JPH0991671A - 磁気記録媒体及びその製造方法並びに製造装置 - Google Patents
磁気記録媒体及びその製造方法並びに製造装置Info
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- JPH0991671A JPH0991671A JP25301895A JP25301895A JPH0991671A JP H0991671 A JPH0991671 A JP H0991671A JP 25301895 A JP25301895 A JP 25301895A JP 25301895 A JP25301895 A JP 25301895A JP H0991671 A JPH0991671 A JP H0991671A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 低域から高域の全域にわたって出力が高いＭ
−Ｘ−Ｏ系磁性膜を有する磁気記録媒体を提供すること
である。 【解決手段】 Ｍ−Ｘ−Ｏ（Ｍは磁性を有する金属元素
の中から選ばれる少なくとも一つ、ＸはＯ以外の非金属
元素の中から選ばれる少なくとも一つ）系の磁性膜を備
えてなり、前記磁性膜の厚さの１／９の深さまでにおけ
るいずれの位置においてもＯの相対量（Ｏ量／Ｍ量＋Ｘ
量＋Ｏ量）が磁性膜の厚さの１／２の深さにおけるＯの
相対量（Ｏ量／Ｍ量＋Ｘ量＋Ｏ量）より多くない磁気記
録媒体。
−Ｘ−Ｏ系磁性膜を有する磁気記録媒体を提供すること
である。 【解決手段】 Ｍ−Ｘ−Ｏ（Ｍは磁性を有する金属元素
の中から選ばれる少なくとも一つ、ＸはＯ以外の非金属
元素の中から選ばれる少なくとも一つ）系の磁性膜を備
えてなり、前記磁性膜の厚さの１／９の深さまでにおけ
るいずれの位置においてもＯの相対量（Ｏ量／Ｍ量＋Ｘ
量＋Ｏ量）が磁性膜の厚さの１／２の深さにおけるＯの
相対量（Ｏ量／Ｍ量＋Ｘ量＋Ｏ量）より多くない磁気記
録媒体。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気記録媒体及び
その製造方法並びに製造装置に関する。
その製造方法並びに製造装置に関する。
【０００２】
【発明が解決しようとする課題】磁気テープ等の磁気記
録媒体においては、高密度記録化の要請から、支持体上
に設けられる磁性膜として、バインダ樹脂を用いた塗布
型のものではなく、バインダ樹脂を用いない金属薄膜型
のものが提案されている。すなわち、真空蒸着、スパッ
タリングあるいはイオンプレーティング等のＰＶＤ（フ
ィジカルベーパーデポジション）法により、例えばＦｅ
−Ｎ−Ｏ磁性膜を構成した磁気記録媒体が提案されてい
る。
録媒体においては、高密度記録化の要請から、支持体上
に設けられる磁性膜として、バインダ樹脂を用いた塗布
型のものではなく、バインダ樹脂を用いない金属薄膜型
のものが提案されている。すなわち、真空蒸着、スパッ
タリングあるいはイオンプレーティング等のＰＶＤ（フ
ィジカルベーパーデポジション）法により、例えばＦｅ
−Ｎ−Ｏ磁性膜を構成した磁気記録媒体が提案されてい
る。
【０００３】しかし、このＦｅ−Ｎ−ＯのようなＭ−Ｘ
−Ｏ系磁性膜において、磁性膜表面層にＯが多く含まれ
ていると、特に高域における出力が低下することが判っ
て来た。この知見に基づいて本発明が達成されたもので
あり、低域から高域の全域にわたって出力が高いＭ−Ｘ
−Ｏ系磁性膜を有する磁気記録媒体を提供することを目
的とする。
−Ｏ系磁性膜において、磁性膜表面層にＯが多く含まれ
ていると、特に高域における出力が低下することが判っ
て来た。この知見に基づいて本発明が達成されたもので
あり、低域から高域の全域にわたって出力が高いＭ−Ｘ
−Ｏ系磁性膜を有する磁気記録媒体を提供することを目
的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】前記本発明の目的は、Ｍ
−Ｘ−Ｏ（Ｍは磁性を有する金属元素の中から選ばれる
少なくとも一つ、ＸはＯ以外の非金属元素の中から選ば
れる少なくとも一つ）系の磁性膜を備えてなり、前記磁
性膜の厚さの１／９の深さまでにおけるいずれの位置に
おいてもＯの相対量（Ｏ量／Ｍ量＋Ｘ量＋Ｏ量）が磁性
膜の厚さの１／２の深さにおけるＯの相対量（Ｏ量／Ｍ
量＋Ｘ量＋Ｏ量）より多くないことを特徴とする磁気記
録媒体によって達成される。
−Ｘ−Ｏ（Ｍは磁性を有する金属元素の中から選ばれる
少なくとも一つ、ＸはＯ以外の非金属元素の中から選ば
れる少なくとも一つ）系の磁性膜を備えてなり、前記磁
性膜の厚さの１／９の深さまでにおけるいずれの位置に
おいてもＯの相対量（Ｏ量／Ｍ量＋Ｘ量＋Ｏ量）が磁性
膜の厚さの１／２の深さにおけるＯの相対量（Ｏ量／Ｍ
量＋Ｘ量＋Ｏ量）より多くないことを特徴とする磁気記
録媒体によって達成される。
【０００５】又、Ｍ−Ｘ−Ｏ（Ｍは磁性を有する金属元
素の中から選ばれる少なくとも一つ、ＸはＯ以外の非金
属元素の中から選ばれる少なくとも一つ）系の磁性膜を
備えてなり、前記磁性膜のオージェ電子分光分析におい
て、縦軸にＭ量、Ｘ量、及びＯ量（Ｍ量＋Ｘ量＋Ｏ量＝
１００％）を、横軸にスパッタ時間をとると、磁性膜の
スパッタ終了に至るまでの半分の領域においてはＯ量に
山が認められないものであることを特徴とする磁気記録
媒体によって達成される。
素の中から選ばれる少なくとも一つ、ＸはＯ以外の非金
属元素の中から選ばれる少なくとも一つ）系の磁性膜を
備えてなり、前記磁性膜のオージェ電子分光分析におい
て、縦軸にＭ量、Ｘ量、及びＯ量（Ｍ量＋Ｘ量＋Ｏ量＝
１００％）を、横軸にスパッタ時間をとると、磁性膜の
スパッタ終了に至るまでの半分の領域においてはＯ量に
山が認められないものであることを特徴とする磁気記録
媒体によって達成される。
【０００６】又、支持体上に酸化性物質の存在下でＭ−
Ｘ−Ｏ（Ｍは磁性を有する金属元素の中から選ばれる少
なくとも一つ、ＸはＯ以外の非金属元素の中から選ばれ
る少なくとも一つ）系の磁性膜を成膜する工程を有する
磁気記録媒体の製造方法であって、前記Ｍ−Ｘ−Ｏ系の
磁性膜の成膜終了部に向けて酸化性物質を補足する補足
物質を供給することを特徴とする磁気記録媒体の製造方
法によって達成される。
Ｘ−Ｏ（Ｍは磁性を有する金属元素の中から選ばれる少
なくとも一つ、ＸはＯ以外の非金属元素の中から選ばれ
る少なくとも一つ）系の磁性膜を成膜する工程を有する
磁気記録媒体の製造方法であって、前記Ｍ−Ｘ−Ｏ系の
磁性膜の成膜終了部に向けて酸化性物質を補足する補足
物質を供給することを特徴とする磁気記録媒体の製造方
法によって達成される。
【０００７】又、支持体上にＭ−Ｘ−Ｏ（Ｍは磁性を有
する金属元素の中から選ばれる少なくとも一つ、ＸはＯ
以外の非金属元素の中から選ばれる少なくとも一つ）系
の磁性膜を有する磁気記録媒体の製造方法であって、支
持体上にＭを堆積させる堆積工程と、Ｘイオンを堆積膜
に衝突させる衝突工程と、Ｏイオンを堆積膜に衝突させ
る衝突工程と、前記衝突工程により構成されたＭ−Ｘ−
Ｏ系の磁性膜に向けて酸化性物質を補足する補足物質を
供給する供給工程とを具備することを特徴とする磁気記
録媒体の製造方法によって達成される。
する金属元素の中から選ばれる少なくとも一つ、ＸはＯ
以外の非金属元素の中から選ばれる少なくとも一つ）系
の磁性膜を有する磁気記録媒体の製造方法であって、支
持体上にＭを堆積させる堆積工程と、Ｘイオンを堆積膜
に衝突させる衝突工程と、Ｏイオンを堆積膜に衝突させ
る衝突工程と、前記衝突工程により構成されたＭ−Ｘ−
Ｏ系の磁性膜に向けて酸化性物質を補足する補足物質を
供給する供給工程とを具備することを特徴とする磁気記
録媒体の製造方法によって達成される。
【０００８】又、支持体上にＭ−Ｘ−Ｏ（Ｍは磁性を有
する金属元素の中から選ばれる少なくとも一つ、ＸはＯ
以外の非金属元素の中から選ばれる少なくとも一つ）系
の磁性膜を有する磁気記録媒体の製造方法であって、支
持体上にＭを堆積させる堆積工程と、Ｘイオンを堆積膜
に衝突させる衝突工程と、酸化性ガスを堆積膜に衝突さ
せる衝突工程と、前記衝突工程により構成されたＭ−Ｘ
−Ｏ系の磁性膜に向けて酸化性ガスを補足する補足物質
を供給する供給工程とを具備することを特徴とする磁気
記録媒体の製造方法によって達成される。
する金属元素の中から選ばれる少なくとも一つ、ＸはＯ
以外の非金属元素の中から選ばれる少なくとも一つ）系
の磁性膜を有する磁気記録媒体の製造方法であって、支
持体上にＭを堆積させる堆積工程と、Ｘイオンを堆積膜
に衝突させる衝突工程と、酸化性ガスを堆積膜に衝突さ
せる衝突工程と、前記衝突工程により構成されたＭ−Ｘ
−Ｏ系の磁性膜に向けて酸化性ガスを補足する補足物質
を供給する供給工程とを具備することを特徴とする磁気
記録媒体の製造方法によって達成される。
【０００９】又、支持体上にＭ−Ｘ−Ｏ（Ｍは磁性を有
する金属元素の中から選ばれる少なくとも一つ、ＸはＯ
以外の非金属元素の中から選ばれる少なくとも一つ）系
の磁性膜を有する磁気記録媒体の製造装置であって、支
持体上にＭを堆積させる堆積手段と、Ｘイオンを堆積膜
に衝突させる衝突手段と、Ｏイオンあるいは酸化性ガス
を堆積膜に衝突させる衝突手段と、構成されたＭ−Ｘ−
Ｏ系の磁性膜に向けて酸化性物質を補足する補足物質を
供給する供給手段とを具備することを特徴とする磁気記
録媒体の製造装置によって達成される。
する金属元素の中から選ばれる少なくとも一つ、ＸはＯ
以外の非金属元素の中から選ばれる少なくとも一つ）系
の磁性膜を有する磁気記録媒体の製造装置であって、支
持体上にＭを堆積させる堆積手段と、Ｘイオンを堆積膜
に衝突させる衝突手段と、Ｏイオンあるいは酸化性ガス
を堆積膜に衝突させる衝突手段と、構成されたＭ−Ｘ−
Ｏ系の磁性膜に向けて酸化性物質を補足する補足物質を
供給する供給手段とを具備することを特徴とする磁気記
録媒体の製造装置によって達成される。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明になる磁気記録媒体は、Ｍ
−Ｘ−Ｏ（Ｍは磁性を有する金属元素の中から選ばれる
少なくとも一つ、ＸはＯ以外の非金属元素の中から選ば
れる少なくとも一つ）系の磁性膜を備えてなり、前記磁
性膜の厚さの１／９の深さまでにおけるいずれの位置に
おいてもＯの相対量（Ｏ量／Ｍ量＋Ｘ量＋Ｏ量）が磁性
膜の厚さの１／２の深さにおけるＯの相対量（Ｏ量／Ｍ
量＋Ｘ量＋Ｏ量）より多くないものである。
−Ｘ−Ｏ（Ｍは磁性を有する金属元素の中から選ばれる
少なくとも一つ、ＸはＯ以外の非金属元素の中から選ば
れる少なくとも一つ）系の磁性膜を備えてなり、前記磁
性膜の厚さの１／９の深さまでにおけるいずれの位置に
おいてもＯの相対量（Ｏ量／Ｍ量＋Ｘ量＋Ｏ量）が磁性
膜の厚さの１／２の深さにおけるＯの相対量（Ｏ量／Ｍ
量＋Ｘ量＋Ｏ量）より多くないものである。
【００１１】あるいは、Ｍ−Ｘ−Ｏ（Ｍは磁性を有する
金属元素の中から選ばれる少なくとも一つ、ＸはＯ以外
の非金属元素の中から選ばれる少なくとも一つ）系の磁
性膜を備えてなり、前記磁性膜のオージェ電子分光分析
において、縦軸にＭ量、Ｘ量、及びＯ量（Ｍ量＋Ｘ量＋
Ｏ量＝１００％）を、横軸にスパッタ時間をとると、磁
性膜のスパッタ終了に至るまでの半分の領域においては
Ｏ量に山が認められないものである。
金属元素の中から選ばれる少なくとも一つ、ＸはＯ以外
の非金属元素の中から選ばれる少なくとも一つ）系の磁
性膜を備えてなり、前記磁性膜のオージェ電子分光分析
において、縦軸にＭ量、Ｘ量、及びＯ量（Ｍ量＋Ｘ量＋
Ｏ量＝１００％）を、横軸にスパッタ時間をとると、磁
性膜のスパッタ終了に至るまでの半分の領域においては
Ｏ量に山が認められないものである。
【００１２】そして、本発明になる磁気記録媒体の製造
方法は、支持体上に酸化性物質の存在下でＭ−Ｘ−Ｏ
（Ｍは磁性を有する金属元素の中から選ばれる少なくと
も一つ、ＸはＯ以外の非金属元素の中から選ばれる少な
くとも一つ）系の磁性膜を成膜する工程を有する磁気記
録媒体の製造方法であって、前記Ｍ−Ｘ−Ｏ系の磁性膜
の成膜終了部に向けて酸化性物質を補足する補足物質を
供給するものである。
方法は、支持体上に酸化性物質の存在下でＭ−Ｘ−Ｏ
（Ｍは磁性を有する金属元素の中から選ばれる少なくと
も一つ、ＸはＯ以外の非金属元素の中から選ばれる少な
くとも一つ）系の磁性膜を成膜する工程を有する磁気記
録媒体の製造方法であって、前記Ｍ−Ｘ−Ｏ系の磁性膜
の成膜終了部に向けて酸化性物質を補足する補足物質を
供給するものである。
【００１３】あるいは、支持体上にＭ−Ｘ−Ｏ（Ｍは磁
性を有する金属元素の中から選ばれる少なくとも一つ、
ＸはＯ以外の非金属元素の中から選ばれる少なくとも一
つ）系の磁性膜を有する磁気記録媒体の製造方法であっ
て、支持体上にＭを堆積させる堆積工程と、Ｘイオンを
堆積膜に衝突させる衝突工程と、Ｏイオンを堆積膜に衝
突させる衝突工程と、前記衝突工程により構成されたＭ
−Ｘ−Ｏ系の磁性膜に向けて酸化性物質を補足する補足
物質を供給する供給工程とを具備する。
性を有する金属元素の中から選ばれる少なくとも一つ、
ＸはＯ以外の非金属元素の中から選ばれる少なくとも一
つ）系の磁性膜を有する磁気記録媒体の製造方法であっ
て、支持体上にＭを堆積させる堆積工程と、Ｘイオンを
堆積膜に衝突させる衝突工程と、Ｏイオンを堆積膜に衝
突させる衝突工程と、前記衝突工程により構成されたＭ
−Ｘ−Ｏ系の磁性膜に向けて酸化性物質を補足する補足
物質を供給する供給工程とを具備する。
【００１４】若しくは、支持体上にＭ−Ｘ−Ｏ（Ｍは磁
性を有する金属元素の中から選ばれる少なくとも一つ、
ＸはＯ以外の非金属元素の中から選ばれる少なくとも一
つ）系の磁性膜を有する磁気記録媒体の製造方法であっ
て、支持体上にＭを堆積させる堆積工程と、Ｘイオンを
堆積膜に衝突させる衝突工程と、酸化性ガスを堆積膜に
衝突させる衝突工程と、前記衝突工程により構成された
Ｍ−Ｘ−Ｏ系の磁性膜に向けて酸化性ガスを補足する補
足物質を供給する供給工程とを具備する。
性を有する金属元素の中から選ばれる少なくとも一つ、
ＸはＯ以外の非金属元素の中から選ばれる少なくとも一
つ）系の磁性膜を有する磁気記録媒体の製造方法であっ
て、支持体上にＭを堆積させる堆積工程と、Ｘイオンを
堆積膜に衝突させる衝突工程と、酸化性ガスを堆積膜に
衝突させる衝突工程と、前記衝突工程により構成された
Ｍ−Ｘ−Ｏ系の磁性膜に向けて酸化性ガスを補足する補
足物質を供給する供給工程とを具備する。
【００１５】又、本発明になる磁気記録媒体の製造装置
は、支持体上にＭ−Ｘ−Ｏ（Ｍは磁性を有する金属元素
の中から選ばれる少なくとも一つ、ＸはＯ以外の非金属
元素の中から選ばれる少なくとも一つ）系の磁性膜を有
する磁気記録媒体の製造装置であって、支持体上にＭを
堆積させる堆積手段と、Ｘイオンを堆積膜に衝突させる
衝突手段と、Ｏイオンあるいは酸化性ガスを堆積膜に衝
突させる衝突手段と、構成されたＭ−Ｘ−Ｏ系の磁性膜
に向けて酸化性物質を補足する補足物質を供給する供給
手段とを具備する。
は、支持体上にＭ−Ｘ−Ｏ（Ｍは磁性を有する金属元素
の中から選ばれる少なくとも一つ、ＸはＯ以外の非金属
元素の中から選ばれる少なくとも一つ）系の磁性膜を有
する磁気記録媒体の製造装置であって、支持体上にＭを
堆積させる堆積手段と、Ｘイオンを堆積膜に衝突させる
衝突手段と、Ｏイオンあるいは酸化性ガスを堆積膜に衝
突させる衝突手段と、構成されたＭ−Ｘ−Ｏ系の磁性膜
に向けて酸化性物質を補足する補足物質を供給する供給
手段とを具備する。
【００１６】本発明において、Ｍとしては、例えばＦ
ｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，あるいはこれらの組み合わせになるも
のが挙げられる。又、Ｘとしては、例えばＮ及び／又は
Ｃが挙げられる。すなわち、本発明の磁気記録媒体にお
けるＭ−Ｘ−Ｏ系磁性膜としては、例えばＦｅ−Ｎ−Ｏ
膜（７０ａｔ．％≦Ｆｅ量≦９０ａｔ．％，５ａｔ．％
≦Ｎ量≦１５ａｔ．％，５ａｔ．％≦Ｏ量≦１５ａｔ．
％）、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ膜（７０ａｔ．％≦Ｆｅ量≦９０ａ
ｔ．％，５ａｔ．％≦Ｃ量≦１５ａｔ．％，５ａｔ．％
≦Ｏ量≦１５ａｔ．％）等が挙げられる。
ｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，あるいはこれらの組み合わせになるも
のが挙げられる。又、Ｘとしては、例えばＮ及び／又は
Ｃが挙げられる。すなわち、本発明の磁気記録媒体にお
けるＭ−Ｘ−Ｏ系磁性膜としては、例えばＦｅ−Ｎ−Ｏ
膜（７０ａｔ．％≦Ｆｅ量≦９０ａｔ．％，５ａｔ．％
≦Ｎ量≦１５ａｔ．％，５ａｔ．％≦Ｏ量≦１５ａｔ．
％）、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ膜（７０ａｔ．％≦Ｆｅ量≦９０ａ
ｔ．％，５ａｔ．％≦Ｃ量≦１５ａｔ．％，５ａｔ．％
≦Ｏ量≦１５ａｔ．％）等が挙げられる。
【００１７】酸化性物質を補足する補足物質としては、
例えばＣＯやＮＯ等のようなＯとの結合が強い物質が挙
げられる。すなわち、本発明の基本原理は、Ｍ−Ｘ−Ｏ
磁性膜の成膜終了部に向けてＣＯやＮＯを供給してやる
と、ＣＯやＮＯがＭ−Ｘ−Ｏ磁性膜周辺におけるＯ等の
酸化性物質と反応（ＣＯ＋１／２Ｏ2 →ＣＯ2 ，ＮＯ＋
１／２Ｏ2 →ＮＯ2 ）し、酸化性物質（Ｏ2 に酸化力は
あるが、ＣＯ2 やＮＯ2 には酸化力がない。）の酸化力
が喪失し、Ｍ−Ｘ−Ｏ膜の表面層における酸化が弱めら
れ、磁性膜表面層におけるＯ量は相対的に少なくなり、
高域における出力が向上する。又、磁性膜表面層におい
て酸化部が多くないので、スペーシングロスが少なくな
る。
例えばＣＯやＮＯ等のようなＯとの結合が強い物質が挙
げられる。すなわち、本発明の基本原理は、Ｍ−Ｘ−Ｏ
磁性膜の成膜終了部に向けてＣＯやＮＯを供給してやる
と、ＣＯやＮＯがＭ−Ｘ−Ｏ磁性膜周辺におけるＯ等の
酸化性物質と反応（ＣＯ＋１／２Ｏ2 →ＣＯ2 ，ＮＯ＋
１／２Ｏ2 →ＮＯ2 ）し、酸化性物質（Ｏ2 に酸化力は
あるが、ＣＯ2 やＮＯ2 には酸化力がない。）の酸化力
が喪失し、Ｍ−Ｘ−Ｏ膜の表面層における酸化が弱めら
れ、磁性膜表面層におけるＯ量は相対的に少なくなり、
高域における出力が向上する。又、磁性膜表面層におい
て酸化部が多くないので、スペーシングロスが少なくな
る。
【００１８】以下、本発明について更に詳しく説明す
る。図１は、本発明になる磁気記録媒体の概略断面図で
ある。図１中、１は支持体である。この支持体１は磁性
を有するものでも非磁性のものでも良いが、一般的に
は、非磁性のものである。例えば、ポリエチレンテレフ
タレート等のポリエステル、ポリアミド、ポリイミド、
ポリスルフォン、ポリカーボネート、ポリプロピレン等
のオレフィン系の樹脂、セルロース系の樹脂、塩化ビニ
ル系の樹脂といった高分子材料、ガラスやセラミック等
の無機系材料、アルミニウム合金などの金属材料が用い
られる。
る。図１は、本発明になる磁気記録媒体の概略断面図で
ある。図１中、１は支持体である。この支持体１は磁性
を有するものでも非磁性のものでも良いが、一般的に
は、非磁性のものである。例えば、ポリエチレンテレフ
タレート等のポリエステル、ポリアミド、ポリイミド、
ポリスルフォン、ポリカーボネート、ポリプロピレン等
のオレフィン系の樹脂、セルロース系の樹脂、塩化ビニ
ル系の樹脂といった高分子材料、ガラスやセラミック等
の無機系材料、アルミニウム合金などの金属材料が用い
られる。
【００１９】支持体１面上には磁性膜の密着性を向上さ
せる為のアンダーコート層が必要に応じて設けられる。
すなわち、表面の粗さを適度に粗すことにより乾式メッ
キで構成される磁性膜の密着性を向上させ、さらに磁気
記録媒体表面の表面粗さを適度なものとして走行性を改
善する為、例えばＳｉＯ2 等の粒子を含有させた厚さが
０．０１〜０．５μｍの塗膜を設けることによってアン
ダーコート層が構成されている。
せる為のアンダーコート層が必要に応じて設けられる。
すなわち、表面の粗さを適度に粗すことにより乾式メッ
キで構成される磁性膜の密着性を向上させ、さらに磁気
記録媒体表面の表面粗さを適度なものとして走行性を改
善する為、例えばＳｉＯ2 等の粒子を含有させた厚さが
０．０１〜０．５μｍの塗膜を設けることによってアン
ダーコート層が構成されている。
【００２０】アンダーコート層の上には、図２に示すイ
オンアシスト斜め蒸着装置によって０．０４〜１μｍ厚
の金属薄膜型のＭ−Ｘ−Ｏ系磁性膜２が設けられる。図
２中、１１は冷却キャンロール、１２は支持体１の供給
側ロール、１３は支持体１の巻取側ロール、１４は遮蔽
板、１５はルツボ、１６は金属Ｍ、１７は電子銃、１８
は真空容器、１９はイオン銃である。そして、１０-4〜
１０-6Ｔｏｒｒ程度の真空雰囲気下でＦｅ，Ｆｅ−Ｎ
ｉ，Ｆｅ−Ｃｏ，Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ等の金属Ｍを抵抗加
熱、高周波加熱、電子ビーム加熱などにより蒸発させ、
支持体１のアンダーコート層上に堆積（蒸着）させるこ
とにより、Ｍ膜が形成される。この時、イオン銃１９に
窒素ガス（あるいはメタン等の炭化水素ガス）及び酸素
ガスが供給されると、窒素イオン（あるいは炭素イオ
ン）と酸素イオンとが放出され、これらのイオンが支持
体１上に蒸着したＭ膜に衝突し、Ｍ−Ｎ−Ｏ系膜（ある
いはＭ−Ｃ−Ｏ系膜）に変換する。尚、酸素イオンを照
射するのではなく、酸素ガスを供給しても良く、このよ
うな場合には酸素ガス供給管のノズル口が蒸着Ｍ膜の近
傍に配設された装置を用いれば良い。又、酸素イオンや
酸素ガスを照射しなくても、真空容器１８内に酸素をあ
る程度存在させておれば、この酸素が衝突することにな
り、本発明の磁性膜に変換される。炭素イオン（及び／
又は窒素イオン）及び酸素イオン（又は酸素ガス）の照
射量は、Ｍ−Ｘ−Ｏ系磁性膜のＸ量やＯ量に応じて制御
される。
オンアシスト斜め蒸着装置によって０．０４〜１μｍ厚
の金属薄膜型のＭ−Ｘ−Ｏ系磁性膜２が設けられる。図
２中、１１は冷却キャンロール、１２は支持体１の供給
側ロール、１３は支持体１の巻取側ロール、１４は遮蔽
板、１５はルツボ、１６は金属Ｍ、１７は電子銃、１８
は真空容器、１９はイオン銃である。そして、１０-4〜
１０-6Ｔｏｒｒ程度の真空雰囲気下でＦｅ，Ｆｅ−Ｎ
ｉ，Ｆｅ−Ｃｏ，Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ等の金属Ｍを抵抗加
熱、高周波加熱、電子ビーム加熱などにより蒸発させ、
支持体１のアンダーコート層上に堆積（蒸着）させるこ
とにより、Ｍ膜が形成される。この時、イオン銃１９に
窒素ガス（あるいはメタン等の炭化水素ガス）及び酸素
ガスが供給されると、窒素イオン（あるいは炭素イオ
ン）と酸素イオンとが放出され、これらのイオンが支持
体１上に蒸着したＭ膜に衝突し、Ｍ−Ｎ−Ｏ系膜（ある
いはＭ−Ｃ−Ｏ系膜）に変換する。尚、酸素イオンを照
射するのではなく、酸素ガスを供給しても良く、このよ
うな場合には酸素ガス供給管のノズル口が蒸着Ｍ膜の近
傍に配設された装置を用いれば良い。又、酸素イオンや
酸素ガスを照射しなくても、真空容器１８内に酸素をあ
る程度存在させておれば、この酸素が衝突することにな
り、本発明の磁性膜に変換される。炭素イオン（及び／
又は窒素イオン）及び酸素イオン（又は酸素ガス）の照
射量は、Ｍ−Ｘ−Ｏ系磁性膜のＸ量やＯ量に応じて制御
される。
【００２１】図２に示すイオンアシスト斜め蒸着装置に
は、ＣＯやＮＯを供給するノズル２０が設けられてい
る。そして、Ｍ−Ｘ−Ｏ系磁性膜の成膜終了部の位置に
向けてＣＯやＮＯが供給される。これによって、構成さ
れたＭ−Ｘ−Ｏ磁性膜の表面層におけるＯ量は相対的に
少なくなり、本発明になる磁性膜が得られる。尚、ＣＯ
やＮＯ等の酸化性物質を補足する補足物質を供給する目
標位置（成膜終了部）は、図３における最小入射角部が
好ましい部分である。又、成膜接線方向に向けて照射し
ても良い。
は、ＣＯやＮＯを供給するノズル２０が設けられてい
る。そして、Ｍ−Ｘ−Ｏ系磁性膜の成膜終了部の位置に
向けてＣＯやＮＯが供給される。これによって、構成さ
れたＭ−Ｘ−Ｏ磁性膜の表面層におけるＯ量は相対的に
少なくなり、本発明になる磁性膜が得られる。尚、ＣＯ
やＮＯ等の酸化性物質を補足する補足物質を供給する目
標位置（成膜終了部）は、図３における最小入射角部が
好ましい部分である。又、成膜接線方向に向けて照射し
ても良い。
【００２２】又、必要に応じて磁性膜２の上に厚さが１
０〜２００Å程度の保護膜を設けても良い。この保護膜
は、例えばダイヤモンドライクカーボン、グラファイト
等のカーボン膜、酸化珪素、炭化珪素などの含珪素膜な
どで構成される。これらの中でも、ダイヤモンドライク
カーボンが好ましい。３は、磁性膜２の上に設けられた
潤滑剤層である。すなわち、炭化水素系の潤滑剤やパー
フルオロポリエーテル等のフッ素系潤滑剤、特にフッ素
系潤滑剤を含有させた塗料を所定の手段で塗布すること
により、約２〜５０Å、好ましくは約１０〜３０Å程度
の厚さの潤滑剤層３が設けられる。
０〜２００Å程度の保護膜を設けても良い。この保護膜
は、例えばダイヤモンドライクカーボン、グラファイト
等のカーボン膜、酸化珪素、炭化珪素などの含珪素膜な
どで構成される。これらの中でも、ダイヤモンドライク
カーボンが好ましい。３は、磁性膜２の上に設けられた
潤滑剤層である。すなわち、炭化水素系の潤滑剤やパー
フルオロポリエーテル等のフッ素系潤滑剤、特にフッ素
系潤滑剤を含有させた塗料を所定の手段で塗布すること
により、約２〜５０Å、好ましくは約１０〜３０Å程度
の厚さの潤滑剤層３が設けられる。
【００２３】４は、支持体１の他面に設けられたカーボ
ンブラック等を含有させた厚さが０．０５〜１μｍ程度
のバックコート層である。尚、バックコート層４は、Ａ
ｌ−Ｃｕ合金等の金属を蒸着させて形成したものであっ
ても良い。
ンブラック等を含有させた厚さが０．０５〜１μｍ程度
のバックコート層である。尚、バックコート層４は、Ａ
ｌ−Ｃｕ合金等の金属を蒸着させて形成したものであっ
ても良い。
【００２４】
【実施例１】図２に示されるイオンアシスト斜め蒸着装
置に６．３μｍ厚の支持体（ＰＥＴフィルム）１を装着
し、ＰＥＴフィルム１が０．８ｍ／分の走行速度で走行
させられている。酸化マグネシウム製のルツボ１５にＦ
ｅが入っており、８ｋＷの電子銃１７を作動させてＦｅ
を蒸発させ、ＰＥＴフィルム１にＦｅを蒸着（Ｆｅ蒸気
の入射角６７°）させると共に、窒素ガス及び酸素ガス
を出力５００ＷのＥＣＲ型イオン銃１９に供給（窒素ガ
ス量は５ｓｃｃｍ、酸素ガス量は１ｓｃｃｍ）し、ＰＥ
Ｔフィルム１に向けて窒素イオン及び酸素イオンを照射
する。
置に６．３μｍ厚の支持体（ＰＥＴフィルム）１を装着
し、ＰＥＴフィルム１が０．８ｍ／分の走行速度で走行
させられている。酸化マグネシウム製のルツボ１５にＦ
ｅが入っており、８ｋＷの電子銃１７を作動させてＦｅ
を蒸発させ、ＰＥＴフィルム１にＦｅを蒸着（Ｆｅ蒸気
の入射角６７°）させると共に、窒素ガス及び酸素ガス
を出力５００ＷのＥＣＲ型イオン銃１９に供給（窒素ガ
ス量は５ｓｃｃｍ、酸素ガス量は１ｓｃｃｍ）し、ＰＥ
Ｔフィルム１に向けて窒素イオン及び酸素イオンを照射
する。
【００２５】又、ノズル２０により蒸着膜に向けてＣＯ
を８ｓｃｃｍ供給した。このイオンアシスト斜め蒸着に
よりＦｅ−Ｎ−Ｏ系の磁性膜（Ｆｅ量；８２ａｔ．％，
Ｎ量；１２ａｔ．％，Ｏ量；６ａｔ．％）が１８５０Å
厚設けられ、図１に示す８ｍｍＶＴＲ用磁気テープを作
製した。尚、潤滑剤としてパーフルオロポリエーテル、
バックコート層はカーボンブラック含有塗料の塗布によ
るものである。
を８ｓｃｃｍ供給した。このイオンアシスト斜め蒸着に
よりＦｅ−Ｎ−Ｏ系の磁性膜（Ｆｅ量；８２ａｔ．％，
Ｎ量；１２ａｔ．％，Ｏ量；６ａｔ．％）が１８５０Å
厚設けられ、図１に示す８ｍｍＶＴＲ用磁気テープを作
製した。尚、潤滑剤としてパーフルオロポリエーテル、
バックコート層はカーボンブラック含有塗料の塗布によ
るものである。
【００２６】そして、この８ｍｍＶＴＲ用磁気テープを
オージェ電子分光分析により調べ、縦軸にＦｅ量、Ｎ
量、Ｏ量、及びＣ量（Ｆｅ量＋Ｎ量＋Ｏ量＋Ｃ量＝１０
０％）を、横軸にスパッタ時間をとると、図４に示す通
りであり、磁性膜のスパッタ終了に至るまでの半分の領
域においてはＯ量に山（ピーク）が認められない。すな
わち、磁性膜の厚さの１／９の深さまでにおけるいずれ
の位置においてもＯの相対量（Ｏ量／Ｆｅ量＋Ｎ量＋Ｏ
量）が磁性膜の厚さの１／２の深さにおけるＯの相対量
（Ｏ量／Ｆｅ量＋Ｎ量＋Ｏ量）より多くない。尚、ここ
で磁性膜の界面は、ＦｅとＣとのラインが交差するポイ
ントとする。
オージェ電子分光分析により調べ、縦軸にＦｅ量、Ｎ
量、Ｏ量、及びＣ量（Ｆｅ量＋Ｎ量＋Ｏ量＋Ｃ量＝１０
０％）を、横軸にスパッタ時間をとると、図４に示す通
りであり、磁性膜のスパッタ終了に至るまでの半分の領
域においてはＯ量に山（ピーク）が認められない。すな
わち、磁性膜の厚さの１／９の深さまでにおけるいずれ
の位置においてもＯの相対量（Ｏ量／Ｆｅ量＋Ｎ量＋Ｏ
量）が磁性膜の厚さの１／２の深さにおけるＯの相対量
（Ｏ量／Ｆｅ量＋Ｎ量＋Ｏ量）より多くない。尚、ここ
で磁性膜の界面は、ＦｅとＣとのラインが交差するポイ
ントとする。
【００２７】
【実施例２】実施例１において、イオン銃１９への供給
量を窒素ガスは１０ｓｃｃｍ、酸素ガスは５ｓｃｃｍと
した以外は実施例１に準じて行い、Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系の磁
性膜（Ｆｅ量；７３ａｔ．％，Ｎ量；１５ａｔ．％，Ｏ
量；１２ａｔ．％）を有する８ｍｍＶＴＲ用磁気テープ
を得た。
量を窒素ガスは１０ｓｃｃｍ、酸素ガスは５ｓｃｃｍと
した以外は実施例１に準じて行い、Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系の磁
性膜（Ｆｅ量；７３ａｔ．％，Ｎ量；１５ａｔ．％，Ｏ
量；１２ａｔ．％）を有する８ｍｍＶＴＲ用磁気テープ
を得た。
【００２８】この８ｍｍＶＴＲ用磁気テープをオージェ
電子分光分析により調べ、縦軸にＦｅ量、Ｎ量、Ｏ量、
及びＣ量（Ｆｅ量＋Ｎ量＋Ｏ量＋Ｃ量＝１００％）を、
横軸にスパッタ時間をとると、図５に示す通りであり、
磁性膜のスパッタ終了に至るまでの半分の領域において
はＯ量にピークが認められない。すなわち、磁性膜の厚
さの１／９の深さまでにおけるいずれの位置においても
Ｏの相対量（Ｏ量／Ｆｅ量＋Ｎ量＋Ｏ量）が磁性膜の厚
さの１／２の深さにおけるＯの相対量（Ｏ量／Ｆｅ量＋
Ｎ量＋Ｏ量）より多くない。
電子分光分析により調べ、縦軸にＦｅ量、Ｎ量、Ｏ量、
及びＣ量（Ｆｅ量＋Ｎ量＋Ｏ量＋Ｃ量＝１００％）を、
横軸にスパッタ時間をとると、図５に示す通りであり、
磁性膜のスパッタ終了に至るまでの半分の領域において
はＯ量にピークが認められない。すなわち、磁性膜の厚
さの１／９の深さまでにおけるいずれの位置においても
Ｏの相対量（Ｏ量／Ｆｅ量＋Ｎ量＋Ｏ量）が磁性膜の厚
さの１／２の深さにおけるＯの相対量（Ｏ量／Ｆｅ量＋
Ｎ量＋Ｏ量）より多くない。
【００２９】
【実施例３】実施例１において、イオン銃１９への供給
量を窒素ガスは６ｓｃｃｍ、酸素ガスは０ｓｃｃｍとし
た以外は実施例１に準じて行い、８ｍｍＶＴＲ用磁気テ
ープを得た。但し、真空容器１８内には多少の酸素が残
されており、この酸素によってＦｅ−Ｎ−Ｏ系の磁性膜
（Ｆｅ量；８３ａｔ．％，Ｎ量；１２ａｔ．％，Ｏ量；
５ａｔ．％）となっている。
量を窒素ガスは６ｓｃｃｍ、酸素ガスは０ｓｃｃｍとし
た以外は実施例１に準じて行い、８ｍｍＶＴＲ用磁気テ
ープを得た。但し、真空容器１８内には多少の酸素が残
されており、この酸素によってＦｅ−Ｎ−Ｏ系の磁性膜
（Ｆｅ量；８３ａｔ．％，Ｎ量；１２ａｔ．％，Ｏ量；
５ａｔ．％）となっている。
【００３０】この８ｍｍＶＴＲ用磁気テープをオージェ
電子分光分析により調べ、縦軸にＦｅ量、Ｎ量、Ｏ量、
及びＣ量（Ｆｅ量＋Ｎ量＋Ｏ量＋Ｃ量＝１００％）を、
横軸にスパッタ時間をとると、図６に示す通りであり、
磁性膜のスパッタ終了に至るまでの半分の領域において
はＯ量にピークが認められない。すなわち、磁性膜の厚
さの１／９の深さまでにおけるいずれの位置においても
Ｏの相対量（Ｏ量／Ｆｅ量＋Ｎ量＋Ｏ量）が磁性膜の厚
さの１／２の深さにおけるＯの相対量（Ｏ量／Ｆｅ量＋
Ｎ量＋Ｏ量）より多くない。
電子分光分析により調べ、縦軸にＦｅ量、Ｎ量、Ｏ量、
及びＣ量（Ｆｅ量＋Ｎ量＋Ｏ量＋Ｃ量＝１００％）を、
横軸にスパッタ時間をとると、図６に示す通りであり、
磁性膜のスパッタ終了に至るまでの半分の領域において
はＯ量にピークが認められない。すなわち、磁性膜の厚
さの１／９の深さまでにおけるいずれの位置においても
Ｏの相対量（Ｏ量／Ｆｅ量＋Ｎ量＋Ｏ量）が磁性膜の厚
さの１／２の深さにおけるＯの相対量（Ｏ量／Ｆｅ量＋
Ｎ量＋Ｏ量）より多くない。
【００３１】
【比較例１】実施例１において、ノズル２０に何も供給
しなかった以外は実施例１に準じて行い、Ｆｅ−Ｎ−Ｏ
系の磁性膜（Ｆｅ量；６３ａｔ．％，Ｎ量；１６ａｔ．
％，Ｏ量；２１ａｔ．％）を有する８ｍｍＶＴＲ用磁気
テープを得た。この８ｍｍＶＴＲ用磁気テープをオージ
ェ電子分光分析により調べ、縦軸にＦｅ量、Ｎ量、Ｏ
量、及びＣ量（Ｆｅ量＋Ｎ量＋Ｏ量＋Ｃ量＝１００％）
を、横軸にスパッタ時間をとると、図７に示す通りであ
り、磁性膜のスパッタ終了に至るまでの半分の領域にお
いてＯ量にピークが認められる。
しなかった以外は実施例１に準じて行い、Ｆｅ−Ｎ−Ｏ
系の磁性膜（Ｆｅ量；６３ａｔ．％，Ｎ量；１６ａｔ．
％，Ｏ量；２１ａｔ．％）を有する８ｍｍＶＴＲ用磁気
テープを得た。この８ｍｍＶＴＲ用磁気テープをオージ
ェ電子分光分析により調べ、縦軸にＦｅ量、Ｎ量、Ｏ
量、及びＣ量（Ｆｅ量＋Ｎ量＋Ｏ量＋Ｃ量＝１００％）
を、横軸にスパッタ時間をとると、図７に示す通りであ
り、磁性膜のスパッタ終了に至るまでの半分の領域にお
いてＯ量にピークが認められる。
【００３２】すなわち、磁性膜の厚さの１／９の深さま
でにおける表面層においてＯの相対量（Ｏ量／Ｆｅ量＋
Ｎ量＋Ｏ量）が磁性膜の厚さの１／２の深さにおけるＯ
の相対量（Ｏ量／Ｆｅ量＋Ｎ量＋Ｏ量）より多い。
でにおける表面層においてＯの相対量（Ｏ量／Ｆｅ量＋
Ｎ量＋Ｏ量）が磁性膜の厚さの１／２の深さにおけるＯ
の相対量（Ｏ量／Ｆｅ量＋Ｎ量＋Ｏ量）より多い。
【００３３】
【実施例４】実施例１において、イオン銃１９への供給
量をメタンガスを３０ｓｃｃｍ、酸素ガスを５ｓｃｃｍ
とした以外は実施例１に準じて行い、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系の
磁性膜（Ｆｅ量；７４ａｔ．％，Ｃ量；１５ａｔ．％，
Ｏ量；１１ａｔ．％）を有する８ｍｍＶＴＲ用磁気テー
プを得た。
量をメタンガスを３０ｓｃｃｍ、酸素ガスを５ｓｃｃｍ
とした以外は実施例１に準じて行い、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系の
磁性膜（Ｆｅ量；７４ａｔ．％，Ｃ量；１５ａｔ．％，
Ｏ量；１１ａｔ．％）を有する８ｍｍＶＴＲ用磁気テー
プを得た。
【００３４】この８ｍｍＶＴＲ用磁気テープをオージェ
電子分光分析により調べ、縦軸にＦｅ量、Ｃ量、及びＯ
量（Ｆｅ量＋Ｃ量＋Ｏ量＝１００％）を、横軸にスパッ
タ時間をとると、図８に示す通りであり、磁性膜のスパ
ッタ終了に至るまでの半分の領域においてはＯ量にピー
クが認められない。すなわち、磁性膜の厚さの１／９の
深さまでにおけるいずれの位置においてもＯの相対量
（Ｏ量／Ｆｅ量＋Ｃ量＋Ｏ量）が磁性膜の厚さの１／２
の深さにおけるＯの相対量（Ｏ量／Ｆｅ量＋Ｃ量＋Ｏ
量）より多くない。
電子分光分析により調べ、縦軸にＦｅ量、Ｃ量、及びＯ
量（Ｆｅ量＋Ｃ量＋Ｏ量＝１００％）を、横軸にスパッ
タ時間をとると、図８に示す通りであり、磁性膜のスパ
ッタ終了に至るまでの半分の領域においてはＯ量にピー
クが認められない。すなわち、磁性膜の厚さの１／９の
深さまでにおけるいずれの位置においてもＯの相対量
（Ｏ量／Ｆｅ量＋Ｃ量＋Ｏ量）が磁性膜の厚さの１／２
の深さにおけるＯの相対量（Ｏ量／Ｆｅ量＋Ｃ量＋Ｏ
量）より多くない。
【００３５】
【比較例２】実施例４において、ノズル２０に何も供給
しなかった以外は実施例４に準じて行い、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ
系の磁性膜（Ｆｅ量；６４ａｔ．％，Ｃ量；１５ａｔ．
％，Ｏ量；２１ａｔ．％）を有する８ｍｍＶＴＲ用磁気
テープを得た。この８ｍｍＶＴＲ用磁気テープをオージ
ェ電子分光分析により調べ、縦軸にＦｅ量、Ｃ量、及び
Ｏ量（Ｆｅ量＋Ｃ量＋Ｏ量＝１００％）を、横軸にスパ
ッタ時間をとると、図９に示す通りであり、磁性膜のス
パッタ終了に至るまでの半分の領域においてＯ量にピー
クが認められる。
しなかった以外は実施例４に準じて行い、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ
系の磁性膜（Ｆｅ量；６４ａｔ．％，Ｃ量；１５ａｔ．
％，Ｏ量；２１ａｔ．％）を有する８ｍｍＶＴＲ用磁気
テープを得た。この８ｍｍＶＴＲ用磁気テープをオージ
ェ電子分光分析により調べ、縦軸にＦｅ量、Ｃ量、及び
Ｏ量（Ｆｅ量＋Ｃ量＋Ｏ量＝１００％）を、横軸にスパ
ッタ時間をとると、図９に示す通りであり、磁性膜のス
パッタ終了に至るまでの半分の領域においてＯ量にピー
クが認められる。
【００３６】すなわち、磁性膜の厚さの１／９の深さま
でにおける表面層においてＯの相対量（Ｏ量／Ｆｅ量＋
Ｃ量＋Ｏ量）が磁性膜の厚さの１／２の深さにおけるＯ
の相対量（Ｏ量／Ｆｅ量＋Ｃ量＋Ｏ量）より多い。
でにおける表面層においてＯの相対量（Ｏ量／Ｆｅ量＋
Ｃ量＋Ｏ量）が磁性膜の厚さの１／２の深さにおけるＯ
の相対量（Ｏ量／Ｆｅ量＋Ｃ量＋Ｏ量）より多い。
【００３７】
【特性】上記各例で得られた磁気テープについて、静磁
気特性（保磁力Ｈｃ、飽和磁束密度Ｂｓ）及び電磁変換
特性（再生出力）を調べたので、その結果を表−１に示
す。 表−１ Ｈｃ（Ｏｅ） Ｂｓ（Ｇ） 再生出力（ｄＢ） １MHz ５MHz 10MHz 15MHz 実施例１ １５９０ ６８００ ＋０．５ ＋０．６ ＋１．０ ＋２．１ 実施例２ １７２０ ６０００ ＋０．２ ＋０．２ ＋１．７ ＋３．１ 実施例３ １４３０ ７６００ ＋１．５ ＋１．２ ＋０．５ ＋０．４ 比較例１ １５８０ ６０００ ０ ０ ０ ０ 実施例４ １６３０ ６５００ ＋０．３ ＋０．５ ＋０．９ ＋１．９ 比較例２ １５９０ ５８００ −０．３ −０．２ −０．２ −０．１ ＊出力：Ｈｉ８ＶＴＲを改造した装置に装填し、１〜15MHz での出力を測定 比較例１を基準に表示
気特性（保磁力Ｈｃ、飽和磁束密度Ｂｓ）及び電磁変換
特性（再生出力）を調べたので、その結果を表−１に示
す。 表−１ Ｈｃ（Ｏｅ） Ｂｓ（Ｇ） 再生出力（ｄＢ） １MHz ５MHz 10MHz 15MHz 実施例１ １５９０ ６８００ ＋０．５ ＋０．６ ＋１．０ ＋２．１ 実施例２ １７２０ ６０００ ＋０．２ ＋０．２ ＋１．７ ＋３．１ 実施例３ １４３０ ７６００ ＋１．５ ＋１．２ ＋０．５ ＋０．４ 比較例１ １５８０ ６０００ ０ ０ ０ ０ 実施例４ １６３０ ６５００ ＋０．３ ＋０．５ ＋０．９ ＋１．９ 比較例２ １５９０ ５８００ −０．３ −０．２ −０．２ −０．１ ＊出力：Ｈｉ８ＶＴＲを改造した装置に装填し、１〜15MHz での出力を測定 比較例１を基準に表示
【００３８】
【発明の効果】低域から高域全般にわたって高い出力が
得られる。
得られる。
【図１】磁気記録媒体の概略断面図
【図２】磁気記録媒体製造装置の概略図
【図３】磁気記録媒体製造装置の要部概略図
【図４】実施例１の磁気テープのオージェ電子分光分析
図
図
【図５】実施例２の磁気テープのオージェ電子分光分析
図
図
【図６】実施例３の磁気テープのオージェ電子分光分析
図
図
【図７】比較例１の磁気テープのオージェ電子分光分析
図
図
【図８】実施例４の磁気テープのオージェ電子分光分析
図
図
【図９】比較例２の磁気テープのオージェ電子分光分析
図
図
１ 支持体 ２ 磁性膜（Ｍ−Ｘ−Ｏ系磁性膜）
Claims (6)
- 【請求項１】 Ｍ−Ｘ−Ｏ（Ｍは磁性を有する金属元素
の中から選ばれる少なくとも一つ、ＸはＯ以外の非金属
元素の中から選ばれる少なくとも一つ）系の磁性膜を備
えてなり、 前記磁性膜の厚さの１／９の深さまでにおけるいずれの
位置においてもＯの相対量（Ｏ量／Ｍ量＋Ｘ量＋Ｏ量）
が磁性膜の厚さの１／２の深さにおけるＯの相対量（Ｏ
量／Ｍ量＋Ｘ量＋Ｏ量）より多くないことを特徴とする
磁気記録媒体。 - 【請求項２】 Ｍ−Ｘ−Ｏ（Ｍは磁性を有する金属元素
の中から選ばれる少なくとも一つ、ＸはＯ以外の非金属
元素の中から選ばれる少なくとも一つ）系の磁性膜を備
えてなり、 前記磁性膜のオージェ電子分光分析において、縦軸にＭ
量、Ｘ量、及びＯ量（Ｍ量＋Ｘ量＋Ｏ量＝１００％）
を、横軸にスパッタ時間をとると、磁性膜のスパッタ終
了に至るまでの半分の領域においてはＯ量に山が認めら
れないものであることを特徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項３】 支持体上に酸化性物質の存在下でＭ−Ｘ
−Ｏ（Ｍは磁性を有する金属元素の中から選ばれる少な
くとも一つ、ＸはＯ以外の非金属元素の中から選ばれる
少なくとも一つ）系の磁性膜を成膜する工程を有する磁
気記録媒体の製造方法であって、 前記Ｍ−Ｘ−Ｏ系の磁性膜の成膜終了部に向けて酸化性
物質を補足する補足物質を供給することを特徴とする磁
気記録媒体の製造方法。 - 【請求項４】 支持体上にＭ−Ｘ−Ｏ（Ｍは磁性を有す
る金属元素の中から選ばれる少なくとも一つ、ＸはＯ以
外の非金属元素の中から選ばれる少なくとも一つ）系の
磁性膜を有する磁気記録媒体の製造方法であって、 支持体上にＭを堆積させる堆積工程と、 Ｘイオンを堆積膜に衝突させる衝突工程と、 Ｏイオンを堆積膜に衝突させる衝突工程と、 前記衝突工程により構成されたＭ−Ｘ−Ｏ系の磁性膜に
向けて酸化性物質を補足する補足物質を供給する供給工
程とを具備することを特徴とする磁気記録媒体の製造方
法。 - 【請求項５】 支持体上にＭ−Ｘ−Ｏ（Ｍは磁性を有す
る金属元素の中から選ばれる少なくとも一つ、ＸはＯ以
外の非金属元素の中から選ばれる少なくとも一つ）系の
磁性膜を有する磁気記録媒体の製造方法であって、 支持体上にＭを堆積させる堆積工程と、 Ｘイオンを堆積膜に衝突させる衝突工程と、 酸化性ガスを堆積膜に衝突させる衝突工程と、 前記衝突工程により構成されたＭ−Ｘ−Ｏ系の磁性膜に
向けて酸化性ガスを補足する補足物質を供給する供給工
程とを具備することを特徴とする磁気記録媒体の製造方
法。 - 【請求項６】 支持体上にＭ−Ｘ−Ｏ（Ｍは磁性を有す
る金属元素の中から選ばれる少なくとも一つ、ＸはＯ以
外の非金属元素の中から選ばれる少なくとも一つ）系の
磁性膜を有する磁気記録媒体の製造装置であって、 支持体上にＭを堆積させる堆積手段と、 Ｘイオンを堆積膜に衝突させる衝突手段と、 Ｏイオンあるいは酸化性ガスを堆積膜に衝突させる衝突
手段と、 構成されたＭ−Ｘ−Ｏ系の磁性膜に向けて酸化性物質を
補足する補足物質を供給する供給手段とを具備すること
を特徴とする磁気記録媒体の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25301895A JPH0991671A (ja) | 1995-09-29 | 1995-09-29 | 磁気記録媒体及びその製造方法並びに製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25301895A JPH0991671A (ja) | 1995-09-29 | 1995-09-29 | 磁気記録媒体及びその製造方法並びに製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0991671A true JPH0991671A (ja) | 1997-04-04 |
Family
ID=17245348
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25301895A Pending JPH0991671A (ja) | 1995-09-29 | 1995-09-29 | 磁気記録媒体及びその製造方法並びに製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0991671A (ja) |
-
1995
- 1995-09-29 JP JP25301895A patent/JPH0991671A/ja active Pending
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