JPH0982681A - 半導体装置、薄膜トランジスタおよびそれらの製法 - Google Patents
半導体装置、薄膜トランジスタおよびそれらの製法Info
- Publication number
- JPH0982681A JPH0982681A JP24167195A JP24167195A JPH0982681A JP H0982681 A JPH0982681 A JP H0982681A JP 24167195 A JP24167195 A JP 24167195A JP 24167195 A JP24167195 A JP 24167195A JP H0982681 A JPH0982681 A JP H0982681A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal film
- film
- semiconductor device
- manufacturing
- alloy containing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Weting (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来のエッチング液を用いたウエットエッチ
ングでもテーパ角の制御性がよく、ガラス基板面内のテ
ーパ角の均一性のよい半導体装置の製法を提供する。 【解決手段】 基板（ガラス基板）１１上に金属膜１
２、ａ−Ｓｉ膜１４、絶縁膜１５、および電極（電極配
線）１７を形成してなる半導体装置の製法であって、前
記基板上に形成された前記金属膜の一部に不純物をイオ
ン注入し、前記金属膜を選択的にエッチングで除去し、
前記金属膜の端部をテーパ状に形成する工程を含む。
ングでもテーパ角の制御性がよく、ガラス基板面内のテ
ーパ角の均一性のよい半導体装置の製法を提供する。 【解決手段】 基板（ガラス基板）１１上に金属膜１
２、ａ−Ｓｉ膜１４、絶縁膜１５、および電極（電極配
線）１７を形成してなる半導体装置の製法であって、前
記基板上に形成された前記金属膜の一部に不純物をイオ
ン注入し、前記金属膜を選択的にエッチングで除去し、
前記金属膜の端部をテーパ状に形成する工程を含む。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置、薄膜ト
ランジスタおよびそれらの製法に関する。さらに詳しく
は、ガラス基板を用い、基板上の金属膜を選択的にエッ
チングする半導体装置、薄膜トランジスタおよびそれら
の製法に関する。
ランジスタおよびそれらの製法に関する。さらに詳しく
は、ガラス基板を用い、基板上の金属膜を選択的にエッ
チングする半導体装置、薄膜トランジスタおよびそれら
の製法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の逆スタガ型の薄膜トランジスタの
製法の一例を図２に示す。図２において、２１はガラス
基板であり、２２はたとえばクロムからなるゲート電極
であり、２３はたとえばシリコンチッ化膜などからなる
絶縁膜であり、２４はアモルファスシリコン（以下、ａ
−Ｓｉという）膜であり、２５はたとえばシリコンチッ
化膜などからなる絶縁膜である。
製法の一例を図２に示す。図２において、２１はガラス
基板であり、２２はたとえばクロムからなるゲート電極
であり、２３はたとえばシリコンチッ化膜などからなる
絶縁膜であり、２４はアモルファスシリコン（以下、ａ
−Ｓｉという）膜であり、２５はたとえばシリコンチッ
化膜などからなる絶縁膜である。
【０００３】まず、図２（ａ）に示されるように、ガラ
ス基板２１の一方の表面に、たとえばクロムなどの金属
をスパッタリングし、所望の位置のみをゲート電極２２
として残すようにウエットエッチングまたは、ドライエ
ッチングする。このウエットエッチングまたは、ドライ
エッチングは、ゲート電極２２端面の断面がテーパ状に
なるように行われている。ここで、ゲート電極２２の端
面の断面をテーパ状にするのは、つぎのような理由によ
る。つまり、逆スタガ型のトランジスタにおいては、ゲ
ート電極２２が絶縁膜２３およびａ−Ｓｉ膜２４を介し
て電極配線２７（図２（ｄ）参照）と対向する構造をと
ることが多いために、短部での電界集中による絶縁膜破
壊や、絶縁膜の信頼性の低下による薄膜トランジスタ素
子の不良の発生を防止する必要があるからである。
ス基板２１の一方の表面に、たとえばクロムなどの金属
をスパッタリングし、所望の位置のみをゲート電極２２
として残すようにウエットエッチングまたは、ドライエ
ッチングする。このウエットエッチングまたは、ドライ
エッチングは、ゲート電極２２端面の断面がテーパ状に
なるように行われている。ここで、ゲート電極２２の端
面の断面をテーパ状にするのは、つぎのような理由によ
る。つまり、逆スタガ型のトランジスタにおいては、ゲ
ート電極２２が絶縁膜２３およびａ−Ｓｉ膜２４を介し
て電極配線２７（図２（ｄ）参照）と対向する構造をと
ることが多いために、短部での電界集中による絶縁膜破
壊や、絶縁膜の信頼性の低下による薄膜トランジスタ素
子の不良の発生を防止する必要があるからである。
【０００４】ついで、図２（ｂ）に示されるように、前
記ガラス基板２１上でゲート電極２２が形成されている
側に絶縁膜２３、ａ−Ｓｉ膜２４、および絶縁膜２５を
順次ＣＶＤ（化学蒸着、chemical vapor deposition）
などにより形成する。つぎに、絶縁膜２５に対してレジ
スト塗布、露光、現像などの写真製版技術などを用いて
パターンを形成し、所定領域の絶縁膜のみを残して、不
要部分の絶縁膜２５をＣＦ4などのガスを用いたドライ
エッチング法によって除去し、図２（ｃ）に示されるよ
うな形状をうる。そののち、前記ガラス基板２１の絶縁
膜２５などが形成されている側の表面全面にｎ型のａ−
Ｓｉ膜２６をたとえばＣＶＤなどによって形成し、写真
製版技術などを用いて不要な部分のａ−Ｓｉ膜を除去す
る。そののち、残ったａ−Ｓｉ膜２６を覆い、かつ絶縁
膜２３を覆うようにアルミニウムなどの金属をスパッタ
リングなどで形成し、続いて写真製版技術などを用いて
不要な部分を除去することによって、図２（ｄ）に示さ
れるように電極配線２７を形成し、所望の薄膜トランジ
スタが形成される。
記ガラス基板２１上でゲート電極２２が形成されている
側に絶縁膜２３、ａ−Ｓｉ膜２４、および絶縁膜２５を
順次ＣＶＤ（化学蒸着、chemical vapor deposition）
などにより形成する。つぎに、絶縁膜２５に対してレジ
スト塗布、露光、現像などの写真製版技術などを用いて
パターンを形成し、所定領域の絶縁膜のみを残して、不
要部分の絶縁膜２５をＣＦ4などのガスを用いたドライ
エッチング法によって除去し、図２（ｃ）に示されるよ
うな形状をうる。そののち、前記ガラス基板２１の絶縁
膜２５などが形成されている側の表面全面にｎ型のａ−
Ｓｉ膜２６をたとえばＣＶＤなどによって形成し、写真
製版技術などを用いて不要な部分のａ−Ｓｉ膜を除去す
る。そののち、残ったａ−Ｓｉ膜２６を覆い、かつ絶縁
膜２３を覆うようにアルミニウムなどの金属をスパッタ
リングなどで形成し、続いて写真製版技術などを用いて
不要な部分を除去することによって、図２（ｄ）に示さ
れるように電極配線２７を形成し、所望の薄膜トランジ
スタが形成される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】前記従来の薄膜トラン
ジスタの製法において、ゲート電極端面の断面をなだら
かなテーパ状に形成するために、硝酸第２セリウムアン
モニウムを含む硝酸などのエッチング液を用いたウエッ
トエッチングでは、テーパ角（図２（ａ）の角度θ）を
所望の角度にする制御性、およびガラス基板面でのテー
パ角の均一性に問題がある。
ジスタの製法において、ゲート電極端面の断面をなだら
かなテーパ状に形成するために、硝酸第２セリウムアン
モニウムを含む硝酸などのエッチング液を用いたウエッ
トエッチングでは、テーパ角（図２（ａ）の角度θ）を
所望の角度にする制御性、およびガラス基板面でのテー
パ角の均一性に問題がある。
【０００６】本発明はこのような問題を解決し、従来の
エッチング液を用いたウエットエッチングでもテーパ角
の制御性がよく、ガラス基板面内のテーパ角の均一性の
よい半導体装置の製法を提供することを目的とする。
エッチング液を用いたウエットエッチングでもテーパ角
の制御性がよく、ガラス基板面内のテーパ角の均一性の
よい半導体装置の製法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置の製
法は、基板上に金属膜、ａ−Ｓｉ膜、絶縁膜、および電
極を形成してなる半導体装置の製法であって、前記基板
上に形成された前記金属膜の一部に不純物をイオン注入
し、前記金属膜を選択的にウエットエッチングで除去
し、前記金属膜の端部をテーパ状に形成する工程を含む
ことを特徴とする。
法は、基板上に金属膜、ａ−Ｓｉ膜、絶縁膜、および電
極を形成してなる半導体装置の製法であって、前記基板
上に形成された前記金属膜の一部に不純物をイオン注入
し、前記金属膜を選択的にウエットエッチングで除去
し、前記金属膜の端部をテーパ状に形成する工程を含む
ことを特徴とする。
【０００８】また、前記半導体装置の製法において、前
記金属膜にイオン注入される不純物が不活性元素、リ
ン、リンの化合物、リンと水素の化合物、ヒ素、ヒ素の
化合物、およびヒ素と水素の化合物のうちのいずれかで
あることが、金属膜の表面部に機械的損傷を与えエッチ
ング速度を速くするため好ましい。
記金属膜にイオン注入される不純物が不活性元素、リ
ン、リンの化合物、リンと水素の化合物、ヒ素、ヒ素の
化合物、およびヒ素と水素の化合物のうちのいずれかで
あることが、金属膜の表面部に機械的損傷を与えエッチ
ング速度を速くするため好ましい。
【０００９】また、前記半導体装置の製法において、前
記不活性元素がアルゴンであることが、金属表面部に対
する機械的損傷を大きくするため好ましい。
記不活性元素がアルゴンであることが、金属表面部に対
する機械的損傷を大きくするため好ましい。
【００１０】本発明の薄膜トランジスタの製法は、ガラ
ス基板上に金属膜、ａ−Ｓｉ膜、絶縁膜、および電極を
形成してなる薄膜トランジスタの製法であって、前記ガ
ラス基板上に設けられた金属膜の一部に不純物をイオン
注入し、前記金属膜を選択的にエッチングで除去し、前
記金属膜の端部をテーパ状に形成する工程を含むことを
特徴とする。
ス基板上に金属膜、ａ−Ｓｉ膜、絶縁膜、および電極を
形成してなる薄膜トランジスタの製法であって、前記ガ
ラス基板上に設けられた金属膜の一部に不純物をイオン
注入し、前記金属膜を選択的にエッチングで除去し、前
記金属膜の端部をテーパ状に形成する工程を含むことを
特徴とする。
【００１１】また、前記薄膜トランジスタの製法におい
て、前記金属膜にイオン注入される不純物が不活性元
素、リン、リンの化合物、リンと水素の化合物、ヒ素、
ヒ素の化合物、およびヒ素と水素の化合物のうちのいず
れかであることが、金属膜の表面に機械的損傷を与えエ
ッチング速度を速くするため好ましい。
て、前記金属膜にイオン注入される不純物が不活性元
素、リン、リンの化合物、リンと水素の化合物、ヒ素、
ヒ素の化合物、およびヒ素と水素の化合物のうちのいず
れかであることが、金属膜の表面に機械的損傷を与えエ
ッチング速度を速くするため好ましい。
【００１２】また、前記薄膜トランジスタの製法におい
て、前記不活性元素がアルゴンであることが、金属膜表
面に対する機械的損傷を大きくするため好ましい。
て、前記不活性元素がアルゴンであることが、金属膜表
面に対する機械的損傷を大きくするため好ましい。
【００１３】本発明の半導体装置は、基板上に金属膜、
ａ−Ｓｉ膜、絶縁膜、および電極を形成してなり、前記
金属膜の一部に不純物がイオン注入され、前記金属膜が
選択的にエッチングで除去され、前記金属膜の端部がテ
ーパ状に形成される半導体装置であって、前記金属膜が
クロム、モリブデン、タンタル、アルミニウム、クロム
を含む合金、モリブデンを含む合金、タンタルを含む合
金、およびアルミニウムを含む合金のいずれかからなる
か、または、前記金属膜が２層以上積層されてなってい
る。
ａ−Ｓｉ膜、絶縁膜、および電極を形成してなり、前記
金属膜の一部に不純物がイオン注入され、前記金属膜が
選択的にエッチングで除去され、前記金属膜の端部がテ
ーパ状に形成される半導体装置であって、前記金属膜が
クロム、モリブデン、タンタル、アルミニウム、クロム
を含む合金、モリブデンを含む合金、タンタルを含む合
金、およびアルミニウムを含む合金のいずれかからなる
か、または、前記金属膜が２層以上積層されてなってい
る。
【００１４】本発明の薄膜トランジスタは、ガラス基板
上に金属膜、ａ−Ｓｉ膜、絶縁膜、および電極を形成し
てなり、ガラス基板上に設けられた金属膜の一部に不純
物がイオン注入され、前記金属膜が選択的にエッチング
で除去され、前記金属膜の端部がテーパ状に形成される
薄膜トランジスタであって、前記金属膜がクロム、モリ
ブデン、タンタル、アルミニウム、クロムを含む合金、
モリブデンを含む合金、タンタルを含む合金、およびア
ルミニウムを含む合金のいずれかからなるか、または、
前記金属膜が２層以上積層されてなっている。
上に金属膜、ａ−Ｓｉ膜、絶縁膜、および電極を形成し
てなり、ガラス基板上に設けられた金属膜の一部に不純
物がイオン注入され、前記金属膜が選択的にエッチング
で除去され、前記金属膜の端部がテーパ状に形成される
薄膜トランジスタであって、前記金属膜がクロム、モリ
ブデン、タンタル、アルミニウム、クロムを含む合金、
モリブデンを含む合金、タンタルを含む合金、およびア
ルミニウムを含む合金のいずれかからなるか、または、
前記金属膜が２層以上積層されてなっている。
【００１５】
【発明の実施の形態】つぎに、図面を参照しながら本発
明の半導体装置の製法の一実施例を説明する。 図１は
本発明の半導体装置の製法の一実施例の説明図である。
図１において、１１はガラス基板であり、１２は金属膜
であり、１２ａは金属膜の表面であり、１２ｂは金属膜
の内部である。１４はａ−Ｓｉ膜であり、１５は絶縁膜
であり、１６はｎ型のａ−Ｓｉ膜であり、１７は電極配
線である。
明の半導体装置の製法の一実施例を説明する。 図１は
本発明の半導体装置の製法の一実施例の説明図である。
図１において、１１はガラス基板であり、１２は金属膜
であり、１２ａは金属膜の表面であり、１２ｂは金属膜
の内部である。１４はａ−Ｓｉ膜であり、１５は絶縁膜
であり、１６はｎ型のａ−Ｓｉ膜であり、１７は電極配
線である。
【００１６】まず、図１（ａ）に示されるように、ガラ
ス基板１１の表面上に、たとえばクロム、モリブデン、
タンタル、アルミニウム、クロムを含む合金、モリブデ
ンを含む合金、タンタルを含む合金、およびアルミニウ
ムを含む合金のうちのいずれかからなるか、または、前
記金属膜が２層以上積層されてなる金属膜を蒸着または
スパッタリングにより形成する。そののち、図１（ｂ）
に示すように、形成した金属膜１２の外側の表面に、た
とえばアルゴンなどの不活性元素、リン、リンの化合
物、リンと水素の化合物、ヒ素、ヒ素の化合物、および
ヒ素と水素の化合物などのいずれかの不純物をイオン注
入する。ボロン、アンチモンなどの不純物を注入するこ
ともできるが、金属膜表面部に対する機械的損傷が小さ
いことや注入時の加速エネルギーを大きくする必要があ
り、装置上の制約が発生することも考えられることか
ら、前記アルゴンなどを注入するのが好ましい。
ス基板１１の表面上に、たとえばクロム、モリブデン、
タンタル、アルミニウム、クロムを含む合金、モリブデ
ンを含む合金、タンタルを含む合金、およびアルミニウ
ムを含む合金のうちのいずれかからなるか、または、前
記金属膜が２層以上積層されてなる金属膜を蒸着または
スパッタリングにより形成する。そののち、図１（ｂ）
に示すように、形成した金属膜１２の外側の表面に、た
とえばアルゴンなどの不活性元素、リン、リンの化合
物、リンと水素の化合物、ヒ素、ヒ素の化合物、および
ヒ素と水素の化合物などのいずれかの不純物をイオン注
入する。ボロン、アンチモンなどの不純物を注入するこ
ともできるが、金属膜表面部に対する機械的損傷が小さ
いことや注入時の加速エネルギーを大きくする必要があ
り、装置上の制約が発生することも考えられることか
ら、前記アルゴンなどを注入するのが好ましい。
【００１７】つぎに、前記金属膜１２に対して写真製版
技術などを用いてパターンを形成し、所定領域の金属膜
のみを残して不要な部分の金属膜を従来と同様の硝酸な
どのエッチング液でウエットエッチングし、除去する。
このとき、金属膜の表面部分１２ａはイオン注入によっ
て質量数の大きい不純物による機械的損傷の影響を最も
顕著にうけているが、金属膜内部１２ｂの内部に進むに
したがってイオン注入の影響をうけにくくなっている。
イオン注入の際の注入量および注入エネルギーは、それ
ぞれ、１×１０15〜１×１０16／ｃｍ2、および５〜１０
０ｋｅＶ程度であることが、イオン注入の影響をあまり
うけていない金属膜内部１２ｂの厚さを０．１μｍ程度
に保つためには好ましい。イオン注入をされた金属膜
は、イオン注入をされていない金属膜と比べてエッチン
グされる速度が大きい。したがって、エッチングは表面
部分に近いほど多くエッチングされ、内部に進むにつれ
てエッチングされにくくなるので、断面の端面は図１
（ｃ）に示されるようにテーパ状になる。テーパの角度
θはイオン注入する不純物の種類、注入量、注入エネル
ギーなどによって金属膜中の不純物分布を変えることで
任意に制御することが可能である。
技術などを用いてパターンを形成し、所定領域の金属膜
のみを残して不要な部分の金属膜を従来と同様の硝酸な
どのエッチング液でウエットエッチングし、除去する。
このとき、金属膜の表面部分１２ａはイオン注入によっ
て質量数の大きい不純物による機械的損傷の影響を最も
顕著にうけているが、金属膜内部１２ｂの内部に進むに
したがってイオン注入の影響をうけにくくなっている。
イオン注入の際の注入量および注入エネルギーは、それ
ぞれ、１×１０15〜１×１０16／ｃｍ2、および５〜１０
０ｋｅＶ程度であることが、イオン注入の影響をあまり
うけていない金属膜内部１２ｂの厚さを０．１μｍ程度
に保つためには好ましい。イオン注入をされた金属膜
は、イオン注入をされていない金属膜と比べてエッチン
グされる速度が大きい。したがって、エッチングは表面
部分に近いほど多くエッチングされ、内部に進むにつれ
てエッチングされにくくなるので、断面の端面は図１
（ｃ）に示されるようにテーパ状になる。テーパの角度
θはイオン注入する不純物の種類、注入量、注入エネル
ギーなどによって金属膜中の不純物分布を変えることで
任意に制御することが可能である。
【００１８】このようにして、本発明ではイオン注入す
る不純物の種類、注入量、および注入エネルギーを調節
することにより、テーパーエッチングを精度よく従来法
そのままのウエットエッチングで行うことができる。
る不純物の種類、注入量、および注入エネルギーを調節
することにより、テーパーエッチングを精度よく従来法
そのままのウエットエッチングで行うことができる。
【００１９】そののち、図１（ｄ）に示されるように、
たとえばシリコンチッ化膜、シリコン酸化膜などからな
る絶縁膜１３、ａ−Ｓｉ膜１４、たとえばシリコンチッ
化膜、シリコン酸化膜などからなる絶縁膜１５を順次Ｃ
ＶＤなどによって形成する。さらに絶縁膜１５に対して
たとえば露光レジスト塗布、露光、現像などの写真製版
技術などを用いてパターンを形成し、所定領域の絶縁膜
（逆スタガ型のトランジスタのばあい、ゲート電極１２
の上方部分）のみを残して不要な部分の絶縁膜をＣＦ4
などのガスを用いたドライエッチング法でエッチング
（除去）する。最後に、図１（ｅ）に示されるように絶
縁膜１５の少なくとも一部は露出するようにｎ型のａ−
Ｓｉ膜１６を形成し、さらにアルミニウムなどからなる
電極配線１７を前述と同様のスパッタリングや写真製版
技術などを用いて形成する。このようにして薄膜トラン
ジスタ１８が形成される。
たとえばシリコンチッ化膜、シリコン酸化膜などからな
る絶縁膜１３、ａ−Ｓｉ膜１４、たとえばシリコンチッ
化膜、シリコン酸化膜などからなる絶縁膜１５を順次Ｃ
ＶＤなどによって形成する。さらに絶縁膜１５に対して
たとえば露光レジスト塗布、露光、現像などの写真製版
技術などを用いてパターンを形成し、所定領域の絶縁膜
（逆スタガ型のトランジスタのばあい、ゲート電極１２
の上方部分）のみを残して不要な部分の絶縁膜をＣＦ4
などのガスを用いたドライエッチング法でエッチング
（除去）する。最後に、図１（ｅ）に示されるように絶
縁膜１５の少なくとも一部は露出するようにｎ型のａ−
Ｓｉ膜１６を形成し、さらにアルミニウムなどからなる
電極配線１７を前述と同様のスパッタリングや写真製版
技術などを用いて形成する。このようにして薄膜トラン
ジスタ１８が形成される。
【００２０】本実施例では、薄膜トランジスタを形成す
るばあいについて説明したが、本発明は薄膜トランジス
タに限らず、たとえばＬＳＩや個別の素子のような半導
体装置を形成するばあいにも、電極膜のテーパー形状形
成としての金属膜にイオン注入する不純物の種類、注入
量、および注入エネルギーを調節することにより、同様
の効果をうることができる。
るばあいについて説明したが、本発明は薄膜トランジス
タに限らず、たとえばＬＳＩや個別の素子のような半導
体装置を形成するばあいにも、電極膜のテーパー形状形
成としての金属膜にイオン注入する不純物の種類、注入
量、および注入エネルギーを調節することにより、同様
の効果をうることができる。
【００２１】なお、本実施例ではウェットエッチングに
よる金属膜のテーパ形状の形成について説明したが、ガ
スを用いたドライエッチングによっても同様な効果がえ
られることはいうまでもない。
よる金属膜のテーパ形状の形成について説明したが、ガ
スを用いたドライエッチングによっても同様な効果がえ
られることはいうまでもない。
【００２２】
【発明の効果】本発明の半導体装置の製法によれば、基
板上に形成された金属膜端面の断面をウエットエッチン
グなどのエッチングでテーパ状にすることができ、半導
体装置の金属膜端部における絶縁膜破壊が起こらず信頼
性の高い半導体装置をうることができる。
板上に形成された金属膜端面の断面をウエットエッチン
グなどのエッチングでテーパ状にすることができ、半導
体装置の金属膜端部における絶縁膜破壊が起こらず信頼
性の高い半導体装置をうることができる。
【図１】本発明の半導体装置の製法を示す断面工程説明
図である。
図である。
【図２】従来の半導体装置の製法を示す断面工程説明図
である。
である。
１１ ガラス基板 １２ 金属膜 １３ 絶縁膜 １４ ａ−Ｓｉ膜 １５ 絶縁膜 １６ ｎ型のａ−Ｓｉ膜 １７ 電極配線 １８ 薄膜トランジスタ
Claims (8)
- 【請求項１】 基板上に金属膜、ａ−Ｓｉ膜、絶縁膜、
および電極を形成してなる半導体装置の製法であって、
前記基板上に形成された前記金属膜の一部に不純物をイ
オン注入し、前記金属膜を選択的にエッチングで除去
し、前記金属膜の端部をテーパ状に形成する工程を含む
半導体装置の製法。 - 【請求項２】 前記金属膜にイオン注入される不純物が
不活性元素、リン、リンの化合物、リンと水素の化合
物、ヒ素、ヒ素の化合物、およびヒ素と水素の化合物の
うちのいずれかである請求項１記載の半導体装置の製
法。 - 【請求項３】 前記不活性元素がアルゴンである請求項
２記載の半導体装置の製法。 - 【請求項４】 ガラス基板上に金属膜、ａ−Ｓｉ膜、絶
縁膜、および電極を形成してなる薄膜トランジスタの製
法であって、前記ガラス基板上に設けられた前記金属膜
の一部に不純物をイオン注入し、前記金属膜を選択的に
エッチングで除去し、前記金属膜の端部をテーパ状に形
成する工程を含む薄膜トランジスタの製法。 - 【請求項５】 前記金属膜にイオン注入される不純物が
不活性元素、リン、リンの化合物、リンと水素の化合
物、ヒ素、ヒ素の化合物、およびヒ素と水素の化合物の
うちのいずれかである請求項４記載の薄膜トランジスタ
の製法。 - 【請求項６】 前記不活性元素がアルゴンである請求項
５記載の薄膜トランジスタの製法。 - 【請求項７】 基板上に金属膜、ａ−Ｓｉ膜、絶縁膜、
および電極を形成してなり、前記金属膜の一部に不純物
がイオン注入され、前記金属膜が選択的にエッチングで
除去され、前記金属膜の端部がテーパ状に形成される半
導体装置であって、 前記金属膜がクロム、モリブデン、タンタル、アルミニ
ウム、クロムを含む合金、モリブデンを含む合金、タン
タルを含む合金、およびアルミニウムを含む合金のいず
れかからなるか、または、前記金属膜が２層以上積層さ
れてなる半導体装置。 - 【請求項８】 ガラス基板上に金属膜、ａ−Ｓｉ膜、絶
縁膜、および電極を形成してなり、前記ガラス基板上に
形成された前記金属膜の一部に不純物がイオン注入さ
れ、前記金属膜が選択的にエッチングで除去され、前記
金属膜の端部がテーパ状に形成される薄膜トランジスタ
であって、前記金属膜がクロム、モリブデン、タンタ
ル、アルミニウム、クロムを含む合金、モリブデンを含
む合金、タンタルを含む合金、およびアルミニウムを含
む合金のいずれかからなるか、または、前記金属膜が２
層以上積層されてなる薄膜トランジスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24167195A JPH0982681A (ja) | 1995-09-20 | 1995-09-20 | 半導体装置、薄膜トランジスタおよびそれらの製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24167195A JPH0982681A (ja) | 1995-09-20 | 1995-09-20 | 半導体装置、薄膜トランジスタおよびそれらの製法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0982681A true JPH0982681A (ja) | 1997-03-28 |
Family
ID=17077794
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24167195A Pending JPH0982681A (ja) | 1995-09-20 | 1995-09-20 | 半導体装置、薄膜トランジスタおよびそれらの製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0982681A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010056541A (ja) * | 2008-07-31 | 2010-03-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
-
1995
- 1995-09-20 JP JP24167195A patent/JPH0982681A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010056541A (ja) * | 2008-07-31 | 2010-03-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
| US8945981B2 (en) | 2008-07-31 | 2015-02-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US10326025B2 (en) | 2008-07-31 | 2019-06-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH021132A (ja) | 集積回路構造体の製造方法 | |
| JPH0793442B2 (ja) | 積層薄膜トランジスター及びその製造方法 | |
| US5319231A (en) | Insulated gate semiconductor device having an elevated plateau like portion | |
| CN111508961A (zh) | 一种高隧穿效率半浮栅存储器及其制备方法 | |
| JPH0982681A (ja) | 半導体装置、薄膜トランジスタおよびそれらの製法 | |
| JPH06140421A (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法 | |
| JPH05335578A (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法 | |
| US5391509A (en) | Method of manufacturing a semiconductor device forming a high concentration impurity region through a CVD insulating film | |
| JPH05267324A (ja) | Ｍｏｓ型半導体装置の製造方法 | |
| JPS6320383B2 (ja) | ||
| KR0147775B1 (ko) | 트랜지스터의 게이트 전극 형성 방법 | |
| EP0251447A2 (en) | Process for manufacturing a semiconductor device using a mask, and resist material therefor | |
| JP3783240B2 (ja) | フラッシュメモリの製造方法 | |
| JPS5896732A (ja) | イオン注入方法 | |
| JPS58122769A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6197974A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR100243021B1 (ko) | 반도체 소자 제조방법 | |
| JPH02192768A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2550495B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH05267330A (ja) | Ｍｏｓ型半導体装置の製造方法 | |
| JPH04338650A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH02159041A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0722624A (ja) | 半導体素子およびその製造方法 | |
| JPS5965448A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6032990B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 |