JPH104166A - 電子部品の組立のためのフレームと得られた部品と部品を組立てをするための過程 - Google Patents
電子部品の組立のためのフレームと得られた部品と部品を組立てをするための過程Info
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- JPH104166A JPH104166A JP5216997A JP5216997A JPH104166A JP H104166 A JPH104166 A JP H104166A JP 5216997 A JP5216997 A JP 5216997A JP 5216997 A JP5216997 A JP 5216997A JP H104166 A JPH104166 A JP H104166A
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
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- Coupling Device And Connection With Printed Circuit (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、構造の簡単で半導体結晶を取付け
て電気接続をすることが容易な電子部品用フレームを提
供することを目的とする。 【解決手段】 横断部分4 によって接続され、共面の１
対のタブ5, 5' を有する縦方向構造体側部バンド3, 3'
を備え、各タブ5, 5' は各側部バンド3, 3' と一体に形
成されており、各対のタブ5, 5' は整列され、一方のタ
ブ5 は半導体結晶2'を支持する支持部6 を形成された自
由端部を有し、他方のタブ5'はその自由端部に接続フレ
ーム部分8 を有し、この接続フレーム部分8 はタブの縦
方向の縁部を限定する平面によって定められた容積内に
本質上位置するように折り曲げられて半導体結晶2'と接
触するように構成されていることを特徴とする。
て電気接続をすることが容易な電子部品用フレームを提
供することを目的とする。 【解決手段】 横断部分4 によって接続され、共面の１
対のタブ5, 5' を有する縦方向構造体側部バンド3, 3'
を備え、各タブ5, 5' は各側部バンド3, 3' と一体に形
成されており、各対のタブ5, 5' は整列され、一方のタ
ブ5 は半導体結晶2'を支持する支持部6 を形成された自
由端部を有し、他方のタブ5'はその自由端部に接続フレ
ーム部分8 を有し、この接続フレーム部分8 はタブの縦
方向の縁部を限定する平面によって定められた容積内に
本質上位置するように折り曲げられて半導体結晶2'と接
触するように構成されていることを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は電子部品の製造の分野
で、特に接続導線を形成する２つの金属タブを接続する
半導体結晶を有する型の部品に関するものであり、本発
明の主題はこのような部品を製造するためのフレームで
あり、特にこのフレームの手段および方法によって得ら
れた部品およびフレームを使用する製造方法に関するも
のである。
で、特に接続導線を形成する２つの金属タブを接続する
半導体結晶を有する型の部品に関するものであり、本発
明の主題はこのような部品を製造するためのフレームで
あり、特にこのフレームの手段および方法によって得ら
れた部品およびフレームを使用する製造方法に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】一般に前記の型の電子部品を製造する主
に３つの技術、下記にその技術の特色が記述されてい
る。
に３つの技術、下記にその技術の特色が記述されてい
る。
【０００３】第１の製造技術は前記バンドおよび対に配
置された間を拡張するようなタブおよび２つの連続構造
側のバンドを含む切断前の金属テープ（あるいはフレー
ム）を使用し、各対の各部品は反対側の構造バンドの方
に向かって１つの構造側バンドに及んでいる。
置された間を拡張するようなタブおよび２つの連続構造
側のバンドを含む切断前の金属テープ（あるいはフレー
ム）を使用し、各対の各部品は反対側の構造バンドの方
に向かって１つの構造側バンドに及んでいる。
【０００４】前記フレームは各製造位置と水平に各対の
タブをもってくるため目盛りでは縦へ移動される。
タブをもってくるため目盛りでは縦へ移動される。
【０００５】半導体結晶ＣはタブＬ１の端部に固定さ
れ、および隔てる接触片Ｐは結晶Ｃおよび他方のタブＬ
２の間の電子接続を提供するために接着することにより
固定されおよび付加される。（図１） 保護パッケージＢはその際にモールドすることにより付
加され、およびタブは切り離されおよび接続導線が形成
される。
れ、および隔てる接触片Ｐは結晶Ｃおよび他方のタブＬ
２の間の電子接続を提供するために接着することにより
固定されおよび付加される。（図１） 保護パッケージＢはその際にモールドすることにより付
加され、およびタブは切り離されおよび接続導線が形成
される。
【０００６】しかし、この製造技術は３つの内部接続点
を残し、非常に部品の確実性を減退し、および複雑な設
置装置を要求しおよび低生産率で、結果的に高資金およ
び高額な管理費を要する。
を残し、非常に部品の確実性を減退し、および複雑な設
置装置を要求しおよび低生産率で、結果的に高資金およ
び高額な管理費を要する。
【０００７】加えて、材料を接着する凝固の前に適所に
タブ／結晶／接続片の組立てを保持することは最終部品
の品質の最も重要な操作である。だが、通常危険で信頼
できる制御を行うのは困難である。
タブ／結晶／接続片の組立てを保持することは最終部品
の品質の最も重要な操作である。だが、通常危険で信頼
できる制御を行うのは困難である。
【０００８】さらに、設置操作の低程度の正確さは“平
面”型の部品生産に適用され、あるいはより以前に機械
的な適応から許可された突起を提供される結晶を有する
ことからこの技術を制限しあるいは妨げるようでさえあ
る。
面”型の部品生産に適用され、あるいはより以前に機械
的な適応から許可された突起を提供される結晶を有する
ことからこの技術を制限しあるいは妨げるようでさえあ
る。
【０００９】第２の既知である製造技術は第１の前記技
術で用いられたものと同様のフレームを用いて、半導体
結晶ＣはＬ１、Ｌ２のタブの対のうちのＬ１の端部に固
定し、前記結晶Ｃおよび他方のタブＬ２間の高価な金属
ワイヤＦを用いた接続を作成し、次に重合可能な粉末体
Ｍを吹きかけることにより前記接続ワイヤＦを保護し、
その結果Ｌ１、Ｌ２のタブを切り離し、および接続導線
を形成するよう構成する。（図２）
術で用いられたものと同様のフレームを用いて、半導体
結晶ＣはＬ１、Ｌ２のタブの対のうちのＬ１の端部に固
定し、前記結晶Ｃおよび他方のタブＬ２間の高価な金属
ワイヤＦを用いた接続を作成し、次に重合可能な粉末体
Ｍを吹きかけることにより前記接続ワイヤＦを保護し、
その結果Ｌ１、Ｌ２のタブを切り離し、および接続導線
を形成するよう構成する。（図２）
【００１０】それにもかかわらず、この第２の製造技術
は高価な材料を必要とし、３つの接続点を有し、接続ワ
イヤの許容範囲の断面の制限により比較的低電力の部品
しか生産できない。さらに、この技術は高価な設備を要
求し、中程度の生産効率であり、高度な資格を持つ管理
者を必要とする精巧な技術を要求される。さらに重合可
能な粉末体Ｍの保護層を配置することは面倒で臨界的な
操作であり、最終部品の品質は、保護される部分の外側
に粉末体をスプレーすることによりパッケージＢをモー
ルドするために使用されるモールドに損傷を与える危険
がある。
は高価な材料を必要とし、３つの接続点を有し、接続ワ
イヤの許容範囲の断面の制限により比較的低電力の部品
しか生産できない。さらに、この技術は高価な設備を要
求し、中程度の生産効率であり、高度な資格を持つ管理
者を必要とする精巧な技術を要求される。さらに重合可
能な粉末体Ｍの保護層を配置することは面倒で臨界的な
操作であり、最終部品の品質は、保護される部分の外側
に粉末体をスプレーすることによりパッケージＢをモー
ルドするために使用されるモールドに損傷を与える危険
がある。
【００１１】第３の組立て技術は互いに固定することに
より部品を接合を形成し、半導体結晶Ｃの介在で、前記
タブＬ１、Ｌ２の端部が対に重なるように配置された２
つの独立フレーム部分から切り離し、それからパッケー
ジＢをモールドし、接続導線を形成する。この第３の技
術もまたは多数の欠点がある。すなわち、このように異
なる形状のフレーム部分は、連続的な製造を困難にし、
短く、巻いてロールにすることができない。
より部品を接合を形成し、半導体結晶Ｃの介在で、前記
タブＬ１、Ｌ２の端部が対に重なるように配置された２
つの独立フレーム部分から切り離し、それからパッケー
ジＢをモールドし、接続導線を形成する。この第３の技
術もまたは多数の欠点がある。すなわち、このように異
なる形状のフレーム部分は、連続的な製造を困難にし、
短く、巻いてロールにすることができない。
【００１２】この組立ては制限された長さのセグメント
を使用し、一方ではマガジン型スタッキングおよび保管
装置および特別な工具を必要とし、柔軟性がなく、他方
では同時に組み立てられる製造部品の数を制限して低い
生産効率をもたらす。
を使用し、一方ではマガジン型スタッキングおよび保管
装置および特別な工具を必要とし、柔軟性がなく、他方
では同時に組み立てられる製造部品の数を制限して低い
生産効率をもたらす。
【００１３】さらに多数の分離した部材の組立ては分離
したセグメントの形態で、組立て作業の正確さを減少さ
せ、非常にでたらめにパッケージを過剰にモールドする
結果となる。
したセグメントの形態で、組立て作業の正確さを減少さ
せ、非常にでたらめにパッケージを過剰にモールドする
結果となる。
【００１４】前記欠点を緩和するために、例えば公報Ｊ
ＰＡ６２０３５５４９号では各部品に対して、一方では
結晶を保持し、それを内部接続するための部材を、また
他方では部品の外部接続導線を形成する２つの金属タブ
を同じフレームから切断して形成する半導体結晶電子部
品の製造方法が提案される。この切断は前記タブが対に
配置され、各部品が他方のタブを支持する反対側の構造
体側部バンドの方向へ連続構造体の側部バンドから突出
するように行われ、各対の部品に対して互いに反対側の
部分を提供し、タブの各対の間を縦方向にシフトし、異
なる長さの各タブの対は２つの連続構造体の側部バンド
を接続する横断タブによって近隣する対から分離されて
いる。
ＰＡ６２０３５５４９号では各部品に対して、一方では
結晶を保持し、それを内部接続するための部材を、また
他方では部品の外部接続導線を形成する２つの金属タブ
を同じフレームから切断して形成する半導体結晶電子部
品の製造方法が提案される。この切断は前記タブが対に
配置され、各部品が他方のタブを支持する反対側の構造
体側部バンドの方向へ連続構造体の側部バンドから突出
するように行われ、各対の部品に対して互いに反対側の
部分を提供し、タブの各対の間を縦方向にシフトし、異
なる長さの各タブの対は２つの連続構造体の側部バンド
を接続する横断タブによって近隣する対から分離されて
いる。
【００１５】この文献に記載された製造方法は、短い方
のタブの自由端部に半導体結晶を配置して固定した後、
自由端部が半導体結晶と接触するような角度で長い方の
タブの端部部分を対角線上に折り曲げ、その後に絶縁合
成材料で密封する。
のタブの自由端部に半導体結晶を配置して固定した後、
自由端部が半導体結晶と接触するような角度で長い方の
タブの端部部分を対角線上に折り曲げ、その後に絶縁合
成材料で密封する。
【００１６】しかし、既知の製造方法は外部接続導線が
互いに整列しておらず、各部品の２つの金属タブが並ん
で整列しているので増加した幅を有し、各部品の全体の
大きさが増加し、前記導線の標準外のサイズの配置とな
り、あるいはその結果標準的な回路あるいは回路製造装
置を使用することができない。
互いに整列しておらず、各部品の２つの金属タブが並ん
で整列しているので増加した幅を有し、各部品の全体の
大きさが増加し、前記導線の標準外のサイズの配置とな
り、あるいはその結果標準的な回路あるいは回路製造装
置を使用することができない。
【００１７】さらに再現可能で高生産効率で対角線上の
折り曲げが非常に正確に実行され、折り曲げられた端部
と半導体結晶との間の接触最適条件を獲得することは非
常に難しく、その結果適合テストでの著しいスクラップ
を生じる。
折り曲げが非常に正確に実行され、折り曲げられた端部
と半導体結晶との間の接触最適条件を獲得することは非
常に難しく、その結果適合テストでの著しいスクラップ
を生じる。
【００１８】前記欠点を緩和するために、特に欧州特許
ＥＰＡ０３５１７４９の明細書において、タブが対デグ
ループ化されるフレームを用い、各部品が他方のタブを
支持する反対側の構造体側部バンドの方向へ連続した構
造体側部から突出し、反対側の側部バンドとの間で縦方
向にシフトし、タブの各対に対して構造上屈曲部分に面
するような構造が提案される。
ＥＰＡ０３５１７４９の明細書において、タブが対デグ
ループ化されるフレームを用い、各部品が他方のタブを
支持する反対側の構造体側部バンドの方向へ連続した構
造体側部から突出し、反対側の側部バンドとの間で縦方
向にシフトし、タブの各対に対して構造上屈曲部分に面
するような構造が提案される。
【００１９】これら２つの側部バンドは多数の対を互い
に分離する傾いた横断方向タブによって接続され、狭い
部分により前記側部バンドに接続される。この製造方法
は２つのタブの１つの下方に折り曲げられた自由端部上
に半導体結晶を付着させて固定し、同時に互いに隣接し
た２つの側部バンドの２つの移動を行い、その一方の移
動は分離した平行な平面へ半導体結晶を支持するタブを
もたらし（フレーム平面の通常の方向）、結晶を設けら
れていないタブを含む平面を下方に位置し、上部に折り
畳まれた端部を有し、他方の移動は各対の２つのタブを
整列させる（フレームの縦方向）。次に第１の移動が逆
転し、各対の２つのタブが再び同じ平面にあり、結晶は
前記タブの重った折り曲げられた端部間に挟まれる。次
にパッケージがモールドされおよび通常の適合テストが
実行される。それにもかかわらず、この製造方法は数多
くの欠点を有する。このように構造体の側部バンドは段
階的に駆動されるために打ち抜き穴をそれぞれ有さなけ
ればならず、それゆえ材料の幅が増加し、２つの相対的
な運動を実行するために十分な機械的な特性と同時に最
初のフレームに使用されていない材料の余りが生じる。
に分離する傾いた横断方向タブによって接続され、狭い
部分により前記側部バンドに接続される。この製造方法
は２つのタブの１つの下方に折り曲げられた自由端部上
に半導体結晶を付着させて固定し、同時に互いに隣接し
た２つの側部バンドの２つの移動を行い、その一方の移
動は分離した平行な平面へ半導体結晶を支持するタブを
もたらし（フレーム平面の通常の方向）、結晶を設けら
れていないタブを含む平面を下方に位置し、上部に折り
畳まれた端部を有し、他方の移動は各対の２つのタブを
整列させる（フレームの縦方向）。次に第１の移動が逆
転し、各対の２つのタブが再び同じ平面にあり、結晶は
前記タブの重った折り曲げられた端部間に挟まれる。次
にパッケージがモールドされおよび通常の適合テストが
実行される。それにもかかわらず、この製造方法は数多
くの欠点を有する。このように構造体の側部バンドは段
階的に駆動されるために打ち抜き穴をそれぞれ有さなけ
ればならず、それゆえ材料の幅が増加し、２つの相対的
な運動を実行するために十分な機械的な特性と同時に最
初のフレームに使用されていない材料の余りが生じる。
【００２０】加えて、非常に長いフレームで連続的な製
造を行う場合には、応力が相対的な移動にしたがってフ
レーム部分の限界内で発生し、あるいは最初のフレーム
のねじれ、各対のタブの組立て期間中の整列ミスおよ
び、例えばタブと結晶間の接合を引き離す形で、相対的
な動きの範囲のすぐ外側で生じる力が生じる。その結果
タブ／結晶接合部は構造体側部バンドの２つの相対的運
動の結果生じたこれらの接合部を破壊するおそれのある
弾性復帰力、あるいは永久的な力を受けており、これは
少なくとも保護パッケージのモールド部分に生じる。
造を行う場合には、応力が相対的な移動にしたがってフ
レーム部分の限界内で発生し、あるいは最初のフレーム
のねじれ、各対のタブの組立て期間中の整列ミスおよ
び、例えばタブと結晶間の接合を引き離す形で、相対的
な動きの範囲のすぐ外側で生じる力が生じる。その結果
タブ／結晶接合部は構造体側部バンドの２つの相対的運
動の結果生じたこれらの接合部を破壊するおそれのある
弾性復帰力、あるいは永久的な力を受けており、これは
少なくとも保護パッケージのモールド部分に生じる。
【００２１】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、特に
前記の全ての欠点を除去することである。本発明の別の
目的は、できるだけ長時間得られた部品がフレーム上の
所定の位置に強固に確実に取り付けられ、位置を保持さ
れるように、特に部品の接続導線を形成するようなタブ
部分を切出して形成した後、リールの形で再び巻くため
に完成しテストされた部品を支持するようなテープを可
能にすることである。
前記の全ての欠点を除去することである。本発明の別の
目的は、できるだけ長時間得られた部品がフレーム上の
所定の位置に強固に確実に取り付けられ、位置を保持さ
れるように、特に部品の接続導線を形成するようなタブ
部分を切出して形成した後、リールの形で再び巻くため
に完成しテストされた部品を支持するようなテープを可
能にすることである。
【００２２】本発明の付加的な目的は、高い生産効率で
部品の導電性部分の組立て作業を正確な再現可能にし、
接続導線と半導体結晶との間の接合を確実にし、設備お
よび機械装置の点で投資金額を減少させ、その結果管理
費を縮小するような連続的製造方法を提供することであ
る。
部品の導電性部分の組立て作業を正確な再現可能にし、
接続導線と半導体結晶との間の接合を確実にし、設備お
よび機械装置の点で投資金額を減少させ、その結果管理
費を縮小するような連続的製造方法を提供することであ
る。
【００２３】
【課題を解決するための手段】本発明の主題は、半導体
結晶電子部品の製造のためのフレームに関し、それは規
則的な間隔で横断部分によって互いに接続され、その間
に共面の１対のタブが形成されている少なくとも２つの
縦方向構造体側部バンドを具備し、それら１対のタブの
それぞれは縦方向構造体側部バンドの一方の部分と一体
に形成されて他方の縦方向構造体側部バンド向かって延
在しているがその対の他方のタブとは接触していない半
導体結晶電子部品を製造するためのフレームにおいて、
各対のタブは実質上互いに整列され、各対の一方のタブ
は半導体結晶を支持する支持部を形成された自由端部部
分を有し、各対の他方のタブはその自由端部に接続フレ
ーム部分を有し、この接続フレーム部分は前記タブの縦
方向の縁部を限定する平面によって定められた容積内に
本質上位置するように折り曲げられて半導体結晶と接触
するように構成されている。
結晶電子部品の製造のためのフレームに関し、それは規
則的な間隔で横断部分によって互いに接続され、その間
に共面の１対のタブが形成されている少なくとも２つの
縦方向構造体側部バンドを具備し、それら１対のタブの
それぞれは縦方向構造体側部バンドの一方の部分と一体
に形成されて他方の縦方向構造体側部バンド向かって延
在しているがその対の他方のタブとは接触していない半
導体結晶電子部品を製造するためのフレームにおいて、
各対のタブは実質上互いに整列され、各対の一方のタブ
は半導体結晶を支持する支持部を形成された自由端部部
分を有し、各対の他方のタブはその自由端部に接続フレ
ーム部分を有し、この接続フレーム部分は前記タブの縦
方向の縁部を限定する平面によって定められた容積内に
本質上位置するように折り曲げられて半導体結晶と接触
するように構成されている。
【００２４】本発明の主題はまた、一定の間隔で横断部
分によって互いに接続されている２つの構造体の縦方向
側部バンドから構成され、横断部分の間に共面のタブの
対が形成されているフレームを使用し、各タブは前記縦
方向側部バンドの１つと一体として製造され、前記バン
ドの他方に向かって延在しているが他方のタブと接触し
ないように構成されている半導体結晶電子部品の製造方
法において、長いフレームを形成し、それを段階的に縦
方向に移動させ、その期間中に各々対のタブにおいて連
続して少なくとも次の操作が実行され、すなわち、第１
のタブの自由端の部分に位置された整合された支持部上
に半導体結晶を配置し、第２のタブの自由端と一体のフ
レーム部分を折り曲げ、このフレーム部分を半導体結晶
に接続し、タブ／結晶接合部の領域を囲んで保護パッケ
ージでモールドし、２つのタブを切り離し、外部の接続
導線を切断により形成し、測定試験を行って欠陥のある
部品を除去することを特徴とする。
分によって互いに接続されている２つの構造体の縦方向
側部バンドから構成され、横断部分の間に共面のタブの
対が形成されているフレームを使用し、各タブは前記縦
方向側部バンドの１つと一体として製造され、前記バン
ドの他方に向かって延在しているが他方のタブと接触し
ないように構成されている半導体結晶電子部品の製造方
法において、長いフレームを形成し、それを段階的に縦
方向に移動させ、その期間中に各々対のタブにおいて連
続して少なくとも次の操作が実行され、すなわち、第１
のタブの自由端の部分に位置された整合された支持部上
に半導体結晶を配置し、第２のタブの自由端と一体のフ
レーム部分を折り曲げ、このフレーム部分を半導体結晶
に接続し、タブ／結晶接合部の領域を囲んで保護パッケ
ージでモールドし、２つのタブを切り離し、外部の接続
導線を切断により形成し、測定試験を行って欠陥のある
部品を除去することを特徴とする。
【００２５】最後に、本発明はまた、以下説明するよう
に前述の製造方法によって、フレームを使用して得られ
た電子部品に関する。
に前述の製造方法によって、フレームを使用して得られ
た電子部品に関する。
【００２６】本発明は、以下添付部図面を参照にした好
ましい実施形態の説明により用意に理解されるであろ
う。しかしながら、それらの実施形態は単なる例示であ
って本発明の技術的範囲を限定するものではない。
ましい実施形態の説明により用意に理解されるであろ
う。しかしながら、それらの実施形態は単なる例示であ
って本発明の技術的範囲を限定するものではない。
【００２７】
【発明の実施形態】本発明は添付された図面を参照した
好ましい実施形態に関する以下の説明により容易に理解
することができるであろう。なお、これらの実施形態は
例示であって本発明の技術的範囲はこれらの実施形態に
よって限定されるものではない。
好ましい実施形態に関する以下の説明により容易に理解
することができるであろう。なお、これらの実施形態は
例示であって本発明の技術的範囲はこれらの実施形態に
よって限定されるものではない。
【００２８】添付された図４及至１２に示されるよう
に、電子部品2 と半導体結晶2'の製造のためのフレーム
1 は主として共に接続された少なくとも２つのの縦方向
の側部バンド3 および3'と、一定の間隔で共面のタブ5,
5'の対を形成する間の横部材と、バンド3 および3'の一
方の部材から作られ、個々の前記バンド3 および3'の他
方の方向へ突出し、その対の他方のタブを接触しないよ
うに構成されている。
に、電子部品2 と半導体結晶2'の製造のためのフレーム
1 は主として共に接続された少なくとも２つのの縦方向
の側部バンド3 および3'と、一定の間隔で共面のタブ5,
5'の対を形成する間の横部材と、バンド3 および3'の一
方の部材から作られ、個々の前記バンド3 および3'の他
方の方向へ突出し、その対の他方のタブを接触しないよ
うに構成されている。
【００２９】本発明にしたがって各対のタブ5 および5'
は実質上互いに整列され、各対の一方のタブ5 は半導体
結晶2'と適合する支持体を形成する自由端部部分6 を有
し、各対の他方のタブ5'はその自由端部7 において、前
記タブ5,5'の縦の縁部を限定する平面によって定められ
た容積内に本質上位置し、半導体結晶2'と接触するよう
になるために折り曲げたようなフレーム部分8 である。
は実質上互いに整列され、各対の一方のタブ5 は半導体
結晶2'と適合する支持体を形成する自由端部部分6 を有
し、各対の他方のタブ5'はその自由端部7 において、前
記タブ5,5'の縦の縁部を限定する平面によって定められ
た容積内に本質上位置し、半導体結晶2'と接触するよう
になるために折り曲げたようなフレーム部分8 である。
【００３０】このように最終電子部品2 の電気接続の全
部品は単一のフレーム1 に組み入れられており、正確な
組立てを容易にし、連続的な生産を可能にし、ただ２つ
の電気接合点が前記部品2 で定められている。
部品は単一のフレーム1 に組み入れられており、正確な
組立てを容易にし、連続的な生産を可能にし、ただ２つ
の電気接合点が前記部品2 で定められている。
【００３１】加えて、タブ5,5'は相互に整列されている
ので接続フレーム部分8 を折り畳んでから側部突出部分
を残さないので、より小さい全寸法、特に幅を有する保
護パッケージ19を可能にする。
ので接続フレーム部分8 を折り畳んでから側部突出部分
を残さないので、より小さい全寸法、特に幅を有する保
護パッケージ19を可能にする。
【００３２】本発明の第１の特定の実施形態にしたがっ
て、図４および５に示されるように接続フレーム部分8
は細長い直線形で対応したタブ5'の自由端部部分7 を切
り抜き、他方のタブ5 に面する端部によって後者を一体
化し、前記接続フレーム部分8 の長さをこのように２つ
の９０度に折り曲げた後、対応したタブ5'と一体の自由
端部全体のうちの１つであり、その端部部分10の自由末
端部分9 は他方のタブ5 の自由端部部分6 に固定された
半導体結晶2'と接触するようになる。
て、図４および５に示されるように接続フレーム部分8
は細長い直線形で対応したタブ5'の自由端部部分7 を切
り抜き、他方のタブ5 に面する端部によって後者を一体
化し、前記接続フレーム部分8 の長さをこのように２つ
の９０度に折り曲げた後、対応したタブ5'と一体の自由
端部全体のうちの１つであり、その端部部分10の自由末
端部分9 は他方のタブ5 の自由端部部分6 に固定された
半導体結晶2'と接触するようになる。
【００３３】接続フレーム部分8 の９０度に折り曲げた
２つの部分21および21' は増加した半導体結晶2'の高さ
と同じ距離を隔てられ、場合によって自由末端部分9 の
表面9'上に形成されて結晶2'に接触する半球形の突出部
分9'' の高さによって距離を隔てられている。
２つの部分21および21' は増加した半導体結晶2'の高さ
と同じ距離を隔てられ、場合によって自由末端部分9 の
表面9'上に形成されて結晶2'に接触する半球形の突出部
分9'' の高さによって距離を隔てられている。
【００３４】この配置によって、結晶2'は自由端部部分
9 によって、特に面間を前記結晶2'を固定する接着材料
2'' が凝固し、タブ5 の適応した支持台6 に対応してい
る位置に機械的に保持される。
9 によって、特に面間を前記結晶2'を固定する接着材料
2'' が凝固し、タブ5 の適応した支持台6 に対応してい
る位置に機械的に保持される。
【００３５】本発明の第２の実施例は図６及至１３に示
されているように接続フレーム部分8 がタブ5,5'の縦軸
と実質上平行な端部部分10およびタブ5,5'の前記縦軸と
実質上垂直をなす中間結合部分11を構成し、実質上Ｌ型
形状を有する予め成形された横方向拡張部から成る。前
記拡張部8 は前記弱くされた部分12で折り曲げた後、他
方のタブ5 の自由端部部分6 上に位置された半導体結晶
2'の接続導線を形成する。
されているように接続フレーム部分8 がタブ5,5'の縦軸
と実質上平行な端部部分10およびタブ5,5'の前記縦軸と
実質上垂直をなす中間結合部分11を構成し、実質上Ｌ型
形状を有する予め成形された横方向拡張部から成る。前
記拡張部8 は前記弱くされた部分12で折り曲げた後、他
方のタブ5 の自由端部部分6 上に位置された半導体結晶
2'の接続導線を形成する。
【００３６】前記弱くされた部分12は中間結合部分11の
２つの側部の切込みあるいは円あるいは楕円形の開口部
を形成することにより得られ、これらの切込みあるいは
開口部は対応するタブ5'の自由端部部分6 に近接して位
置している。
２つの側部の切込みあるいは円あるいは楕円形の開口部
を形成することにより得られ、これらの切込みあるいは
開口部は対応するタブ5'の自由端部部分6 に近接して位
置している。
【００３７】接続フレーム部分8 の２つの前記型式は前
に述べられた従来の技術による電子部品の生産のため本
発明にしたがってフレーム１を用いることを可能にして
いる。すなわち貴金属の接続ワイヤを用いおよび付加し
た接続部材を用いる。これは第１実施例の接続フレーム
部分8 を折り曲げずにあるいは第２実施形態の横方向拡
張部8 を好ましくは弱くされた部分12を切り離すことに
よって行われる。
に述べられた従来の技術による電子部品の生産のため本
発明にしたがってフレーム１を用いることを可能にして
いる。すなわち貴金属の接続ワイヤを用いおよび付加し
た接続部材を用いる。これは第１実施例の接続フレーム
部分8 を折り曲げずにあるいは第２実施形態の横方向拡
張部8 を好ましくは弱くされた部分12を切り離すことに
よって行われる。
【００３８】本発明の１つの特徴によって、特に図７，
１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃに示されるように、拡張部8 の
端部部分10は反対の方向に有する２つの離れた間隔の屈
曲あるいは折り曲げ部分13,13'を有し、端部部分10の自
由端部分9 が半導体結晶2'と接触するように形成され
る。その場合に、可能ならば穴を開けた半球形の突出部
分9'' を介して、結晶2'に面する部分9 の表面9'が２つ
の折り曲げ部分13,13'の反対側に位置し、中間結合部分
11に近い方の端部部分10の部分10' を含む平面に関して
平行なずれた平面に位置するよう形成される。
１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃに示されるように、拡張部8 の
端部部分10は反対の方向に有する２つの離れた間隔の屈
曲あるいは折り曲げ部分13,13'を有し、端部部分10の自
由端部分9 が半導体結晶2'と接触するように形成され
る。その場合に、可能ならば穴を開けた半球形の突出部
分9'' を介して、結晶2'に面する部分9 の表面9'が２つ
の折り曲げ部分13,13'の反対側に位置し、中間結合部分
11に近い方の端部部分10の部分10' を含む平面に関して
平行なずれた平面に位置するよう形成される。
【００３９】もし半球形の突出部分9'' あるいは異なる
突出部の形状を有する部分を設けるならば、自由端部部
分9 の対応する領域を変形することにより生じあるいは
付加された場合、結晶2'の上面の接触点あるいは領域を
正確に定めることが可能になる。それによって実質上不
十分な接続を除去し、接触面積が小さい場合のプレ−ナ
構造を有する結晶2'の場合に特にそうである。半球形の
突出部9'' は通過する溶融可能な導電性接続材料20のた
めの１以上の穴を設けられている。
突出部の形状を有する部分を設けるならば、自由端部部
分9 の対応する領域を変形することにより生じあるいは
付加された場合、結晶2'の上面の接触点あるいは領域を
正確に定めることが可能になる。それによって実質上不
十分な接続を除去し、接触面積が小さい場合のプレ−ナ
構造を有する結晶2'の場合に特にそうである。半球形の
突出部9'' は通過する溶融可能な導電性接続材料20のた
めの１以上の穴を設けられている。
【００４０】本発明の好ましい実施形態によれば、端部
部分10の自由端部部分9 は接続フレーム部分8 を折り曲
げた後、半導体結晶2'と前記部分9 の接触部15の面積に
関して中心の貫通穴14を設けられている。
部分10の自由端部部分9 は接続フレーム部分8 を折り曲
げた後、半導体結晶2'と前記部分9 の接触部15の面積に
関して中心の貫通穴14を設けられている。
【００４１】貫通穴14は自由端部分9 の表面9'に位置
し、折り曲げた後に半導体結晶2'に面し、クレーターの
形をした突出部分16で前記穴14の開口部の範囲を定める
環状の壁16' は折り曲げた後に半導体結晶2'に面する端
部部分9 の前記面9'の表面に対して高くなっている。
し、折り曲げた後に半導体結晶2'に面し、クレーターの
形をした突出部分16で前記穴14の開口部の範囲を定める
環状の壁16' は折り曲げた後に半導体結晶2'に面する端
部部分9 の前記面9'の表面に対して高くなっている。
【００４２】溶融可能な導電接着材料20の付着を容易に
し、接触区域15の外側の溶融可能な導電接着材料20の意
図しない堆積を避けるために貫通穴14は表面9'と反対側
の自由端部部分9 の表面が半導体結晶2'の方向へ向きを
変えて例えば円形のカップシートのような凹所17の底部
に設けられている。
し、接触区域15の外側の溶融可能な導電接着材料20の意
図しない堆積を避けるために貫通穴14は表面9'と反対側
の自由端部部分9 の表面が半導体結晶2'の方向へ向きを
変えて例えば円形のカップシートのような凹所17の底部
に設けられている。
【００４３】上記配置は接着材料20の付着を容易にし、
凹所17の保持力および毛管現象により過剰な接着材料20
を吸収し、正確におよび同様に再生可能な方法ではっき
りと定められた範囲を定められた正確な接触区域15を保
証することを可能にする。
凹所17の保持力および毛管現象により過剰な接着材料20
を吸収し、正確におよび同様に再生可能な方法ではっき
りと定められた範囲を定められた正確な接触区域15を保
証することを可能にする。
【００４４】クレーター形状の突出部分16および凹所17
は貫通穴14の周囲の環状部分の変形によって形成され
る。
は貫通穴14の周囲の環状部分の変形によって形成され
る。
【００４５】容易な折り曲げ（単純な機械的な操作）お
よび折り曲げた後に拡張部8 の端部部分10の正確な方向
を保証する目的のために、好ましい折り曲げの弱くされ
た部分12は中間結合部分11に形成され、対応するタブ5,
5'の軸に平行な好ましい折り曲げの線12' を定め、対応
するタブ5'の自由端部7 および中間結合部分11の折り曲
げ部分11' の間の平面接触までは前記拡張部8 の１８０
度の折り曲げを可能にする。
よび折り曲げた後に拡張部8 の端部部分10の正確な方向
を保証する目的のために、好ましい折り曲げの弱くされ
た部分12は中間結合部分11に形成され、対応するタブ5,
5'の軸に平行な好ましい折り曲げの線12' を定め、対応
するタブ5'の自由端部7 および中間結合部分11の折り曲
げ部分11' の間の平面接触までは前記拡張部8 の１８０
度の折り曲げを可能にする。
【００４６】本発明のある特性にしたがって添付図６、
７および図１２Ｂに示されるようにクレーター形状の突
出部分16の環状の壁16' の上部の縁部16''と、対応する
タブ5'の自由端部7 と接触する中間結合部分11の折り曲
げ部分11' の間の距離ｄは、側面拡張部8 を完全に折り
曲げた後、距離は実質上半導体結晶2'の高さと一致して
いる。
７および図１２Ｂに示されるようにクレーター形状の突
出部分16の環状の壁16' の上部の縁部16''と、対応する
タブ5'の自由端部7 と接触する中間結合部分11の折り曲
げ部分11' の間の距離ｄは、側面拡張部8 を完全に折り
曲げた後、距離は実質上半導体結晶2'の高さと一致して
いる。
【００４７】拡張部8 を予め形成することにより前記距
離ｄを決定し、および表面の停止部により拡張部8 の折
り曲げを正確に制限することは結果的に再現性がある確
実で正確な方法で、タブ5'の自由端部部分9 あるいはそ
の突出部分あるいは構造9''あるいは16とタブ5 の取り
付け支持体6 との間を挟むことによりその位置に結晶2'
を保持することを可能にし、前記結晶2'が機械的に移動
することを防ぎ、特に固定し接触する導電接着材料20が
凝固する前に、すでに保護パッケージ19がモールドされ
ることを保証している。
離ｄを決定し、および表面の停止部により拡張部8 の折
り曲げを正確に制限することは結果的に再現性がある確
実で正確な方法で、タブ5'の自由端部部分9 あるいはそ
の突出部分あるいは構造9''あるいは16とタブ5 の取り
付け支持体6 との間を挟むことによりその位置に結晶2'
を保持することを可能にし、前記結晶2'が機械的に移動
することを防ぎ、特に固定し接触する導電接着材料20が
凝固する前に、すでに保護パッケージ19がモールドされ
ることを保証している。
【００４８】本発明の他方の特性にしたがって、特に添
付図６および１４から２０に示されるように横方向部分
4 は足形の拡張部18を有し、タブ5,5'／結晶2'の接合部
を取り囲み、モールドすることにより付加された保護パ
ッケージ19の大部分により後で占められる容積中に突出
する自由端部部分18' がフレーム1 上の適所に電子部品
2 を保持し、タブ5,5'を切り離した後に電子部品を保持
することが可能である。
付図６および１４から２０に示されるように横方向部分
4 は足形の拡張部18を有し、タブ5,5'／結晶2'の接合部
を取り囲み、モールドすることにより付加された保護パ
ッケージ19の大部分により後で占められる容積中に突出
する自由端部部分18' がフレーム1 上の適所に電子部品
2 を保持し、タブ5,5'を切り離した後に電子部品を保持
することが可能である。
【００４９】各横断部材14はその両側に間隔を隔てて２
つの足形の拡張部18を含む。
つの足形の拡張部18を含む。
【００５０】フレーム1 が構成される材料を最大限に利
用し、単位長につきタブ5,5'、したがって電子部品2 が
高い密度になるようにするために、タブ5,5'の自由端部
の反対側の小さい幅の部分4'を横断部分4 は有し、接続
導線を形成する折り曲げた横方向拡張部8 を切り離すた
めに自由に用いられているフレーム部分が使用される。
用し、単位長につきタブ5,5'、したがって電子部品2 が
高い密度になるようにするために、タブ5,5'の自由端部
の反対側の小さい幅の部分4'を横断部分4 は有し、接続
導線を形成する折り曲げた横方向拡張部8 を切り離すた
めに自由に用いられているフレーム部分が使用される。
【００５１】本発明の主題は半導体結晶電子部品の製造
工程であり、互いに接続される２つの構造の縦方向両側
のバンド3,3'を具備するフレーム1 を用いて、一定の間
隔で共面タブ5,5'の対の間の横断部材4 によって形成さ
れ、そのそれぞれは構造の側部バンドの一方と一体の部
材として形成され、問題の対の他方のタブへ接触せずに
前記構造の両側のバンドの他方の方向に突出している。
工程であり、互いに接続される２つの構造の縦方向両側
のバンド3,3'を具備するフレーム1 を用いて、一定の間
隔で共面タブ5,5'の対の間の横断部材4 によって形成さ
れ、そのそれぞれは構造の側部バンドの一方と一体の部
材として形成され、問題の対の他方のタブへ接触せずに
前記構造の両側のバンドの他方の方向に突出している。
【００５２】図４，５，６，および８から２０に示され
るように、前記過程は本質的に下記に記述されるように
長いフレーム1 を提供し、各々対のタブ5,5'において連
続して少なくとも次の操作が実行される期間中に、縦方
向に歩進的に移動する。
るように、前記過程は本質的に下記に記述されるように
長いフレーム1 を提供し、各々対のタブ5,5'において連
続して少なくとも次の操作が実行される期間中に、縦方
向に歩進的に移動する。
【００５３】第１のタブ5 の自由端の部分に位置するの
に適合した支持体6 上に半導体結晶を置き、第２のタブ
5'の自由端部7 と一体のフレーム部分8 を折り曲げ、半
導体結晶2'にこのフレーム部分に接続し、タブ5,5'／結
晶2'接合の部分の領域を囲んで保護パッケージ19でモー
ルドし、２つのタブ5 および5'を切り離し、外部接続導
線を切断および形成し、測定してテストし、欠陥な部品
2 を排除する。
に適合した支持体6 上に半導体結晶を置き、第２のタブ
5'の自由端部7 と一体のフレーム部分8 を折り曲げ、半
導体結晶2'にこのフレーム部分に接続し、タブ5,5'／結
晶2'接合の部分の領域を囲んで保護パッケージ19でモー
ルドし、２つのタブ5 および5'を切り離し、外部接続導
線を切断および形成し、測定してテストし、欠陥な部品
2 を排除する。
【００５４】本発明の第１の別の型式にしたがって添付
図６および８及至１２に示されるように、第２のタブ5'
のフレーム部分8 は折り畳む前にＬ形の側面拡張部から
成り、前記第２のタブ5'のＬ字のベースを形成する部分
11の端部で接続されＬ字の他方の枝を形成する部分10の
側面拡張部は前記タブ5,5'に平行に位置し、第１のタブ
5 の取り付け支持体6 の反対側に位置する自由端部部分
9 において、前記タブ5,5'を含む平面に関して平行でオ
フセットしている平面にある。前記拡張部8 の折り曲げ
は、一方ではＬ字のベースを形成する部分11の弱くされ
た部分12においてタブ5 および5'の縦軸に平行な折り曲
げ線12' に沿って行われ、他方ではＬ字のベースを形成
する前記部分の折り曲げ部分11' が第２のタブ5'の自由
端部7 と接触するようになるまでである。
図６および８及至１２に示されるように、第２のタブ5'
のフレーム部分8 は折り畳む前にＬ形の側面拡張部から
成り、前記第２のタブ5'のＬ字のベースを形成する部分
11の端部で接続されＬ字の他方の枝を形成する部分10の
側面拡張部は前記タブ5,5'に平行に位置し、第１のタブ
5 の取り付け支持体6 の反対側に位置する自由端部部分
9 において、前記タブ5,5'を含む平面に関して平行でオ
フセットしている平面にある。前記拡張部8 の折り曲げ
は、一方ではＬ字のベースを形成する部分11の弱くされ
た部分12においてタブ5 および5'の縦軸に平行な折り曲
げ線12' に沿って行われ、他方ではＬ字のベースを形成
する前記部分の折り曲げ部分11' が第２のタブ5'の自由
端部7 と接触するようになるまでである。
【００５５】Ｌ型拡張部8 は弱くされた部分12で最初に
９０度折り曲げる動作により折り曲げられ、これに続い
てこの部分で第２の９０度折り曲げられ、第２のタブ5'
の自由端部7 の表面に対して完全に折り曲げられるＬ字
のベースを形成する部分11の折り曲げ部分11' を生じ、
少なくとも２つの折り曲げ動作（図１２および１３）に
分けるような第２の折り曲げ動作を可能にする。
９０度折り曲げる動作により折り曲げられ、これに続い
てこの部分で第２の９０度折り曲げられ、第２のタブ5'
の自由端部7 の表面に対して完全に折り曲げられるＬ字
のベースを形成する部分11の折り曲げ部分11' を生じ、
少なくとも２つの折り曲げ動作（図１２および１３）に
分けるような第２の折り曲げ動作を可能にする。
【００５６】本発明の第２の別の形態によれば、添付図
４および５に示されるように、接続フレーム部分8 が第
２のタブ5'の自由端部部分7 中に切込まれ、細長い直線
形を有するが、最初に前記第２のタブ5'と一体の端部で
９０度、次に第１のタブ5 の方向へ９０度折り曲げら
れ、２つの折り曲げる部分は半導体結晶2'の高さに等し
い距離の間隔を保ち、前記フレーム部分8 の長さは自由
端部部分9 が、折り曲げ操作の後半導体結晶2'と接触す
るような長さである。
４および５に示されるように、接続フレーム部分8 が第
２のタブ5'の自由端部部分7 中に切込まれ、細長い直線
形を有するが、最初に前記第２のタブ5'と一体の端部で
９０度、次に第１のタブ5 の方向へ９０度折り曲げら
れ、２つの折り曲げる部分は半導体結晶2'の高さに等し
い距離の間隔を保ち、前記フレーム部分8 の長さは自由
端部部分9 が、折り曲げ操作の後半導体結晶2'と接触す
るような長さである。
【００５７】添付図５，１３，２２Ａおよび２２Ｂに示
されるように、第２のタブ5'に対する半導体結晶2'の接
続は、フレーム部分8 を折り曲げた後、自由端部部分9
の突出部分9'' あるいは16との機械的な接触により、お
よび後者と結晶2'の間の導電性溶融可能な接着材料を配
置することにより、あるいは自由端部部分9 に作られる
貫通穴14に導電性溶融可能な接着材料20を注入し、およ
び半球形の突出部分あるいは構造9'' またはクレーター
の形をした突出部分あるいは構造16において前記結晶2'
に面している後者の表面9'に現れることにより得られ
る。
されるように、第２のタブ5'に対する半導体結晶2'の接
続は、フレーム部分8 を折り曲げた後、自由端部部分9
の突出部分9'' あるいは16との機械的な接触により、お
よび後者と結晶2'の間の導電性溶融可能な接着材料を配
置することにより、あるいは自由端部部分9 に作られる
貫通穴14に導電性溶融可能な接着材料20を注入し、およ
び半球形の突出部分あるいは構造9'' またはクレーター
の形をした突出部分あるいは構造16において前記結晶2'
に面している後者の表面9'に現れることにより得られ
る。
【００５８】本発明の別の特性にしたがい、保護パッケ
ージ19を形成する物質は横断部分14と一体でそこから伸
び出ている足形の拡張部18の自由端部18' の周辺にモー
ルドされ、欠陥部品2 が保護パッケージ19および足形の
拡張部18の間の結合を切断するのに十分な圧力を部品に
加えることにより排出される。
ージ19を形成する物質は横断部分14と一体でそこから伸
び出ている足形の拡張部18の自由端部18' の周辺にモー
ルドされ、欠陥部品2 が保護パッケージ19および足形の
拡張部18の間の結合を切断するのに十分な圧力を部品に
加えることにより排出される。
【００５９】この配置によって、フレーム1 はリールか
ら曲きもどされ電子部品2 を生産し、マークをつけ、欠
陥部品2 を検査し、排出してから、拡張部18により適所
に保持された最終部品2 を支持する前記フレーム部分1
が再びリールに巻かれることもできる。
ら曲きもどされ電子部品2 を生産し、マークをつけ、欠
陥部品2 を検査し、排出してから、拡張部18により適所
に保持された最終部品2 を支持する前記フレーム部分1
が再びリールに巻かれることもできる。
【００６０】さらに電気的な検査もしくはテストは完全
に絶縁された（空気中の接続導線）部品2 において実行
され、２つの外部の接続導線は部品2 が以前フレーム1
上に適所に保持されている期間中に形成され、多数が均
一に、連続的に転送されることを確実にし、同時に前記
部品2 の製造の全操作を通して向きを合わせて位置を保
持することを保証する。
に絶縁された（空気中の接続導線）部品2 において実行
され、２つの外部の接続導線は部品2 が以前フレーム1
上に適所に保持されている期間中に形成され、多数が均
一に、連続的に転送されることを確実にし、同時に前記
部品2 の製造の全操作を通して向きを合わせて位置を保
持することを保証する。
【００６１】加えてフレーム1 が全ての製造動作におけ
る支持体として作用するので、装置の移動は非常に簡単
であり、あるいは無くすることさえできる。
る支持体として作用するので、装置の移動は非常に簡単
であり、あるいは無くすることさえできる。
【００６２】本発明にしたがった製造工程はさらに正確
に説明すれば次の段階より構成される。
に説明すれば次の段階より構成される。
【００６３】特に１対のタブ5,5'を構成するように、前
述されるように段階的な駆動により巻戻して移動させ、
好ましい折り曲げの弱くされた部分12を有する予め成形
された横方向拡張部8 をタブ5'が設けられ、（図６） タブ5 の自由端部分6 の導電性接続材料2'' の定められ
た量を付着し、（図８） 導電性接続材料2'' 上に予め方位を定めて半導体結晶2'
（例えば機能的な表面の１つに停止部あるいは半球状の
表面を設けてる場合）を付着し、（図９） 弱くされた部分12で横方向拡張部8 を９０度折り曲げ、
（図１０） 横方向拡張部8 を１８０度折り曲げ、この折り曲げはタ
ブ5'の自由端部7 上の表面の停止部に対する中間結合部
分11の折り曲げ部分11' により制限され、（図１１） 結晶2'／拡張部8 の接触領域においてその位置に溶融可
能な導電性接続材料20を置き、それは例えば拡張部8 の
自由端部部分9 の突出構造あるいは部分9'' あるいは16
に現れる貫通穴14に付着することにより行われ、（図１
３および１３Ａ） 接着材料20を凝固し、半導体接合の周囲および横方向部
分4 から突出する拡張部18の端部18' の周囲をモールド
し、および差し込んだスタッド22をにモールドし、（図
１４および１４Ａ） 保護パッケージ19に含まれないタブ5 および5'の部分を
錫メッキを行い、差し込んだスタッド22を除去し、（図
１５） 接続導線およびタブ5 および5'を切断し、（図１６） 接続導線を形成し、（図１８） 部品の基準および極性に関して残存する部品2 にマーク
し、（図１９） 高温特性の検査し、標準以下な部品2 を排除し、（図２
０） 残存する良品の部品を有するフレーム1 をパッケージ
し、リールに巻いて貯蔵しあるいは発送する。
述されるように段階的な駆動により巻戻して移動させ、
好ましい折り曲げの弱くされた部分12を有する予め成形
された横方向拡張部8 をタブ5'が設けられ、（図６） タブ5 の自由端部分6 の導電性接続材料2'' の定められ
た量を付着し、（図８） 導電性接続材料2'' 上に予め方位を定めて半導体結晶2'
（例えば機能的な表面の１つに停止部あるいは半球状の
表面を設けてる場合）を付着し、（図９） 弱くされた部分12で横方向拡張部8 を９０度折り曲げ、
（図１０） 横方向拡張部8 を１８０度折り曲げ、この折り曲げはタ
ブ5'の自由端部7 上の表面の停止部に対する中間結合部
分11の折り曲げ部分11' により制限され、（図１１） 結晶2'／拡張部8 の接触領域においてその位置に溶融可
能な導電性接続材料20を置き、それは例えば拡張部8 の
自由端部部分9 の突出構造あるいは部分9'' あるいは16
に現れる貫通穴14に付着することにより行われ、（図１
３および１３Ａ） 接着材料20を凝固し、半導体接合の周囲および横方向部
分4 から突出する拡張部18の端部18' の周囲をモールド
し、および差し込んだスタッド22をにモールドし、（図
１４および１４Ａ） 保護パッケージ19に含まれないタブ5 および5'の部分を
錫メッキを行い、差し込んだスタッド22を除去し、（図
１５） 接続導線およびタブ5 および5'を切断し、（図１６） 接続導線を形成し、（図１８） 部品の基準および極性に関して残存する部品2 にマーク
し、（図１９） 高温特性の検査し、標準以下な部品2 を排除し、（図２
０） 残存する良品の部品を有するフレーム1 をパッケージ
し、リールに巻いて貯蔵しあるいは発送する。
【００６４】前記の工程の有利な点の中で、特に前述さ
れるようなフレーム1 の特別な特徴から主な結果として
生じるのは、特に従来の技術を用いて部品の製造のため
のこのフレーム1 を用いることを可能にし（折り曲げ線
で横方向拡張部8 を切断することにより）、ルーズな形
の結晶2'あるいはフィルムを用いることを可能にし、パ
ッケージをモールドする前の接続部の事前の保護の必要
なしに、連続的なテープの形態で非常にフレキシブルな
製品（部品）の製造で、簡単な保管で、部品および巻い
た形をした最初のテープの操作で安価な設置を可能と
し、移送および装置を分類し、高い生産率で従来の技術
を用いて装置の保守の通常の訓練をされた技術者により
提供されるような管理を可能にする。
れるようなフレーム1 の特別な特徴から主な結果として
生じるのは、特に従来の技術を用いて部品の製造のため
のこのフレーム1 を用いることを可能にし（折り曲げ線
で横方向拡張部8 を切断することにより）、ルーズな形
の結晶2'あるいはフィルムを用いることを可能にし、パ
ッケージをモールドする前の接続部の事前の保護の必要
なしに、連続的なテープの形態で非常にフレキシブルな
製品（部品）の製造で、簡単な保管で、部品および巻い
た形をした最初のテープの操作で安価な設置を可能と
し、移送および装置を分類し、高い生産率で従来の技術
を用いて装置の保守の通常の訓練をされた技術者により
提供されるような管理を可能にする。
【００６５】本発明の主題は半導体結晶電子部品であ
り、上記に記述されるような製造プロセスにより得ら
れ、特に前記フレーム1 を用いて、本質的に半導体接合
領域の周囲の保護パッケージ19および外部の接続導線を
形成する２つの金属タブ5,5'を構成し、パッケージ19中
に位置する端部において、第２のタブ5'は、保護パッケ
ージ19中に位置する端部において、予め形成する拡張部
8 が前記タブ5'と一体の部材として形成され、半導体結
晶2'と接触するように横方向に折り曲げられる。
り、上記に記述されるような製造プロセスにより得ら
れ、特に前記フレーム1 を用いて、本質的に半導体接合
領域の周囲の保護パッケージ19および外部の接続導線を
形成する２つの金属タブ5,5'を構成し、パッケージ19中
に位置する端部において、第２のタブ5'は、保護パッケ
ージ19中に位置する端部において、予め形成する拡張部
8 が前記タブ5'と一体の部材として形成され、半導体結
晶2'と接触するように横方向に折り曲げられる。
【００６６】予め形成された拡張部8 はそれ自体折り曲
げられた中間結合部分11および２回曲げられた端部部分
10を有するＬ字形の一般的な形状を有し、末端端部部分
9 は半導体結晶2'の上面と接触し、半球形あるいは突出
部分9'' によって、あるいは導電性接着材料20を適合さ
せる電気接続を形成しおよび、少なくとも部分的に半導
体結晶2'の末端端部部分の機械的に完全な状態で貫通穴
14の開口部を形成するクレータ形の突出構造16によって
可能である。
げられた中間結合部分11および２回曲げられた端部部分
10を有するＬ字形の一般的な形状を有し、末端端部部分
9 は半導体結晶2'の上面と接触し、半球形あるいは突出
部分9'' によって、あるいは導電性接着材料20を適合さ
せる電気接続を形成しおよび、少なくとも部分的に半導
体結晶2'の末端端部部分の機械的に完全な状態で貫通穴
14の開口部を形成するクレータ形の突出構造16によって
可能である。
【００６７】最後に、本発明の主題は、さらに半導体結
晶電子部品1 が別の形式として、上記のように製造プロ
セスで得られ、特に前述されたようにフレーム1 を用
い、接合領域の周囲の保護パッケージ19および外部の接
続導線を形成する２つの金属タブ5,5'を具備し、そのう
ち１つが半導体結晶2'を支持し、パッケージ19に位置す
る端部において、第２のタブ5'はパッケージ19に位置す
る端部においてフレーム部分8 が細長い形で、前記タブ
5'に切込まれ、自由端部部分9 （図４および５）におい
て半導体結晶2'と接触する接続導線に２つを分離した９
０度の折り曲げ操作により成形される。
晶電子部品1 が別の形式として、上記のように製造プロ
セスで得られ、特に前述されたようにフレーム1 を用
い、接合領域の周囲の保護パッケージ19および外部の接
続導線を形成する２つの金属タブ5,5'を具備し、そのう
ち１つが半導体結晶2'を支持し、パッケージ19に位置す
る端部において、第２のタブ5'はパッケージ19に位置す
る端部においてフレーム部分8 が細長い形で、前記タブ
5'に切込まれ、自由端部部分9 （図４および５）におい
て半導体結晶2'と接触する接続導線に２つを分離した９
０度の折り曲げ操作により成形される。
【００６８】図５に示されるように、２つの９０度の折
り曲げ領域21および21' の間の距離ｄは実質上半導体結
晶2'の高さと等しく、末端端部部分9 が電気接続を提供
し、少なくとも部分的に半導体結晶2'の末端端部部分9
と機械的に一体の、導電性溶融可能接着材料20を適応さ
せる貫通穴の開口部を形成するクレーター形をした突出
構造16の半球形の突出部分によって半導体結晶2'の上面
に接触する。
り曲げ領域21および21' の間の距離ｄは実質上半導体結
晶2'の高さと等しく、末端端部部分9 が電気接続を提供
し、少なくとも部分的に半導体結晶2'の末端端部部分9
と機械的に一体の、導電性溶融可能接着材料20を適応さ
せる貫通穴の開口部を形成するクレーター形をした突出
構造16の半球形の突出部分によって半導体結晶2'の上面
に接触する。
【００６９】もちろん、本発明は添付図面に示される実
施形態に限定されない。特に種々の要素の構造の観点か
らあるいは技術的特価物の置換により、本発明の技術的
範囲から逸脱せずに修正が可能である。
施形態に限定されない。特に種々の要素の構造の観点か
らあるいは技術的特価物の置換により、本発明の技術的
範囲から逸脱せずに修正が可能である。
【図１】第１の従来技術による電子部品の断面図。
【図２】第２の従来技術による電子部品の断面図。
【図３】第３の従来技術による電子部品の断面図。
【図４】本発明の第１の実施形態によるフレーム1 の部
分の平面図。
分の平面図。
【図５】図４に示されるフレームを使用して得られる電
子部品の部分的に断面で示した側面図。
子部品の部分的に断面で示した側面図。
【図６】本発明の第２の実施形態によるフレーム1 の部
分の平面図。
分の平面図。
【図７】図６に示されたフレームの１部分を形成するタ
ブの一部分とその横方向の拡張部の異なるスケールの詳
細図、およびこの拡張部のＡ−Ａに沿った側断面図。
ブの一部分とその横方向の拡張部の異なるスケールの詳
細図、およびこの拡張部のＡ−Ａに沿った側断面図。
【図８】半導体結晶を固定するための接着材料を堆積
し、図６に示されるようにフレームの異なるスケールの
平面図。
し、図６に示されるようにフレームの異なるスケールの
平面図。
【図９】適所に半導体結晶を配置し、図８と類似した
図。
図。
【図１０】９０度のＬ形の側面拡張部の第１の切込みを
作成し、詳細Ｚの正面図および異なるスケールの図であ
り、図９に類似した図。
作成し、詳細Ｚの正面図および異なるスケールの図であ
り、図９に類似した図。
【図１１】完全に９０度のＬ型の側面拡張部の第１の切
込みを作成した図１０に類似した図。
込みを作成した図１０に類似した図。
【図１２】図１１の詳細Ｙにおける異なるスケールの正
面図、その詳細の側面図および平面図。
面図、その詳細の側面図および平面図。
【図１３】接続導線を形成する拡張末端接触部分の穴を
通過しその内部に導電性があり溶融可能な接触接着材料
を堆積し、および詳細Ｘの部分的にＢ−Ｂに沿った断面
および正面図の異なるスケール上の図１２に類似した
図。
通過しその内部に導電性があり溶融可能な接触接着材料
を堆積し、および詳細Ｘの部分的にＢ−Ｂに沿った断面
および正面図の異なるスケール上の図１２に類似した
図。
【図１４】保護パッケージおよび差し込んだスタッドを
モールドし、フレームの一部分の正面図および図１３に
類似した図。
モールドし、フレームの一部分の正面図および図１３に
類似した図。
【図１５】例えば放出により差し込んだスタッドの図１
４に類似した図。
４に類似した図。
【図１６】外部の接続導線を切断しおよびタブを切り離
し、図１５に類似した図。
し、図１５に類似した図。
【図１７】第１の適合チェックあるいはテストし、およ
び欠如した部品の図１６に類似した図。
び欠如した部品の図１６に類似した図。
【図１８】外部の接続導線を形成し、前記導線を形成す
る異なる方法で図解した図１７に類似した図。
る異なる方法で図解した図１７に類似した図。
【図１９】部品の保護パッケ−ジ、特にレーザーに印を
つけたり、圧力パッドに印をつけたり、あるいはスクリ
ーンに印をつけて形成する図１８に類似した図。
つけたり、圧力パッドに印をつけたり、あるいはスクリ
ーンに印をつけて形成する図１８に類似した図。
【図２０】第２の適合チェックあるいはテストし、特に
高温状態で実行しおよび欠如した構成部分の図１９に類
似した図。
高温状態で実行しおよび欠如した構成部分の図１９に類
似した図。
【図２１】保護パッケ−ジ内に配置された内部部品を透
明に示された本発明の第２の実施形態によって示された
電子部品の斜視図。
明に示された本発明の第２の実施形態によって示された
電子部品の斜視図。
【図２２】各々縦中央平面および図２１に示される電子
部品のＣ−Ｃによって示される横平面の断面および異な
るスケールでの正面図。
部品のＣ−Ｃによって示される横平面の断面および異な
るスケールでの正面図。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ウムベルト・パスキュウティニー フランス国、エフ − 68230 テュルク アム、ロティッスマン・ル・マノワール、 リュ・デュ・ミュゲ 18
Claims (25)
- 【請求項１】 規則的な間隔で横断部分によって互いに
接続され、その間に共面の１対のタブが形成されている
少なくとも２つの縦方向構造体側部バンドを具備し、そ
れら１対のタブのそれぞれは縦方向構造体側部バンドの
一方の部分と一体に形成されて他方の縦方向構造体側部
バンド向かって延在しているがその対の他方のタブとは
接触していない半導体結晶電子部品を製造するためのフ
レームにおいて、 各対のタブは実質上互いに整列され、各対の一方のタブ
は半導体結晶を支持する支持部を形成された自由端部部
分を有し、各対の他方のタブはその自由端部に接続フレ
ーム部分を有し、この接続フレーム部分は前記タブの縦
方向の縁部を限定する平面によって定められた容積内に
本質上位置するように折り曲げられて半導体結晶と接触
するように構成されていることを特徴とする半導体結晶
電子部品を製造するためのフレーム。 - 【請求項２】 細長い直線形状の接続フレーム部分が対
応する第１のタブの自由端部部分において切り込みによ
って形成され、この接続フレーム部分は他方第２のタブ
に面する端部を有して第１のタブと一体に形成され、前
記接続フレーム部分の長さは９０度に２回折り曲げ、そ
の１回は第１のタブと一体の接続フレーム部分の端部に
おいて折り曲げられ、２回折り曲げによって接続フレー
ム部分の自由端部部分は他方の第２のタブの自由端部分
に固定された半導体結晶と接触するように構成されてい
ることを特徴とする請求項１記載のフレーム。 - 【請求項３】 接続フレーム部分の９０度に折り曲げる
２つの部分は増加した半導体結晶の高さと等しい距離で
隔てられ、自由端部部分の表面上に形成された半球形の
突出部を有するときにはさらにその突出部の高さだけ距
離を隔てられていることを特徴とする請求項２記載のフ
レーム。 - 【請求項４】 接続フレーム部分は、実質上Ｌ型形状を
有し、対応するタブの縦軸と実質上平行な端部部分およ
びタブの縦軸と実質上垂直な中間結合部分を有するあら
かじめ成形された横方向拡張部を具備し、前記拡張部は
折り曲げを容易にする弱くされた領域を設けられてお
り、前記拡張部は前記弱くされた領域で折り曲げた後、
他方のタブの自由端部部分上に位置された半導体結晶に
接続される導線を形成することを特徴とする請求項１記
載のフレーム。 - 【請求項５】 拡張部の端部部分は反対の方向に有する
２つの間隔を隔てた屈曲あるいは折り曲げ部分を有し、
前記拡張部の端部部分の自由端部が半導体結晶と接触す
るようになるように形成され、その接触は結晶に面する
部分の表面に形成された可能であれば穴を開けた半球形
の突出部分を介して行われ、前記拡張部の端部部分の結
晶に面する部分の表面は、２つの折り曲げ部分から反対
側に位置し中間結合部分に近い方の端部部分の部分を含
む平面に関して平行でずれた平面に位置するよう形成さ
れる請求項４記載のフレーム。 - 【請求項６】 端部部分の自由端部は接続フレーム部分
を折り曲げた後、半導体結晶との前記部分の接触区域と
中心の一致した貫通穴を設けられていることを特徴とす
る請求項２、３および５のいずれか１項記載のフレー
ム。 - 【請求項７】 貫通穴は自由端部分の折り曲げた後に半
導体結晶に面するクレーターの形をした突出部分に設け
られ、その穴の開口部の範囲を定める環状壁は折り曲げ
後に半導体結晶に面する端部部分の前記面の表面から立
上がっていることを特徴とする請求項６記載のフレー
ム。 - 【請求項８】 貫通穴が半導体結晶の方向に面するよう
に折り曲げられる表面と反対側の自由端部部分の表面に
設けられ、その位置は例えば円形のカップを受けるシー
トのような凹部の底部である請求項６または７記載のフ
レーム。 - 【請求項９】 前記クレーター形状の突出部分および前
記凹部は貫通穴の周囲の環状部分の変形によって形成さ
れることを特徴とする請求項７および８記載のフレー
ム。 - 【請求項１０】 好ましい折り曲げの弱くされた部分は
中間結合部分に形成され、対応するタブの軸に平行な好
ましい折り曲げの線を定め、中間結合部分の折り曲げ部
分と対応するタブの自由端部との間の平面接触が得られ
るまで前記拡張部の１８０度の折り曲げることを可能に
する請求項４乃至９のいずれか１項記載のフレーム。 - 【請求項１１】 クレーター形状の突出部分の環状壁の
上部の縁部と対応するタブの自由端部と接触する中間結
合部分の折り曲げ部分の面との間の距離ｄは横方向拡張
部を完全に折り曲げた後実質上半導体結晶の高さと一致
している請求項７乃至１０のいずれか１項記載のフレー
ム。 - 【請求項１２】 横断部分は足状拡張部を有し、その自
由端部はタブ／半導体結晶接合部を囲みモールドにより
付加される保護パッケージにより後で占められる空間中
に突出している請求項１乃至１１のいずれか１項記載の
フレーム。 - 【請求項１３】 各横断部分はその各側面に間隔を隔て
た２つの足状拡張部を具備している請求項１２記載のフ
レーム。 - 【請求項１４】 横断部分はそれぞれタブの自由端部の
両側に小さい幅の部分を有し、フレームのその領域は少
なくとも部分的に接続導線を形成する折り曲げた横方向
拡張部を切り離すために自由に用いられる請求項４乃至
１３のいずれか１項記載のフレーム。 - 【請求項１５】 一定の間隔で横断部分によって互いに
接続されている２つの構造体の縦方向側部バンドから構
成され、横断部分の間に共面のタブの対が形成されてい
るフレームを使用し、各タブは前記縦方向側部バンドの
１つと一体として製造され、前記バンドの他方に向かっ
て延在しているが他方のタブと接触しないように構成さ
れている半導体結晶電子部品の製造方法において、 請求項１乃至１４のいずれか１項記載の長いフレームを
形成し、それを段階的に縦方向に移動させ、その期間中
に各々対のタブにおいて連続して少なくとも次の操作が
実行され、すなわち、 第１のタブの自由端の部分に位置する整合された支持部
上に半導体結晶を配置し、 第２のタブの自由端と一体のフレーム部分を折り曲げ、
このフレーム部分を半導体結晶に接続し、 タブ／結晶接合部の領域を囲んで保護パッケージでモー
ルドし、 ２つのタブを切り離し、外部の接続導線を切断により形
成し、 測定試験を行って欠陥のある部品を除去することを特徴
とする半導体結晶電子部品の製造方法。 - 【請求項１６】 第２のタブのフレーム部分は折り畳む
前にＬ形の形状の横方向拡張部から成り、そのＬ形のベ
ースを形成する端部部分は前記第２のタブに接続され、
Ｌ形の他方の枝を形成する部分は前記タブにに平行に延
在し、その自由端部部分は第１のタブの半導体結晶支持
部と対向して位置されるが、前記タブを含む平面に関し
て平行であるがずれた平面にあり、前記拡張部の折り曲
げは、一方では前記Ｌ形のベースを形成する端部部分の
弱くされた領域において前記タブの縦軸に平行な折り曲
げ線に沿って行われ、他方では前記Ｌ形のベースを形成
する端部部分の折り曲げた部分が前記第２のタブの自由
端部部分と接触するまで行われる請求項１５記載の製造
方法。 - 【請求項１７】 Ｌ型拡張部は、弱くされた領域で最初
に９０度折り曲げられ、それに続いてこの領域で第２の
９０度の折り曲げが行われることにより折り曲げられ、
その結果第２のタブの自由端部の表面に対して完全に折
り曲げられるＬ形のベースを形成する折り曲げ部分ガ形
成され、第２の折り曲げ動作が少なくとも２つの折り曲
げ動作に分けられることができる請求項１６記載の製造
方法。 - 【請求項１８】 接続フレーム部分が第２のタブの自由
端部分に切り込みで形成された細長い直線形状を有し、
最初に前記第２のタブと一体の端部において９０度折り
曲げられ、次に第１のタブの方向へ９０度折り曲げられ
ることにより形成され、２つの折り畳む部分は半導体結
晶の高さに等しい距離を保ち、折り曲げ操作の後に自由
端部部分が半導体結晶と接触する長さである請求項１６
記載の製造方法。 - 【請求項１９】 第２のタブへの半導体結晶の接続は、
フレーム部分を折り曲げた後、自由端部部分の突出部分
との機械的な接触により、および後者と結晶の間に導電
性の溶融可能な接着材料を配置することにより、あるい
は自由端部部分に作られる貫通穴中に導電性の溶融可能
な接着材料を注入し、あるいは半球形の突出部分あるい
は構造またはクレーターの形をした突出部分あるいは構
造により行われる請求項１６乃至１８のいずれか１項記
載の製造方法。 - 【請求項２０】 保護パッケージを形成する基板は足状
拡張部の自由端部の周辺にモールドされ、この足状拡張
部は横断部分と一体であり、欠陥部品は保護パッケージ
と足状拡張部の間の結合を切断するのに十分な圧力を部
品に加えることにより除去される請求項１５乃至１９の
いずれか１項記載の製造方法。 - 【請求項２１】 フレームはリールから引き出され、電
子部品を生産し、マークを付けた後、および検査して欠
陥部品を排除した後ら、拡張部により適所に保持された
良品の最終部品を支持する前記フレームが再度リールに
巻かれる請求項１５乃至２０のいずれか１項記載の製造
方法。 - 【請求項２２】 フレームは半導体接合部分の周囲の保
護パッケージおよび外部の接続導線を形成する２つの金
属タブから構成され、金属タブの１つはパッケージ中に
位置する端部において半導体結晶を支持し、第２のタブ
は保護パッケージに位置する端部において予め形成する
拡張部を有し、その拡張部は前記タブと一体に形成さ
れ、半導体結晶と接触するように横方向に折り曲げられ
ることにより折り畳まれているを使用する請求項１５乃
至１７および１９乃至２０のいずれか１項記載の製造方
法により得られた半導体結晶電子部品。 - 【請求項２３】 予め形成された拡張部はほぼＬ形の形
状を有し、それ自体の上に折り畳まれた中間結合部分お
よび２回曲がった端部部分を有し、その末端部分は半導
体結晶の上面と接触しており、末端端部部分は半球形を
有していてもよく、半球形あるいは突出部分で、あるい
は導電接着材料に適合する貫通穴の開口部を形成するク
レータ形の突出構造により電気接続を形成し、少なくと
も部分的に半導体結晶と末端部分の機械的な一体性が与
えられている請求項２２に記載の電子部品。 - 【請求項２４】 接合領域の周囲の保護パッケージおよ
び外部の接続導線を形成する２つの金属タブを具備し、
その金属タブの１つがパッケージ中に位置する端部にお
いて半導体結晶を支持している、特に請求項１乃至３、
６乃至９および１１乃至１３のいずれか１項記載のフレ
ームを使用する請求項１５および１８乃至２１のいずれ
か１項記載の製造方法により得られた半導体製造電子部
品において、 第２のタブはパッケージ中に位置する端部において、細
長い形状のフレーム部分を有し、それは前記タブから切
り出され、端部部分において半導体結晶と接触する接続
導線に２つを分離した９０度折り曲げ操作により形成さ
れていることを特徴とする半導体製造電子部品。 - 【請求項２５】 ２つの９０度の折り曲げ部分の間の距
離ｄは実質上半導体結晶の高さと等しく、末端部分が半
導体結晶の上面と接続され、その接続は電気接続を行う
と共に、少なくとも部分的に半導体結晶とこの末端部分
の機械的一体性を与えるように導電性の溶融可能な接着
材料を適応させる貫通穴の開口部を形成されているクレ
ーター形状の突出構造の半球形の突出部分によって行わ
れている請求項２４に記載の電子部品。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR9602998 | 1996-03-06 | ||
| FR9602998A FR2745954B1 (fr) | 1996-03-06 | 1996-03-06 | Bande metallique predecoupee pour la fabrication de composants electroniques, procede de fabrication de tels composants ainsi obtenus |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH104166A true JPH104166A (ja) | 1998-01-06 |
| JP3949769B2 JP3949769B2 (ja) | 2007-07-25 |
Family
ID=9490030
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP05216997A Expired - Fee Related JP3949769B2 (ja) | 1996-03-06 | 1997-03-06 | 電子部品の組立のためのフレームと得られた部品と部品を組立てをするための過程 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0794571B9 (ja) |
| JP (1) | JP3949769B2 (ja) |
| KR (1) | KR100483500B1 (ja) |
| DE (1) | DE59704498D1 (ja) |
| FR (1) | FR2745954B1 (ja) |
| SG (1) | SG64417A1 (ja) |
| TW (1) | TW335542B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6849930B2 (en) | 2000-08-31 | 2005-02-01 | Nec Corporation | Semiconductor device with uneven metal plate to improve adhesion to molding compound |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6358774B1 (en) * | 1999-01-11 | 2002-03-19 | U.S. Philips Corporation | Method of manufacturing a semiconductor device |
| GB0213094D0 (en) * | 2002-06-07 | 2002-07-17 | Power Innovations Ltd | Lead frame |
| DE602004031422D1 (de) | 2003-06-18 | 2011-03-31 | Nxp Bv | Verfahren zur herstellung einer halbleitervorrichtung mit einem leiterrahmen und vorrichtung hierzu |
| CN217280759U (zh) | 2022-04-08 | 2022-08-23 | 力特半导体（无锡）有限公司 | 小外形tvs封装结构 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4158745A (en) * | 1977-10-27 | 1979-06-19 | Amp Incorporated | Lead frame having integral terminal tabs |
| US4616250A (en) * | 1984-07-03 | 1986-10-07 | Motorola, Inc. | Contact assembly for small semiconductor device |
| JPS6235549A (ja) * | 1985-08-08 | 1987-02-16 | Mitsubishi Electric Corp | 整流装置 |
| JPH06101493B2 (ja) * | 1986-03-28 | 1994-12-12 | 松下電器産業株式会社 | プラスチツクチツプキヤリア |
| JPH0357251A (ja) * | 1989-07-26 | 1991-03-12 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
| US4994412A (en) * | 1990-02-09 | 1991-02-19 | Motorola Inc. | Self-centering electrode for power devices |
| JPH05109978A (ja) * | 1991-10-17 | 1993-04-30 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
| US5343072A (en) * | 1990-08-20 | 1994-08-30 | Rohm Co., Ltd. | Method and leadframe for making electronic components |
| JPH0547835A (ja) * | 1991-08-09 | 1993-02-26 | Seiko Epson Corp | 半導体装置の実装構造 |
| KR930009029A (ko) * | 1991-10-17 | 1993-05-22 | 김광호 | Tab을 이용한 패키지 |
-
1996
- 1996-03-06 FR FR9602998A patent/FR2745954B1/fr not_active Expired - Lifetime
-
1997
- 1997-02-26 EP EP19970103078 patent/EP0794571B9/de not_active Expired - Lifetime
- 1997-02-26 DE DE59704498T patent/DE59704498D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1997-02-27 KR KR1019970006144A patent/KR100483500B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 1997-03-03 SG SG1997000634A patent/SG64417A1/en unknown
- 1997-03-04 TW TW086102569A patent/TW335542B/zh not_active IP Right Cessation
- 1997-03-06 JP JP05216997A patent/JP3949769B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6849930B2 (en) | 2000-08-31 | 2005-02-01 | Nec Corporation | Semiconductor device with uneven metal plate to improve adhesion to molding compound |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE59704498D1 (de) | 2001-10-11 |
| EP0794571B9 (de) | 2002-08-07 |
| EP0794571B1 (de) | 2001-09-05 |
| EP0794571A1 (de) | 1997-09-10 |
| KR100483500B1 (ko) | 2006-05-04 |
| JP3949769B2 (ja) | 2007-07-25 |
| TW335542B (en) | 1998-07-01 |
| FR2745954B1 (fr) | 1999-10-22 |
| KR970068051A (ko) | 1997-10-13 |
| SG64417A1 (en) | 1999-04-27 |
| FR2745954A1 (fr) | 1997-09-12 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050524 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20050824 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20050831 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20051124 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060110 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060410 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060905 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20061205 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20061208 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
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|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110427 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110427 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110427 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120427 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130427 Year of fee payment: 6 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
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