス基板を用いたことを特徴とする。

【００１９】さらに、本発明の液晶表示装置は、請求項
６に記載のアクティブマトリクス基板の製造方法によっ
て製造された液晶表示パネルを作製することを特徴とす
る。

【００２０】

【作用】ＭＩＭ型非線形素子をスイッチング素子として
用いた液晶表示パネルの焼き付きの原因として、出願人
がＭＩＭ型非線形素子の電圧−電流特性を調査した結
果、２つ要因があった。

【００２１】１つはＭＩＭ型非線形素子の第１の金属層
と第２の金属層との間に電圧を印加し続けると、電流が
印加時間とともに増加していくことと関連があることを
確認した。つまり、長時間（１時間以上）液晶表示パネ
ルで表示していた部分と未表示の部分でＭＩＭ型非線形
素子の電圧−電流特性が異なり、同じ色をだしてもコン
トラストが異なり焼き付きと認識されることになる。

【００２２】もう１つは、駆動波形としてＭＩＭ型非線
形素子にプラスとマイナス同じ電圧を印加するようにし
ても、ＭＩＭ型非線形素子に流れる電流値が極性によっ
て異なるために、液晶には極性によって印加される電圧
が異なり、常に液晶に直流成分が印加されることで劣化
を起こし液晶表示パネルでは焼き付きと認識されるよう
になることを確認した。従来は、ＭＩＭ型非線形素子自
身の極性差を解消すれば液晶に直流成分が印加されない
と考えられていた。しかし、ＭＩＭ型非線形素子の極性
差を解消しても、第２の金属膜とＩＴＯ膜などの画素電
極とのコンタクト抵抗に極性差が発生するため、液晶に
直流成分が印加されることがわかった。

【００２３】本発明では、２つ目の要因である液晶に直
流成分が印加されて発生する焼き付きを、防止するため
のものである。

【００２４】

【発明の実施の形態】以下、本発明について、実施例に
基づき詳細に説明する。

【００２５】図１及び２に本発明のＭＩＭ型非線形素子
を用いたアクティブマトリクス基板の上面図を示す。図
１は、ＭＩＭ型非線形素子を、極性が反対になるように
して直列に２素子つなげたバックトウバック構造にした
もので、図２はＭＩＭ型非線形素子を１素子にしたもの
である。

【００２６】図１及び２の構成の説明を行う。１２は、
タンタル、アルミニウム、チタン、タングステン、レニ
ウム、ニオブ、バナジウムなどの陽極酸化可能な金属膜
やこれらの合金膜からなり、配線膜の一部やＭＩＭ型非
線形素子の第１の金属膜となっている。１４は、ＭＩＭ
型非線形素子の第２の金属膜でありクロムやチタン、タ
ンタル、アルミニウム、モリブデンなどの金属やこれら
の合金膜からなっており、１５は画素電極と配線膜の一
部となるＩＴＯ膜であり、ＩＴＯ膜の線幅は断線による
画素欠陥を低減するために１２をなす金属膜より太くす
る方が好ましい。また、配線膜の抵抗を低くしたい場合
には、第２の金属膜１４に用いた膜を配線膜上に形成し
てもよい。

【００２７】ここでは、画素電極をＩＴＯ膜としたが、
これは透過型の液晶表示パネルを考えた場合であり、反
射型で画素電極が反射板にもなる場合は、アルミニウム
やマグネシウムなどの金属膜としてもよい。今後の説明
は透過型の液晶表示パネルを想定して画素電極はＩＴＯ
膜として考えていく。さらに、透過型の場合でも画素電
極はＩＴＯ膜だけでなく、他の透明導電膜を用いても差
し支えはない。

【００２８】図１においては、第２の金属膜１４と画素
電極１５の接触部の面積をＳ１とし、配線膜と第２の金
属膜１４との接触部の面積をＳ２とする。図２において
は、図２（ａ）のように電流の流れる経路が配線膜，第
１の金属膜，陽極酸化膜，第２の金属膜，画素電極のよ
うになっている場合は、第２の金属膜１４と画素電極１
５との接触部の面積をＳ１とし、配線膜と第１の金属膜
１２との接触部の面積をＳ２とする。また、図２（ｂ）
のように電流の流れる経路が配線膜，第２の金属膜，陽
極酸化膜，第１の金属膜，画素電極のようになっている
場合は、第１の金属膜１２と画素電極１５との接触部の
面積をＳ１とし、配線膜と第２の金属膜１４との接触部
の面積をＳ２とする。

【００２９】図１のようにＭＩＭ型非線形素子をバッ
クトウバック構造にしたときの、素子構造の断面図を図
４に示す。図４は図１のＡＡ´のライン沿った断面図で
ある。図４に示したａは、第２の金属膜と画素電極との
接触部の面積Ｓ１のＡＡ´に沿った長さを示し、同様に
ｂはＳ２の長さを示している。

【００３０】〔実施例１〕最初に、配線膜とＭＩＭ型非
線形素子との接続に画素電極と同一材料を介して行うと
よい理由を説明する。

【００３１】図９に、１画素の等価回路図を示す。
（ａ）図が本発明に関する図で（ｂ）図が従来の図であ
る。９１が走査線で９２が信号線になる。さて、液晶に
直流が印加されると液晶表示パネルは、液晶の劣化によ
って焼き付きが発生する。このときの直流成分は、ＭＩ
Ｍ型非線形素子に選択パルスを印加したときに、電圧印
加方向によって所定の電流を流すに必要な電圧が異なる
ことによって生じる。所定の電流とは、表示する色によ
っても異なるが、１００μm角の画素において液晶のセ
ルギャップを５μmにすれば、１×１０^-8Ａ〜１×１０
^-7Ａとなる。また、一般にＭＩＭ型非線形素子に所定の
電流を流すとき、電流が流れる方向によって必要とする
電圧が異なってしまう。このときの電圧差を極性差と定
義する。前記の所定の電流を流したときの極性差が解消
されたならば、液晶が保持状態にある電流をＭＩＭ型非
線形素子に流したときの電圧差があっても液晶表示パネ
ルの画質にほとんど影響を与えない。

【００３２】ＭＩＭ型非線形素子の極性差と、該素子を
用いた液晶表示パネルの焼き付きとの関係は図１０のよ
うになる。横軸を極性差にとり、縦軸は焼き付き量を示
す任意単位である。焼き付きが認識されるようにするた
めには、極性差を０．１Ｖ以下にする必要があるという
人間の目による目視の結果がある。図１０の矢印の範囲
内にあればよい。また、極性差が０．１Ｖ付近では、少
しの極性差の変化で焼き付き量が変化するため、できる
だけ極性差は小さくすることが望ましい。

【００３３】ＭＩＭ型非線形素子の極性差をなくすこと
は、陽極酸化の化成液を調整したり、素子構造について
は極性を反対にして直列に接続したり、第１の金属膜と
第２の金属膜の材料を同じにすれば可能となる。但し、
図９（ｂ）に示すように従来の方法では、金属膜と画素
電極をなすＩＴＯ膜との間に流れる電流に極性差が生じ
るために、ＭＩＭ型非線形素子の極性差が解消されて
も、液晶に直流成分が印加されていた。金属膜とＩＴＯ
膜の抵抗値は、ＩＴＯ膜から金属膜に電流が流れる場
合、接触部の面積を２００μm²にすれば接触状況や金属
の種類によって多少異なるが２〜１０ＭΩになるが、金
属膜からＩＴＯ膜に電流が流れる場合、１ＭΩ以下にあ
る。例えば、画素の書き込みに必要な１×１０^-7Ａもの
電流が１画素に流れるとき、ＭＩＭ型非線形素子の抵抗
は１００ＭΩ程度であり、金属膜とＩＴＯ膜との接触抵
抗の極性差が最大で１０ＭΩになると、液晶には最大
０．３Ｖ程度の直流成分が印加することになる。これだ
けの直流成分が液晶に印加されると、図１０からわかる
ように液晶表示パネルの焼き付きは認識されやすくな
る。

【００３４】そこで、図９（ａ）に示すように金属膜と
ＩＴＯ膜との接触抵抗を配線膜とＭＩＭ型非線形素子と
の間に、第２の金属膜とＩＴＯ膜の接触部と極性を反対
にして入れてやれば、素子部分の極性差は解消されて、
液晶には直流成分が印加されることはなくなり、液晶表
示パネルの焼き付きはなくなる。このとき、図１，２に
示されている金属膜とＩＴＯ膜の接触部のＳ１とＳ２の
面積は、大きい方は小さい方の２．５倍以内にすればよ
い。このようにすれば、配線膜から画素電極までの極性
の差が最大で０．１Ｖ以内となり、液晶表示パネルが焼
き付きを起こすことはない。理想的には、Ｓ１とＳ２の
面積が等しくなるようにすべきである。Ｓ１とＳ２の面
積の制御は、図１における一点鎖線ＡＡ’の垂直方向で
第２の金属膜の幅が一定になるので、ＡＡ’方向の長さ
つまり図５のａ及びｂの長さが等しくなるようにすれば
よい。そのために、Ｓ１及びＳ２の面積はＭＩＭ型非線
形素子の面積（バックトウバック構造の場合は１素子分
の大きさ）の３倍以上にすれば、素子サイズの大きさ分
ＡＡ’方向にずれても、Ｓ１とＳ２の面積比率は２．５
倍以内になる。なお、製造プロセスの余裕を考えると、
Ｓ１及びＳ２の面積は、ＭＩＭ型非線形素子の面積の１
０倍以上にするとよい。〔実施例２〕ＭＩＭ型非線形素子をバックトゥバック構
造にしたときの、アクティブマトリクス基板の製造方法
を図５で説明する。

【００３５】図５（ａ）のように、第１の金属膜１２を
所定の形状に加工した後に、陽極酸化法によって第１の
金属膜１２に対する金属酸化膜１３を堆積する。その
後、図５（ｂ）に示すように第２の金属膜１４を所定の
形状に加工する。このとき第２の金属膜１４は、配線膜
になるように金属膜１２の配線膜部分にも膜を残すよう
に加工してもよい。次に、図５（ｃ）に示すように素子
を形成する部分と配線膜を形成する部分に第１の金属膜
１２を分離する。最後に、画素電極と配線膜をなすＩＴ
Ｏ膜１５を堆積する。例えば、第２の金属膜１４を配線
膜に用いる際には、抵抗の高いＩＴＯ膜を配線膜として
用いなくてもよい。つまり、ＩＴＯ膜を配線膜としても
ちいても配線抵抗はほとんど変わらない。そうすれば、
画素電極のＩＴＯ膜の面積を大きくすることができ、液
晶表示パネルの開口率向上につながる。このときは、Ｉ
ＴＯ膜１５と第２の金属膜１４の接触面積Ｓ１に対し
て、ＩＴＯ膜と配線膜となりうる第２の金属膜との接触
面積はかなり大きくする必要がある。最低でも、極性差
が問題にならないようにするためには、Ｓ１の１０倍以
上にする必要があり、望ましくは２０倍以上にする必要
がある。このときの１画素に対応する等価回路は図９
（ａ）のようになっている。また、ＭＩＭ型非線形素子
も対称な形になり極性差が生じることはない。

【００３６】この方法は、図３に示すような従来の配線
膜とＭＩＭ型非線形素子の間に画素電極と同一材料を介
さない場合と製造プロセスは同じであり、製造コストが
変わらず表示品質を向上できる。

【００３７】〔実施例３〕実施例２で示したが、ＭＩＭ
型非線形素子の構造をバックトウバック構造にすれば請
求項２に書いたような配線膜から画素電極までの接触膜
は、ＩＴＯ膜−第２の金属膜−金属酸化膜−第１の金属
膜−金属酸化膜−第２の金属膜−ＩＴＯ膜となり第１の
金属膜を中心にして対称な膜構造になっている。もう１
つの方法として、第１の金属膜と第２の金属膜の材料を
同じにしてもよい。こうすることで、電圧の印加方向を
どちらにしても流れる電流値は等しくなり、極性差は生
じない。また、この構造にすれば、素子の電圧−電流特
性や接触部Ｓ１およびＳ２の抵抗が、同一液晶表示パネ
ル内でばらついても、そのばらつきを自己補償する構造
になっているので、極性差のパネル内でのばらつきは解
消される。

【００３８】第２の金属膜と画素電極であるＩＴＯ膜を
同一にする方法もあるが、ＭＩＭ型非線形素子の構造
が、第１の金属膜−金属酸化膜−ＩＴＯ膜となる構造に
なれば、ＩＴＯ膜の金属成分を多くして透過率を小さく
しないと、電圧印加時の電流値変動が大きく、この現象
が原因での液晶表示パネルの焼き付きが発生してしま
う。また、電圧印加時の電流値変動を抑えれば、ＩＴＯ
中の金属成分が多くなり透過率が小さくなって暗い液晶
表示パネルとなり、明るいという利点がなくなってしま
う。従って、この方法は、いずれにしても液晶表示パネ
ルの表示品質を低下させるので好ましくない。

【００３９】〔実施例４〕配線膜とＭＩＭ型非線形素子
との間の導電接続を、画素電極と同一材料を介して行う
方法としてＭＩＭ型非線形素子の構造が、図１のように
バックトウバック構造にする方法と、図２のようにクロ
ス型の構造（第１の金属膜と第２の金属膜を同一材料に
する場合も含む）には、以下の相違がある。

【００４０】クロス型の構造では、図５に示したバック
トウバック構造の製造方法に対して、図２（ａ），
（ｂ）どちらの構造でも、第１の金属膜１０２と画素電
極１０５との接触部を形成する際には、金属酸化膜１０
３を除去する必要があり、１工程増してしまう。しかし
ながら、ＭＩＭ型非線形素子の面積がバックトウバック
構造よりも小さくなるので、アクティブマトリクス基板
の開口率を大きくすることができるので、明るい液晶表
示パネルには適している。

【００４１】〔実施例５〕上述のように、ＭＩＭ型非線
形素子を介して、液晶に直流成分が印加されなければ焼
き付きが低減されるだけではなく、画面がざらついて見
えるフリッカーも抑えられ非常に見やすい液晶表示パネ
ルになる。

【００４２】

【００４３】

【発明の効果】以上の通り、配線膜とＭＩＭ型非線形素
子との間の導電接続を、画素電極と同一材料を介して行
うことで液晶に直流成分が印加されないようになり、焼
き付きが発生しない液晶表示パネルを製造工程が増える
ことなく提供できる。

【００４４】さらに、配線膜から画素電極までの接触膜
の構成を対称にすることで同一液晶表示パネル内のＭＩ
Ｍ型非線形素子の極性差を常に零にできるので、歩留ま
りの高い液晶表示パネルを提供できる。

【００４５】

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のＭＩＭ型非線形素子の平面図。

【図２】本発面のＭＩＭ型非線形素子の平面図。

【図３】従来のＭＩＭ型非線形素子の平面図。

【図４】本発明のＭＩＭ型非線形素子の断面図。

【図５】本発明のＭＩＭ型非線形素子の製造工程を表す
断面図。

【図６】従来のＭＩＭ型非線形素子の平面図及び断面
図。

【図７】アクティブマトリクス方式の液晶表示装置の等
価回路図。

【図８】ａ図従来のＭＩＭ型非線形素子の印加電圧と
電流値の関係を示す図。ｂ図液晶表示素子の単位画素
への印加電圧と明るさの関係を示す図陽極酸化膜の化成
温度と酸化膜中に占めるアニオン種の含まれる酸化膜厚
の割合を示す図。

【図９】ａ図本発明の１画素の等価回路図。ｂ図
従来の１画素の等価回路図。

【図１０】ＭＩＭ型非線形素子の極性差と液晶表示パネ
ルの焼き付きを示す図。

【符号の説明】

１ＭＩＭ型非線形素子２液晶表示素子３画素領域１０，６０透明基板１１，６１ＴａＯＸ膜１２，６２第一の金属膜１３，６３金属酸化膜１４，６４第二の金属膜１５，６５画素電極７１，９１走査線７２，９２信号線

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】第１の金属膜−第１の金属膜の陽極酸化膜
からなる絶縁膜−第２の金属膜構造を有するＭＩＭ型非
線形素子を用いたアクティブマトリクス基板において、配線膜と前記ＭＩＭ型非線形素子との間の導電接続は画
素電極と同一材料を介して行うことを特徴とするアクテ
ィブマトリクス基板。
【請求項２】第１の金属膜−第１の金属膜の陽極酸化膜
からなる絶縁膜−第２の金属膜構造を有するＭＩＭ型非
線形素子を用いたアクティブマトリクス基板において、配線膜から画素電極まで接触膜の構成は対称となること
を特徴とするアクティブマトリクス基板。
【請求項３】請求項１又は２に記載のアクティブマトリ
クス基板において、前記ＭＩＭ型非線形素子は、極性を反対にして直列に接
続したバック・トゥ・バック構造を有することを特徴と
するアクティブマトリクス基板。
【請求項４】請求項１、２又は３に記載のアクティブマ
トリクス基板において、画素電極と第１又は第２の金属膜と導電接続をとる面積
をＳ１とし、画素電極と同一材料を介する配線膜と第１
又は第２の金属膜と導電接続をとる面積をＳ２とすれ
ば、０．４Ｓ１≧Ｓ２≧２．５Ｓ１の関係であることを特徴とするアクティブマトリクス基
板。
【請求項５】請求項４のアクティブマトリクス基板にお
いて、前記Ｓ１及びＳ２の面積は、ＭＩＭ型非線形素子の面積
の３倍以上であることを特徴とするアクティブマトリク
ス基板。
【請求項６】請求項３に記載のアクティブマトリクス基
板の製造方法であって、ａ）第１の金属膜を形成する工程と、ｂ）第１の金属膜に対する陽極酸化膜を堆積する工程
と、ｃ）第１の金属膜を島状に加工する工程と、ｄ）第２の金属膜を形成する工程と、ｅ）画素電極および配線膜と素子との接続膜を同時に形
成する工程と、を有することを特徴とするアクティブマ
トリクス基板の製造方法。
【請求項７】請求項１乃至５のいずれかに記載のアクテ
ィブマトリクス基板を用いたことを特徴とする液晶表示
装置。
【請求項８】請求項６に記載のアクティブマトリクス基
板の製造方法によって製造されたことを特徴とする液晶
表示装置。