JPH1046340A - 成膜方法および成膜装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ＣＤなどのドーナツ状円盤型基体の表面に被
膜を形成するに際し、被膜境界部にぼけ等の発生がない
スパッタリングなどによる成膜方法および成膜装置を提
供することを目的とする。 【解決手段】 減圧装置に接続したチャンバー５１内で
ドーナツ状円盤型基体１１の表面に金属材料を飛散させ
てドーナツ状の金属被膜２を形成する成膜方法におい
て、円盤型基体１１の中央部１３および周縁部１４を表
裏両面から押圧保持して被膜材料を被着する成膜方法お
よび成膜装置である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、コンパクトディス
クなどのドーナツ状円盤型基体の表面にアルミニウム等
の被膜をスパッタリングなどで形成する成膜方法および
その装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】最近、デジタル化された音声信号や画像
情報を大量に記録するのに、広く使用されているコンパ
クトディスク（以下、ＣＤと称する。）やデジタルビデ
オディスク（以下、ＤＶＤと称する。）は、ポリカーボ
ネイト等の透明な合成樹脂板製のドーナツ状円盤型基体
の表面にたとえばスパッタリング等などにより光反射率
の高いアルミニウム等の薄膜を形成したものからなる。

【０００３】そして、たとえばＣＤは、この基体表面の
アルミニウム等の膜に、情報を「１」、「０」からなる
デジタル信号に変えたビットと称する小さな孔を開けて
記録させてあり、これにレーザ光を当て反射波の有無
（孔の有無) を検出して、記録情報を読み出すようにし
ている。

【０００４】そして、現在の１２ｃｍ型のＣＤ１は、図
４に示すように円盤型基体１１の外径が１２０ｍｍ、厚
さ１．２ｍｍ、中心部の孔１２径が１５ｍｍ、透明部が
基体１１の中心から約２０ｍｍの間に、アルミニウム等
の被膜２が基体１１の中心から約２０ｍｍ〜約５９ｍｍ
の孔１２周辺の内端側１３および外端側（周縁部）１４
を除く間に形成してある。

【０００５】従来、このドーナツ状円盤型基体の表面に
たとえばスパッタリングにより被膜を形成するのは図５
に示すような設備を用い行なわれていた。チャンバー等
の真空室内のホルダー６４の段部６３上に載置して移送
されてきた円盤型基体１１は、その状態のままスパッタ
ーを行うと全面に被膜２が形成されてしまうので、マス
キングをして作業が行われている。

【０００６】すなわち、ホルダー６４の内部には進退自
在に挿通して、センターブラケット８１が配設されてい
る。このセンターブラケット８１は、シャフト８３の先
端にコイル状ばね８５を介して弾性的に軸方向へ自由度
を有して取着され、先端がドーナツ状円盤型基体１１の
孔内に容易に挿入されるようテーパー状の先頭部８７が
形成されている。また、シャフト８３の下端にはシリン
ダ装置８４が連結してある。また、上方にはスパッター
源となるマグネトロンスパッタリング装置（図示しな
い。）、先端が円状のセンターマスク７１およびリング
状のアウターマスク７３が配設されている。

【０００７】そして、スパッター作業は、シリンダ装置
８４を作動してシャフト８３を上昇させると、センター
ブラケット８１先端の先頭部８７が円盤型基体１１の中
央孔１２内に侵入する。この先頭部８７はテーパー状で
あるため中心の孔１２内に容易に侵入し、円盤型基体１
１が平坦部に達したところで円盤型基体１１はホルダー
６４の段部６３から押し上げられる。さらに押し上げが
すすむと、円盤型基体１１の中央部がセンターマスク７
１の当接部７２に当たるとともに円盤型基体１１の周縁
部１４もアウターマスク７３の当接部７４に当たる。こ
のとき、円盤型基体１１は弾性変形してその反力により
円盤型基体１１の周縁部１４がアウターマスク７３に確
実に押し当てられる。

【０００８】そして、この状態でチャンバー内が所定の
真空度に達したら、マグネトロンスパッター装置を作動
してアルミニウムの微粒子を放出させ、円盤型基体１１
の表面にアルミニウム被膜２を形成する。この被膜２の
形成が終了したら、シリンダ装置８４を作動してシャフ
ト８３を下降させると、円盤型基体１１を保持している
インナーブラケット８１が下降し、途中のホルダー６４
部を通過のとき円盤型基体１１の周縁部１４が段部６３
に引っ掛かって、円盤型基体１１はこの段部６３上に載
置される。

【０００９】この後、チャンバー内に窒素等を封入して
ホルダー６４から円盤型基体１１を取り出すことによっ
て作業は終了する。

【００１０】しかし、このような装置によるスパッター
作業では、形成された被膜２に欠陥の生じることがあっ
た。これは、円盤型基体１１の種類、材質、厚さなどに
よるもののほか、同一の部品でもばらつきがあり、上記
作業においてセンターブラケット８１の押し上げ時に、
円盤型基体１１の周縁部１４に加わるアウターマスク７
３の押圧力が変わったり、被着される被膜材料によって
も円盤型基体１１にかかる応力が変わるため、円盤型基
体１１とセンターマスク７１やアウターマスク７３との
間に隙間を生じ被膜材料が入り込むことがあった。（な
お、図５はこの円盤型基体１１が変形した状態を誇張し
て示してある。） この被膜の非形成部への被着は、境界部が不明確で被膜
がはみでるぼけ等の発生があり、特性的にも外観的にも
改善の必要があった。また、円盤型基体１１がそり等湾
曲するときおよび湾曲から元に戻るときに外縁部１４を
擦っていくので、この外縁部１４付近には傷の発生があ
った。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】本発明はこのような事
情に鑑みなされたもので、ＣＤなどのドーナツ状円盤型
基体の表面に被膜を形成するに際し、被膜境界部にぼけ
等の発生がないスパッタリングなどによる成膜方法およ
び成膜装置を提供することを目的とする。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明の請求項１に記載
の成膜方法は、減圧装置に接続したチャンバー内でドー
ナツ状円盤型基体の表面に被膜材料を飛散させてドーナ
ツ状の被膜を形成する成膜方法において、円盤型基体の
中央部および周縁部を表裏両面から押圧保持して被膜材
料を被着させることを特徴とする。

【００１３】円盤型基体は中央部および周縁部を表裏両
面からほぼ一直線の状態で保持された状態で被膜が形成
されるので、被膜形成の境界部を明確にだすことができ
る。また、円盤型基体にそり等の変形が発生しないので
基体の周縁部がずれることがなく擦り傷の発生もない。

【００１４】本発明の請求項２に記載の成膜方法は、減
圧装置に接続したチャンバー内のホルダーにドーナツ状
円盤型基体の周縁部を保持させる工程と、このホルダー
内を上昇させたセンターブラケットの先端部をドーナツ
状円盤型基体の孔内に挿入してこの円盤型基体をセンタ
ーブラケット上に載置させるとともに、このセンターブ
ラケットのシャフトに設けたアウターブラケットを円盤
型基体の周縁部に当接させる工程と、上記ブラケットを
上昇させてドーナツ状円盤型基体上面の中央部をセンタ
ーマスクに、また、周縁部をアウターマスクに当接させ
る工程と、排気した上記チャンバー内において被膜材料
を飛散させてドーナツ状円盤型基体の上面に被膜を形成
する工程と、上記両ブラケットを下降させてドーナツ状
円盤型基体上面をマスクから外す工程と、さらに、両ブ
ラケットを下降してドーナツ状円盤型基体をブラケット
から離しホルダー上に載置する工程と、上記ホルダー上
に載置されたドーナツ状円盤型基体を取り出す工程とを
具備していることを特徴とする。

【００１５】上記請求項１に記載したと同様な作用を奏
する。

【００１６】本発明の請求項３に記載の成膜装置は、減
圧装置に接続したチャンバーと、このチャンバー内に設
けられたドーナツ状円盤型基体を保持するホルダーと、
このホルダー内に進退自在に挿通され、先端部がドーナ
ツ状円盤型基体の孔内に挿入されるとともに円盤型基体
を保持するセンターブラケットと、このセンターブラケ
ットのシャフトに設けられた、ドーナツ状円盤型基体の
端縁部に当接するアウターブラケットと、上記センター
ブラケットおよびアウターブラケットを上記シャフトに
弾性的に支持するばね部材と、上記センターブラケット
に対応して設けられたドーナツ状円盤型基体の中央部を
覆うセンターマスクと、上記アウターブラケットに対応
して設けられたドーナツ状円盤型基体の周縁部を覆うア
ウターマスクと、上記センターマスクおよびアウターマ
スクの配設側に設けられた被膜材料を飛散させる装置と
を具備していることを特徴とする。

【００１７】上記請求項１に記載したと同様な作用を奏
する。

【００１８】本発明の請求項４に記載の成膜装置は、ホ
ルダーの内周径はドーナツ状円盤型基体の外径より大き
く、内周縁部に複数個の突出した凸部が形成され、ま
た、アウターブラケットの外周径はドーナツ状円盤型基
体の外径より大きく、周縁部に複数個の凹部が形成され
ていて、両者の凹凸部が合致して互いに接触することな
く挿通できることを特徴とする。

【００１９】同軸に中心が設けられたホルダーおよびア
ウターブラケットが、円盤型基体を保持して接触や衝突
をすることなく入り違いできる。

【００２０】本発明の請求項５に記載の成膜装置は、セ
ンターブラケットおよびアウターブラケットは、それぞ
れ独立して作用するばね部材を備えていることを特徴と
する。

【００２１】同軸に中心が設けられた両ブラケットは、
円盤型基体の厚さ等にばらつきがあったり品種が変わり
厚さが異なったりしてもばね部材が伸縮して円盤型基体
をほぼ一直線の状態で保持することができ、上記請求項
１に記載と同様な作用を奏する。

【００２２】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照して説明する。図１はＣＤの製造工程であるスパ
ッタリングによる成膜装置の一例を示す説明図、図２は
図１の要部を拡大して示す正面断面図である。

【００２３】図１において３はＣＤ１のドーナツ状円盤
型基体１１を載置搬送するベルトコンベヤー、４はトラ
ンスファー装置で、上下動（矢印）可能な回転軸４１
に、この回転軸４１を中央にして相対方向に伸びる後述
するチャンバー５１の窓孔５２を塞ぐ円盤状のブラケッ
ト４２，４２が取付けられ、各ブラケット４２，４２の
下面には真空ポンプなどの減圧装置（図示しない。）に
接続されたゴムパッド４３，４３が設けられている。な
お、このゴムパッド４３，４３の先端部は円盤型基体１
１中心の孔１２より外周辺で被膜２が形成されない内端
側１３に位置するのが、被膜２を傷付けることないので
好ましい。

【００２４】また、５はスパッタリング装置で、上方に
スパッタするドーナツ状円盤型基体１１より大径の円形
窓孔５２，５３が設けられたチャンバー５１を備え、こ
のチャンバー５１内には回転軸６１を中央にして相対方
向に伸びるブラケット６２，６２が取付けられ、各ブラ
ケット６２，６２には円盤型基体１１の周縁部１４を載
置して保持する段部６３を備えたリング状のホルダー６
４，６４が設けられている。また、５４は窓孔５３に連
接したスパッターが行われる成膜室で、上記チャンバー
５１と成膜室５４とで真空室を構成している。

【００２５】この成膜室５４内にはマグネトロンスパッ
タリング装置７および円盤型基体１１の中央部を覆うセ
ンターマスク７１が設けられている。また、７２はセン
ターマスク７１先端の円盤型基体１１の中央孔１２近傍
との当接部である。また、７３は窓孔５３の内周に設け
られたアウターマスク、７４は円盤型基体１１の周縁部
１４との当接部、５５は真空ポンプなどの減圧装置（図
示しない。）に接続された排気通路、９５等の黒点は気
密保持用のパッキングである。

【００２６】また、８はプッシャーで、ドーナツ状円盤
型基体１１の中心の孔１２に挿通して、この円盤型基体
１１を保持するセンターブラケット８１および円盤型基
体１１の周縁部１４を載置して保持するアウターブラケ
ット８２がシャフト８３に固定してある。また、成膜室
５４側下方のチャンバー５１の底壁には電磁作動または
気体圧作動して上記シャフト８３を上下動させるシリン
ダ装置８４が気密取着されている。なお、このシャフト
８３は回転しない。

【００２７】また、本発明の主要部を構成する部分を図
２および図３を参照してさらに説明する。図２中図１と
同一部分には同一の符号を付してその説明は省略する。

【００２８】上記シリンダ装置８４に連接したシャフト
８３先端にねじなどで固定されたセンターブラケット８
１および中間部にストッパー８８ａで固定された後側の
アウターブラケット８２は、このシャフト８３に対しそ
れぞれコイル状のばね部材８５，８６が嵌合してあって
弾性的に軸方向へ自由度を有して取着されている。図２
中、８７はセンターブラケット８１のテーパー状をなす
先頭部、８８ｂはアウターブラケット８２のコイル状ば
ね８６のストッパー、８９はアウターブラケット８２先
端の円盤型基体１１の周縁部１４との当接部である。

【００２９】また、図３（ａ）は、ドーナツ状円盤型基
体１１の保持部がリング状をなすホルダー６４の上面図
であって、その内周径は円盤型基体１１の外径より大き
く、内周縁部に複数個の突出した段部６３，６３，…が
形成されている。また、図３（ｂ）は、アウターブラケ
ット８２の上面図であって、その外周径は円盤型基体１
１の外径より大きく、周縁部に複数個の凹部９０，９
０，…が形成されている。そして、両者の関係はホルダ
ー６４の内側にアウターブラケット８２が入った二重の
状態になるが、それぞれの外周部は凹凸部６５，９０が
合致して互いに接触することなく隙間を挿通できる。

【００３０】そして、このスパッタリング装置５におけ
るスパッター作業は次のようにして行われる。

【００３１】ベルトコンベヤー３で搬送されてきたドー
ナツ状円盤型基体１１は、下降してきたトランスファー
装置４の円盤状のブラケット４２に設けられているゴム
パッド４３，４３によって吸引する。（真空ポンプなど
の減圧装置は図示されていない。） そして、トランスファー装置４の回転軸４１を上昇さ
せ、たとえば図１の仮想線の位置まで来たら回転軸４１
を１８０度回転し、つぎに、回転軸４１を下降して、円
盤状のブラケット４２をスパッタリング装置５のチャン
バー５１の円形窓孔５２上に移動させる。この状態は円
盤状のブラケット４２がチャンバー５１の円形窓孔５２
を閉塞するとともに、チャンバー５１内のリング状のホ
ルダー６４上に円盤型基体１１を位置させることにな
る。そして、ゴムパッド４３，４３の吸引を解くと（吸
引ラインに窒素等を封入）円盤型基体１１はホルダー６
４の段部６３上に載置される。

【００３２】つぎに、チャンバー５１内の回転軸６１を
１８０度回転して、円盤型基体１１の載ったホルダー６
４を成膜室５４と対面する位置に移動する。なお、上記
ブラケット４２により円形窓孔５２を閉塞した後、チャ
ンバー５１内および成膜室５４内は排気通路５５を通じ
排気し減圧させる。ついで、シリンダ装置８４を動作し
てシャフト８３を上昇させると、シャフト８３先端のセ
ンターブラケット８１のテーパー状の先頭部８７がホル
ダー６４上のドーナツ状円盤型基体１１の中央部の孔１
２内に侵入していくとともに後ろ側のアウターブラケッ
ト８２も上昇して、先端の当接部８９が円盤型基体１１
の周縁部１４と当接し、両ブラケット８１，８２が共働
して円盤型基体１１をホルダー６４上から押し上げる。

【００３３】そして、この両ブラケット８１，８２によ
って中心の孔１２および周縁部１４に接して押し上げ保
持された円盤型基体１１は、反対面の中央部が上方にあ
るセンターマスク７１の当接部７２に、また、周縁部１
４がアウターマスク７３の当接部７４に押し付けられ
る。すなわち、円盤型基体１１はその中央部および周縁
部１４が両側面から挟み押圧され湾曲することなく水平
状態に保持される。このとき、両ブラケット８１，８２
はそれぞれ独立したばね部材８５，８６を介し設けられ
ているので、それぞれの押圧力を吸収して水平に保持さ
せることができる。

【００３４】この状態でチャンバー５１内および成膜室
５４内の排気がすすみ所定の真空度に達したら、マグネ
トロンスパッタリング装置７を作動して被膜材料である
アルミニウムをスパッターさせる。このスパッターによ
り飛散したアルミニウム粒子は、主として円盤型基体１
１の表面、センターマスク７１の外表面やアウターマス
ク７３の表面に被着され、これらに所定膜厚のアルミニ
ウム被膜２が形成できる。

【００３５】このスパッタリングが終了したら、シリン
ダ装置８４を動作してシャフト８３を下降させると、円
盤型基体１１を保持しているインナーブラケット８１お
よびアウターブラケット８２も下降し、途中のホルダー
６４部を通過のとき円盤型基体１１の周縁部１４が段部
６３に引っ掛かって、円盤型基体１１はこの段部６３上
に載置される。

【００３６】そして、回転軸６１を１８０度回転して、
円盤型基体１１の載ったホルダー６４を図１において右
方に移動するとともに排気を止め排気通路５５を通じて
チャンバー５１内に窒素などを封入する。このチャンバ
ー５１内が大気圧状態になったら、チャンバー５１の円
形窓孔５２上にあるブラケット４２のゴムパッド４３，
４３を真空系につなぎホルダー６４上にある円盤型基体
１１を吸引させる。

【００３７】つぎに、トランスファー装置４の回転軸４
１を上昇させ、たとえば図１の仮想線の位置まで来たら
回転軸４１を１８０度回転し、ここでゴムパッド４３，
４３の真空状態を大気圧に切替えると円盤型基体１１の
保持が解かれ、アルミニウム被膜２を形成した円盤型基
体１１を取出すことができる。

【００３８】なお、この後トランスファー装置４を下降
させてコンベヤー３上の新たな円盤型基体１１をゴムパ
ッド４３，４３で吸引して、スパッタリング装置５に送
り上述した作業を繰り返し行う。

【００３９】上述した装置および方法でスパッタリング
が行われたドーナツ状円盤型基体１１は、その中央部お
よび周縁部１４が両側面からマスク７１，７２等で挟み
押圧されて、そり等の湾曲することなく水平状態に保持
された状態でスパッターされるので、被膜２形成の境界
部が明確になり、被膜２がはみでるぼけ等の発生がない
とともに基体１の湾曲がないので擦り傷の発生もなく、
特性的にも外観的にも向上したＣＤ１を作り出すことが
できた。

【００４０】上記のセンターブラケット８１、アウター
ブラケット８２、センターマスク７１およびアウターマ
スク７３を用いてアルミニウム被膜２を形成した図４に
示すＣＤ１は、中央部の被膜非形成部の直径Ｄが４０ｍ
ｍ、周縁部１４の端面からの被膜非形成部幅Ｗが１ｍｍ
で、境界がはっきりしていて被膜２にぼけ等の発生は見
られなかった。

【００４１】なお、本発明は上記実施の形態に限らな
い。たとえば、被膜形成の対象物はＣＤに限らず、ＬＤ
（レーザーディスク）、ＤＶＤ（デジタルビデオディス
ク）、ＭＤ（ミニディスク）やＭＯ（マグネットオプチ
カル）などの製造にも適用が可能である。

【００４２】また、上記実施の形態では被膜の形成をス
パッタリングによる場合について述べたが、スパッタリ
ングに限らず、真空中で被膜形成を行なう真空蒸着やイ
オンプレーティングによる方法や装置を適用することが
できる。その他、装置各部の詳細構成も実施の形態に記
載したものに限らない。また、作業は円盤型基体を水平
に保持して被膜の形成を上方より行ったが、上方からに
限らず下方からでもよく、さらに、円盤型基体を垂直に
保持して被膜の形成を行ってもよい。

【００４３】さらに、被膜材料もアルミニウム（Ａｌ）
のほか金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、ケイ素
（Ｓｉ）などの被膜形成を行うことができる。

【００４４】

【発明の効果】本発明の請求項１ないし請求項３の発明
によれば、円盤型基体を中央部および外端部で真直に保
持して均一な被膜を所定範囲に精度高く形成できる。ま
た、基体を弾性的に保持しているので基体の厚さや被膜
形成材料が変わっても真直な保持が可能であり、円盤型
基体がそり等湾曲したり湾曲から元に戻る過程で起こる
擦り傷の発生を防止できる。

【００４５】また、本発明の請求項４の発明によれば、
簡単な構成で円盤型基体の移し変えが容易に行える。

【００４６】さらに、本発明の請求項５の発明によれ
ば、簡単な構成で円盤型基体の真直度を高めることがで
き、装置コストを低減できる。

【００４７】さらに、本発明の請求項６の発明によれ
ば、ＣＤ（基体の厚さ１．２ｍｍ）やＤＶＤ（基体の厚
さ０．６ｍｍ）を、装置の切り替えなく、また、あって
も簡単な調整で容易に行わせることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のスパッタリング装置の実施の形態を示
す説明図である。

【図２】本発明の要部を拡大して示す一部断面正面図で
ある。

【図３】本発明の要部を上面から見た説明図で、（ａ）
はホルダー、（ｂ）はアウターマスクを示す。

【図４】コンパクトディスク（ＣＤ）の正面図である。

【図５】従来のスパッタリング装置の一部を示す一部断
面正面図である。

【符号の説明】

１：コンパクトディスク（ＣＤ） １１：ドーナツ状円盤型基体 １２：中心の孔 １４：周縁部 ２：被膜 ５：スパッタリング装置 ５１：チャンバー ５４：成膜室 ６３：段部 ６４：ホルダー ７１：センターマスク ７３：アウターマスク ８１：センターブラケット ８３：シャフト ８４：シリンダ装置

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 減圧装置に接続したチャンバー内でドー
   ナツ状円盤型基体の表面に被膜材料を飛散させてドーナ
   ツ状の被膜を形成する成膜方法において、円盤型基体の
   中央部および周縁部を表裏両面から押圧保持して被膜材
   料を被着させることを特徴とする成膜方法。
2. 【請求項２】 減圧装置に接続したチャンバー内のホル
   ダーにドーナツ状円盤型基体の周縁部を保持させる工程
   と；このホルダー内を上昇させたセンターブラケットの
   先端部をドーナツ状円盤型基体の孔内に挿入してこの円
   盤型基体をセンターブラケット上に載置させるととも
   に、このセンターブラケットのシャフトに設けたアウタ
   ーブラケットを円盤型基体の周縁部に当接させる工程
   と；上記ブラケットを上昇させてドーナツ状円盤型基体
   上面の中央部をセンターマスクに、また、周縁部をアウ
   ターマスクに当接させる工程と；排気した上記チャンバ
   ー内において被膜材料を飛散させてドーナツ状円盤型基
   体の上面に被膜を形成する工程と；上記両ブラケットを
   下降させてドーナツ状円盤型基体上面をマスクから外す
   工程と；さらに、両ブラケットを下降してドーナツ状円
   盤型基体をブラケットから離しホルダー上に載置する工
   程と；上記ホルダー上に載置されたドーナツ状円盤型基
   体を取り出す工程；とを具備していることを特徴とする
   成膜方法。
3. 【請求項３】 減圧装置に接続したチャンバーと；この
   チャンバー内に設けられたドーナツ状円盤型基体を保持
   するホルダーと；このホルダー内に進退自在に挿通さ
   れ、先端部がドーナツ状円盤型基体の孔内に挿入される
   とともに円盤型基体を保持するセンターブラケットと；
   このセンターブラケットのシャフトに設けられた、ドー
   ナツ状円盤型基体の端縁部に当接するアウターブラケッ
   トと；上記センターブラケットおよびアウターブラケッ
   トを上記シャフトに弾性的に支持するばね部材と；上記
   センターブラケットに対応して設けられたドーナツ状円
   盤型基体の中央部を覆うセンターマスクと；上記アウタ
   ーブラケットに対応して設けられたドーナツ状円盤型基
   体の周縁部を覆うアウターマスクと；上記センターマス
   クおよびアウターマスクの配設側に設けられた被膜材料
   を飛散させる装置と；を具備していることを特徴とする
   成膜装置。
4. 【請求項４】 上記ホルダーの内周径はドーナツ状円盤
   型基体の外径より大きく、内周縁部に複数個の突出した
   凸部が形成され、また、アウターブラケットの外周径は
   ドーナツ状円盤型基体の外径より大きく、周縁部に複数
   個の凹部が形成されていて、両者の凹凸部が合致して互
   いに接触することなく挿通できることを特徴とする請求
   項３に記載の成膜装置。
5. 【請求項５】 上記センターブラケットおよびアウター
   ブラケットは、それぞれ独立して作用するばね部材を備
   えていることを特徴とする請求項３に記載の成膜装置。