JPH098065A - 封管熱処理方法 - Google Patents
封管熱処理方法Info
- Publication number
- JPH098065A JPH098065A JP7171574A JP17157495A JPH098065A JP H098065 A JPH098065 A JP H098065A JP 7171574 A JP7171574 A JP 7171574A JP 17157495 A JP17157495 A JP 17157495A JP H098065 A JPH098065 A JP H098065A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- quartz tube
- wafer
- tube
- heat treatment
- thermal treatment
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 14
- 238000007669 thermal treatment Methods 0.000 title abstract 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims abstract description 56
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 56
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 24
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims abstract description 11
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 229910000661 Mercury cadmium telluride Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 2
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 208000032544 Cicatrix Diseases 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 231100000241 scar Toxicity 0.000 description 1
- 230000037387 scars Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 石英管内にウェハを挿入して行う熱処理方法
において、石英管破砕時にウェハに異物が付着したり損
傷を与えたりすることのないようにする 【構成】 素子ウェハ２を内側石英管３に挿入し、石英
管３の開口部面積をできるだけ小さくなるように整形す
る。次に、外側石英管１に素子ウェハの入った内側石英
管３を挿入する。外側石英管１を真空排気して融接密閉
した後、電気炉に装着し熱処理を実施する。熱処理終了
後、石英管１を破砕する。この破砕の際に、内側石英管
３の開口部とは反対側の切断個所４に傷を入れ、管を破
砕する。このとき、石英管１内に大気が吸入されるが、
内側石英管３が大気の流入を緩衝するため、素子ウェハ
２表面への付着物は激減する。また、付着物による損傷
も軽くなる。
において、石英管破砕時にウェハに異物が付着したり損
傷を与えたりすることのないようにする 【構成】 素子ウェハ２を内側石英管３に挿入し、石英
管３の開口部面積をできるだけ小さくなるように整形す
る。次に、外側石英管１に素子ウェハの入った内側石英
管３を挿入する。外側石英管１を真空排気して融接密閉
した後、電気炉に装着し熱処理を実施する。熱処理終了
後、石英管１を破砕する。この破砕の際に、内側石英管
３の開口部とは反対側の切断個所４に傷を入れ、管を破
砕する。このとき、石英管１内に大気が吸入されるが、
内側石英管３が大気の流入を緩衝するため、素子ウェハ
２表面への付着物は激減する。また、付着物による損傷
も軽くなる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、封管熱処理方法に関
し、特に、ＨｇＣｄＴｅもしくはボロメータ薄膜材料等
の赤外線検出素子用材料等に対して施される電気特性制
御用や電気特性改善用の封管熱処理方法に関するもので
ある。
し、特に、ＨｇＣｄＴｅもしくはボロメータ薄膜材料等
の赤外線検出素子用材料等に対して施される電気特性制
御用や電気特性改善用の封管熱処理方法に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】化合物半導体を用いた赤外線検出器等の
製造工程においては、電気的特性の制御のためにあるい
は特性の安定化のためにウェハの熱処理が必要となる。
従来の熱処理方法について、図２を参照して説明する。
まず、図２に示すように、赤外線検出器等のための素子
用ウェハ２を、外側熱処理用石英管１内に挿入する。そ
の際に、ＨｇＣｄＴｅの場合は適量の水銀を素子ウェハ
と同時に石英管の中に挿入し、ボロメータ薄膜材料の場
合には素子ウェハのみを挿入する。
製造工程においては、電気的特性の制御のためにあるい
は特性の安定化のためにウェハの熱処理が必要となる。
従来の熱処理方法について、図２を参照して説明する。
まず、図２に示すように、赤外線検出器等のための素子
用ウェハ２を、外側熱処理用石英管１内に挿入する。そ
の際に、ＨｇＣｄＴｅの場合は適量の水銀を素子ウェハ
と同時に石英管の中に挿入し、ボロメータ薄膜材料の場
合には素子ウェハのみを挿入する。
【０００３】石英管１を高真空に排気した後、該管を融
接密閉する。しかる後、石英管を電気炉内に装着し、所
定の熱処理を施す。冷却後、切断個所４にて熱処理用石
英管１を破砕して、素子用ウェハ２を取り出す。その
後、素子用ウェハ２に所定の加工を施して赤外線検出器
を作製する。
接密閉する。しかる後、石英管を電気炉内に装着し、所
定の熱処理を施す。冷却後、切断個所４にて熱処理用石
英管１を破砕して、素子用ウェハ２を取り出す。その
後、素子用ウェハ２に所定の加工を施して赤外線検出器
を作製する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】石英管から素子ウェハ
を取り出す工程において、管を破砕する際、内部が１０
-3Ｔｏｒｒ以下の真空であるため、管内に大気が一気に
吸入され、検出素子として使用されるウェハ表面にＨｇ
ＣｄＴｅの場合は水銀粒子、水滴、ガラス破片が、ボロ
メータ薄膜材料の場合には水滴、ガラス破片が付着す
る。これらの付着物はその後の洗浄によって除去される
ものもあるが、素子上に残留するものがあり、また、除
去された場合にも付着痕が残り電気特性の劣化や信頼性
の低下を招いていた。したがって、本発明の目的とする
ところは、熱処理用石英管の破砕時にウェハ上に異物が
飛来して付着したり、損傷を与えたりすることのないよ
うにすることである。
を取り出す工程において、管を破砕する際、内部が１０
-3Ｔｏｒｒ以下の真空であるため、管内に大気が一気に
吸入され、検出素子として使用されるウェハ表面にＨｇ
ＣｄＴｅの場合は水銀粒子、水滴、ガラス破片が、ボロ
メータ薄膜材料の場合には水滴、ガラス破片が付着す
る。これらの付着物はその後の洗浄によって除去される
ものもあるが、素子上に残留するものがあり、また、除
去された場合にも付着痕が残り電気特性の劣化や信頼性
の低下を招いていた。したがって、本発明の目的とする
ところは、熱処理用石英管の破砕時にウェハ上に異物が
飛来して付着したり、損傷を与えたりすることのないよ
うにすることである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めの本発明による封管熱処理方法は、（１）開口を有す
る内側石英管内に被処理体を配置する過程と、（２）被
処理体を内部に有する内側石英管を外側石英管内に配置
する過程と、（３）高真空に排気した後、外側石英管を
融接密閉する過程と、（４）所定の熱処理を加える過程
と、（５）切断個所において外側石英管を破砕して被処
理体を取り出す過程と、を有するものであって、前記第
（５）の過程における外側石英管の切断は、前記内側石
英管の開口の開口方向とは反対側の端部において行われ
ることを特徴としている。
めの本発明による封管熱処理方法は、（１）開口を有す
る内側石英管内に被処理体を配置する過程と、（２）被
処理体を内部に有する内側石英管を外側石英管内に配置
する過程と、（３）高真空に排気した後、外側石英管を
融接密閉する過程と、（４）所定の熱処理を加える過程
と、（５）切断個所において外側石英管を破砕して被処
理体を取り出す過程と、を有するものであって、前記第
（５）の過程における外側石英管の切断は、前記内側石
英管の開口の開口方向とは反対側の端部において行われ
ることを特徴としている。
【０００６】
【作用】外側石英管の破砕時には、その切断個所から大
気の吸入が始まるため、切断個所に面している部分が飛
来物の直撃を受ける。而して、本発明の熱処理方法にお
いては、開口を有する内側石英管を新たに設けこの中に
被処理ウェハを配置している。そして、内側石英管は、
その開口が外側石英管の切断個所と反対側を向くように
配置されているため、その中に配置されているウェハは
飛来物の直撃を受ける機会が少なくなる。また、外側石
英管の破砕時に内側石英管が緩衝の役目を果たすため、
飛来物が衝突してもその衝撃力は弱くなる。したがっ
て、付着物が生じてもその付着力は弱く容易に除去され
るようになり、また、付着物のよる付着痕も浅くなる。
気の吸入が始まるため、切断個所に面している部分が飛
来物の直撃を受ける。而して、本発明の熱処理方法にお
いては、開口を有する内側石英管を新たに設けこの中に
被処理ウェハを配置している。そして、内側石英管は、
その開口が外側石英管の切断個所と反対側を向くように
配置されているため、その中に配置されているウェハは
飛来物の直撃を受ける機会が少なくなる。また、外側石
英管の破砕時に内側石英管が緩衝の役目を果たすため、
飛来物が衝突してもその衝撃力は弱くなる。したがっ
て、付着物が生じてもその付着力は弱く容易に除去され
るようになり、また、付着物のよる付着痕も浅くなる。
【０００７】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。図１は、本発明の一実施例を説明するため
の石英管の斜視図である。まず、熱処理を施すべき素子
ウェハ２を内側石英管３に挿入し、石英管３の開口部面
積をできるだけ小さくなるように、バーナーで整形す
る。次に、外側石英管１に素子ウェハの入った内側石英
管３を挿入する。このとき、熱処理時に必要となる材料
も同時に装填する。例えば、赤外線検出器用のＨｇＣｄ
Ｔｅウェハの場合には、外側石英管１内に同時に水銀を
挿入する。外側石英管１を真空排気して融接密閉した
後、電気炉に装着し所定のプログラムにしたがって熱処
理を実施する。
て説明する。図１は、本発明の一実施例を説明するため
の石英管の斜視図である。まず、熱処理を施すべき素子
ウェハ２を内側石英管３に挿入し、石英管３の開口部面
積をできるだけ小さくなるように、バーナーで整形す
る。次に、外側石英管１に素子ウェハの入った内側石英
管３を挿入する。このとき、熱処理時に必要となる材料
も同時に装填する。例えば、赤外線検出器用のＨｇＣｄ
Ｔｅウェハの場合には、外側石英管１内に同時に水銀を
挿入する。外側石英管１を真空排気して融接密閉した
後、電気炉に装着し所定のプログラムにしたがって熱処
理を実施する。
【０００８】熱処理終了後、自然冷却を待って外側熱処
理用石英管１を破砕する。この破砕の際に、内側石英管
３の開口部とは反対側の切断個所４に傷を入れ、管を破
砕する。このとき、石英管１内に大気が吸入されるが、
内側石英管３が大気の流入を緩衝するため、素子ウェハ
２表面への付着物は激減する。また、付着物による損傷
も軽くなる。実際、本発明により、付着物および傷痕を
従来の場合の１／１０程度に低減することができた。
理用石英管１を破砕する。この破砕の際に、内側石英管
３の開口部とは反対側の切断個所４に傷を入れ、管を破
砕する。このとき、石英管１内に大気が吸入されるが、
内側石英管３が大気の流入を緩衝するため、素子ウェハ
２表面への付着物は激減する。また、付着物による損傷
も軽くなる。実際、本発明により、付着物および傷痕を
従来の場合の１／１０程度に低減することができた。
【０００９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の熱処理方
法は、開口を有する内側石英管内に被処理ウェハを挿入
して熱処理を行い、熱処理後外側石英管を、内側石英管
の開口のある側とは反対側の切断個所において、切断・
破砕するものであるので、破砕時における被処理ウェハ
上への異物の付着や損傷を抑制することができる。した
がって、本発明によれば、このウェハを用いて作製する
デバイスの電気的特性および信頼性を向上させることが
できる。たとえば、赤外線検出素子用ウェハの熱処理を
行う場合には、画素欠陥を低減して高品質のカメラを提
供することができる。
法は、開口を有する内側石英管内に被処理ウェハを挿入
して熱処理を行い、熱処理後外側石英管を、内側石英管
の開口のある側とは反対側の切断個所において、切断・
破砕するものであるので、破砕時における被処理ウェハ
上への異物の付着や損傷を抑制することができる。した
がって、本発明によれば、このウェハを用いて作製する
デバイスの電気的特性および信頼性を向上させることが
できる。たとえば、赤外線検出素子用ウェハの熱処理を
行う場合には、画素欠陥を低減して高品質のカメラを提
供することができる。
【図１】本発明の一実施例を説明するための熱処理用石
英管の斜視図。
英管の斜視図。
【図２】従来の熱処理用石英管の斜視図。
１ 外側熱処理用石英管 ２ 素子ウェハ ３ 内側石英管 ４ 切断個所
Claims (2)
- 【請求項１】 （１）開口を有する内側石英管内に被処
理体を配置する過程と、 （２）被処理体を内部に有する内側石英管を外側石英管
内に配置する過程と、 （３）高真空に排気した後、外側石英管を融接密閉する
過程と、 （４）所定の熱処理を加える過程と、 （５）切断個所において外側石英管を破砕して被処理体
を取り出す過程と、を有する封管熱処理方法において、 前記第（５）の過程における外側石英管の切断は、前記
内側石英管の開口の開口方向とは反対側の端部において
行われることを特徴とする封管熱処理方法。 - 【請求項２】 前記第（１）の過程の終了後、前記第
（２）の過程に先立って、前記内側石英管の開口を狭め
る過程が挿入されることを特徴とする請求項１記載の封
管熱処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7171574A JP2658991B2 (ja) | 1995-06-15 | 1995-06-15 | 封管熱処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7171574A JP2658991B2 (ja) | 1995-06-15 | 1995-06-15 | 封管熱処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH098065A true JPH098065A (ja) | 1997-01-10 |
| JP2658991B2 JP2658991B2 (ja) | 1997-09-30 |
Family
ID=15925678
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7171574A Expired - Lifetime JP2658991B2 (ja) | 1995-06-15 | 1995-06-15 | 封管熱処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2658991B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110648947A (zh) * | 2019-08-29 | 2020-01-03 | 中国电子科技集团公司第十一研究所 | 闭管热处理的石英管开管方法及激光开管机 |
| CN112014028A (zh) * | 2020-08-27 | 2020-12-01 | 北京智创芯源科技有限公司 | 一种石英管组件及其真空检验方法 |
-
1995
- 1995-06-15 JP JP7171574A patent/JP2658991B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110648947A (zh) * | 2019-08-29 | 2020-01-03 | 中国电子科技集团公司第十一研究所 | 闭管热处理的石英管开管方法及激光开管机 |
| CN112014028A (zh) * | 2020-08-27 | 2020-12-01 | 北京智创芯源科技有限公司 | 一种石英管组件及其真空检验方法 |
| CN112014028B (zh) * | 2020-08-27 | 2021-04-13 | 北京智创芯源科技有限公司 | 一种石英管组件及其真空检验方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2658991B2 (ja) | 1997-09-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR20130118230A (ko) | 피가공재 상의 응축을 방지하기 위한 능동형 이슬점 감지 및 로드록 배기 | |
| US5543336A (en) | Removing damage caused by plasma etching and high energy implantation using hydrogen | |
| JP2658991B2 (ja) | 封管熱処理方法 | |
| JPH0472735A (ja) | 半導体ウエーハのゲッタリング方法 | |
| JPH07123026B2 (ja) | 映像管の製造法 | |
| CN110648947B (zh) | 闭管热处理的石英管开管方法及激光开管机 | |
| JPH05326471A (ja) | 半導体製造装置のクリーニング方法 | |
| HU213132B (en) | Method for reprocessing video tubes | |
| JP3784727B2 (ja) | 半導体製造装置のパーティクル除去装置 | |
| JP2000150396A (ja) | 熱放射リフレクター | |
| JPH0713961B2 (ja) | 半導体装置における配線形成方法およびその装置 | |
| JPS63100746A (ja) | Ｉｃ素子における配線接続方法及びその装置 | |
| JP3446352B2 (ja) | 真空予備室の真空排気方法 | |
| JPH10326565A (ja) | 陰極線管の表面処理装置 | |
| JPS6348728A (ja) | 環形けい光ランプの製造方法 | |
| JPS5919325A (ja) | エツチング方法 | |
| JPH09301800A (ja) | レーザーアニール処理装置 | |
| JPH03222327A (ja) | 表面処理方法 | |
| JPH06139935A (ja) | 表示管の製造装置 | |
| JPS6387728A (ja) | ダイボンデイング装置 | |
| JPS61189622A (ja) | 分子線エピタキシ装置 | |
| JP2605268B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0432131A (ja) | 陰極線管の排気方法 | |
| JPH11167869A (ja) | 電子管の製造方法及び装置 | |
| JPH02274868A (ja) | 半導体製造装置 |