JPH10209638A - 多層配線基板 - Google Patents
多層配線基板Info
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- JPH10209638A JPH10209638A JP9008752A JP875297A JPH10209638A JP H10209638 A JPH10209638 A JP H10209638A JP 9008752 A JP9008752 A JP 9008752A JP 875297 A JP875297 A JP 875297A JP H10209638 A JPH10209638 A JP H10209638A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】実装される電子部品の電極やボンディングパッ
ド、或いは両者を接続するボンディングワイヤ等に外気
が接触して腐食等が発生する。 【解決手段】基板１上に、有機樹脂絶縁層２と薄膜配線
導体層３とを交互に積層するとともに上下に位置する薄
膜配線導体層３を有機樹脂絶縁層２に設けたスルーホー
ル導体６を介して電気的に接続してなり、最上層の有機
樹脂絶縁層２ａ上面に、前記薄膜配線導体層３と電気的
に接続し、外部の電子部品Ａが接続されるボンディング
パッド７を設けて成る多層配線基板であって、前記最上
層の有機樹脂絶縁層２ａ上面の露出表面が中心線平均粗
さ（Ｒａ）で０．０５μｍ≦Ｒａ≦５μｍであり、かつ
表面の２．５ｍｍの長さにおける凹凸の高さ（Ｐｃ）の
カウント値が、１μｍ≦Ｐｃ≦１０μｍが５００個以
上、０．１μｍ≦Ｐｃ≦１μｍが２５００個以上、０．
０１μｍ≦Ｐｃ≦０．１μｍが１２５００個以上であ
る。
ド、或いは両者を接続するボンディングワイヤ等に外気
が接触して腐食等が発生する。 【解決手段】基板１上に、有機樹脂絶縁層２と薄膜配線
導体層３とを交互に積層するとともに上下に位置する薄
膜配線導体層３を有機樹脂絶縁層２に設けたスルーホー
ル導体６を介して電気的に接続してなり、最上層の有機
樹脂絶縁層２ａ上面に、前記薄膜配線導体層３と電気的
に接続し、外部の電子部品Ａが接続されるボンディング
パッド７を設けて成る多層配線基板であって、前記最上
層の有機樹脂絶縁層２ａ上面の露出表面が中心線平均粗
さ（Ｒａ）で０．０５μｍ≦Ｒａ≦５μｍであり、かつ
表面の２．５ｍｍの長さにおける凹凸の高さ（Ｐｃ）の
カウント値が、１μｍ≦Ｐｃ≦１０μｍが５００個以
上、０．１μｍ≦Ｐｃ≦１μｍが２５００個以上、０．
０１μｍ≦Ｐｃ≦０．１μｍが１２５００個以上であ
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は多層配線基板に関
し、より詳細には混成集積回路装置や半導体素子を収容
する半導体素子収納用パッケージ等に使用される多層配
線基板に関するものである。
し、より詳細には混成集積回路装置や半導体素子を収容
する半導体素子収納用パッケージ等に使用される多層配
線基板に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、混成集積回路装置や半導体素子収
納用パッケージ等に使用される多層配線基板はその配線
導体がＭｏ−Ｍｎ法等の厚膜形成技術によって形成され
ている。
納用パッケージ等に使用される多層配線基板はその配線
導体がＭｏ−Ｍｎ法等の厚膜形成技術によって形成され
ている。
【０００３】このＭｏ−Ｍｎ法は通常、タングステン、
モリブデン、マンガン等の高融点金属粉末に有機溶剤、
溶媒を添加混合し、ペースト状となした金属ペーストを
生セラミック体の外表面にスクリーン印刷法により所定
パターンに印刷塗布し、次にこれを複数枚積層するとと
もに還元雰囲気中で焼成し、高融点金属粉末と生セラミ
ック体とを焼結一体化させる方法である。
モリブデン、マンガン等の高融点金属粉末に有機溶剤、
溶媒を添加混合し、ペースト状となした金属ペーストを
生セラミック体の外表面にスクリーン印刷法により所定
パターンに印刷塗布し、次にこれを複数枚積層するとと
もに還元雰囲気中で焼成し、高融点金属粉末と生セラミ
ック体とを焼結一体化させる方法である。
【０００４】なお、前記配線導体が形成されるセラミッ
ク体としては通常、酸化アルミニウム質焼結体やムライ
ト質焼結体等の酸化物系セラミックス、或いは表面に酸
化物膜を被着させた窒化アルミニウム質焼結体や炭化珪
素質焼結体等の非酸化物系セラミックスが使用される。
ク体としては通常、酸化アルミニウム質焼結体やムライ
ト質焼結体等の酸化物系セラミックス、或いは表面に酸
化物膜を被着させた窒化アルミニウム質焼結体や炭化珪
素質焼結体等の非酸化物系セラミックスが使用される。
【０００５】しかしながら、このＭｏ−Ｍｎ法を用いて
配線導体を形成した場合、配線導体は金属ペーストをス
クリーン印刷することにより形成されることから微細化
が困難で配線導体を高密度に形成することができないと
いう欠点を有していた。
配線導体を形成した場合、配線導体は金属ペーストをス
クリーン印刷することにより形成されることから微細化
が困難で配線導体を高密度に形成することができないと
いう欠点を有していた。
【０００６】そこで上記欠点を解消するために配線導体
を従来の厚膜形成技術で形成するのに代えて微細化が可
能な薄膜形成技術を用いて高密度に形成した多層配線基
板が使用されるようなってきた。
を従来の厚膜形成技術で形成するのに代えて微細化が可
能な薄膜形成技術を用いて高密度に形成した多層配線基
板が使用されるようなってきた。
【０００７】かかる多層配線基板は、酸化アルミニウム
質焼結体等から成るセラミックスやガラス繊維を織り込
んだガラス布にエポキシ樹脂を含浸させて形成されるガ
ラスエポキシ樹脂等から成る絶縁基体の上面にスピンコ
ート法及び熱硬化処理等によって形成されるエポキシ樹
脂から成る有機樹脂絶縁層と、銅やアルミニウム等の金
属を無電解めっき法や蒸着法等の薄膜形成技術及びフォ
トリソグラフィー技術を採用することによって形成され
る薄膜配線導体層とを交互に積層させるとともに上下に
位置する薄膜配線導体層を有機樹脂絶縁層に設けたスル
ーホールの内壁に被着させたスルーホール導体を介して
電気的に接続させた構造を有している。
質焼結体等から成るセラミックスやガラス繊維を織り込
んだガラス布にエポキシ樹脂を含浸させて形成されるガ
ラスエポキシ樹脂等から成る絶縁基体の上面にスピンコ
ート法及び熱硬化処理等によって形成されるエポキシ樹
脂から成る有機樹脂絶縁層と、銅やアルミニウム等の金
属を無電解めっき法や蒸着法等の薄膜形成技術及びフォ
トリソグラフィー技術を採用することによって形成され
る薄膜配線導体層とを交互に積層させるとともに上下に
位置する薄膜配線導体層を有機樹脂絶縁層に設けたスル
ーホールの内壁に被着させたスルーホール導体を介して
電気的に接続させた構造を有している。
【０００８】またこの多層配線基板においては、最上層
の有機樹脂絶縁層上面に、薄膜配線導体層と電気的に接
続し、外部の電子部品が接続されるボンディングパッド
が設けられており、該ボンディングパッドに電子部品の
電極を圧着させるとともに電子部品の下面とボンディン
グパッド及び最上層の有機樹脂絶縁層との間に樹脂充填
材を充填し、電子部品の電極及びボンディングパッドを
外気から完全に遮断する、或いは最上層の有機樹脂絶縁
層上面に電子部品を実装するとともに各電極をボンディ
ングパッドにボンディングワイヤを介して接続し、しか
る後、電子部品及びボンディングパッド、ボンディング
ワイヤの全てを最上層の有機樹脂絶縁層上面に被着させ
たポッティング樹脂で被覆することによって電子部品の
電極やボンディングパッド、ボンディングワイヤを外気
から完全に遮断するようになっている。
の有機樹脂絶縁層上面に、薄膜配線導体層と電気的に接
続し、外部の電子部品が接続されるボンディングパッド
が設けられており、該ボンディングパッドに電子部品の
電極を圧着させるとともに電子部品の下面とボンディン
グパッド及び最上層の有機樹脂絶縁層との間に樹脂充填
材を充填し、電子部品の電極及びボンディングパッドを
外気から完全に遮断する、或いは最上層の有機樹脂絶縁
層上面に電子部品を実装するとともに各電極をボンディ
ングパッドにボンディングワイヤを介して接続し、しか
る後、電子部品及びボンディングパッド、ボンディング
ワイヤの全てを最上層の有機樹脂絶縁層上面に被着させ
たポッティング樹脂で被覆することによって電子部品の
電極やボンディングパッド、ボンディングワイヤを外気
から完全に遮断するようになっている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この多
層配線基板は、最上層の有機樹脂絶縁層上面の表面粗さ
が中心線平均粗さで０．０４μｍ以下であり、平滑であ
ること、最上層の有機樹脂絶縁層と樹脂充填材、或いは
ポッティング樹脂との密着性が劣ること等から実装され
ている電子部品や樹脂充填材、或いはポッティング樹脂
に外力が印加されると該外力によって最上層の有機樹脂
絶縁層と樹脂充填材、或いはポッティング樹脂との間に
剥離が発生し、その結果、電子部品の電極やボンディン
グパッド、或いは両者を接続するボンディングワイヤ等
に外気との接触による腐食等が発生して電子部品を長期
間にわたり正常に作動させることができないという欠点
を誘発した。
層配線基板は、最上層の有機樹脂絶縁層上面の表面粗さ
が中心線平均粗さで０．０４μｍ以下であり、平滑であ
ること、最上層の有機樹脂絶縁層と樹脂充填材、或いは
ポッティング樹脂との密着性が劣ること等から実装され
ている電子部品や樹脂充填材、或いはポッティング樹脂
に外力が印加されると該外力によって最上層の有機樹脂
絶縁層と樹脂充填材、或いはポッティング樹脂との間に
剥離が発生し、その結果、電子部品の電極やボンディン
グパッド、或いは両者を接続するボンディングワイヤ等
に外気との接触による腐食等が発生して電子部品を長期
間にわたり正常に作動させることができないという欠点
を誘発した。
【００１０】本発明は上記欠点に鑑み案出されたもの
で、その目的は配線導体を薄膜形成技術により形成し、
配線導体を高密度に形成するのを可能とするとともに実
装される電子部品の電極やボンディングパッド等を樹脂
充填材やポッティング樹脂で完全に、かつ強固に被覆さ
れるのを可能とし、電子部品を長期間にわたり正常に作
動させることができる多層配線基板を提供することにあ
る。
で、その目的は配線導体を薄膜形成技術により形成し、
配線導体を高密度に形成するのを可能とするとともに実
装される電子部品の電極やボンディングパッド等を樹脂
充填材やポッティング樹脂で完全に、かつ強固に被覆さ
れるのを可能とし、電子部品を長期間にわたり正常に作
動させることができる多層配線基板を提供することにあ
る。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は、基板上に、有
機樹脂絶縁層と薄膜配線導体層とを交互に積層するとと
もに上下に位置する薄膜配線導体層を有機樹脂絶縁層に
設けたスルーホール導体を介して電気的に接続してな
り、最上層の有機樹脂絶縁層上面に、前記薄膜配線導体
層と電気的に接続し、外部の電子部品が接続されるボン
ディングパッドを設けて成る多層配線基板であって、前
記最上層の有機樹脂絶縁層上面の露出表面が中心線平均
粗さ（Ｒａ）で０．０５μｍ≦Ｒａ≦５μｍであり、か
つ表面の２．５ｍｍの長さにおける凹凸の高さ（Ｐｃ）
のカウント値が、１μｍ≦Ｐｃ≦１０μｍが５００個以
上、０．１μｍ≦Ｐｃ≦１μｍが２５００個以上、０．
０１μｍ≦Ｐｃ≦０．１μｍが１２５００個以上である
ことを特徴とするものである。
機樹脂絶縁層と薄膜配線導体層とを交互に積層するとと
もに上下に位置する薄膜配線導体層を有機樹脂絶縁層に
設けたスルーホール導体を介して電気的に接続してな
り、最上層の有機樹脂絶縁層上面に、前記薄膜配線導体
層と電気的に接続し、外部の電子部品が接続されるボン
ディングパッドを設けて成る多層配線基板であって、前
記最上層の有機樹脂絶縁層上面の露出表面が中心線平均
粗さ（Ｒａ）で０．０５μｍ≦Ｒａ≦５μｍであり、か
つ表面の２．５ｍｍの長さにおける凹凸の高さ（Ｐｃ）
のカウント値が、１μｍ≦Ｐｃ≦１０μｍが５００個以
上、０．１μｍ≦Ｐｃ≦１μｍが２５００個以上、０．
０１μｍ≦Ｐｃ≦０．１μｍが１２５００個以上である
ことを特徴とするものである。
【００１２】また本発明は、基板上に、有機樹脂絶縁層
と薄膜配線導体層とを交互に積層するとともに上下に位
置する薄膜配線導体層を有機樹脂絶縁層に設けたスルー
ホール導体を介して電気的に接続してなり、最上層の有
機樹脂絶縁層上面に、前記薄膜配線導体層と電気的に接
続し、外部の電子部品が接続されるボンディングパッド
と該ボンディングパッドの外周部を被覆する絶縁樹脂膜
とを設けてなる多層配線基板であって、前記絶縁樹脂膜
の上面が中心線平均粗さ（Ｒａ）で０．０５μｍ≦Ｒａ
≦５μｍであり、かつ表面の２．５ｍｍの長さにおける
凹凸の高さ（Ｐｃ）のカウント値が、１μｍ≦Ｐｃ≦１
０μｍが５００個以上、０．１μｍ≦Ｐｃ≦１μｍが２
５００個以上、０．０１μｍ≦Ｐｃ≦０．１μｍが１２
５００個以上であることを特徴とするものである。
と薄膜配線導体層とを交互に積層するとともに上下に位
置する薄膜配線導体層を有機樹脂絶縁層に設けたスルー
ホール導体を介して電気的に接続してなり、最上層の有
機樹脂絶縁層上面に、前記薄膜配線導体層と電気的に接
続し、外部の電子部品が接続されるボンディングパッド
と該ボンディングパッドの外周部を被覆する絶縁樹脂膜
とを設けてなる多層配線基板であって、前記絶縁樹脂膜
の上面が中心線平均粗さ（Ｒａ）で０．０５μｍ≦Ｒａ
≦５μｍであり、かつ表面の２．５ｍｍの長さにおける
凹凸の高さ（Ｐｃ）のカウント値が、１μｍ≦Ｐｃ≦１
０μｍが５００個以上、０．１μｍ≦Ｐｃ≦１μｍが２
５００個以上、０．０１μｍ≦Ｐｃ≦０．１μｍが１２
５００個以上であることを特徴とするものである。
【００１３】本発明の多層配線基板によれば、電子部品
の電極が接続されるボンディングパッドが形成されてい
る最上層の有機樹脂絶縁層上面の表面粗さ、或いは最上
層の有機樹脂絶縁層上面に被着され、電子部品の電極が
接続されるボンディングパッドの外周部を被覆する絶縁
樹脂膜の表面粗さを中心線平均粗さ（Ｒａ）で０．０５
μｍ≦Ｒａ≦５μｍとし、かつ表面の２．５ｍｍの長さ
における凹凸の高さ（Ｐｃ）のカウント値を、１μｍ≦
Ｐｃ≦１０μｍは５００個以上、０．１μｍ≦Ｐｃ≦１
μｍは２５００個以上、０．０１μｍ≦Ｐｃ≦０．１μ
ｍは１２５００個以上としたことから、最上層の有機樹
脂絶縁層上面や絶縁樹脂膜と樹脂充填材やポッティング
樹脂との接合強度が大きく改善され、その結果、電子部
品や樹脂充填材、或いはポッティング樹脂に外力が印加
されても最上層の有機樹脂絶縁層や絶縁樹脂膜と樹脂充
填材やポッティング樹脂との間に剥離が発生することは
なく、電子部品の電極やボンディングパッド、或いは両
者を接続するボンディングワイヤ等を外気から完全に遮
断して電子部品を長期間にわたり正常に作動させること
が可能となる。
の電極が接続されるボンディングパッドが形成されてい
る最上層の有機樹脂絶縁層上面の表面粗さ、或いは最上
層の有機樹脂絶縁層上面に被着され、電子部品の電極が
接続されるボンディングパッドの外周部を被覆する絶縁
樹脂膜の表面粗さを中心線平均粗さ（Ｒａ）で０．０５
μｍ≦Ｒａ≦５μｍとし、かつ表面の２．５ｍｍの長さ
における凹凸の高さ（Ｐｃ）のカウント値を、１μｍ≦
Ｐｃ≦１０μｍは５００個以上、０．１μｍ≦Ｐｃ≦１
μｍは２５００個以上、０．０１μｍ≦Ｐｃ≦０．１μ
ｍは１２５００個以上としたことから、最上層の有機樹
脂絶縁層上面や絶縁樹脂膜と樹脂充填材やポッティング
樹脂との接合強度が大きく改善され、その結果、電子部
品や樹脂充填材、或いはポッティング樹脂に外力が印加
されても最上層の有機樹脂絶縁層や絶縁樹脂膜と樹脂充
填材やポッティング樹脂との間に剥離が発生することは
なく、電子部品の電極やボンディングパッド、或いは両
者を接続するボンディングワイヤ等を外気から完全に遮
断して電子部品を長期間にわたり正常に作動させること
が可能となる。
【００１４】
【発明の実施の形態】次に本発明を添付図面に基づき詳
細に説明する。図１及び図２は、本発明の多層配線基板
の一実施例を示し、１は基板、２は有機樹脂絶縁層、３
は薄膜配線導体層である。
細に説明する。図１及び図２は、本発明の多層配線基板
の一実施例を示し、１は基板、２は有機樹脂絶縁層、３
は薄膜配線導体層である。
【００１５】前記基板１はその上面に有機樹脂絶縁層２
と薄膜配線導体層３とから成る多層配線部４が配設され
ており、該多層配線部４を支持する支持部材として作用
する。
と薄膜配線導体層３とから成る多層配線部４が配設され
ており、該多層配線部４を支持する支持部材として作用
する。
【００１６】前記基板１は酸化アルミニウム質焼結体や
ムライト質焼結体等の酸化物系セラミックス、或いは表
面に酸化物膜を有する窒化アルミニウム質焼結体や炭化
珪素質焼結体等の非酸化物系セラミックス、更にはガラ
ス繊維を織り込んだ布にエポキシ樹脂を含浸させたガラ
スエポキシ樹脂等の電気絶縁材料で形成されており、例
えば、酸化アルミニウム質焼結体で形成されている場合
には、アルミナ、シリカ、カルシア、マグネシア等の原
料粉末に適当な有機溶剤、溶媒を添加混合して泥漿状と
なすとともにこれを従来周知のドクターブレード法やカ
レンダーロール法を採用することによってセラミックグ
リーンシート（セラミック生シート）を形成し、しかる
後、前記セラミックグリーンシートに適当な打ち抜き加
工を施し、所定形状となすとともに高温（約１６００
℃）で焼成することによって、或いはアルミナ等の原料
粉末に適当な有機溶剤、溶媒を添加混合して原料粉末を
調整するとともに該原料粉末をプレス成形機によって所
定形状に成形し、最後に前記成形体を約１６００℃の温
度で焼成することによって製作され、またガラスエポキ
シ樹脂から成る場合は、例えば、ガラス繊維を織り込ん
だ布にエポキシ樹脂の前駆体を含浸させるとともに該エ
ポキシ樹脂前駆体を所定の温度で熱硬化させることによ
って製作される。
ムライト質焼結体等の酸化物系セラミックス、或いは表
面に酸化物膜を有する窒化アルミニウム質焼結体や炭化
珪素質焼結体等の非酸化物系セラミックス、更にはガラ
ス繊維を織り込んだ布にエポキシ樹脂を含浸させたガラ
スエポキシ樹脂等の電気絶縁材料で形成されており、例
えば、酸化アルミニウム質焼結体で形成されている場合
には、アルミナ、シリカ、カルシア、マグネシア等の原
料粉末に適当な有機溶剤、溶媒を添加混合して泥漿状と
なすとともにこれを従来周知のドクターブレード法やカ
レンダーロール法を採用することによってセラミックグ
リーンシート（セラミック生シート）を形成し、しかる
後、前記セラミックグリーンシートに適当な打ち抜き加
工を施し、所定形状となすとともに高温（約１６００
℃）で焼成することによって、或いはアルミナ等の原料
粉末に適当な有機溶剤、溶媒を添加混合して原料粉末を
調整するとともに該原料粉末をプレス成形機によって所
定形状に成形し、最後に前記成形体を約１６００℃の温
度で焼成することによって製作され、またガラスエポキ
シ樹脂から成る場合は、例えば、ガラス繊維を織り込ん
だ布にエポキシ樹脂の前駆体を含浸させるとともに該エ
ポキシ樹脂前駆体を所定の温度で熱硬化させることによ
って製作される。
【００１７】また前記基板１はその上面に有機樹脂絶縁
層２と薄膜配線導体層３とが交互に多層に配設されて形
成される多層配線部４が被着されており、該多層配線部
４を構成する有機樹脂絶縁層２は上下に位置する薄膜配
線導体層３の電気的絶縁をはかる作用をなし、また薄膜
配線導体層３は電気信号を伝達するための伝達路として
作用する。
層２と薄膜配線導体層３とが交互に多層に配設されて形
成される多層配線部４が被着されており、該多層配線部
４を構成する有機樹脂絶縁層２は上下に位置する薄膜配
線導体層３の電気的絶縁をはかる作用をなし、また薄膜
配線導体層３は電気信号を伝達するための伝達路として
作用する。
【００１８】前記多層配線部４の有機樹脂絶縁層２は、
エポキシ樹脂、ビスマレイミドポリアジド樹脂、ポリフ
ェニレンエーテル樹脂、ふっ素樹脂等の有機樹脂から成
り、例えば、エポキシ樹脂から成る場合、ビスフェノー
ルＡ型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂、グリ
シジルエステル型エポキシ樹脂等にアミン系硬化剤、イ
ミダゾール系硬化剤、酸無水物系硬化剤等の硬化剤を添
加混合してペースト状のエポキシ樹脂前駆体を得るとと
もに該エポキシ樹脂前駆体を基板１の上部にスピンコー
ト法により被着させ、しかる後、これを８０〜２００℃
の熱で０．５〜３時間熱処理し、熱硬化させることによ
って形成される。
エポキシ樹脂、ビスマレイミドポリアジド樹脂、ポリフ
ェニレンエーテル樹脂、ふっ素樹脂等の有機樹脂から成
り、例えば、エポキシ樹脂から成る場合、ビスフェノー
ルＡ型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂、グリ
シジルエステル型エポキシ樹脂等にアミン系硬化剤、イ
ミダゾール系硬化剤、酸無水物系硬化剤等の硬化剤を添
加混合してペースト状のエポキシ樹脂前駆体を得るとと
もに該エポキシ樹脂前駆体を基板１の上部にスピンコー
ト法により被着させ、しかる後、これを８０〜２００℃
の熱で０．５〜３時間熱処理し、熱硬化させることによ
って形成される。
【００１９】更に前記多層配線部４の有機樹脂絶縁層２
はその各々の所定位置に最小径が有機樹脂絶縁層２の厚
みに対して約１．５倍程度のスルーホール５が形成され
ており、該スルーホール５は後述する有機樹脂絶縁層２
を介して上下に位置する薄膜配線導体層３の各々を電気
的に接続するスルーホール導体６を形成するための形成
孔として作用する。
はその各々の所定位置に最小径が有機樹脂絶縁層２の厚
みに対して約１．５倍程度のスルーホール５が形成され
ており、該スルーホール５は後述する有機樹脂絶縁層２
を介して上下に位置する薄膜配線導体層３の各々を電気
的に接続するスルーホール導体６を形成するための形成
孔として作用する。
【００２０】前記有機樹脂絶縁層２に設けるスルーホー
ル５は有機樹脂絶縁層２に従来周知のフォトリソグラフ
ィー技術を採用することによって所定の径に形成され
る。
ル５は有機樹脂絶縁層２に従来周知のフォトリソグラフ
ィー技術を採用することによって所定の径に形成され
る。
【００２１】また前記各有機樹脂絶縁層２の上面には所
定パターンの薄膜配線導体層３が、更に各有機樹脂絶縁
層２に設けたスルーホール５の内壁にはスルーホール導
体６が各々配設されており、スルーホール導体６によっ
て間に有機樹脂絶縁層２を挟んで上下に位置する各薄膜
配線導体層３の各々が電気的に接続されるようになって
いる。
定パターンの薄膜配線導体層３が、更に各有機樹脂絶縁
層２に設けたスルーホール５の内壁にはスルーホール導
体６が各々配設されており、スルーホール導体６によっ
て間に有機樹脂絶縁層２を挟んで上下に位置する各薄膜
配線導体層３の各々が電気的に接続されるようになって
いる。
【００２２】前記各有機樹脂絶縁層２の上面及びスルー
ホール５の内壁に配設される薄膜配線導体層３及びスル
ーホール導体６は銅、ニッケル、金、アルミニウム等の
金属材料を無電解めっき法や蒸着法、スパッタリング法
等の薄膜形成技術及びフォトリソグラフィー技術を採用
することによって形成され、例えば、銅で形成されてい
る場合には、有機樹脂絶縁層２の上面及びスルーホール
５の内表面に、硫酸銅０．０６モル／リットル、ホルマ
リン０．３モル／リットル、水酸化ナトリウム０．３５
モル／リットル、エチレンジアミン四酢酸０．３５モル
／リットルから成る無電解銅めっき浴を用いて厚さ１μ
ｍ乃至４０μｍの銅層を被着させ、しかる後、前記銅層
をフォトリソグラフィー技術により所定パターンに加工
することによって各有機樹脂絶縁層２間、及びスルーホ
ール５内壁に配設される。この場合、薄膜配線導体層３
及びスルーホール導体６は薄膜形成技術により形成され
ることから配線の微細化が可能であり、これによって薄
膜配線導体層３を極めて高密度に形成することが可能と
なる。
ホール５の内壁に配設される薄膜配線導体層３及びスル
ーホール導体６は銅、ニッケル、金、アルミニウム等の
金属材料を無電解めっき法や蒸着法、スパッタリング法
等の薄膜形成技術及びフォトリソグラフィー技術を採用
することによって形成され、例えば、銅で形成されてい
る場合には、有機樹脂絶縁層２の上面及びスルーホール
５の内表面に、硫酸銅０．０６モル／リットル、ホルマ
リン０．３モル／リットル、水酸化ナトリウム０．３５
モル／リットル、エチレンジアミン四酢酸０．３５モル
／リットルから成る無電解銅めっき浴を用いて厚さ１μ
ｍ乃至４０μｍの銅層を被着させ、しかる後、前記銅層
をフォトリソグラフィー技術により所定パターンに加工
することによって各有機樹脂絶縁層２間、及びスルーホ
ール５内壁に配設される。この場合、薄膜配線導体層３
及びスルーホール導体６は薄膜形成技術により形成され
ることから配線の微細化が可能であり、これによって薄
膜配線導体層３を極めて高密度に形成することが可能と
なる。
【００２３】なお、前記有機樹脂絶縁層２と薄膜配線導
体層３とを交互に多層に配設して形成される多層配線部
４は各有機樹脂絶縁層２の上面を中心線平均粗さ（Ｒ
ａ）で０．０５μｍ≦Ｒａ≦５μｍの粗面としておくと
有機樹脂絶縁層２と薄膜配線導体層３との接合及び上下
に位置する有機樹脂絶縁層２同士の接合を強固となすこ
とができる。従って、前記多層配線部４の各有機樹脂絶
縁層２はその上面をエッチング加工法等によって粗し、
中心線平均粗さ（Ｒａ）で０．０５μｍ≦Ｒａ≦５μｍ
の粗面としておくことが好ましい。
体層３とを交互に多層に配設して形成される多層配線部
４は各有機樹脂絶縁層２の上面を中心線平均粗さ（Ｒ
ａ）で０．０５μｍ≦Ｒａ≦５μｍの粗面としておくと
有機樹脂絶縁層２と薄膜配線導体層３との接合及び上下
に位置する有機樹脂絶縁層２同士の接合を強固となすこ
とができる。従って、前記多層配線部４の各有機樹脂絶
縁層２はその上面をエッチング加工法等によって粗し、
中心線平均粗さ（Ｒａ）で０．０５μｍ≦Ｒａ≦５μｍ
の粗面としておくことが好ましい。
【００２４】また前記有機樹脂絶縁層２はその各々の厚
みが１００μｍを越えると有機樹脂絶縁層２にフォトリ
ソグラフィー技術を採用することによってスルーホール
５を形成する際、エッチング加工時間が長くなってスル
ーホール５を所望する鮮明な形状に形成するのが困難と
なり、また５μｍ未満となると有機樹脂絶縁層２の上面
に上下に位置する有機樹脂絶縁層２の接合強度を上げる
ための粗面加工を施す際、有機樹脂絶縁層２に不要な穴
が形成され上下に位置する薄膜配線導体層３に不要な電
気的短絡を招来してしまう危険性がある。従って、前記
有機樹脂絶縁層２はその各々の厚みを５μｍ〜１００μ
ｍの範囲としておくことが好ましい。
みが１００μｍを越えると有機樹脂絶縁層２にフォトリ
ソグラフィー技術を採用することによってスルーホール
５を形成する際、エッチング加工時間が長くなってスル
ーホール５を所望する鮮明な形状に形成するのが困難と
なり、また５μｍ未満となると有機樹脂絶縁層２の上面
に上下に位置する有機樹脂絶縁層２の接合強度を上げる
ための粗面加工を施す際、有機樹脂絶縁層２に不要な穴
が形成され上下に位置する薄膜配線導体層３に不要な電
気的短絡を招来してしまう危険性がある。従って、前記
有機樹脂絶縁層２はその各々の厚みを５μｍ〜１００μ
ｍの範囲としておくことが好ましい。
【００２５】更に前記多層配線部４の各薄膜配線導体層
３はその厚みが１μｍ未満であると各薄膜配線導体層３
の電気抵抗値が大きなものとなって各薄膜配線導体層３
に所定の電気信号を伝達させることが困難となり、また
４０μｍを越えると薄膜配線導体層３を有機樹脂絶縁層
２に被着させる際に薄膜配線導体層３の内部に大きな応
力が内在し、該大きな内在応力によって薄膜配線導体層
３が有機樹脂絶縁層２から剥離し易いものとなる。従っ
て、前記多層配線部４の各薄膜配線導体層３の厚みは１
μｍ〜４０μｍの範囲としておくことが好ましい。
３はその厚みが１μｍ未満であると各薄膜配線導体層３
の電気抵抗値が大きなものとなって各薄膜配線導体層３
に所定の電気信号を伝達させることが困難となり、また
４０μｍを越えると薄膜配線導体層３を有機樹脂絶縁層
２に被着させる際に薄膜配線導体層３の内部に大きな応
力が内在し、該大きな内在応力によって薄膜配線導体層
３が有機樹脂絶縁層２から剥離し易いものとなる。従っ
て、前記多層配線部４の各薄膜配線導体層３の厚みは１
μｍ〜４０μｍの範囲としておくことが好ましい。
【００２６】前記有機樹脂絶縁層２と薄膜配線導体層３
とを交互に多層に配設して形成される多層配線部４は更
に、最上層の有機樹脂絶縁層２ａの上面に薄膜配線導体
層３と電気的に接続しているボンディングパッド７が形
成されており、該ボンディングパッド７は半導体素子や
容量素子、抵抗器等の電子部品Ａの電極を薄膜配線導体
層３に電気的に接続させる作用をなす。
とを交互に多層に配設して形成される多層配線部４は更
に、最上層の有機樹脂絶縁層２ａの上面に薄膜配線導体
層３と電気的に接続しているボンディングパッド７が形
成されており、該ボンディングパッド７は半導体素子や
容量素子、抵抗器等の電子部品Ａの電極を薄膜配線導体
層３に電気的に接続させる作用をなす。
【００２７】前記ボンディングパッド７は例えば、直径
２００〜５００μｍの円形状をなしており、該ボンディ
ングパッド７に半導体素子や容量素子等の電子部品Ａの
電極を熱圧着等により接続させれば、半導体素子や容量
素子等の電子部品Ａの電極は薄膜配線導体層３に電気的
に接続されることとなる。
２００〜５００μｍの円形状をなしており、該ボンディ
ングパッド７に半導体素子や容量素子等の電子部品Ａの
電極を熱圧着等により接続させれば、半導体素子や容量
素子等の電子部品Ａの電極は薄膜配線導体層３に電気的
に接続されることとなる。
【００２８】前記ボンディングパッド７は薄膜配線導体
層３と同じ金属材料、具体的には銅、ニッケル、金、ア
ルミニウム等の金属材料からなり、最上層の有機樹脂絶
縁層２ａ上に薄膜配線導体層３を形成する際に同時に前
記薄膜配線導体層３と電気的接続をもって形成される。
層３と同じ金属材料、具体的には銅、ニッケル、金、ア
ルミニウム等の金属材料からなり、最上層の有機樹脂絶
縁層２ａ上に薄膜配線導体層３を形成する際に同時に前
記薄膜配線導体層３と電気的接続をもって形成される。
【００２９】更に前記ボンディングパッド７が形成され
ている最上層の有機樹脂絶縁層２ａ上面には図２に示す
如く、ボンディングパッド７の外周部を被覆する絶縁樹
脂膜１０が形成されている。
ている最上層の有機樹脂絶縁層２ａ上面には図２に示す
如く、ボンディングパッド７の外周部を被覆する絶縁樹
脂膜１０が形成されている。
【００３０】前記絶縁樹脂膜１０はボンディングパッド
７の最上層の有機樹脂絶縁層２ａに対する接合強度を向
上させる作用をなし、ボンディングパッド７の外周部は
絶縁樹脂膜１０と最上層の有機樹脂絶縁層２ａとの間に
挟まれて最上層の有機樹脂絶縁層２ａに対する接合強度
が大きく改善され、その結果、ボンディングパッド７に
電子部品Ａの電極を熱圧着等により接続させる際等にお
いて外力が印加されてもボンディングパッド７が最上層
の有機樹脂絶縁層２ａより剥離することはなく、電子部
品Ａの電極をボンディングパッド７を介して所定の薄膜
配線導体層３に確実、強固に電気的接続することができ
る。
７の最上層の有機樹脂絶縁層２ａに対する接合強度を向
上させる作用をなし、ボンディングパッド７の外周部は
絶縁樹脂膜１０と最上層の有機樹脂絶縁層２ａとの間に
挟まれて最上層の有機樹脂絶縁層２ａに対する接合強度
が大きく改善され、その結果、ボンディングパッド７に
電子部品Ａの電極を熱圧着等により接続させる際等にお
いて外力が印加されてもボンディングパッド７が最上層
の有機樹脂絶縁層２ａより剥離することはなく、電子部
品Ａの電極をボンディングパッド７を介して所定の薄膜
配線導体層３に確実、強固に電気的接続することができ
る。
【００３１】前記絶縁樹脂膜１０としては、例えば、有
機樹脂絶縁層２を形成する材料、具体的にはエポキシ樹
脂、ビスマレイミドポリアジド樹脂、ポリフェニレンエ
ーテル樹脂、ふっ素樹脂等の有機樹脂から成り、前述の
実施例に記載した有機樹脂絶縁層２を形成する方法と同
じ方法によって最上層の有機樹脂絶縁層２ａ上面に一部
がボンディングパッド７を覆うようにして形成される。
機樹脂絶縁層２を形成する材料、具体的にはエポキシ樹
脂、ビスマレイミドポリアジド樹脂、ポリフェニレンエ
ーテル樹脂、ふっ素樹脂等の有機樹脂から成り、前述の
実施例に記載した有機樹脂絶縁層２を形成する方法と同
じ方法によって最上層の有機樹脂絶縁層２ａ上面に一部
がボンディングパッド７を覆うようにして形成される。
【００３２】また前記絶縁樹脂膜１０によるボンディン
グパッド７の被覆は、ボンディングパッド７の外周縁か
らの距離が５μｍ未満であるとボンディングパッド７の
有機樹脂絶縁層２ａに対する接合強度が大きく改善され
ず、また５０μｍを越えるとボンディングパッド７の露
出面積が狭くなり、電子部品Ａの電極を接続させるのが
困難となる危険性がある。従って、前記絶縁樹脂膜１０
によるボンディングパッド７の被覆は、ボンディングパ
ッド７の外周縁から５μｍ〜５０μｍの幅にわたって被
覆するのが好ましい。
グパッド７の被覆は、ボンディングパッド７の外周縁か
らの距離が５μｍ未満であるとボンディングパッド７の
有機樹脂絶縁層２ａに対する接合強度が大きく改善され
ず、また５０μｍを越えるとボンディングパッド７の露
出面積が狭くなり、電子部品Ａの電極を接続させるのが
困難となる危険性がある。従って、前記絶縁樹脂膜１０
によるボンディングパッド７の被覆は、ボンディングパ
ッド７の外周縁から５μｍ〜５０μｍの幅にわたって被
覆するのが好ましい。
【００３３】更に前記絶縁樹脂膜１０はその表面の中心
線平均粗さ（Ｒａ）が０．０５μｍ≦Ｒａ≦５μｍ、表
面の２．５ｍｍの長さにおける凹凸の高さ（Ｐｃ）のカ
ウント値が、１μｍ≦Ｐｃ≦１０μｍが５００個以上、
０．１μｍ≦Ｐｃ≦１μｍが２５００個以上、０．０１
μｍ≦Ｐｃ≦０．１μｍが１２５００個以上となってお
り、これによってボンディングパッド７に電子部品Ａの
電極を熱圧着等により接続させ、しかる後、電子部品Ａ
の下面とボンディングパッド７及び最上層の有機樹脂絶
縁層２ａとの間に樹脂充填材８を充填し、電子部品Ａの
電極及びボンディングパッド７を外気から遮断させた
際、樹脂充填材８と最上層の有機樹脂絶縁層２ａ上面と
の接合強度が大きくなり、その結果、電子部品Ａや樹脂
充填材８等に外力が印加されても樹脂充填材８と最上層
の有機樹脂絶縁層２ａとの間に剥離が発生することはな
く、電子部品Ａの電極やボンディングパッド７の外気と
の接触が長期間わたり完全に遮断され、電子部品Ａを長
期間にわたって正常に作動させることが可能となる。
線平均粗さ（Ｒａ）が０．０５μｍ≦Ｒａ≦５μｍ、表
面の２．５ｍｍの長さにおける凹凸の高さ（Ｐｃ）のカ
ウント値が、１μｍ≦Ｐｃ≦１０μｍが５００個以上、
０．１μｍ≦Ｐｃ≦１μｍが２５００個以上、０．０１
μｍ≦Ｐｃ≦０．１μｍが１２５００個以上となってお
り、これによってボンディングパッド７に電子部品Ａの
電極を熱圧着等により接続させ、しかる後、電子部品Ａ
の下面とボンディングパッド７及び最上層の有機樹脂絶
縁層２ａとの間に樹脂充填材８を充填し、電子部品Ａの
電極及びボンディングパッド７を外気から遮断させた
際、樹脂充填材８と最上層の有機樹脂絶縁層２ａ上面と
の接合強度が大きくなり、その結果、電子部品Ａや樹脂
充填材８等に外力が印加されても樹脂充填材８と最上層
の有機樹脂絶縁層２ａとの間に剥離が発生することはな
く、電子部品Ａの電極やボンディングパッド７の外気と
の接触が長期間わたり完全に遮断され、電子部品Ａを長
期間にわたって正常に作動させることが可能となる。
【００３４】なお、前記絶縁樹脂膜１０はその露出する
上面の表面粗さが中心線平均粗さ（Ｒａ）で０．０５μ
ｍ＞Ｒａとなると樹脂充填剤８と絶縁樹脂膜１０との接
合強度が悪くなり、またＲａ＞５μｍとなると樹脂充填
剤８の充填性が損なわれ、濡れ性不良や気泡を抱き込む
こととなってしまう。従って、前記絶縁樹脂膜１０上面
の表面粗さは中心線平均粗さ（Ｒａ）で０．０５μｍ≦
Ｒａ≦５μｍに特定される。
上面の表面粗さが中心線平均粗さ（Ｒａ）で０．０５μ
ｍ＞Ｒａとなると樹脂充填剤８と絶縁樹脂膜１０との接
合強度が悪くなり、またＲａ＞５μｍとなると樹脂充填
剤８の充填性が損なわれ、濡れ性不良や気泡を抱き込む
こととなってしまう。従って、前記絶縁樹脂膜１０上面
の表面粗さは中心線平均粗さ（Ｒａ）で０．０５μｍ≦
Ｒａ≦５μｍに特定される。
【００３５】また前記絶縁樹脂膜１０はその露出する上
面の２．５ｍｍの長さにおける凹凸の高さ（Ｐｃ）のカ
ウント値が、１μｍ≦Ｐｃ≦１０μｍが５００個未満、
０．１μｍ≦Ｐｃ≦１μｍが２５００個未満、０．０１
μｍ≦Ｐｃ≦０．１μｍが１２５００個未満となると樹
脂充填剤８と絶縁樹脂膜１０との接合強度が悪くなって
しまう。従って、前記絶縁樹脂膜１０はその露出する上
面の２．５ｍｍの長さにおける凹凸の高さ（Ｐｃ）のカ
ウント値が、１μｍ≦Ｐｃ≦１０μｍが５００個以上、
０．１μｍ≦Ｐｃ≦１μｍが２５００個以上、０．０１
μｍ≦Ｐｃ≦０．１μｍが１２５００以上の範囲に特定
される。
面の２．５ｍｍの長さにおける凹凸の高さ（Ｐｃ）のカ
ウント値が、１μｍ≦Ｐｃ≦１０μｍが５００個未満、
０．１μｍ≦Ｐｃ≦１μｍが２５００個未満、０．０１
μｍ≦Ｐｃ≦０．１μｍが１２５００個未満となると樹
脂充填剤８と絶縁樹脂膜１０との接合強度が悪くなって
しまう。従って、前記絶縁樹脂膜１０はその露出する上
面の２．５ｍｍの長さにおける凹凸の高さ（Ｐｃ）のカ
ウント値が、１μｍ≦Ｐｃ≦１０μｍが５００個以上、
０．１μｍ≦Ｐｃ≦１μｍが２５００個以上、０．０１
μｍ≦Ｐｃ≦０．１μｍが１２５００以上の範囲に特定
される。
【００３６】前記絶縁樹脂膜１０上面の中心線平均粗さ
（Ｒａ）及び２．５ｍｍの長さにおける凹凸の高さ（Ｐ
ｃ）のカウント値は、絶縁樹脂膜１０の表面を原子間力
顕微鏡（Digital Instruments Inc.製のDimension 3000
-Nano Scope III)で５０μｍ角の対角（７０μｍ）に走
査させてその表面状態を検査測定し、その測定結果より
各々の数値を出した。
（Ｒａ）及び２．５ｍｍの長さにおける凹凸の高さ（Ｐ
ｃ）のカウント値は、絶縁樹脂膜１０の表面を原子間力
顕微鏡（Digital Instruments Inc.製のDimension 3000
-Nano Scope III)で５０μｍ角の対角（７０μｍ）に走
査させてその表面状態を検査測定し、その測定結果より
各々の数値を出した。
【００３７】また前記中心線平均粗さ（Ｒａ）が０．０
５μｍ≦Ｒａ≦５μｍ、２．５ｍｍの長さにおける凹凸
の高さ（Ｐｃ）のカウント値が、１μｍ≦Ｐｃ≦１０μ
ｍが５００個以上、０．１μｍ≦Ｐｃ≦１μｍが２５０
０個以上、０．０１μｍ≦Ｐｃ≦０．１μｍが１２５０
０以上の絶縁樹脂膜１０は、該絶縁樹脂膜１０の上面に
ＣＨＦ3 、ＣＦ4 、Ａｒ等のガスを吹きつけリアクティ
ブイオンエッチング処理をすることによって表面が所定
の粗さに粗される。
５μｍ≦Ｒａ≦５μｍ、２．５ｍｍの長さにおける凹凸
の高さ（Ｐｃ）のカウント値が、１μｍ≦Ｐｃ≦１０μ
ｍが５００個以上、０．１μｍ≦Ｐｃ≦１μｍが２５０
０個以上、０．０１μｍ≦Ｐｃ≦０．１μｍが１２５０
０以上の絶縁樹脂膜１０は、該絶縁樹脂膜１０の上面に
ＣＨＦ3 、ＣＦ4 、Ａｒ等のガスを吹きつけリアクティ
ブイオンエッチング処理をすることによって表面が所定
の粗さに粗される。
【００３８】かくして上述の多層配線基板によれば、最
上層の有機樹脂絶縁層２ａ上面に設け、外周部が絶縁樹
脂膜１０で被覆されているボンディングパッド７に半導
体素子や容量素子等の電子部品Ａの電極を熱圧着等によ
り接続させ、電子部品Ａの電極をボンディングパッド７
を介して薄膜配線導体層３に電気的に接続させるととも
に電子部品Ａの下面とボンディングパッド７及び絶縁樹
脂膜１０との間に樹脂充填材８を充填し、電子部品Ａの
電極及びボンディングパッド７を外気から完全に遮断す
れば半導体装置や混成集積回路装置となり、薄膜配線導
体層３の一部を外部電気回路に接続すれば前記電子部品
Ａが外部電気回路に接続されることとなる。
上層の有機樹脂絶縁層２ａ上面に設け、外周部が絶縁樹
脂膜１０で被覆されているボンディングパッド７に半導
体素子や容量素子等の電子部品Ａの電極を熱圧着等によ
り接続させ、電子部品Ａの電極をボンディングパッド７
を介して薄膜配線導体層３に電気的に接続させるととも
に電子部品Ａの下面とボンディングパッド７及び絶縁樹
脂膜１０との間に樹脂充填材８を充填し、電子部品Ａの
電極及びボンディングパッド７を外気から完全に遮断す
れば半導体装置や混成集積回路装置となり、薄膜配線導
体層３の一部を外部電気回路に接続すれば前記電子部品
Ａが外部電気回路に接続されることとなる。
【００３９】次に図３を用いて本発明の他の実施例につ
いて説明する。図３の多層配線基板は最上層の有機樹脂
絶縁層２ａ上に電子部品Ａの電極がボンディングワイヤ
９を介して接続されるボンディングパッド７を設けたも
ので、かかる多層配線基板は最上層の有機樹脂絶縁層２
ａ上面に電子部品Ａが実装され、該電子部品Ａの各電極
をボンディングパッド７にボンディングワイヤ９を介し
て接続した後、最上層の有機樹脂絶縁層２ａ上面に被着
されるポッティング樹脂１１で電子部品Ａ、ボンディン
グパッド７及びボンディングワイヤ９を被覆するもので
ある。
いて説明する。図３の多層配線基板は最上層の有機樹脂
絶縁層２ａ上に電子部品Ａの電極がボンディングワイヤ
９を介して接続されるボンディングパッド７を設けたも
ので、かかる多層配線基板は最上層の有機樹脂絶縁層２
ａ上面に電子部品Ａが実装され、該電子部品Ａの各電極
をボンディングパッド７にボンディングワイヤ９を介し
て接続した後、最上層の有機樹脂絶縁層２ａ上面に被着
されるポッティング樹脂１１で電子部品Ａ、ボンディン
グパッド７及びボンディングワイヤ９を被覆するもので
ある。
【００４０】この多層配線基板は最上層の有機樹脂絶縁
層２ａの露出表面を、中心線平均粗さ（Ｒａ）が０．０
５μｍ≦Ｒａ≦５μｍ、表面の２．５ｍｍの長さにおけ
る凹凸の高さ（Ｐｃ）のカウント値が、１μｍ≦Ｐｃ≦
１０μｍが５００個以上、０．１μｍ≦Ｐｃ≦１μｍが
２５００個以上、０．０１μｍ≦Ｐｃ≦０．１μｍが１
２５００個以上となるように適度に粗されており、これ
によって、ボンディングパッド７に電子部品Ａの電極を
ボンディングワイヤ９を介して接続させ、しかる後、電
子部品Ａ及びボンディングパッド７、ボンディングワイ
ヤ９の全てを最上層の有機樹脂絶縁層２ａ上に被着させ
たポッティング樹脂１１で被覆することによって電子部
品Ａの電極やボンディングパッド７、ボンディングワイ
ヤ９を外気から遮断させた際、ポッティング樹脂１１と
最上層の有機樹脂絶縁層２ａ上面との接合強度が大きく
なり、その結果、電子部品Ａやポッティング樹脂１１等
に外力が印加されてもポッティング樹脂１１と最上層の
有機樹脂絶縁層２ａとの間に剥離が発生することはな
く、電子部品Ａの電極やボンディングパッド７、ボンデ
ィングワイヤ９の外気との接触が長期間わたり完全に遮
断されて電子部品Ａを長期間にわたって正常に作動させ
ることが可能となる。
層２ａの露出表面を、中心線平均粗さ（Ｒａ）が０．０
５μｍ≦Ｒａ≦５μｍ、表面の２．５ｍｍの長さにおけ
る凹凸の高さ（Ｐｃ）のカウント値が、１μｍ≦Ｐｃ≦
１０μｍが５００個以上、０．１μｍ≦Ｐｃ≦１μｍが
２５００個以上、０．０１μｍ≦Ｐｃ≦０．１μｍが１
２５００個以上となるように適度に粗されており、これ
によって、ボンディングパッド７に電子部品Ａの電極を
ボンディングワイヤ９を介して接続させ、しかる後、電
子部品Ａ及びボンディングパッド７、ボンディングワイ
ヤ９の全てを最上層の有機樹脂絶縁層２ａ上に被着させ
たポッティング樹脂１１で被覆することによって電子部
品Ａの電極やボンディングパッド７、ボンディングワイ
ヤ９を外気から遮断させた際、ポッティング樹脂１１と
最上層の有機樹脂絶縁層２ａ上面との接合強度が大きく
なり、その結果、電子部品Ａやポッティング樹脂１１等
に外力が印加されてもポッティング樹脂１１と最上層の
有機樹脂絶縁層２ａとの間に剥離が発生することはな
く、電子部品Ａの電極やボンディングパッド７、ボンデ
ィングワイヤ９の外気との接触が長期間わたり完全に遮
断されて電子部品Ａを長期間にわたって正常に作動させ
ることが可能となる。
【００４１】なお、前記最上層の有機樹脂絶縁層２ａの
表面を、中心線平均粗さ（Ｒａ）が０．０５μｍ≦Ｒａ
≦５μｍ、２．５ｍｍの長さにおける凹凸の高さ（Ｐ
ｃ）のカウント値が、１μｍ≦Ｐｃ≦１０μｍが５００
個以上、０．１μｍ≦Ｐｃ≦１μｍが２５００個以上、
０．０１μｍ≦Ｐｃ≦０．１μｍが１２５００以上の粗
面となすには最上層の有機樹脂絶縁層２ａ上面にＣＨＦ
3 、ＣＦ4 、Ａｒ等のガスを吹きつけリアクティブイオ
ンエッチング処理をすることによって行われる。
表面を、中心線平均粗さ（Ｒａ）が０．０５μｍ≦Ｒａ
≦５μｍ、２．５ｍｍの長さにおける凹凸の高さ（Ｐ
ｃ）のカウント値が、１μｍ≦Ｐｃ≦１０μｍが５００
個以上、０．１μｍ≦Ｐｃ≦１μｍが２５００個以上、
０．０１μｍ≦Ｐｃ≦０．１μｍが１２５００以上の粗
面となすには最上層の有機樹脂絶縁層２ａ上面にＣＨＦ
3 、ＣＦ4 、Ａｒ等のガスを吹きつけリアクティブイオ
ンエッチング処理をすることによって行われる。
【００４２】また前記最上層の有機樹脂絶縁層２ａ上面
の中心線平均粗さ（Ｒａ）及び２．５ｍｍの長さにおけ
る凹凸の高さ（Ｐｃ）のカウント値は、最上層の有機樹
脂絶縁層２ａの表面を原子間力顕微鏡（Digital Instru
ments Inc.製のDimension 3000-Nano Scope III)で５０
μｍ角の対角（７０μｍ）に走査させてその表面状態を
検査測定し、その測定結果より各々の数値を出した。
の中心線平均粗さ（Ｒａ）及び２．５ｍｍの長さにおけ
る凹凸の高さ（Ｐｃ）のカウント値は、最上層の有機樹
脂絶縁層２ａの表面を原子間力顕微鏡（Digital Instru
ments Inc.製のDimension 3000-Nano Scope III)で５０
μｍ角の対角（７０μｍ）に走査させてその表面状態を
検査測定し、その測定結果より各々の数値を出した。
【００４３】かくしてこの多層配線基板によれば、最上
層の有機樹脂絶縁層２ａ上面に設けたボンディングパッ
ド７に、実装された電子部品Ａの電極をボンディングワ
イヤ９を介して接続させ、電子部品Ａの電極をボンディ
ングワイヤ９及びボンディングパッド７を介して薄膜配
線導体層３に電気的に接続させるとともに電子部品Ａ及
びボンディングパッド７、ボンディングワイヤ９の全て
を最上層の有機樹脂絶縁層２ａ上に被着させたポッティ
ング樹脂１１で被覆し、電子部品Ａの電極、ボンディン
グパッド７及びボンディングワイヤ９を外気から完全に
遮断すれば半導体装置や混成集積回路装置となり、薄膜
配線導体層３の一部を外部電気回路に接続すれば前記電
子部品Ａが外部電気回路に接続されることとなる。
層の有機樹脂絶縁層２ａ上面に設けたボンディングパッ
ド７に、実装された電子部品Ａの電極をボンディングワ
イヤ９を介して接続させ、電子部品Ａの電極をボンディ
ングワイヤ９及びボンディングパッド７を介して薄膜配
線導体層３に電気的に接続させるとともに電子部品Ａ及
びボンディングパッド７、ボンディングワイヤ９の全て
を最上層の有機樹脂絶縁層２ａ上に被着させたポッティ
ング樹脂１１で被覆し、電子部品Ａの電極、ボンディン
グパッド７及びボンディングワイヤ９を外気から完全に
遮断すれば半導体装置や混成集積回路装置となり、薄膜
配線導体層３の一部を外部電気回路に接続すれば前記電
子部品Ａが外部電気回路に接続されることとなる。
【００４４】なお、本発明は上述の実施例に限定される
ものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば
種々の変更は可能である。
ものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば
種々の変更は可能である。
【００４５】
【発明の効果】本発明の多層配線基板によれば、配線を
薄膜形成技術により形成したことから配線の微細化が可
能となり、配線極めて高密度に形成することが可能とな
る。
薄膜形成技術により形成したことから配線の微細化が可
能となり、配線極めて高密度に形成することが可能とな
る。
【００４６】また本発明の多層配線基板によれば、電子
部品の電極が接続されるボンディングパッドが形成され
ている最上層の有機樹脂絶縁層上面の表面粗さ、或いは
最上層の有機樹脂絶縁層上面に被着され、電子部品の電
極が接続されるボンディングパッドの外周部を被覆する
絶縁樹脂膜の表面粗さを中心線平均粗さ（Ｒａ）で０．
０５μｍ≦Ｒａ≦５μｍとし、かつ表面の２．５ｍｍの
長さにおける凹凸の高さ（Ｐｃ）のカウント値を、１μ
ｍ≦Ｐｃ≦１０μｍは５００個以上、０．１μｍ≦Ｐｃ
≦１μｍは２５００個以上、０．０１μｍ≦Ｐｃ≦０．
１μｍは１２５００個以上としたことから、最上層の有
機樹脂絶縁層上面や絶縁樹脂膜と樹脂充填材やポッティ
ング樹脂との接合強度が大きく改善され、その結果、電
子部品や樹脂充填材、或いはポッティング樹脂に外力が
印加されても最上層の有機樹脂絶縁層や絶縁樹脂膜と樹
脂充填材やポッティング樹脂との間に剥離が発生するこ
とはなく、電子部品の電極やボンディングパッド、或い
は両者を接続するボンディングワイヤ等を外気から完全
に遮断して電子部品を長期間にわたり正常に作動させる
ことが可能となる。
部品の電極が接続されるボンディングパッドが形成され
ている最上層の有機樹脂絶縁層上面の表面粗さ、或いは
最上層の有機樹脂絶縁層上面に被着され、電子部品の電
極が接続されるボンディングパッドの外周部を被覆する
絶縁樹脂膜の表面粗さを中心線平均粗さ（Ｒａ）で０．
０５μｍ≦Ｒａ≦５μｍとし、かつ表面の２．５ｍｍの
長さにおける凹凸の高さ（Ｐｃ）のカウント値を、１μ
ｍ≦Ｐｃ≦１０μｍは５００個以上、０．１μｍ≦Ｐｃ
≦１μｍは２５００個以上、０．０１μｍ≦Ｐｃ≦０．
１μｍは１２５００個以上としたことから、最上層の有
機樹脂絶縁層上面や絶縁樹脂膜と樹脂充填材やポッティ
ング樹脂との接合強度が大きく改善され、その結果、電
子部品や樹脂充填材、或いはポッティング樹脂に外力が
印加されても最上層の有機樹脂絶縁層や絶縁樹脂膜と樹
脂充填材やポッティング樹脂との間に剥離が発生するこ
とはなく、電子部品の電極やボンディングパッド、或い
は両者を接続するボンディングワイヤ等を外気から完全
に遮断して電子部品を長期間にわたり正常に作動させる
ことが可能となる。
【図１】本発明の多層配線基板の一実施例を示す断面図
である。
である。
【図２】図１の要部拡大断面図である。
【図３】本発明の他の実施例を示す要部拡大断面図であ
る。
る。
１・・・絶縁基板 ２・・・有機樹脂絶縁層 ２ａ・・最上層の有機樹脂絶縁層 ３・・・薄膜配線導体層 ４・・・多層配線部 ６・・・スルーホール導体 ７・・・ボンディングパッド ８・・・樹脂充填材 ９・・・ボンディングワイヤ １０・・絶縁樹脂膜 １１・・ポッティング樹脂 Ａ・・・電子部品
Claims (2)
- 【請求項１】基板上に、有機樹脂絶縁層と薄膜配線導体
層とを交互に積層するとともに上下に位置する薄膜配線
導体層を有機樹脂絶縁層に設けたスルーホール導体を介
して電気的に接続してなり、最上層の有機樹脂絶縁層上
面に、前記薄膜配線導体層と電気的に接続し、外部の電
子部品が接続されるボンディングパッドを設けて成る多
層配線基板であって、前記最上層の有機樹脂絶縁層上面
の露出表面が中心線平均粗さ（Ｒａ）で０．０５μｍ≦
Ｒａ≦５μｍであり、かつ表面の２．５ｍｍの長さにお
ける凹凸の高さ（Ｐｃ）のカウント値が、１μｍ≦Ｐｃ
≦１０μｍが５００個以上、０．１μｍ≦Ｐｃ≦１μｍ
が２５００個以上、０．０１μｍ≦Ｐｃ≦０．１μｍが
１２５００個以上であることを特徴とする多層配線基
板。 - 【請求項２】基板上に、有機樹脂絶縁層と薄膜配線導体
層とを交互に積層するとともに上下に位置する薄膜配線
導体層を有機樹脂絶縁層に設けたスルーホール導体を介
して電気的に接続してなり、最上層の有機樹脂絶縁層上
面に、前記薄膜配線導体層と電気的に接続し、外部の電
子部品が接続されるボンディングパッドと該ボンディン
グパッドの外周部を被覆する絶縁樹脂膜とを設けてなる
多層配線基板であって、前記絶縁樹脂膜の上面が中心線
平均粗さ（Ｒａ）で０．０５μｍ≦Ｒａ≦５μｍであ
り、かつ表面の２．５ｍｍの長さにおける凹凸の高さ
（Ｐｃ）のカウント値が、１μｍ≦Ｐｃ≦１０μｍが５
００個以上、０．１μｍ≦Ｐｃ≦１μｍが２５００個以
上、０．０１μｍ≦Ｐｃ≦０．１μｍが１２５００個以
上であることを特徴とする多層配線基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9008752A JPH10209638A (ja) | 1997-01-21 | 1997-01-21 | 多層配線基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9008752A JPH10209638A (ja) | 1997-01-21 | 1997-01-21 | 多層配線基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10209638A true JPH10209638A (ja) | 1998-08-07 |
Family
ID=11701669
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9008752A Pending JPH10209638A (ja) | 1997-01-21 | 1997-01-21 | 多層配線基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10209638A (ja) |
-
1997
- 1997-01-21 JP JP9008752A patent/JPH10209638A/ja active Pending
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040714 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040824 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20041025 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20050419 |