JPH10242594A - 中空導体基板及びプリント配線基板の製造方法 - Google Patents
中空導体基板及びプリント配線基板の製造方法Info
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- JPH10242594A JPH10242594A JP3819197A JP3819197A JPH10242594A JP H10242594 A JPH10242594 A JP H10242594A JP 3819197 A JP3819197 A JP 3819197A JP 3819197 A JP3819197 A JP 3819197A JP H10242594 A JPH10242594 A JP H10242594A
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- H05K1/02—Details
- H05K1/0201—Thermal arrangements, e.g. for cooling, heating or preventing overheating
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/18—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
- H05K1/182—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components associated with components mounted in printed circuit boards [PCB], e.g. insert-mounted components [IMC]
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- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/38—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
- H05K3/386—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by the use of an organic polymeric bonding layer, e.g. adhesive
-
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
- H05K3/4092—Integral conductive tabs, i.e. conductive parts partly detached from the substrate
Landscapes
- Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
- Structure Of Printed Boards (AREA)
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 業界の待望に応えることができて応用性の広
い、プリント配線基板及びそのための中空導体基板を簡
単な工程で製造することができて、これらを安価なもの
とすることのできる中空導体基板及びプリント配線基板
の製造方法を提供する。 【解決手段】 中空導体基板の製造方法において、基材
に半硬化状態とした熱硬化性絶縁樹脂層を形成し、所要
個所に孔明加工によって孔を形成し、前記半硬化状態と
した熱硬化性絶縁樹脂層に導体材料を接着する。
い、プリント配線基板及びそのための中空導体基板を簡
単な工程で製造することができて、これらを安価なもの
とすることのできる中空導体基板及びプリント配線基板
の製造方法を提供する。 【解決手段】 中空導体基板の製造方法において、基材
に半硬化状態とした熱硬化性絶縁樹脂層を形成し、所要
個所に孔明加工によって孔を形成し、前記半硬化状態と
した熱硬化性絶縁樹脂層に導体材料を接着する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、中空導体基板及
びプリント配線基板の製造方法に関するものである。
びプリント配線基板の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来樹脂基材部の一部を除去したプリン
ト配線基板として、市販の片面銅張ガラスエポキシ基材
や片面銅張フレキシブル基材の、樹脂側からボル盤やレ
ーザでざぐり加工したものが一部で試行されているが、
このようなプリント配線基板は樹脂が硬化した後であっ
て、回路形成後にしか加工することができないため、製
造が困難であって高価なものとなるという問題がある。
ト配線基板として、市販の片面銅張ガラスエポキシ基材
や片面銅張フレキシブル基材の、樹脂側からボル盤やレ
ーザでざぐり加工したものが一部で試行されているが、
このようなプリント配線基板は樹脂が硬化した後であっ
て、回路形成後にしか加工することができないため、製
造が困難であって高価なものとなるという問題がある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところでこのようなプ
リント配線基板は、中空部を有することによって、表
裏からアクセスすることが可能となって、電子部品の実
装密度、自由度が向上し、中空部となっている部位を
誘電体として利用することができるので、例えば平面ア
ンテナのような高周波部品に応用することが可能であ
り、中空部に金属めっき加工することにより、又は導
体を充填する等によって導体回路を形成することが可能
なことから、平面的な回路配線からＺ方向への回路成形
が可能となって、配線密度、自由度が向上し、また大き
な導体厚が必要な大電流用基板への応用が可能となり、
中空部に電子部品を埋込み、中空導体を放熱層として
利用することが可能であって、ヒートシンク効果をうる
ことができる等の利点があることから、それが簡単な加
工技術によって容易製造することができて、安価に提供
することができる技術が待望されている。
リント配線基板は、中空部を有することによって、表
裏からアクセスすることが可能となって、電子部品の実
装密度、自由度が向上し、中空部となっている部位を
誘電体として利用することができるので、例えば平面ア
ンテナのような高周波部品に応用することが可能であ
り、中空部に金属めっき加工することにより、又は導
体を充填する等によって導体回路を形成することが可能
なことから、平面的な回路配線からＺ方向への回路成形
が可能となって、配線密度、自由度が向上し、また大き
な導体厚が必要な大電流用基板への応用が可能となり、
中空部に電子部品を埋込み、中空導体を放熱層として
利用することが可能であって、ヒートシンク効果をうる
ことができる等の利点があることから、それが簡単な加
工技術によって容易製造することができて、安価に提供
することができる技術が待望されている。
【０００４】そこでこの発明の目的は、前記のような待
望に応えて、有用なプリント配線基板及びそのための中
空導体基板の従来の製造方法のもつ問題を解消し、簡単
な工程でこの種のプリント配線基板及びそのための中空
導体基板を製造することができて、これらの中空導体基
板これを用いて製造されるプリント配線板を安価なもの
とすることのできる中空導体基板及びプリント配線基板
の製造方法を提供するにある。
望に応えて、有用なプリント配線基板及びそのための中
空導体基板の従来の製造方法のもつ問題を解消し、簡単
な工程でこの種のプリント配線基板及びそのための中空
導体基板を製造することができて、これらの中空導体基
板これを用いて製造されるプリント配線板を安価なもの
とすることのできる中空導体基板及びプリント配線基板
の製造方法を提供するにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この発明は、前記のよう
な目的を達成するために、中空導体基板の製造方法にお
いて、基材に半硬化状態とした熱硬化性絶縁樹脂層を形
成し、所要個所に孔明加工によって孔を形成し、前記半
硬化状態とした熱硬化性絶縁樹脂層に導体材料を接着す
ることによって、中空部を形成することを特徴とするも
のである。
な目的を達成するために、中空導体基板の製造方法にお
いて、基材に半硬化状態とした熱硬化性絶縁樹脂層を形
成し、所要個所に孔明加工によって孔を形成し、前記半
硬化状態とした熱硬化性絶縁樹脂層に導体材料を接着す
ることによって、中空部を形成することを特徴とするも
のである。
【０００６】また前記のような目的を達成するために、
プリント配線基板の製造方法において、ガラスエポキシ
板に、半硬化状態の熱硬化性のエポキシ樹脂シートを接
着し、これの必要個所に孔明加工によって孔を形成し、
エポキシ樹脂シートの表面に銅箔を接着して、中空部を
形成した中空導体基板の必要個所に孔明加工によって厚
さ方向の孔を形成し、必要個所にエッチングレジストを
形成し、不要部の銅箔をエッチング法等によって除去
し、残存するエッチングレジストを除去して、中空部を
形成することを特徴とするものである。
プリント配線基板の製造方法において、ガラスエポキシ
板に、半硬化状態の熱硬化性のエポキシ樹脂シートを接
着し、これの必要個所に孔明加工によって孔を形成し、
エポキシ樹脂シートの表面に銅箔を接着して、中空部を
形成した中空導体基板の必要個所に孔明加工によって厚
さ方向の孔を形成し、必要個所にエッチングレジストを
形成し、不要部の銅箔をエッチング法等によって除去
し、残存するエッチングレジストを除去して、中空部を
形成することを特徴とするものである。
【０００７】
【発明の実施の形態】図１〜７には、この発明の中空導
体基板の第１〜７実施形態１−１〜７が示されているの
でこれらについて説明する。図１には第１実施形態１−
１の製造工程が示されており、この実施形態１−１は、
0.4ｔガラスエポキシ板２（ａ）に、半硬化状態の熱硬
化性のエポキシ樹脂シート３を、140℃×20分、２ＭＰ
ａＦで片面に接着（ｂ）後、これの必要個所に孔明加工
（ドリリング、ルータ、打抜等）によって、４φの丸孔
及び５×５mm，10×10mmの角孔（図示を省略）４を形成
し（ｃ）、エポキシ樹脂シート２の表面に厚さ18μmの
銅箔５を接着して、中空部６を有する第１実施形態１−
１の成形を終了する（ｄ）。
体基板の第１〜７実施形態１−１〜７が示されているの
でこれらについて説明する。図１には第１実施形態１−
１の製造工程が示されており、この実施形態１−１は、
0.4ｔガラスエポキシ板２（ａ）に、半硬化状態の熱硬
化性のエポキシ樹脂シート３を、140℃×20分、２ＭＰ
ａＦで片面に接着（ｂ）後、これの必要個所に孔明加工
（ドリリング、ルータ、打抜等）によって、４φの丸孔
及び５×５mm，10×10mmの角孔（図示を省略）４を形成
し（ｃ）、エポキシ樹脂シート２の表面に厚さ18μmの
銅箔５を接着して、中空部６を有する第１実施形態１−
１の成形を終了する（ｄ）。
【０００８】図２には中空導体基板１の第２実施形態１
−２の成形工程が示されており、この第２実施形態１−
２は、0.1ｔの片面銅箔７張ガラスエポキシ板８（ａ）
の、銅箔７の反対側の面に半硬化状態の熱硬化性のエポ
キシシート９を140℃×20分、２ＭＰａＦで接着した後
（ｂ）、これの必要個所に0.2φの丸孔、0.2×5mmmの角
孔（図示を省略）10を孔明加工によって形成し（ｃ）、
エポキシ樹脂シート９の表面に厚さ70μmの銅箔11を180
℃×60分、３ＭＰａＦで接着して、中空部12を有する第
２実施形態１−２の成形を終了する（ｄ）。
−２の成形工程が示されており、この第２実施形態１−
２は、0.1ｔの片面銅箔７張ガラスエポキシ板８（ａ）
の、銅箔７の反対側の面に半硬化状態の熱硬化性のエポ
キシシート９を140℃×20分、２ＭＰａＦで接着した後
（ｂ）、これの必要個所に0.2φの丸孔、0.2×5mmmの角
孔（図示を省略）10を孔明加工によって形成し（ｃ）、
エポキシ樹脂シート９の表面に厚さ70μmの銅箔11を180
℃×60分、３ＭＰａＦで接着して、中空部12を有する第
２実施形態１−２の成形を終了する（ｄ）。
【０００９】中空導体基板１の第３実施形態１−３は、
その材料を除く層構成が第２実施形態１−２と同様にな
っているので、図２を参照して同様の部分には符号にダ
ッシュを付したものをかっこして示して説明することと
する。この第３実施形態１−３は、0.4ｔの片面銅箔
７′張ガラスエポキシ板８′（ａ）の、銅箔７′の反対
側の面に、半硬化状態の熱硬化性ガラスエポキシ（通称
プリプレグ）９′を、140℃×50分、２ＭＰａＦで接着
した後（ｂ）、これの必要個所に孔明加工によって0.2
φの丸孔及び0.2×5mmの角孔（図示を省略）10′を形成
し（ｃ）、プリプレグ９′の表面に厚さ70μmの銅箔1
1′を接着して、中空部12′有する第３実施形態１−３
の成形を終了する（ｄ）。
その材料を除く層構成が第２実施形態１−２と同様にな
っているので、図２を参照して同様の部分には符号にダ
ッシュを付したものをかっこして示して説明することと
する。この第３実施形態１−３は、0.4ｔの片面銅箔
７′張ガラスエポキシ板８′（ａ）の、銅箔７′の反対
側の面に、半硬化状態の熱硬化性ガラスエポキシ（通称
プリプレグ）９′を、140℃×50分、２ＭＰａＦで接着
した後（ｂ）、これの必要個所に孔明加工によって0.2
φの丸孔及び0.2×5mmの角孔（図示を省略）10′を形成
し（ｃ）、プリプレグ９′の表面に厚さ70μmの銅箔1
1′を接着して、中空部12′有する第３実施形態１−３
の成形を終了する（ｄ）。
【００１０】図３には中空導体基板１の第４実施形態１
−４の成形工程が示されており、この第４実施形態１−
４は、0.4ｔ片面銅箔13張ガラスエポキシ板14の、銅箔1
3の反対側の面に熱硬化性エポキシ系樹脂16付銅箔17を1
30℃×20分、２ＭＰａＦで接着し（ａ）、これの必要個
所に孔明加工によって0.5φ，1.0φ，3.0φ，4.0φの丸
孔18を形成し（ｂ）、エポキシ系樹脂16付銅箔17をエッ
チング法等によって除去し（ｃ）、樹脂16の表面に0.3
ｔ銅板19を180℃×60分、３ＭＰａＦで接着して、中空
部21を有する第４実施形態１−４の成形を終了する
（ｄ）。
−４の成形工程が示されており、この第４実施形態１−
４は、0.4ｔ片面銅箔13張ガラスエポキシ板14の、銅箔1
3の反対側の面に熱硬化性エポキシ系樹脂16付銅箔17を1
30℃×20分、２ＭＰａＦで接着し（ａ）、これの必要個
所に孔明加工によって0.5φ，1.0φ，3.0φ，4.0φの丸
孔18を形成し（ｂ）、エポキシ系樹脂16付銅箔17をエッ
チング法等によって除去し（ｃ）、樹脂16の表面に0.3
ｔ銅板19を180℃×60分、３ＭＰａＦで接着して、中空
部21を有する第４実施形態１−４の成形を終了する
（ｄ）。
【００１１】図４には中空導体基板１の第５実施形態１
−５の成形工程が示されており、この第４実施形態１−
５は、銅箔24，24′付の１対の熱硬化性エポキシ系樹脂
23，23′の内面に、0.4ｔアルミニユーム25を130℃×20
分、２ＭＰａＦで接着した後（ａ）、一方の銅箔24′を
エッチング法等によって除去し（ｂ）、必要個所に孔明
加工によって孔26を形成し（ｃ）、樹脂23の表面に厚さ
70μmの銅箔27を180℃×60分、３ＭＰａＦで接着して、
中空部28を有する第５実施形態１−５の成形を終了する
（ｄ）。
−５の成形工程が示されており、この第４実施形態１−
５は、銅箔24，24′付の１対の熱硬化性エポキシ系樹脂
23，23′の内面に、0.4ｔアルミニユーム25を130℃×20
分、２ＭＰａＦで接着した後（ａ）、一方の銅箔24′を
エッチング法等によって除去し（ｂ）、必要個所に孔明
加工によって孔26を形成し（ｃ）、樹脂23の表面に厚さ
70μmの銅箔27を180℃×60分、３ＭＰａＦで接着して、
中空部28を有する第５実施形態１−５の成形を終了する
（ｄ）。
【００１２】図５には中空導体基板１の第６実施形態１
−６の成形工程が示されており、この第６実施形態１−
６は、0.06ｔ片面銅箔31張ガラスエポキシ板32（ａ）
の、ガラスエポキシ板32の銅箔31の反対側に熱硬化性の
エポキシ樹脂シート33を、140℃×20分、２ＭＰａＦで
接着し（ｂ）、これの必要個所に孔明加工によって0.5
φ，1.0φ，3.0φ，4.0φの丸孔34を形成した（ｃ）積
層板Ａと、0.08ｔ樹脂36付銅箔37（ｘ）の、前記の孔34
に対向した位置に孔明加工によって0.5φ，1.0φ，3.0
φ，4.0φの丸孔38を形成し（ｙ）、樹脂36の銅箔37の
反対側の面に130℃×20分、0.5ＭＰａＦで厚さ35μmの
銅箔39を接着して、必要なパターンの、中空部40を形成
した（ｚ）積層板Ｂとを用意し、積層板Ａのエポキシ樹
脂シート33と、積層板Ｂの銅箔37とを180℃×60分、３
ＭＰａＦで接着して、中空部40を有する第６実施形態１
−６の成形を終了する。
−６の成形工程が示されており、この第６実施形態１−
６は、0.06ｔ片面銅箔31張ガラスエポキシ板32（ａ）
の、ガラスエポキシ板32の銅箔31の反対側に熱硬化性の
エポキシ樹脂シート33を、140℃×20分、２ＭＰａＦで
接着し（ｂ）、これの必要個所に孔明加工によって0.5
φ，1.0φ，3.0φ，4.0φの丸孔34を形成した（ｃ）積
層板Ａと、0.08ｔ樹脂36付銅箔37（ｘ）の、前記の孔34
に対向した位置に孔明加工によって0.5φ，1.0φ，3.0
φ，4.0φの丸孔38を形成し（ｙ）、樹脂36の銅箔37の
反対側の面に130℃×20分、0.5ＭＰａＦで厚さ35μmの
銅箔39を接着して、必要なパターンの、中空部40を形成
した（ｚ）積層板Ｂとを用意し、積層板Ａのエポキシ樹
脂シート33と、積層板Ｂの銅箔37とを180℃×60分、３
ＭＰａＦで接着して、中空部40を有する第６実施形態１
−６の成形を終了する。
【００１３】図６には中空導体基板１の第７実施形態１
−７の成形工程が示されており、この第７実施形態１−
７は、0.05ｔ半硬化状態の熱硬化性のエポキシ樹脂シー
ト41で、必要個所に孔明加工によって0.5φ，1.0φ，3.
0φ，4.0φの丸孔42を形成したもの（ａ）と、0.2ｔ片
面銅箔43張ガラスエポキシ板44（ｂ）とを用意し、ガラ
スエポキシ板44の片面銅箔43と反対側の面にエポキシ樹
脂シート41を接着し（ｃ）、エポキシ樹脂シート41を厚
さ35μmの銅箔45とガラスエポキシ板44との間に挿入し
て、180℃×60分、２ＭＰａＦで接着して、中空部46を
有する第７実施形態１−７の成形を終了する（ｄ）。
−７の成形工程が示されており、この第７実施形態１−
７は、0.05ｔ半硬化状態の熱硬化性のエポキシ樹脂シー
ト41で、必要個所に孔明加工によって0.5φ，1.0φ，3.
0φ，4.0φの丸孔42を形成したもの（ａ）と、0.2ｔ片
面銅箔43張ガラスエポキシ板44（ｂ）とを用意し、ガラ
スエポキシ板44の片面銅箔43と反対側の面にエポキシ樹
脂シート41を接着し（ｃ）、エポキシ樹脂シート41を厚
さ35μmの銅箔45とガラスエポキシ板44との間に挿入し
て、180℃×60分、２ＭＰａＦで接着して、中空部46を
有する第７実施形態１−７の成形を終了する（ｄ）。
【００１４】図７には中空導体基板１の第８実施形態１
−８の成形工程が示されており、この第７実施形態１−
８は、両面に１対の銅箔48，48′付フッ素基板49を用意
し（ａ）、片面の銅箔48′をエッチング法等によって除
去し（ｂ）、この除去面にボンディングフィルム51を所
定条件下で仮接着し（ｃ）、必要個所に孔明加工によっ
て２φの丸孔52，53をマトリック状に形成し（ｄ）、ボ
ンディングフィルム51の表面に厚さ70μmの銅箔54を所
定条件下で接着して中空部56，57を形成し（ｅ）、中空
部57の開口部をめっきレジスト58で閉鎖して閉鎖空所59
を形成し（ｆ）、銅箔48、中空部56及びボンディングフ
ィルム51の表面にめっき皮膜61，61′を形成し（ｇ）、
めっきレジスト58を除去して、第８実施形態１−８の成
形を終了する（ｈ）。
−８の成形工程が示されており、この第７実施形態１−
８は、両面に１対の銅箔48，48′付フッ素基板49を用意
し（ａ）、片面の銅箔48′をエッチング法等によって除
去し（ｂ）、この除去面にボンディングフィルム51を所
定条件下で仮接着し（ｃ）、必要個所に孔明加工によっ
て２φの丸孔52，53をマトリック状に形成し（ｄ）、ボ
ンディングフィルム51の表面に厚さ70μmの銅箔54を所
定条件下で接着して中空部56，57を形成し（ｅ）、中空
部57の開口部をめっきレジスト58で閉鎖して閉鎖空所59
を形成し（ｆ）、銅箔48、中空部56及びボンディングフ
ィルム51の表面にめっき皮膜61，61′を形成し（ｇ）、
めっきレジスト58を除去して、第８実施形態１−８の成
形を終了する（ｈ）。
【００１５】図８にはプリント配線基板55の第１実施形
態55−１の製造工程が示されており、この第１実施形態
55−１は、前記中空導体基板１の第１実施形態１−１を
使用して製造するものであり、中空導体基板１−１の必
要個所に孔明加工によって厚さ方向の孔63を形成し
（ａ）、必要個所にエッチングレジスト64を形成し
（ｂ）、不要部の銅箔５をエッチング法等によって除去
し（ｃ）、残存するエッチングレジスト64を除去して第
１実施形態55−１が形成される。
態55−１の製造工程が示されており、この第１実施形態
55−１は、前記中空導体基板１の第１実施形態１−１を
使用して製造するものであり、中空導体基板１−１の必
要個所に孔明加工によって厚さ方向の孔63を形成し
（ａ）、必要個所にエッチングレジスト64を形成し
（ｂ）、不要部の銅箔５をエッチング法等によって除去
し（ｃ）、残存するエッチングレジスト64を除去して第
１実施形態55−１が形成される。
【００１６】図９にはプリント配線基板55の第２実施例
55−２の製造工程が示されており、この第２実施形態55
−２は、前記中空導体基板１の第２〜７実施形態１−２
〜７を使用して製造するものであり、中空導体基板１−
２について説明し、他の中空導体基板１−３〜７につい
ては同様に製造されることからその説明を省略する。前
記の中空導体基板１−２の必要個所に孔明加工によって
厚さ方向の孔66を形成し（ａ）、必要個所にエッチング
レジスト67を形成し（ｂ）、不要部の銅箔７をエッチン
グ法等によって除去し（ｃ）、残存するエッチングレジ
スト67を除去して第２形態55−２が形成される（ｄ）。
55−２の製造工程が示されており、この第２実施形態55
−２は、前記中空導体基板１の第２〜７実施形態１−２
〜７を使用して製造するものであり、中空導体基板１−
２について説明し、他の中空導体基板１−３〜７につい
ては同様に製造されることからその説明を省略する。前
記の中空導体基板１−２の必要個所に孔明加工によって
厚さ方向の孔66を形成し（ａ）、必要個所にエッチング
レジスト67を形成し（ｂ）、不要部の銅箔７をエッチン
グ法等によって除去し（ｃ）、残存するエッチングレジ
スト67を除去して第２形態55−２が形成される（ｄ）。
【００１７】
【発明の効果】この発明は、前記のようであって、中空
導体基板の製造方法において、基材に半硬化状態とした
熱硬化性絶縁樹脂層を形成し、所要個所に孔明加工によ
って形成し、前記半硬化状態とした熱硬化性絶縁樹脂層
に導体材料を接着することによって中空部を形成し、ま
たプリント配線基板の製造方法において、ガラスエポキ
シ板に、半硬化状態の熱硬化性のエポキシ樹脂シートを
接着し、これの必要個所に孔明加工によって孔を形成
し、エポキシ樹脂シートの表面に銅箔を接着して、中空
部を形成した中空導体基板の必要個所に孔明加工によっ
て厚さ方向の孔を形成し、必要個所にエッチングレジス
トを形成し、不要部の銅箔をエッチング法等によって除
去し、残存するエッチングレジストを除去して、中空部
を形成するので、これらの中空導体基板及びプリント配
線基板は、この中空部を利用して、表裏からアクセスし
て電子部品の実装密度、自由度を向上し、中空部を誘電
体として利用して高周波部品として応用され、中空部を
利用して導体回路を形成して、平面的な回路配線からＺ
方向への回路を成形し、また中空部に電子部品を埋込
み、中空導体を放熱層として利用することが可能で、業
界の待望に応えることができて応用性の広い、中空導体
基板及びプリント配線基板を、簡単な工程で製造するこ
とができて、それらを安価なものとすることのできると
いう効果がある。
導体基板の製造方法において、基材に半硬化状態とした
熱硬化性絶縁樹脂層を形成し、所要個所に孔明加工によ
って形成し、前記半硬化状態とした熱硬化性絶縁樹脂層
に導体材料を接着することによって中空部を形成し、ま
たプリント配線基板の製造方法において、ガラスエポキ
シ板に、半硬化状態の熱硬化性のエポキシ樹脂シートを
接着し、これの必要個所に孔明加工によって孔を形成
し、エポキシ樹脂シートの表面に銅箔を接着して、中空
部を形成した中空導体基板の必要個所に孔明加工によっ
て厚さ方向の孔を形成し、必要個所にエッチングレジス
トを形成し、不要部の銅箔をエッチング法等によって除
去し、残存するエッチングレジストを除去して、中空部
を形成するので、これらの中空導体基板及びプリント配
線基板は、この中空部を利用して、表裏からアクセスし
て電子部品の実装密度、自由度を向上し、中空部を誘電
体として利用して高周波部品として応用され、中空部を
利用して導体回路を形成して、平面的な回路配線からＺ
方向への回路を成形し、また中空部に電子部品を埋込
み、中空導体を放熱層として利用することが可能で、業
界の待望に応えることができて応用性の広い、中空導体
基板及びプリント配線基板を、簡単な工程で製造するこ
とができて、それらを安価なものとすることのできると
いう効果がある。
【図１】この発明の中空導体基板製造の第１実施形態の
工程説明図である。
工程説明図である。
【図２】同上の第２，３実施形態の工程説明図である。
【図３】同上の第４実施形態の工程説明図である。
【図４】同上の第５実施形態の工程説明図である。
【図５】同上の第６実施形態の工程説明図である。
【図６】同上の第７実施形態の工程説明図である。
【図７】同上の第８実施形態の工程説明図である。
【図８】この発明のプリント配線基板製造の第１実施形
態の工程説明図である。
態の工程説明図である。
【図９】同上の第２実施形態の工程説明図である。
１ 中空導体基板 ２ ガラスエポキシ
板 ３ エポキシ樹脂シート ４ 孔 ５ 銅箔 ６ 中空部 ７ 銅箔 ８ ガラスエポキシ
板 ９ エポキシシート 10 孔 11 銅箔 12，12′ 中空部 13 銅箔 14 ガラスエポキシ
板 16 樹脂層 17 銅箔 18 丸孔 19 銅板 21 中空部 23 樹脂 24 銅箔 25 アルミニユーム 26 孔 27 銅箔 28 中空部 31 銅箔 32 ガラスエポキシ板 33 エポキシ樹脂シ
ート 34 丸孔 36 樹脂 37 銅箔 38 丸孔 39 銅箔 40 中空部 41 エポキシ樹脂シート 42 丸孔 43 銅箔 44 ガラスエポキシ
板 45 銅箔 46 中空部 48，48′ 銅箔 49 フッ素基板 51 ボンディングフィルム 52 丸孔 53 丸孔 54 銅箔 55 プリント配線基板 56 中空部 57 中空部 58 めっきレジスト 59 閉鎖空所 61 めっき皮膜 62 めっき皮膜 63 孔 64 エッチングレジスト 66 孔 67 エッチングレジスト
板 ３ エポキシ樹脂シート ４ 孔 ５ 銅箔 ６ 中空部 ７ 銅箔 ８ ガラスエポキシ
板 ９ エポキシシート 10 孔 11 銅箔 12，12′ 中空部 13 銅箔 14 ガラスエポキシ
板 16 樹脂層 17 銅箔 18 丸孔 19 銅板 21 中空部 23 樹脂 24 銅箔 25 アルミニユーム 26 孔 27 銅箔 28 中空部 31 銅箔 32 ガラスエポキシ板 33 エポキシ樹脂シ
ート 34 丸孔 36 樹脂 37 銅箔 38 丸孔 39 銅箔 40 中空部 41 エポキシ樹脂シート 42 丸孔 43 銅箔 44 ガラスエポキシ
板 45 銅箔 46 中空部 48，48′ 銅箔 49 フッ素基板 51 ボンディングフィルム 52 丸孔 53 丸孔 54 銅箔 55 プリント配線基板 56 中空部 57 中空部 58 めっきレジスト 59 閉鎖空所 61 めっき皮膜 62 めっき皮膜 63 孔 64 エッチングレジスト 66 孔 67 エッチングレジスト
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成９年５月２８日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００２】従来樹脂基材部の一部を除去したプリント
配線基板として、市販の片面銅張ガラスエポキシ基材や
片面銅張フレキシブル基材の、樹脂側からボール盤やレ
ーザでざぐり加工したものが一部で試行されているが、
このようなプリント配線基板は樹脂が硬化した後であっ
て、回路形成後にしか加工することができないため、製
造が困難であって高価なものとなるという問題がある。
配線基板として、市販の片面銅張ガラスエポキシ基材や
片面銅張フレキシブル基材の、樹脂側からボール盤やレ
ーザでざぐり加工したものが一部で試行されているが、
このようなプリント配線基板は樹脂が硬化した後であっ
て、回路形成後にしか加工することができないため、製
造が困難であって高価なものとなるという問題がある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００６】また前記のような目的を達成するために、
プリント配線基板の製造方法において、ガラスエポキシ
板に、半硬化状態の熱硬化性のエポキシ樹脂シートを接
着し、これの必要個所に孔明加工によって孔を形成し、
エポキシ樹脂シートの表面に銅箔を接着して、中空部を
形成した中空導体基板の必要個所に孔明加工によって厚
さ方向の孔を形成し、必要個所にエッチングレジストを
形成し、不要部の銅箔をエッチング法、引きはがし法等
によって除去し、残存するエッチングレジストを除去し
て、中空部を形成することを特徴とするものである。
プリント配線基板の製造方法において、ガラスエポキシ
板に、半硬化状態の熱硬化性のエポキシ樹脂シートを接
着し、これの必要個所に孔明加工によって孔を形成し、
エポキシ樹脂シートの表面に銅箔を接着して、中空部を
形成した中空導体基板の必要個所に孔明加工によって厚
さ方向の孔を形成し、必要個所にエッチングレジストを
形成し、不要部の銅箔をエッチング法、引きはがし法等
によって除去し、残存するエッチングレジストを除去し
て、中空部を形成することを特徴とするものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１４】図７には中空導体基板１の第８実施形態１
−８の成形工程が示されており、この第７実施形態１−
８は、両面に１対の銅箔48，48′付フッ素基板49を用意
し（ａ）、片面の銅箔48′をエッチング法等によって除
去し（ｂ）、この除去面にボンディングフィルム51を所
定条件下で仮接着し（ｃ）、必要個所に孔明加工によっ
て２φの丸孔52，53をマトリック状に形成し（ｄ）、ボ
ンディングフィルム51の表面に厚さ70μmの銅箔54を所
定条件下で接着して中空部56，57を形成し（ｅ）、中空
部57の所望開口部をめっきレジスト58で閉鎖して閉鎖空
所59を形成し（ｆ）、銅箔48、中空部56及びボンディン
グフィルム51の表面にめっき皮膜61を形成し（ｇ）、め
っきレジスト58を除去して、第８実施形態１−８の成形
を終了する（ｈ）。
−８の成形工程が示されており、この第７実施形態１−
８は、両面に１対の銅箔48，48′付フッ素基板49を用意
し（ａ）、片面の銅箔48′をエッチング法等によって除
去し（ｂ）、この除去面にボンディングフィルム51を所
定条件下で仮接着し（ｃ）、必要個所に孔明加工によっ
て２φの丸孔52，53をマトリック状に形成し（ｄ）、ボ
ンディングフィルム51の表面に厚さ70μmの銅箔54を所
定条件下で接着して中空部56，57を形成し（ｅ）、中空
部57の所望開口部をめっきレジスト58で閉鎖して閉鎖空
所59を形成し（ｆ）、銅箔48、中空部56及びボンディン
グフィルム51の表面にめっき皮膜61を形成し（ｇ）、め
っきレジスト58を除去して、第８実施形態１−８の成形
を終了する（ｈ）。
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図７
【補正方法】変更
【補正内容】
【図７】
Claims (15)
- 【請求項１】 基材に半硬化状態とした熱硬化性絶縁樹
脂層を形成し、所要個所に孔明加工によって孔を形成
し、前記半硬化状態とした熱硬化性絶縁樹脂層に導体材
料を接着することによって中空部を形成することを特徴
とする中空導体基板の製造方法。 - 【請求項２】 基材は、ガラスエポキシ板からなり、こ
れに半硬化状態の熱硬化性のエポキシ樹脂シートを接着
し、これの必要個所に孔明加工によって孔を形成し、エ
ポキシ樹脂シートの表面に銅箔を接着して、中空部を形
成することを特徴とする請求項１に記載の中空導体基板
の製造方法。 - 【請求項３】 片面銅箔張ガラスエポキシ板の、銅箔の
反対側の面に半硬化状態の熱硬化性のエポキシ樹脂シー
ト又はプリプレグを接着し、これの必要個所に孔明加工
によって孔を形成し、エポキシ樹脂シートの表面に銅箔
を接着して、中空部を形成することを特徴とする中空導
体基板の製造方法。 - 【請求項４】 片面銅箔張ガラスエポキシ板の、銅箔の
反対側に半硬化状態の熱硬化性樹脂層付銅箔を接着し、
これの必要個所に孔明加工によって孔を形成し、銅箔を
エッチング等によって除去し、樹脂層の表面に銅板を接
着して、中空部を形成することを特徴とする中空導体基
板の製造方法。 - 【請求項５】 銅箔付の１対の熱硬化性エポキシ系樹脂
板の中間にアルミニユームを接着し、これの一方の銅箔
をエッチング法等によって除去し、必要個所に孔明加工
によって孔を形成し、樹脂の表面に銅箔を接着して、中
空部を形成することを特徴とする中空導体基板の製造方
法。 - 【請求項６】 片面銅箔張ガラスエポキシ板の銅箔の反
対側に半硬化状態の熱硬化性のエポキシ樹脂シートを接
着し、これの必要個所に孔明加工によって孔を形成した
積層板Ａと、樹脂付銅箔の前記の孔に対向した位置に孔
明加工によって孔を形成し、樹脂の銅箔の反対側の面に
銅箔を接着して、必要なパターンの中空部を形成した積
層板Ｂとを重積し、積層板Ａのエポキシ樹脂シートと、
積層板Ｂの銅箔とを接着して、中空部を形成することを
特徴とする中空導体基板の製造方法。 - 【請求項７】 半硬化状態の熱硬化性のエポキシ樹脂シ
ートで、必要個所に孔明加工によって孔を形成したもの
と、片面銅箔張ガラスエポキシ板とを用意し、ガラスエ
ポキシ板の片面銅箔と反対側の面にエポキシ樹脂シート
を接着し、エポキシ樹脂シートを銅箔とガラスエポキシ
板との間に挿入接着して、中空部を形成することを特徴
とする中空導体基板の製造方法。 - 【請求項８】 両面に１対の銅箔付フッ素板を用意し、
片面の銅箔をエッチング法等によって除去し、この除去
面にボンディングフィルムを仮接着し、必要個所に孔明
加工によって孔を形成し、ボンディングフィルムの表面
に銅箔を接着して中空部を形成し、中空部の開口部の必
要部をめっきレジストで閉鎖して閉鎖空所を形成し、銅
箔の表面及び中空部内壁の表面にめっき皮膜を形成し、
めっきレジストを除去して、中空部を形成することを特
徴とする中空導体基板の製造方法。 - 【請求項９】 ガラスエポキシ板に、半硬化状態の熱硬
化性のエポキシ樹脂シートを接着し、これの必要個所に
孔明加工によって孔を形成し、エポキシ樹脂シートの表
面に銅箔を接着して、中空部を形成した中空導体基板の
必要個所に孔明加工によって厚さ方向の貫通孔を形成
し、必要個所にエッチングレジストを形成し、不要部の
銅箔をエッチング法等によって除去し、残存するエッチ
ングレジストを除去して、中空部を形成することを特徴
とするプリント配線基板の製造方法。 - 【請求項１０】 片面銅箔張ガラスエポキシ板に、銅箔
の反対側の面に半硬化状態の熱硬化性のエポキシ樹脂シ
ート又はプリプレグを接着し、これの必要個所に孔明加
工によって孔を形成し、エポキシ樹脂シート又はプリプ
レグの表面に銅箔を接着して、中空部を形成した中空導
体基板の必要個所に孔明加工によって厚さ方向の貫通孔
を形成し、必要個所にエッチングレジストを形成し、不
要部の銅箔をエッチング法等によって除去し、残存する
エッチングレジストを除去して、中空部を形成すること
を特徴とするプリント配線基板の製造方法。 - 【請求項１１】 片面銅箔張ガラスエポキシ板の、銅箔
の反対側の面に半硬化状態の熱硬化性エポキシ系樹脂層
付銅箔を接着し、これの必要個所に孔明加工によって孔
を形成し、銅箔をエッチング法等によって除去し、前記
エポキシ系樹脂層の表面に銅板を接着して、中空部を形
成した中空導体基板の必要個所に孔明加工によって厚さ
方向の貫通孔を形成し、必要個所にエッチングレジスト
を形成し、不要部の銅箔をエッチング法等によって除去
し、残存するエッチングレジストを除去して、中空部を
形成することを特徴とするプリント配線基板の製造方
法。 - 【請求項１２】 銅箔付の１対の熱硬化性エポキシ樹脂
板の中間にアルミニユームを接着し、これの一方の銅箔
をエッチング法等によって除去し、必要個所に孔明加工
によって孔を形成し、樹脂の表面に銅箔を接着して、中
空部を形成した中空導体基板の必要個所に孔明加工によ
って厚さ方向の孔を形成し、必要個所にエッチングレジ
ストを形成し、不要部の銅箔をエッチング法等によって
除去し、残存するエッチングレジストを除去して、中空
部を形成することを特徴とするプリント配線基板の製造
方法。 - 【請求項１３】 片面銅箔張ガラスエポキシ板の銅箔の
反対側の面に半硬化状態の熱硬化性のエポキシ樹脂シー
トを接着し、これの必要個所に孔明加工によって孔を形
成した積層板Ａと、樹脂付銅箔の前記の孔に対向した位
置に孔明加工によって孔を形成し、樹脂の銅箔の反対側
の面に銅箔を接着して、必要なパターンの中空部を形成
した積層板Ｂとを用意し、積層板Ａのエポキシ樹脂シー
トと、積層板Ｂの銅箔とを接着して、中空部を形成した
中空導体基板の必要個所に孔明加工によって厚さ方向の
孔を形成し、必要個所にエッチングレジストを形成し、
不要部の銅箔をエッチング法等によって除去し、残存す
るエッチングレジストを除去して、中空部を形成するこ
とを特徴とするプリント配線基板の製造方法。 - 【請求項１４】 半硬化状態の熱硬化性のエポキシ樹脂
シートで、必要個所に孔明加工によって孔を形成したも
のと、片面銅箔張ガラスエポキシ板とを用意し、ガラス
エポキシ板の片面銅箔と反対側にエポキシ樹脂シートを
接着し、エポキシ樹脂シートを銅箔とガラスエポキシ板
との間に挿入接着して、中空部を形成した中空導体基板
の必要個所に孔明加工によって厚さ方向の孔を形成し、
必要個所にエッチングレジストを形成し、不要部の銅箔
をエッチング法等によって除去し、残存するエッチング
レジストを除去して、中空部を形成することを特徴とす
るプリント配線基板の製造方法。 - 【請求項１５】 両面に１対の銅箔付フッ素板を用意
し、片面の銅箔をエッチング法等によって除去し、この
除去面にボンディングフィルムを仮接着し、必要個所に
孔明加工によって孔を形成し、ボンディングフィルムの
表面に銅箔を接着して中空部を形成し、この中空部の開
口部をめっきレジストで閉鎖して閉鎖空所を形成し、銅
箔の表面及び中空部内壁の表面にめっき皮膜を形成し、
めっきレジストを除去して、中空部を形成した中空導体
基板の必要個所に、孔明加工によって厚さ方向の孔を形
成し、必要個所にエッチングレジストを形成し、不要部
の銅箔をエッチング加工によって除去し、残存するエッ
チングレジストを除去して、中空部を形成することを特
徴とするプリント配線基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3819197A JPH10242594A (ja) | 1997-02-21 | 1997-02-21 | 中空導体基板及びプリント配線基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3819197A JPH10242594A (ja) | 1997-02-21 | 1997-02-21 | 中空導体基板及びプリント配線基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10242594A true JPH10242594A (ja) | 1998-09-11 |
Family
ID=12518483
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3819197A Pending JPH10242594A (ja) | 1997-02-21 | 1997-02-21 | 中空導体基板及びプリント配線基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10242594A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100919986B1 (ko) * | 2003-03-29 | 2009-10-05 | 삼성테크윈 주식회사 | 반도체 팩키지용 기판, 그것을 구비한 반도체 팩키지 및,그것의 제조 방법 |
| JP2011165889A (ja) * | 2010-02-09 | 2011-08-25 | Asahi Kasei E-Materials Corp | フレキシブル配線板の製造方法及びフレキシブル配線板 |
| JP2011228493A (ja) * | 2010-04-20 | 2011-11-10 | Asahi Kasei E-Materials Corp | フレキシブル配線板の製造方法 |
| WO2024203362A1 (ja) * | 2023-03-24 | 2024-10-03 | 京セラ株式会社 | 多層基板 |
-
1997
- 1997-02-21 JP JP3819197A patent/JPH10242594A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100919986B1 (ko) * | 2003-03-29 | 2009-10-05 | 삼성테크윈 주식회사 | 반도체 팩키지용 기판, 그것을 구비한 반도체 팩키지 및,그것의 제조 방법 |
| JP2011165889A (ja) * | 2010-02-09 | 2011-08-25 | Asahi Kasei E-Materials Corp | フレキシブル配線板の製造方法及びフレキシブル配線板 |
| JP2011228493A (ja) * | 2010-04-20 | 2011-11-10 | Asahi Kasei E-Materials Corp | フレキシブル配線板の製造方法 |
| WO2024203362A1 (ja) * | 2023-03-24 | 2024-10-03 | 京セラ株式会社 | 多層基板 |
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