JPH10229257A - ガラス樹脂基板 - Google Patents
ガラス樹脂基板Info
- Publication number
- JPH10229257A JPH10229257A JP4724997A JP4724997A JPH10229257A JP H10229257 A JPH10229257 A JP H10229257A JP 4724997 A JP4724997 A JP 4724997A JP 4724997 A JP4724997 A JP 4724997A JP H10229257 A JPH10229257 A JP H10229257A
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- JP
- Japan
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- resin
- glass
- processing
- glass fiber
- resin substrate
- Prior art date
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- Pending
Links
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Landscapes
- Laser Beam Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 加工の均一性に優れ，精密加工を行うことが
できる，ガラス樹脂基板を提供する。 【解決手段】 ガラスファイバー６１を樹脂６２に含浸
してなるガラス樹脂基板６である。ガラスファイバーと
樹脂との融点の差異は，５００〜６５０℃の範囲内であ
る。
できる，ガラス樹脂基板を提供する。 【解決手段】 ガラスファイバー６１を樹脂６２に含浸
してなるガラス樹脂基板６である。ガラスファイバーと
樹脂との融点の差異は，５００〜６５０℃の範囲内であ
る。
Description
【０００１】
【技術分野】本発明は，電子部品搭載用基板などに用い
るガラス樹脂基板に関する。
るガラス樹脂基板に関する。
【０００２】
【従来技術】従来，電子部品搭載用基板としては，ガラ
ス樹脂基板が用いられている。ガラス樹脂基板は，ガラ
スファイバーを樹脂に含浸したものである。ガラス樹脂
基板には，切削加工，レーザー加工などのさまざまな加
工を施して，電子部品搭載用基板を作製することができ
る。
ス樹脂基板が用いられている。ガラス樹脂基板は，ガラ
スファイバーを樹脂に含浸したものである。ガラス樹脂
基板には，切削加工，レーザー加工などのさまざまな加
工を施して，電子部品搭載用基板を作製することができ
る。
【０００３】例えば，上記ガラス樹脂基板を用いて作製
された電子部品搭載用基板としては，図４に示すごと
く，電子部品９９を搭載するための搭載用凹部９１と，
ガラス樹脂基板９７を貫通するスルーホール９２と，ガ
ラス樹脂基板９７の表面に設けた導体パターン９６とを
有するものがある。
された電子部品搭載用基板としては，図４に示すごと
く，電子部品９９を搭載するための搭載用凹部９１と，
ガラス樹脂基板９７を貫通するスルーホール９２と，ガ
ラス樹脂基板９７の表面に設けた導体パターン９６とを
有するものがある。
【０００４】上記搭載用凹部９１は，ガラス樹脂基板９
７にルーター加工を施して形成される。また，スルーホ
ール９２は，ガラス樹脂基板９７にドリル加工を施して
孔明けし，その内壁に導体めっき膜９２０を被覆して形
成される。更に，電子部品搭載用基板は，回路形成をし
た後に，ガラス樹脂基板を切削して，個片化することに
より得られる。
７にルーター加工を施して形成される。また，スルーホ
ール９２は，ガラス樹脂基板９７にドリル加工を施して
孔明けし，その内壁に導体めっき膜９２０を被覆して形
成される。更に，電子部品搭載用基板は，回路形成をし
た後に，ガラス樹脂基板を切削して，個片化することに
より得られる。
【０００５】
【解決しようとする課題】しかしながら，上記従来のガ
ラス樹脂基板においては，ガラスファイバーと樹脂との
加工性が異なる。即ち，切削加工時には，ガラス樹脂基
板とドリルとが接触して，摩擦熱が発生する。そのた
め，ガラスファイバーの融点と樹脂の融点に大きな温度
差があると，熱による溶解などの速度が異なり，融点の
低い樹脂のみが溶けるため，孔明けした壁面の加工性が
不均一となる。また，レーザー加工は，ガラスファイバ
ーと樹脂とを熱によって切削するものであるが，両者の
融点の間に大きな温度差があると同様の問題が生じる。
したがって，従来はガラス樹脂基板の加工の均一性が得
られず，精密さを要求される加工には不向きであった。
ラス樹脂基板においては，ガラスファイバーと樹脂との
加工性が異なる。即ち，切削加工時には，ガラス樹脂基
板とドリルとが接触して，摩擦熱が発生する。そのた
め，ガラスファイバーの融点と樹脂の融点に大きな温度
差があると，熱による溶解などの速度が異なり，融点の
低い樹脂のみが溶けるため，孔明けした壁面の加工性が
不均一となる。また，レーザー加工は，ガラスファイバ
ーと樹脂とを熱によって切削するものであるが，両者の
融点の間に大きな温度差があると同様の問題が生じる。
したがって，従来はガラス樹脂基板の加工の均一性が得
られず，精密さを要求される加工には不向きであった。
【０００６】本発明はかかる従来の問題点に鑑み，加工
の均一性に優れ，精密加工を行うことができる，ガラス
樹脂基板を提供しようとするものである。
の均一性に優れ，精密加工を行うことができる，ガラス
樹脂基板を提供しようとするものである。
【０００７】
【課題の解決手段】請求項１の発明は，ガラスファイバ
ーを樹脂に含浸してなるガラス樹脂基板において，上記
ガラスファイバーの融点と樹脂の融点との温度差は，６
５０℃以内の範囲であることを特徴とするガラス樹脂基
板である。
ーを樹脂に含浸してなるガラス樹脂基板において，上記
ガラスファイバーの融点と樹脂の融点との温度差は，６
５０℃以内の範囲であることを特徴とするガラス樹脂基
板である。
【０００８】本発明のガラス樹脂基板を構成しているガ
ラスファイバーと樹脂とは，上記のごとく融点の温度差
が小さい。そのため，切削加工，レーザー加工などの加
工時に，加工むらが生じることなく，ガラス樹脂基板を
均一に加工することができる。即ち，上記の温度差が，
上記６５０℃の範囲内にあるときは，熱による加工速度
の差が小さい理由により，均一加工が可能となる。それ
故，本発明のガラス樹脂基板は，精密さを要求される加
工に最適である。
ラスファイバーと樹脂とは，上記のごとく融点の温度差
が小さい。そのため，切削加工，レーザー加工などの加
工時に，加工むらが生じることなく，ガラス樹脂基板を
均一に加工することができる。即ち，上記の温度差が，
上記６５０℃の範囲内にあるときは，熱による加工速度
の差が小さい理由により，均一加工が可能となる。それ
故，本発明のガラス樹脂基板は，精密さを要求される加
工に最適である。
【０００９】一方，ガラスファイバーの融点と樹脂の融
点との温度差が６５０℃を超える場合には，ガラス樹脂
基板を均一に加工することができない。
点との温度差が６５０℃を超える場合には，ガラス樹脂
基板を均一に加工することができない。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明の実施形態例に係るガラス
樹脂基板について，比較例とともに説明する。
樹脂基板について，比較例とともに説明する。
【００１１】（実施形態例１）本例のガラス樹脂基板
は，ガラスファイバーを樹脂に含浸してなる。ガラスフ
ァイバーの融点は８４０℃である。樹脂の融点は２００
℃である。樹脂は，エポキシ樹脂２０重量％と，ビスマ
レイミドトリアジン樹脂（以下，ＢＴ樹脂という。）２
０重量％とからなる。ガラス樹脂基板の厚みは，１００
μｍである。
は，ガラスファイバーを樹脂に含浸してなる。ガラスフ
ァイバーの融点は８４０℃である。樹脂の融点は２００
℃である。樹脂は，エポキシ樹脂２０重量％と，ビスマ
レイミドトリアジン樹脂（以下，ＢＴ樹脂という。）２
０重量％とからなる。ガラス樹脂基板の厚みは，１００
μｍである。
【００１２】（実施形態例２）本例のガラス樹脂基板に
おいては，樹脂の融点が２５０℃であり，エポキシ樹脂
１５重量％と，ＢＴ樹脂２５重量％とからなる。その他
は，上記実施形態例１と同様である。
おいては，樹脂の融点が２５０℃であり，エポキシ樹脂
１５重量％と，ＢＴ樹脂２５重量％とからなる。その他
は，上記実施形態例１と同様である。
【００１３】（実施形態例３）本例のガラス樹脂基板に
おいては，樹脂の融点が３００℃であり，樹脂成分のす
べてがＢＴ樹脂である。その他は，上記実施形態例１と
同様である。
おいては，樹脂の融点が３００℃であり，樹脂成分のす
べてがＢＴ樹脂である。その他は，上記実施形態例１と
同様である。
【００１４】（比較例）本例のガラス樹脂基板は，樹脂
の融点が１６０℃であり，樹脂成分のすべてがエポキシ
樹脂からなる。その他は，実施形態例と同様である。
の融点が１６０℃であり，樹脂成分のすべてがエポキシ
樹脂からなる。その他は，実施形態例と同様である。
【００１５】（実験例）本例においては，上記実施形態
例１〜３，比較例のガラス樹脂基板について，加工性の
評価を行った。評価に当たり，まず，図１に示すごと
く，各種のガラス樹脂基板６の上下面に導体パターン５
１，５２を形成し，その上方からガラス樹脂基板６の露
出表面に対してレーザー光４を照射した。レーザー光の
エネルギー量は１５０ｍＪとした。これにより，図２に
示すごとく，ガラス樹脂基板６に直径３００μｍの加工
孔１が穿設された。加工孔１の壁面１０を観察した。
例１〜３，比較例のガラス樹脂基板について，加工性の
評価を行った。評価に当たり，まず，図１に示すごと
く，各種のガラス樹脂基板６の上下面に導体パターン５
１，５２を形成し，その上方からガラス樹脂基板６の露
出表面に対してレーザー光４を照射した。レーザー光の
エネルギー量は１５０ｍＪとした。これにより，図２に
示すごとく，ガラス樹脂基板６に直径３００μｍの加工
孔１が穿設された。加工孔１の壁面１０を観察した。
【００１６】その結果を表１に示した。同表において，
加工孔の加工状態が凹凸２０μｍ未満の場合を◎，凹凸
２０〜５０μｍの場合を○，凹凸５０μｍを越えた場合
を×として示した。
加工孔の加工状態が凹凸２０μｍ未満の場合を◎，凹凸
２０〜５０μｍの場合を○，凹凸５０μｍを越えた場合
を×として示した。
【００１７】同表より，実施形態例１〜３の加工孔は，
均一な表面に加工されており，加工状態は良好であっ
た。一方，比較例の加工孔は，加工むらがあり，加工状
態は悪かった。具体的には，図３に示すごとく，比較例
のガラス樹脂基板６の加工孔１の壁面１０は，ガラスフ
ァイバー６１の先端６１０が突出し，樹脂６２は大きく
窪んでいた。
均一な表面に加工されており，加工状態は良好であっ
た。一方，比較例の加工孔は，加工むらがあり，加工状
態は悪かった。具体的には，図３に示すごとく，比較例
のガラス樹脂基板６の加工孔１の壁面１０は，ガラスフ
ァイバー６１の先端６１０が突出し，樹脂６２は大きく
窪んでいた。
【００１８】
【表１】
【００１９】
【発明の効果】本発明によれば，加工の均一性に優れ，
精密加工を行うことができる，ガラス樹脂基板を提供す
ることができる。
精密加工を行うことができる，ガラス樹脂基板を提供す
ることができる。
【図１】実験例における，レーザー光によるガラス樹脂
基板の加工方法を示す説明図。
基板の加工方法を示す説明図。
【図２】実験例における，加工孔の説明図。
【図３】比較例の加工孔を示す，ガラス樹脂基板の断面
図。
図。
【図４】従来例における，電子部品搭載用基板の断面
図。
図。
１．．．加工孔， １０．．．壁面， ４．．．レーザー光， ５１，５２．．．導体パターン， ６．．．ガラス樹脂基板， ６１．．．ガラスファイバー， ６２．．．樹脂，
Claims (1)
- 【請求項１】 ガラスファイバーを樹脂に含浸してなる
ガラス樹脂基板において，上記ガラスファイバーの融点
と樹脂の融点との温度差は，６５０℃以内の範囲である
ことを特徴とするガラス樹脂基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4724997A JPH10229257A (ja) | 1997-02-13 | 1997-02-13 | ガラス樹脂基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4724997A JPH10229257A (ja) | 1997-02-13 | 1997-02-13 | ガラス樹脂基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10229257A true JPH10229257A (ja) | 1998-08-25 |
Family
ID=12769989
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4724997A Pending JPH10229257A (ja) | 1997-02-13 | 1997-02-13 | ガラス樹脂基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10229257A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| USRE41721E1 (en) * | 1994-12-20 | 2010-09-21 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device having an improved connected arrangement between a semiconductor pellet and base substrate electrodes |
-
1997
- 1997-02-13 JP JP4724997A patent/JPH10229257A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| USRE41721E1 (en) * | 1994-12-20 | 2010-09-21 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device having an improved connected arrangement between a semiconductor pellet and base substrate electrodes |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040127 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20061024 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
| A521 | Written amendment |
Effective date: 20061221 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20070313 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070502 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20070821 |