JPH0971488A - セラミック基板の製造方法 - Google Patents
セラミック基板の製造方法Info
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- JPH0971488A JPH0971488A JP22555495A JP22555495A JPH0971488A JP H0971488 A JPH0971488 A JP H0971488A JP 22555495 A JP22555495 A JP 22555495A JP 22555495 A JP22555495 A JP 22555495A JP H0971488 A JPH0971488 A JP H0971488A
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 78
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims abstract description 75
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 9
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 9
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
- 238000005238 degreasing Methods 0.000 description 3
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 基板片２ごとにブレイクするためのブレイク
溝３を備えたセラミック基板１を、高温で焼成する場合
に発生する反り変形を小さくする。 【構成】 セラミック基板１の複数枚を、ブレイク溝３
を備えた表面が交互に上向きと下向きとになるように積
層状に積み重ね、この積み重ね状態で、高温で焼成す
る。
溝３を備えたセラミック基板１を、高温で焼成する場合
に発生する反り変形を小さくする。 【構成】 セラミック基板１の複数枚を、ブレイク溝３
を備えた表面が交互に上向きと下向きとになるように積
層状に積み重ね、この積み重ね状態で、高温で焼成す
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、セラミック製基板片の
表面に抵抗膜を形成して成るチップ抵抗器とか、又は、
セラミック製基板片の表面に印字用の発熱抵抗体を形成
して成るサーマルプリントヘッド、或いは、セラミック
製基板片の表面に各種の電子部品を搭載して成るハイブ
リット集積回路等において、前記セラミック製基板片の
製造に使用するセラミック基板を製造する方法に関する
ものである。
表面に抵抗膜を形成して成るチップ抵抗器とか、又は、
セラミック製基板片の表面に印字用の発熱抵抗体を形成
して成るサーマルプリントヘッド、或いは、セラミック
製基板片の表面に各種の電子部品を搭載して成るハイブ
リット集積回路等において、前記セラミック製基板片の
製造に使用するセラミック基板を製造する方法に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、チップ抵抗器等におけるセラミッ
ク製基板片の製造に際して使用するセラミック基板は、
以下に述べるような方法で製造している。すなわち、先
づ、図５に示すように、セラミック基板１の表面に、未
だ柔らかいグリーンシートの状態で、当該セラミック基
板１を多数個の基板片２ごとにブレイクするためのブレ
イク溝３を刻設し、次いで、生産性の向上を図ることの
ために、セラミック基板１の複数枚を、ブレイク溝３付
き表面を上向きの方向に揃えるか、或いは下向きの方向
に揃えた状態で、図６に示すように、積層状に積み重
ね、この状態で加熱焼成炉に入れ、例えば約１００〜５
００℃の温度に加熱して脱脂処理したのち、例えば、約
１５００〜１５５０℃と言う高い温度で焼成することに
よって製造している。
ク製基板片の製造に際して使用するセラミック基板は、
以下に述べるような方法で製造している。すなわち、先
づ、図５に示すように、セラミック基板１の表面に、未
だ柔らかいグリーンシートの状態で、当該セラミック基
板１を多数個の基板片２ごとにブレイクするためのブレ
イク溝３を刻設し、次いで、生産性の向上を図ることの
ために、セラミック基板１の複数枚を、ブレイク溝３付
き表面を上向きの方向に揃えるか、或いは下向きの方向
に揃えた状態で、図６に示すように、積層状に積み重
ね、この状態で加熱焼成炉に入れ、例えば約１００〜５
００℃の温度に加熱して脱脂処理したのち、例えば、約
１５００〜１５５０℃と言う高い温度で焼成することに
よって製造している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、グリーンシ
ートの状態でブレイク溝３を刻設した後のセラミック基
板１を高い温度で焼成するに際して、当該セラミック基
板における両表面のうちブレイク溝３を刻設した側の表
面が、ブレイク溝３を刻設していない反対側の表面より
も大きく収縮する傾向を呈すると言うように、両表面の
間に収縮差ができる。
ートの状態でブレイク溝３を刻設した後のセラミック基
板１を高い温度で焼成するに際して、当該セラミック基
板における両表面のうちブレイク溝３を刻設した側の表
面が、ブレイク溝３を刻設していない反対側の表面より
も大きく収縮する傾向を呈すると言うように、両表面の
間に収縮差ができる。
【０００４】従って、グリーンシートの状態でブレイク
溝３を刻設した後のセラミック基板１の複数枚を、前記
したように、ブレイク溝３付き表面を上向き又は下向き
の同じ方向に揃えて積層状に積み重ね、この積み重ね状
態で焼成すると言う方法では、各セラミック基板１は、
その焼成に際しての両表面の間における収縮差のため
に、図６に二点鎖線で示すように、一斉に、ブレイク溝
３を備えた表面を内側とする方向に湾曲状に反り変形す
ることになる。
溝３を刻設した後のセラミック基板１の複数枚を、前記
したように、ブレイク溝３付き表面を上向き又は下向き
の同じ方向に揃えて積層状に積み重ね、この積み重ね状
態で焼成すると言う方法では、各セラミック基板１は、
その焼成に際しての両表面の間における収縮差のため
に、図６に二点鎖線で示すように、一斉に、ブレイク溝
３を備えた表面を内側とする方向に湾曲状に反り変形す
ることになる。
【０００５】そこで、従来は、高温での焼成を完了した
セラミック基板を、その上にウエイトを載せることで反
りを平面状に延ばした状態で、前記焼成温度よりも少し
低い温度（約１３００℃程度）に加熱することによっ
て、前記の反り変形を矯正することを、全てのセラミッ
ク基板について行うようにしているが、前記した従来の
方法では、各セラミック基板における反りが同じ方向で
あることにより、その反り変形が大きいために、前記し
た反り変形の矯正に長い加熱時間を必要とすることに加
えて、各セラミック基板の反りを平面状に延ばすときに
おいて、セラミック基板がその表面におけるブレイク溝
に沿って割れる頻度が高く、従って、不良品の発生率が
高いから、製造コストが可成りアップすると言う問題が
あった。
セラミック基板を、その上にウエイトを載せることで反
りを平面状に延ばした状態で、前記焼成温度よりも少し
低い温度（約１３００℃程度）に加熱することによっ
て、前記の反り変形を矯正することを、全てのセラミッ
ク基板について行うようにしているが、前記した従来の
方法では、各セラミック基板における反りが同じ方向で
あることにより、その反り変形が大きいために、前記し
た反り変形の矯正に長い加熱時間を必要とすることに加
えて、各セラミック基板の反りを平面状に延ばすときに
おいて、セラミック基板がその表面におけるブレイク溝
に沿って割れる頻度が高く、従って、不良品の発生率が
高いから、製造コストが可成りアップすると言う問題が
あった。
【０００６】また、セラミック基板に対するブレイク溝
を、当該セラミック基板の表裏両面に刻設する場合に
は、一方の表面におけるブレイク溝を深く、他方の表面
におけるブレイク溝を浅くするように構成することが一
般的であり、この場合においても、従来は、セラミック
基板の複数枚を、その深いブレイク溝を有する表面が上
向き又は下向きになるように揃えて積層状に積み重ね、
この積み重ね状態で高温焼成するようにしているが、高
温焼成に際しては、セラミック基板の表面のうち深いブ
レイク溝を備えた表面が、浅いブレイク溝を備えた表面
によりも大きく収縮することにより、各セラミック基板
が、深いブレイク溝を備えた表面の方に大きく反り変形
するから、同様の問題が存在するのであった。
を、当該セラミック基板の表裏両面に刻設する場合に
は、一方の表面におけるブレイク溝を深く、他方の表面
におけるブレイク溝を浅くするように構成することが一
般的であり、この場合においても、従来は、セラミック
基板の複数枚を、その深いブレイク溝を有する表面が上
向き又は下向きになるように揃えて積層状に積み重ね、
この積み重ね状態で高温焼成するようにしているが、高
温焼成に際しては、セラミック基板の表面のうち深いブ
レイク溝を備えた表面が、浅いブレイク溝を備えた表面
によりも大きく収縮することにより、各セラミック基板
が、深いブレイク溝を備えた表面の方に大きく反り変形
するから、同様の問題が存在するのであった。
【０００７】本発明は、前記高温での焼成に際して発生
する反り変形を小さくできるようにしたセラミック基板
の製造方法を提供することを技術的課題とするものであ
る。
する反り変形を小さくできるようにしたセラミック基板
の製造方法を提供することを技術的課題とするものであ
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この技術的課題を達成す
るため本発明の「請求項１」は、「グリーンシートの状
態で一方の表面にブレイク溝を刻設したセラミック基板
の複数枚を、ブレイク溝を備えた表面が交互に上向きと
下向きとになるように積層状に積み重ね、この積み重ね
状態で、高温で焼成することを特徴とする。」ものであ
る。
るため本発明の「請求項１」は、「グリーンシートの状
態で一方の表面にブレイク溝を刻設したセラミック基板
の複数枚を、ブレイク溝を備えた表面が交互に上向きと
下向きとになるように積層状に積み重ね、この積み重ね
状態で、高温で焼成することを特徴とする。」ものであ
る。
【０００９】また、本発明の「請求項２」は、「グリー
ンシートの状態で一方の表面に深いブレイク溝を他方の
表面に浅いブレイク溝を各々刻設したセラミック基板の
複数枚を、深いブレイク溝を備えた表面が交互に上向き
と下向きとになるように積層状に積み重ね、この積み重
ね状態で、高温で焼成することを特徴とする。」もので
ある。
ンシートの状態で一方の表面に深いブレイク溝を他方の
表面に浅いブレイク溝を各々刻設したセラミック基板の
複数枚を、深いブレイク溝を備えた表面が交互に上向き
と下向きとになるように積層状に積み重ね、この積み重
ね状態で、高温で焼成することを特徴とする。」もので
ある。
【００１０】
【作 用】前記「請求項１」のように、一方の表面に
ブレイク溝を刻設したセラミック基板の複数枚を、ブレ
イク溝を備えた表面が交互に上向きと下向きとになるよ
うに積層状に積み重ね、この積み重ね状態で、高温で焼
成することにより、高温での焼成に際して、各セラミッ
ク基板の各々に発生する反り変形は、相隣接するセラミ
ック基板の相互間について逆向きになって、互いにその
反り変形を抑制するように働くことになるから、各セラ
ミック基板における反り変形を、従来のように各セラミ
ック基板の複数枚をそのブレイク溝が上向き又は下向き
に揃えて積み重ねた場合よりも小さくすることができる
のである。
ブレイク溝を刻設したセラミック基板の複数枚を、ブレ
イク溝を備えた表面が交互に上向きと下向きとになるよ
うに積層状に積み重ね、この積み重ね状態で、高温で焼
成することにより、高温での焼成に際して、各セラミッ
ク基板の各々に発生する反り変形は、相隣接するセラミ
ック基板の相互間について逆向きになって、互いにその
反り変形を抑制するように働くことになるから、各セラ
ミック基板における反り変形を、従来のように各セラミ
ック基板の複数枚をそのブレイク溝が上向き又は下向き
に揃えて積み重ねた場合よりも小さくすることができる
のである。
【００１１】また、セラミック基板における一方の表面
に深くブレイク溝を、他方の表面に浅いブレイク溝を刻
設する場合にも、「請求項２」のように、深いブレイク
溝を備えた表面が交互に上向きと下向きとになるように
積層状に積み重ね、この積み重ね状態で、高温で焼成す
ることにより、高温での焼成に際して、各セラミック基
板の各々に発生する反り変形は、相隣接するセラミック
基板の相互間について逆向きになって、互いにその反り
変形を抑制するように働くことになるから、各セラミッ
ク基板における反り変形を、従来のように各セラミック
基板の複数枚を、その深いブレイク溝が上向き又は下向
きに揃えて積み重ねた場合によりも小さくすることがで
きるのである。
に深くブレイク溝を、他方の表面に浅いブレイク溝を刻
設する場合にも、「請求項２」のように、深いブレイク
溝を備えた表面が交互に上向きと下向きとになるように
積層状に積み重ね、この積み重ね状態で、高温で焼成す
ることにより、高温での焼成に際して、各セラミック基
板の各々に発生する反り変形は、相隣接するセラミック
基板の相互間について逆向きになって、互いにその反り
変形を抑制するように働くことになるから、各セラミッ
ク基板における反り変形を、従来のように各セラミック
基板の複数枚を、その深いブレイク溝が上向き又は下向
きに揃えて積み重ねた場合によりも小さくすることがで
きるのである。
【００１２】
【発明の効果】従って、本発明によると、ブレイク溝付
きセラミック基板を高温焼成するに場合に発生する反り
変形を小さくすることができることにより、この焼成後
における反り変形の矯正に要する加熱時間を短くできる
ことに加えて、反り変形に矯正に際して発生する割れが
少なく、ひいては、不良品の発生率を少なくできるか
ら、セラミック基板の製造コストを大幅に低減できる効
果を有する。
きセラミック基板を高温焼成するに場合に発生する反り
変形を小さくすることができることにより、この焼成後
における反り変形の矯正に要する加熱時間を短くできる
ことに加えて、反り変形に矯正に際して発生する割れが
少なく、ひいては、不良品の発生率を少なくできるか
ら、セラミック基板の製造コストを大幅に低減できる効
果を有する。
【００１３】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面ついて説明す
る。図１〜図３は、第１の実施例を示すもので、この第
１の実施例は、セラミック基板における一方の表面にの
みブレイク溝を刻設した場合である。すなわち、グリー
ンシートの状態で一方の表面にのみブレイク溝３を刻設
したセラミック基板１の複数枚を、積層状に積み重ねる
に際して、この各セラミック基板１のうち下から数えて
奇数番目のセラミック基板１を、そのブレイク溝３を備
えた表面が上向きになるようにする一方、偶数番目のセ
ラミック基板１を、そのブレイク溝３を備えた表面が下
向きになるように裏返して積み重ねると言うように、セ
ラミック基板１の複数枚を、ブレイク溝３を備えた表面
が交互に上向きと下向きとになるように積層状に積み重
ね、この積み重ね状態で、約１００〜５００℃の温度に
加熱する言う脱脂処理を行ったのち、約１５００〜１５
５０℃と言う高い温度で焼成するのである。
る。図１〜図３は、第１の実施例を示すもので、この第
１の実施例は、セラミック基板における一方の表面にの
みブレイク溝を刻設した場合である。すなわち、グリー
ンシートの状態で一方の表面にのみブレイク溝３を刻設
したセラミック基板１の複数枚を、積層状に積み重ねる
に際して、この各セラミック基板１のうち下から数えて
奇数番目のセラミック基板１を、そのブレイク溝３を備
えた表面が上向きになるようにする一方、偶数番目のセ
ラミック基板１を、そのブレイク溝３を備えた表面が下
向きになるように裏返して積み重ねると言うように、セ
ラミック基板１の複数枚を、ブレイク溝３を備えた表面
が交互に上向きと下向きとになるように積層状に積み重
ね、この積み重ね状態で、約１００〜５００℃の温度に
加熱する言う脱脂処理を行ったのち、約１５００〜１５
５０℃と言う高い温度で焼成するのである。
【００１４】すると、この高温での焼成に際して、各セ
ラミック基板１の各々に発生する反り変形は、相隣接す
るセラミック基板１の相互間について逆向きになって、
互いにその反り変形を抑制するように働くことになるか
ら、各セラミック基板１における反り変形を、従来のよ
うに各セラミック基板の複数枚をそのブレイク溝が上向
き又は下向きに揃えて積み重ねた場合よりも小さくする
ことができるのである。
ラミック基板１の各々に発生する反り変形は、相隣接す
るセラミック基板１の相互間について逆向きになって、
互いにその反り変形を抑制するように働くことになるか
ら、各セラミック基板１における反り変形を、従来のよ
うに各セラミック基板の複数枚をそのブレイク溝が上向
き又は下向きに揃えて積み重ねた場合よりも小さくする
ことができるのである。
【００１５】このように、各セラミック基板１に発生す
る反り変形を小さいから、高温での焼成を完了したセラ
ミック基板を、その上にウエイトを載せることで反りを
平面状に延ばした状態で、前記焼成温度よりも少し低い
温度（約１３００℃程度）に加熱することによって、前
記の反り変形を矯正するに際して、その加熱時間を可成
り短くすることができると共に、反りを平面状に延ばし
たときにブレイク溝３に沿って割れることを確実に低減
できるのである。
る反り変形を小さいから、高温での焼成を完了したセラ
ミック基板を、その上にウエイトを載せることで反りを
平面状に延ばした状態で、前記焼成温度よりも少し低い
温度（約１３００℃程度）に加熱することによって、前
記の反り変形を矯正するに際して、その加熱時間を可成
り短くすることができると共に、反りを平面状に延ばし
たときにブレイク溝３に沿って割れることを確実に低減
できるのである。
【００１６】また、図４に示す第２の実施例は、グリー
ンシートの状態で一方の表面に深いブレイク溝３′を他
方の表面に浅いブレイク溝３″を各々刻設したセラミッ
ク基板１′の場合である。すなわち、前記セラミック基
板３′の複数枚を、積層状に積み重ねるに際して、この
各セラミック基板１′のうち下から数えて奇数番目のセ
ラミック基板１′を、深いブレイク溝３′を備えた表面
が上向きに浅いブレイク溝３″を備えた表面が下向きに
なるようにする一方、偶数番目のセラミック基板１′
を、深いブレイク溝３′を備えた表面が下向きに浅いブ
レイク溝３″を備えた表面が上向きになるように裏返し
て積み重ねると言うように、セラミック基板１′の複数
枚を、深いブレイク溝３′を備えた表面が交互に上向き
と下向きとになるように積層状に積み重ね、この積み重
ね状態で、約１００〜５００℃の温度に加熱する言う脱
脂処理を行ったのち、約１５００〜１５５０℃と言う高
い温度で焼成するのである。
ンシートの状態で一方の表面に深いブレイク溝３′を他
方の表面に浅いブレイク溝３″を各々刻設したセラミッ
ク基板１′の場合である。すなわち、前記セラミック基
板３′の複数枚を、積層状に積み重ねるに際して、この
各セラミック基板１′のうち下から数えて奇数番目のセ
ラミック基板１′を、深いブレイク溝３′を備えた表面
が上向きに浅いブレイク溝３″を備えた表面が下向きに
なるようにする一方、偶数番目のセラミック基板１′
を、深いブレイク溝３′を備えた表面が下向きに浅いブ
レイク溝３″を備えた表面が上向きになるように裏返し
て積み重ねると言うように、セラミック基板１′の複数
枚を、深いブレイク溝３′を備えた表面が交互に上向き
と下向きとになるように積層状に積み重ね、この積み重
ね状態で、約１００〜５００℃の温度に加熱する言う脱
脂処理を行ったのち、約１５００〜１５５０℃と言う高
い温度で焼成するのである。
【００１７】この場合においても、高温での焼成に際し
て、各セラミック基板１′の各々に発生する反り変形
は、相隣接するセラミック基板１′の相互間について逆
向きになって、互いにその反り変形を抑制するように働
くことになるから、各セラミック基板′における反り変
形を、従来のように各セラミック基板の複数枚を、その
深いブレイク溝が上向き又は下向きに揃えて積み重ねた
場合によりも小さくすることができるのである。
て、各セラミック基板１′の各々に発生する反り変形
は、相隣接するセラミック基板１′の相互間について逆
向きになって、互いにその反り変形を抑制するように働
くことになるから、各セラミック基板′における反り変
形を、従来のように各セラミック基板の複数枚を、その
深いブレイク溝が上向き又は下向きに揃えて積み重ねた
場合によりも小さくすることができるのである。
【図１】本発明における第１の実施例の方法によるセラ
ミック基板の斜視図である。
ミック基板の斜視図である。
【図２】図１の縦断正面図である。
【図３】本発明における第１の実施例の方法による積み
重ねた状態を示す縦断正面図である。
重ねた状態を示す縦断正面図である。
【図４】本発明における第２の実施例の方法を示す縦断
正面図である。
正面図である。
【図５】従来の方法によるセラミック基板の斜視図であ
る。
る。
【図６】従来の方法による積み重ねた状態を示す縦断正
面図である。
面図である。
１，１′ セラミック基板 ２ 基板片 ３ ブレイク溝 ３′ 深いブレイク溝 ３″ 浅いブレイク溝
Claims (2)
- 【請求項１】グリーンシートの状態で一方の表面にブレ
イク溝を刻設したセラミック基板の複数枚を、ブレイク
溝を備えた表面が交互に上向きと下向きとになるように
積層状に積み重ね、この積み重ね状態で、高温で焼成す
ることを特徴とするセラミック基板の製造方法。 - 【請求項２】グリーンシートの状態で一方の表面に深い
ブレイク溝を他方の表面に浅いブレイク溝を各々刻設し
たセラミック基板の複数枚を、深いブレイク溝を備えた
表面が交互に上向きと下向きとになるように積層状に積
み重ね、この積み重ね状態で、高温で焼成することを特
徴とするセラミック基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22555495A JPH0971488A (ja) | 1995-09-01 | 1995-09-01 | セラミック基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22555495A JPH0971488A (ja) | 1995-09-01 | 1995-09-01 | セラミック基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0971488A true JPH0971488A (ja) | 1997-03-18 |
Family
ID=16831119
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22555495A Pending JPH0971488A (ja) | 1995-09-01 | 1995-09-01 | セラミック基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0971488A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20120085481A1 (en) * | 2010-10-08 | 2012-04-12 | Tomoaki Abe | Method for manufacturing ceramic multi-layered interconnection substrate |
| JP2013243221A (ja) * | 2012-05-18 | 2013-12-05 | Seiko Epson Corp | 電子部品の製造方法および電子機器 |
-
1995
- 1995-09-01 JP JP22555495A patent/JPH0971488A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20120085481A1 (en) * | 2010-10-08 | 2012-04-12 | Tomoaki Abe | Method for manufacturing ceramic multi-layered interconnection substrate |
| JP2012084642A (ja) * | 2010-10-08 | 2012-04-26 | Stanley Electric Co Ltd | セラミック多層配線基板の製造方法 |
| US8440035B2 (en) * | 2010-10-08 | 2013-05-14 | Stanley Electric Co., Ltd. | Method for manufacturing ceramic multi-layered interconnection substrate |
| JP2013243221A (ja) * | 2012-05-18 | 2013-12-05 | Seiko Epson Corp | 電子部品の製造方法および電子機器 |
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