JPH1012187A - イオントラップ質量分析計 - Google Patents
イオントラップ質量分析計Info
- Publication number
- JPH1012187A JPH1012187A JP8159495A JP15949596A JPH1012187A JP H1012187 A JPH1012187 A JP H1012187A JP 8159495 A JP8159495 A JP 8159495A JP 15949596 A JP15949596 A JP 15949596A JP H1012187 A JPH1012187 A JP H1012187A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrodes
- mass spectrometer
- ion trap
- trapping field
- heating means
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Electron Tubes For Measurement (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】高沸点成分の質量分析を可能とした質量分析計
を提供する。 【解決手段】トラップ場を構成するエンドキャップ５，
６の側面に各々円板状のセラミックヒータ１８，１９を
ねじ２０で接触した状態で取り付ける。セラミックヒー
タ１８，１９には電源線２１が各々２本ずつ接続され
る。セラミックヒータ１８の近くには、温度センサ２２
が取り付けられ、セラミックヒータ１８，１９に電源線
２１を通して電源を供給し、トラップ場を構成している
エンドキャップ５，６とリング電極７を加熱する。
を提供する。 【解決手段】トラップ場を構成するエンドキャップ５，
６の側面に各々円板状のセラミックヒータ１８，１９を
ねじ２０で接触した状態で取り付ける。セラミックヒー
タ１８，１９には電源線２１が各々２本ずつ接続され
る。セラミックヒータ１８の近くには、温度センサ２２
が取り付けられ、セラミックヒータ１８，１９に電源線
２１を通して電源を供給し、トラップ場を構成している
エンドキャップ５，６とリング電極７を加熱する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、複数の電極のうち
少なくとも一つの電極の側面に接触して設けた加熱手段
および電極内に埋め込んだ加熱手段を備えたイオントラ
ップ形質量分析計に関する。
少なくとも一つの電極の側面に接触して設けた加熱手段
および電極内に埋め込んだ加熱手段を備えたイオントラ
ップ形質量分析計に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、イオントラップ形質量分析計で
は、外部より導入された試料をトラップ場のなかでイオ
ン化し質量分離して分析する。ここでトラップ場を加熱
する一般的な手段として、トラップ場を構成する複数の
電極から離れたところにトラップ場全体を非接触で囲む
ような加熱手段を設け複数の電極に囲まれたトラップ場
を加熱していた。
は、外部より導入された試料をトラップ場のなかでイオ
ン化し質量分離して分析する。ここでトラップ場を加熱
する一般的な手段として、トラップ場を構成する複数の
電極から離れたところにトラップ場全体を非接触で囲む
ような加熱手段を設け複数の電極に囲まれたトラップ場
を加熱していた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の方法で
は加熱手段がトラップ場を構成している複数の電極に接
触していないため、複数の電極の温度が精度良く設定温
度にならない。同時に加熱手段からの隔離によって各電
極が同一温度にならない。そのため、複数の電極の実温
度よりも高い沸点を有する試料が外部から導入された場
合、トラップ場でイオン化される前の中性分子は複数の
電極のうち少なくとも一つの電極に吸着してしまい、試
料イオンが生成されないという欠点があった。
は加熱手段がトラップ場を構成している複数の電極に接
触していないため、複数の電極の温度が精度良く設定温
度にならない。同時に加熱手段からの隔離によって各電
極が同一温度にならない。そのため、複数の電極の実温
度よりも高い沸点を有する試料が外部から導入された場
合、トラップ場でイオン化される前の中性分子は複数の
電極のうち少なくとも一つの電極に吸着してしまい、試
料イオンが生成されないという欠点があった。
【０００４】本発明の目的は、高沸点成分の質量分析を
可能としたイオントラップ形質量分析計を提供すること
にある。
可能としたイオントラップ形質量分析計を提供すること
にある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を達成するため
に、本発明ではトラップ場を構成している複数の電極の
うち少なくとも一つの電極の側面に接触して設けた加熱
手段および電極内に埋め込んだ加熱手段を備える。
に、本発明ではトラップ場を構成している複数の電極の
うち少なくとも一つの電極の側面に接触して設けた加熱
手段および電極内に埋め込んだ加熱手段を備える。
【０００６】トラップ場を構成している複数の電極のう
ち少なくとも一つの電極の側面に接触して設けた加熱手
段および電極内に埋め込んだ加熱手段により、複数の電
極が精度良く設定温度になり、また各電極を同一温度に
加熱することで、高沸点成分（沸点１５０℃以上）がト
ラップ場に導入された場合でも質量分析が行えるように
作用する。
ち少なくとも一つの電極の側面に接触して設けた加熱手
段および電極内に埋め込んだ加熱手段により、複数の電
極が精度良く設定温度になり、また各電極を同一温度に
加熱することで、高沸点成分（沸点１５０℃以上）がト
ラップ場に導入された場合でも質量分析が行えるように
作用する。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例を図面を用
いて説明する。図２に質量分析を行う際のイオントラッ
プ形質量分析計のブロック図を示す。一般に、イオント
ラップ形質量分析計は電子を出射するフィラメント２
と、それを加熱するフィラメント電源１がある。イオン
トラップはリング電極７とエンドキャップ５および６に
より構成され、リング電極７とエンドキャップ５および
６で取り囲まれる区域１５がトラップ場となる。フィラ
メント２がフィラメント電源１によって加熱されると、
電子がフィラメント２から放射される。このとき、円筒
状ゲート電極３がフィラメント・レンズ制御装置４によ
って制御され、フィラメント２から放射される電子を望
むようにゲートで開閉する。これにより、エンドキャッ
プ５の開口部を通して区域１５に電子が導入される。高
周波電圧発生器８のスイッチが入って電極７と電極５お
よび６の間に高周波電圧が印加されると、電極７と電極
５および６によって取り囲まれる区域１５のなかに双曲
電界が生成される。フィラメント２から導入されてきた
電子によって、外部からの試料導入経路１４から区域１
５に導入されてきた試料がイオン化され、生成したイオ
ンを双曲電界内に蓄積することができる。イオンを外置
きの検出器１０によって検出するために、エンドキャッ
プ６の開口部と検出器１０の間にイオンレンズ電極１６
を設ける。イオンレンズ制御装置１７によってイオンレ
ンズ電極１６を制御することでイオンレンズを開閉し、
区域１５でイオン化された試料イオンを区域１５からエ
ンドキャップ６の開口部を通して検出器１０により検出
する。増幅器１１では、検出器１０の出力で集められる
電流信号を受け取り、電圧信号に変換する。電圧信号
は、プロセッサ１３内で処理するために、記憶装置１２
のなかに記憶される。コンピュータ制御装置９によっ
て、高周波電圧発生器８，フィラメント・レンズ制御装
置４，イオンレンズ制御装置１２を制御するための制御
信号が生成される。コンピュータ制御装置９によって、
プロセッサ１３から受け取る指令に応答して、高周波電
圧発生器８，フィラメント・レンズ制御装置４，イオン
レンズ制御装置１２へ制御信号が送り出され、プロセッ
サ１３からの要求に応答して、プロセッサ１３へデータ
が送り出される。
いて説明する。図２に質量分析を行う際のイオントラッ
プ形質量分析計のブロック図を示す。一般に、イオント
ラップ形質量分析計は電子を出射するフィラメント２
と、それを加熱するフィラメント電源１がある。イオン
トラップはリング電極７とエンドキャップ５および６に
より構成され、リング電極７とエンドキャップ５および
６で取り囲まれる区域１５がトラップ場となる。フィラ
メント２がフィラメント電源１によって加熱されると、
電子がフィラメント２から放射される。このとき、円筒
状ゲート電極３がフィラメント・レンズ制御装置４によ
って制御され、フィラメント２から放射される電子を望
むようにゲートで開閉する。これにより、エンドキャッ
プ５の開口部を通して区域１５に電子が導入される。高
周波電圧発生器８のスイッチが入って電極７と電極５お
よび６の間に高周波電圧が印加されると、電極７と電極
５および６によって取り囲まれる区域１５のなかに双曲
電界が生成される。フィラメント２から導入されてきた
電子によって、外部からの試料導入経路１４から区域１
５に導入されてきた試料がイオン化され、生成したイオ
ンを双曲電界内に蓄積することができる。イオンを外置
きの検出器１０によって検出するために、エンドキャッ
プ６の開口部と検出器１０の間にイオンレンズ電極１６
を設ける。イオンレンズ制御装置１７によってイオンレ
ンズ電極１６を制御することでイオンレンズを開閉し、
区域１５でイオン化された試料イオンを区域１５からエ
ンドキャップ６の開口部を通して検出器１０により検出
する。増幅器１１では、検出器１０の出力で集められる
電流信号を受け取り、電圧信号に変換する。電圧信号
は、プロセッサ１３内で処理するために、記憶装置１２
のなかに記憶される。コンピュータ制御装置９によっ
て、高周波電圧発生器８，フィラメント・レンズ制御装
置４，イオンレンズ制御装置１２を制御するための制御
信号が生成される。コンピュータ制御装置９によって、
プロセッサ１３から受け取る指令に応答して、高周波電
圧発生器８，フィラメント・レンズ制御装置４，イオン
レンズ制御装置１２へ制御信号が送り出され、プロセッ
サ１３からの要求に応答して、プロセッサ１３へデータ
が送り出される。
【０００８】図１はトラップ場を構成しているエンドキ
ャップ５および６の側面に加熱手段を接触して設けた状
態の斜視図を示す。トラップ場を構成するエンドキャッ
プ５および６の側面に各々円板状のセラミックヒータ１
８と１９をねじ２０を使用して接触した状態で取り付け
る。このとき、セラミックヒータ１８と１９は同じ加熱
性能を有するものを使用するのが望ましい。セラミック
ヒータ１８と１９には電源供給のための電源線２１が各
々２本ずつ接続されている。また、セラミックヒータ１
８の近くに温度センサ２２が、セラミックヒータ１８を
エンドキャップ６に接触して取り付けるためのねじ２０
によって取り付けられている。
ャップ５および６の側面に加熱手段を接触して設けた状
態の斜視図を示す。トラップ場を構成するエンドキャッ
プ５および６の側面に各々円板状のセラミックヒータ１
８と１９をねじ２０を使用して接触した状態で取り付け
る。このとき、セラミックヒータ１８と１９は同じ加熱
性能を有するものを使用するのが望ましい。セラミック
ヒータ１８と１９には電源供給のための電源線２１が各
々２本ずつ接続されている。また、セラミックヒータ１
８の近くに温度センサ２２が、セラミックヒータ１８を
エンドキャップ６に接触して取り付けるためのねじ２０
によって取り付けられている。
【０００９】図３は、図１でトラップ場を構成している
エンドキャップ５および６の側面に接触して設けた加熱
手段であるセラミックヒータ１８と１９を制御するため
の制御のブロック図を示す。ヒータ電源２３によってセ
ラミックヒータ１８と１９に電源を供給し、トラップ場
を構成しているエンドキャップ５および６とリング電極
７を加熱する。セラミックヒータ１８の近くに取り付け
られた温度センサ２２が常時セラミックヒータ１８の温
度を監視しており、コンピュータ制御装置９から送られ
る制御信号と温度センサ２２からの温度監視信号を温度
制御装置２４に送ることにより、ヒータ電源２３を投入
したり遮断したりすることで、セラミックヒータ１８の
温度を任意に制御することができる。セラミックヒータ
１８と１９は同じ加熱性能を有し、またヒータ電源２３
にはセラミックヒータ１８と１９は並列に接続されてい
ることから、セラミックヒータ１８の温度とセラミック
ヒータ１９の温度は等しくなるため、エンドキャップ５
および６の温度は均一になり、高沸点成分も吸着するこ
となく高感度で検出することができる。
エンドキャップ５および６の側面に接触して設けた加熱
手段であるセラミックヒータ１８と１９を制御するため
の制御のブロック図を示す。ヒータ電源２３によってセ
ラミックヒータ１８と１９に電源を供給し、トラップ場
を構成しているエンドキャップ５および６とリング電極
７を加熱する。セラミックヒータ１８の近くに取り付け
られた温度センサ２２が常時セラミックヒータ１８の温
度を監視しており、コンピュータ制御装置９から送られ
る制御信号と温度センサ２２からの温度監視信号を温度
制御装置２４に送ることにより、ヒータ電源２３を投入
したり遮断したりすることで、セラミックヒータ１８の
温度を任意に制御することができる。セラミックヒータ
１８と１９は同じ加熱性能を有し、またヒータ電源２３
にはセラミックヒータ１８と１９は並列に接続されてい
ることから、セラミックヒータ１８の温度とセラミック
ヒータ１９の温度は等しくなるため、エンドキャップ５
および６の温度は均一になり、高沸点成分も吸着するこ
となく高感度で検出することができる。
【００１０】
【発明の効果】本発明によれば、イオントラップ形質量
分析計を用いて試料の質量分析を行う際に、高沸点成分
（沸点１５０℃以上）に対しても質量分析を行うことが
できる。
分析計を用いて試料の質量分析を行う際に、高沸点成分
（沸点１５０℃以上）に対しても質量分析を行うことが
できる。
【図１】本発明の実施例を示すイオントラップ形質量分
析計のトラップ場を構成して電極の側面に加熱手段を接
触して設けた状態の斜視図。
析計のトラップ場を構成して電極の側面に加熱手段を接
触して設けた状態の斜視図。
【図２】質量分析を行う際のイオントラップ形質量分析
計のブロック図。
計のブロック図。
【図３】本発明の実施例を示す温度制御のブロック図。
５，６…エンドキャップ、７…リング電極、１８，１９
…センミックヒータ、２０…ねじ、２１…電源線、２２
…温度センサ。
…センミックヒータ、２０…ねじ、２１…電源線、２２
…温度センサ。
Claims (1)
- 【請求項１】トラップ場を囲むように設けられた複数の
電極と、試料をイオン化してイオン化した前記試料を前
記トラップ場に蓄積するイオン化手段と、前記複数の電
極のうち少なくとも一つの電極に交流電圧を印加してト
ラップ電界を発生させる電圧印加手段と、前記トラップ
場から前記イオン化された試料の質量分析手段とを含む
イオントラップ質量分析計において、前記複数の電極の
うち少なくとも一つの電極の側面に接触して設けた加熱
手段および電極内に埋め込んだ加熱手段を備えたことを
特徴とするイオントラップ質量分析計。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8159495A JPH1012187A (ja) | 1996-06-20 | 1996-06-20 | イオントラップ質量分析計 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8159495A JPH1012187A (ja) | 1996-06-20 | 1996-06-20 | イオントラップ質量分析計 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1012187A true JPH1012187A (ja) | 1998-01-16 |
Family
ID=15695024
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8159495A Pending JPH1012187A (ja) | 1996-06-20 | 1996-06-20 | イオントラップ質量分析計 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1012187A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017191737A (ja) * | 2016-04-14 | 2017-10-19 | 株式会社島津製作所 | イオントラップ質量分析装置 |
| RU231761U1 (ru) * | 2024-12-02 | 2025-02-10 | федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет)" | Устройство для нагрева и поддержания температуры узлов масс-спектрометрического комплекса высокого разрешения с гармонизированной ловушкой Кингдона |
-
1996
- 1996-06-20 JP JP8159495A patent/JPH1012187A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017191737A (ja) * | 2016-04-14 | 2017-10-19 | 株式会社島津製作所 | イオントラップ質量分析装置 |
| RU231761U1 (ru) * | 2024-12-02 | 2025-02-10 | федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет)" | Устройство для нагрева и поддержания температуры узлов масс-спектрометрического комплекса высокого разрешения с гармонизированной ловушкой Кингдона |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3648915B2 (ja) | ガスクロマトグラフ質量分析装置 | |
| CN108728800B (zh) | 用于真空环境中的多功能处理装置 | |
| JPH1012187A (ja) | イオントラップ質量分析計 | |
| JPH04206431A (ja) | 質量分析計イオン源装置 | |
| JPWO2018163950A1 (ja) | イオントラップ装置 | |
| CN111819658A (zh) | 包括电离器的装置 | |
| CN105097413B (zh) | 新型离子源及离子化方法 | |
| JPS6134686Y2 (ja) | ||
| JPH03285246A (ja) | 四重極質量分折装置 | |
| JPH1186778A (ja) | イオン化装置 | |
| JPS6023889Y2 (ja) | 四重極質量分析装置 | |
| JP3204062B2 (ja) | 液体クロマトグラフ質量分析装置 | |
| JP3535117B2 (ja) | イオントラップ型質量分析計 | |
| JPS5848771Y2 (ja) | 質量分析装置における共用イオン源 | |
| JPH0943201A (ja) | 液体クロマトグラフ質量分析装置 | |
| JP3551091B2 (ja) | イオントラップ形質量分析装置及びその制御方法 | |
| JPS6011551Y2 (ja) | 質量分析装置における共用イオン源 | |
| JPH0894579A (ja) | ガスクロマトグラフ−質量分析計 | |
| JP2558346Y2 (ja) | 含浸電極型金属イオン源 | |
| SE425937B (sv) | Sett och anordning for att analysera en jonstrale fran en jonkella | |
| JPS60225345A (ja) | 電界放射方法およびそれに用いる電子線装置 | |
| JPH044354Y2 (ja) | ||
| JPH0542612Y2 (ja) | ||
| JPS6127054A (ja) | エミツタｃｉ装置 | |
| JPH0636201U (ja) | 高温イオン源 |