JPH10209689A - 回路モジュールの製造方法 - Google Patents
回路モジュールの製造方法Info
- Publication number
- JPH10209689A JPH10209689A JP9007771A JP777197A JPH10209689A JP H10209689 A JPH10209689 A JP H10209689A JP 9007771 A JP9007771 A JP 9007771A JP 777197 A JP777197 A JP 777197A JP H10209689 A JPH10209689 A JP H10209689A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- substrate
- harmonic
- irradiation
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 9
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims abstract description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 49
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 13
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 8
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims description 7
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 2
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 abstract description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 abstract 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 6
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 4
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910020816 Sn Pb Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910020922 Sn-Pb Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910008783 Sn—Pb Inorganic materials 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001634 calcium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000003685 thermal hair damage Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Laser Beam Processing (AREA)
- Supply And Installment Of Electrical Components (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 レーザー光照射による部品接続を効率よく行
える回路モジュールの製造方法を提供する。 【解決手段】 基板電極３ａ等の金属物質に対する反射
率が基本波光よりも低い第２高調波光ＬＢを照射レーザ
ー光として用いているので、基本波光を基板電極３ａに
照射する場合に比べて反射損失を減少し吸収率を高め
て、短い照射時間で部品接続に必要なエネルギーをバン
プ２に付与し、レーザー光照射による部品接続を短時間
で効率よく行うことができる。
える回路モジュールの製造方法を提供する。 【解決手段】 基板電極３ａ等の金属物質に対する反射
率が基本波光よりも低い第２高調波光ＬＢを照射レーザ
ー光として用いているので、基本波光を基板電極３ａに
照射する場合に比べて反射損失を減少し吸収率を高め
て、短い照射時間で部品接続に必要なエネルギーをバン
プ２に付与し、レーザー光照射による部品接続を短時間
で効率よく行うことができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、レーザー光の照射
エネルギーを利用して電子部品と基板との接続を行う回
路モジュールの製造方法に関するものである。
エネルギーを利用して電子部品と基板との接続を行う回
路モジュールの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図３はこの種従来の部品接続方法を示す
もので、図中の１はＩＣ，ＬＳＩ等の電子部品、１ａは
電子部品１の下面に設けられた電極、２は部品電極１ａ
に設けられたバンプ（突起電極）、３はレーザー光透過
性の基板、３ａは基板３の上面に設けられた電極（ラン
ド）、４はレンズ、Ｌはレーザー光である。
もので、図中の１はＩＣ，ＬＳＩ等の電子部品、１ａは
電子部品１の下面に設けられた電極、２は部品電極１ａ
に設けられたバンプ（突起電極）、３はレーザー光透過
性の基板、３ａは基板３の上面に設けられた電極（ラン
ド）、４はレンズ、Ｌはレーザー光である。
【０００３】バンプ２は各電極１ａ，３ａよりも融点の
低い金属材料、例えばＳｎ−Ｐｂ系合金（半田）等から
成り、それ自体が接合材としての役目を果たす。
低い金属材料、例えばＳｎ−Ｐｂ系合金（半田）等から
成り、それ自体が接合材としての役目を果たす。
【０００４】基板３に対して電子部品１を電気的に接続
するには、まず、図示省略の部品吸着具を用いて、電子
部品１をその部品電極１ａが基板電極３ａに一致するよ
うに位置合わせしてから基板３上に載置する。
するには、まず、図示省略の部品吸着具を用いて、電子
部品１をその部品電極１ａが基板電極３ａに一致するよ
うに位置合わせしてから基板３上に載置する。
【０００５】そして、この部品載置状態で、基板３の下
面側から該基板３を介してレーザー光Ｌを基板電極３ａ
に照射する。これにより、レーザー光Ｌの照射エネルギ
ーによって基板電極３ａが加熱され、該基板電極３ａか
らの熱伝導によってバンプ２が加熱されて溶融し、該溶
融分の固化によって電子部品１の電極１ａと基板３の電
極３ａとが電気的に接続される。
面側から該基板３を介してレーザー光Ｌを基板電極３ａ
に照射する。これにより、レーザー光Ｌの照射エネルギ
ーによって基板電極３ａが加熱され、該基板電極３ａか
らの熱伝導によってバンプ２が加熱されて溶融し、該溶
融分の固化によって電子部品１の電極１ａと基板３の電
極３ａとが電気的に接続される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記のレーザー光Ｌに
は、Ｎｄ：ＹＡＧ単結晶を用いたＣＷ発振のＱスイッチ
ＹＡＧレーザーを発振源とした、波長１０６４ｎｍで連
続パルス列の赤外光（基本波光）が一般に用いられてい
る。しかし、ＹＡＧレーザーの基本波光は金属物質に対
する反射率が高いため、レーザー光照射によってバンプ
等の被接続部に所定のエネルギーを与えるには、反射損
失を補う意味からも必然的にレーザー光照射時間が長く
なり、これによって部品接続に要する時間が嵩む不具合
がある。
は、Ｎｄ：ＹＡＧ単結晶を用いたＣＷ発振のＱスイッチ
ＹＡＧレーザーを発振源とした、波長１０６４ｎｍで連
続パルス列の赤外光（基本波光）が一般に用いられてい
る。しかし、ＹＡＧレーザーの基本波光は金属物質に対
する反射率が高いため、レーザー光照射によってバンプ
等の被接続部に所定のエネルギーを与えるには、反射損
失を補う意味からも必然的にレーザー光照射時間が長く
なり、これによって部品接続に要する時間が嵩む不具合
がある。
【０００７】本発明は上記事情に鑑みてなされたもの
で、その目的とするところは、レーザー光照射による部
品接続を効率よく行える回路モジュールの製造方法を提
供することにある。
で、その目的とするところは、レーザー光照射による部
品接続を効率よく行える回路モジュールの製造方法を提
供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明は、被接続部にレーザー光を照射して電子部
品と基板との接続を行う回路モジュールの製造方法にお
いて、照射レーザー光として高調波光を用いる、ことを
その主たる特徴としている。
め、本発明は、被接続部にレーザー光を照射して電子部
品と基板との接続を行う回路モジュールの製造方法にお
いて、照射レーザー光として高調波光を用いる、ことを
その主たる特徴としている。
【０００９】本発明によれば、反射損失が少なく吸収率
の高い高調波光を照射レーザー光として用いることによ
り、基本波光を被接続部に照射する場合に比べて短い照
射時間で被加熱部に所望のエネルギーを与えることがで
きる。
の高い高調波光を照射レーザー光として用いることによ
り、基本波光を被接続部に照射する場合に比べて短い照
射時間で被加熱部に所望のエネルギーを与えることがで
きる。
【００１０】
［第１実施形態］図１は本発明の第１実施形態に係るも
ので、図中の１はＩＣ，ＬＳＩ等の電子部品、１ａは電
子部品１の下面に設けられた電極、２は部品電極１ａに
設けられたバンプ（突起電極）、３は基板、３ａは基板
３の上面に設けられた電極（ランド）、４はレンズ、５
はレーザー発振器、６は高調波発生器、７は光分岐器、
８は光ファイバ、ＬＢは第２高調波光である。
ので、図中の１はＩＣ，ＬＳＩ等の電子部品、１ａは電
子部品１の下面に設けられた電極、２は部品電極１ａに
設けられたバンプ（突起電極）、３は基板、３ａは基板
３の上面に設けられた電極（ランド）、４はレンズ、５
はレーザー発振器、６は高調波発生器、７は光分岐器、
８は光ファイバ、ＬＢは第２高調波光である。
【００１１】基板３はサファイヤ，ジルコニア，フッ化
カルシウム，チッ化アルミ，アルミナ，石英等のセラミ
クスやガラス、またはポリミド，アクリル，ＰＥＴ，シ
リコン，エポキシ，ガラスエポキシ等の樹脂から成り、
レーザー光ＬＢに対し透過性を有している。
カルシウム，チッ化アルミ，アルミナ，石英等のセラミ
クスやガラス、またはポリミド，アクリル，ＰＥＴ，シ
リコン，エポキシ，ガラスエポキシ等の樹脂から成り、
レーザー光ＬＢに対し透過性を有している。
【００１２】部品電極１ａと基板電極３ａは金，銀，ア
ルミニウム，銅，ニッケル，白金，パラジウムまたはそ
の合金等から成る。バンプ２は各電極１ａ，３ａよりも
融点の低い金属材料、例えばＳｎ−Ｐｂ系合金（半田）
等から成り、それ自体が接合材としての役目を果たす。
ルミニウム，銅，ニッケル，白金，パラジウムまたはそ
の合金等から成る。バンプ２は各電極１ａ，３ａよりも
融点の低い金属材料、例えばＳｎ−Ｐｂ系合金（半田）
等から成り、それ自体が接合材としての役目を果たす。
【００１３】レーザー発振器５はＮｄ：ＹＡＧ単結晶を
用いたＣＷ発振のＱスイッチＹＡＧレーザーから成り、
波長１０６４ｎｍで連続パルス列の赤外光（基本波光）
を出射する。
用いたＣＷ発振のＱスイッチＹＡＧレーザーから成り、
波長１０６４ｎｍで連続パルス列の赤外光（基本波光）
を出射する。
【００１４】高調波発生器６はＫＤＰ，ＡＤＰ等の非線
形光学結晶素子と高調波分離用のフィルタまたはプリズ
ム等を備え、レーザー発振器５から出射された基本波光
（波長１０６４ｎｍ，赤外光）を、波長５３２ｎｍのグ
リーン光（第２高調波光）に変換する。
形光学結晶素子と高調波分離用のフィルタまたはプリズ
ム等を備え、レーザー発振器５から出射された基本波光
（波長１０６４ｎｍ，赤外光）を、波長５３２ｎｍのグ
リーン光（第２高調波光）に変換する。
【００１５】光分岐器７は、高調波発生器６で変換され
た第２高調波光を所定数、ここでは電子部品１の電極数
に応じた数に分岐する。
た第２高調波光を所定数、ここでは電子部品１の電極数
に応じた数に分岐する。
【００１６】光ファイバ８は石英系のもので、光分岐器
７で分岐された第２高調波光ＬＢを各レンズ４それぞれ
に導く。
７で分岐された第２高調波光ＬＢを各レンズ４それぞれ
に導く。
【００１７】レンズ４は、基板３上に載置される電子部
品１の電極位置に対応するように基板３の下側に配置さ
れており、光ファイバ８を介して導かれた第２高調波光
ＬＢを基板３を介して基板電極３ａに集光させる。
品１の電極位置に対応するように基板３の下側に配置さ
れており、光ファイバ８を介して導かれた第２高調波光
ＬＢを基板３を介して基板電極３ａに集光させる。
【００１８】つまり、図示例のものでは、電子部品１の
電極数に応じた複数の第２高調波光ＬＢを、基板３の下
側から部品対応の基板電極３ａに向けて同時に照射でき
るような光学系が組まれている。
電極数に応じた複数の第２高調波光ＬＢを、基板３の下
側から部品対応の基板電極３ａに向けて同時に照射でき
るような光学系が組まれている。
【００１９】電子部品１と基板３とを電気的に接続する
には、まず、図示省略の部品吸着具を用いて、電子部品
１を部品電極１ａと基板電極３ａとが一致するように位
置合わせてしてから基板３上に載置する。
には、まず、図示省略の部品吸着具を用いて、電子部品
１を部品電極１ａと基板電極３ａとが一致するように位
置合わせてしてから基板３上に載置する。
【００２０】そして、この部品載置状態で、基板３の下
面側から該基板３を介して第２高調波光ＬＢを基板電極
３ａに照射する。これにより、第２高調波光ＬＢの照射
エネルギーによって基板電極３ａが加熱され、該基板電
極３ａからの熱伝導によってバンプ２が加熱されて溶融
し、該溶融分の固化によって電子部品１の電極１ａと基
板３の電極３ａとが電気的に接続される。ちなみに、各
基板電極３ａに照射される第２高調波光ＬＢのパワーと
照射時間は、事前の接続実験によって決定される。
面側から該基板３を介して第２高調波光ＬＢを基板電極
３ａに照射する。これにより、第２高調波光ＬＢの照射
エネルギーによって基板電極３ａが加熱され、該基板電
極３ａからの熱伝導によってバンプ２が加熱されて溶融
し、該溶融分の固化によって電子部品１の電極１ａと基
板３の電極３ａとが電気的に接続される。ちなみに、各
基板電極３ａに照射される第２高調波光ＬＢのパワーと
照射時間は、事前の接続実験によって決定される。
【００２１】本実施形態によれば、基板電極３ａ等の金
属物質に対する反射率が基本波光よりも低い第２高調波
光ＬＢを照射レーザー光として用いているので、基本波
光を基板電極３ａに照射する場合に比べて反射損失を減
少し吸収率を高めて、短い照射時間で部品接続に必要な
エネルギーをバンプ２に付与し、レーザー光照射による
部品接続を短時間で効率よく行うことができる。
属物質に対する反射率が基本波光よりも低い第２高調波
光ＬＢを照射レーザー光として用いているので、基本波
光を基板電極３ａに照射する場合に比べて反射損失を減
少し吸収率を高めて、短い照射時間で部品接続に必要な
エネルギーをバンプ２に付与し、レーザー光照射による
部品接続を短時間で効率よく行うことができる。
【００２２】尚、上記実施形態では、バンプ自体を接合
材として用いたものを示したが、バンプ表面にバンプよ
りも融点の低い接合材層、例えば半田層を設けて、該接
合材層のみを加熱溶融して同様の部品接続を行うように
してもよい。また、バンプを排除しその代わりに部品電
極と基板電極の何れか一方に半田等の接合材を設け、該
接合材を用いて部品電極と基板電極とを接続する場合で
も同様の作用，効果を期待できる。
材として用いたものを示したが、バンプ表面にバンプよ
りも融点の低い接合材層、例えば半田層を設けて、該接
合材層のみを加熱溶融して同様の部品接続を行うように
してもよい。また、バンプを排除しその代わりに部品電
極と基板電極の何れか一方に半田等の接合材を設け、該
接合材を用いて部品電極と基板電極とを接続する場合で
も同様の作用，効果を期待できる。
【００２３】また、上記実施形態では、電子部品として
ＩＣ，ＬＳＩ等を例示したが、該実施形態で説明した接
続方法は、チップコンデンサ，チップインダクタ，チッ
プ抵抗器等のチップ状電子部品やこれ以外の電子部品に
も幅広く適用できる。
ＩＣ，ＬＳＩ等を例示したが、該実施形態で説明した接
続方法は、チップコンデンサ，チップインダクタ，チッ
プ抵抗器等のチップ状電子部品やこれ以外の電子部品に
も幅広く適用できる。
【００２４】さらに、ＹＡＧレーザーの基本波光を第２
高調波光に変換しこれを照射するものを例示したが、基
本波光を第３高調波光（波長３５５ｎｍ，ブルー光）や
第４高調波光（波長２６６ｎｍ，紫外光）に変換してか
らこれを照射するようにしても同様の部品接続を行うこ
とができる。
高調波光に変換しこれを照射するものを例示したが、基
本波光を第３高調波光（波長３５５ｎｍ，ブルー光）や
第４高調波光（波長２６６ｎｍ，紫外光）に変換してか
らこれを照射するようにしても同様の部品接続を行うこ
とができる。
【００２５】さらにまた、ＹＡＧレーザー光の高調波光
を照射するものを例示したが、ＣＷ発振のＣＯ2レーザ
ー を発振源として用い、その基本波光（波長１０．６
μｍ，遠赤外光）を変換して得た高調波光を照射するよ
うにしても同様の作用，効果を得ることができる。
を照射するものを例示したが、ＣＷ発振のＣＯ2レーザ
ー を発振源として用い、その基本波光（波長１０．６
μｍ，遠赤外光）を変換して得た高調波光を照射するよ
うにしても同様の作用，効果を得ることができる。
【００２６】さらにまた、基板電極やバンプ等の被接続
部に基板を介して高調波光を照射するものを例示した
が、被接続部に対して直接高調波光を照射してエネルギ
ーを与えるようにしてもよい。
部に基板を介して高調波光を照射するものを例示した
が、被接続部に対して直接高調波光を照射してエネルギ
ーを与えるようにしてもよい。
【００２７】さらにまた、バンプまたは接合材を加熱溶
融して部品接続を行うものを例示したが、上記実施形態
で説明した接続方法は、接合材を用いずに熱圧着によっ
て部品接続を行う場合にも有効であり、詳しくは、基板
上に載置された電子部品に所定の圧力を加えた状態でバ
ンプまたは電極を照射エネルギーによって融点よりも低
い温度に加熱するようすれば、同様の手順にて熱圧着に
より部品接続を行うことができる。
融して部品接続を行うものを例示したが、上記実施形態
で説明した接続方法は、接合材を用いずに熱圧着によっ
て部品接続を行う場合にも有効であり、詳しくは、基板
上に載置された電子部品に所定の圧力を加えた状態でバ
ンプまたは電極を照射エネルギーによって融点よりも低
い温度に加熱するようすれば、同様の手順にて熱圧着に
より部品接続を行うことができる。
【００２８】［第２実施形態］図２は本発明の第２実施
形態に係るもので、図中の１１は電子部品１よりも耐熱
性が低い電子部品、１１ａは電子部品１１の下面に設け
られた電極、１２は部品電極１１ａに設けられたバンプ
（突起電極）、ＬＢ１は基本波光、ＬＢ２は第２高調波
光である。他の構成は第１実施形態と同じであるため同
一符号を用いてその説明を省略する。
形態に係るもので、図中の１１は電子部品１よりも耐熱
性が低い電子部品、１１ａは電子部品１１の下面に設け
られた電極、１２は部品電極１１ａに設けられたバンプ
（突起電極）、ＬＢ１は基本波光、ＬＢ２は第２高調波
光である。他の構成は第１実施形態と同じであるため同
一符号を用いてその説明を省略する。
【００２９】本実施形態が第１実施形態と異なるところ
は、基板３上に接続される電子部品の種類に応じて基本
波光と第２高調波光を選択的に用いた点にある。例え
ば、耐熱性に差のある２種類の電子部品１，１１を基板
３に接続する場合に、低耐熱性の電子部品１１には急激
な温度上昇を避けるためにＹＡＧレーザー光の基本波光
ＬＢ１を使用し、一方、高耐熱性の電子部品１には第１
実施形態と同様にＹＡＧレーザー光の第２基本波光ＬＢ
２を使用してその接続を行うようにしている。
は、基板３上に接続される電子部品の種類に応じて基本
波光と第２高調波光を選択的に用いた点にある。例え
ば、耐熱性に差のある２種類の電子部品１，１１を基板
３に接続する場合に、低耐熱性の電子部品１１には急激
な温度上昇を避けるためにＹＡＧレーザー光の基本波光
ＬＢ１を使用し、一方、高耐熱性の電子部品１には第１
実施形態と同様にＹＡＧレーザー光の第２基本波光ＬＢ
２を使用してその接続を行うようにしている。
【００３０】ちなみに、図示例では、各電子部品１，１
１の電極１ａ，１１ａに対して、基本波光ＬＢ１と第２
高調波光ＬＢ２を基板３の下側から同時に照射できるよ
うにしたものを示してあるが、基本波光と第２高調波光
を選択的に照射できる光学系を用いて、各電子部品１，
１１毎に基本波光と第２高調波光を適宜切り替えて照射
するようにしてもよい。
１の電極１ａ，１１ａに対して、基本波光ＬＢ１と第２
高調波光ＬＢ２を基板３の下側から同時に照射できるよ
うにしたものを示してあるが、基本波光と第２高調波光
を選択的に照射できる光学系を用いて、各電子部品１，
１１毎に基本波光と第２高調波光を適宜切り替えて照射
するようにしてもよい。
【００３１】本実施形態によれば、基板３上に接続され
る電子部品の種類に応じて基本波光ＬＢ１と第２高調波
光ＬＢ２を使い分けることにより、部品接続時に電子部
品が受ける熱的ダメージを軽減して、該ダメージによる
品質低下を防止することができる。第２高調波光ＬＢ２
を用いることによる作用，効果は第１実施形態と同様で
ある。
る電子部品の種類に応じて基本波光ＬＢ１と第２高調波
光ＬＢ２を使い分けることにより、部品接続時に電子部
品が受ける熱的ダメージを軽減して、該ダメージによる
品質低下を防止することができる。第２高調波光ＬＢ２
を用いることによる作用，効果は第１実施形態と同様で
ある。
【００３２】尚、上記実施形態では、ＹＡＧレーザーの
基本波光と第２高調波光を選択的に用いるものを例示し
たが、第２高調波光以外の高調波光と基本波光を選択的
に用いてもよく、或いは、基本波光を用いずに第２乃至
第４高調波光を選択的に用いるようにしてもよい。
基本波光と第２高調波光を選択的に用いるものを例示し
たが、第２高調波光以外の高調波光と基本波光を選択的
に用いてもよく、或いは、基本波光を用いずに第２乃至
第４高調波光を選択的に用いるようにしてもよい。
【００３３】また、ＹＡＧレーザー光の基本波光と高調
波光を選択的に用いるものを例示したが、ＣＷ発振のＣ
Ｏ2レーザー を発振源として用い、その基本波光と高調
波光を選択的に用いるようにしても同様の作用，効果を
得ることができる。
波光を選択的に用いるものを例示したが、ＣＷ発振のＣ
Ｏ2レーザー を発振源として用い、その基本波光と高調
波光を選択的に用いるようにしても同様の作用，効果を
得ることができる。
【００３４】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば、
高調波光を照射レーザー光として用いることにより、基
本波光を被接続部に照射する場合に比べて反射損失を減
少し吸収率を高めて、短い照射時間で部品接続に必要な
エネルギーを被接続部に付与し、レーザー光照射による
部品接続を短時間で効率よく行うことができる。
高調波光を照射レーザー光として用いることにより、基
本波光を被接続部に照射する場合に比べて反射損失を減
少し吸収率を高めて、短い照射時間で部品接続に必要な
エネルギーを被接続部に付与し、レーザー光照射による
部品接続を短時間で効率よく行うことができる。
【図１】本発明の第１実施形態に係る部品接続方法を示
す図
す図
【図２】本発明の第２実施形態に係る部品接続方法を示
す図
す図
【図３】従来の部品接続方法を示す図
１…電子部品、１ａ…部品電極、２…バンプ、３…基
板、３ａ…基板電極、４…レンズ、５…レーザー発振
器、６…高調波発生器、７…光分岐器、８…光ファイ
バ、ＬＢ…第２高調波光、１１…電子部品、１１ａ…部
品電極、１２…バンプ、ＬＢ１…基本波光、ＬＢ２…第
２高調波光。
板、３ａ…基板電極、４…レンズ、５…レーザー発振
器、６…高調波発生器、７…光分岐器、８…光ファイ
バ、ＬＢ…第２高調波光、１１…電子部品、１１ａ…部
品電極、１２…バンプ、ＬＢ１…基本波光、ＬＢ２…第
２高調波光。
フロントページの続き (72)発明者 藤井 知徳 東京都台東区上野６丁目16番20号 太陽誘 電株式会社内 (72)発明者 上野 光生 東京都台東区上野６丁目16番20号 太陽誘 電株式会社内 (72)発明者 藤川 巌 東京都台東区上野６丁目16番20号 太陽誘 電株式会社内 (72)発明者 渋谷 和行 東京都台東区上野６丁目16番20号 太陽誘 電株式会社内
Claims (5)
- 【請求項１】 被接続部にレーザー光を照射して電子部
品と基板との接続を行う回路モジュールの製造方法にお
いて、 照射レーザー光として高調波光を用いる、 ことを特徴とする回路モジュールの製造方法。 - 【請求項２】 照射レーザー光として基本波光を併用
し、基板に対する部品接続に高調波光と基本波光を選択
的に用いる、 ことを特徴とする請求項１記載の回路モジュールの製造
方法。 - 【請求項３】 照射レーザー光の発振源がＹＡＧレーザ
ーである、 ことを特徴とする請求項１または２記載の回路モジュー
ルの製造方法。 - 【請求項４】 照射レーザー光の発振源がＣＯ2レーザ
ー である、 ことを特徴とする請求項１または２記載の回路モジュー
ルの製造方法。 - 【請求項５】 基本波光を非線形光学結晶素子を用いて
高調波光に変換する、 ことを特徴とする請求項１乃至４の何れか１項記載の回
路モジュールの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9007771A JPH10209689A (ja) | 1997-01-20 | 1997-01-20 | 回路モジュールの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9007771A JPH10209689A (ja) | 1997-01-20 | 1997-01-20 | 回路モジュールの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10209689A true JPH10209689A (ja) | 1998-08-07 |
Family
ID=11674950
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9007771A Withdrawn JPH10209689A (ja) | 1997-01-20 | 1997-01-20 | 回路モジュールの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10209689A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100777575B1 (ko) * | 2006-03-20 | 2007-11-16 | 주식회사 젯텍 | 레이저를 이용한 전자부품의 접속 방법 및 장치 |
| JP2008277438A (ja) * | 2007-04-26 | 2008-11-13 | Ricoh Microelectronics Co Ltd | 電子部品、基板、並びに、電子部品及び基板の製造方法 |
| JP2011521233A (ja) * | 2008-05-15 | 2011-07-21 | ロッキード・マーチン・コーポレーション | Ｃｏ２レーザーおよび高調波生成を使用して超音波を生成するための改良型中赤外レーザー |
| DE102007062202B4 (de) * | 2007-12-21 | 2021-06-10 | Vitesco Technologies GmbH | Beschreibung Verfahren zur Kontaktierung einer starren Leiterplatte mit einem Kontaktpartner und Anordnung aus starrer Leiterplatte und Kontaktpartner |
-
1997
- 1997-01-20 JP JP9007771A patent/JPH10209689A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100777575B1 (ko) * | 2006-03-20 | 2007-11-16 | 주식회사 젯텍 | 레이저를 이용한 전자부품의 접속 방법 및 장치 |
| JP2008277438A (ja) * | 2007-04-26 | 2008-11-13 | Ricoh Microelectronics Co Ltd | 電子部品、基板、並びに、電子部品及び基板の製造方法 |
| DE102007062202B4 (de) * | 2007-12-21 | 2021-06-10 | Vitesco Technologies GmbH | Beschreibung Verfahren zur Kontaktierung einer starren Leiterplatte mit einem Kontaktpartner und Anordnung aus starrer Leiterplatte und Kontaktpartner |
| JP2011521233A (ja) * | 2008-05-15 | 2011-07-21 | ロッキード・マーチン・コーポレーション | Ｃｏ２レーザーおよび高調波生成を使用して超音波を生成するための改良型中赤外レーザー |
| TWI468663B (zh) * | 2008-05-15 | 2015-01-11 | Lockheed Corp | 使用ｃｏ2雷射及諧波產生以產生超音波之改良中紅外線雷射及超音波偵測系統 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3285294B2 (ja) | 回路モジュールの製造方法 | |
| JP7368450B2 (ja) | 半導体装置および接合方法 | |
| US20010027633A1 (en) | Package sealing method, manufacturing method of electronic device modules, sealing apparatus, and packaged product | |
| JPH10214859A (ja) | 回路モジュールの製造方法 | |
| JPH01192127A (ja) | ボンディング方法 | |
| JPH10209689A (ja) | 回路モジュールの製造方法 | |
| US20090025972A1 (en) | Solder Mounting Structure, Manufacturing Method and Apparatus of the Solder Mounting Structure, Electronic Apparatus, and Wiring Board | |
| JP2003258037A (ja) | レーザ光を用いて半導体チップを加熱する超音波フリップチップ実装用接合ヘッド | |
| JPH09260820A (ja) | 電子部品の実装方法 | |
| US20050035184A1 (en) | Method of soldering semiconductor part and mounted structure of semiconductor part | |
| JPH05109824A (ja) | 電子部品のフリツプチツプ実装方法 | |
| JPH0613488A (ja) | 回路基板とその製造方法 | |
| JP2007049040A (ja) | 接合方法 | |
| JPH10190209A (ja) | 回路モジュールの製造方法 | |
| JPH026055A (ja) | プリント回路基板とシリコンチップのはんだ付方法 | |
| JPH10190210A (ja) | 回路モジュールの製造方法 | |
| JP2707909B2 (ja) | 集積回路チップのボンディング方法 | |
| JPH0729942A (ja) | 電子装置のリペア方法 | |
| JPH02139944A (ja) | 半導体チップの実装方法 | |
| KR102910279B1 (ko) | 기판처리장치 및 기판처리방법 | |
| JP2006066794A (ja) | ワイヤボンディング方法 | |
| JPH10224020A (ja) | 回路モジュールの製造方法 | |
| JPH10209684A (ja) | 回路モジュールの製造方法 | |
| JP2023156541A (ja) | 接合構造 | |
| JPH0630365B2 (ja) | フリツプチツプの実装方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20040406 |