JPH11233679A - 多層配線基板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】ボンディングパッドに剥離を発生して電子部品
を薄膜配線導体層に確実に電気的接続できない。 【解決手段】基板１上に、有機樹脂絶縁層２と薄膜配線
導体層３とを交互に積層するとともに上下に位置する薄
膜配線導体層３を有機樹脂絶縁層２に設けたスルーホー
ル８の内壁に形成されてるスルーホール導体９を介して
電気的に接続してなり、最上層の有機樹脂絶縁層２ａに
設けた穴部１０底面に、前記薄膜配線導体層３と電気的
に接続し、外部の電子部品Ａが接続されるボンディング
パッド７を設けて成る多層配線基板であって、前記穴部
１０内壁の下端の少なくとも一部をボンディングパッド
７中に埋設させた。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、多層配線基板に関
し、より詳細には混成集積回路装置や半導体素子を収容
する半導体素子収納用パッケージ等に使用される多層配
線基板に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、混成集積回路装置や半導体素子収
納用パッケージ等に使用される多層配線基板はその配線
導体がＭｏ−Ｍｎ法等の厚膜形成技術によって形成され
ている。

【０００３】このＭｏ−Ｍｎ法は通常、タングステン、
モリブデン、マンガン等の高融点金属粉末に有機溶剤、
溶媒を添加混合し、ペースト状となした金属ペーストを
シート状の生セラミック体の外表面にスクリーン印刷法
により所定パターンに印刷塗布し、次にこれを複数枚積
層するとともに還元雰囲気中で焼成し、高融点金属粉末
と生セラミック体とを焼結一体化させる方法である。

【０００４】なお、前記配線導体が形成されるセラミッ
ク体としては、通常、酸化アルミニウム質焼結体やムラ
イト質焼結体等の酸化物系セラミックス、或いは表面に
酸化物膜を被着させた窒化アルミニウム質焼結体や炭化
珪素質焼結体等の非酸化物系セラミックスが使用され
る。

【０００５】しかしながら、このＭｏ−Ｍｎ法を用いて
配線導体を形成した場合、配線導体は金属ペーストをス
クリーン印刷することにより形成されることから微細化
が困難で配線導体を高密度に形成することができないと
いう欠点を有していた。

【０００６】そこで上記欠点を解消するために配線導体
を従来周知の厚膜形成技術により形成するのに変えて微
細化が可能な薄膜形成技術を用いて高密度に形成した多
層配線基板が使用されるようになってきた。

【０００７】かかる配線導体を薄膜形成技術により形成
した多層配線基板は、酸化アルミニウム質焼結体から成
るセラミックスやガラス繊維を織り込んだガラス布にエ
ポキシ樹脂を含浸させて形成されるガラスエポキシ樹脂
等から成る基板の上面にスピンコート法及び熱硬化処理
によって形成されるエポキシ樹脂等の有機樹脂から成る
絶縁層と、銅やアルミニウム等の金属を無電解メッキ法
や蒸着法等の薄膜形成技術及びフォトリソグラフィー技
術を採用することによって形成される薄膜配線導体層と
を交互に積層させるとともに、上下に位置する薄膜配線
導体層を有機樹脂絶縁層に設けたスルーホール導体を介
して電気的に接続させた構造を有しており、最上層の有
機樹脂絶縁層上面に前記薄膜配線導体層と電気的に接続
するボンディングパッドを形成しておき、該ボンディン
グパッドに半導体素子等の能動部品や容量素子、抵抗器
等の受動部品の電極を半田等のロウ材を介して接続させ
るようになっている。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この有
機樹脂絶縁層と薄膜配線導体層とを交互に多層に積層し
て形成される多層配線基板は、ボンディングパッドの各
々が最上層の有機樹脂絶縁層上面に同一平面に形成され
ており、かつボンディングパッドの隣接間隔が、例えば
２００μｍと極めて狭いことからボンディングパッドに
半導体素子等の能動部品や容量素子、抵抗器等の受動部
品の電極を半田等から成るロウ材を介して接続させる
際、ロウ材の一部が隣接するボンディングパッドに流れ
て隣接するボンディングパッド間を電気的に短絡させて
しまい、その結果、ボンディングパッドに接続される半
導体素子等に誤動作を起こさせるという欠点を有してい
た。

【０００９】また有機樹脂絶縁層に対するボンディング
パッドの接合が平面的であることから、有機樹脂絶縁層
とボンディングパッドの接合部に多層配線基板と半導体
素子や容量素子、抵抗器等との熱膨張係数の相違に起因
して発生する熱応力が繰り返し印加されるとボンディン
グパッドが有機樹脂絶縁層より剥離してしまい、その結
果、半導体素子等の能動部品や容量素子、抵抗器等の受
動部品の薄膜配線導体層に対する接続の信頼性が低いも
のとなる欠点も有していた。

【００１０】本発明は上記諸欠点に鑑み案出されたもの
で、その目的は配線導体を薄膜形成技術により形成し、
配線導体を高密度に形成するのを可能とするとともに有
機樹脂絶縁層に対するボンディングパッドの接合を強固
として半導体素子や容量素子等の部品の薄膜配線導体層
に対する接続の信頼性を高いものと成すことができる多
層配線基板を提供することにある。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明は、基板上に、有
機樹脂絶縁層と薄膜配線導体層とを交互に積層するとと
もに上下に位置する薄膜配線導体層を有機樹脂絶縁層に
設けたスルーホール導体を介して電気的に接続してな
り、最上層の有機樹脂絶縁層に設けた穴部底面に、前記
薄膜配線導体層と電気的に接続し、外部の電子部品が接
続されるボンディングパッドを設けて成る多層配線基板
であって、前記穴部内壁の下端側の少なくとも一部をボ
ンディングパッド中に埋設させたことを特徴とするもの
である。

【００１２】本発明の多層配線基板によれば、絶縁基板
上に薄膜形成技術によって配線を形成したことから配線
の微細化が可能となり、配線を極めて高密度に形成する
ことが可能になる。

【００１３】また本発明の多層配線基板によれば、最上
層の有機樹脂絶縁層に穴部を設け、該穴部底面にボンデ
ィングパッドを形成したことから隣接するボンディング
パッド間の距離が実質的に長くなり、その結果、ボンデ
ィングパッドに半導体素子等の能動部品や容量素子、抵
抗器等の受動部品の電極を半田等から成るロウ材を介し
て接続させる際、ロウ材の一部が隣接するボンディング
パッドに流れることはなく、所定のボンディングパッド
に半導体素子等の電極を正確に電気的接続させることが
可能となるとともに半導体素子等を常に、正常に作動さ
せることができる。

【００１４】更に本発明の多層配線基板によれば、最上
層の有機樹脂絶縁層に形成されている穴部の内壁の下端
側の少なくとも一部をボンディングパッド中に埋設させ
たことをからボンディングパッドと最上層の有機樹脂絶
縁層とは極めて強固に接合し、両者の接合部に有機樹脂
絶縁層と半導体素子や容量素子等との熱膨張係数の相違
に起因して発生する熱応力が繰り返し印加されたとして
もボンディングパッドが有機樹脂絶縁層より剥離するこ
とはなく、これによって半導体素子等の能動部品や容量
素子、抵抗器等の受動部品の薄膜配線導体層に対する接
続の信頼性を極めて高いものとなすことができる。

【００１５】

【発明の実施の形態】次に、本発明を添付図面に基づき
詳細に説明する。図１及び図２は、本発明の多層配線基
板の一実施例を示し、１は基板、２は有機樹脂絶縁層、
３は薄膜配線導体層である。

【００１６】前記基板１はその上面に有機樹脂絶縁層２
と薄膜配線導体層３とからなる多層配線部４が配設され
ており、該多層配線部４を支持する支持部材として作用
する。

【００１７】前記基板１は酸化アルミニウム質焼結体や
ムライト質焼結体等の酸化物系セラミックス、或いは表
面に酸化物膜を有する窒化アルミニウム質焼結体や炭化
珪素質焼結体等の非酸化物系セラミックス、更にはガラ
ス繊維を織り込んだ布にエポキシ樹脂を含浸させたガラ
スエポキシ樹脂等の電気絶縁材料で形成されており、例
えば、酸化アルミニウム質焼結体で形成されている場合
には、酸化アルミニウム、酸化珪素、酸化マグネシウ
ム、酸化カルシウム等の原料原料に適当な有機溶剤、溶
媒を添加混合して泥漿状となすとともにこれを従来周知
のドクターブレード法やカレンダーロール法を採用する
ことによってセラミックグリーンシート（セラミック生
シート）を形成し、しかる後、前記セラミックグリーン
シートに適当な打ち抜き加工を施し、所定形状となすと
ともに高温（約１６００℃）で焼成することによって、
或いは酸化アルミニウム等の原料粉末に適当な有機溶
剤、溶媒を添加混合して原料粉末を調整するとともに該
原料粉末をプレス成型機によって所定形状に成形し、最
後に前記形成体を約１６００℃の温度で焼成することに
よって製作され、またガラスエポキシ樹脂からなる場合
には、例えば、ガラス繊維を織り込んだ布にエポキシ樹
脂の前駆体を含浸させるとともに該エポキシ樹脂前駆体
を所定の温度で熱硬化させることによって製作される。

【００１８】また前記基板１には上下両面に貫通する孔
径が、例えば、３００μｍ〜５００μｍの貫通孔５が形
成されており、該貫通孔５の内壁には両端が基板１の上
下両面に導出する導電層６が被着されている。

【００１９】前記貫通孔５は後述する基板１の上面に形
成される多層配線部４の薄膜配線導体層３と外部電気回
路とを電気的に接続する、或いは基板１の上下両面に多
層配線部４を配設した場合には両面の多層配線部４の薄
膜配線導体層同士を電気的に接続する導電層６を形成す
るための形成孔として作用し、基板１にドリル孔あけ加
工法を施すことによって基板１の所定位置に所定形状に
形成される。

【００２０】更に前記貫通孔５の内壁及び基板１の上下
両面に被着形成されている導電層６は例えば、銅やニッ
ケル等の金属材料からなり、従来周知のメッキ法及びエ
ッチング法を採用することによって貫通孔５の内壁に両
端を基板１の上下両面に導出させた状態で被着形成され
る。

【００２１】前記基板１にはまた上面に有機樹脂絶縁層
２と薄膜配線導体層３とが交互に多層に配設されて形成
される多層配線部４が被着されており、該多層配線部４
を構成する有機樹脂絶縁層２は上下に位置する薄膜配線
導体層３の電気的絶縁を図る作用をなし、また薄膜配線
導体層３は電気信号を伝達するための伝送路として作用
する。

【００２２】前記多層配線部４の有機樹脂絶縁層２は、
エポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、ポリフ
ェニレンエーテル樹脂、フッ素樹脂等の有機樹脂から成
り、例えば、エポキシ樹脂からなる場合、ビスフェノー
ルＡ型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂、グリ
シジルエステル型エポキシ樹脂等にアミン系硬化剤、イ
ミダゾール系硬化剤、酸無水物系硬化剤等の硬化剤を添
加混合してペースト状のエポキシ樹脂前駆体を得るとと
もに該エポキシ樹脂前駆体を基板１の上部にスピンコー
ト法により被着させ、しかる後、これを８０℃〜２００
℃の熱で０．５〜３時間熱処理し、熱硬化させることに
よって形成させる。

【００２３】更に前記多層配線部４の有機樹脂絶縁層２
はその各々の所定位置に最小径が有機樹脂絶縁層２の厚
みに対して約１．５倍程度のスルーホール８が形成され
ており、該スルーホール８は後述する有機樹脂絶縁層２
を介して上下に位置する薄膜配線導体層３の各々を電気
的に接続するスルーホール導体９を形成するための形成
孔として作用する。

【００２４】前記有機樹脂絶縁層２に設けるスルーホー
ル８は有機樹脂絶縁層２に従来周知のフォトリソグラフ
ィー技術を採用することによって所定の径に形成され
る。

【００２５】また前記各有機樹脂絶縁層２の上面には所
定パターンの薄膜配線導体層３が、更に各有機樹脂絶縁
層２に設けたスルーホール８の内壁にはスルーホール導
体９が各々配設されており、スルーホール導体９によっ
て間に有機樹脂絶縁層２を挟んで上下に位置する各薄膜
配線導体層３の各々が電気的に接続されるようになって
いる。

【００２６】前記各有機樹脂絶縁層２の上面及びスルー
ホール８の内壁に配設される薄膜配線導体層３及びスル
ーホール導体層９は銅、ニッケル、金、アルミニウム等
の金属材料を無電解メッキ法や蒸着法、スパッタリング
法等の薄膜形成技術及びフォトリソグラフィー技術を採
用することによって形成され、例えば、銅で形成されて
いる場合には、有機樹脂絶縁層２の上面及びスルーホー
ル８の内表面に、硫酸銅０．０６モル／リットル、ホル
マリン０．３モル／リットル、水酸化ナトリウム０．３
５モル／リットル、エチレンジアミン四酢酸０．３５モ
ル／リットルから成る無電解銅メッキ浴を用いて厚さ１
μｍ乃至４０μｍの銅を被着させ、しかる後、前記銅層
をフォトリソグラフィー技術により所定パターンに加工
することによって各有機樹脂絶縁層２間、及びスルーホ
ール８内壁に配設される。この場合、薄膜配線導体層３
及びスルーホール導体９は薄膜形成技術により形成され
ることから配線の微細化が可能であり、これによって薄
膜配線導体層３を極めて高密度に形成することが可能と
なる。

【００２７】なお、前記有機樹脂絶縁層２と薄膜配線導
体層３とを交互に多層に配設して形成される多層配線部
４は各有機樹脂絶縁層２の上面を中心線平均粗さ（Ｒ
ａ）で０．０５μｍ≦Ｒａ≦５μｍの粗面としておくと
有機樹脂絶縁層２と薄膜配線導体層３との接合及び上下
に位置する有機樹脂絶縁層２同士の接合を強固となすこ
とができる。従って、前記多層配線部４の各有機樹脂絶
縁層２はその上面をエッチング加工法等によって粗し、
中心線平均粗さ（Ｒａ）で０．０５μｍ≦Ｒａ≦５μｍ
の粗面としておくことが好ましい。

【００２８】また前記有機樹脂絶縁層２はその表面の
２．５ｍｍの長さにおける凹凸の高さ（Ｐｃ）のカウン
ト値を、１μｍ≦Ｐｃ≦１０μｍが５００個以上、０．
１μｍ≦Ｐｃ≦１μｍが２５００個以上、０．０１μｍ
≦Ｐｃ≦０．１μｍが１２５００個以上としておくと有
機樹脂絶縁層２と薄膜配線導体層３との接合及び上下に
位置する有機樹脂絶縁層２同士の接合がより強固とな
る。従って、前記有機樹脂絶縁層２はその表面の２．５
ｍｍの長さにおける凹凸の高さ（Ｐｃ）のカウント値
を、１μｍ≦Ｐｃ≦１０μｍが５００個以上、０．１μ
ｍ≦Ｐｃ≦１μｍが２５００個以上、０．０１μｍ≦Ｐ
ｃ≦０．１μｍが１２５００個以上としておくことが好
ましい。

【００２９】前記有機樹脂絶縁層２上面の中心線平均粗
さ（Ｒａ）及び２．５ｍｍの長さにおける凹凸の高さ
（Ｐｃ）のカウント値は、有機樹脂絶縁層２の表面を原
子間力顕微鏡（Digital Instruments Inc.製のDimensio
n 3000-Nano Scope III ）で５０μｍ角の対角（７０μ
ｍ）に走査させてその表面状態を検査測定し、その測定
結果より各々の数値を出した。

【００３０】また前記中心線平均粗さ（Ｒａ）が０．０
５μｍ≦Ｒａ≦５μｍ、２．５ｍｍの長さにおける凹凸
の高さ（Ｐｃ）のカウント値が、１μｍ≦Ｐｃ≦１０μ
ｍが５００個以上、０．１μｍ≦Ｐｃ≦１μｍが２５０
０個以上、０．０１μｍ≦Ｐｃ≦０．１μｍが１２５０
０個以上の有機樹脂絶縁層２は、該有機樹脂絶縁層２の
上面にＣＨＦ₃ 、ＣＦ₄ 、Ａｒ等のガスを吹きつけたり
アクティブイオンエッチング処理をすることによって表
面が所定の粗さに粗される。

【００３１】更に前記有機樹脂絶縁層２はその各々の厚
みが１００μｍを超えると有機樹脂絶縁層２にフォトリ
ソグラフィー技術を採用することによってスルーホール
８を形成する際、エッチング加工時間が長くなってスル
ーホール８を所望する鮮明な形状に形成するのが困難と
なり、また５μｍ未満となると有機樹脂絶縁層２の上面
に上下に位置する有機樹脂絶縁層２の接合強度を上げる
ための粗面加工を施す際、有機樹脂絶縁層２に不要な穴
が形成され上下に位置する薄膜配線導体層３に不要な電
気的短絡を招来してしまう危険性がある。従って、前記
有機樹脂絶縁層２はその各々の厚みを５μｍ乃至１００
μｍの範囲としておくことが好ましい。

【００３２】また更に前記多層配線部４の各薄膜配線導
体層３はその厚みが１μｍ未満であると各薄膜配線導体
層３の電気抵抗値が大きなものとなって各薄膜配線導体
層３に所定の電気信号を伝達させることが困難となり、
また４０μｍを超えると薄膜配線導体層３を有機樹脂絶
縁層２に被着させる際に薄膜配線導体層３の内部に大き
な応力が内在し、該大きな内在応力によって薄膜配線導
体層３が有機樹脂絶縁層２より剥離し易いものとなる。
従って、前記多層配線部４の各薄膜配線導体層３の厚み
は１μｍ乃至４０μｍの範囲としておくことが好まし
い。

【００３３】前記有機樹脂絶縁層２と薄膜配線導体層３
とを交互に多層に積層して形成される多層配線部４は更
に、最上層の有機樹脂絶縁層２ａに穴部１０が形成され
ており、該穴部１０の底面には薄膜配線導体層３と電気
的に接続しているボンディングパッド７が形成されてい
る。

【００３４】前記最上層の有機樹脂絶縁層２ａに形成さ
れている穴部１０は薄膜配線導体層３に電気的接続を持
つボンディングパッド７を形成するための形成穴として
作用し、最上層の有機樹脂絶縁層２ａに従来周知のフォ
トリソグラフィー技術を採用することによって所定位置
に所定開口径に形成される。

【００３５】また前記最上層の有機樹脂絶縁層２ａに設
けた穴部１０の底面に形成されているボンディングパッ
ド７は、半導体素子や容量素子等の電子部品Ａの電極を
薄膜配線導体層３に電気的に接続させる作用をなし、ボ
ンディングパッド７には電子部品Ａの各電極が半田等の
ロウ材を介してロウ付け接続される。この場合、ボンデ
ィングパッド７はその隣接間隔が２００μｍ程度の狭い
ものであったとしても穴部１０の底面に形成されている
ことから隣接するボンディングパッド７間の距離が実質
的に長くなり、その結果、ボンディングパッド７と半導
体素子や容量素子等、電子部品Ａの電極とを接続させる
ロウ材の一部が隣接するボンディングパッド７に流れる
ことはなく、所定のボンディングパッド７に電子部品Ａ
の電極を正確に電気的接続させて半導体素子等の電子部
品Ａを常に、正常に作動させることが可能となる。

【００３６】前記ボンディングパッド７は、例えば、薄
膜配線導体層３と同じ金属材料、具体的には銅、ニッケ
ル、金、アルミニウム等の金属材料から成り、前述の薄
膜配線導体層３の形成方法と同一の方法によって穴部１
０の底面に形成される。

【００３７】また前記ボンディングパッド７の内部には
図２に示すように最上層の有機樹脂絶縁層２ａに設けた
穴部１０の内壁の下端側が埋設されている。

【００３８】前記最上層の有機樹脂絶縁層２ａに設けた
穴部１０の内壁の下端側をボンディングパッド７の内部
に埋設させるとボンディングパッド７と最上層の有機樹
脂絶縁層２ａとが極めて強固に接合し、これによってボ
ンディングパッド７と最上層の有機樹脂絶縁層２ａとの
接合部に該有機樹脂絶縁層２ａと半導体素子等の電子部
品Ａとの熱膨張係数の相違に起因して発生する熱応力が
繰り返し印加されてもボンディングパッド７は有機樹脂
絶縁層２ａより剥離することはなく、電子部品Ａの薄膜
配線導体層に対する接続の信頼性を極めて高いものとな
すことが可能となる。

【００３９】なお、前記ボンディングパッド７の内部に
最上層の有機樹脂絶縁層２ａに設けた穴部１０の内壁の
下端側を埋設させる方法としては、例えば、穴部１０の
内壁をすり鉢状としておき、穴部１０の底面に厚みが若
干厚いボンディングパッド７を形成しておくことによっ
て行われる。

【００４０】また前記穴部１０の内壁の下端側はその全
周をボンディングパッド７の内部に埋設させる必要はな
く、一部をボンディングパッド７の内部に埋設させてお
けばよい。

【００４１】かくして、本発明の多層配線基板によれ
ば、最上層の有機樹脂絶縁層２ａに設けたボンディング
パッド７に半導体素子や容量素子等の電子部品Ａの電極
を半田等からなるロウ材を介して接続させ、電子部品Ａ
の電極をボンディングパッド７を介して薄膜配線導体層
３に電気的に接続させることによって半導体装置や混成
集積回路装置となり、薄膜配線導体層３の一部を外部電
気回路に接続させれば前記電子部品Ａが外部電気回路に
電気的に接続されることとなる。

【００４２】なお、本発明は上述の実施例に限定される
ものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば
種々の変更は可能であり、例えば、上述の実施例におい
ては基板１の上面のみに有機樹脂絶縁層２と薄膜配線導
体層３とを交互に積層して形成される多層配線部４を被
着させたが、多層配線部４を基板１の下面側のみに設け
ても、上下の両主面に設けてもよい。

【００４３】

【発明の効果】本発明の多層配線基板によれば、絶縁基
板上に薄膜形成技術によって配線を形成したことから配
線の微細化が可能となり、配線を極めて高密度に形成す
ることが可能になる。

【００４４】また本発明の多層配線基板によれば、最上
層の有機樹脂絶縁層に穴部を設け、該穴部底面にボンデ
ィングパッドを形成したことから隣接するボンディング
パッド間の距離が実質的に長くなり、その結果、ボンデ
ィングパッドに半導体素子等の能動部品や容量素子、抵
抗器等の受動部品の電極を半田等から成るロウ材を介し
て接続させる際、ロウ材の一部が隣接するボンディング
パッドに流れることはなく、所定のボンディングパッド
に半導体素子等の電極を正確に電気的接続させることが
可能となるとともに半導体素子等を常に、正常に作動さ
せることができる。

【００４５】更に本発明の多層配線基板によれば、最上
層の有機樹脂絶縁層に形成されている穴部の内壁の下端
側の少なくとも一部をボンディングパッド中に埋設させ
たことをからボンディングパッドと最上層の有機樹脂絶
縁層とは極めて強固に接合し、両者の接合部に有機樹脂
絶縁層と半導体素子や容量素子等との熱膨張係数の相違
に起因して発生する熱応力が繰り返し印加されたとして
もボンディングパッドが有機樹脂絶縁層より剥離するこ
とはなく、これによって半導体素子等の能動部品や容量
素子、抵抗器等の受動部品の薄膜配線導体層に対する接
続の信頼性を極めて高いものとなすことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の多層配線基板の一実施例を示す断面図
である。

【図２】図１に示す多層配線基板の要部拡大断面図であ
る。

【符号の説明】

１・・・基板 ２・・・有機樹脂絶縁層 ２ａ・・最上層の有機樹脂絶縁層 ３・・・薄膜配線導体層 ４・・・多層配線部 ７・・・ボンディングパッド ８・・・スルーホール ９・・・スルーホール導体 １０・・最上層の有機樹脂絶縁層に設けた穴部 Ａ・・・電子部品

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】基板上に、有機樹脂絶縁層と薄膜配線導体
   層とを交互に積層するとともに上下に位置する薄膜配線
   導体層を有機樹脂絶縁層に設けたスルーホールの内壁に
   形成されてるスルーホール導体を介して電気的に接続し
   てなり、最上層の有機樹脂絶縁層に設けた穴部底面に、
   前記薄膜配線導体層と電気的に接続し、外部の電子部品
   が接続されるボンディングパッドを設けて成る多層配線
   基板であって、前記穴部内壁の下端側の少なくとも一部
   をボンディングパッド中に埋設させたことを特徴とする
   多層配線基板。