JPH095796A - 液晶表示装置における薄膜ダイオードの製造方法 - Google Patents
液晶表示装置における薄膜ダイオードの製造方法Info
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- JPH095796A JPH095796A JP15727895A JP15727895A JPH095796A JP H095796 A JPH095796 A JP H095796A JP 15727895 A JP15727895 A JP 15727895A JP 15727895 A JP15727895 A JP 15727895A JP H095796 A JPH095796 A JP H095796A
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 基板に透明導電膜を形成し、透明導電膜上に
第１のフォトレジストを形成し、第１のフォトレジスト
をマスクにして透明導電膜をエッチングして画素電極を
形成する工程と、第１のフォトレジストを除去し、全面
に絶縁体材料を形成し、絶縁体材料上に第２のフォトレ
ジストを形成し、第２のフォトレジストをマスクにして
絶縁体材料をエッチングし、絶縁体層を形成する工程
と、第２のフォトレジストを除去し、全面に行電極材料
を形成し、行電極材料上に第３のフォトレジストを形成
し、第３のフォトレジストをマスクにして行電極材料を
エッチングして行電極１４を形成する。 【効果】 絶縁体層上に行電極を連続的に形成すること
ができる。また、行電極には従来、透明導電膜が使用さ
れていたが、アルミやクロムなどの金属物質を使用する
ことができ、行電極抵抗を下げることができる。
第１のフォトレジストを形成し、第１のフォトレジスト
をマスクにして透明導電膜をエッチングして画素電極を
形成する工程と、第１のフォトレジストを除去し、全面
に絶縁体材料を形成し、絶縁体材料上に第２のフォトレ
ジストを形成し、第２のフォトレジストをマスクにして
絶縁体材料をエッチングし、絶縁体層を形成する工程
と、第２のフォトレジストを除去し、全面に行電極材料
を形成し、行電極材料上に第３のフォトレジストを形成
し、第３のフォトレジストをマスクにして行電極材料を
エッチングして行電極１４を形成する。 【効果】 絶縁体層上に行電極を連続的に形成すること
ができる。また、行電極には従来、透明導電膜が使用さ
れていたが、アルミやクロムなどの金属物質を使用する
ことができ、行電極抵抗を下げることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はアクティブマトリクス方
式の液晶表示装置に用いられるスイッチング素子の製造
方法に関し、とくに金属層−絶縁体層−金属層構造を有
するアクティブマトリクス方式の液晶表示装置における
薄膜ダイオードの製造方法に関する。
式の液晶表示装置に用いられるスイッチング素子の製造
方法に関し、とくに金属層−絶縁体層−金属層構造を有
するアクティブマトリクス方式の液晶表示装置における
薄膜ダイオードの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の技術における薄膜ダイオード（Ｔ
ＦＤ）素子の製造方法を、図７から図１１の断面図と図
１２の平面図とを用いて説明する。なお図７から図１１
の断面図は、図１２のＢ−Ｂ線における断面を示す断面
図である。
ＦＤ）素子の製造方法を、図７から図１１の断面図と図
１２の平面図とを用いて説明する。なお図７から図１１
の断面図は、図１２のＢ−Ｂ線における断面を示す断面
図である。
【０００３】まず図７に示すように、ガラスからなる基
板１１上の全面にスパッタリング法によりタンタル膜か
らなる行電極材料２５を１００ｎｍから２００ｎｍの膜
厚で形成する。その後、行電極材料２５上に第１のフォ
トレジスト２２を形成する。
板１１上の全面にスパッタリング法によりタンタル膜か
らなる行電極材料２５を１００ｎｍから２００ｎｍの膜
厚で形成する。その後、行電極材料２５上に第１のフォ
トレジスト２２を形成する。
【０００４】つぎに図８に示すように、行電極材料２５
上に形成した第１のフォトレジスト２２をエッチングマ
スクに用いて乾式エッチング法により、行電極材料２５
のエッチングを行い行電極１４を形成する。この行電極
１４の平面パターン形状は、図１２の実線４３で示す。
その後、この行電極１４の表面に陽極酸化法により、タ
ンタル膜の陽極酸化膜からなる絶縁体層１３を８０ｎｍ
の膜厚で形成する。
上に形成した第１のフォトレジスト２２をエッチングマ
スクに用いて乾式エッチング法により、行電極材料２５
のエッチングを行い行電極１４を形成する。この行電極
１４の平面パターン形状は、図１２の実線４３で示す。
その後、この行電極１４の表面に陽極酸化法により、タ
ンタル膜の陽極酸化膜からなる絶縁体層１３を８０ｎｍ
の膜厚で形成する。
【０００５】さらにスパッタリング法により、酸化イン
ジウムスズ（ＩＴＯ）からなる透明導電膜２１を１００
ｎｍから２００ｎｍの膜厚で全面に形成する。その後、
透明導電膜２１上に第２のフォトレジスト２４を形成す
る。
ジウムスズ（ＩＴＯ）からなる透明導電膜２１を１００
ｎｍから２００ｎｍの膜厚で全面に形成する。その後、
透明導電膜２１上に第２のフォトレジスト２４を形成す
る。
【０００６】つぎに図９に示すように、透明導電膜２１
上に形成した第２のフォトレジスト２４をエッチングマ
スクに用いて、透明導電膜２１のエッチングを行って画
素電極１２を形成する。この画素電極１２の平面パター
ン形状は、図１２の一点鎖線４１に示す。
上に形成した第２のフォトレジスト２４をエッチングマ
スクに用いて、透明導電膜２１のエッチングを行って画
素電極１２を形成する。この画素電極１２の平面パター
ン形状は、図１２の一点鎖線４１に示す。
【０００７】つぎに図１０に示すように、スパッタリン
グ法により五酸化タンタルからなる保護膜層２７を２０
０ｎｍから３００ｎｍの膜厚で全面に形成する。その
後、保護膜層２７上に第３のフォトレジスト２６を形成
する。その後、保護膜層２７上に形成した第３のフォト
レジスト２６をエッチングマスクに用いて乾式エッチン
グ法により、保護膜層２７をエッチングし、開口部を有
する保護膜１５を形成する。この保護膜１５の平面パタ
ーン形状は、図１２の一点鎖線４４に示す。
グ法により五酸化タンタルからなる保護膜層２７を２０
０ｎｍから３００ｎｍの膜厚で全面に形成する。その
後、保護膜層２７上に第３のフォトレジスト２６を形成
する。その後、保護膜層２７上に形成した第３のフォト
レジスト２６をエッチングマスクに用いて乾式エッチン
グ法により、保護膜層２７をエッチングし、開口部を有
する保護膜１５を形成する。この保護膜１５の平面パタ
ーン形状は、図１２の一点鎖線４４に示す。
【０００８】このようにして図１１に示す薄膜ダイオー
ド素子を３枚のフォトマスクにより形成し、薄膜ダイオ
ード素子を形成する。
ド素子を３枚のフォトマスクにより形成し、薄膜ダイオ
ード素子を形成する。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】近年、アクティブマト
リクス液晶パネルは大画面でしかも高画質が要求されて
おり、さらに液晶パネルを用いるビューファインダーや
プロジェクションテレビへと応用が広がり、より高精細
パターンで高信頼性が要求されている。
リクス液晶パネルは大画面でしかも高画質が要求されて
おり、さらに液晶パネルを用いるビューファインダーや
プロジェクションテレビへと応用が広がり、より高精細
パターンで高信頼性が要求されている。
【００１０】とくに小型プロジェクターやビューファイ
ンダーに要求される薄膜ダイオード素子の寸法は２μｍ
×２μｍ以下となり、従来技術で説明した図１１に示す
構造では透明導電膜２１をエッチングするときに、ほん
のわずかな素子側面からのエッチングにより透明導電膜
２１は断線してしまい、プロセスの再現性が得られずき
わめて製造歩留まりが悪い。
ンダーに要求される薄膜ダイオード素子の寸法は２μｍ
×２μｍ以下となり、従来技術で説明した図１１に示す
構造では透明導電膜２１をエッチングするときに、ほん
のわずかな素子側面からのエッチングにより透明導電膜
２１は断線してしまい、プロセスの再現性が得られずき
わめて製造歩留まりが悪い。
【００１１】従来技術では絶縁体層１３を陽極酸化法の
みで形成している。陽極酸化法は実体酸化法の一つであ
り、下地層である行電極材料２５の一部を用い陽極酸化
により酸素と結合させ酸化膜すなわち絶縁体層１３を形
成する手法で、化学気相成長法（ＣＶＤ）法や物理気相
成長法（ＰＶＤ）法に代表される膜材料を堆積させ膜形
成する方法とはまったく異なる。
みで形成している。陽極酸化法は実体酸化法の一つであ
り、下地層である行電極材料２５の一部を用い陽極酸化
により酸素と結合させ酸化膜すなわち絶縁体層１３を形
成する手法で、化学気相成長法（ＣＶＤ）法や物理気相
成長法（ＰＶＤ）法に代表される膜材料を堆積させ膜形
成する方法とはまったく異なる。
【００１２】従来技術における行電極材料２５にタンタ
ル膜を用い陽極酸化法で実体酸化した場合、５０ｎｍか
ら８０ｎｍの陽極酸化膜からなる絶縁体層１３を形成す
るためには、絶縁体層１３の約半分の膜厚である２５ｎ
ｍから４０ｎｍのタンタル膜が酸化される。
ル膜を用い陽極酸化法で実体酸化した場合、５０ｎｍか
ら８０ｎｍの陽極酸化膜からなる絶縁体層１３を形成す
るためには、絶縁体層１３の約半分の膜厚である２５ｎ
ｍから４０ｎｍのタンタル膜が酸化される。
【００１３】換言すれば行電極材料２５であるタンタル
膜の２５ｎｍから４０ｎｍの膜厚部分は、実体酸化によ
り約２倍に膨張し絶縁体層１３が形成されると考えられ
る。ここで注意すべきことはタンタル膜の酸化にはとく
に方向性はなく等方性である点である。
膜の２５ｎｍから４０ｎｍの膜厚部分は、実体酸化によ
り約２倍に膨張し絶縁体層１３が形成されると考えられ
る。ここで注意すべきことはタンタル膜の酸化にはとく
に方向性はなく等方性である点である。
【００１４】上記したような行電極材料２５の等方的な
酸化膨張によって、絶縁体層１３が形成されると、図１
１で示すようにガラスからなる基板１１と接する端部５
１では、基板１１側からのタンタル膜の酸化膨張による
絶縁体層１３の供給がないために、絶縁体層１３膜厚が
減少して、その断面形状は湾曲した形状になってしま
う。
酸化膨張によって、絶縁体層１３が形成されると、図１
１で示すようにガラスからなる基板１１と接する端部５
１では、基板１１側からのタンタル膜の酸化膨張による
絶縁体層１３の供給がないために、絶縁体層１３膜厚が
減少して、その断面形状は湾曲した形状になってしま
う。
【００１５】さらに絶縁体層１３上にスパッタリング法
によって酸化インジウムスズからなる透明導電膜２１を
形成すると、透明導電膜２１の成長が均一に行なわれ
ず、図１１に示すように端部５２では不連続的に被膜形
成され、付き回りの悪い形状になってしまう。
によって酸化インジウムスズからなる透明導電膜２１を
形成すると、透明導電膜２１の成長が均一に行なわれ
ず、図１１に示すように端部５２では不連続的に被膜形
成され、付き回りの悪い形状になってしまう。
【００１６】このため薄膜ダイオード素子構造では、端
部５２での透明導電膜２１が非常に断線しやすく、とく
に透明導電膜２１を第２のフォトレジスト２４を用いて
エッチングを行い画素電極１２を形成するときに、端部
５２からエッチング材料が非常に染み込みやすく、エッ
チング条件のわずかな変動によって、端部５２の断線が
発生してしまうことが判明した。
部５２での透明導電膜２１が非常に断線しやすく、とく
に透明導電膜２１を第２のフォトレジスト２４を用いて
エッチングを行い画素電極１２を形成するときに、端部
５２からエッチング材料が非常に染み込みやすく、エッ
チング条件のわずかな変動によって、端部５２の断線が
発生してしまうことが判明した。
【００１７】さらに、製造プロセスの熱処理やフォトレ
ジスト剥離工程でも断線が誘発されることが分かり、安
定した歩留り向上が不可能であり、量産化を行う上で非
常に大きな課題であることが判明している。
ジスト剥離工程でも断線が誘発されることが分かり、安
定した歩留り向上が不可能であり、量産化を行う上で非
常に大きな課題であることが判明している。
【００１８】本発明の目的は、上記課題を解決して、透
明導電膜の断線を無くし、歩留まりを向上させることが
可能な液晶表示装置における薄膜ダイオードの製造方法
を提供することである。
明導電膜の断線を無くし、歩留まりを向上させることが
可能な液晶表示装置における薄膜ダイオードの製造方法
を提供することである。
【００１９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明の液晶表示装置における薄膜ダイオードの製造
方法においては、下記記載の手段を採用する。
に本発明の液晶表示装置における薄膜ダイオードの製造
方法においては、下記記載の手段を採用する。
【００２０】本発明の液晶表示装置における薄膜ダイオ
ードの製造方法は、基板上の全面に透明導電膜を形成
し、透明導電膜上に第１のフォトレジストを形成し、第
１のフォトレジストをマスクにして透明導電膜をエッチ
ングして画素電極を形成する工程と、第１のフォトレジ
ストを除去し、全面に絶縁体材料を形成し、絶縁体材料
上に第２のフォトレジストを形成し、第２のフォトレジ
ストをマスクにして絶縁体材料をエッチングし、絶縁体
層を形成する工程と、第２のフォトレジストを除去し、
全面に行電極材料を形成し、行電極材料上に第３のフォ
トレジストを形成し、第３のフォトレジストをマスクに
して行電極材料をエッチングして行電極を形成する工程
と、第３のフォトレジストを除去する工程とを有するこ
とを特徴とする。
ードの製造方法は、基板上の全面に透明導電膜を形成
し、透明導電膜上に第１のフォトレジストを形成し、第
１のフォトレジストをマスクにして透明導電膜をエッチ
ングして画素電極を形成する工程と、第１のフォトレジ
ストを除去し、全面に絶縁体材料を形成し、絶縁体材料
上に第２のフォトレジストを形成し、第２のフォトレジ
ストをマスクにして絶縁体材料をエッチングし、絶縁体
層を形成する工程と、第２のフォトレジストを除去し、
全面に行電極材料を形成し、行電極材料上に第３のフォ
トレジストを形成し、第３のフォトレジストをマスクに
して行電極材料をエッチングして行電極を形成する工程
と、第３のフォトレジストを除去する工程とを有するこ
とを特徴とする。
【００２１】本発明の液晶表示装置における薄膜ダイオ
ードの製造方法は、基板上の全面に透明導電膜を形成
し、透明導電膜上に第１のフォトレジストを形成し、第
１のフォトレジストをマスクにして透明導電膜をエッチ
ングし、画素電極を形成する工程と、第１のフォトレジ
ストを除去し、全面に絶縁体材料を形成し、絶縁体材料
上に第２のフォトレジストを形成し、第２のフォトレジ
ストをマスクにして絶縁体材料をエッチングして絶縁体
層を形成する工程と、第２のフォトレジストを除去し、
全面に行電極材料を形成し、行電極材料上に第３のフォ
トレジストを形成し、第３のフォトレジストをマスクに
して行電極材料をエッチングして行電極を形成する行程
と、第３のフォトレジストを除去し、全面に保護膜層を
形成し、保護膜層上に第４のフォトレジストを形成し、
第４のフォトレジストをマスクにして保護膜層をエッチ
ングして保護膜を形成する工程と、第４のフォトレジス
トを除去する工程とを有することを特徴とする。
ードの製造方法は、基板上の全面に透明導電膜を形成
し、透明導電膜上に第１のフォトレジストを形成し、第
１のフォトレジストをマスクにして透明導電膜をエッチ
ングし、画素電極を形成する工程と、第１のフォトレジ
ストを除去し、全面に絶縁体材料を形成し、絶縁体材料
上に第２のフォトレジストを形成し、第２のフォトレジ
ストをマスクにして絶縁体材料をエッチングして絶縁体
層を形成する工程と、第２のフォトレジストを除去し、
全面に行電極材料を形成し、行電極材料上に第３のフォ
トレジストを形成し、第３のフォトレジストをマスクに
して行電極材料をエッチングして行電極を形成する行程
と、第３のフォトレジストを除去し、全面に保護膜層を
形成し、保護膜層上に第４のフォトレジストを形成し、
第４のフォトレジストをマスクにして保護膜層をエッチ
ングして保護膜を形成する工程と、第４のフォトレジス
トを除去する工程とを有することを特徴とする。
【００２２】
【作用】本発明の製造方法を用い、画素電極を第１層目
として平坦な基板上に膜形成することにより、従来問題
となっていた絶縁体層上に画素電極を形成することによ
る断線の発生を無くすことができ、さらにスパッタリン
グ法や化学気相成長法などにより絶縁体層を形成する。
として平坦な基板上に膜形成することにより、従来問題
となっていた絶縁体層上に画素電極を形成することによ
る断線の発生を無くすことができ、さらにスパッタリン
グ法や化学気相成長法などにより絶縁体層を形成する。
【００２３】このことにより、従来陽極酸化によって切
り立った湾曲形状となった絶縁体層端部を無くし、絶縁
体層端部を直線的に形成できるようになり、絶縁体層上
に形成する行電極を連続的に形成することができるよう
になり、歩留まりを向上させることができる。
り立った湾曲形状となった絶縁体層端部を無くし、絶縁
体層端部を直線的に形成できるようになり、絶縁体層上
に形成する行電極を連続的に形成することができるよう
になり、歩留まりを向上させることができる。
【００２４】さらに画素電極は薄膜ダイオード素子の１
部でもあり、できるだけ膜形成条件の自由度の広い条件
下で膜形成しなければならないが、画素電極は基板上に
第１層目に膜形成するので、いかなる条件下においても
膜形成が可能となるので、膜形成条件を広げることがで
き、再現性・量産性を向上させることができる。
部でもあり、できるだけ膜形成条件の自由度の広い条件
下で膜形成しなければならないが、画素電極は基板上に
第１層目に膜形成するので、いかなる条件下においても
膜形成が可能となるので、膜形成条件を広げることがで
き、再現性・量産性を向上させることができる。
【００２５】
【実施例】以下、本発明の液晶表示装置の製造方法にお
ける実施例を、図面を用いて説明する。図１から図５は
実施例における本発明の液晶表示装置の製造方法を工程
順に示す断面図であり、図６は実施例における本発明の
液晶表示装置の製造方法を説明するための平面図であ
る。なお図１から図５の断面図は、図６のＡ−Ａ線にお
ける断面を示す断面図である。
ける実施例を、図面を用いて説明する。図１から図５は
実施例における本発明の液晶表示装置の製造方法を工程
順に示す断面図であり、図６は実施例における本発明の
液晶表示装置の製造方法を説明するための平面図であ
る。なお図１から図５の断面図は、図６のＡ−Ａ線にお
ける断面を示す断面図である。
【００２６】まず図１に示すように、ガラスからなる基
板１１上の全面に、透明導電膜２１として酸化インジウ
ムスズ（ＩＴＯ）をスパッタリング法により１００ｎｍ
から３００ｎｍの膜厚で形成する。
板１１上の全面に、透明導電膜２１として酸化インジウ
ムスズ（ＩＴＯ）をスパッタリング法により１００ｎｍ
から３００ｎｍの膜厚で形成する。
【００２７】その後、ポジ型のフォトレジストを透明導
電膜２１上の全面に、回転塗布法により形成し、第１の
フォトマスクを用いて露光処理と現像処理を行いフォト
レジストのパターンニングを行い、第１のフォトレジス
ト２２を形成する。
電膜２１上の全面に、回転塗布法により形成し、第１の
フォトマスクを用いて露光処理と現像処理を行いフォト
レジストのパターンニングを行い、第１のフォトレジス
ト２２を形成する。
【００２８】つぎに図２に示すように、第１のフォトレ
ジスト２２をエッチングマスクにして湿式エッチング法
により、透明導電膜をパターンニングして画素電極１２
を形成する。この透明導電膜のエッチングは、塩化第２
鉄と塩酸と水を体積比４：２：３で混合したエッチング
液を用いて行う。なお画素電極１２の平面パターン形状
は、図６の一点鎖線４１に示すような長方形形状とす
る。
ジスト２２をエッチングマスクにして湿式エッチング法
により、透明導電膜をパターンニングして画素電極１２
を形成する。この透明導電膜のエッチングは、塩化第２
鉄と塩酸と水を体積比４：２：３で混合したエッチング
液を用いて行う。なお画素電極１２の平面パターン形状
は、図６の一点鎖線４１に示すような長方形形状とす
る。
【００２９】その後、絶縁体材料２３として五酸化タン
タルをスパッタリング法により５０ｎｍから８０ｎｍの
膜厚で全面に形成する。
タルをスパッタリング法により５０ｎｍから８０ｎｍの
膜厚で全面に形成する。
【００３０】その後、ポジ型のフォトレジストを絶縁体
材料２３上の全面に、回転塗布法により形成し、第２の
フォトマスクを用いて露光処理と現像処理を行いフォト
レジストのパターンニングを行い、第２のフォトレジス
ト２４を形成する。
材料２３上の全面に、回転塗布法により形成し、第２の
フォトマスクを用いて露光処理と現像処理を行いフォト
レジストのパターンニングを行い、第２のフォトレジス
ト２４を形成する。
【００３１】つぎに図３に示すように、第２のフォトレ
ジスト２４をエッチングマスクに用いて、乾式エッチン
グ法を用い、絶縁体材料２３である絶縁体材料をパター
ンニングして絶縁体層１３を形成する。絶縁体材料２３
のエッチングは、平行平板型電極構造エッチング装置の
エッチングチャンバー内に六沸化イオウを２００ｃｃ／
ｍｉｎ、ヘリウムを２０ｃｃ／ｍｉｎ、酸素を３０ｃｃ
／ｍｉｎ導入し、圧力を５０ｍＴｏｒｒに保ち高周波電
力１ＫＷ投入して行う。なお絶縁体層１３の平面パター
ン形状は、図６の二点鎖線４２に示すような形状で長方
形にする。
ジスト２４をエッチングマスクに用いて、乾式エッチン
グ法を用い、絶縁体材料２３である絶縁体材料をパター
ンニングして絶縁体層１３を形成する。絶縁体材料２３
のエッチングは、平行平板型電極構造エッチング装置の
エッチングチャンバー内に六沸化イオウを２００ｃｃ／
ｍｉｎ、ヘリウムを２０ｃｃ／ｍｉｎ、酸素を３０ｃｃ
／ｍｉｎ導入し、圧力を５０ｍＴｏｒｒに保ち高周波電
力１ＫＷ投入して行う。なお絶縁体層１３の平面パター
ン形状は、図６の二点鎖線４２に示すような形状で長方
形にする。
【００３２】その後、薄膜ダイオードの行電極材料２５
として、タンタルをスパッタリング法により２００ｎｍ
の膜厚で全面に形成する。
として、タンタルをスパッタリング法により２００ｎｍ
の膜厚で全面に形成する。
【００３３】その後、フォトレジストを行電極材料２５
上の全面に回転塗布法によって形成し、第３のフォトマ
スクを用いて露光処理と現像処理を行い、フォトレジス
トのパターンニングを行い、第３のフォトレジスト２６
を形成する。
上の全面に回転塗布法によって形成し、第３のフォトマ
スクを用いて露光処理と現像処理を行い、フォトレジス
トのパターンニングを行い、第３のフォトレジスト２６
を形成する。
【００３４】つぎに図４に示すように、第３のフォトレ
ジスト２６をエッチングマスクに用いて、乾式エッチン
グ法を用い、行電極材料２５であるタンタルをパターン
ニングして行電極１４を形成する。行電極材料２５のエ
ッチング処理は、平行平板型電極構造エッチング装置の
エッチングチャンバー内に六沸化硫黄を２００ｃｃ／ｍ
ｉｎ、ヘリウムを２０ｃｃ／ｍｉｎ、酸素を３０ｃｃ／
ｍｉｎ導入し、圧力を５０ｍＴｏｒｒに保ち高周波電力
１ＫＷ投入して行う。なお行電極の平面パターン形状
は、図６の実線４３に示すようなＴ字型の形状である。
ジスト２６をエッチングマスクに用いて、乾式エッチン
グ法を用い、行電極材料２５であるタンタルをパターン
ニングして行電極１４を形成する。行電極材料２５のエ
ッチング処理は、平行平板型電極構造エッチング装置の
エッチングチャンバー内に六沸化硫黄を２００ｃｃ／ｍ
ｉｎ、ヘリウムを２０ｃｃ／ｍｉｎ、酸素を３０ｃｃ／
ｍｉｎ導入し、圧力を５０ｍＴｏｒｒに保ち高周波電力
１ＫＷ投入して行う。なお行電極の平面パターン形状
は、図６の実線４３に示すようなＴ字型の形状である。
【００３５】その後、全面にスパッタリング法により五
酸化タンタルからなる保護膜層２７を２００ｎｍから３
００ｎｍの膜厚で形成する。
酸化タンタルからなる保護膜層２７を２００ｎｍから３
００ｎｍの膜厚で形成する。
【００３６】その後、フォトレジストを保護膜層２７上
の全面に回転塗布法により形成し、第４のフォトマスク
を用いて露光、現像処理を行い、フォトレジストのパタ
ーンニングを行い、第４のフォトレジスト２８を形成す
る。
の全面に回転塗布法により形成し、第４のフォトマスク
を用いて露光、現像処理を行い、フォトレジストのパタ
ーンニングを行い、第４のフォトレジスト２８を形成す
る。
【００３７】その後、第４のフォトレジスト２８をマス
クにして、乾式エッチング法を用いて、保護膜層２７を
エッチングして保護膜１５を形成する。保護膜１５のエ
ッチングは、平行平板型電極構造エッチング装置のエッ
チングチャンバー内に六沸化イオウを２００ｃｃ／ｍｉ
ｎ、ヘリウムを２０ｃｃ／ｍｉｎ、酸素を３０ｃｃ／ｍ
ｉｎ導入し、圧力を５０ｍＴｏｒｒに保ち高周波電力１
ＫＷ投入して行う。
クにして、乾式エッチング法を用いて、保護膜層２７を
エッチングして保護膜１５を形成する。保護膜１５のエ
ッチングは、平行平板型電極構造エッチング装置のエッ
チングチャンバー内に六沸化イオウを２００ｃｃ／ｍｉ
ｎ、ヘリウムを２０ｃｃ／ｍｉｎ、酸素を３０ｃｃ／ｍ
ｉｎ導入し、圧力を５０ｍＴｏｒｒに保ち高周波電力１
ＫＷ投入して行う。
【００３８】その後，第３のフォトレジスト２８を除去
する。このようにして薄膜ダイオード素子を４枚のフォ
トマスクより形成することができる。
する。このようにして薄膜ダイオード素子を４枚のフォ
トマスクより形成することができる。
【００３９】さらに本発明者は、絶縁体層１３の形成に
用いる五酸化タンタルを、化学気相成長法（ＣＶＤ法）
によって膜形成しても、同様な絶縁体層を得られること
を確認している。
用いる五酸化タンタルを、化学気相成長法（ＣＶＤ法）
によって膜形成しても、同様な絶縁体層を得られること
を確認している。
【００４０】また、本発明の実施例では行電極材料２３
はタンタルを用いたが、行電極材料として他の金属材料
や、酸化インジウムスズを用いても同様な行電極を得ら
れることを確認している。
はタンタルを用いたが、行電極材料として他の金属材料
や、酸化インジウムスズを用いても同様な行電極を得ら
れることを確認している。
【００４１】また、本発明の実施例では保護膜１５を用
いたが、保護膜を用いなくても同様な効果が得られるこ
とが確認している。
いたが、保護膜を用いなくても同様な効果が得られるこ
とが確認している。
【００４２】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明で
は平坦なガラス上に画素電極を第１層目に形成するの
で、従来陽極酸化によって膜形成した絶縁体層による切
り立った段差部上に画素電極を膜形成して、画素電極の
断線が多発していたが、その断線を無くすことができ、
素子における断線発生が無いので歩留まりを向上させる
ことができる。
は平坦なガラス上に画素電極を第１層目に形成するの
で、従来陽極酸化によって膜形成した絶縁体層による切
り立った段差部上に画素電極を膜形成して、画素電極の
断線が多発していたが、その断線を無くすことができ、
素子における断線発生が無いので歩留まりを向上させる
ことができる。
【００４３】さらに画素電極上にスパッタリング法で絶
縁体層を形成することにより、従来の陽極酸化による切
り立った形状の絶縁体層に比らべ、滑らかに絶縁体層を
形成することができ、絶縁体層上に行電極を連続的に形
成することができる。また、行電極には従来、透明導電
膜を使用せざるおえなかったが、アルミニウムやクロム
などの金属物質を使用することができ、行電極抵抗を下
げることができる。
縁体層を形成することにより、従来の陽極酸化による切
り立った形状の絶縁体層に比らべ、滑らかに絶縁体層を
形成することができ、絶縁体層上に行電極を連続的に形
成することができる。また、行電極には従来、透明導電
膜を使用せざるおえなかったが、アルミニウムやクロム
などの金属物質を使用することができ、行電極抵抗を下
げることができる。
【図１】本発明の実施例における液晶表示装置の製造方
法を示す断面図である。
法を示す断面図である。
【図２】本発明の実施例における液晶表示装置の製造方
法を示す断面図である。
法を示す断面図である。
【図３】本発明の実施例における液晶表示装置の製造方
法を示す断面図である。
法を示す断面図である。
【図４】本発明の実施例における液晶表示装置の製造方
法を示す断面図である。
法を示す断面図である。
【図５】本発明の実施例における液晶表示装置の製造方
法を示す断面図である。
法を示す断面図である。
【図６】本発明の実施例における液晶表示装置の製造方
法を示す平面図である。
法を示す平面図である。
【図７】従来技術の液晶表示装置の製造方法を示す断面
図である。
図である。
【図８】従来技術の液晶表示装置の製造方法を示す断面
図である。
図である。
【図９】従来技術の液晶表示装置の製造方法を示す断面
図である。
図である。
【図１０】従来技術の液晶表示装置の製造方法を示す断
面図である。
面図である。
【図１１】従来技術の液晶表示装置の製造方法を示す断
面図である。
面図である。
【図１２】従来技術の液晶表示装置の製造方法を示す平
面図である。
面図である。
１１ 基板 １２ 画素電極 １３ 絶縁体層 １４ 行電極 １５ 保護膜層 ２１ 透明導電膜 ２２ 第１のフォトレジスト ２３ 絶縁体材料 ２４ 第２のフォトレジスト ２５ 行電極材料 ２６ 第３のフォトレジスト ２７ 保護膜 ２８ 第４のフォトレジスト
Claims (2)
- 【請求項１】 基板上の全面に透明導電膜を形成し、透
明導電膜上に第１のフォトレジストを形成し、第１のフ
ォトレジストをマスクにして透明導電膜をエッチングし
て画素電極を形成する工程と、第１のフォトレジストを
除去し、全面に絶縁体材料を形成し、絶縁体材料上に第
２のフォトレジストを形成し、第２のフォトレジストを
マスクにして絶縁体材料をエッチングし、絶縁体層を形
成する工程と、第２のフォトレジストを除去し、全面に
行電極材料を形成し、行電極材料上に第３のフォトレジ
ストを形成し、第３のフォトレジストをマスクにして行
電極材料をエッチングして行電極を形成する工程と、第
３のフォトレジストを除去する工程とを有することを特
徴とする液晶表示装置における薄膜ダイオードの製造方
法。 - 【請求項２】 基板上の全面に透明導電膜を形成し、透
明導電膜上に第１のフォトレジストを形成し、第１のフ
ォトレジストをマスクにして透明導電膜をエッチング
し、画素電極を形成する工程と、第１のフォトレジスト
を除去し、全面に絶縁体材料を形成し、絶縁体材料上に
第２のフォトレジストを形成し、第２のフォトレジスト
をマスクにして絶縁体材料をエッチングして絶縁体層を
形成する工程と、第２のフォトレジストを除去し、全面
に行電極材料を形成し、行電極材料上に第３のフォトレ
ジストを形成し、第３のフォトレジストをマスクにして
行電極材料をエッチングして行電極を形成する行程と、
第３のフォトレジストを除去し、全面に保護膜層を形成
し、保護膜層上に第４のフォトレジストを形成し、第４
のフォトレジストをマスクにして保護膜層をエッチング
して保護膜を形成する工程と、第４のフォトレジストを
除去する工程とを有することを特徴とする液晶表示装置
における薄膜ダイオードの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15727895A JPH095796A (ja) | 1995-06-23 | 1995-06-23 | 液晶表示装置における薄膜ダイオードの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15727895A JPH095796A (ja) | 1995-06-23 | 1995-06-23 | 液晶表示装置における薄膜ダイオードの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH095796A true JPH095796A (ja) | 1997-01-10 |
Family
ID=15646167
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15727895A Pending JPH095796A (ja) | 1995-06-23 | 1995-06-23 | 液晶表示装置における薄膜ダイオードの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH095796A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100426071C (zh) * | 2006-12-05 | 2008-10-15 | 友达光电股份有限公司 | 液晶显示装置的制备方法 |
-
1995
- 1995-06-23 JP JP15727895A patent/JPH095796A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100426071C (zh) * | 2006-12-05 | 2008-10-15 | 友达光电股份有限公司 | 液晶显示装置的制备方法 |
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