JPH0982212A

JPH0982212A - 酸化物陰極を備えた電子管

Info

Publication number: JPH0982212A
Application number: JP23873095A
Authority: JP
Inventors: Tadanori Taguchi; 貞憲田口; Yukio Suzuki; 行男鈴木
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1995-09-18
Filing date: 1995-09-18
Publication date: 1997-03-28

Abstract

(57)【要約】【目的】高い電流密度で、長期間にわたって安定した
電子放射特性が得られる電子放射物質層１５を有し、し
かも、電子管毎に電子放射物質層１５の電子放射特性に
バラツキのない酸化物陰極を備えた電子管を提供する。【構成】バリウム（Ｂａ）を含んだアルカリ土類金属
酸化物からなる電子放射物質層１５を陰極金属基体１４
の表面に被着させた構成の酸化物陰極を備えた電子管に
おいて、電子放射物質層１５は、電子放射表面側に、少
なくともインジウム（Ｉｎ）の酸化物もしくはガリウム
（Ｇａ）の酸化物を含んだ金属酸化物薄膜層１７を有し
ている。金属酸化物薄膜層１７を設けたことにより、中
間生成物質の生成を抑制しながら、電子放射物質層１５
内のバリウム（Ｂａ）濃度が高められ、高い電流密度
で、長期間にわたって安定し、バラツキのない電子放射
特性を有する酸化物陰極を備えた電子管が得られる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、酸化物陰極を備えた電
子管に係わり、特に、高精細カラー受像管や大型カラー
受像管または撮像管等のように、長期間にわたって安定
した高い電子放射動作特性を維持させる酸化物陰極を備
えた電子管に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、酸化物陰極を備えた電子管、とり
わけ、高精細カラー受像管や大型カラー受像管または撮
像管等の電子管においては、ニッケル（Ｎｉ）を主成分
とし、シリコン（Ｓｉ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ジル
コニウム（Ｚｒ）、タングステン（Ｗ）等の微量の還元
性金属を含んだ組成の陰極金属基体と、陰極金属基体の
表面に被着された電子放射物質層とからなる酸化物陰極
が用いられており、この場合、電子放射物質層は、バリ
ウム（Ｂａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、カルシウム
（Ｃａ）の酸化物の微粉末、もしくは、少なくともバリ
ウム（Ｂａ）の酸化物の微粉末を含んだアルカリ土類金
属酸化物からなっているものである。

【０００３】ここで、図３は、前記既知の酸化物陰極の
構成の一例を示す断面図であって、例えば、特開昭５８
−１５４１３０号等に開示されているものである。

【０００４】図３において、３１は円筒状金属スリー
ブ、３２は帽状陰極金属基体、３３は電子放射物質層、
３４はヒーターである。

【０００５】そして、円筒状金属スリーブ３１は、高融
点金属であるニッケル−クロム（Ｎｉ−Ｃｒ）合金等か
らなり、帽状陰極金属基体３２は、ニッケル（Ｎｉ）を
主成分とし、シリコン（Ｓｉ）、マグネシウム（Ｍ
ｇ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、タングステン（Ｗ）等の
微量の還元性金属を含んだ組成のものからなり、電子放
射物質層３３は、少なくともバリウム（Ｂａ）の酸化物
の微粉末を含んだアルカリ土類金属酸化物からなってい
る。帽状陰極金属基体３２は、円筒状金属スリーブ３１
に一端に、開口を閉鎖するように嵌合溶接され、ヒータ
ー３４は、円筒状金属スリーブ３１の内部に内包され、
傍熱型ヒーターが構成される。帽状陰極金属基体３２
は、頂部表面に電子放射物質層３３が被着されている。

【０００６】かかる構成の酸化物陰極は、ヒーター３４
の通電により帽状陰極金属基体３２を介して電子放射物
質層３３を加熱すると、電子放射物質層３３から電流を
導出することができるものである。

【０００７】ところが、酸化物陰極を備えた電子管、と
りわけ、高精細カラー受像管や大型カラー受像管または
撮像管等の画像表示用電子管においては、表示画像の高
精細化が進むにしたがって、高い電流密度で、長期間、
安定した電子放射特性が維持できるような酸化物陰極が
要望されるようになった。そして、その要望を満たす酸
化物陰極として、電子放射物質層に酸化スカンジウム
（Ｓｃ₂Ｏ₃）の粉末を含有分散させた酸化物陰極が既に
開発されており、その一例として、特開昭６１−２７１
７３２号、特開昭６２−２２３４７号等に開示のものが
ある。

【０００８】このように、電子放射物質層に酸化スカン
ジウム（Ｓｃ₂Ｏ₃）の粉末を含有分散させた酸化物陰極
は、電子放射物質層内にある遊離バリウム（Ｂａ）や酸
化バリウム（ＢａＯ）が酸化スカンジウム（Ｓｃ₂Ｏ₃）
により拘束され、電子放射物質層内における遊離バリウ
ム（Ｂａ）や酸化バリウム（ＢａＯ）の濃度が高まり、
良好な電子放射動作特性を維持させることができるよう
になる。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】前記特開昭５８−１５
４１３０号等に開示されている酸化物陰極は、陰極金属
基体３２と電子放射物質層３３との接合界面に、バリウ
ム（Ｂａ）と、陰極金属基体３２中に含まれている微量
の還元性金属、即ち、シリコン（Ｓｉ）、マグネシウム
（Ｍｇ）、ジルコニウム（Ｚｒ）とが反応し、バリウム
シリケート（Ｂａ₂ＳｉＯ₄）、マグネシア（ＢａＭｇ
Ｏ₂）、バリウムジルコネート（ＢａＺｒＯ₃）等の中
間生成物質が形成され、酸化物陰極を高い電流密度で動
作させると、これらの中間生成物質の形成が加速される
ようになる。そして、これらの中間生成物質は、高抵抗
層を構成していて、この部分を流れる電流の妨げにな
る。このとき、かかる電流の流れの妨げに対抗して、電
子管内の他の電極に高い電圧を印加し、酸化物陰極から
大きな電流を導出させようとすれば、高抵抗層の部分に
大きなジュール熱が発生し、酸化物陰極の温度が上昇し
てより多くの中間生成物質が形成されるという悪循環を
起こすようになる。

【００１０】このように、前記特開昭５８−１５４１３
０号等に開示されている酸化物陰極は、長期間にわた
り、高い電流密度で動作させることができないという問
題を有している。

【００１１】また、前記特開昭６１−２７１７３２号、
特開昭６２−２２３４７号等に開示されている酸化物陰
極は、電子放射物質層内にに酸化スカンジウム（Ｓｃ₂
Ｏ₃）の粉末を含有分散させた場合、電子放射特性を安
定にするために行う活性化に極めて長時間を要すること
が判明し、しかも、アルカリ土類金属酸化物や酸化スカ
ンジウム（Ｓｃ₂Ｏ₃）の密度や形状の違いにより、アル
カリ土類金属酸化物からなる層内に、所定比率の酸化ス
カンジウム（Ｓｃ₂Ｏ₃）の粉末を一様に分散させること
が困難であることが判明した。

【００１２】このように、前記特開昭６１−２７１７３
２号、特開昭６２−２２３４７号等に開示されている酸
化物陰極は、電子管毎に、電子放射特性にバラツキがあ
るという問題を有している。

【００１３】本発明は、これらの問題点を解決するもの
で、その目的は、高い電流密度で、長期間にわたって安
定した電子放射特性が得られる電子放射物質層を有し、
しかも、電子管毎に電子放射物質層の電子放射特性にバ
ラツキのない酸化物陰極を備えた電子管を提供すること
にある。

【００１４】

【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明は、バリウム（Ｂａ）を含んだアルカリ土類
金属酸化物からなる電子放射物質層を陰極金属基体の表
面に被着させた構成の酸化物陰極を備えた電子管におい
て、前記電子放射物質層は、電子放射表面側に、少なく
ともインジウム（Ｉｎ）の酸化物もしくはガリウム（Ｇ
ａ）の酸化物を含んだ金属酸化物薄膜層を有している手
段を備える。

【００１５】

【作用】前記手段においては、電子放射物質層が、アル
カリ土類金属酸化物からなる層と、その層の表面に形成
された少なくともインジウム（Ｉｎ）の酸化物もしくは
ガリウム（Ｇａ）の酸化物を含んだ金属酸化物薄膜層と
により構成されている。この場合、インジウム（Ｉｎ）
の酸化物もしくはガリウム（Ｇａ）の酸化物を含んだ金
属酸化物薄膜層にあるインジウム（Ｉｎ）の酸化物やガ
リウム（Ｇａ）の酸化物は、陰極金属基体と電子放射物
質層との接合界面に生成されたバリウム（Ｂａ）と結合
し、電子放射物質層から外部に蒸発放出されるバリウム
（Ｂａ）を減少させるので、結果的に、電子放射物質層
内のバリウム（Ｂａ）総量が多くなり、遊離バリウム
（Ｂａ）や酸化バリウム（ＢａＯ）の濃度を高く保持で
きるようになる。また、電子放射物質層内のバリウム
（Ｂａ）濃度が高くなれば、新たなバリウム（Ｂａ）の
生成が抑制されるので、陰極金属基体と電子放射物質層
との接合界面に生成されるバリウムシリケート（Ｂａ₂
ＳｉＯ₄）、マグネシア（ＢａＭｇＯ₂）、バリウムジ
ルコネート（ＢａＺｒＯ₃）等の中間生成物質の生成も
抑制されるようになる。

【００１６】このように、前記手段によれば、中間生成
物質の生成を抑制しながら、電子放射物質層内のバリウ
ム（Ｂａ）濃度を高めることができるので、高い電流密
度で、長期間にわたって安定した電子放射特性が得られ
る酸化物陰極を備えた電子管を得ることができる。

【００１７】また、前記手段によれば、アルカリ土類金
属酸化物からなる層の表面に、インジウム（Ｉｎ）の酸
化物もしくはガリウム（Ｇａ）の酸化物を含んだ金属酸
化物薄膜層を形成するだけで、電子放射物質層内のバリ
ウム（Ｂａ）濃度を高めたり、中間生成物質の生成を抑
制したりすることができるので、電子放射特性にバラツ
キのない酸化物陰極を備えた電子管を得ることができ
る。

【００１８】

【実施例】以下、本発明の実施例を図面を用いて詳細に
説明する。

【００１９】図１は、本発明に係わる電子放射物質層を
有する陰極を備えた電子管の一実施例の概略構成を示す
断面図であって、電子管としてカラー受像管である場合
の例を示すものである。

【００２０】図１において、１はパネル部、２はファン
ネル部、３はネック部、４は螢光膜、５はシャドウマス
ク、６は磁気シールド、７は偏向ヨーク、８はピュリテ
イ調整用マグネット、９はセンタービームスタティック
コンバーゼンス調整用マグネット、１０はサイドビーム
スタティックコンバーゼンス調整用マグネット、１１は
電子銃、１２は電子ビームである。

【００２１】そして、カラー受像管を構成する管体は、
前側に設けられるパネル部１と、電子銃１１を収納して
いる細長のネック部３と、パネル部１及びネック部３を
結合するホーン形のファンネル部２とからなっている。
パネル部１は、その内面に螢光膜４が被着形成され、こ
の螢光膜４に対向するようにシャドウマスク５が固定配
置される。パネル部１とファンネル部２の結合部分の内
側には磁気シールド６が配置され、ファンネル部２とネ
ック部３の結合部分の外側には偏向ヨーク７が配置され
る。ネック部３の外側に、ピュリテイ調整用マグネット
８、センタービームスタティックコンバーゼンス調整用
マグネット９、サイドビームスタティックコンバーゼン
ス調整用マグネット１０が並設配置され、電子銃１１か
ら投射された３本の電子ビーム（１本だけが図示されて
いる）１２は、偏向ヨーク７の磁界によって所定方向に
偏向された後、シャドウマスク５にある多くの電子ビー
ム通過孔（図示なし）を通して螢光膜４における対応す
る色の画素に到達するように構成されている。

【００２２】前記構成によるカラー受像管における動
作、即ち、画像表示動作は、既知のカラー受像管におけ
る画像表示動作と全く同じであるので、このカラー受像
管における画像表示動作は、その説明を省略する。

【００２３】続いて、図２は、図１に図示のカラー受像
管の電子銃１１に用いられる酸化物陰極の構成の一例を
示す断面図である。

【００２４】図２において、１３は円筒状陰極スリーブ
（陰極金属基体）、１４はニッケル（Ｎｉ）を主成分と
し、シリコン（Ｓｉ）やマグネシウム（Ｍｇ）等の微量
の還元性金属を含んだ組成の帽状陰極金属基体、１５は
電子放射物質層、１６はバリウム（Ｂａ）を含んだバリ
ウム（Ｂａ）を含んだストロンチウム（Ｓｒ）やカルシ
ウム（Ｃａ）の酸化物の微粉末からなる組成のアルカリ
土類金属酸化物からなる層、１７は酸化インジウム（Ｉ
ｎ₂Ｏ₃）からなる金属酸化物薄膜層、１８はヒーターで
ある。

【００２５】そして、帽状陰極金属基体１４は円筒状陰
極スリーブ１３の一端を封止するように嵌合され、円筒
状陰極スリーブ１３にはヒーター１８が内包され、傍熱
型の陰極を構成している。電子放射物質層１５は、帽状
陰極金属基体１４の頂部表面に被着形成されており、帽
状陰極金属基体１４側に被着形成されるアルカリ土類金
属酸化物からなる層１６と、層１６の表面に被着形成さ
れる酸化インジウム（Ｉｎ₂Ｏ₃）からなる金属酸化物薄
膜層１７とで構成されている。

【００２６】本実施例の電子放射物質層１５において、
酸化インジウム（Ｉｎ₂Ｏ₃）からなる金属酸化物薄膜層
１７内にある酸化インジウム（Ｉｎ₂Ｏ₃）は、帽状陰極
金属基体１４と電子放射物質層１５との接合界面に生成
されたバリウム（Ｂａ）と結合し、電子放射物質層１５
から外部に蒸発放出されるバリウム（Ｂａ）の量を減少
させ、その結果、電子放射物質層１５内のバリウム（Ｂ
ａ）総量が多くなって、遊離バリウム（Ｂａ）や酸化バ
リウム（ＢａＯ）の濃度を高く保持することができるよ
うになる。この場合、電子放射物質層１５内のバリウム
（Ｂａ）の濃度が高くなったことにより、電子放射物質
層１５内における新たなバリウム（Ｂａ）の生成が抑制
されるので、帽状陰極金属基体１４と電子放射物質層１
５との接合界面に生成されるバリウムシリケート（Ｂａ
₂ＳｉＯ₄）、マグネシア（ＢａＭｇＯ₂）、バリウム
ジルコネート（ＢａＺｒＯ₃）等の中間生成物質の生成
も抑制される。

【００２７】このように、本実施例の酸化物陰極は、中
間生成物質の生成を抑制しながら、電子放射物質層１５
内のバリウム（Ｂａ）濃度を高めることができるので、
高い電流密度で、長期間にわたって安定した電子放射特
性が得られるようになる。

【００２８】ここにおいて、本実施例の酸化物陰極を備
えたカラー受像管は、概要、次のようにして製造され
る。

【００２９】始めに、円筒状陰極スリーブ１３の一端
に、帽状陰極金属基体１４の開口部を嵌合し、その後、
円筒状陰極スリーブ１３と帽状陰極金属基体１４の嵌合
部分の少なくとも一部を溶接し、円筒状陰極スリーブ１
３の一端に帽状陰極金属基体１４を嵌合固定する。

【００３０】次に、炭酸バリウム（ＢａＣＯ₃）、炭酸
ストロンチウム（ＳｒＣＯ₃）、炭酸カルシウム（Ｃａ
ＣＯ₃）の３つの炭酸塩を混合してサスペンション（懸
濁液）を形成し、このサスペンション（懸濁液）をスプ
レー法によって帽状陰極金属基体１４の頂部表面に塗布
し、厚さが約８０μｍのアルカリ土類金属酸化物からな
る層１６を形成させる。

【００３１】続いて、酸化インジウム（Ｉｎ₂Ｏ₃）をタ
ーゲットとするスパッタ蒸着法を用いて、層１６の表面
に厚さが０．５乃至６０００ｎｍの酸化インジウム（Ｉ
ｎ₂Ｏ₃）からなる金属酸化物薄膜層１７を形成させる。

【００３２】その後、円筒状陰極スリーブ１３の内部に
ヒーター１８を収納し、酸化物陰極を形成させる。

【００３３】こうして形成された酸化物陰極は、他の構
成部品とともに電子銃１１に組込まれ、さらに、この電
子銃１１が管体のネック部３内に挿入され、電子銃１１
のステム部がネック部３の端部に封止されて、カラー受
像管が完成される。

【００３４】この場合、酸化インジウム（Ｉｎ₂Ｏ₃）か
らなる金属酸化物薄膜層１７の形成方法としては、物理
的気相成長法あるいは化学的気相成長法によって均一に
形成できれば足り、その他に、真空蒸着法やイオンプレ
ーティング法またはＣＶＤ法を用いるようにしてもよ
い。

【００３５】図３は、本実施例の酸化物陰極と既知の酸
化物陰極における動作持続時間と電子放射能力との関係
を示す特性図であって、いずれも電流密度２Ａ／ｃｍ²
で連続動作させた場合の特性であって、曲線Ａは本実施
例の酸化物陰極、曲線Ｂは既知の酸化物陰極によるもの
である。

【００３６】図３において、縦軸は、初期の電子放射能
力を１００とした場合における各時間毎の電子放射能力
を相対値で表した電子放射能力、横軸は、キロアワー
（Ｋｈ）で表した動作持続時間である。

【００３７】図３の曲線Ａに示されるように、本実施例
の酸化物陰極は、１６キロアワー程度の動作持続時間の
後でも、８０％を超える電子放射能力を維持しているの
に対して、既知の酸化物陰極は、１６キロアワー程度の
動作持続時間を経ると、５０％程度の電子放射能力に減
少するようになり、本実施例の酸化物陰極は、既知の酸
化物陰極に比べて、格段に優れた高い電子放射動作特性
を有するものであることが判る。

【００３８】このように、本実施例の酸化物陰極によれ
ば、電子放射物質層１５として、アルカリ土類金属酸化
物からなる層１６と、その層１６の表面に形成した酸化
インジウム（Ｉｎ₂Ｏ₃）からなる金属酸化物薄膜層１７
とにより構成しているので、金属酸化物薄膜層１７内の
酸化インジウム（Ｉｎ₂Ｏ₃）の働きにより、電子放射物
質層１５内の遊離バリウム（Ｂａ）や酸化バリウム（Ｂ
ａＯ）の濃度を高い状態に維持することができるととも
に、バリウムシリケート（Ｂａ₂ＳｉＯ₄）、マグネシ
ア（ＢａＭｇＯ₂）、バリウムジルコネート（ＢａＺｒ
Ｏ₃）等の中間生成物質の生成が抑制され、その結果、
高い電流密度で、長期間にわたり安定した電子放射特性
を有する酸化物陰極を備えた電子管を得ることができ
る。

【００３９】また、前述の特性は、単に、酸化インジウ
ム（Ｉｎ₂Ｏ₃）からなる金属酸化物薄膜層１７を構成す
ることにより得られるので、電子管毎の酸化物陰極にお
ける電子放射特性のバラツキの発生をなくすことがで
き、酸化物陰極の品質が安定した電子管を得ることがで
きる。

【００４０】なお、本実施例においては、金属酸化物薄
膜層１７に酸化インジウム（Ｉｎ₂Ｏ₃）を用いた例を挙
げて説明したが、本発明の金属酸化物薄膜層１７に用い
られる金属酸化物は酸化インジウム（Ｉｎ₂Ｏ₃）に限ら
れるものではなく、ガリウム（Ｇａ）を含む酸化物を用
いても、同様の機能を達成させることができる。

【００４１】また、本実施例においては、金属酸化物薄
膜層１７の厚さが２０００ｎｍの場合を例に挙げて説明
したが、本発明の金属酸化物薄膜層１７の厚さは２００
０ｎｍののものに限られるものではなく、１０乃至４０
００ｎｍの範囲内であれば、同様の機能を達成させるこ
とができる。この場合、金属酸化物薄膜層１７の厚さを
１０ｎｍより薄くすれば、金属酸化物薄膜層１７による
働きが低減するものであり、一方、金属酸化物薄膜層１
７の厚さを４０００ｎｍより厚くすることは製造上の難
点が生じるようになる。

【００４２】

【発明の効果】以上のように、本発明によれば、電子放
射物質層が、アルカリ土類金属酸化物からなる層と、そ
の層の表面に形成された少なくともインジウム（Ｉｎ）
の酸化物もしくはガリウム（Ｇａ）の酸化物を含んだ金
属酸化物薄膜層とにより構成され、インジウム（Ｉｎ）
の酸化物もしくはガリウム（Ｇａ）の酸化物を含んだ金
属酸化物薄膜層にあるインジウム（Ｉｎ）の酸化物やガ
リウム（Ｇａ）の酸化物は、陰極金属基体と電子放射物
質層との接合界面に生成されたバリウム（Ｂａ）と結合
し、電子放射物質層から外部に蒸発放出されるバリウム
（Ｂａ）を減少させるので、結果的に、電子放射物質層
内のバリウム（Ｂａ）総量を多くして、遊離バリウム
（Ｂａ）や酸化バリウム（ＢａＯ）の濃度を高く保持さ
せ、また、電子放射物質層内のバリウム（Ｂａ）濃度が
高くなることにより、新たなバリウム（Ｂａ）の生成が
抑制され、陰極金属基体と電子放射物質層との接合界面
に生成されるバリウムシリケート（Ｂａ₂ＳｉＯ₄）、
マグネシア（ＢａＭｇＯ₂）、バリウムジルコネート
（ＢａＺｒＯ₃）等の中間生成物質の生成も抑制される
ようになる。

【００４３】このように、本発明によれば、中間生成物
質の生成を抑制しながら、電子放射物質層内のバリウム
（Ｂａ）濃度を高めることができるので、高い電流密度
で、長期間にわたって安定した電子放射特性が得られる
酸化物陰極を備えた電子管を得ることができるという効
果がある。

【００４４】また、本発明によれば、アルカリ土類金属
酸化物からなる層の表面に、インジウム（Ｉｎ）の酸化
物もしくはガリウム（Ｇａ）の酸化物を含んだ金属酸化
物薄膜層を形成するだけで、電子放射物質層内のバリウ
ム（Ｂａ）濃度を高めたり、中間生成物質の生成を抑制
したりすることができるので、電子放射特性にバラツキ
のない酸化物陰極を備えた電子管を得ることができると
いう効果もある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係わる電子放射物質層を有する陰極を
備えた電子管の一実施例の概略構成を示す断面図であ
る。

【図２】図１に図示された電子管の電子銃に用いられる
酸化物陰極の構成の一例を示す断面図である。

【図３】図２に図示された酸化物陰極と既知の酸化物陰
極における動作持続時間と電子放射能力との関係を示す
特性図である。

【符号の説明】

１パネル部２ファンネル部３ネック部４螢光膜５シャドウマスク６磁気シールド７偏向ヨーク８ピュリテイ調整用マグネット９センタービームスタティックコンバーゼンス調整用
マグネット１０サイドビームスタティックコンバーゼンス調整用
マグネット１１電子銃１２電子ビーム１３円筒状陰極スリーブ（陰極金属基体）１４帽状陰極金属基体１５電子放射物質層１６バリウム（Ｂａ）を含んだアルカリ土類金属酸化
物からなる層１７酸化インジウム（Ｉｎ₂Ｏ₃）からなる金属酸化物
薄膜層１８ヒーター

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】バリウム（Ｂａ）を含んだアルカリ土類
金属酸化物からなる電子放射物質層を陰極金属基体の表
面に被着させた構成の酸化物陰極を備えた電子管におい
て、前記電子放射物質層は、電子放射表面側に、少なく
ともインジウム（Ｉｎ）の酸化物もしくはガリウム（Ｇ
ａ）の酸化物を含んだ金属酸化物薄膜層を有しているこ
とを特徴とする酸化物陰極を備えた電子管。
【請求項２】前記金属酸化物薄膜層は、厚さが１０乃
至４０００ｎｍの範囲の物理的気相成長層もしくは化学
的気相成長層であることを特徴とする請求項１に記載の
酸化物陰極を備えた電子管。