JPH0959385A - 新規な変性オルガノポリシロキサン化合物およびそれを用いた半導体封止用エポキシ樹脂組成物 - Google Patents
新規な変性オルガノポリシロキサン化合物およびそれを用いた半導体封止用エポキシ樹脂組成物Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 新規な変性オルガノポリシロキサン化合物及
びそれを用いた半導体封止用エポキシ樹脂組成物を提供
する。 【解決手段】 変性オルガノポリシロキサン化合物は次
式(1) 【化１】 を有する。このものはエポキシ樹脂に配合して半導体封
止用エポキシ樹脂組成物を与える。
びそれを用いた半導体封止用エポキシ樹脂組成物を提供
する。 【解決手段】 変性オルガノポリシロキサン化合物は次
式(1) 【化１】 を有する。このものはエポキシ樹脂に配合して半導体封
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、新規な変性オルガ
ノポリシロキサン化合物の製造方法、その方法により製
造された新規な変性オルガノポリシロキサン化合物およ
びそれを配合した半導体封止用エポキシ樹脂組成物に関
する。更に詳しくは、成形時に優れた離型性を示し、成
形後には耐水性、ＩＣ基盤との密着性および耐熱性が良
く、信頼性の優れた半導体封止用エポキシ樹脂組成物を
与える変性オルガノポリシロキサン化合物およびそれを
配合した半導体封止用エポキシ樹脂組成物に関する。
ノポリシロキサン化合物の製造方法、その方法により製
造された新規な変性オルガノポリシロキサン化合物およ
びそれを配合した半導体封止用エポキシ樹脂組成物に関
する。更に詳しくは、成形時に優れた離型性を示し、成
形後には耐水性、ＩＣ基盤との密着性および耐熱性が良
く、信頼性の優れた半導体封止用エポキシ樹脂組成物を
与える変性オルガノポリシロキサン化合物およびそれを
配合した半導体封止用エポキシ樹脂組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術とその問題点】従来より、半導体封止用に
エポキシ樹脂組成物が用いられ、応力緩和や離型性の向
上の目的で各種シリコーンオイル類が配合されてきた。
特公平２−３６１４８号では、エポキシ基とポリオキシ
アルキレン基を有する変性オルガノポリシロキサンを配
合することによりトランスファーモールディング時の離
型性、捺印性および密着性が優れた成形用エポキシ樹脂
組成物が得られることが開示されている。しかし、この
成形用エポキシ樹脂組成物は、耐水性、ＩＣ基盤との密
着性、耐熱性が不十分であり、これを封止剤として用い
て製造した半導体は信頼性が不十分であった。
エポキシ樹脂組成物が用いられ、応力緩和や離型性の向
上の目的で各種シリコーンオイル類が配合されてきた。
特公平２−３６１４８号では、エポキシ基とポリオキシ
アルキレン基を有する変性オルガノポリシロキサンを配
合することによりトランスファーモールディング時の離
型性、捺印性および密着性が優れた成形用エポキシ樹脂
組成物が得られることが開示されている。しかし、この
成形用エポキシ樹脂組成物は、耐水性、ＩＣ基盤との密
着性、耐熱性が不十分であり、これを封止剤として用い
て製造した半導体は信頼性が不十分であった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、半導体封止
用に有用な耐水性、ＩＣ基盤との密着性、耐熱性、トラ
ンスファーモールディング時の離型性、捺印性が良く、
信頼性の優れた半導体封止用エポキシ樹脂組成物を提供
することを課題とする。
用に有用な耐水性、ＩＣ基盤との密着性、耐熱性、トラ
ンスファーモールディング時の離型性、捺印性が良く、
信頼性の優れた半導体封止用エポキシ樹脂組成物を提供
することを課題とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明者らは上記課題に
ついて鋭意検討した結果、前記特公平２−３６１４８号
記載の変性オルガノポリシロキサンは、遊離した未反応
原料のポリオキシアルキレン化合物を多く含むために、
半導体封止用エポキシ樹脂組成物の耐水性、ＩＣ基盤と
の密着性、耐熱性に悪影響を与え信頼性を悪くしている
ことを見出だした。そこで各種シリコーンオイル類とそ
の製造方法について検討したところ、特定の方法により
製造した新規な変性オルガノポリシロキサン化合物は、
エポキシ基との反応性基とポリオキシアルキレン基を有
しているが、未反応のポリオキシアルキレン化合物の殆
どはエポキシ樹脂組成物の硬化時に反応するので、耐水
性、ＩＣ基盤との密着性、耐熱性、トランスファーモー
ルディング時の離型性、捺印性等に悪影響を与えず、信
頼性に優れた半導体を製造できることを見出だし、更に
検討した結果本発明を完成させた。
ついて鋭意検討した結果、前記特公平２−３６１４８号
記載の変性オルガノポリシロキサンは、遊離した未反応
原料のポリオキシアルキレン化合物を多く含むために、
半導体封止用エポキシ樹脂組成物の耐水性、ＩＣ基盤と
の密着性、耐熱性に悪影響を与え信頼性を悪くしている
ことを見出だした。そこで各種シリコーンオイル類とそ
の製造方法について検討したところ、特定の方法により
製造した新規な変性オルガノポリシロキサン化合物は、
エポキシ基との反応性基とポリオキシアルキレン基を有
しているが、未反応のポリオキシアルキレン化合物の殆
どはエポキシ樹脂組成物の硬化時に反応するので、耐水
性、ＩＣ基盤との密着性、耐熱性、トランスファーモー
ルディング時の離型性、捺印性等に悪影響を与えず、信
頼性に優れた半導体を製造できることを見出だし、更に
検討した結果本発明を完成させた。
【０００５】
【発明の実施の形態】従って、本発明は次式（１）：
【化６】 ［式中、Ｒは同一または相異なり、水素原子または１価
の炭化水素基を表し、Ｒ1 はエポキシ基含有基を表し、
Ｒ2 は次式：
の炭化水素基を表し、Ｒ1 はエポキシ基含有基を表し、
Ｒ2 は次式：
【化７】 （式中、Ｒ5 は炭素原子数２以上の２価の炭化水素基を
表し、Ｒ6 は水素原子基、１価の炭化水素基またはアシ
ル基を表し、ａおよびｂは０または正数で、かつａ＋ｂ
≧１である）で表される有機置換基を表し、Ｒ3 は次
式：
表し、Ｒ6 は水素原子基、１価の炭化水素基またはアシ
ル基を表し、ａおよびｂは０または正数で、かつａ＋ｂ
≧１である）で表される有機置換基を表し、Ｒ3 は次
式：
【化８】 （式中、Ｒ7 は炭素原子数２以上の２価の炭化水素基を
表し、Ｒ8 はエポキシ基含有基を表し、ｃおよびｄは０
または正数で、かつａ＋ｂ≧１である）で表される有機
置換基を表し、Ｒ4 はＲ、Ｒ1 またはＲ2 のいずれかに
定義された意味を表し、ｌ、ｍ、ｎおよびｏはそれぞれ
平均数でｌ、ｍおよびｎは０〜１０００でありｏは１〜
１０００であり、それらは１≦ｌ＋ｍ＋ｎ＋ｏ≦１００
０を満足する値であり、更にＲ4 がＲ2 の場合は１≧ｏ
／（ｎ＋ｏ＋２）≧０．０２を、それ以外の場合は１≧
ｏ／（ｎ＋ｏ）≧０．０２を満足する値であるが、ただ
し、ｍが０の場合はＲ4 はＲ1 に定義された意味を表
し、ｎが０の場合はＲ4 はＲ2 に定義された意味を表
す］で表される変性オルガノポリシロキサン化合物の製
造方法、その方法により製造された前記式（１）で表さ
れる変性オルガノポリシロキサン化合物およびそれを用
いた半導体封止用エポキシ樹脂組成物に関する。
表し、Ｒ8 はエポキシ基含有基を表し、ｃおよびｄは０
または正数で、かつａ＋ｂ≧１である）で表される有機
置換基を表し、Ｒ4 はＲ、Ｒ1 またはＲ2 のいずれかに
定義された意味を表し、ｌ、ｍ、ｎおよびｏはそれぞれ
平均数でｌ、ｍおよびｎは０〜１０００でありｏは１〜
１０００であり、それらは１≦ｌ＋ｍ＋ｎ＋ｏ≦１００
０を満足する値であり、更にＲ4 がＲ2 の場合は１≧ｏ
／（ｎ＋ｏ＋２）≧０．０２を、それ以外の場合は１≧
ｏ／（ｎ＋ｏ）≧０．０２を満足する値であるが、ただ
し、ｍが０の場合はＲ4 はＲ1 に定義された意味を表
し、ｎが０の場合はＲ4 はＲ2 に定義された意味を表
す］で表される変性オルガノポリシロキサン化合物の製
造方法、その方法により製造された前記式（１）で表さ
れる変性オルガノポリシロキサン化合物およびそれを用
いた半導体封止用エポキシ樹脂組成物に関する。
【０００６】本発明の変性オルガノポリシロキサン化合
物は上記式（１）で表される。式（１）中、Ｒは同一ま
たは相異なり、水素原子または１価の炭化水素基（例え
ばアルキル基、フェニル基、アルキルフェニル基、ナフ
チル基等）を表すが、好ましくはメチル基、エチル基、
プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプ
チル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル
基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペン
タデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタ
デシル基、ノナデシル基等の直鎖または分岐した炭素数
１〜１８のアルキル基またはフェニル基であり特に好ま
しくはメチル基である。上記Ｒ1 基はエポキシ基含有基
であり、具体的な例としては、
物は上記式（１）で表される。式（１）中、Ｒは同一ま
たは相異なり、水素原子または１価の炭化水素基（例え
ばアルキル基、フェニル基、アルキルフェニル基、ナフ
チル基等）を表すが、好ましくはメチル基、エチル基、
プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプ
チル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル
基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペン
タデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタ
デシル基、ノナデシル基等の直鎖または分岐した炭素数
１〜１８のアルキル基またはフェニル基であり特に好ま
しくはメチル基である。上記Ｒ1 基はエポキシ基含有基
であり、具体的な例としては、
【化９】
【化１０】 を挙げることができる。上記Ｒ2 基中のＲ5 基とＲ3 基
中のＲ7 基はそれぞれ炭素原子数２以上の２価の炭化水
素基を表し、例えば直鎖または分岐したアルキレン基が
挙げられ、具体的な例としては、
中のＲ7 基はそれぞれ炭素原子数２以上の２価の炭化水
素基を表し、例えば直鎖または分岐したアルキレン基が
挙げられ、具体的な例としては、
【化１１】
【化１２】
【化１３】 等を挙げることができる。上記Ｒ2 基中のＲ6 基は上記
Ｒで例示したのと同じ基またはアシル基から選択される
が好ましくは水素原子、メチル基、エチル基、ブチル基
である。上記Ｒ3 基中のＲ8 基は上記Ｒ1 基で例示した
のと同様の基から選択される。
Ｒで例示したのと同じ基またはアシル基から選択される
が好ましくは水素原子、メチル基、エチル基、ブチル基
である。上記Ｒ3 基中のＲ8 基は上記Ｒ1 基で例示した
のと同様の基から選択される。
【０００７】上記の（１）式中のｎとｏの比は、Ｒ4 が
Ｒ2 の場合は１≧ｏ／（ｎ＋ｏ＋２）≧０．０２を、そ
れ以外の場合は１≧ｏ／（ｎ＋ｏ）≧０．０２を満足す
る値であることが必須で、好ましくはＲ4 がＲ2 の場合
は０．５≧ｏ／（ｎ＋ｏ＋２）≧０．０５でそれ以外の
場合は０．５≧ｏ／（ｎ＋ｏ）≧０．０５である。この
比が大き過ぎるとエポキシ樹脂組成物の流動性が悪くな
り、この比が小さ過ぎるとエポキシ樹脂組成物の硬化後
の遊離ポリオキシアルキレン成分が多くなり、いずれも
半導体封止剤として不適となる。また、これと１≦ｌ＋
ｍ＋ｎ＋ｏ≦１０００およびａ＋ｂ≧１である以外に
ｌ、ｍ、ｎ、ｏ、ａおよびｂの値は限定されないが、そ
れらの好ましい値は、５≦ｌ≦３００、１≦ｍ≦５０、
１≦ｎ≦３０、１≦ｏ≦２０、０≦ａ≦３０、１≦ｂ≦
３０である。
Ｒ2 の場合は１≧ｏ／（ｎ＋ｏ＋２）≧０．０２を、そ
れ以外の場合は１≧ｏ／（ｎ＋ｏ）≧０．０２を満足す
る値であることが必須で、好ましくはＲ4 がＲ2 の場合
は０．５≧ｏ／（ｎ＋ｏ＋２）≧０．０５でそれ以外の
場合は０．５≧ｏ／（ｎ＋ｏ）≧０．０５である。この
比が大き過ぎるとエポキシ樹脂組成物の流動性が悪くな
り、この比が小さ過ぎるとエポキシ樹脂組成物の硬化後
の遊離ポリオキシアルキレン成分が多くなり、いずれも
半導体封止剤として不適となる。また、これと１≦ｌ＋
ｍ＋ｎ＋ｏ≦１０００およびａ＋ｂ≧１である以外に
ｌ、ｍ、ｎ、ｏ、ａおよびｂの値は限定されないが、そ
れらの好ましい値は、５≦ｌ≦３００、１≦ｍ≦５０、
１≦ｎ≦３０、１≦ｏ≦２０、０≦ａ≦３０、１≦ｂ≦
３０である。
【０００８】上記の変性オルガノポリシロキサン化合物
は、ＳｉＨ基含有オルガノポリシロキサン化合物に触媒
の存在下に（ａ）１分子中にエポキシ基とアルケニル基
を同時に持つ化合物、（ｂ）次式（２）：
は、ＳｉＨ基含有オルガノポリシロキサン化合物に触媒
の存在下に（ａ）１分子中にエポキシ基とアルケニル基
を同時に持つ化合物、（ｂ）次式（２）：
【化１４】 （式中、Ｒ6 、ａおよびｂは前記式（１）で定義したの
と同じ意味を表し、Ｒ10はアルケニル基を表す）で表さ
れる化合物および（ｃ）次式（３）：
と同じ意味を表し、Ｒ10はアルケニル基を表す）で表さ
れる化合物および（ｃ）次式（３）：
【化１５】 （式中、Ｒ8 、ａおよびｂは前記式（１）で定義したの
と同じ意味を表し、Ｒ11はアルケニル基を表す）で表さ
れる化合物を付加させる工程により製造される。
と同じ意味を表し、Ｒ11はアルケニル基を表す）で表さ
れる化合物を付加させる工程により製造される。
【０００９】前記のＳｉＨ基含有オルガノポリシロキサ
ン化合物は、ＳｉＨ基を３つ以上持ち、重合度が１００
０以下であること以外は特に限定されず、例えば次式：
ン化合物は、ＳｉＨ基を３つ以上持ち、重合度が１００
０以下であること以外は特に限定されず、例えば次式：
【化１６】 （式中、Ｒ、ｌ、ｍ、ｎおよびｏは前記式（１）で定義
したのと同じ意味を表し、Ｒ9 は水素原子基またはＲと
同じ意味を表す）で示される。また、エポキシ基とアル
ケニル基を同時に持つ化合物として、例えば次式：
したのと同じ意味を表し、Ｒ9 は水素原子基またはＲと
同じ意味を表す）で示される。また、エポキシ基とアル
ケニル基を同時に持つ化合物として、例えば次式：
【化１７】
【化１８】 等の化合物が挙げられる。
【００１０】本発明においては、前記の式（１）で表さ
れる変性オルガノポリシロキサン化合物の製造時にＳｉ
Ｈ基含有オルガノポリシロキサン化合物に（ｂ）を付加
させた後に（ｃ）を付加させることが必須である。逆の
順番で製造した変性オルガノポリシロキサン化合物で
は、それとエポキシ樹脂組成物中の遊離ポリオキシアル
キレン化合物量が多くなり、半導体封止用としては不適
となるからである。尚、（ａ）の付加時期は特に限定さ
れない。例えば（ｂ）および（ｃ）の付加前後に付加さ
せたり、（ｂ）または（ｃ）と同時に付加させたりすれ
ば良い。
れる変性オルガノポリシロキサン化合物の製造時にＳｉ
Ｈ基含有オルガノポリシロキサン化合物に（ｂ）を付加
させた後に（ｃ）を付加させることが必須である。逆の
順番で製造した変性オルガノポリシロキサン化合物で
は、それとエポキシ樹脂組成物中の遊離ポリオキシアル
キレン化合物量が多くなり、半導体封止用としては不適
となるからである。尚、（ａ）の付加時期は特に限定さ
れない。例えば（ｂ）および（ｃ）の付加前後に付加さ
せたり、（ｂ）または（ｃ）と同時に付加させたりすれ
ば良い。
【００１１】本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物
はエポキシ樹脂と前記方法で製造された前記式（１）で
示される変性オルガノポリシロキサン化合物を主成分と
する。エポキシ樹脂は１分子中に２個以上のエポキシ基
を有するものであれば特に限定されない。具体的にはビ
スフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エ
ポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ク
レゾールノボラック型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹
脂、トリアジン核含有エポキシ樹脂およびこれらの変性
樹脂等の１種または２種以上を用いることができる。
はエポキシ樹脂と前記方法で製造された前記式（１）で
示される変性オルガノポリシロキサン化合物を主成分と
する。エポキシ樹脂は１分子中に２個以上のエポキシ基
を有するものであれば特に限定されない。具体的にはビ
スフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エ
ポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ク
レゾールノボラック型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹
脂、トリアジン核含有エポキシ樹脂およびこれらの変性
樹脂等の１種または２種以上を用いることができる。
【００１２】前記方法で製造された前記式（１）で示さ
れる変性オルガノポリシロキサン化合物は、必要に応じ
て１種または２種以上を用いることができる。その配合
割合は限定されないが、エポキシ樹脂組成物１００重量
部に対して０．１重量部〜２０重量部、特には０．５〜
１５重量部の範囲が好ましい。その理由は、配合割合が
上記範囲以下であると、変性オルガノポリシロキサン化
合物を配合しない場合と比較してトランスファーモール
ディング時の離型性、ＩＣ基盤との密着性、耐熱性、耐
水性、捺印性等の向上が見られないし、上記範囲以上で
あると機械強度、電気特性、耐水性等がかえって低下す
ることがあるからである。
れる変性オルガノポリシロキサン化合物は、必要に応じ
て１種または２種以上を用いることができる。その配合
割合は限定されないが、エポキシ樹脂組成物１００重量
部に対して０．１重量部〜２０重量部、特には０．５〜
１５重量部の範囲が好ましい。その理由は、配合割合が
上記範囲以下であると、変性オルガノポリシロキサン化
合物を配合しない場合と比較してトランスファーモール
ディング時の離型性、ＩＣ基盤との密着性、耐熱性、耐
水性、捺印性等の向上が見られないし、上記範囲以上で
あると機械強度、電気特性、耐水性等がかえって低下す
ることがあるからである。
【００１３】本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物
には、通常用いられる硬化剤を用いることができる。例
えば無水フタル酸、無水ヘキサヒドロフタル酸、テトラ
ヒドロ無水フタル酸、無水ピロメリット酸等の酸無水
物、エチレンジアミン、ジエチレントリアミン、トリエ
チレンテトラミン、ジエチルアミノプロピルアミン、Ｎ
−アミノエチルピペラジン、ビス（４−アミノ−３−メ
チルシクロヘキシル）メタン、メタンジアミン等のアミ
ン化合物、あるいはフェノール、ビスフェノールＡ、ビ
スフェノールＦ、テトラブロモビスフェノールＡ、クレ
ゾール等のフェノール化合物、キシレン樹脂等を挙げる
ことができる。これらの硬化剤以外に通常使用される硬
化促進剤、例えばＢＤＭＡ等の第３アミン類、イミダゾ
ール類、有機リン化合物類等を使用することができる。
更に本組成物には通常用いられる無機充填剤やシランカ
ップリング剤、難燃剤、着色剤、離型剤、シリコーンオ
イル類（ジメチルポリシロキサン及びメチル基の一部を
エポキシ基、カルボキシル基、アミノ基等で変性したジ
メチルポリシロキサン等）、ゴム等の低応力剤等の添加
剤を配合することができる。
には、通常用いられる硬化剤を用いることができる。例
えば無水フタル酸、無水ヘキサヒドロフタル酸、テトラ
ヒドロ無水フタル酸、無水ピロメリット酸等の酸無水
物、エチレンジアミン、ジエチレントリアミン、トリエ
チレンテトラミン、ジエチルアミノプロピルアミン、Ｎ
−アミノエチルピペラジン、ビス（４−アミノ−３−メ
チルシクロヘキシル）メタン、メタンジアミン等のアミ
ン化合物、あるいはフェノール、ビスフェノールＡ、ビ
スフェノールＦ、テトラブロモビスフェノールＡ、クレ
ゾール等のフェノール化合物、キシレン樹脂等を挙げる
ことができる。これらの硬化剤以外に通常使用される硬
化促進剤、例えばＢＤＭＡ等の第３アミン類、イミダゾ
ール類、有機リン化合物類等を使用することができる。
更に本組成物には通常用いられる無機充填剤やシランカ
ップリング剤、難燃剤、着色剤、離型剤、シリコーンオ
イル類（ジメチルポリシロキサン及びメチル基の一部を
エポキシ基、カルボキシル基、アミノ基等で変性したジ
メチルポリシロキサン等）、ゴム等の低応力剤等の添加
剤を配合することができる。
【００１４】
【実施例】以下、本発明を実施例により説明するが、本
発明はこれに限定されるものではなく、本発明の技術思
想を利用する実施態様は全て本発明の範囲に含まれるも
のである。実施例に先立ち半導体封止用エポキシ樹脂組
成物の評価方法を示す。
発明はこれに限定されるものではなく、本発明の技術思
想を利用する実施態様は全て本発明の範囲に含まれるも
のである。実施例に先立ち半導体封止用エポキシ樹脂組
成物の評価方法を示す。
【００１５】耐水性 Ｔｏ−２０２トランジスター２０個取り金型を利用し、
１７５℃で２分間の成形条件でトランスファー成形して
半導体を封止した。この成形物をレッドチェック液に各
１００個浸漬し、２４時間煮沸させた後取りだし、成形
物とリードフレームとの境界面へのレッドチェック液の
浸透具合を顕微鏡で観察し、僅かでも浸透が認められた
ものの個数を判定した。耐熱性 １７５℃で８時間の成形条件でトランスファー成形した
６×６×２．０５ｍｍの成形品を温度サイクルテスト
（１５０℃〜−１９６℃）にかけ、５００サイクルのテ
ストをおこない、クラックの発生した成形品の個数を判
定した。金型離型性 断面積１ｃｍ2 の円筒形キャビティを有する金型で、
１．５ｇの各組成物を１７５℃で２分間圧縮成形し、成
形直後の金型からの離型押し出し力（ｋｇ）をプッシュ
プルゲージで測定した。これを１０回繰り返し、その最
低と最高の値をとった。捺印性 Ｔｏ−２０２トランジスタ２０個取り金型を使用し、１
７５℃で２分間トランスファー成形した成形表面に、マ
ーケム社７２６１インクを捺印し、１５０℃で１時間イ
ンクを硬化させた後、インク表面にセロファンテープを
密着させ、それを急激にはがしたときのテープ側へのイ
ンクの転写性を肉眼で判定した。これを１０回繰り返
し、１０共テープ側に全く転写しないものを○印、テー
プ側に一部でも転写したものが１回以上あるものを×印
とした。
１７５℃で２分間の成形条件でトランスファー成形して
半導体を封止した。この成形物をレッドチェック液に各
１００個浸漬し、２４時間煮沸させた後取りだし、成形
物とリードフレームとの境界面へのレッドチェック液の
浸透具合を顕微鏡で観察し、僅かでも浸透が認められた
ものの個数を判定した。耐熱性 １７５℃で８時間の成形条件でトランスファー成形した
６×６×２．０５ｍｍの成形品を温度サイクルテスト
（１５０℃〜−１９６℃）にかけ、５００サイクルのテ
ストをおこない、クラックの発生した成形品の個数を判
定した。金型離型性 断面積１ｃｍ2 の円筒形キャビティを有する金型で、
１．５ｇの各組成物を１７５℃で２分間圧縮成形し、成
形直後の金型からの離型押し出し力（ｋｇ）をプッシュ
プルゲージで測定した。これを１０回繰り返し、その最
低と最高の値をとった。捺印性 Ｔｏ−２０２トランジスタ２０個取り金型を使用し、１
７５℃で２分間トランスファー成形した成形表面に、マ
ーケム社７２６１インクを捺印し、１５０℃で１時間イ
ンクを硬化させた後、インク表面にセロファンテープを
密着させ、それを急激にはがしたときのテープ側へのイ
ンクの転写性を肉眼で判定した。これを１０回繰り返
し、１０共テープ側に全く転写しないものを○印、テー
プ側に一部でも転写したものが１回以上あるものを×印
とした。
【００１６】変性オルガノポリシロキサン化合物の製造
例 実施例１ 機械的撹拌機、凝縮器、温度計および窒素挿入口を備え
た３つ口フラスコに次式（４）：
例 実施例１ 機械的撹拌機、凝縮器、温度計および窒素挿入口を備え
た３つ口フラスコに次式（４）：
【化１９】 で示されるジメチルハイドロジェンポリシロキサン１．
００モル、次式（５）：
００モル、次式（５）：
【化２０】 で表される化合物２．１０モル、上記ジメチルハイドロ
ジェンポリシロキサンと同重量のトルエンおよび白金濃
度が上記ジメチルハイドロジェンポリシロキサンに対し
て２０ｐｐｍとなる量の塩化白金酸の１０％メタノール
溶液を入れ窒素雰囲気下で撹拌した。さらに窒素雰囲気
下、８０〜１００℃で反応させた。前記化合物が２．０
０モル付加したことを確認してから５０℃／１ｍｍＨｇ
で溶媒と未反応原料を除去した。更に温度を４０℃以下
にして、次式（６）：
ジェンポリシロキサンと同重量のトルエンおよび白金濃
度が上記ジメチルハイドロジェンポリシロキサンに対し
て２０ｐｐｍとなる量の塩化白金酸の１０％メタノール
溶液を入れ窒素雰囲気下で撹拌した。さらに窒素雰囲気
下、８０〜１００℃で反応させた。前記化合物が２．０
０モル付加したことを確認してから５０℃／１ｍｍＨｇ
で溶媒と未反応原料を除去した。更に温度を４０℃以下
にして、次式（６）：
【化２１】 で表される化合物４．５１モルと前回と同量のトルエン
を加えた後、窒素雰囲気下、８０〜１００℃で反応さ
せ、前記化合物が４．３モル付加したことを確認した。
更に温度を４０℃以下にして次式（７）：
を加えた後、窒素雰囲気下、８０〜１００℃で反応さ
せ、前記化合物が４．３モル付加したことを確認した。
更に温度を４０℃以下にして次式（７）：
【化２２】 で表される化合物１．１９モルを加えた後、窒素雰囲気
下、ＳｉＨ基が確認されなくなるまで８０〜１００℃で
反応させた。その後ＮａＨＣＯ3 で中和し、濾過後に５
０℃／１ｍｍＨｇで溶媒と未反応原料を除去し、次式
（８）：
下、ＳｉＨ基が確認されなくなるまで８０〜１００℃で
反応させた。その後ＮａＨＣＯ3 で中和し、濾過後に５
０℃／１ｍｍＨｇで溶媒と未反応原料を除去し、次式
（８）：
【化２３】 で表される本発明の変性オルガノポリシロキサン化合物
を得た。以下、これを化合物１とする。尚、上記の製造
において、付加反応の進行は、残存ＳｉＨ基量をＫＯＨ
のアルコール溶液との水素ガス発生量により測定するこ
とにより確認した。
を得た。以下、これを化合物１とする。尚、上記の製造
において、付加反応の進行は、残存ＳｉＨ基量をＫＯＨ
のアルコール溶液との水素ガス発生量により測定するこ
とにより確認した。
【００１７】実施例２ 実施例１と同様の反応装置に前記式（４）で示されるジ
メチルハイドロジェンポリシロキサン１．００モル、前
記式（６）で表される化合物４．５１モルおよび実施例
１と同量のトルエンと塩化白金酸の１０％メタノール溶
液を入れ窒素雰囲気下で撹拌した。さらに窒素雰囲気
下、８０〜１００℃で反応させた。前記化合物が４．３
モル付加したことを確認してから温度を４０℃以下にし
て、前記式（７）で表される化合物１．１９モルを加え
た後、窒素雰囲気下、８０〜１００℃で反応させ、前記
化合物が０．７モル付加したことを確認した。更に温度
を４０℃以下にして前記式（５）で表される化合物２．
１０モルを加えた後、窒素雰囲気下、ＳｉＨ基が確認さ
れなくなるまで８０〜１００℃で反応させた。その後Ｎ
ａＨＣＯ3 で中和し、濾過後に回転式蒸発装置により５
０℃／１ｍｍＨｇで溶媒と未反応原料を除去し、実施例
１と同様に前記式（８）で表される本発明の変性オルガ
ノポリシロキサン化合物を得た。以下、これを化合物２
とする。
メチルハイドロジェンポリシロキサン１．００モル、前
記式（６）で表される化合物４．５１モルおよび実施例
１と同量のトルエンと塩化白金酸の１０％メタノール溶
液を入れ窒素雰囲気下で撹拌した。さらに窒素雰囲気
下、８０〜１００℃で反応させた。前記化合物が４．３
モル付加したことを確認してから温度を４０℃以下にし
て、前記式（７）で表される化合物１．１９モルを加え
た後、窒素雰囲気下、８０〜１００℃で反応させ、前記
化合物が０．７モル付加したことを確認した。更に温度
を４０℃以下にして前記式（５）で表される化合物２．
１０モルを加えた後、窒素雰囲気下、ＳｉＨ基が確認さ
れなくなるまで８０〜１００℃で反応させた。その後Ｎ
ａＨＣＯ3 で中和し、濾過後に回転式蒸発装置により５
０℃／１ｍｍＨｇで溶媒と未反応原料を除去し、実施例
１と同様に前記式（８）で表される本発明の変性オルガ
ノポリシロキサン化合物を得た。以下、これを化合物２
とする。
【００１８】比較例１ 実施例１と同様の反応装置に前記式（４）で示されるジ
メチルハイドロジェンポリシロキサン１．００モル、前
記式（５）で表される化合物２．１０モルおよび実施例
１と同量のトルエンと塩化白金酸の１０％メタノール溶
液を入れ窒素雰囲気下で撹拌した。さらに窒素雰囲気
下、８０〜１００℃で反応させた。前記化合物が２．０
０モル付加したことを確認してから温度を４０℃以下に
して前記式（７）で表される化合物０．７４モルを加
え、窒素雰囲気下、８０〜１００℃で反応させ、前記化
合物が０．７モル付加したことを確認した。更に温度を
４０℃以下にして前記式（６）で表される化合物４．９
６モルを加えた後、窒素雰囲気下、ＳｉＨ基が確認され
なくなるまで８０〜１００℃で反応させた。その後Ｎａ
ＨＣＯ3 で中和し、濾過後に回転式蒸発装置により５０
℃／１ｍｍＨｇで溶媒と未反応原料を除去し、実施例１
と同様に前記式（８）で表されるが本発明とは異なる変
性オルガノポリシロキサン化合物を得た。以下、これを
化合物３とする。
メチルハイドロジェンポリシロキサン１．００モル、前
記式（５）で表される化合物２．１０モルおよび実施例
１と同量のトルエンと塩化白金酸の１０％メタノール溶
液を入れ窒素雰囲気下で撹拌した。さらに窒素雰囲気
下、８０〜１００℃で反応させた。前記化合物が２．０
０モル付加したことを確認してから温度を４０℃以下に
して前記式（７）で表される化合物０．７４モルを加
え、窒素雰囲気下、８０〜１００℃で反応させ、前記化
合物が０．７モル付加したことを確認した。更に温度を
４０℃以下にして前記式（６）で表される化合物４．９
６モルを加えた後、窒素雰囲気下、ＳｉＨ基が確認され
なくなるまで８０〜１００℃で反応させた。その後Ｎａ
ＨＣＯ3 で中和し、濾過後に回転式蒸発装置により５０
℃／１ｍｍＨｇで溶媒と未反応原料を除去し、実施例１
と同様に前記式（８）で表されるが本発明とは異なる変
性オルガノポリシロキサン化合物を得た。以下、これを
化合物３とする。
【００１９】比較例２ 実施例１と同様の反応装置に前記式（４）で示されるジ
メチルハイドロジェンポリシロキサン１．００モル、前
記式（７）で表される化合物０．７４モルおよび実施例
１と同量のトルエンと塩化白金酸の１０％メタノール溶
液を入れ窒素雰囲気下で撹拌した。さらに窒素雰囲気
下、８０〜１００℃で反応させた。前記化合物が０．７
モル付加したことを確認してから温度を４０℃以下にし
て前記式（６）で表される化合物４．９６モルを加え、
窒素雰囲気下、８０〜１００℃で反応させ、前記化合物
が４．３モル付加したことを確認した。更に温度を４０
℃以下にして前記式（５）で表される化合物２．２０モ
ルを加えた後、窒素雰囲気下、ＳｉＨ基が確認されなく
なるまで８０〜１００℃で反応させた。その後ＮａＨＣ
Ｏ3 で中和し、濾過後に回転式蒸発装置により５０℃／
１ｍｍＨｇで溶媒と未反応原料を除去し、実施例１と同
様に前記式（８）で表されるが本発明とは異なる変性オ
ルガノポリシロキサン化合物を得た。以下、これを化合
物４とする。
メチルハイドロジェンポリシロキサン１．００モル、前
記式（７）で表される化合物０．７４モルおよび実施例
１と同量のトルエンと塩化白金酸の１０％メタノール溶
液を入れ窒素雰囲気下で撹拌した。さらに窒素雰囲気
下、８０〜１００℃で反応させた。前記化合物が０．７
モル付加したことを確認してから温度を４０℃以下にし
て前記式（６）で表される化合物４．９６モルを加え、
窒素雰囲気下、８０〜１００℃で反応させ、前記化合物
が４．３モル付加したことを確認した。更に温度を４０
℃以下にして前記式（５）で表される化合物２．２０モ
ルを加えた後、窒素雰囲気下、ＳｉＨ基が確認されなく
なるまで８０〜１００℃で反応させた。その後ＮａＨＣ
Ｏ3 で中和し、濾過後に回転式蒸発装置により５０℃／
１ｍｍＨｇで溶媒と未反応原料を除去し、実施例１と同
様に前記式（８）で表されるが本発明とは異なる変性オ
ルガノポリシロキサン化合物を得た。以下、これを化合
物４とする。
【００２０】比較例３ 前記式（６）で表される化合物の使用量を４．７０モル
とした以外は比較例１と同様の方法で合成試験をおこな
ったが、式（６）で表される化合物の反応工程を１０時
間続けてもＳｉＨ基が検出され、その後は、更に１０時
間反応を続けてもＳｉＨ基の検出量に変化がなかったの
で、合成試験を中断した。
とした以外は比較例１と同様の方法で合成試験をおこな
ったが、式（６）で表される化合物の反応工程を１０時
間続けてもＳｉＨ基が検出され、その後は、更に１０時
間反応を続けてもＳｉＨ基の検出量に変化がなかったの
で、合成試験を中断した。
【００２１】実施例３ 実施例１と同様の反応装置に次式：
【化２４】 で示されるジメチルハイドロジェンポリシロキサン１．
００モル、次式：
００モル、次式：
【化２５】 で表される化合物１．６０モルおよび上記ジメチルハイ
ドロジェンポリシロキサンと同重量のトルエンおよび白
金濃度が上記ジメチルハイドロジェンポリシロキサンに
対して２０ｐｐｍとなる量の塩化白金酸の１０％メタノ
ール溶液を入れ窒素雰囲気下で撹拌した。さらに窒素雰
囲気下、８０〜１００℃で反応させた。前記化合物が
１．５モル付加したことを確認してから５０℃／１ｍｍ
Ｈｇで溶媒と未反応原料を除去した。更に温度を４０℃
以下にして、次式：
ドロジェンポリシロキサンと同重量のトルエンおよび白
金濃度が上記ジメチルハイドロジェンポリシロキサンに
対して２０ｐｐｍとなる量の塩化白金酸の１０％メタノ
ール溶液を入れ窒素雰囲気下で撹拌した。さらに窒素雰
囲気下、８０〜１００℃で反応させた。前記化合物が
１．５モル付加したことを確認してから５０℃／１ｍｍ
Ｈｇで溶媒と未反応原料を除去した。更に温度を４０℃
以下にして、次式：
【化２６】 で表される化合物１０．００モルと前回と同量のトルエ
ンを加えた後、窒素雰囲気下、８０〜１００℃で反応さ
せ、前記化合物が９．３モル付加したことを確認した。
更に温度を４０℃以下にして次式：
ンを加えた後、窒素雰囲気下、８０〜１００℃で反応さ
せ、前記化合物が９．３モル付加したことを確認した。
更に温度を４０℃以下にして次式：
【化２７】 で表される化合物１．００モルを加えた後、窒素雰囲気
下、ＳｉＨ基が確認されなくなるまで８０〜１００℃で
反応させた。その後ＮａＨＣＯ3 で中和し、濾過後に５
０℃／１ｍｍＨｇで溶媒と未反応原料を除去し、次式：
下、ＳｉＨ基が確認されなくなるまで８０〜１００℃で
反応させた。その後ＮａＨＣＯ3 で中和し、濾過後に５
０℃／１ｍｍＨｇで溶媒と未反応原料を除去し、次式：
【化２８】 で表される本発明の変性オルガノポリシロキサン化合物
を得た。以下、これを化合物６とする。尚、上記製造に
おいて、付加反応の進行は、残存ＳｉＨ基量をＫＯＨの
アルコール溶液との水素ガス発生量により測定すること
により確認した。
を得た。以下、これを化合物６とする。尚、上記製造に
おいて、付加反応の進行は、残存ＳｉＨ基量をＫＯＨの
アルコール溶液との水素ガス発生量により測定すること
により確認した。
【００２２】半導体封止用エポキシ樹脂組成物の調製 エポキシ当量２２０、軟化点８０℃のクレゾールノボラ
ックエポキシ樹脂７５重量部、エポキシ当量４００、軟
化点７０℃、臭素含有量４５重量％の臭素化ビスフェノ
ールＡ型エポキシ樹脂２５部、硬化剤として軟化点９０
℃のフェノールノボラック樹脂５０部、無機質充填剤と
して溶融シリカ粉末４２０部、硬化促進剤として２−メ
チル−４−イミダゾール１部、顔料としてカーボンブラ
ック２部、三酸化アンチモン２０部および表１に示す種
類のオルガノポリシロキサン化合物２部を加え、８０〜
９０℃の熱ロールで混練し、冷却後粉砕して実施例１〜
３および比較例１〜５の半導体封止用エポキシ樹脂組成
物を得た。
ックエポキシ樹脂７５重量部、エポキシ当量４００、軟
化点７０℃、臭素含有量４５重量％の臭素化ビスフェノ
ールＡ型エポキシ樹脂２５部、硬化剤として軟化点９０
℃のフェノールノボラック樹脂５０部、無機質充填剤と
して溶融シリカ粉末４２０部、硬化促進剤として２−メ
チル−４−イミダゾール１部、顔料としてカーボンブラ
ック２部、三酸化アンチモン２０部および表１に示す種
類のオルガノポリシロキサン化合物２部を加え、８０〜
９０℃の熱ロールで混練し、冷却後粉砕して実施例１〜
３および比較例１〜５の半導体封止用エポキシ樹脂組成
物を得た。
【００２３】半導体封止用エポキシ樹脂組成物の評価 上記実施例１〜３および比較例１の半導体封止用エポキ
シ樹脂組成物を用いて耐水性、耐熱性および金型離型性
を試験し、結果を表１に示した。表１より本発明の半導
体封止用エポキシ樹脂組成物は比較例よりも、優れた耐
水性と耐熱性を持ち、更に従来の物と同程度の離型性を
持つことが示され、半導体封止用に有用であることがわ
かった。
シ樹脂組成物を用いて耐水性、耐熱性および金型離型性
を試験し、結果を表１に示した。表１より本発明の半導
体封止用エポキシ樹脂組成物は比較例よりも、優れた耐
水性と耐熱性を持ち、更に従来の物と同程度の離型性を
持つことが示され、半導体封止用に有用であることがわ
かった。
【００２４】
【表１】 表１において、化合物５は次式を有する化合物である。
【化２９】
【００２５】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明の方
法により製造された新規な変性オルガノポリシロキサン
化合物は、それを配合することにより耐水性、ＩＣ基盤
との密着性、耐熱性、離型性、捺印性および信頼性の優
れた半導体封止用エポキシ樹脂組成物を提供することが
できるので産業上非常に有用である。また、本発明の半
導体封止用エポキシ樹脂組成物は耐水性、ＩＣ基盤との
密着性、耐熱性、トランスファーモールディング時の離
型性、捺印性が良く、信頼性が優れているので産業上非
常に有用である。
法により製造された新規な変性オルガノポリシロキサン
化合物は、それを配合することにより耐水性、ＩＣ基盤
との密着性、耐熱性、離型性、捺印性および信頼性の優
れた半導体封止用エポキシ樹脂組成物を提供することが
できるので産業上非常に有用である。また、本発明の半
導体封止用エポキシ樹脂組成物は耐水性、ＩＣ基盤との
密着性、耐熱性、トランスファーモールディング時の離
型性、捺印性が良く、信頼性が優れているので産業上非
常に有用である。
Claims (3)
- 【請求項１】 ＳｉＨ基含有オルガノポリシロキサン化
合物に触媒の存在下に下記（ａ）、（ｂ）および（ｃ）
の三種の化合物を付加させることにより次式（１）： 【化１】 ［式中、Ｒは同一または相異なり、水素原子または１価
の炭化水素基を表し、 Ｒ1 はエポキシ基含有基を表し、 Ｒ2 は次式： 【化２】 （式中、Ｒ5 は炭素原子数２以上の２価の炭化水素基を
表し、Ｒ6 は水素原子基、１価の炭化水素基またはアシ
ル基を表し、ａおよびｂは０または正数で、かつａ＋ｂ
≧１である）で表される有機置換基を表し、 Ｒ3 は次式： 【化３】 （式中、Ｒ7 は炭素原子数２以上の２価の炭化水素基を
表し、Ｒ8 はエポキシ基含有基を表し、ｃおよびｄは０
または正数で、かつａ＋ｂ≧１である）で表される有機
置換基を表し、 Ｒ4 はＲ、Ｒ1 またはＲ2 のいずれかに定義された意味
を表し、 ｌ、ｍ、ｎおよびｏはそれぞれ平均数でｌ、ｍおよびｎ
は０〜１０００でありｏは１〜１０００であり、それら
は１≦ｌ＋ｍ＋ｎ＋ｏ≦１０００を満足する値であり、
更にＲ4 がＲ2 の場合は１≧ｏ／（ｎ＋ｏ＋２）≧０．
０２を、それ以外の場合は１≧ｏ／（ｎ＋ｏ）≧０．０
２を満足する値であるが、ただし、ｍが０の場合はＲ4
はＲ1 に定義された意味を表し、ｎが０の場合はＲ4 は
Ｒ2 に定義された意味を表す］で表される変性オルガノ
ポリシロキサン化合物を製造するにあたり、（ｂ）の化
合物の付加工程の後に（ｃ）の化合物の付加工程を行う
ことを特徴とする式（１）の変性オルガノポリシロキサ
ン化合物の製造方法： （ａ）エポキシ基とアルケニル基を同時に持つ化合物、
（ｂ）次式（２）： 【化４】 （式中、Ｒ6 、ａおよびｂは前記式（１）で定義したの
と同じ意味を表し、Ｒ10はアルケニル基を含有する一価
の炭化水素基を表す）で表される化合物、（ｃ）次式
（３）： 【化５】 （式中、Ｒ8 、ａおよびｂは前記式（１）で定義したの
と同じ意味を表し、Ｒ11はアルケニル基を含有する一価
の炭化水素基を表す）で表される化合物。 - 【請求項２】 請求項１記載の方法により製造された請
求項１における式（１）で表される変性オルガノポリシ
ロキサン化合物。 - 【請求項３】 エポキシ樹脂および請求項２記載の変性
オルガノポリシロキサン化合物を主剤とする半導体封止
用エポキシ樹脂組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23068495A JP3602619B2 (ja) | 1995-08-17 | 1995-08-17 | 新規な変性オルガノポリシロキサン化合物およびそれを用いた半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23068495A JP3602619B2 (ja) | 1995-08-17 | 1995-08-17 | 新規な変性オルガノポリシロキサン化合物およびそれを用いた半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0959385A true JPH0959385A (ja) | 1997-03-04 |
| JP3602619B2 JP3602619B2 (ja) | 2004-12-15 |
Family
ID=16911697
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23068495A Expired - Fee Related JP3602619B2 (ja) | 1995-08-17 | 1995-08-17 | 新規な変性オルガノポリシロキサン化合物およびそれを用いた半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3602619B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003085023A1 (en) * | 2002-04-10 | 2003-10-16 | Sanyo Chemical Industries, Ltd. | Polyurethane resin based slush molding material |
| JP2008063583A (ja) * | 2007-10-22 | 2008-03-21 | Asahi Kasei Chemicals Corp | 変性ポリシロキサン |
-
1995
- 1995-08-17 JP JP23068495A patent/JP3602619B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003085023A1 (en) * | 2002-04-10 | 2003-10-16 | Sanyo Chemical Industries, Ltd. | Polyurethane resin based slush molding material |
| US7405257B2 (en) | 2002-04-10 | 2008-07-29 | Sanyo Chemical Industries, Ltd. | Polyurethane resin-based material for slush molding |
| JP2008063583A (ja) * | 2007-10-22 | 2008-03-21 | Asahi Kasei Chemicals Corp | 変性ポリシロキサン |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3602619B2 (ja) | 2004-12-15 |
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