JPH10242651A - 多層配線基板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】配線導体が高密度に形成することができず、ま
た全体の形状が大型化する。 【解決手段】基板１上に、有機樹脂絶縁層３ａ、３ｂ、
３ｃと薄膜配線導体層４ａ、４ｂ、４ｃとを交互に多層
に配設するとともに上下に位置する薄膜配線導体層４
ａ、４ｂ、４ｃを各有機樹脂絶縁層３ａ、３ｂ、３ｃに
設けたスルーホール導体９を介して接続してなる多層配
線基板であって、前記有機樹脂絶縁層３ａ、３ｂ、３ｃ
の少なくとも１層に穴部Ｈを設け、該穴部Ｈ内に誘電体
磁器１０を挿入させるととも誘電体磁器１０の上下面に
有機樹脂層１１を介して薄膜配線導体層４ａ、４ｂの一
部を対向配置させた。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は多層配線基板に関
し、より詳細には混成集積回路装置や半導体素子を収容
する半導体素子収納用パッケージ等に使用される多層配
線基板に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、半導体素子等の能動部品や容量素
子、抵抗器等の自動部品を多数搭載し、所定の電子回路
を構成するようになした混成集積回路装置は、通常、絶
縁基板の内部及び表面にタングステン、モリブデン等の
高融点金属粉末から成る配線導体を形成した構造の配線
基板を準備し、次に前記配線基板の表面に半導体素子や
容量素子、抵抗器等を搭載取着するとともに該半導体素
子等の電極を前記配線導体に接続することによって混成
集積回路装置となる。

【０００３】かかる従来の混成集積回路装置等に使用さ
れる配線基板は一般にセラミックスの積層技術及びスク
リーン印刷法等の厚膜技術を採用することによって製作
されており、具体的には以下の方法によって製作されて
いる。

【０００４】即ち、 （１）まず、アルミナ等の電気絶縁性に優れたセラミッ
ク原料粉末に有機溶剤、溶媒を添加混合して複数枚のセ
ラミック生シートを得るとともに該各セラミック生シー
トの上下面にタングステン、モリブデン等の高融点金属
粉末から成る導電ペーストを従来周知のスクリーン印刷
法等の厚膜技術を採用することによって所定パターンに
印刷塗布する。

【０００５】（２）次に前記各セラミック生シートを積
層し、積層体を得るとともにこれを約１５００℃の温度
で焼成し、内部及び表面にタングステン、モリブデン等
の高融点金属粉末から成る配線導体を有する絶縁基板を
得る。

【０００６】（３）そして最後に、前記配線導体のう
ち、大気中に露出する表面にニッケル及び金等の耐蝕性
に優れ、良導電性で、半田等のロウ材と濡れ性（反応
性）の良い金属をめっき法により被着させ、これによっ
て製品としての配線基板が完成する。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この従
来の配線基板においては、配線導体がタングステンやモ
リブデン等の高融点金属粉末から成る導電ペーストをス
クリーン印刷法等の厚膜技術を採用し、所定パターンに
印刷塗布することによって形成されており、配線導体の
微細化が困難で配線導体を高密度に形成することができ
ないという欠点を有していた。

【０００８】またこの従来の配線基板は表面に半導体素
子等の能動部品や容量素子、抵抗器等の受動部品が多数
搭載され、部品の搭載数に応じて大型化してしまうとい
う欠点も有していた。

【０００９】本発明は上述の欠点に鑑み案出されたもの
で、その目的は配線導体を薄膜技術により形成される薄
膜配線導体とすることによって配線を高密度とし、かつ
内部に容量素子を内蔵することによって混成集積回路装
置等としたとき装置を小型となすことができる多層配線
基板を提供することにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明は、基板上に、有
機樹脂絶縁層と薄膜配線導体層とを交互に多層に配設す
るとともに上下に位置する薄膜配線導体層を各有機樹脂
絶縁層に設けたスルーホール導体を介して接続してなる
多層配線基板であって、前記有機樹脂絶縁層の少なくと
も１層に穴部を設け、該穴部内に誘電体磁器を挿入させ
るととも誘電体磁器の上下面に有機樹脂層を介して薄膜
配線導体層の一部を対向配置させたことを特徴とするも
のである。

【００１１】また本発明は、前記有機樹脂層の厚みが２
μｍ乃至４０μｍであることを特徴とするものである。

【００１２】更に本発明は、前記有機樹脂層に、酸化珪
素、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、チタン酸化
合物、ジルコン酸化合物の少なくとも１種から成る粉末
を１０重量％乃至９５重量％含有させたことを特徴とす
るものである。

【００１３】本発明の多層配線基板によれば、配線導体
を薄膜技術によって形成したことから配線導体の微細化
が可能となり、配線導体を極めて高密度に形成すること
が可能となる。

【００１４】また本発明の多層配線基板によれば、有機
樹脂絶縁層に穴部を設け、該穴部内に誘電体磁器を挿入
させるとともに誘電体磁器の上下面に薄膜配線導体層の
一部を対向配置させたことから、誘電体磁器の比誘電
率、厚み、幅、長さを調整することによって所定の静電
容量値を有する容量素子を任意数内蔵させることがで
き、多層配線基板に半導体素子や容量素子、抵抗器等の
部品を搭載して混成集積回路装置となす場合、多層配線
基板に別途容量素子を多数実装する必要はなく、その結
果、多層配線基板に実装される部品の数が減り、混成集
積回路装置等を小型となすこともできる。

【００１５】更に本発明の多層配線基板によれば、誘電
体磁器の上下面と薄膜配線導体層との間に有機樹脂層を
介在させたことから有機樹脂層によって誘電体磁器と薄
膜配線導体層との接合が強固となり、薄膜配線導体層の
所定位置に所定静電容量値の容量素子を高い信頼性で電
気的接続することが可能となるとともに有機樹脂絶縁層
に設けた穴が誘電体磁器と有機樹脂層とによって完全に
埋められ、上部に位置する有機樹脂絶縁層を平坦として
薄膜配線導体層を断線等を招来することなく所定パター
ンに形成することが可能となる。

【００１６】

【発明の実施の形態】次に本発明を添付図面に基づき詳
細に説明する。図１及び図２は、本発明の多層配線基板
の一実施例を示し、１は基板、２は多層配線部である。

【００１７】前記基板１はその上面に３つの有機樹脂絶
縁層３ａ、３ｂ、３ｃと３つの薄膜配線導体層４ａ、４
ｂ、４ｃを交互に多層に配設して成る多層配線部２が形
成されており、該多層配線部２を支持する支持部材とし
て作用する。

【００１８】前記基板１は酸化アルミニウム質焼結体や
ムライト質焼結体等の酸化物系セラミックス、或いは表
面に酸化物膜を有する窒化アルミニウム質焼結体や炭化
珪素質焼結体等の非酸化物系セラミックス、更にはガラ
ス繊維を織り込んだ布にエポキシ樹脂やビスマレイミド
トリアジン樹脂を含浸させたガラスエポキシ樹脂基板や
ビスマレイミドトリアジン基板等の電気絶縁材料で形成
されており、例えば、酸化アルミニウム質焼結体で形成
されている場合には、アルミナ、シリカ、カルシア、マ
グネシア等の原料粉末に適当な有機溶剤、溶媒を添加混
合して泥漿状となすとともにこれを従来周知のドクター
ブレード法やカレンダーロール法を採用することによっ
てセラミックグリーンシート（セラミック生シート）を
形成し、しかる後、前記セラミックグリーンシートに適
当な打ち抜き加工を施し、所定形状となすとともに高温
（約１６００℃）で焼成することによって、或いはアル
ミナ等の原料粉末に適当な有機溶剤、溶媒を添加混合し
て原料粉末を調整するとともに該原料粉末をプレス成形
機によって所定形状に成形し、最後に前記成形体を約１
６００℃の温度で焼成することによって製作され、また
ガラスエポキシ樹脂基板やビスマレイミドトリアジン基
板等で形成されている場合は、ガラス繊維を織り込んだ
布にエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂の前
駆体を含浸させたものを複数枚積層し、しかる後、前記
エポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂の前駆体
を所定の温度（１００℃〜２００℃）で熱硬化させるこ
とによって製作される。

【００１９】また前記基板１には上下両主面に貫通する
孔径が例えば、直径３００μｍ〜５００μｍの貫通孔５
が形成されており、該貫通孔５の内壁には両端が基板１
の上下両面に導出する導電層６が被着されている。

【００２０】前記貫通孔５は後述する基板１の上面に形
成される多層配線部２の薄膜配線導体層４ａと外部電気
回路とを電気的に接続する、或いは基板１の上下両主面
に多層配線部２を配設した場合には両主面の多層配線部
２の薄膜配線導体層同士を電気的に接続する導電層６を
形成するための形成孔として作用し、基板１にドリル孔
あけ加工法を施すことによって基板１の所定位置に所定
形状に形成される。

【００２１】更に前記貫通孔５の内壁及び基板１の上下
両面に被着形成されている導電層６は例えば、銅やニッ
ケル等の金属材料から成り、従来周知のめっき法及びエ
ッチング法を採用することによって貫通孔５の内壁に両
端を基板１の上下両面に導出させた状態で被着形成され
る。

【００２２】前記導電層６は基板１の主面に配設される
多層配線部２の薄膜配線導体層３ａを外部電気回路に電
気的に接続したり、基板１の上下両主面に配設される各
々の多層配線部２の薄膜配線導体層同士を電気的に接続
する作用をなす。

【００２３】また前記基板１に形成した貫通孔５はその
内部にエポキシ樹脂から成る有機樹脂充填体７が充填さ
れており、該有機樹脂充填体７によって貫通孔５が完全
に埋められ、同時に有機樹脂充填体７の両端面が基板１
の上下両主面に被着させた導電層６の面と同一平面とな
っている。

【００２４】前記有機樹脂充填体７は基板１の上面及び
／又は下面に後述する複数の有機樹脂絶縁層３ａ、３
ｂ、３ｃと複数の薄膜配線導体層４ａ、４ｂ、４ｃとか
ら成る多層配線部２を形成する際、多層配線部２の各有
機樹脂絶縁層３ａ、３ｂ、３ｃと各薄膜配線導体層４
ａ、４ｂ、４ｃの平坦化を維持する作用をなす。

【００２５】なお、前記有機樹脂充填体７は基板１の貫
通孔５内にエポキシ樹脂の前駆体を充填し、しかる後、
これに８０℃〜２００℃の温度を０．５〜３時間印加
し、完全に熱硬化させることによって基板１の貫通孔５
内に充填される。

【００２６】更に前記基板１はその上面に３つの有機樹
脂絶縁層３ａ、３ｂ、３ｃと３つの薄膜配線導体層４
ａ、４ｂ、４ｃとが交互に多層に配設された多層配線部
２が形成されており、かつ薄膜配線導体層４ａは導電層
６と電気的に接続されている。

【００２７】前記多層配線部２を構成する有機樹脂絶縁
層３ａ、３ｂ、３ｃは上下に位置する薄膜配線導体層４
ａ、４ｂ、４ｃの電気的絶縁を図る作用をなし、各薄膜
配線導体層４ａ、４ｂ、４ｃは電気信号を伝達するため
の伝達路として作用する。

【００２８】前記多層配線部２の各有機樹脂絶縁層３
ａ、３ｂ、３ｃは、エポキシ樹脂、ビスマレイミドポリ
アジド樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ふっ素樹脂
等の有機樹脂から成り、例えば、エポキシ樹脂から成る
場合、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ノボラック型
エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂等に
アミン系硬化剤、イミダゾール系硬化剤、酸無水物系硬
化剤等の硬化剤を添加混合してペースト状のエポキシ樹
脂前駆体を得るとともに該エポキシ樹脂前駆体を基板１
の上部にスピンコート法により被着させ、しかる後、こ
れを８０〜２００℃の熱で０．５〜３時間熱処理し、熱
硬化させることによって形成される。

【００２９】また前記各有機樹脂絶縁層３ａ、３ｂ、３
ｃはその各々の所定位置に最小径が有機樹脂絶縁層２の
厚みに対して約１．５倍程度のスルーホール８が形成さ
れており、該スルーホール８は後述する有機樹脂絶縁層
２を介して上下に位置する薄膜配線導体層３の各々を電
気的に接続するスルーホール導体９を形成するための形
成孔として作用する。

【００３０】前記各有機樹脂絶縁層３ａ、３ｂ、３ｃに
設けるスルーホール８は例えば、フォトリソグラフィー
技術、具体的には各有機樹脂絶縁層３ａ、３ｂ、３ｃ上
にレジスト材を塗布するとともにこれに露光、現像を施
すことによって所定位置に所定形状の窓部を形成し、次
に前記レジスト材の窓部にエッチング液を配し、レジス
ト材の窓部に位置する有機樹脂絶縁層３ａ、３ｂ、３ｃ
を除去して、有機樹脂絶縁層３ａ、３ｂ、３ｃに穴（ス
ルーホール）を形成し、最後に前記レジスト材を有機樹
脂絶縁層３ａ、３ｂ、３ｃ上より剥離させ除去すること
によって行われる。

【００３１】更に前記各有機樹脂絶縁層３ａ、３ｂ、３
ｃの各々の上面には所定パターンの薄膜配線導体層４
ａ、４ｂ、４ｃが、また各有機樹脂絶縁層３ａ、３ｂ、
３ｃに設けたスルーホール８の内壁にはスルーホール導
体９が各々配設されており、スルーホール導体９によっ
て有機樹脂絶縁層３ａ、３ｂ、３ｃを間に挟んで上下に
位置する各薄膜配線導体層４ａ、４ｂ、４ｃが電気的に
接続されるようになっている。

【００３２】前記各有機樹脂絶縁層３ａ、３ｂ、３ｃの
上面及びスルーホール８の内壁に配設される薄膜配線導
体層４ａ、４ｂ、４ｃ及びスルーホール導体９は銅、ニ
ッケル、金、アルミニウム等の金属材料を無電解めっき
法や蒸着法、スパッタリング法等の薄膜技術及びフォト
リソグラフィー技術を採用することによって形成され、
例えば、銅で形成されている場合には、有機樹脂絶縁層
３ａ、３ｂ、３ｃの上面及びスルーホール８の内表面
に、硫酸銅０．０６モル／リットル、ホルマリン０．３
モル／リットル、水酸化ナトリウム０．３５モル／リッ
トル、エチレンジアミン四酢酸０．３５モル／リットル
から成る無電解銅めっき浴を用いて厚さ１μｍ乃至４０
μｍの銅層を被着させ、しかる後、前記銅層をフォトリ
ソグラフィー技術により所定パターンに加工することに
よって各有機樹脂絶縁層３ａ、３ｂ、３ｃ間、及びスル
ーホール８内壁に配設される。この場合、薄膜配線導体
層４ａ、４ｂ、４ｃ及びスルーホール導体９は薄膜技術
により形成されることから配線の微細化が可能であり、
これによって薄膜配線導体層４ａ、４ｂ、４ｃを極めて
高密度に形成することが可能となる。

【００３３】なお、前記多層配線部２は各有機樹脂絶縁
層３ａ、３ｂ、３ｃの厚みが１００μｍを越えると各有
機樹脂絶縁層３ａ、３ｂ、３ｃにフォトリソグラフィー
技術を採用することによってスルーホール８を形成する
際、エッチングの加工時間が長くなってスルーホール８
を所望する鮮明な形状に形成するのが困難となり、また
５μｍ未満となると各有機樹脂絶縁層３ａ、３ｂ、３ｃ
の上面に上下に位置する有機樹脂絶縁層の接合強度を上
げるための粗面加工を施す際、各有機樹脂絶縁層３ａ、
３ｂ、３ｃに不要な穴が形成され上下に位置する薄膜配
線導体層４ａ、４ｂ、４ｃに不要な電気的短絡を招来し
てしまう危険性がある。従って、前記有機樹脂絶縁層３
ａ、３ｂ、３ｃはその各々の厚みを５μｍ〜１００μｍ
の範囲としておくことが好ましい。

【００３４】また前記多層配線部２の各薄膜配線導体層
４ａ、４ｂ、４ｃはその厚みが１μｍ未満となると各薄
膜配線導体層４ａ、４ｂ、４ｃの電気抵抗値が大きなも
のとなって各薄膜配線導体層４ａ、４ｂ、４ｃに所定の
電気信号を伝達させることが困難となり、また４０μｍ
を越えると薄膜配線導体層４ａ、４ｂ、４ｃを有機樹脂
絶縁層３ａ、３ｂ、３ｃに被着させる際に薄膜配線導体
層４ａ、４ｂ、４ｃの内部に大きな応力が内在し、該大
きな内在応力によって薄膜配線導体層４ａ、４ｂ、４ｃ
が有機樹脂絶縁層３ａ、３ｂ、３ｃから剥離し易いもの
となる。従って、前記多層配線部２の各薄膜配線導体層
４ａ、４ｂ、４ｃの厚みは１μｍ〜４０μｍの範囲とし
ておくことが好ましい。

【００３５】更に前記有機樹脂絶縁層３ａ、３ｂ、３ｃ
と薄膜配線導体層４ａ、４ｂ、４ｃとで形成形成される
多層配線部２はその有機樹脂絶縁層３ｂに穴部Ｈが設け
られているとともに該穴部Ｈ内に誘電体磁器１０が挿入
されており、該誘電体磁器１０をその上下両面に配設さ
れている薄膜配線導体層４ａ、４ｂの一部で対向挟持す
ることによって容量素子Ａが形成され、該容量素子Ａは
薄膜配線導体層４ａ、４ｂに電気的に接続されている。

【００３６】前記有機樹脂絶縁層３ｂに形成されている
穴部Ｈは誘電体磁器１０を収容するための空所として作
用し、有機樹脂絶縁層３ｂにスルーホール８を形成する
のと同様の方法、具体的には有機樹脂絶縁層３ｂ上にレ
ジスト材を塗布するとともにこれに露光、現像を施すこ
とによって所定位置に所定形状の窓部を形成し、次に前
記レジスト材の窓部にエッチング液を配し、レジスト材
の窓部に位置する有機樹脂絶縁層３ｂを除去して、有機
樹脂絶縁層３ｂに穴部Ｈを形成し、最後に前記レジスト
材を有機樹脂絶縁層３ｂ上より剥離させ除去することに
よって行われる。

【００３７】また前記有機樹脂絶縁層３ｂの穴部Ｈ内に
挿入される誘電体磁器１０はチタン酸バリウムやチタン
酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、チタン酸マグ
ネシウム等の比誘電率が高い磁器から成り、例えば、チ
タン酸バリウムから成る場合、炭酸パリウム、酸化チタ
ン、チタン酸マグネシウム等の原料粉末を仮焼、反応さ
せてチタン酸バリウムを得、次にこれを微粉に粉砕する
とともに適当な有機溶剤、溶媒を添加混合して泥漿物と
なし、最後に前記泥漿物をドクターブレード法やカレン
ダーロール法等によりグリーンシートとなすとともにこ
れを高温で焼成することによって製作される。

【００３８】前記有機樹脂絶縁層３ｂの穴部Ｈ内に挿入
された誘電体磁器１０の上下両面を薄膜配線導体層４
ａ、４ｂの一部で対向挟持して成る容量素子Ａはその静
電容量値が誘電体磁器１０の比誘電率、誘電体磁器１０
の厚み及び誘電体磁器１０を挟んでの薄膜配線導体層４
ａ、４ｂの対向面積によって決定され、誘電体磁器１０
の比誘電率や誘電体磁器１０の厚み等を調整することに
よって所定の静電容量値が得られる。

【００３９】また前記容量素子Ａは基板１上に設けた多
層配線部２の内部に内蔵されており、そのためこの多層
配線基板に半導体素子や容量素子、抵抗器等の部品を搭
載して混成集積回路装置等となす場合、多層配線基板に
別途、容量素子を多数搭載実装する必要はなく、その結
果、多層配線基板に実装される部品の数が減り、混成集
積回路装置等を小型となすことが可能となる。

【００４０】更に前記誘電体磁器１０の上下両面を薄膜
配線導体層４ａ、４ｂの一部で対向挟持して成る容量素
子Ａは図２に示す如く、誘電体磁器１０の上下面と薄膜
配線導体層４ａ、４ｂとの間に有機樹脂層１１が配され
ている。

【００４１】前記有機樹脂層１１は誘電体磁器１０の上
下面に薄膜配線導体層４ａ、４ｂを強固に接合させると
ともに有機樹脂絶縁層３ｂに設けた穴部Ｈを誘電体磁器
１０とで完全に埋める作用をなし、これによって薄膜配
線導体層４ａ、４ｂの所定位置に所定静電容量値の容量
素子Ａを高い信頼性で電気的接続することが可能となる
とともに有機樹脂絶縁層３ｂの上部に位置する有機樹脂
絶縁層３ｃを平坦として薄膜配線導体層４ｂ、４ｃ等を
断線等を招来することなく所定パターンに形成すること
が可能となる。

【００４２】前記有機樹脂層１１は有機樹脂絶縁層３ｂ
と同質の材料、具体的にはエポキシ樹脂、ビスマレイミ
ドポリアジド樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ふっ
素樹脂等の有機樹脂から成り、例えば、エポキシ樹脂か
ら成る場合、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ノボラ
ック型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹
脂等にアミン系硬化剤、イミダゾール系硬化剤、酸無水
物系硬化剤等の硬化剤を添加混合してペースト状のエポ
キシ樹脂前駆体を得るとともに該エポキシ樹脂前駆体を
有機樹脂絶縁層３ｂの穴部Ｈ内に充填し、次に有機樹脂
絶縁層３ｂの穴部Ｈ内に誘電体磁器１０を挿入させると
ともに該誘電体磁器１０の上部に再度、前記エポキシ樹
脂前駆体を適量充填させ、最後に前記エポキシ樹脂前駆
体を８０〜２００℃の温度で熱処理し、熱硬化させるこ
とによって誘電体磁器１０の上下面と薄膜配線導体層４
ａ、４ｂとの間に配される。

【００４３】また前記有機樹脂層１１はその厚みが２μ
ｍ乃至４０μｍとなっており、厚みが２μｍ未満である
と誘電体磁器１０の上下面と薄膜配線導体層４ａ、４ｂ
との接合が弱くなる傾向にあり、また４０μｍを超える
と薄膜配線導体層４ａ、４ｂ間に接続される容量素子Ａ
の静電容量値が小さくなり、大きな静電容量値の容量素
子Ａを内蔵することが困難となる危険性がある。従っ
て、前記有機樹脂層１１はその厚みを２μｍ乃至４０μ
ｍの範囲としておくことが好ましい。

【００４４】更に前記有機樹脂層１１はその内部に酸化
珪素、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、チタン酸
化合物、ジルコン酸化合物の少なくとも１種から成る粉
末を１０重量％乃至９５重量％含有させておくと、有機
樹脂層１１の表面に微小な凹凸が多量に形成されて薄膜
配線導体層４ａ、４ｂと有機樹脂層１１との接合面積が
増大し、これによって両者の接合強度を大幅に向上させ
ることができるとともに有機樹脂層１１の熱膨張係数を
調整し、熱が印加された際に有機樹脂層１１が穴部Ｈよ
り膨張突出しその上下に位置する薄膜配線導体層４ａ、
４ｂを押圧して薄膜配線導体層４ａ、４ｂに断線等を招
来させるのが有効に防止できる。従って、前記有機樹脂
層１１はその内部に酸化珪素、酸化アルミニウム、窒化
アルミニウム、チタン酸化合物、ジルコン酸化合物の少
なくとも１種から成る粉末を添加混合させておくことが
好ましい。

【００４５】また更に前記有機樹脂層１１の内部に酸化
珪素や酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、チタン酸
化合物、ジルコン酸化合物等から成る粉末を添加混合さ
せておく場合、その添加量が１０重量％未満であると有
機樹脂層１１の熱膨張係数を充分に調整することができ
ず、熱の印加によって有機樹脂層１１の一部が穴部Ｈの
上下側に膨張突出し、薄膜配線導体層４ａ、４ｂに断線
等を招来させてしまう危険性があり、また９５重量％を
越えると有機樹脂層１１の強度が劣化してしまう危険性
がある。従って、前記有機樹脂層１１の内部に酸化珪素
や酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、チタン酸化合
物、ジルコン酸化合物等から成る粉末を添加混合させて
おく場合、粉末の添加量は１０重量％乃至９５重量％の
範囲が好ましい。

【００４６】かくして上述の多層配線基板によれば、最
上層の有機樹脂絶縁層２上面に設けたボンディングパッ
ド１０に半導体素子や容量素子等の電子部品Ａの電極を
熱圧着等により接続させ、電子部品Ａの電極をボンディ
ングパッド１０を介して薄膜配線導体層３に電気的に接
続させることによって半導体装置や混成集積回路装置と
なり、薄膜配線導体層３の一部を外部電気回路に接続す
れば前記電子部品Ａが外部電気回路に接続されることと
なる。

【００４７】なお、本発明は上述の実施例に限定される
ものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば
種々の変更は可能であり、例えば上述の実施例において
は基板１の上面側のみに複数の有機樹脂絶縁層３ａ、３
ｂ、３ｃと複数の薄膜配線導体層４ａ、４ｂ、４ｃとを
交互に積層して形成される多層配線部２を被着させた
が、該多層配線部２を基板１の下面側のみに設けても、
上下の両主面に設けてもよい。

【００４８】また上述の実施例において、有機樹脂絶縁
層３ａ、３ｂ、３ｃと薄膜配線導体層４ａ、４ｂ、４ｃ
とを交互に多層に配設して形成される多層配線部２は各
有機樹脂絶縁層３ａ、３ｂ、３ｃの上面を中心線平均粗
さ（Ｒａ）で０．０５μｍ≦Ｒａ≦５μｍの粗面として
おくと有機樹脂絶縁層３ａ、３ｂ、３ｃと薄膜配線導体
層４ａ、４ｂ、４ｃとの接合及び上下に位置する有機樹
脂絶縁層３ａ、３ｂ、３ｃ同士の接合を強固となすこと
ができる。従って、前記多層配線部２の各有機樹脂絶縁
層３ａ、３ｂ、３ｃはその上面をエッチング加工法等に
よって粗し、中心線平均粗さ（Ｒａ）で０．０５μｍ≦
Ｒａ≦５μｍの粗面としておくことが好ましい。

【００４９】更に前記有機樹脂絶縁層３ａ、３ｂ、３ｃ
はその表面の２．５ｍｍの長さにおける凹凸の高さ（Ｐ
ｃ）のカウント値を、１μｍ≦Ｐｃ≦１０μｍが５００
個以上、０．１μｍ≦Ｐｃ≦１μｍが２５００個以上、
０．０１μｍ≦Ｐｃ≦０．１μｍが１２５００以上とし
ておくと有機樹脂絶縁層３ａ、３ｂ、３ｃと薄膜配線導
体層４ａ、４ｂ、４ｃとの接合及び上下に位置する有機
樹脂絶縁層３ａ、３ｂ、３ｃ同士の接合がより強固とな
る。従って、前記有機樹脂絶縁層３ａ、３ｂ、３ｃはそ
の表面の２．５ｍｍの長さにおける凹凸の高さ（Ｐｃ）
のカウント値を、１μｍ≦Ｐｃ≦１０μｍが５００個以
上、０．１μｍ≦Ｐｃ≦１μｍが２５００個以上、０．
０１μｍ≦Ｐｃ≦０．１μｍが１２５００以上としてお
くとことが好ましい。

【００５０】前記中心線平均粗さ（Ｒａ）が０．０５μ
ｍ≦Ｒａ≦５μｍ、２．５ｍｍの長さにおける凹凸の高
さ（Ｐｃ）のカウント値が、１μｍ≦Ｐｃ≦１０μｍが
５００個以上、０．１μｍ≦Ｐｃ≦１μｍが２５００個
以上、０．０１μｍ≦Ｐｃ≦０．１μｍが１２５００以
上の有機樹脂絶縁層３ａ、３ｂ、３ｃは、該有機樹脂絶
縁層３ａ、３ｂ、３ｃの上面にＣＨＦ₃ 、ＣＦ₄ 、Ａｒ
等のガスを吹きつけリアクティブイオンエッチング処理
をすることによって表面が所定の粗さに粗される。

【００５１】なお、前記有機樹脂絶縁層３ａ、３ｂ、３
ｃ上面の中心線平均粗さ（Ｒａ）及び２．５ｍｍの長さ
における凹凸の高さ（Ｐｃ）のカウント値は、有機樹脂
絶縁層３ａ、３ｂ、３ｃの表面を原子間力顕微鏡（Digi
tal Instruments Inc.製のDimension 3000-Nano Scope
III)で５０μｍ角の対角（７０μｍ）に走査させてその
表面状態を検査測定し、その測定結果より各々の数値を
出した。

【００５２】

【発明の効果】本発明の多層配線基板によれば、基板上
に薄膜技術によって配線を形成したことから配線の微細
化が可能となり、配線を極めて高密度に形成することが
可能となる。

【００５３】また本発明の多層配線基板によれば、有機
樹脂絶縁層に穴部を設け、該穴部内に誘電体磁器を挿入
させるとともに誘電体磁器の上下面に薄膜配線導体層の
一部を対向配置させたことから、誘電体磁器の比誘電
率、厚み、幅、長さを調整することによって所定の静電
容量値を有する容量素子を任意数内蔵させることがで
き、多層配線基板に半導体素子や容量素子、抵抗器等の
部品を搭載して混成集積回路装置となす場合、多層配線
基板に別途容量素子を多数実装する必要はなく、その結
果、多層配線基板に実装される部品の数が減り、混成集
積回路装置等を小型となすこともできる。

【００５４】更に本発明の多層配線基板によれば、誘電
体磁器の上下面と薄膜配線導体層との間に有機樹脂層を
介在させたことから有機樹脂層によって誘電体磁器と薄
膜配線導体層との接合が強固となり、薄膜配線導体層の
所定位置に所定静電容量値の容量素子を高い信頼性で電
気的接続することが可能となるとともに有機樹脂絶縁層
に設けた穴が誘電体磁器と有機樹脂層とによって完全に
埋められ、上部に位置する有機樹脂絶縁層を平坦として
薄膜配線導体層を断線等を招来することなく所定パター
ンに形成することが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の多層配線基板の一実施例を示す断面図
である。

【図２】図１に示す多層配線基板の要部拡大断面図であ
る。

【符号の説明】

１・・・・・・・・・・・基板 ２・・・・・・・・・・・多層配線部 ３ａ、３ｂ、３ｃ・・・・有機樹脂絶縁層 ４ａ、４ｂ、４ｃ・・・・薄膜配線導体層 ８・・・・・・・・・・・スルーホール ９・・・・・・・・・・・スルーホール導体 １０・・・・・・・・・・誘電体磁器 １１・・・・・・・・・・有機樹脂層 Ａ・・・・・・・・・・・容量素子 Ｈ・・・・・・・・・・・穴部

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】基板上に、有機樹脂絶縁層と薄膜配線導体
   層とを交互に多層に配設するとともに上下に位置する薄
   膜配線導体層を各有機樹脂絶縁層に設けたスルーホール
   導体を介して接続してなる多層配線基板であって、前記
   有機樹脂絶縁層の少なくとも１層に穴部を設け、該穴部
   内に誘電体磁器を挿入させるととも誘電体磁器の上下面
   に有機樹脂層を介して薄膜配線導体層の一部を対向配置
   させたことを特徴とする多層配線基板。
2. 【請求項２】前記有機樹脂層の厚みが２μｍ乃至４０μ
   ｍであることを特徴とする請求項１記載の多層配線基
   板。
3. 【請求項３】前記有機樹脂層に、酸化珪素、酸化アルミ
   ニウム、窒化アルミニウム、チタン酸化合物、ジルコン
   酸化合物の少なくとも１種から成る粉末を１０重量％乃
   至９５重量％含有させたことを特徴とする請求項１記載
   の多層配線基板。