JPH0990634A - レジスト組成物およびそれを用いたパタン形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】基板面から垂直に切り立った良好な断面形状を
与える高感度，高解像度のポジ型レジスト組成物を提供
する。 【構成】（ａ）アルカリ可溶性樹脂及び活性化学線によ
り酸を生じる化合物及び（ｂ）ポリヒドロキシ化合物の
水酸基を酸分解性（例：テトラヒドロピラニル基）で置
換した化合物を含有するポジ型化学増幅系レジスト組成
物であって、成分（ａ）の水酸化テトラメチルアンモニ
ウムの２.３８ 重量％水溶液に対する溶解速度が１０〜
２００ｎｍ／秒であって、成分（ａ）１００重量部に対
して成分（ｂ）を５重量部配合した場合の水酸化テトラ
メチルアンモニウムの２.３８ 重量％水溶液に対する溶
解速度の（ａ）の溶解速度に対する比率（Ｒ₅）を０.３
以下とした。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、紫外線，遠紫外線，Ｘ
線等の電磁波、および電子線，イオン線等の粒子線を含
む放射線のパタン状照射によりパタン潜像形成部に酸を
生成せしめ、この酸を触媒とする反応によって、照射部
と未照射部のアルカリ水溶液に対する溶解性を変化さ
せ、アルカリ水溶液を現像液とする工程によりパタンを
現出させるレジスト組成物およびそれを用いたパタン形
成方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、集積回路については高集積化に伴
う微細化が進み、解像力の優れたレジストが要望されて
いる。従来、集積回路の形成には、紫外線を露光光源に
用いた縮小投影露光装置が利用されてきた。さらに解像
力を高めるために、紫外線よりも波長の短い２４８ｎｍ
の遠紫外線を用いたエキシマレーザ露光，Ｘ線や電子ビ
ームによる露光を用いたパタン形成方法が研究されてい
る。このような微細加工が可能な露光方式でも、ＬＳＩ
量産の面からウエハ処理のスループットが問題となる。
スループットを向上させる方法は、装置の改良もさるこ
とながら、用いるレジストの高感度化が重要である。そ
こでこれらの露光装置に対して高感度，高解像度を示す
レジストが求められている。

【０００３】高感度を達成するためのパタン形成材料と
して、例えば、米国特許3779778 号，特公平2−27660号
公報，特開平2−25850号公報に記載の組成物が知られて
いる。これらの組成物は、酸触媒下で反応性の高い媒体
と紫外線，電子線等、放射線の照射で酸を発生する酸前
駆体を含んでいる。この種のレジストは、これらの放射
線の照射によりパタン潜像形成部に酸を発生せしめ、こ
の酸を触媒とする反応によって、照射部と未照射部の現
像液に対する溶解性を変化させ、現像工程によりパタン
を得ることができるため、化学増幅系レジストと呼ばれ
る。

【０００４】この方法に用いる反応性の高い媒体とし
て、例えば、酸触媒により脱保護（分離）する保護基
(アセタール基，ｔ-ブトキシカルボニル基等）を含む化
合物又は重合体が知られている。酸前駆体には、各種ジ
アゾニウム塩，各種ハロゲン化合物，ジアリールヨード
ニウム塩，トリアリールスルホニウム塩等のオニウム
塩，フェノール性水酸基を複数含む化合物とアルキルス
ルホン酸とのエステル等が通常用いられている。これら
の反応性の高い媒体及び酸前駆体は、適当な溶剤に溶解
した溶液として用いられる。例えば、グリコールエーテ
ル類，エチレングリコールアルキルエーテル類，芳香族
炭化水素類，脂肪酸エステル類，ケトン類等がレジスト
溶剤に挙げられる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】従来のレジスト材料で
は、高解像度のパタンを形状よく得るために必要となる
照射部と未照射部とのアルカリ現像液に対する溶解速度
の差が十分ではなかった。この原因として、パタン形成
時の露光量において、酸触媒により脱保護する保護基の
分離が完全でないこと、あるいは脱保護反応の副反応に
よりアルカリ難溶性の化合物を生じることで、露光部の
溶解速度がアルカリ可溶性樹脂単体の溶解速度よりも低
下することが知られている。従って、特に単層レジスト
プロセスで必要となるアスペクト比（高さ／幅）の高い
パタンを形成する場合、露光部の現像が完了する前に、
未照射部の溶解が進行して、パタン形状，パタン寸法制
御等の低下を生じるという問題がある。また、未露光部
の溶解を抑制するために、酸分解性基を含む化合物又は
重合体を多く添加すると、感度が大きく低下するという
問題を生じる。さらに、アルカリ可溶性樹脂と酸分解性
基を含む高分子成分とを混合したレジスト組成物は、不
均質な２層に分離したり、あるいはミクロ層分離により
レジスト表面に難溶化層が形成され、パタン形状が悪化
するという重大な問題点を抱え、従来の上記レジスト材
料ではＬＳＩ（大規模集積回路）の微細化に対応できな
いのが実状である。

【０００６】本発明の目的は、紫外線，遠紫外線，Ｘ
線，電子線等の活性化学線のパタン状照射により酸を発
生させ、この酸を触媒とする反応によって、媒体のアル
カリ水溶液に対する溶解性を増加させ、工業的に有利な
アルカリ水溶液を現像液とする工程により高感度かつ高
解像度のポジ型パタンを現出させるレジスト材料を提供
することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、ある特定
の構造を有する酸分解性基を含む化合物をアルカリ可溶
性樹脂に混合すると、少量の配合量でアルカリ水溶液に
対する溶解阻害作用が非常に大きくなることから、上記
課題を解決できることを見出し本発明を完成した。

【０００８】すなわち、本発明は、（ａ）アルカリ可溶
性樹脂及び（ｂ）活性化学線により酸を生じる化合物及
び（ｃ）下記化学式１で表されるポリヒドロキシ化合物
の水酸基を酸分解性で置換した化合物を含有するポジ型
化学増幅系レジスト組成物であって、上記成分（ａ）の
水酸化テトラメチルアンモニウムの２.３８ 重量％水溶
液に対する溶解速度が１０〜２００ｎｍ／秒であって、
上記成分（ａ）１００重量部に対して上記成分（ｃ）を
５重量部配合した場合の水酸化テトラメチルアンモニウ
ムの２.３８ 重量％水溶液に対する溶解速度の上記の
（ａ）の溶解速度に対する比率（Ｒ₅）を０.３以下とし
たレジスト組成物およびこの組成を用いたパタン形成方
法により達成される。

【０００９】本発明において、上記成分（ｃ）に望まし
い化合物は、化学式１の水酸基の一部または全部をテト
ラヒドロピラニル基，ｔ- ブトキシカルボニル基，エト
キシエチル基等の酸分解性基で保護した化合物が挙げら
れる。

【００１０】

【化２】

【００１１】化学式１中において、Ｘ₁ は、水素原子，
炭素数１〜１０のアルキル基，炭素数３〜１０のシクロ
アルキル基，炭素数１〜８のアルコキシ基，炭素数１〜
７のアシル基，炭素数６〜１４のアリール基，炭素数６
〜１０のアリールオキシ基，炭素数２〜１０のアルコキ
シカルボニル基，炭素数７〜１９のアルキルアリール
基，芳香環に置換基を有するアルキルアリール基であ
る。置換基は、ハロゲン原子，ヒドロキシル基，アルコ
キシ基，シクロアルキル基，フェノール基，多価フェノ
ール基が挙げられる。Ｘ₁ が化学式１の中に複数存在す
る場合には相互に同一の置換基でも異なっていてもよ
い。Ｘ₂ ，Ｘ₃ 、及びＸ₄ は、相互に同一であっても異
なっていてもよく、炭素数１〜６のアルキル基，炭素数
３〜１０のシクロアルキル基，炭素数６〜１４のアリー
ル基，炭素数６〜１０のアリールオキシ基，炭素数１〜
７のアシル基，炭素数６〜１４のアリール基，炭素数６
〜１０のアリールオキシ基，炭素数２〜１０のアルコキ
シカルボニル基，炭素数７〜１９のアルキルアリール
基，芳香環に置換基を有するアルキルアリール基であ
る。置換基は、ハロゲン原子，ヒドロキシル基，アルコ
キシ基，シクロアルキル基，フェノール基，多価フェノ
ール基が挙げられる。式中におけるａは、１〜３の整
数、ｂは、０〜３の整数であり、しかもａ＋ｂ≦５を満
たす。

【００１２】化２で表わされる化合物の具体例は、化学
式３，４で示される化合物を挙げることができるが、こ
れらに限定されるものではない。これらの化合物は単
独、あるいは２種類以上の組合せで用いることができ
る。

【００１３】

【化３】

【００１４】

【化４】

【００１５】また、酸分解性基を含む化合物（ｃ）は、
上記成分（ａ）１００重量部に対して５重量部配合し、
その塗膜を水酸化テトラメチルアンモニウムの２.３８
重量％アルカリ水溶液に入れて塗膜が溶解する時間を測
定し、この時間と塗布膜厚から溶解速度（ｎｍ／秒）を
求める。上記のようにして求めた化合物（ｃ）の溶解速
度のアルカリ可溶性樹脂（ａ）の溶解速度に対する比率
（Ｒ₅）が、０.３以下であることが望ましい。Ｒ₅が０.
３よりも大きいと、アルカリ可溶性樹脂のアルカリ溶解
性を阻止する能力が低下するため、未露光部の膜減りが
大きくなり本発明の効果が得られない。

【００１６】上記成分(ｃ)に用いられるポリヒドロキシ
化合物の分子量については、ＧＰＣ（示差屈折率検出使
用）により求めたポリスチレン換算重量平均分子量（Ｍ
ｗ）が８００〜１５００の範囲にあることが望ましい。
この分子量の範囲の化合物はアルカリ可溶性樹脂との相
溶性が良いので、現像後のレジストパタン上にスカム，
ピンホールを与えることがなく、高解像度のレジストパ
タンが得られる。また、分子量がこの範囲よりも小さい
ポリヒドロキシ化合物を用いると、Ｒ₅が０.３よりも大
きくなり本発明の効果が得られない。一方、分子量がこ
の範囲よりも大きいポリヒドロキシ化合物を用いると、
アルカリ可溶性樹脂とのミクロ相分離が起こり、従っ
て、パタン形状の悪化さらには解像力の低下につながり
好ましくない。

【００１７】上記成分（ｃ）の添加量は、アルカリ可溶
性樹脂の全量１００重量部に対して５〜４０重量部であ
ることが望ましい。添加量が５〜４０重量部であると、
十分なレジスト残膜率を有し、高いγ値、すなわち、高
解像度を与える。しかし、成分（ｃ）の添加量が、４０
重量部を越えると感度及び溶剤への溶解性が低下し、ま
た、５重量部未満では、非露光部の膜減りが大きくな
り、本発明の効果が得られない。

【００１８】上記成分（ａ）に用いられるアルカリ可溶
性樹脂は、基板に塗布し、これを水酸化テトラメチルア
ンモニウムの２.３８ 重量％アルカリ水溶液に入れて塗
膜が完全に溶解する時間を測定し、１秒当たりに溶解さ
れる膜厚（ｎｍ／秒）を求めて、その溶解速度が１０〜
２００ｎｍ／秒であるものが好ましい。例えば、フェノ
ール性水酸基を１個以上有するフェノール類にアルデヒ
ド類を用いて重縮合させたノボラック樹脂が挙げられ
る。すなわち、フェノール、ｏ-クレゾール、ｍ-クレゾ
ール、ｐ-クレゾール、２，３-キシレノール、２，４-
キシレノール、２,５-キシレノール、３，４-キシレノ
ール、３，５-キシレノール、２，３，５-トリメチルフ
ェノールなどのフェノール性水酸基を１個以上有するフ
ェノール類，レゾルシノール，カテコールなどのフェノ
ール性水酸基を２個有するフェノール類，フロログルシ
ン，ピロガロール，ヒドロキシヒドロキノン等のフェノ
ール性水酸基を３個有するフェノール類が挙げられる。
これらのフェノール類は、それぞれ１種単独で又は２種
以上を用いることができる。アルカリ可溶性樹脂の溶解
速度が１０ｎｍ／秒未満であると、未露光部の膜減りが
大きくなり、２００ｎｍ／秒よりも大きいと活性化学線
に対して十分な感度が得られず、本発明の効果が得られ
ない。

【００１９】上記成分（ｂ）に用いられる活性化学線照
射により酸を生じる化合物は、例えば、各種ジアゾニウ
ム塩，ジアリールヨードニウム塩，トリアリールスルホ
ニウム塩，トリアルキルスルホニウム塩，アルキルアリ
ールスルホニウム塩等のオニウム塩，各種ハロゲン化合
物，フェノール性水酸基を複数含む化合物とアルキルス
ルホン酸とのエステル等が挙げられる。

【００２０】活性化学線照射により酸を生じる化合物の
添加量は、アルカリ可溶性樹脂100重量部に対して２〜
２０重量部であることが好ましい。添加量が２〜２０重
量部であると、活性化学線に対して十分な感度が得られ
る。活性化学線により酸を生ずる化合物の添加量が、２
０重量部より多いと、レジスト材料として使用する溶剤
に溶解させることが難しく、析出物を与えるため好まし
くない。また、添加量が２重量部より少ないと十分な感
度が得られず本発明の効果が得られない。

【００２１】本発明のレジスト組成物には、例えば、ス
トリエーション（塗布ムラ）を防いだり、現像性を良く
したりするための界面活性剤，レジスト溶液の保存安定
剤等を配合することができる。

【００２２】

【作用】ポリヒドロキシ化合物の水酸基を酸分解性で置
換した化合物は、活性化学線照射によって生じた酸によ
り酸分解性基が除かれ、水酸基を生成する。従って、酸
分解性基を含む化合物をアルカリ可溶性樹脂と混合すれ
ば、これをレジスト組成物に用いたときに、その照射部
では、発生した酸を触媒とする反応によって、ポリヒド
ロキシ化合物の酸分解性基が除かれ、水酸基が再生し、
アルカリ水溶液に対する溶解性が増加する反応を起こ
す。一方、未露光部では、酸分解性基を含む化合物がア
ルカリ可溶性樹脂のアルカリ溶解性を阻止するために、
アルカリ現像液に難溶となる。この場合、酸分解性基を
含む化合物のアルカリ可溶性樹脂に対する配合量は少量
で良いために、高感度でポリヒドロキシ化合物の酸分解
性基の分離が可能となる。本発明のようなレジスト組成
物は、高感度で高解像度のポジ型パタンを得ることがで
きる。

【００２３】

【実施例】次に、この発明の具体的な実施例及び比較例
について説明する。尚、これらの実施例は、本発明の範
囲内の好適な特定の条件の下における単なる例示にすぎ
ず、本発明がこれらの実施例にのみ限定されるものでは
ない。

【００２４】（合成例１）酸分解性基を含む化合物
（ｃ）の合成例 酢酸エチル１００ｍｌ中に化学式１で表わされる化合物
の具体例として化学式２で示される化合物（Ｍｗ：９９
２，Ｍｗ／Ｍｎ：１.０２）：１０ｇ，３，４-ジヒドロ
-２Ｈ-ピラン：２０ｇを溶解する。これに１２Ｎの塩酸
０.２ｍｌ を滴下し、２５℃で１２時間反応させた。反
応混合液を分液ロートに移し、２ＮのＮａＯＨ水溶液１
０ｍｌを加えて洗浄し、中性になるまで水洗する。反応
溶液を減圧下濃縮し、ヘキサン中に固体を析出させる。
濾過後、真空乾燥して白色の固体を得た。この生成物
は、赤外吸収スペクトル及びＮＭＲスペクトル分析より
ポリヒドロキシ化合物化学式２の水酸基の５５％をテト
ラヒドロピラニル基で置換していることを確認した。

【００２５】（合成例２）上述の合成例１のポリヒドロ
キシ化合物化学式２の代わりに化学式３（Ｍｗ：１１３
９，Ｍｗ／Ｍｎ：１.０１）を用いて同様の結果を得
た。

【００２６】（実施例１〜３，比較例１〜２）表１はア
ルカリ可溶性樹脂と酸分解性基を含むポリヒドロキシ化
合物の塗膜のＲ₅ を示す。

【００２７】

【表１】

【００２８】クレゾールノボラック樹脂と酸分解性基を
含むポリヒドロキシ化合物の種類を変えて、ノボラック
樹脂１００重量部に対して酸分解性基を含むポリヒドロ
キシ化合物を５重量部の割合で酢酸メチルセロソルブに
溶解して、固形分濃度２０重量％の溶液を調合した。シ
リコンウエハ上に上記組成のレジスト液を滴下し、回転
塗布してレジスト膜を得た。このウエハを１００℃で５
分間熱処理した後、水酸化テトラメチルアンモニウムの
２.３８ 重量％水溶液に入れ、その塗膜が完全に溶解す
る時間を測定し、１秒当たりに溶解される膜厚（ｎｍ／
秒）を求め、これを溶解速度とした。この値からノボラ
ック樹脂の溶解速度に対する比率Ｒ₅ を求めた。この表
１から明らかなように、実施例１〜３でテトラヒドロピ
ラニル基あるいはｔ- ブトキシカルボニル基を酸分解性
基に用いたポリヒドロキシ化合物は、Ｒ₅が０.３以下で
あり、十分なアルカリ溶解阻害効果を持つことがわかっ
た。これに対して、比較例１〜２において、酸分解性基
を含むビスフェノールＡ（分子量：２２８）、１，１，
１-トリス（４-ヒドロキシフェニル）エタン（分子量：
３０６）は、Ｒ₅が０.３より大きく、ノボラック樹脂の
溶解性を阻止する能力が低いことがわかった。

【００２９】（実施例４）ｍ，ｐ-クレゾールノボラッ
ク樹脂（Ｍｗ：９３００，溶解速度：２２ｎｍ／秒）：
８４重量部，テトラヒドロピラニル基を持つポリヒドロ
キシ化合物（化学式２、テトラヒドロピラニル基の導入
率５５％）：１６重量部，活性化学線照射により酸を生
じる化合物として、トリメチルスルホニウムトリフルオ
ロメタンスルホネート：５重量部を酢酸メチルセロソル
ブに溶解して、固形分濃度約２０重量％の溶液を調合し
た。シリコンウエハ上に上述のレジスト液を滴下し、回
転塗布後１２０℃，２分間熱処理して、１μｍの厚さの
レジスト膜を得た。この基板に電子線描画装置（電子線
の加速電圧は３０ｋＶ）を用い、照射量を段階的に変化
させて電子線照射後、１００℃，２分間熱処理してレジ
ストの潜像部分の酸触媒反応を促進した。上述の熱処理
後、水酸化テトラメチルアンモニウム２.３８重量％を
含む水溶液を現像液に用いて潜像を形成したレジストを
６０秒間現像した。感度及び残膜率を求めたところ、感
度(レジストの膜厚が０となる最小照射量)は、２.５μ
Ｃ／cm² で、残膜率は、９８％であった（図１）。

【００３０】本発明のレジスト溶液を塗布した基板に電
子線描画装置（電子線の加速電圧は、５０ｋＶ）を用い
て、５.０μＣ／cm² の照射量で０.３μｍのパタンをレ
ジストに描画した後、１００℃，２分間熱処理してレジ
ストの潜像部分の酸触媒反応を促進した。上述の熱処理
後、水酸化テトラメチルアンモニウム２.３８ 重量％を
含む水溶液を現像液に用いて潜像を形成したレジストを
１２０秒間現像し、レジストパタンを得た。得られたパ
タンを走査型電子線顕微鏡で観察したところ、基板面か
ら垂直に切り立った良好なパタンを形成することができ
た。このパタンは、設計寸法通りの０.３μｍ の線幅で
あった。

【００３１】（実施例５）実施例４において、ｍ，ｐ-
クレゾールノボラック樹脂(Ｍｗ：９３００，溶解速
度：２２ｎｍ／秒）の代わりにｍ，ｐ-クレゾールノボ
ラック樹脂(Ｍｗ：9100，溶解速度：２７.６ｎｍ／秒)
を用いた以外は、実施例４の方法に従って行った。その
結果、上記レジストは、１.４μＣ／cm²の感度を示し、
断面形状が良好な０.３μｍ のパタンを得た。

【００３２】（実施例６）実施例４において、テトラヒ
ドロピラニル基を持つポリヒドロキシ化合物（化学式
２）の代わりにテトラヒドロピラニル基を持つポリヒド
ロキシ化合物（化学式３）を用いた以外は、実施例４の
方法に従って行った。その結果、上記レジストは、３.
０μＣ／cm²の感度を示し、断面形状が良好な０.３μｍ
のパタンを得た。

【００３３】（比較例３）ｍ，ｐ-クレゾールノボラッ
ク樹脂(Ｍｗ：１１０００，溶解速度：１６ｎｍ／秒)：
１００重量部，ｔ-ブトキシカルボニル基を酸分解性基
に持つビスフェノールＡ：４６重量部，活性化学線照射
により酸を生じる化合物として、ピロガロールとメタン
スルホン酸の三置換体エステル：５重量部を酢酸メチル
セロソルブに溶解して、固形分濃度約２０重量％のレジ
スト溶液を調合した。以下実施例４と同様の方法で行っ
た。その結果、上記レジストは、図１に示すように９.
０μＣ／cm² の低感度でかつ低いγ値を与えた。上記レ
ジスト溶液を塗布した基板に電子線描画装置（電子線の
加速電圧は、５０ｋＶ）を用いて、０.３μｍ のパタン
をレジストに描画した結果、０.３μｍ のパタンを解像
できないことがわかった。

【００３４】

【発明の効果】本発明によれば、遠紫外線，電子線，Ｘ
線，その他の活性放射線に対して、高感度で高解像度
な、アルカリ水溶液現像可能なポジ型レジスト組成物を
得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】電子線照射量に対かる現像後の相対的な膜厚を
示すグラフ。

【符号の説明】

１…本発明の実施例、２…比較例。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山口 秀範 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 内野 正市 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】（ａ）アルカリ可溶性樹脂及び（ｂ）活性
   化学線照射により酸を生じる化合物及び（ｃ）化学式１
   で表されるポリヒドロキシ化合物の水酸基を酸分解性基
   で置換した化合物を含有することを特徴とするポジ型化
   学増幅系レジスト組成物。 【化１】 （但し、Ｘ₁ は、水素原子，炭素数１〜１０のアルキル
   基，炭素数３〜１０のシクロアルキル基，炭素数１〜８
   のアルコキシ基，炭素数１〜７のアシル基，炭素数６〜
   １４のアリール基，炭素数６〜１０のアリールオキシ
   基，炭素数２〜１０のアルコキシカルボニル基，炭素数
   ７〜１９のアルキルアリール基，芳香環に置換基を有す
   るアルキルアリール基である。置換基は、ハロゲン原
   子，ヒドロキシル基，アルコキシ基，シクロアルキル
   基，フェノール基，多価フェノール基が挙げられる。Ｘ
   ₁ が化学式１の中に複数存在する場合には相互に同一の
   置換基でも異なっていてもよい。Ｘ₂ ，Ｘ₃ およびＸ₄
   は、相互に同一であっても異なっていてもよく、炭素数
   １〜６のアルキル基，炭素数３〜１０のシクロアルキル
   基，炭素数６〜１４のアリール基，炭素数６〜１０のア
   リールオキシ基，炭素数１〜７のアシル基，炭素数６〜
   １４のアリール基，炭素数６〜１０のアリールオキシ
   基，炭素数２〜１０のアルコキシカルボニル基，炭素数
   ７〜１９のアルキルアリール基，芳香環に置換基を有す
   るアルキルアリール基である。置換基は、ハロゲン原
   子，ヒドロキシル基，アルコキシ基，シクロアルキル
   基，フェノール基，多価フェノール基が挙げられる。式
   中におけるａは、１〜３の整数，ｂは、０〜３の整数で
   あり、しかもａ＋ｂ≦５を満たす）
2. 【請求項２】請求項１に記載のレジスト組成物であっ
   て、成分（ａ）の水酸化テトラメチルアンモニウムの
   ２.３８ 重量％水溶液に対する溶解速度が１０〜２００
   ｎｍ／秒であって、成分（ａ）１００重量部に対して成
   分（ｃ）を５重量部配合した組成物の塗膜の水酸化テト
   ラメチルアンモニウムの２.３８ 重量％水溶液に対する
   溶解速度の（ａ）の溶解速度に対する比率（以下、Ｒ₅
   とする）を０.３以下とした請求項１に記載のレジスト
   組成物。
3. 【請求項３】請求項１または２に記載のレジスト組成物
   であって、成分（ｃ）がアルカリ可溶性樹脂の全量１０
   ０重量部に対して５〜４０重量部配合したレジスト組成
   物。
4. 【請求項４】請求項１に記載のレジスト組成物の塗膜
   に、活性化学線を用いて所望のパタン潜像を形成する工
   程，酸を触媒とする反応を促進する工程及びアルカリ水
   溶液を現像液とする現像によりパタンを形成する工程を
   有するパタン形成方法。