JPH10242650A - 多層配線基板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】ボンディングパッドに半導体素子や容量素子等
の電子部品を実装接続する際、有機樹脂絶縁層の熱膨張
係数と電子部品の熱膨張係数の相違によって電子部品に
クラックや割れ等が発生してしまう。 【解決手段】基板１上に、有機樹脂絶縁層２と薄膜配線
導体層３とを交互に積層するとともに上下に位置する薄
膜配線導体層３を有機樹脂絶縁層２に設けたスルーホー
ル導体８を介して電気的に接続してなり、最上層の有機
樹脂絶縁層２上面に、前記薄膜配線導体層３と電気的に
接続し、外部の電子部品Ａが接続されるボンディングパ
ッド９を設けて成る多層配線基板であって、前記各有機
樹脂絶縁層２に表面がシランカップリング剤で表面処理
されたフィラーが含有されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は多層配線基板に関
し、より詳細には混成集積回路装置や半導体素子を収容
する半導体素子収納用パッケージ等に使用される多層配
線基板に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、混成集積回路装置や半導体素子収
納用パッケージ等に使用される多層配線基板はその配線
導体がＭｏ−Ｍｎ法等の厚膜形成技術によって形成され
ている。

【０００３】このＭｏ−Ｍｎ法は通常、タングステン、
モリブデン、マンガン等の高融点金属粉末に有機溶剤、
溶媒を添加混合し、ペースト状となした金属ペーストを
生セラミック体の外表面にスクリーン印刷法により所定
パターンに印刷塗布し、次にこれを複数枚積層するとと
もに還元雰囲気中で焼成し、高融点金属粉末と生セラミ
ック体とを焼結一体化させる方法である。

【０００４】なお、前記配線導体が形成されるセラミッ
ク体としては通常、酸化アルミニウム質焼結体やムライ
ト質焼結体等の酸化物系セラミックス、或いは表面に酸
化物膜を被着させた窒化アルミニウム質焼結体や炭化珪
素質焼結体等の非酸化物系セラミックスが使用される。

【０００５】しかしながら、このＭｏ−Ｍｎ法を用いて
配線導体を形成した場合、配線導体は金属ペーストをス
クリーン印刷することにより形成されることから微細化
が困難で配線導体を高密度に形成することができないと
いう欠点を有していた。

【０００６】そこで上記欠点を解消するために配線導体
を従来の厚膜形成技術で形成するのに代えて微細化が可
能な薄膜形成技術を用いて高密度に形成した多層配線基
板が使用されるようなってきた。

【０００７】かかる配線導体を薄膜形成技術により形成
した多層配線基板は、一般に酸化アルミニウム質焼結体
やガラス繊維を織り込んだガラス布にエポキシ樹脂を含
浸させて形成されるガラスエポキシ樹脂等から成る絶縁
基板の上面に、スピンコート法及び熱硬化処理等によっ
て形成されるエポキシ樹脂等の有機樹脂から成る絶縁層
と、銅やアルミニウム等の金属を無電解めっき法や蒸着
法等の薄膜形成技術及びフォトリソグラフィー技術を採
用することによって形成される薄膜配線導体層とを交互
に積層させるとともに、上下に位置する薄膜配線導体層
を有機樹脂絶縁層に設けたスルーホールの内壁に被着さ
れているスルーホール導体を介して電気的に接続させた
構造を有しており、最上層の有機樹脂絶縁層上面に、前
記薄膜配線導体層と電気的に接続するボンディングパッ
ドを形成しておき、該ボンディングパッドに半導体素子
等の能動部品や容量素子、抵抗器等の受動部品の電極を
半田等のロウ材を介して接続させるようになっている。

【０００８】なお、前記多層配線基板においては、積層
された各有機樹脂絶縁層間に配設された薄膜配線導体層
が有機樹脂絶縁層に設けたスルーホールの内壁に被着さ
れているスルーホール導体を介して電気的に接続されて
おり、各有機樹脂絶縁層へのスルーホールの形成はまず
各有機樹脂絶縁層上にレジスト材を塗布するとともにこ
れに露光、現像を施すことによって所定位置に所定形状
の窓部を形成し、次に前記レジスト材の窓部にエッチン
グ液を配し、レジスト材の窓部に位置する有機樹脂絶縁
層を除去して、有機樹脂絶縁層に穴（スルーホール）を
形成し、最後に前記レジスト材を有機樹脂絶縁層上より
剥離させ除去することによって行われている。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この多
層配線基板においては、有機樹脂絶縁層の熱膨張係数が
半導体素子等の能動部品や容量素子、抵抗器等の受動部
品の熱膨張係数に対し大きく相違しており、そのためボ
ンディングパッドに半導体素子や容量素子等をロウ材を
介して接続させると、有機樹脂絶縁層と半導体素子や容
量素子等との間に両者の熱膨張係数の相違に起因して大
きな熱応力が生じるとともに該熱応力によって半導体素
子や容量素子等にクラックや割れ等が発生し、半導体素
子等を正常に作動させることができなくなるという欠点
を有していた。

【００１０】本発明は上記諸欠点に鑑み案出されたもの
で、その目的は配線導体を薄膜形成技術により形成し、
配線導体を高密度に形成するのを可能とするとともに有
機樹脂絶縁層の熱膨張係数を半導体素子や容量素子等の
熱膨張係数に近づけ、半導体素子等の能動部品や容量素
子、抵抗器等の受動部品をクラックや割れ等を発生する
ことなく有機樹脂絶縁層に設けたボンディングパッドに
強固に接続させ、半導体素子等を正常に駆動させること
ができる多層配線基板を提供することにある。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明は、基板上に、有
機樹脂絶縁層と薄膜配線導体層とを交互に積層するとと
もに上下に位置する薄膜配線導体層を有機樹脂絶縁層に
設けたスルーホール導体を介して電気的に接続してな
り、最上層の有機樹脂絶縁層上面に、前記薄膜配線導体
層と電気的に接続し、外部の電子部品が接続されるボン
ディングパッドを設けて成る多層配線基板であって、前
記各有機樹脂絶縁層に表面がシランカップリング剤で表
面処理されたフィラーが含有されていることを特徴とす
るものである。

【００１２】また本発明は、前記シランカップリング剤
がアミノ基、エポキシ基、カルボニ基の少なくとも１種
の官能基を有するメトキシシランであることを特徴とす
るものである。

【００１３】また本発明は、前記フィラーの粒径が０．
０５μｍ乃至５０μｍであることを特徴とするものであ
る。

【００１４】また本発明は、前記各有機樹脂絶縁層に含
有されるフィラーの量が、各有機樹脂絶縁層に対し、１
０重量％乃至９５重量％であることを特徴とするもので
ある。

【００１５】また本発明は、前記有機樹脂絶縁層が酸触
媒型感光性エポキシ樹脂で形成されていることを特徴と
するものである。

【００１６】本発明の多層配線基板によれば、絶縁基板
上に薄膜形成技術によって配線を形成したことから配線
の微細化が可能となり、配線を極めて高密度に形成する
ことが可能となる。

【００１７】また本発明の多層配線基板によれば、有機
樹脂絶縁層に例えば、粒径０．０５μｍ乃至５０μｍの
フィラーを１０重量％乃至９５重量％含有させ、有機樹
脂絶縁層の熱膨張係数を半導体素子等の能動部品や容量
素子、抵抗器等の受動部品の熱膨張係数に近づけたこと
から、有機樹脂絶縁層に設けたボンディングパッドに半
導体素子や容量素子等をロウ材を介して接続する際、有
機樹脂絶縁層と半導体素子や容量素子等との間に大きな
熱応力が発生することはなく、その結果、半導体素子等
の能動部品や容量素子、抵抗器等の受動部品をクラック
や割れ等を発生することなく有機樹脂絶縁層に設けたボ
ンディングパッドに強固に接続させることができ、半導
体素子等を正常に駆動させることが可能となる。

【００１８】

【発明の実施の形態】次に本発明を添付図面に基づき詳
細に説明する。図１は、本発明の多層配線基板の一実施
例を示し、１は基板、２は有機樹脂絶縁層、３は薄膜配
線導体層である。

【００１９】前記基板１はその上面に有機樹脂絶縁層２
と薄膜配線導体層３とから成る多層配線部４が配設され
ており、該多層配線部４を支持する支持部材として作用
する。

【００２０】前記基板１は酸化アルミニウム質焼結体や
ムライト質焼結体等の酸化物系セラミックス、或いは表
面に酸化物膜を有する窒化アルミニウム質焼結体、炭化
珪素質焼結体等の非酸化物系セラミックス、更にはガラ
ス繊維を織り込んだ布にエポキシ樹脂を含浸させたガラ
スエポキシ樹脂やガラス繊維を織り込んだ布にビスマレ
イミドトリアジン樹脂を含浸させたビスマレイミドトリ
アジン樹脂等の電気絶縁材料で形成されており、例え
ば、酸化アルミニウム質焼結体で形成されている場合に
は、アルミナ、シリカ、カルシア、マグネシア等の原料
粉末に適当な有機溶剤、溶媒を添加混合して泥漿状とな
すとともにこれを従来周知のドクターブレード法やカレ
ンダーロール法を採用することによってセラミックグリ
ーンシート（セラミック生シート）を形成し、しかる
後、前記セラミックグリーンシートに適当な打ち抜き加
工を施し、所定形状となすとともに高温（約１６００
℃）で焼成することによって、或いはアルミナ等の原料
粉末に適当な有機溶剤、溶媒を添加混合して原料粉末を
調整するとともに該原料粉末をプレス成形機によって所
定形状に成形し、最後に前記成形体を約１６００℃の温
度で焼成することによって製作され、またガラスエポキ
シ樹脂から成る場合は、例えばガラス繊維を織り込んだ
布にエポキシ樹脂の前駆体を含浸させるとともに該エポ
キシ樹脂前駆体を所定の温度で熱硬化させることによっ
て製作される。

【００２１】また前記基板１には上下両主面に貫通する
孔径が例えば、３００μｍ〜５００μｍの貫通孔５が形
成されており、該貫通孔５の内壁には両端が基板１の上
下両面に導出する導電層６が被着されている。

【００２２】前記貫通孔５は後述する基板１の上面に形
成される多層配線部４の薄膜配線導体層３と外部電気回
路とを電気的に接続する、或いは基板１の上下両主面に
多層配線部４を配設した場合には両主面の多層配線部４
の薄膜配線導体層同士を電気的に接続する導電層６を形
成するための形成孔として作用し、基板１にドリル孔あ
け加工法を施すことによって基板１の所定位置に所定形
状に形成される。

【００２３】更に前記貫通孔５の内壁及び基板１の上下
両面に被着形成されている導電層６は例えば、銅やニッ
ケル等の金属材料から成り、従来周知のめっき法及びエ
ッチング法を採用することによって貫通孔５の内壁に両
端を基板１の上下両面に導出させた状態で被着形成され
る。

【００２４】前記基板１にはまた上面に有機樹脂絶縁層
２と薄膜配線導体層３とが交互に多層に配設されて形成
される多層配線部４が被着されており、該多層配線部４
を構成する有機樹脂絶縁層２は上下に位置する薄膜配線
導体層３の電気的絶縁を図る作用をなし、また薄膜配線
導体層３は電気信号を伝達するための伝達路として作用
する。

【００２５】前記多層配線部４の有機樹脂絶縁層２は、
酸触媒型の感光性エポキシ樹脂や熱硬化性のエポキシ樹
脂やビスマレイミドポリアジド樹脂、ポリフェニレンエ
ーテル樹脂、ふっ素樹脂等の樹脂から成り、例えば、酸
触媒型の感光性エポキシ樹脂からなる場合、フェノール
ノボラック樹脂、メチロールメラミン、ジアリルジアゾ
ニウム塩にプロピレングリコールモノメチルエーテルア
セテートを添加混合してペースト状の酸触媒型感光性エ
ポキシ樹脂前駆体を得るとともに、該酸触媒型の感光性
エポキシ樹脂前駆体を基板１の上部にスピンコート法や
ドクターブレード法等にり所定厚みに被着させ、次に、
これを高圧水銀ランプ等を用いた露光機により１〜３Ｊ
／ｃｍ³ のエネルギーで所定の露光を行うとともにスプ
レー現像機等で現像し、しかる後、これを１８０℃の温
度で３０〜６０分加熱し、完全に硬化させることによっ
て形成され、また熱硬化性のエポキシ樹脂から成る場
合、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ノボラック型エ
ポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂等にア
ミン系硬化剤、イミダゾール系硬化剤、酸無水物系硬化
剤等の硬化剤を添加混合してペースト状のエポキシ樹脂
前駆体を得るとともに該エポキシ樹脂前駆体を基板１の
上部にスピンコート法により被着させ、しかる後、これ
を８０〜２００℃の熱で０．５〜３時間熱処理し、熱硬
化させることによって形成される。

【００２６】更に前記多層配線部４の有機樹脂絶縁層２
はその各々の所定位置に最小径が有機樹脂絶縁層２の厚
みに対して約１．５倍程度のスルーホール７が形成され
ており、該スルーホール７は後述する有機樹脂絶縁層２
を介して上下に位置する薄膜配線導体層３の各々を電気
的に接続するスルーホール導体８を形成するための形成
孔として作用する。

【００２７】前記有機樹脂絶縁層２に設けるスルーホー
ル７は有機樹脂絶縁層２に従来周知のフォトリソグラフ
ィー技術を採用することによって、具体的には各有機樹
脂絶縁層２上にレジスト材を塗布するとともにこれに露
光、現像を施すことによって所定位置に所定形状の窓部
を形成し、次に前記レジスト材の窓部にエッチング液を
配し、レジスト材の窓部に位置する有機樹脂絶縁層２を
除去して、有機樹脂絶縁層２に穴（スルーホール）を形
成し、最後に前記レジスト材を有機樹脂絶縁層２上より
剥離させ除去することによって所定の径に形成される。

【００２８】なお、前記有機樹脂絶縁層２を酸触媒型の
感光性エポキシ樹脂で形成した場合、基板１上部に塗布
された酸触媒型エポキシ樹脂前駆体に露光、現像を施す
ことによってレジスト材を用いることなく直接、有機樹
脂絶縁層２に所定の径のスルーホール７を形成すること
ができる。従って、有機樹脂絶縁層２に簡単にスルーホ
ール７を形成するためにはレジスト材を用いてスルーホ
ール７を形成する必要が全くない酸触媒型の感光性エポ
キシ樹脂で有機樹脂絶縁層２を形成しておくことが好ま
しい。

【００２９】また前記各有機樹脂絶縁層２の上面には所
定パターンの薄膜配線導体層３が、更に各有機樹脂絶縁
層２に設けたスルーホール７の内壁にはスルーホール導
体８が各々配設されており、スルーホール導体９によっ
て間に有機樹脂絶縁層２を挟んで上下に位置する各薄膜
配線導体層３の各々が電気的に接続されるようになって
いる。

【００３０】前記各有機樹脂絶縁層２の上面及びスルー
ホール７の内壁に配設される薄膜配線導体層３及びスル
ーホール導体８は銅、ニッケル、金、アルミニウム等の
金属材料を無電解めっき法や蒸着法、スパッタリング法
等の薄膜形成技術及びフォトリソグラフィー技術を採用
することによって形成され、例えば、銅で形成されてい
る場合には、有機樹脂絶縁層２の上面及びスルーホール
７の内表面に、硫酸銅０．０６モル／リットル、ホルマ
リン０．３モル／リットル、水酸化ナトリウム０．３５
モル／リットル、エチレンジアミン四酢酸０．３５モル
／リットルから成る無電解銅めっき浴を用いて厚さ１μ
ｍ乃至４０μｍの銅層を被着させ、しかる後、前記銅層
をフォトリソグラフィー技術により所定パターンに加工
することによって各有機樹脂絶縁層２間、及びスルーホ
ール７内壁に配設される。この場合、薄膜配線導体層３
及びスルーホール導体８は薄膜形成技術により形成され
ることから配線の微細化が可能であり、これによって薄
膜配線導体層３を極めて高密度に形成することが可能と
なる。

【００３１】なお、前記有機樹脂絶縁層２と薄膜配線導
体層３とを交互に多層に配設して形成される多層配線部
４は各有機樹脂絶縁層２の上面を中心線平均粗さ（Ｒ
ａ）で０．０５μｍ≦Ｒａ≦５μｍの粗面としておくと
有機樹脂絶縁層２と薄膜配線導体層３との接合及び上下
に位置する有機樹脂絶縁層２同士の接合を強固となすこ
とができる。従って、前記多層配線部４の各有機樹脂絶
縁層２はその上面をエッチング加工法等によって粗し、
中心線平均粗さ（Ｒａ）で０．０５μｍ≦Ｒａ≦５μｍ
の粗面としておくことが好ましい。

【００３２】また前記有機樹脂絶縁層２はその表面の
２．５ｍｍの長さにおける凹凸の高さ（Ｐｃ）のカウン
ト値を、１μｍ≦Ｐｃ≦１０μｍが５００個以上、０．
１μｍ≦Ｐｃ≦１μｍが２５００個以上、０．０１μｍ
≦Ｐｃ≦０．１μｍが１２５００以上としておくと有機
樹脂絶縁層２と薄膜配線導体層３との接合及び上下に位
置する有機樹脂絶縁層２同士の接合がより強固となる。
従って、前記有機樹脂絶縁層２はその表面の２．５ｍｍ
の長さにおける凹凸の高さ（Ｐｃ）のカウント値を、１
μｍ≦Ｐｃ≦１０μｍが５００個以上、０．１μｍ≦Ｐ
ｃ≦１μｍが２５００個以上、０．０１μｍ≦Ｐｃ≦
０．１μｍが１２５００以上としておくとことが好まし
い。

【００３３】前記有機樹脂絶縁層２上面の中心線平均粗
さ（Ｒａ）及び２．５ｍｍの長さにおける凹凸の高さ
（Ｐｃ）のカウント値は、有機樹脂絶縁層２の表面を原
子間力顕微鏡（Digital Instruments Inc.製のDimensio
n 3000-Nano Scope III)で５０μｍ角の対角（７０μ
ｍ）に走査させてその表面状態を検査測定し、その測定
結果より各々の数値を出した。

【００３４】また前記中心線平均粗さ（Ｒａ）が０．０
５μｍ≦Ｒａ≦５μｍ、２．５ｍｍの長さにおける凹凸
の高さ（Ｐｃ）のカウント値が、１μｍ≦Ｐｃ≦１０μ
ｍが５００個以上、０．１μｍ≦Ｐｃ≦１μｍが２５０
０個以上、０．０１μｍ≦Ｐｃ≦０．１μｍが１２５０
０以上の有機樹脂絶縁層２は、該有機樹脂絶縁層２の上
面にＣＨＦ₃ 、ＣＦ₄ 、Ａｒ等のガスを吹きつけリアク
ティブイオンエッチング処理をすることによって表面が
所定の粗さに粗される。

【００３５】更に前記有機樹脂絶縁層２はその各々の厚
みが１００μｍを越えると有機樹脂絶縁層２にフォトリ
ソグラフィー技術を採用することによってスルーホール
７を形成する際、エッチング加工時間が長くなってスル
ーホール７を所望する鮮明な形状に形成するのが困難と
なり、また５μｍ未満となると有機樹脂絶縁層２の上面
に上下に位置する有機樹脂絶縁層２の接合強度を上げる
ための粗面加工を施す際、有機樹脂絶縁層２に不要な穴
が形成され上下に位置する薄膜配線導体層３に不要な電
気的短絡を招来してしまう危険性がある。従って、前記
有機樹脂絶縁層２はその各々の厚みを５μｍ〜１００μ
ｍの範囲としておくことが好ましい。

【００３６】また更に前記多層配線部４の各薄膜配線導
体層３はその厚みが１μｍ未満であると各薄膜配線導体
層３の電気抵抗値が大きなものとなって各薄膜配線導体
層３に所定の電気信号を伝達させることが困難となり、
また４０μｍを越えると薄膜配線導体層３を有機樹脂絶
縁層２に被着させる際に薄膜配線導体層３の内部に大き
な応力が内在し、該大きな内在応力によって薄膜配線導
体層３が有機樹脂絶縁層２から剥離し易いものとなる。
従って、前記多層配線部４の各薄膜配線導体層３の厚み
は１μｍ〜４０μｍの範囲としておくことが好ましい。

【００３７】前記有機樹脂絶縁層２と薄膜配線導体層３
とを交互に多層に配設して形成される多層配線部４は更
に、最上層の有機樹脂絶縁層２に薄膜配線導体層３と電
気的に接続しているボンディングパッド９が形成されて
おり、該ボンディングパッド９は半導体素子や容量素
子、抵抗器等の電子品Ａの電極を薄膜配線導体層３に電
気的に接続させる作用をなす。

【００３８】前記ボンディングパッド９は例えば、直径
が２００〜５００μｍの円形状をなしており、該ボンデ
ィングパッド９に半導体素子や容量素子等の電子部品Ａ
の電極をロウ材を介して接続させれば、半導体素子や容
量素子等の電子部品Ａの電極は薄膜配線導体層３に電気
的に接続されることとなる。

【００３９】前記ボンディングパッド９は薄膜配線導体
層３と同じ金属材料、具体的には銅、ニッケル、金、ア
ルミニウム等の金属材料から成り、最上層の有機樹脂絶
縁層２上に薄膜配線導体層３を形成する際に同時に前記
薄膜配線導体層３と電気的接続をもって形成される。

【００４０】また更に前記有機樹脂絶縁層２と薄膜配線
導体層３とを交互に多層に配設して形成される多層配線
部４は、各有機樹脂絶縁層２の内部にフィラーが含有さ
れており、該フィラーの含有によって各有機樹脂絶縁層
２の熱膨張係数が実装される半導体素子や容量素子等の
電子部品Ａの熱膨張係数に対し近似した値（１０〜７０
ｐｐｍ：６０〜８０℃）となり、これによって最上層の
有機樹脂絶縁層２に設けたボンディングパッド９に半導
体素子や容量素子等の電子部品Ａをロウ材を介して接続
する際、有機樹脂絶縁層２と半導体素子や容量素子等の
電子部品Ａとの間に大きな熱応力が発生することはな
く、その結果、半導体素子や容量素子等の電子部品Ａに
クラックや割れ等が発生するのを有効に防止しつつ、該
電子部品Ａの電極を有機樹脂絶縁層２に設けたボンディ
ングパッド９に強固に接続させることができ、半導体素
子等の電子部品Ａを正常に駆動させることが可能とな
る。

【００４１】前記フィラーは、アルミナ、ジルコニア、
ムライト、シリカ、硫酸バリウム、チタン酸バリウム、
酸化チタン、チタン酸ジルコン酸鉛、チタン酸鉛、銅、
モリブデン等の金属や金属酸化物、硫化物から成り、各
有機樹脂絶縁層２における含有量が１０重量％未満とな
ると有機樹脂絶縁層２の熱膨張係数が半導体素子や容量
素子等の電子部品Ａの熱膨張係数に近似せず、電子部品
Ａを最上層の有機樹脂絶縁層２に設けたボンディングパ
ッド９にロウ付け接続する際、電子部品Ａにクラックや
割れ等を招来して電子部品Ａを正常に作動させることが
できなくなる危険性があり、また９５重量％を越えると
有機樹脂絶縁層２の破断強度が劣化し、絶縁信頼性を損
ねる危険性がある。従って、前記各有機樹脂絶縁層２に
含有されるフィラーはその含有量が１０重量％乃至９５
重量％の範囲としておくことが好ましい。

【００４２】更に前記フィラーはその粒径が０．０５μ
ｍ未満であると有機樹脂絶縁層２を形成する際の前駆体
の粘度が上昇し、所定の均一厚みの有機樹脂絶縁層２を
形成することが困難となり、また５０μｍを超えると有
機樹脂絶縁層２にスルーホール７を形成する際、その加
工精度が極めて悪いものとなる。従って、前記フィラー
はその粒径を０．０５μｍ乃至５０μｍの範囲としてお
くことが好ましい。

【００４３】また更に、前記フィラーはその表面がシラ
ンカップリング剤で表面処理されている。フィラーの表
面をシランカップリング剤で処理するとシランカップリ
ング剤の親水基がフィラーと、疎水基が有機樹脂絶縁層
２の樹脂成分と結合してフィラーと有機樹脂絶縁層２と
が強固に結合することとなり、その結果、有機樹脂絶縁
層２の表面をエッチング加工により粗面化し、有機樹脂
絶縁層２と薄膜配線導体層３との接合及び上下に位置す
る有機樹脂絶縁層２同士の接合を強固となす際、有機樹
脂絶縁層２の樹脂成分がエッチング液により選択的にエ
ッチングされてフィラーが表面に多量に露出し、有機樹
脂絶縁層２と薄膜配線導体層３との接合及び上下に位置
する有機樹脂絶縁層２同士の接合が弱いものとなること
はなく、これによって有機樹脂絶縁層２と薄膜配線導体
層３との接合及び上下に位置する有機樹脂絶縁層２同士
の接合が極めて強固なものとなる。

【００４４】なお、前記シランカップリング剤として、
特にアミノ基、エポキシ基、カルボニ基の少なくとも１
種の官能基を有するメトキシシランを使用すると有機樹
脂絶縁層２を形成する、例えばエポキシ樹脂等の樹脂と
シランカップリング剤で表面処理されたフィラーとの間
で共有結合を持つ重合体が形成され、有機樹脂絶縁層２
とフィラーとの接合が極めて強固なものとなる。従っ
て、前記シランカップリング剤はアミノ基、エポキシ
基、カルボニ基の少なくとも１種の官能基を有するメト
キシシランから成るものを使用することが好ましい。

【００４５】また前記シランカップリング剤によるフィ
ラーの表面処理は、シランカップリング剤を希釈液で希
釈した液にフイラーを混入させてフィラーの表面に液を
付着させ、しかる後、これを９０〜１３０℃の温度で１
〜１２０分間乾燥することによって行われる。

【００４６】かくして上述の多層配線基板によれば、最
上層の有機樹脂絶縁層２に設けたボンディングパッド９
に半導体素子や容量素子等の電子部品Ａの電極を半田等
から成るロウ材を介して接続させ、電子部品Ａの電極を
ボンディングパッド９を介して薄膜配線導体層３に電気
的に接続させることによって半導体装置や混成集積回路
装置となり、薄膜配線導体層３の一部を外部電気回路に
接続すれば前記電子部品Ａが外部電気回路に接続される
こととなる。

【００４７】なお、本発明は上述の実施例に限定される
ものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば
種々の変更は可能であり、例えば上述の実施例において
は絶縁基板１の上面側のみに複数の有機樹脂絶縁層２と
複数の薄膜配線導体層３とを交互に積層して形成される
多層配線部４を被着させたが、該多層配線部４を絶縁基
板１の下面側のみに設けても、上下の両主面に設けても
よい。

【００４８】

【発明の効果】本発明の多層配線基板によれば、絶縁基
板上に薄膜形成技術によって配線を形成したことから配
線の微細化が可能となり、配線を極めて高密度に形成す
ることが可能となる。

【００４９】また本発明の多層配線基板によれば、有機
樹脂絶縁層に例えば、粒径０．０５μｍ乃至５０μｍの
フィラーを１０重量％乃至９５重量％含有させ、有機樹
脂絶縁層の熱膨張係数を半導体素子等の能動部品や容量
素子、抵抗器等の受動部品の熱膨張係数に近づけたこと
から、有機樹脂絶縁層に設けたボンディングパッドに半
導体素子や容量素子等をロウ材を介して接続する際、有
機樹脂絶縁層と半導体素子や容量素子等との間に大きな
熱応力が発生することはなく、その結果、半導体素子等
の能動部品や容量素子、抵抗器等の受動部品をクラック
や割れ等を発生することなく有機樹脂絶縁層に設けたボ
ンディングパッドに強固に接続させることができ、半導
体素子等を正常に駆動させることが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の多層配線基板の一実施例を示す断面図
である。

【符号の説明】

１・・・基板 ２・・・有機樹脂絶縁層 ３・・・薄膜配線導体層 ４・・・多層配線部 ７・・・スルーホール ８・・・スルーホール導体 ９・・・ボンディングパッド Ａ・・・電子部品

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】基板上に、有機樹脂絶縁層と薄膜配線導体
   層とを交互に積層するとともに上下に位置する薄膜配線
   導体層を有機樹脂絶縁層に設けたスルーホール導体を介
   して電気的に接続してなり、最上層の有機樹脂絶縁層上
   面に、前記薄膜配線導体層と電気的に接続し、外部の電
   子部品が接続されるボンディングパッドを設けて成る多
   層配線基板であって、前記各有機樹脂絶縁層に表面がシ
   ランカップリング剤で表面処理されたフィラーが含有さ
   れていることを特徴とする多層配線基板。
2. 【請求項２】前記シランカップリング剤はアミノ基、エ
   ポキシ基、カルボニ基の少なくとも１種の官能基を有す
   るメトキシシランであることを特徴とする請求項１記載
   の多層配線基板。
3. 【請求項３】前記フィラーの粒径が０．０５μｍ乃至５
   ０μｍであることを特徴とする請求項１記載の多層配線
   基板。
4. 【請求項４】前記各有機樹脂絶縁層に含有されるフィラ
   ーの量が、各有機樹脂絶縁層に対し、１０重量％乃至９
   ５重量％であることを特徴とする請求項１記載の多層配
   線基板。
5. 【請求項５】前記有機樹脂絶縁層が酸触媒型感光性エポ
   キシ樹脂で形成されていることを特徴とする請求項１記
   載の多層配線基板。