JPH09326540A - 抵抗パターンを有する電子回路基板 - Google Patents
抵抗パターンを有する電子回路基板Info
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- JPH09326540A JPH09326540A JP14297996A JP14297996A JPH09326540A JP H09326540 A JPH09326540 A JP H09326540A JP 14297996 A JP14297996 A JP 14297996A JP 14297996 A JP14297996 A JP 14297996A JP H09326540 A JPH09326540 A JP H09326540A
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 一度作成した抵抗パターンの抵抗値を容易に
変えることができる抵抗パターンを有する電子回路基板
を提供する。 【解決手段】 第1の電極11と第2の電極12とは互
いに対向して配置され、それらの電極間を複数の抵抗体
15−1〜15−5によって並列接続する。そこで、a
1 −b1 線で第1の電極11と第2の電極12を切断す
ることにより、第1の端子13と第2の端子14間の合
成抵抗は、大きくなり、また、a2 −b2 線で第1の電
極11と第2の電極12を切断することにより、第1の
端子13と第2の端子14間の合成抵抗は、更に、大き
くなる。前記の電極の切断は例えばレーザーを用いて行
う。
変えることができる抵抗パターンを有する電子回路基板
を提供する。 【解決手段】 第1の電極11と第2の電極12とは互
いに対向して配置され、それらの電極間を複数の抵抗体
15−1〜15−5によって並列接続する。そこで、a
1 −b1 線で第1の電極11と第2の電極12を切断す
ることにより、第1の端子13と第2の端子14間の合
成抵抗は、大きくなり、また、a2 −b2 線で第1の電
極11と第2の電極12を切断することにより、第1の
端子13と第2の端子14間の合成抵抗は、更に、大き
くなる。前記の電極の切断は例えばレーザーを用いて行
う。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、絶縁体上にメタル
配線パターン等を配置してなる、電子回路基板の抵抗体
の構成に関するものである。
配線パターン等を配置してなる、電子回路基板の抵抗体
の構成に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、この種の抵抗パターンは、図2に
示すような抵抗パターンがある。この抵抗パターンは、
アルミナ基板20上のAu等で形成される第1の電極2
1と第2の電極22と、これらの電極間に形成されたT
a2 N等で形成された薄膜抵抗25から構成されてい
る。なお、23は第1の端子、24は第2の端子であ
る。
示すような抵抗パターンがある。この抵抗パターンは、
アルミナ基板20上のAu等で形成される第1の電極2
1と第2の電極22と、これらの電極間に形成されたT
a2 N等で形成された薄膜抵抗25から構成されてい
る。なお、23は第1の端子、24は第2の端子であ
る。
【0003】このように、第1の電極21と第2の電極
22とは互いに対向して配置され、第1の電極21、第
2の電極22の2本の電極間に薄膜抵抗25が接続され
ている2端子構成であった。
22とは互いに対向して配置され、第1の電極21、第
2の電極22の2本の電極間に薄膜抵抗25が接続され
ている2端子構成であった。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来の抵抗パターンの構成では、抵抗値の異なる抵抗
パターンを形成する場合、抵抗体の幅、長さを変化させ
なければならず、一度作成した抵抗パターンの抵抗値を
容易に変えることができないという問題があった。
た従来の抵抗パターンの構成では、抵抗値の異なる抵抗
パターンを形成する場合、抵抗体の幅、長さを変化させ
なければならず、一度作成した抵抗パターンの抵抗値を
容易に変えることができないという問題があった。
【0005】本発明は、上記問題点を除去し、一度作成
した抵抗パターンの抵抗値を容易に変えることができる
抵抗パターンを有する電子回路基板を提供することを目
的とする。
した抵抗パターンの抵抗値を容易に変えることができる
抵抗パターンを有する電子回路基板を提供することを目
的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、 〔1〕絶縁体基板上に第1の導伝性電極と第2の導伝性
電極を配置し、この第1の導伝性電極と第2の導伝性電
極間に跨がって形成される抵抗体によって構成される抵
抗パターンを有する電子回路基板において、前記第1の
導伝性電極と第2の導伝性電極とは互いに対向して配置
され、これらの導伝性電極間を複数の抵抗体によって並
列接続するようにしたものである。
成するために、 〔1〕絶縁体基板上に第1の導伝性電極と第2の導伝性
電極を配置し、この第1の導伝性電極と第2の導伝性電
極間に跨がって形成される抵抗体によって構成される抵
抗パターンを有する電子回路基板において、前記第1の
導伝性電極と第2の導伝性電極とは互いに対向して配置
され、これらの導伝性電極間を複数の抵抗体によって並
列接続するようにしたものである。
【0007】〔2〕上記〔1〕記載の抵抗パターンを有
する電子回路基板において、前記第1の導伝性電極と第
2の導伝性電極は平板状電極からなるとともに互いに対
向して配置され、これらの導伝性電極間を複数の抵抗体
によって並列接続するようにしたものである。 〔3〕上記〔1〕記載の抵抗パターンを有する電子回路
基板において、第1の導伝性電極と第2の導伝性電極の
対向する辺にそれぞれ櫛歯部が設けられ、この櫛歯部は
間隔を保ちながら互いに入り組むように配置され、各櫛
歯部の対向部分に抵抗体を配置し、前記第1の導伝性電
極と第2の導伝性電極間を複数の抵抗体によって並列接
続するようにしたものである。
する電子回路基板において、前記第1の導伝性電極と第
2の導伝性電極は平板状電極からなるとともに互いに対
向して配置され、これらの導伝性電極間を複数の抵抗体
によって並列接続するようにしたものである。 〔3〕上記〔1〕記載の抵抗パターンを有する電子回路
基板において、第1の導伝性電極と第2の導伝性電極の
対向する辺にそれぞれ櫛歯部が設けられ、この櫛歯部は
間隔を保ちながら互いに入り組むように配置され、各櫛
歯部の対向部分に抵抗体を配置し、前記第1の導伝性電
極と第2の導伝性電極間を複数の抵抗体によって並列接
続するようにしたものである。
【0008】〔4〕絶縁体基板上に第1の導伝性電極と
第2の導伝性電極と第3の導伝性電極を配置し、前記第
1の導伝性電極と第2の導伝性電極との間及び前記第1
の導伝性電極と第3の導伝性電極間のそれぞれに跨がっ
て形成される抵抗体によって構成される抵抗パターンを
有する電子回路基板において、前記第1の導伝性電極に
対して前記第2の導伝性電極と第3導伝性の電極が対向
して配置され、第1の導伝性電極と第2の導伝性電極間
に2つ以上の前記抵抗体が並列接続され、第1の導伝性
電極と第3の導伝性電極間に2つ以上の前記抵抗体が並
列接続されるようにしたものである。
第2の導伝性電極と第3の導伝性電極を配置し、前記第
1の導伝性電極と第2の導伝性電極との間及び前記第1
の導伝性電極と第3の導伝性電極間のそれぞれに跨がっ
て形成される抵抗体によって構成される抵抗パターンを
有する電子回路基板において、前記第1の導伝性電極に
対して前記第2の導伝性電極と第3導伝性の電極が対向
して配置され、第1の導伝性電極と第2の導伝性電極間
に2つ以上の前記抵抗体が並列接続され、第1の導伝性
電極と第3の導伝性電極間に2つ以上の前記抵抗体が並
列接続されるようにしたものである。
【0009】〔5〕上記〔1〕、〔2〕、〔3〕又は
〔4〕記載の抵抗パターンを有する電子回路基板におい
て、前記並列接続される複数の抵抗体の抵抗値がすべて
等しくなるようにしたものである。 〔6〕上記〔1〕、〔2〕、〔3〕又は〔4〕記載の抵
抗パターンを有する電子回路基板において、少なくとも
1つの前記抵抗体が他の抵抗体の抵抗値と異なるように
したものである。
〔4〕記載の抵抗パターンを有する電子回路基板におい
て、前記並列接続される複数の抵抗体の抵抗値がすべて
等しくなるようにしたものである。 〔6〕上記〔1〕、〔2〕、〔3〕又は〔4〕記載の抵
抗パターンを有する電子回路基板において、少なくとも
1つの前記抵抗体が他の抵抗体の抵抗値と異なるように
したものである。
【0010】〔7〕上記〔1〕、〔2〕、〔3〕又は
〔4〕記載の抵抗パターンを有する電子回路基板におい
て、前記並列接続される複数の抵抗体が薄膜抵抗体、厚
膜抵抗体又はイオン打ち込み抵抗体である。
〔4〕記載の抵抗パターンを有する電子回路基板におい
て、前記並列接続される複数の抵抗体が薄膜抵抗体、厚
膜抵抗体又はイオン打ち込み抵抗体である。
【0011】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て説明する。図1は本発明の第1実施例を示す抵抗パタ
ーンを有する電子回路基板の平面図である。この図にお
いて、抵抗パターンは、アルミナ基板10上に幅200
μmのAuメタルで形成された第1の電極11と、第2
の電極12の2本の電極と、Ta2Nで形成された10
0Ω/□で20Ωの薄膜抵抗15−1〜15−5の5個
が、並列に接続されて構成される。なお、第1の電極1
1には第1の端子13、第2の電極12には第2の端子
14が設けられ、それぞれ外部の他の配線に接続され
る。
て説明する。図1は本発明の第1実施例を示す抵抗パタ
ーンを有する電子回路基板の平面図である。この図にお
いて、抵抗パターンは、アルミナ基板10上に幅200
μmのAuメタルで形成された第1の電極11と、第2
の電極12の2本の電極と、Ta2Nで形成された10
0Ω/□で20Ωの薄膜抵抗15−1〜15−5の5個
が、並列に接続されて構成される。なお、第1の電極1
1には第1の端子13、第2の電極12には第2の端子
14が設けられ、それぞれ外部の他の配線に接続され
る。
【0012】第1の端子13と第2の端子14間の合成
抵抗は、4Ωとなるが、図1のa1−b1 線で第1の電
極11と第2の電極12を切断することにより、第1の
端子13と第2の端子14間の合成抵抗は5Ωとなる。
更に、a2 −b2 線で第1の電極11と第2の電極12
を切断することにより、第1の端子13と第2の端子1
4間の合成抵抗は約6.7Ωとなる。
抵抗は、4Ωとなるが、図1のa1−b1 線で第1の電
極11と第2の電極12を切断することにより、第1の
端子13と第2の端子14間の合成抵抗は5Ωとなる。
更に、a2 −b2 線で第1の電極11と第2の電極12
を切断することにより、第1の端子13と第2の端子1
4間の合成抵抗は約6.7Ωとなる。
【0013】このように、第1の端子13と第2の端子
14間の合成抵抗は、第1の電極11と第2の電極12
を切断することにより大きくなる。前記の電極の切断は
例えばレーザーを用いて行う。その場合、第1の電極1
1と第2の電極12の切断位置は、分割されている薄膜
抵抗を目安にすることができ、容易に切断することがで
きる。
14間の合成抵抗は、第1の電極11と第2の電極12
を切断することにより大きくなる。前記の電極の切断は
例えばレーザーを用いて行う。その場合、第1の電極1
1と第2の電極12の切断位置は、分割されている薄膜
抵抗を目安にすることができ、容易に切断することがで
きる。
【0014】図3は本発明の第2実施例を示す抵抗パタ
ーンを有する電子回路基板の平面図である。この図に示
すように、アルミナ基板30上に、幅200μmのAu
メタル等で形成された対向する辺にそれぞれ凹凸パター
ンが設けられ、凹凸パターンは間隔を保ちながら互いに
入り組むように配置されている。つまり、第1の電極3
1と第2の電極32をそれぞれ櫛歯状に形成して、互い
に噛み合わせた配置となっている。すなわち、第1の電
極31には櫛歯部31A、31B、31Cが、第2の電
極32には櫛歯部32A、32B、32Cがそれぞれ形
成されている。
ーンを有する電子回路基板の平面図である。この図に示
すように、アルミナ基板30上に、幅200μmのAu
メタル等で形成された対向する辺にそれぞれ凹凸パター
ンが設けられ、凹凸パターンは間隔を保ちながら互いに
入り組むように配置されている。つまり、第1の電極3
1と第2の電極32をそれぞれ櫛歯状に形成して、互い
に噛み合わせた配置となっている。すなわち、第1の電
極31には櫛歯部31A、31B、31Cが、第2の電
極32には櫛歯部32A、32B、32Cがそれぞれ形
成されている。
【0015】それらの櫛歯部31Aと櫛歯部32A間に
薄膜抵抗35−1、櫛歯部32Aと櫛歯部31B間に薄
膜抵抗35−2、櫛歯部31Bと櫛歯部32B間に薄膜
抵抗35−3、櫛歯部32Bと櫛歯部31C間に薄膜抵
抗35−4、櫛歯部31Cと櫛歯部32C間に薄膜抵抗
35−5とをそれぞれ形成する。なお、33は第1の端
子、34は第2の端子である。
薄膜抵抗35−1、櫛歯部32Aと櫛歯部31B間に薄
膜抵抗35−2、櫛歯部31Bと櫛歯部32B間に薄膜
抵抗35−3、櫛歯部32Bと櫛歯部31C間に薄膜抵
抗35−4、櫛歯部31Cと櫛歯部32C間に薄膜抵抗
35−5とをそれぞれ形成する。なお、33は第1の端
子、34は第2の端子である。
【0016】上記した各薄膜抵抗35−1〜35−5
は、Ta2 Nで形成された100Ω/□で20Ωの薄膜
抵抗からなっている。この抵抗体においても、第1の端
子33と第2の端子34は外部の他の配線に接続され
る。この場合も、第1の端子33、第2の34間の合成
抵抗は4Ωとなるが、図3におけるa1 −a2 線で切断
することにより、第1の端子33と第2の端子34間の
合成抵抗は5Ωとなり、また図3のb1 −b2 線で切断
すると、第1の端子33と第2の端子34間の合成抵抗
は約6.7Ωとなる。
は、Ta2 Nで形成された100Ω/□で20Ωの薄膜
抵抗からなっている。この抵抗体においても、第1の端
子33と第2の端子34は外部の他の配線に接続され
る。この場合も、第1の端子33、第2の34間の合成
抵抗は4Ωとなるが、図3におけるa1 −a2 線で切断
することにより、第1の端子33と第2の端子34間の
合成抵抗は5Ωとなり、また図3のb1 −b2 線で切断
すると、第1の端子33と第2の端子34間の合成抵抗
は約6.7Ωとなる。
【0017】このように、第1の電極31及び第2の電
極32の櫛歯部を切断することにより、第1の端子33
と第2の端子34間の合成抵抗が大きくなり、切断する
位置によって、第1の端子33と第2の端子34間の合
成抵抗は増加することになり、その抵抗値が変わる。ま
た、図3において、a1 −a2 線及びb1 −b2 線で切
断しない場合、第1の端子33と第2の端子34間の合
成抵抗値と、前記した第1実施例の図1における第1の
端子13と第2の端子14間の抵抗値は同じ4Ωである
が、図1のx方向の電極の長さは、3.45mmである
のに対して、図3のx方向の電極の長さは1.3mmで
あるので、約60%だけ第2実施例(図3)の方が小さ
くなり、第1実施例(図1)のパターンよりもx方向に
狭いスタックで形成できる。
極32の櫛歯部を切断することにより、第1の端子33
と第2の端子34間の合成抵抗が大きくなり、切断する
位置によって、第1の端子33と第2の端子34間の合
成抵抗は増加することになり、その抵抗値が変わる。ま
た、図3において、a1 −a2 線及びb1 −b2 線で切
断しない場合、第1の端子33と第2の端子34間の合
成抵抗値と、前記した第1実施例の図1における第1の
端子13と第2の端子14間の抵抗値は同じ4Ωである
が、図1のx方向の電極の長さは、3.45mmである
のに対して、図3のx方向の電極の長さは1.3mmで
あるので、約60%だけ第2実施例(図3)の方が小さ
くなり、第1実施例(図1)のパターンよりもx方向に
狭いスタックで形成できる。
【0018】図4は本発明の第3実施例を示す抵抗パタ
ーンを有する電子回路基板の平面図である。第2実施例
では抵抗値が同じ20Ωの薄膜抵抗5つを並列接続して
いるのに対し、この実施例では抵抗値が40Ω薄膜抵抗
2つと、抵抗値が20Ωの薄膜抵抗4つの並列接続とな
っている。
ーンを有する電子回路基板の平面図である。第2実施例
では抵抗値が同じ20Ωの薄膜抵抗5つを並列接続して
いるのに対し、この実施例では抵抗値が40Ω薄膜抵抗
2つと、抵抗値が20Ωの薄膜抵抗4つの並列接続とな
っている。
【0019】図4に示すように、アルミナ基板40上に
形成される、第1の電極41には櫛歯部41A〜41
D、第2の電極42には櫛歯部42A〜42Cがそれぞ
れ設けられ、それらの櫛歯部間には、薄膜抵抗45−1
〜45−6がそれぞれ形成されている。なお、43は第
1の電極41に形成される第1の端子、44は第2の電
極42に接続される端子である。
形成される、第1の電極41には櫛歯部41A〜41
D、第2の電極42には櫛歯部42A〜42Cがそれぞ
れ設けられ、それらの櫛歯部間には、薄膜抵抗45−1
〜45−6がそれぞれ形成されている。なお、43は第
1の電極41に形成される第1の端子、44は第2の電
極42に接続される端子である。
【0020】図4に示す第1の端子43と第2の端子4
4間の合成抵抗は4Ωであり、a1−a2 線で第1の電
極41の櫛歯部41Aを切断すると、第1の端子43と
第2の端子44間の合成抵抗は約4.4Ωとなり、第2
実施例の図3でa1 −a2 線で第1の電極31の櫛歯部
31Aを切断した時の第1の端子33と第2の端子34
間の合成抵抗と比べると合成抵抗が小さくなっている。
4間の合成抵抗は4Ωであり、a1−a2 線で第1の電
極41の櫛歯部41Aを切断すると、第1の端子43と
第2の端子44間の合成抵抗は約4.4Ωとなり、第2
実施例の図3でa1 −a2 線で第1の電極31の櫛歯部
31Aを切断した時の第1の端子33と第2の端子34
間の合成抵抗と比べると合成抵抗が小さくなっている。
【0021】更に、図4でb1 −b2 線、つまり、第2
の電極42の櫛歯部42Aを切断した時の第1の端子4
3と第2の端子44間の合成抵抗は、更に小さくなる。
また、図4において薄膜抵抗45−1〜45−6の6つ
をすべて異なった抵抗値とした場合、第1の電極41及
び第2の電極42のを切断する数や、位置の組み合わせ
によって第1の端子43と第2の端子44間の合成抵抗
は変化し、その変化する抵抗値の場合の数は、図4の抵
抗体の抵抗値が3種類の場合よりも多くなり、抵抗値を
細かく調整できる。
の電極42の櫛歯部42Aを切断した時の第1の端子4
3と第2の端子44間の合成抵抗は、更に小さくなる。
また、図4において薄膜抵抗45−1〜45−6の6つ
をすべて異なった抵抗値とした場合、第1の電極41及
び第2の電極42のを切断する数や、位置の組み合わせ
によって第1の端子43と第2の端子44間の合成抵抗
は変化し、その変化する抵抗値の場合の数は、図4の抵
抗体の抵抗値が3種類の場合よりも多くなり、抵抗値を
細かく調整できる。
【0022】図5は本発明の第4実施例を示す抵抗パタ
ーンを有する電子回路基板の平面図である。この実施例
では、アルミナ基板50上に、幅200μmのAuメタ
ルで形成された第1の電極51と、この第1の電極51
に対向する第2の電極52と、第3の電極53の3本の
電極と、Ta2 Nで形成された100Ω/□で16Ωの
薄膜抵抗55−1〜55−4の4つで構成されている。
なお、54は第1の電極51に形成される端子、55は
第2の電極52に形成される端子、56は第3の電極5
3に形成される端子である。
ーンを有する電子回路基板の平面図である。この実施例
では、アルミナ基板50上に、幅200μmのAuメタ
ルで形成された第1の電極51と、この第1の電極51
に対向する第2の電極52と、第3の電極53の3本の
電極と、Ta2 Nで形成された100Ω/□で16Ωの
薄膜抵抗55−1〜55−4の4つで構成されている。
なお、54は第1の電極51に形成される端子、55は
第2の電極52に形成される端子、56は第3の電極5
3に形成される端子である。
【0023】図5において、第1の端子54と第2の端
子55間の抵抗値は8Ωであるが、a1 −b1 線で第1
の電極51と第2の電極52を切断すると、第1の端子
54と第2の端子55間の抵抗値は16Ωとなる。同様
にして、第1の端子54と第3の端子56間において
も、a2 −b2 線で、第1の電極51と第3の電極53
を切断すると、切断する前と比べて第1の端子54と第
3の端子56間の抵抗値は2倍となる。
子55間の抵抗値は8Ωであるが、a1 −b1 線で第1
の電極51と第2の電極52を切断すると、第1の端子
54と第2の端子55間の抵抗値は16Ωとなる。同様
にして、第1の端子54と第3の端子56間において
も、a2 −b2 線で、第1の電極51と第3の電極53
を切断すると、切断する前と比べて第1の端子54と第
3の端子56間の抵抗値は2倍となる。
【0024】このように、3端子であっても、抵抗値を
増加させることができる。なお、本発明は、上記実施例
に限定されるものではなく、以下に示すような利用形態
を有する。上記第1〜第4実施例では薄膜抵抗体を用い
て説明したが、厚膜抵抗体またはイオン打ち込み抵抗体
でも適用可能である。
増加させることができる。なお、本発明は、上記実施例
に限定されるものではなく、以下に示すような利用形態
を有する。上記第1〜第4実施例では薄膜抵抗体を用い
て説明したが、厚膜抵抗体またはイオン打ち込み抵抗体
でも適用可能である。
【0025】(1)第1実施例(図1)、第2実施例
(図3)では抵抗体の数を5つ、第3実施例(図4)で
は抵抗体の数を6つとしたが、2つ以上であれば適用可
能であり、第4実施例(図5)では第1の電極51と第
2の電極52及び第1の電極51と第3の電極53の電
極間の抵抗体は、それぞれ2つとしたが、第1の電極5
1と第2の電極52及び第1の電極51と第3の電極5
3の電極間の抵抗体は、それぞれ2つ以上であれば、使
用可能である。
(図3)では抵抗体の数を5つ、第3実施例(図4)で
は抵抗体の数を6つとしたが、2つ以上であれば適用可
能であり、第4実施例(図5)では第1の電極51と第
2の電極52及び第1の電極51と第3の電極53の電
極間の抵抗体は、それぞれ2つとしたが、第1の電極5
1と第2の電極52及び第1の電極51と第3の電極5
3の電極間の抵抗体は、それぞれ2つ以上であれば、使
用可能である。
【0026】(2)第1実施例(図1)、第2実施例
(図3)、第4実施例(図5)では、抵抗体の抵抗値を
同じとしたが、同じ抵抗値でなくてもよく、すべての抵
抗体の抵抗値が異なっていても使用可能である。また、
第1実施例〜第4実施例(図1、図3、図4、図5)で
はアルミナ基板を用いて説明したが、GaAs基板やS
i基板上に形成された集積回路にも適用可能である。
(図3)、第4実施例(図5)では、抵抗体の抵抗値を
同じとしたが、同じ抵抗値でなくてもよく、すべての抵
抗体の抵抗値が異なっていても使用可能である。また、
第1実施例〜第4実施例(図1、図3、図4、図5)で
はアルミナ基板を用いて説明したが、GaAs基板やS
i基板上に形成された集積回路にも適用可能である。
【0027】なお、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能
であり、これらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
のではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能
であり、これらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
【0028】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、以下のような効果を奏することができる。 (A)一度作成した抵抗パターンの抵抗値を容易に変え
ることができる。 (B)抵抗パターンの削除位置が明確であり、その抵抗
値の変化量も正確に設定することができる。
よれば、以下のような効果を奏することができる。 (A)一度作成した抵抗パターンの抵抗値を容易に変え
ることができる。 (B)抵抗パターンの削除位置が明確であり、その抵抗
値の変化量も正確に設定することができる。
【図1】本発明の第1実施例を示す抵抗パターンを有す
る電子回路基板の平面図である。
る電子回路基板の平面図である。
【図2】従来の抵抗パターンを有する電子回路基板の平
面図である。
面図である。
【図3】本発明の第2実施例を示す抵抗パターンを有す
る電子回路基板の平面図である。
る電子回路基板の平面図である。
【図4】本発明の第3実施例を示す抵抗パターンを有す
る電子回路基板の平面図である。
る電子回路基板の平面図である。
【図5】本発明の第4実施例を示す抵抗パターンを有す
る電子回路基板の平面図である。
る電子回路基板の平面図である。
10,30,40,50 アルミナ基板 11,31,41,51 第1の電極 12,32,42,52 第2の電極 13,33,43,54 第1の端子 14,34,44,55 第2の端子 15−1〜15−5,35−1〜35−5,45−1〜
45−6,55−1〜55−4 薄膜抵抗 31A〜31C,32A〜32C,41A〜41D,4
2A〜42C 櫛歯部 53 第3の電極 56 第3の端子
45−6,55−1〜55−4 薄膜抵抗 31A〜31C,32A〜32C,41A〜41D,4
2A〜42C 櫛歯部 53 第3の電極 56 第3の端子
Claims (7)
- 【請求項1】 絶縁体基板上に第1の導伝性電極と第2
の導伝性電極を配置し、該第1の導伝性電極と第2の導
伝性電極間に跨がって形成される抵抗体によって構成さ
れる抵抗パターンを有する電子回路基板において、 前記第1の導伝性電極と第2の導伝性電極とは互いに対
向して配置され、該導伝性電極間を複数の抵抗体によっ
て並列接続することを特徴とする抵抗パターンを有する
電子回路基板。 - 【請求項2】 請求項1記載の抵抗パターンを有する電
子回路基板において、前記第1の導伝性電極と第2の導
伝性電極は平板状電極からなるとともに互いに対向して
配置され、該導伝性電極間を複数の抵抗体によって並列
接続することを特徴とする抵抗パターンを有する電子回
路基板。 - 【請求項3】 請求項1記載の抵抗パターンを有する電
子回路基板において、第1の導伝性電極と第2の導伝性
電極の対向する辺にそれぞれ櫛歯部が設けられ、該櫛歯
部は間隔を保ちながら互いに入り組むように配置され、
各櫛歯部の対向部分に抵抗体を配置し、前記第1の導伝
性電極と第2の導伝性電極間を複数の抵抗体によって並
列接続することを特徴とする抵抗パターンを有する電子
回路基板。 - 【請求項4】 絶縁体基板上に第1の導伝性電極と第2
の導伝性電極と第3の導伝性電極を配置し、前記第1の
導伝性電極と第2の導伝性電極との間及び前記第1の導
伝性電極と第3の導伝性電極間のそれぞれに跨がって形
成される抵抗体によって構成される抵抗パターンを有す
る電子回路基板において、 前記第1の導伝性電極に対
して前記第2の導伝性電極と第3導伝性の電極が対向し
て配置され、第1の導伝性電極と第2の導伝性電極間に
2つ以上の前記抵抗体が並列接続され、第1の導伝性電
極と第3の導伝性電極間に2つ以上の前記抵抗体が並列
接続されることを特徴とする抵抗パターンを有する電子
回路基板。 - 【請求項5】 請求項1、2、3又は4記載の抵抗パタ
ーンを有する電子回路基板において、前記並列接続され
る複数の抵抗体の抵抗値をすべて等しくなるようにした
ことを特徴とする抵抗パターンを有する電子回路基板。 - 【請求項6】 請求項1、2、3又は4記載の抵抗パタ
ーンを有する電子回路基板において、少なくとも1つの
前記抵抗体が他の抵抗体の抵抗値と異なるようにしたこ
とを特徴とする抵抗パターンを有する電子回路基板。 - 【請求項7】 請求項1、2、3又は4記載の抵抗パタ
ーンを有する電子回路基板において、前記並列接続され
る複数の抵抗体が薄膜抵抗体、厚膜抵抗体又はイオン打
ち込み抵抗体であることを特徴とする抵抗パターンを有
する電子回路基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14297996A JPH09326540A (ja) | 1996-06-05 | 1996-06-05 | 抵抗パターンを有する電子回路基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14297996A JPH09326540A (ja) | 1996-06-05 | 1996-06-05 | 抵抗パターンを有する電子回路基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09326540A true JPH09326540A (ja) | 1997-12-16 |
Family
ID=15328114
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14297996A Withdrawn JPH09326540A (ja) | 1996-06-05 | 1996-06-05 | 抵抗パターンを有する電子回路基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09326540A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015043397A (ja) * | 2013-08-26 | 2015-03-05 | 株式会社村田製作所 | 多層配線基板 |
| WO2023022048A1 (ja) | 2021-08-20 | 2023-02-23 | 京セラ株式会社 | 回路基板および電子装置 |
-
1996
- 1996-06-05 JP JP14297996A patent/JPH09326540A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015043397A (ja) * | 2013-08-26 | 2015-03-05 | 株式会社村田製作所 | 多層配線基板 |
| WO2023022048A1 (ja) | 2021-08-20 | 2023-02-23 | 京セラ株式会社 | 回路基板および電子装置 |
| EP4391738A4 (en) * | 2021-08-20 | 2025-08-06 | Kyocera Corp | PRINTED CIRCUIT BOARD AND ELECTRONIC DEVICE |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20030805 |