JPH1027968A - 多層配線基板 - Google Patents
多層配線基板Info
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- JPH1027968A JPH1027968A JP17910796A JP17910796A JPH1027968A JP H1027968 A JPH1027968 A JP H1027968A JP 17910796 A JP17910796 A JP 17910796A JP 17910796 A JP17910796 A JP 17910796A JP H1027968 A JPH1027968 A JP H1027968A
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- JP
- Japan
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- organic resin
- insulating substrate
- thin film
- hole
- multilayer wiring
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Abstract
(57)【要約】
【課題】絶縁基板の貫通孔内に充填される有機樹脂充填
体の上下面に窪みが形成され、該有機樹脂充填体の窪み
に起因して有機樹脂絶縁層に段差が形成されるとともに
薄膜配線導体に断線が生じる。 【解決手段】上下両主面に貫通する貫通孔5を有する絶
縁基板1と、該絶縁基板1の上面から貫通孔5内壁を経
て下面に導出する導電層6と、前記貫通孔6の内部に充
填された有機樹脂充填体7と、前記絶縁基板1の少なく
とも一主面上に被着され、有機樹脂絶縁層2と薄膜配線
導体3とを交互に配設するとともに薄膜配線導体3の一
部が前記導電層6に電気的に接続されている多層配線部
4とから成る多層配線基板であって、前記有機樹脂充填
体7が光硬化性樹脂で形成されている。
体の上下面に窪みが形成され、該有機樹脂充填体の窪み
に起因して有機樹脂絶縁層に段差が形成されるとともに
薄膜配線導体に断線が生じる。 【解決手段】上下両主面に貫通する貫通孔5を有する絶
縁基板1と、該絶縁基板1の上面から貫通孔5内壁を経
て下面に導出する導電層6と、前記貫通孔6の内部に充
填された有機樹脂充填体7と、前記絶縁基板1の少なく
とも一主面上に被着され、有機樹脂絶縁層2と薄膜配線
導体3とを交互に配設するとともに薄膜配線導体3の一
部が前記導電層6に電気的に接続されている多層配線部
4とから成る多層配線基板であって、前記有機樹脂充填
体7が光硬化性樹脂で形成されている。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、多層配線基板に関
し、より詳細には混成集積回路装置や半導体素子を収容
する半導体素子収納用パッケージ等に使用される多層配
線基板に関するものである。
し、より詳細には混成集積回路装置や半導体素子を収容
する半導体素子収納用パッケージ等に使用される多層配
線基板に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、混成集積回路装置や半導体素子収
納用パッケージ等に使用される多層配線基板はその配線
導体がMoーMn法等の厚膜形成技術によって形成され
ている。
納用パッケージ等に使用される多層配線基板はその配線
導体がMoーMn法等の厚膜形成技術によって形成され
ている。
【0003】このMoーMn法は通常、タングステン、
モリブデン、マンガン等の高融点金属粉末に有機溶剤、
溶媒を添加混合し、ペースト状となした金属ペーストを
生セラミック体の外表面にスクリーン印刷法により所定
パターンに印刷塗布し、次ぎにこれを複数枚積層すると
ともに還元雰囲気中で焼成し、高融点金属粉末と生セラ
ミック体とを焼結一体化させる方法である。
モリブデン、マンガン等の高融点金属粉末に有機溶剤、
溶媒を添加混合し、ペースト状となした金属ペーストを
生セラミック体の外表面にスクリーン印刷法により所定
パターンに印刷塗布し、次ぎにこれを複数枚積層すると
ともに還元雰囲気中で焼成し、高融点金属粉末と生セラ
ミック体とを焼結一体化させる方法である。
【0004】尚、前記配線導体が形成されるセラミック
体としては通常、酸化アルミニウム質焼結体やムライト
質焼結体等の酸化物系セラミックス、或いは表面に酸化
物膜を被着させた窒化アルミニウム質焼結体や炭化珪素
質焼結体等の非酸化物系セラミックスが使用される。
体としては通常、酸化アルミニウム質焼結体やムライト
質焼結体等の酸化物系セラミックス、或いは表面に酸化
物膜を被着させた窒化アルミニウム質焼結体や炭化珪素
質焼結体等の非酸化物系セラミックスが使用される。
【0005】しかしながら、このMoーMn法を用いて
配線導体を形成した場合、配線導体は金属ペーストをス
クリーン印刷することにより形成されることから微細化
が困難で配線導体を高密度に形成することができないと
いう欠点を有していた。
配線導体を形成した場合、配線導体は金属ペーストをス
クリーン印刷することにより形成されることから微細化
が困難で配線導体を高密度に形成することができないと
いう欠点を有していた。
【0006】そこで上記欠点を解消するために配線導体
を従来の厚膜形成技術で形成するのに変えて微細化が可
能な薄膜形成技術を用いて高密度に形成した多層配線基
板が使用されるようになってきた。
を従来の厚膜形成技術で形成するのに変えて微細化が可
能な薄膜形成技術を用いて高密度に形成した多層配線基
板が使用されるようになってきた。
【0007】かかる多層配線基板は、上下両主面に貫通
する貫通孔を形成した酸化アルミニウム質焼結体等から
成るセラミックスやガラス繊維を織り込んだガラス布に
エポキシ樹脂を含浸させて形成されるガラスエポキシ樹
脂等から成る絶縁基板と、該絶縁基板の上面から貫通孔
内壁を経て下面に導出する銅から成る導電層と、前記貫
通孔の内部に充填されたエポキシ樹脂等の熱硬化性有機
樹脂材料から成る有機樹脂充填体と、前記絶縁基板の少
なくとも一主面上に被着され、エポキシ樹脂等の熱硬化
性有機樹脂材料から成る有機樹脂絶縁層と銅から成る薄
膜配線導体とを交互に配設するとともに薄膜配線導体の
一部が前記導電層に電気的に接続されている多層配線部
とから構成されており、導電層を介して多層配線部の薄
膜配線導体を外部電気回路に電気的に接続したり、絶縁
基板の上下両主面に被着形成される多層配線部の薄膜配
線導体同士を電気的に接続するようになっている。
する貫通孔を形成した酸化アルミニウム質焼結体等から
成るセラミックスやガラス繊維を織り込んだガラス布に
エポキシ樹脂を含浸させて形成されるガラスエポキシ樹
脂等から成る絶縁基板と、該絶縁基板の上面から貫通孔
内壁を経て下面に導出する銅から成る導電層と、前記貫
通孔の内部に充填されたエポキシ樹脂等の熱硬化性有機
樹脂材料から成る有機樹脂充填体と、前記絶縁基板の少
なくとも一主面上に被着され、エポキシ樹脂等の熱硬化
性有機樹脂材料から成る有機樹脂絶縁層と銅から成る薄
膜配線導体とを交互に配設するとともに薄膜配線導体の
一部が前記導電層に電気的に接続されている多層配線部
とから構成されており、導電層を介して多層配線部の薄
膜配線導体を外部電気回路に電気的に接続したり、絶縁
基板の上下両主面に被着形成される多層配線部の薄膜配
線導体同士を電気的に接続するようになっている。
【0008】尚、前記多層配線基板は貫通孔を有する絶
縁基板の上面、貫通孔内壁及び下面に無電解めっき法よ
り銅を被着させ、これをフオトリソグラフィー技術によ
り所定パターンに加工して絶縁基板の上面から貫通孔内
壁を経て下面に導出する導電層を被着させ、次に前記貫
通孔の内部にエポキシ樹脂の熱硬化性有機樹脂前駆体を
充填するとともにこれを熱硬化させて有機樹脂充填体と
なし、しかる後、前記絶縁基板の上面及び/又は下面に
スピンコート法及び熱硬化処理等によって形成されるエ
ポキシ樹脂等の有機樹脂から成る絶縁層と銅やアルミニ
ウム等の金属を無電解めっき法や蒸着法等の薄膜形成技
術及びフォトリソグラフィー技術を採用することによっ
て形成される薄膜配線導体とを交互に多層に配設して製
作されている。
縁基板の上面、貫通孔内壁及び下面に無電解めっき法よ
り銅を被着させ、これをフオトリソグラフィー技術によ
り所定パターンに加工して絶縁基板の上面から貫通孔内
壁を経て下面に導出する導電層を被着させ、次に前記貫
通孔の内部にエポキシ樹脂の熱硬化性有機樹脂前駆体を
充填するとともにこれを熱硬化させて有機樹脂充填体と
なし、しかる後、前記絶縁基板の上面及び/又は下面に
スピンコート法及び熱硬化処理等によって形成されるエ
ポキシ樹脂等の有機樹脂から成る絶縁層と銅やアルミニ
ウム等の金属を無電解めっき法や蒸着法等の薄膜形成技
術及びフォトリソグラフィー技術を採用することによっ
て形成される薄膜配線導体とを交互に多層に配設して製
作されている。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この多
層配線基板においては、絶縁基板の貫通孔の内部にエポ
キシ樹脂の熱硬化性有機樹脂前駆体を充填するとともに
これを加熱処理し熱硬化させて有機樹脂充填体となす
際、熱硬化性有機樹脂前駆体の熱硬化に長時間を要し、
多層配線基板の量産性が著しく低いものとなるとともに
熱硬化性有機樹脂前駆体の体積が減少して有機樹脂充填
体の上下面が絶縁基板の上下面より窪んだものとなり、
その結果、絶縁基板の上下面に有機樹脂絶縁層と薄膜配
線導体とを交互に配設して多層配線部を形成した場合、
有機樹脂絶縁層に前記有機樹脂充填体の上下面に形成さ
れた窪みに起因して段差が形成され、該段差によって薄
膜配線導体に断線等を発生してしまうという欠点を有し
ていた。
層配線基板においては、絶縁基板の貫通孔の内部にエポ
キシ樹脂の熱硬化性有機樹脂前駆体を充填するとともに
これを加熱処理し熱硬化させて有機樹脂充填体となす
際、熱硬化性有機樹脂前駆体の熱硬化に長時間を要し、
多層配線基板の量産性が著しく低いものとなるとともに
熱硬化性有機樹脂前駆体の体積が減少して有機樹脂充填
体の上下面が絶縁基板の上下面より窪んだものとなり、
その結果、絶縁基板の上下面に有機樹脂絶縁層と薄膜配
線導体とを交互に配設して多層配線部を形成した場合、
有機樹脂絶縁層に前記有機樹脂充填体の上下面に形成さ
れた窪みに起因して段差が形成され、該段差によって薄
膜配線導体に断線等を発生してしまうという欠点を有し
ていた。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明は上述の欠点に鑑
み案出されたもので、その目的は絶縁基板の上下両主面
に有機樹脂絶縁層と薄膜配線導体とから成る多層配線部
を薄膜配線導体に断線等を招来することなく形成するこ
とを可能とした多層配線基板を提供することにある。
み案出されたもので、その目的は絶縁基板の上下両主面
に有機樹脂絶縁層と薄膜配線導体とから成る多層配線部
を薄膜配線導体に断線等を招来することなく形成するこ
とを可能とした多層配線基板を提供することにある。
【0011】本発明は、上下両主面に貫通する貫通孔を
有する絶縁基板と、該絶縁基板の上面から貫通孔内壁を
経て下面に導出する導電層と、前記貫通孔の内部に充填
された有機樹脂充填体と、前記絶縁基板の少なくとも一
主面上に被着され、有機樹脂絶縁層と薄膜配線導体とを
交互に配設するとともに薄膜配線導体の一部が前記導電
層に電気的に接続されている多層配線部とから成る多層
配線基板であって、前記有機樹脂充填体が光硬化性樹脂
で形成されていることを特徴とするものである。
有する絶縁基板と、該絶縁基板の上面から貫通孔内壁を
経て下面に導出する導電層と、前記貫通孔の内部に充填
された有機樹脂充填体と、前記絶縁基板の少なくとも一
主面上に被着され、有機樹脂絶縁層と薄膜配線導体とを
交互に配設するとともに薄膜配線導体の一部が前記導電
層に電気的に接続されている多層配線部とから成る多層
配線基板であって、前記有機樹脂充填体が光硬化性樹脂
で形成されていることを特徴とするものである。
【0012】また本発明は、前記前記光硬化性樹脂から
成る有機樹脂充填体中に粒径が0.01μm乃至10μ
mのフィラーが含有されていることを特徴とするもので
ある。
成る有機樹脂充填体中に粒径が0.01μm乃至10μ
mのフィラーが含有されていることを特徴とするもので
ある。
【0013】更に本発明は、前記フィラーの含有量が有
機樹脂充填体100重量部に対し10重量部乃至80重
量部であることを特徴とするものである。
機樹脂充填体100重量部に対し10重量部乃至80重
量部であることを特徴とするものである。
【0014】本発明の多層配線基板によれば、絶縁基板
に設けた上下両主面に貫通する貫通孔内に充填した有機
樹脂充填体を光硬化性樹脂で形成したことから有機樹脂
充填体を短時間で形成することができ、多層配線基板の
量産性が著しく向上する。
に設けた上下両主面に貫通する貫通孔内に充填した有機
樹脂充填体を光硬化性樹脂で形成したことから有機樹脂
充填体を短時間で形成することができ、多層配線基板の
量産性が著しく向上する。
【0015】また本発明の多層配線基板によれば、光硬
化性樹脂は光照射によって硬化するものであり、硬化時
に体積減少が殆どないことから有機樹脂充填体の上下面
が絶縁基板の上下面より窪むこともなく、その結果、絶
縁基板の上下面に有機樹脂絶縁層と薄膜配線導体とを交
互に配設して多層配線部を形成しても有機樹脂絶縁層は
全て平坦となり、該有機樹脂絶縁層上に形成される薄膜
配線導体に断線等を発生することはない。
化性樹脂は光照射によって硬化するものであり、硬化時
に体積減少が殆どないことから有機樹脂充填体の上下面
が絶縁基板の上下面より窪むこともなく、その結果、絶
縁基板の上下面に有機樹脂絶縁層と薄膜配線導体とを交
互に配設して多層配線部を形成しても有機樹脂絶縁層は
全て平坦となり、該有機樹脂絶縁層上に形成される薄膜
配線導体に断線等を発生することはない。
【0016】更に本発明の多層配線基板によれば、絶縁
基板上に薄膜形成技術によって配線を形成したことから
配線の微細化が可能となり、配線を極めて高密度に形成
することが可能となる。
基板上に薄膜形成技術によって配線を形成したことから
配線の微細化が可能となり、配線を極めて高密度に形成
することが可能となる。
【0017】
【発明の実施の形態】次に、本発明を添付図面に基づき
詳細に説明する。図1は、本発明の多層配線基板の一実
施例を示し、1は絶縁基板、2は有機樹脂絶縁層、3は
薄膜配線導体である。
詳細に説明する。図1は、本発明の多層配線基板の一実
施例を示し、1は絶縁基板、2は有機樹脂絶縁層、3は
薄膜配線導体である。
【0018】前記絶縁基板1はその上面に有機樹脂絶縁
層2と薄膜配線導体3とから成る多層配線部4が配設さ
れており、該多層配線部4を支持する支持部材として作
用する。
層2と薄膜配線導体3とから成る多層配線部4が配設さ
れており、該多層配線部4を支持する支持部材として作
用する。
【0019】前記絶縁基板1は酸化アルミニウム質焼結
体やムライト質焼結体等の酸化物系セラミックス、或い
は表面に酸化物膜を有する窒化アルミニウム質焼結体、
炭化珪素質焼結体等の非酸化物系セラミックス、更には
ガラス繊維を織る込んだ布にエポキシ樹脂を含浸させた
ガラスエポキシ樹脂等の電気絶縁材料で形成されてお
り、例えば、酸化アルミニウム質焼結体で形成されてい
る場合には、アルミナ、シリカ、カルシア、マグネシア
等の原料粉末に適当な有機溶剤、溶媒を添加混合して泥
漿状となすとともにこれを従来周知のドクターブレード
法やカレンダーロール法を採用することによってセラミ
ックグリーンシート(セラミック生シート)を形成し、
しかる後、前記セラミックグリーンシートに適当な打ち
抜き加工を施し、所定形状となすとともに高温(約16
00℃)で焼成することによって、或いはアルミナ等の
原料粉末に適当な有機溶剤、溶媒を添加混合して原料粉
末を調整するとともに該原料粉末をプレス成形機によっ
て所定形状に成形し、最後に前記成形体を約1600℃
の温度で焼成することによって製作され、またガラスエ
ポキシ樹脂から成る場合は、例えばガラス繊維を織り込
んだ布にエポキシ樹脂の前駆体を含浸させるとともに該
エポキシ樹脂前駆体を所定の温度で熱硬化させることに
よって製作される。
体やムライト質焼結体等の酸化物系セラミックス、或い
は表面に酸化物膜を有する窒化アルミニウム質焼結体、
炭化珪素質焼結体等の非酸化物系セラミックス、更には
ガラス繊維を織る込んだ布にエポキシ樹脂を含浸させた
ガラスエポキシ樹脂等の電気絶縁材料で形成されてお
り、例えば、酸化アルミニウム質焼結体で形成されてい
る場合には、アルミナ、シリカ、カルシア、マグネシア
等の原料粉末に適当な有機溶剤、溶媒を添加混合して泥
漿状となすとともにこれを従来周知のドクターブレード
法やカレンダーロール法を採用することによってセラミ
ックグリーンシート(セラミック生シート)を形成し、
しかる後、前記セラミックグリーンシートに適当な打ち
抜き加工を施し、所定形状となすとともに高温(約16
00℃)で焼成することによって、或いはアルミナ等の
原料粉末に適当な有機溶剤、溶媒を添加混合して原料粉
末を調整するとともに該原料粉末をプレス成形機によっ
て所定形状に成形し、最後に前記成形体を約1600℃
の温度で焼成することによって製作され、またガラスエ
ポキシ樹脂から成る場合は、例えばガラス繊維を織り込
んだ布にエポキシ樹脂の前駆体を含浸させるとともに該
エポキシ樹脂前駆体を所定の温度で熱硬化させることに
よって製作される。
【0020】また前記絶縁基板1には上下両主面に貫通
する孔径が例えば、直径が0.3mm〜0.5mmの貫
通孔5が形成されており、該貫通孔5の内壁には両端が
絶縁基板1の上下両面に導出する導電層6が被着されて
いる。
する孔径が例えば、直径が0.3mm〜0.5mmの貫
通孔5が形成されており、該貫通孔5の内壁には両端が
絶縁基板1の上下両面に導出する導電層6が被着されて
いる。
【0021】前記貫通孔5は後述する絶縁基板1の上面
に形成される多層配線部4の薄膜配線導体3と外部電気
回路とを電気的に接続する、或いは絶縁基板1の上下両
主面に多層配線部4を配設した場合には両主面の多層配
線部4の薄膜配線導体3同士を電気的に接続する導電層
6を形成するための形成孔として作用し、絶縁基板1に
ドリル孔あけ加工法を施すことによって絶縁基板1の所
定位置、所定形状に形成される。
に形成される多層配線部4の薄膜配線導体3と外部電気
回路とを電気的に接続する、或いは絶縁基板1の上下両
主面に多層配線部4を配設した場合には両主面の多層配
線部4の薄膜配線導体3同士を電気的に接続する導電層
6を形成するための形成孔として作用し、絶縁基板1に
ドリル孔あけ加工法を施すことによって絶縁基板1の所
定位置、所定形状に形成される。
【0022】更に前記貫通孔5の内壁及び絶縁基板1の
上下両面には導電層6が被着形成されており、該導電層
6はニッケルを主成分とする金属から成り、例えば、貫
通孔5を有する絶縁基板1を硫酸ニッケル40グラム/
リットル、クエン酸ナトリウム24グラム/リットル、
酢酸ナトリウム14グラム/リットル、次亜リン酸ナト
リウム20グラム/リットル、塩化アンモニウム5グラ
ム/リットルから成る無電解めっき浴を用いて厚さ1μ
m乃至40μmのニッケル層を被着させ、しかる後、前
記ニッケル層をエッチング加工法により所定パターンに
加工することによって貫通孔5の内壁に両端を絶縁基板
1の上下両面に導出させた状態で被着形成される。
上下両面には導電層6が被着形成されており、該導電層
6はニッケルを主成分とする金属から成り、例えば、貫
通孔5を有する絶縁基板1を硫酸ニッケル40グラム/
リットル、クエン酸ナトリウム24グラム/リットル、
酢酸ナトリウム14グラム/リットル、次亜リン酸ナト
リウム20グラム/リットル、塩化アンモニウム5グラ
ム/リットルから成る無電解めっき浴を用いて厚さ1μ
m乃至40μmのニッケル層を被着させ、しかる後、前
記ニッケル層をエッチング加工法により所定パターンに
加工することによって貫通孔5の内壁に両端を絶縁基板
1の上下両面に導出させた状態で被着形成される。
【0023】前記導電層6は絶縁基板1の主面に配設さ
れる多層配線部4の薄膜配線導体3を外部電気回路に電
気的に接続したり、絶縁基板1の上下両主面に配設され
る各々の多層配線部4の薄膜配線導体3同士を電気的に
接続する作用をなす。
れる多層配線部4の薄膜配線導体3を外部電気回路に電
気的に接続したり、絶縁基板1の上下両主面に配設され
る各々の多層配線部4の薄膜配線導体3同士を電気的に
接続する作用をなす。
【0024】また前記導電層6はその少なくとも貫通孔
5の内壁に被着されている領域が有機樹脂と接合性の良
いニッケルを主成分とする金属で形成されていることか
ら貫通孔5の内部に後述する有機樹脂充填体7を充填し
た場合、導電層6と有機樹脂充填体7との接合強度が強
くなり、外力が印加されても導電層6と有機樹脂充填体
7との間に剥離が発生することはなく、貫通孔5の所定
位置に有機樹脂充填体7を確実に固定させることが可能
となる。
5の内壁に被着されている領域が有機樹脂と接合性の良
いニッケルを主成分とする金属で形成されていることか
ら貫通孔5の内部に後述する有機樹脂充填体7を充填し
た場合、導電層6と有機樹脂充填体7との接合強度が強
くなり、外力が印加されても導電層6と有機樹脂充填体
7との間に剥離が発生することはなく、貫通孔5の所定
位置に有機樹脂充填体7を確実に固定させることが可能
となる。
【0025】更に前記絶縁基板1に形成した貫通孔5は
またその内部に有機樹脂充填体7が充填されており、該
有機樹脂充填体7によって貫通孔5が完全に埋められ、
同時に有機樹脂充填体7の両端面が絶縁基板1の上下両
主面に被着させた導電層6の面と同一平面となってい
る。
またその内部に有機樹脂充填体7が充填されており、該
有機樹脂充填体7によって貫通孔5が完全に埋められ、
同時に有機樹脂充填体7の両端面が絶縁基板1の上下両
主面に被着させた導電層6の面と同一平面となってい
る。
【0026】前記有機樹脂充填体7は、エポキシ樹脂、
ポリイミド樹脂、ビスマレイミドトリアジド樹脂、ポリ
フェニレンエーテル樹脂、ふっ素樹脂等の感光性の有機
樹脂から成り、例えば、感光性のエポキシ樹脂から成る
場合には、フェノールノボラック樹脂、メチロールメラ
ミン、ジアリルジアゾニウム塩にプロピレングリコール
モノメチルエーテルアセテートを添加混合してペースト
状の感光性エポキシ樹脂前駆体を得るとともにこれを絶
縁基板1に設けた貫通孔5内に充填させ、しかる後、こ
の充填した感光性エポキシ樹脂前駆体に高圧水銀ランプ
等を用いた露光機で10mW/cm2 〜30mW/cm
2 のエネルギーを1.5分〜4.5分程度照射させ、1
〜3J/cm3 のエネルギーを与えることによって感光
性エポキシ樹脂前駆体を光硬化させることによって形成
される。この場合、感光性エポキシ樹脂前駆体はその光
硬化が熱硬化性樹脂に比べ極めて短時間に行われ、熱硬
化性の有機樹脂で有機樹脂充填体を形成する場合に比べ
て多層配線基板の量産性が著しく向上する。また感光性
エポキシ樹脂前駆体はその光硬化の際に体積減少を起こ
すことは殆どなく、これによって絶縁基板1の上面に後
述する有機樹脂絶縁層2と薄膜配線導体3とを交互に配
設して多層配線部4を形成した場合、各有機樹脂絶縁層
2は全て平坦となり、該有機樹脂絶縁層2上に形成され
る薄膜配線導体3に断線等を招来することはない。
ポリイミド樹脂、ビスマレイミドトリアジド樹脂、ポリ
フェニレンエーテル樹脂、ふっ素樹脂等の感光性の有機
樹脂から成り、例えば、感光性のエポキシ樹脂から成る
場合には、フェノールノボラック樹脂、メチロールメラ
ミン、ジアリルジアゾニウム塩にプロピレングリコール
モノメチルエーテルアセテートを添加混合してペースト
状の感光性エポキシ樹脂前駆体を得るとともにこれを絶
縁基板1に設けた貫通孔5内に充填させ、しかる後、こ
の充填した感光性エポキシ樹脂前駆体に高圧水銀ランプ
等を用いた露光機で10mW/cm2 〜30mW/cm
2 のエネルギーを1.5分〜4.5分程度照射させ、1
〜3J/cm3 のエネルギーを与えることによって感光
性エポキシ樹脂前駆体を光硬化させることによって形成
される。この場合、感光性エポキシ樹脂前駆体はその光
硬化が熱硬化性樹脂に比べ極めて短時間に行われ、熱硬
化性の有機樹脂で有機樹脂充填体を形成する場合に比べ
て多層配線基板の量産性が著しく向上する。また感光性
エポキシ樹脂前駆体はその光硬化の際に体積減少を起こ
すことは殆どなく、これによって絶縁基板1の上面に後
述する有機樹脂絶縁層2と薄膜配線導体3とを交互に配
設して多層配線部4を形成した場合、各有機樹脂絶縁層
2は全て平坦となり、該有機樹脂絶縁層2上に形成され
る薄膜配線導体3に断線等を招来することはない。
【0027】尚、前記光硬化性の有機樹脂から成る有機
樹脂充填体7はその内部に粒径が0.01μm乃至10
μmのフィラーを、有機樹脂充填体7を100重量部と
したとき10重量部乃至80重量部含有させておくと、
絶縁基板1に設けた貫通孔5内への有機樹脂充填体7の
充填が良好に行われるとともに有機樹脂充填体7の上下
両面にロールバフ研磨等を行い有機樹脂充填体7の上下
両面を導電層6と同一平面とするときその加工性が良好
となる。
樹脂充填体7はその内部に粒径が0.01μm乃至10
μmのフィラーを、有機樹脂充填体7を100重量部と
したとき10重量部乃至80重量部含有させておくと、
絶縁基板1に設けた貫通孔5内への有機樹脂充填体7の
充填が良好に行われるとともに有機樹脂充填体7の上下
両面にロールバフ研磨等を行い有機樹脂充填体7の上下
両面を導電層6と同一平面とするときその加工性が良好
となる。
【0028】前記有機樹脂充填体7に含有させるフィラ
ーとしてはSiO2 等の無機微粉末や熱硬化性樹脂の微
粉末等、光の透過率のよい固形物が好適に使用され、そ
の粒径が0.01μm未満であると絶縁基板1に設けた
貫通孔5内への有機樹脂充填体7の充填性が悪くなって
有機樹脂充填体7に多量の空隙が形成された上下両面に
凹部が形成されたりしてしまい、また10μmを越える
と光硬化時の硬化が不完全となり、絶縁基板1に設けた
貫通孔5内への有機樹脂充填体7の密着性が劣化すると
ともに有機樹脂充填体7へのロールバフ研磨等の加工性
等が悪くなる危険性がある。従って、前記有機樹脂充填
体7に含有されるフィラーはその粒径を0.01μm乃
至10μmの範囲としておくことが好ましい。
ーとしてはSiO2 等の無機微粉末や熱硬化性樹脂の微
粉末等、光の透過率のよい固形物が好適に使用され、そ
の粒径が0.01μm未満であると絶縁基板1に設けた
貫通孔5内への有機樹脂充填体7の充填性が悪くなって
有機樹脂充填体7に多量の空隙が形成された上下両面に
凹部が形成されたりしてしまい、また10μmを越える
と光硬化時の硬化が不完全となり、絶縁基板1に設けた
貫通孔5内への有機樹脂充填体7の密着性が劣化すると
ともに有機樹脂充填体7へのロールバフ研磨等の加工性
等が悪くなる危険性がある。従って、前記有機樹脂充填
体7に含有されるフィラーはその粒径を0.01μm乃
至10μmの範囲としておくことが好ましい。
【0029】また前記有機樹脂充填体7に含有されるフ
ィラーはその含有量が有機樹脂充填体7を100重量部
としたとき10重量部未満であると有機樹脂充填体7の
光硬化時の収縮が大きくなって有機樹脂充填体7の上下
両面に大きな凹部が形成されたり、貫通孔5内への有機
樹脂充填体7の充填性が悪くなったり、ロールバフ研磨
等による加工性等が悪くなる傾向にあり、また80重量
部を越えると有機樹脂充填体7の光硬化時の硬化が不完
全となり、絶縁基板1に設けた貫通孔5内への有機樹脂
充填体7の密着性が劣化してしまう危険性がある。従っ
て、前記有機樹脂充填体7に含有されるフィラーはその
含有量が有機樹脂充填体7を100重量部としたとき1
0重量部乃至80重量部の範囲としておくことが好まし
い。
ィラーはその含有量が有機樹脂充填体7を100重量部
としたとき10重量部未満であると有機樹脂充填体7の
光硬化時の収縮が大きくなって有機樹脂充填体7の上下
両面に大きな凹部が形成されたり、貫通孔5内への有機
樹脂充填体7の充填性が悪くなったり、ロールバフ研磨
等による加工性等が悪くなる傾向にあり、また80重量
部を越えると有機樹脂充填体7の光硬化時の硬化が不完
全となり、絶縁基板1に設けた貫通孔5内への有機樹脂
充填体7の密着性が劣化してしまう危険性がある。従っ
て、前記有機樹脂充填体7に含有されるフィラーはその
含有量が有機樹脂充填体7を100重量部としたとき1
0重量部乃至80重量部の範囲としておくことが好まし
い。
【0030】更に前記絶縁基板1はその上面に有機樹脂
絶縁層2と薄膜配線導体3とが交互に多層に配設された
多層配線部4が形成されており、且つ該薄膜配線導体3
の一部は導電層6と電気的に接続されている。
絶縁層2と薄膜配線導体3とが交互に多層に配設された
多層配線部4が形成されており、且つ該薄膜配線導体3
の一部は導電層6と電気的に接続されている。
【0031】前記多層配線部4を構成する有機樹脂絶縁
層2は上下に位置する薄膜配線導体3の電気的絶縁を図
る作用を為すとともに薄膜配線導体3は電気信号を伝達
するための伝達路として作用する。
層2は上下に位置する薄膜配線導体3の電気的絶縁を図
る作用を為すとともに薄膜配線導体3は電気信号を伝達
するための伝達路として作用する。
【0032】前記多層配線部4の有機樹脂絶縁層2はエ
ポキシ樹脂から成り、例えば、エポキシ樹脂から成る場
合、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ノボラック型エ
ポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂等にア
ミン系硬化剤、イミダゾール系硬化剤、酸無水物系硬化
剤等の硬化剤を添加混合してペースト状のエポキシ樹脂
前駆体を得るとともに該エポキシ樹脂前駆体を絶縁基板
1の上部にスピンコート法により被着させ、しかる後、
これを約80℃〜200℃の熱で0.5乃至3時間熱処
理し、熱硬化させることによって形成される。
ポキシ樹脂から成り、例えば、エポキシ樹脂から成る場
合、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ノボラック型エ
ポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂等にア
ミン系硬化剤、イミダゾール系硬化剤、酸無水物系硬化
剤等の硬化剤を添加混合してペースト状のエポキシ樹脂
前駆体を得るとともに該エポキシ樹脂前駆体を絶縁基板
1の上部にスピンコート法により被着させ、しかる後、
これを約80℃〜200℃の熱で0.5乃至3時間熱処
理し、熱硬化させることによって形成される。
【0033】また前記有機樹脂絶縁層2はその各々の所
定位置に最小径が有機樹脂絶縁層2の厚みに対して約
1.5倍程度のスルーホール8が形成されており、該ス
ルーホール8は後述する有機樹脂絶縁層2を介して上下
に位置する薄膜配線導体3の各々を電気的に接続するス
ルーホール導体9を形成するための形成孔として作用す
る。
定位置に最小径が有機樹脂絶縁層2の厚みに対して約
1.5倍程度のスルーホール8が形成されており、該ス
ルーホール8は後述する有機樹脂絶縁層2を介して上下
に位置する薄膜配線導体3の各々を電気的に接続するス
ルーホール導体9を形成するための形成孔として作用す
る。
【0034】前記有機樹脂絶縁層2に設けるスルーホー
ル8は例えば、フォトリソグラフィー技術、具体的には
有機樹脂絶縁層2上にレジスト材を塗布するとともにこ
れに露光、現像を施すことによって所定位置に所定形状
の窓部を形成し、次に前記レジスト材の窓部にエッチン
グ液を配し、レジスト材の窓部に位置する有機樹脂絶縁
層2を除去して、有機樹脂絶縁層2に穴(スルーホー
ル)を形成し、最後に前記レジスト材を有機樹脂絶縁層
2上より剥離させ除去することによって行われる。
ル8は例えば、フォトリソグラフィー技術、具体的には
有機樹脂絶縁層2上にレジスト材を塗布するとともにこ
れに露光、現像を施すことによって所定位置に所定形状
の窓部を形成し、次に前記レジスト材の窓部にエッチン
グ液を配し、レジスト材の窓部に位置する有機樹脂絶縁
層2を除去して、有機樹脂絶縁層2に穴(スルーホー
ル)を形成し、最後に前記レジスト材を有機樹脂絶縁層
2上より剥離させ除去することによって行われる。
【0035】更に前記各有機樹脂絶縁層2の上面には所
定パターンの薄膜配線導体3が、また各有機樹脂絶縁層
2に設けたスルーホール8の内壁にはスルーホール導体
9が各々配設されており、スルーホール導体9によって
間に有機樹脂絶縁層2を挟んで上下に位置する各薄膜配
線導体3の各々が電気的に接続されるようになってい
る。
定パターンの薄膜配線導体3が、また各有機樹脂絶縁層
2に設けたスルーホール8の内壁にはスルーホール導体
9が各々配設されており、スルーホール導体9によって
間に有機樹脂絶縁層2を挟んで上下に位置する各薄膜配
線導体3の各々が電気的に接続されるようになってい
る。
【0036】前記各有機樹脂絶縁層2の上面及びスルー
ホール8内に配設される薄膜配線導体3及びスルーホー
ル導体9は銅、ニッケル、金、アルミニウム等の金属材
料を無電解めっき法や蒸着法、スパッタリング法等の薄
膜形成技術及びエッチング加工技術を採用することによ
って形成され、例えば銅で形成されている場合には、有
機樹脂絶縁層2の上面及びスルーホール8の内表面に硫
酸銅0.06モル/リットル、ホルマリン0.3モル/
リットル、水酸化ナトリウム0.35モル/リットル、
エチレンジアミン四酢酸0.35モル/リットルからな
る無電解銅メッキ浴を用いて厚さ1μm乃至40μmの
銅層を被着させ、しかる後、前記銅層をエッチング加工
法により所定パターンに加工することによって各有機樹
脂絶縁層2間及び各有機樹脂絶縁層2のスルーホール8
内壁に配設される。この場合、薄膜配線導体3は薄膜形
成技術により形成されることから配線の微細化が可能で
あり、これによって薄膜配線導体3を極めて高密度に形
成することが可能となる。
ホール8内に配設される薄膜配線導体3及びスルーホー
ル導体9は銅、ニッケル、金、アルミニウム等の金属材
料を無電解めっき法や蒸着法、スパッタリング法等の薄
膜形成技術及びエッチング加工技術を採用することによ
って形成され、例えば銅で形成されている場合には、有
機樹脂絶縁層2の上面及びスルーホール8の内表面に硫
酸銅0.06モル/リットル、ホルマリン0.3モル/
リットル、水酸化ナトリウム0.35モル/リットル、
エチレンジアミン四酢酸0.35モル/リットルからな
る無電解銅メッキ浴を用いて厚さ1μm乃至40μmの
銅層を被着させ、しかる後、前記銅層をエッチング加工
法により所定パターンに加工することによって各有機樹
脂絶縁層2間及び各有機樹脂絶縁層2のスルーホール8
内壁に配設される。この場合、薄膜配線導体3は薄膜形
成技術により形成されることから配線の微細化が可能で
あり、これによって薄膜配線導体3を極めて高密度に形
成することが可能となる。
【0037】尚、前記有機樹脂絶縁層2と薄膜配線導体
3とを交互に多層に配設して形成される多層配線部4は
絶縁基板1に設けた貫通孔5が有機樹脂充填体7で完全
に埋められていることから絶縁基板1の主面に有機樹脂
絶縁層2を形成しても該有機樹脂絶縁層2はその平坦化
が維持され、各有機樹脂絶縁層2上に形成される薄膜配
線導体3に断線等が発生するのを有効に防止することが
可能となる。
3とを交互に多層に配設して形成される多層配線部4は
絶縁基板1に設けた貫通孔5が有機樹脂充填体7で完全
に埋められていることから絶縁基板1の主面に有機樹脂
絶縁層2を形成しても該有機樹脂絶縁層2はその平坦化
が維持され、各有機樹脂絶縁層2上に形成される薄膜配
線導体3に断線等が発生するのを有効に防止することが
可能となる。
【0038】また前記多層配線部4は各有機樹脂絶縁層
2の厚みが100μmを越えると有機樹脂絶縁層2にフ
ォトリソグラフィー技術を採用することによってスルー
ホール8を形成する際、エッチングの加工時間が長くな
ってスルーホール8を所望する鮮明な形状に形成するの
が困難となり、また5μm未満となると有機樹脂絶縁層
2の上面に上下に位置する有機樹脂絶縁層2の接合強度
を上げるための粗面加工を施す際、有機樹脂絶縁層2に
不要な穴が形成され上下に位置する薄膜配線導体3に不
要な電気的短絡を招来してしまう危険性がある。従っ
て、前記有機樹脂絶縁層2はその各々の厚みを5μm乃
至100μmの範囲としておくことが好ましい。
2の厚みが100μmを越えると有機樹脂絶縁層2にフ
ォトリソグラフィー技術を採用することによってスルー
ホール8を形成する際、エッチングの加工時間が長くな
ってスルーホール8を所望する鮮明な形状に形成するの
が困難となり、また5μm未満となると有機樹脂絶縁層
2の上面に上下に位置する有機樹脂絶縁層2の接合強度
を上げるための粗面加工を施す際、有機樹脂絶縁層2に
不要な穴が形成され上下に位置する薄膜配線導体3に不
要な電気的短絡を招来してしまう危険性がある。従っ
て、前記有機樹脂絶縁層2はその各々の厚みを5μm乃
至100μmの範囲としておくことが好ましい。
【0039】更に前記多層配線部4の各薄膜配線導体3
はその厚みが1μm未満となると各薄膜配線導体3の電
気抵抗が大きなものとなって各薄膜配線導体3に所定の
電気信号を伝達させることが困難なものとなり、また4
0μmを越えると薄膜配線導体3を有機樹脂絶縁層2に
被着させる際、薄膜配線導体3内に大きな応力が内在
し、該内在応力によって薄膜配線導体3が有機樹脂絶縁
層2より剥離し易いものとなる。従って、前記多層配線
部4の各薄膜配線導体3の厚みを1μm乃至40μmの
範囲としておくことが好ましい。
はその厚みが1μm未満となると各薄膜配線導体3の電
気抵抗が大きなものとなって各薄膜配線導体3に所定の
電気信号を伝達させることが困難なものとなり、また4
0μmを越えると薄膜配線導体3を有機樹脂絶縁層2に
被着させる際、薄膜配線導体3内に大きな応力が内在
し、該内在応力によって薄膜配線導体3が有機樹脂絶縁
層2より剥離し易いものとなる。従って、前記多層配線
部4の各薄膜配線導体3の厚みを1μm乃至40μmの
範囲としておくことが好ましい。
【0040】また更に前記薄膜配線導体3はその表面が
中心線平均粗さ(Ra)で0.05μm≦Ra≦5μ
m、表面の2.5mmの長さにおける凹凸の高さ(P
c)のカウント値を0.01μm≦Pc≦0.1μmが
30000個以上、0.1μm≦Pc≦1μmが300
0個乃至10000個、1μm≦Pc≦10μmが50
0個以下となるように粗しておくと有機樹脂絶縁層2と
薄膜配線導体3とはその接合面積が極めて広いものとな
り、その結果、有機樹脂絶縁層2と薄膜配線導体3との
密着性が著しく向上し、有機樹脂絶縁層2や薄膜配線導
体3に外力が印加されても該外力によって有機樹脂絶縁
層2と薄膜配線導体3との間に剥離が発生することはな
く、両者の接合を極めて強固となすことができる。従っ
て、前記薄膜配線導体3はその表面が中心線平均粗さ
(Ra)で0.05μm≦Ra≦5μm、表面の2.5
mmの長さにおける凹凸の高さ(Pc)のカウント値を
0.01μm≦Pc≦0.1μmが30000個以上、
0.1μm≦Pc≦1μmが3000個乃至10000
個、1μm≦Pc≦10μmが500個以下となるよう
に粗しておくことが好ましい。
中心線平均粗さ(Ra)で0.05μm≦Ra≦5μ
m、表面の2.5mmの長さにおける凹凸の高さ(P
c)のカウント値を0.01μm≦Pc≦0.1μmが
30000個以上、0.1μm≦Pc≦1μmが300
0個乃至10000個、1μm≦Pc≦10μmが50
0個以下となるように粗しておくと有機樹脂絶縁層2と
薄膜配線導体3とはその接合面積が極めて広いものとな
り、その結果、有機樹脂絶縁層2と薄膜配線導体3との
密着性が著しく向上し、有機樹脂絶縁層2や薄膜配線導
体3に外力が印加されても該外力によって有機樹脂絶縁
層2と薄膜配線導体3との間に剥離が発生することはな
く、両者の接合を極めて強固となすことができる。従っ
て、前記薄膜配線導体3はその表面が中心線平均粗さ
(Ra)で0.05μm≦Ra≦5μm、表面の2.5
mmの長さにおける凹凸の高さ(Pc)のカウント値を
0.01μm≦Pc≦0.1μmが30000個以上、
0.1μm≦Pc≦1μmが3000個乃至10000
個、1μm≦Pc≦10μmが500個以下となるよう
に粗しておくことが好ましい。
【0041】かくして本発明の多層配線基板によれば、
絶縁基板1の下面に被着されている導電層6を外部電気
回路に接続すれば絶縁基板1の上面に形成されている多
層配線部4の各薄膜配線導体3を外部電気回路に電気的
に接続されることとなる。
絶縁基板1の下面に被着されている導電層6を外部電気
回路に接続すれば絶縁基板1の上面に形成されている多
層配線部4の各薄膜配線導体3を外部電気回路に電気的
に接続されることとなる。
【0042】尚、本発明は上述の実施例に限定されるも
のではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種
々の変更は可能であり、例えば、上述の実施例において
は絶縁基板1の上面のみに有機樹脂絶縁層2と薄膜配線
導体3とから成る多層配線部4を設けたが、多層配線部
4を絶縁基板1の下面側のみに設けても、上下の両主面
に設けてもよい。
のではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種
々の変更は可能であり、例えば、上述の実施例において
は絶縁基板1の上面のみに有機樹脂絶縁層2と薄膜配線
導体3とから成る多層配線部4を設けたが、多層配線部
4を絶縁基板1の下面側のみに設けても、上下の両主面
に設けてもよい。
【0043】
【発明の効果】本発明の多層配線基板によれば、絶縁基
板に設けた上下両主面に貫通する貫通孔内に充填した有
機樹脂充填体を光硬化性樹脂で形成したことから有機樹
脂充填体を短時間で形成することができ、多層配線基板
の量産性が著しく向上する。
板に設けた上下両主面に貫通する貫通孔内に充填した有
機樹脂充填体を光硬化性樹脂で形成したことから有機樹
脂充填体を短時間で形成することができ、多層配線基板
の量産性が著しく向上する。
【0044】また本発明の多層配線基板によれば、光硬
化性樹脂は光照射によって硬化するものであり、硬化時
に体積減少が殆どないことから有機樹脂充填体の上下面
が絶縁基板の上下面より窪むこともなく、その結果、絶
縁基板の上下面に有機樹脂絶縁層と薄膜配線導体とを交
互に配設して多層配線部を形成しても有機樹脂絶縁層は
全て平坦となり、該有機樹脂絶縁層上に形成される薄膜
配線導体に断線等を発生することはない。
化性樹脂は光照射によって硬化するものであり、硬化時
に体積減少が殆どないことから有機樹脂充填体の上下面
が絶縁基板の上下面より窪むこともなく、その結果、絶
縁基板の上下面に有機樹脂絶縁層と薄膜配線導体とを交
互に配設して多層配線部を形成しても有機樹脂絶縁層は
全て平坦となり、該有機樹脂絶縁層上に形成される薄膜
配線導体に断線等を発生することはない。
【0045】更に本発明の多層配線基板によれば、絶縁
基板上に薄膜形成技術によって配線を形成したことから
配線の微細化が可能となり、配線を極めて高密度に形成
することが可能となる。
基板上に薄膜形成技術によって配線を形成したことから
配線の微細化が可能となり、配線を極めて高密度に形成
することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の多層配線基板の一実施例を示す断面図
である。
である。
1・・・絶縁基板 2・・・有機樹脂絶縁層 3・・・薄膜配線導体 4・・・多層配線部 5・・・貫通孔 6・・・導電層 7・・・有機樹脂充填体
Claims (3)
- 【請求項1】上下両主面に貫通する貫通孔を有する絶縁
基板と、該絶縁基板の上面から貫通孔内壁を経て下面に
導出する導電層と、前記貫通孔の内部に充填された有機
樹脂充填体と、前記絶縁基板の少なくとも一主面上に被
着され、有機樹脂絶縁層と薄膜配線導体とを交互に配設
するとともに薄膜配線導体の一部が前記導電層に電気的
に接続されている多層配線部とから成る多層配線基板で
あって、前記有機樹脂充填体が光硬化性樹脂で形成され
ていることを特徴とする多層配線基板。 - 【請求項2】前記光硬化性樹脂から成る有機樹脂充填体
中に粒径が0.01μm乃至10μmのフィラーが含有
されていることを特徴とする請求項1に記載の多層配線
基板。 - 【請求項3】前記フィラーの含有量が有機樹脂充填体1
00重量部に対し10重量部乃至80重量部であること
を特徴とする請求項2に記載の多層配線基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17910796A JPH1027968A (ja) | 1996-07-09 | 1996-07-09 | 多層配線基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17910796A JPH1027968A (ja) | 1996-07-09 | 1996-07-09 | 多層配線基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1027968A true JPH1027968A (ja) | 1998-01-27 |
Family
ID=16060150
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17910796A Pending JPH1027968A (ja) | 1996-07-09 | 1996-07-09 | 多層配線基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1027968A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100415257B1 (ko) * | 2000-12-13 | 2004-01-14 | 주식회사 만도 | 나사이송장치 |
| USRE40947E1 (en) | 1997-10-14 | 2009-10-27 | Ibiden Co., Ltd. | Multilayer printed wiring board and its manufacturing method, and resin composition for filling through-hole |
| CN103797902A (zh) * | 2012-04-26 | 2014-05-14 | 日本特殊陶业株式会社 | 多层布线基板 |
-
1996
- 1996-07-09 JP JP17910796A patent/JPH1027968A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| USRE40947E1 (en) | 1997-10-14 | 2009-10-27 | Ibiden Co., Ltd. | Multilayer printed wiring board and its manufacturing method, and resin composition for filling through-hole |
| KR100415257B1 (ko) * | 2000-12-13 | 2004-01-14 | 주식회사 만도 | 나사이송장치 |
| CN103797902A (zh) * | 2012-04-26 | 2014-05-14 | 日本特殊陶业株式会社 | 多层布线基板 |
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