JPH1049825A

JPH1049825A - 磁気ヘッド及びその製造方法

Info

Publication number: JPH1049825A
Application number: JP20831796A
Authority: JP
Inventors: Teruyuki Inaguma; 輝往稲熊
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1996-08-07
Filing date: 1996-08-07
Publication date: 1998-02-20

Abstract

(57)【要約】【課題】磁気ヘッドに形成された薄膜コイルの外部と
の接続端子の形成を簡略化するとともに、この磁気ヘッ
ドの生産性、歩留まりを向上させる。【解決手段】この磁気ヘッド１は、一対の磁気ヘッド
半体２ａ、２ｂに薄膜コイルの端子を形成するための端
子溝が形成され、この端子溝内に、薄膜コイルと導通し
た導電性を有する線材が配設され、この端子溝内に、充
填材を充填することによって線材を固定させて、薄膜コ
イルの端子部８ａ、８ｂとして外部に露呈している。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する分野】本発明は、ビデオカセットテープ
等の記録再生用磁気ヘッド及び製造方法に関し、特に、
外部接続端子の形成を容易かつ簡略化した磁気ヘッド及
びその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】ビデオカセットレコーダ等に用いられる
磁気ヘッドの製造方法は、コストダウンや生産性を考慮
して、製造工程の短縮化及び簡素化が要求されている。

【０００３】例えば、ビデオカセットレコーダ等に用い
られる磁気ヘッドは、一対の磁気ヘッド半体を磁気ギャ
ップを介して突き合わさるようにして接合一体化されて
なる。この磁気ヘッドを構成する磁気ヘッド半体は、非
磁性基板と、この非磁性基板上に成膜され磁気コアとし
て機能する磁性層と、この磁性層上に充填されたガラス
と、ガラス部分に薄膜形成プロセスによって形成される
ことによって磁気コアの内部に埋め込まれた薄膜コイル
とを有してなる。

【０００４】この磁気ヘッドは、薄膜コイルが磁気ヘッ
ドの内部に埋め込まれた構造であるために、外部からこ
の薄膜コイルを引き出すのは容易ではない。そこで、こ
の磁気ヘッドは、各磁気ヘッド半体の薄膜コイルを電気
的に接続可能とするように、導電性材料で生められた
溝、すなわち端子溝を備える。

【０００５】この端子溝は、各磁気ヘッド半体の薄膜コ
イルの最外周端を引き出し端子とされ、各磁気ヘッド半
体を接合したときにその断面が磁気ヘッドの表面に露呈
するように形成される。したがって、この端子溝は、磁
気ヘッドに備えられた薄膜コイルと外部端子との電気的
接続を容易にすることが可能となる。

【０００６】上記の端子溝は、導電性材料が溝内に形成
されることにより、外部端子との接続を可能とする。こ
の導電性材料の形成方法は、端子溝内に導電性ペースト
を充填させる方法と、電解メッキ法により導電性材料を
成長させる方法とがある。

【０００７】上記端子溝内に導電性ペーストを充填させ
る方法は、先ず、端子溝がガラス上に薄膜コイルと接続
可能な場所に形成される。例えばこの端子溝の深さは、
約１００μｍ、端子溝の幅は、約２００μｍに形成され
る。

【０００８】次に、端子溝内に導電性ペーストを充填さ
せる。次いで、端子溝上に隆起して堆積した導電性ペー
ストを除去して表面を平坦化し、焼成することによって
端子溝内に導電性の材料が形成される。その後、ガラス
表面に対して鏡面処理を施して平坦化することによって
端子溝内に導電性材料が充填される。

【０００９】一方、電解メッキ法により導電性材料を成
長させる方法は、先ず、端子溝内に電解メッキ法等によ
りＣｕ等の良導電性の材料を成長させる。ここで、Ｃｕ
等の良導電性の材料の厚みは、少なくとも端子溝内が完
全に埋まる程度となることが必要である。次に、Ｃｕ等
の導電性材料を形成した端子溝の表面を平滑化すること
によって端子溝内に導電性の材料が形成される。

【００１０】このように形成された端子溝は、形成され
た導電性材料により磁気ヘッド半体が接合されて、この
導電性材料が磁気ヘッドの表面に露呈されることによっ
て、外部端子との電気的接続を容易にすることが可能で
ある。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、各磁気
ヘッド半体に形成される端子溝は、例えば幅が約２００
μｍ、深さが約１００μｍという細い溝で形成され、電
解メッキ法、導電性ペーストにより導電性材料が充填さ
れる。このように構成された端子溝には、導電性材料
と、端子溝の底面もしくは側面との間に空洞が生じ、完
全に端子溝内を導電性材料で充填することは容易でな
い。

【００１２】このように、端子溝内に空洞部分を生ずる
ことによって、導電性材料が空気に触れることにより、
導電性材料が酸化されることによる腐食、錆等を生ず
る。

【００１３】この酸化されることによる導電性材料の腐
食、錆等は、各磁気ヘッド半体の接合強度を劣化させ
て、各磁気ヘッド半体が剥がれやすくなるという不都合
を生ずる。さらに、この端子溝は、薄膜コイルを形成す
る前に基板上に形成されるために、端子溝が導電体によ
り完全に埋まってないと、基板上に凹凸が生ずることに
よって、薄膜コイルの形成工程におけるフォトリソ工程
で、フォトレジスト膜の不均一、マスクコンタクトの偏
りといった悪影響を生じ、薄膜コイルの形成が困難にな
るという問題を生ずる。

【００１４】さらに、このような端子溝と導電性材料と
の空洞は、ワイヤーボンディング等にて外部接続端子で
あるリード線等と磁気ヘッドの表面に露呈された端子部
とを接続する際に、付着不良や付着力不足等の不都合を
生ずる。

【００１５】したがって、このように構成された磁気ヘ
ッドは、端子溝が完全に埋められていないと、歩留まり
が低下し、さらに、製造後に薄膜コイルが全く使用不可
能になるといった問題を生ずる。

【００１６】この端子溝内に空洞を生ずるという問題に
対して、端子溝内に電解メッキ法により導電性材料を成
長させる方法は、底面部分にのみにメッキ陰極電極とな
る下地層を設けることで対処している。しかし、この場
合、端子溝の底面のみに下地層を設けるためには薄膜形
成工程と、砥石工程を繰り返すために、工程数が増加す
るという不都合を生ずる。

【００１７】一方、端子溝内に導電性ペーストを充填さ
せる方法は、導電性ペーストの充填後の加熱焼成によ
り、導電性ペーストの体積が減少するために、端子溝内
の導電性ペーストにひびや割れを生ずる。したがって、
この端子溝内の導電性ペーストのひびや割れは、端子溝
内に空洞を生じ、上述のような問題点が生ずる。

【００１８】そこで本発明は、上述のような実情に鑑み
て提案されたものであり、薄膜コイルの端子形成を容易
にして生産性、歩留まりを向上させる磁気ヘッド及びそ
の製造方法を提供することを目的とする。

【００１９】

【課題を解決するための手段】このような課題を解決す
る本発明にかかる磁気ヘッドは、非磁性基板上に形成さ
れた磁性層と、上記磁性層を巻回する薄膜コイルとを有
する一対の磁気ヘッド半体が、金属拡散接合されて、外
部に上記薄膜コイルの接続端子が設けられた磁気ヘッド
であって、薄膜コイルを外部に引き出す端子溝に導電性
を有する線材を配設し、線材を充填材により固定された
上記薄膜コイルの接続端子が設けられる。

【００２０】このように構成された磁気ヘッドは、端子
溝の内部に導電性を有する線材を配設して、この線材を
充填材により固定させるようにしたので、薄膜コイルの
端子を容易かつ確実に形成することが可能となる。

【００２１】また、本発明にかかる磁気ヘッドの製造方
法は、非磁性基板上に形成された磁性層と、上記磁性層
を巻回する薄膜コイルとを有する一対の磁気ヘッド半体
が、金属拡散接合されて、外部に上記薄膜コイルの接続
端子が設けられた磁気ヘッドの製造方法であって、薄膜
コイル形成前に、端子溝を形成する工程と、端子溝に導
電性を有する線材を配設する工程と、線材を充填材によ
り固定する工程とを有する。

【００２２】このような磁気ヘッドの製造方法は、端子
溝の内部に導電性を有する線材を配設し、その後この線
材を充填材により固定させるので、信頼性の高い薄膜コ
イルの端子部を容易に形成することが可能になる。

【００２３】

【発明の実施の形態】以下、本発明にかかる磁気ヘッド
及びその製造方法の実施の形態について図面を参照しな
がら詳細に説明する。なお、本実施の形態は、ビデオカ
セットテープ用の磁気ヘッドに本発明を適用したもので
ある。

【００２４】本実施の形態の磁気ヘッド１は、図１及び
図２に示すように、一対の磁気ヘッド半体２ａ、２ｂが
磁気ギャップｇを介して突き合わされて接合一体化して
なる。この磁気ヘッド１は、各磁気ヘッド半体２ａ、２
ｂの表面に形成されたＡｕ等の金属膜を金属拡散結合さ
せて磁気ギャップ３を形成して接合してなる。

【００２５】これら磁気ヘッド半体２ａ、２ｂは、基板
４と、この基板４上に成膜されて磁気コアとして機能す
る磁性層５と、これら基板４及び磁性層５上に充填され
たガラス６と、このガラス６部分に薄膜形成プロセスに
よって形成された薄膜コイル７と、電気的に薄膜コイル
７と外部端子との接続するための端子溝９とを有してな
る。

【００２６】そして、一対の磁気ヘッド半体２ａ、２ｂ
は、それぞれの磁性層５が突き合わされて各磁性層５間
にフロントギャップｆｇ及びバックギャップｂｇとが形
成されるように接合される。この一対の磁気ヘッド半体
２ａ、２ｂには、上記の端子溝９内に充填材により固定
された線材１０の断面である端子部８ａ、８ｂが形成さ
れる。この薄膜コイル７の端子部８ａ、８ｂは、外部に
露呈して形成されることによって薄膜コイル７の外部と
の接続端子として機能する。

【００２７】この端子部８ａ、８ｂは、導電性の線材１
０が配設され、充填材によって線材１０を固定させた端
子溝９の断面である。この端子部８ａ、８ｂは、基板４
上に充填されたガラス上に形成された端子溝９の断面で
ある。本実施の形態において、この端子溝９は、幅が約
２００μｍ、深さが約１５０μｍにてライン状の溝を砥
石によって形成される。なお、この端子溝９の形状は、
長方形、多角形、底部が丸底であっても良い。

【００２８】ここで、この端子部８ａ、８ｂは、端子溝
９内に導電性の線材１０を配設し、この線材１０を充填
材によって固定されてなる。この線材１０は、導電性の
材料が用いられ、後の工程にて充填材が約３５０度の熱
により焼結されて端子溝９内に固定されるので、約３５
０度の熱に耐えられる材料であればよい。

【００２９】このように構成された磁気ヘッド１は、導
電性の線材１０を端子溝９内に配設し、充填材によって
この線材１０を固定させた端子溝９の断面により構成さ
れる端子部８ａ、８ｂが設けられる。したがって、磁気
ヘッド１は、薄膜コイルと外部端子との接続をワイヤー
ボンディング等の高速自動装置で行えるために、生産性
を極めて向上させることが可能である。

【００３０】以下、上述の磁気ヘッド１の製造方法につ
いて説明する。

【００３１】先ず、図３に示すように、ＭｎＯ−ＮｉＯ
混合燃結材等の非磁性材料よりなる平板上の基板４を例
えば長さ約３０ｍｍ、幅約３０ｍｍ、厚み約２ｍｍに成
形する。

【００３２】次いで、図４に示すように、片面を４５度
に成形した砥石により基板４上に斜面が約４５度の傾き
を持つように磁気コアを形成するための複数の磁気コア
溝４ａをそれぞれ等間隔かつ平行に形成する。ここで、
磁気コア溝４ａの斜面の傾きは、４５度に限定されるも
のではない。ただし、完成した磁気ヘッド１に生じる疑
似ギャップや、トラック幅精度を考慮すると約４５度が
好適である。また、本実施の形態においては、磁気コア
溝４ａの深さを約１３０μｍ、幅を約１５０μｍに形成
した。

【００３３】次いで、磁気コア溝４ａが形成された基板
４上には、図５に示すように、磁性層５が形成される。
この磁性層５は、膜厚約５μｍのセンダスト（Ｆｅ−Ａ
ｌ−Ｓｉ合金）からなる金属磁性膜と、膜厚約０．１５
μｍのＡｌ₂Ｏ₃からなる絶縁膜とを交互に、金属磁性膜
が３層となるように積層されてなる。

【００３４】この磁性層５の構造は、単一の金属磁性膜
としても良いが、渦電流損を低減し、高周波帯域におい
て高感度をもたせるために金属磁性膜の膜厚を小さくす
る必要がある。また、絶縁膜の膜厚は、少なくとも絶縁
効果の得られる膜厚が必要であるが、厚すぎると実効的
なトラック幅があまり低下しないように、薄くする必要
がある。

【００３５】この磁性層５の形成方法は、スパッタリン
グ法が好適であるが、蒸着法、分子線エピタキシー（Ｍ
ＢＥ）法等のようなスパッタリング法以外の物理的な成
膜方法や、化学的な成膜方法等を用いても良い。

【００３６】また、この金属磁性膜の材料としては、セ
ンダストが好適であるが、その他の金属磁性体、例え
ば、センダストに類似した合金、窒化系軟磁性合金、炭
化系軟磁性合金等も使用可能である。一方、絶縁膜の材
料としては、Ａｌ₂Ｏ₃、ＳｉＯ₂、又はＳｉＯも使用可
能であり、また、これらＡｌ₂Ｏ₃、ＳｉＯ₂、ＳｉＯの
混合状態でも使用可能である。

【００３７】次いで、この磁性層５が成膜された基板４
上には、図６に示すように、磁気コア溝４ａに対して直
角に、薄膜コイル７を形成するための巻線溝４ｂと、磁
性層５を磁気コア毎に分離する分離溝４ｃとが形成され
る。

【００３８】この巻線溝４ｂは、図２に示すように、フ
ロントギャップｆｇ側の磁性層５がフロントギャップｆ
ｇに向けて斜めに絞り込んだ形となるように、例えば、
巻線溝４ｂのフロントギャップｆｇ側を約４５度の斜面
をもつ砥石にて形成する。このように、フロントギャッ
プｆｇ側の磁性層５がフロントギャップｆｇに向けて絞
り込んだ形になっていると、磁束が集中して高い記録感
度が得られる。

【００３９】ただし、巻線溝４ｂの形状は、フロントギ
ャップｆｇ側の磁性層５がフロントギャップｆｇに向け
て絞り込んだ形になっていれば、巻線溝４ｂのフロント
ギャップ側の斜面の角度は４５度でなくても良い。さら
に、巻線溝４ｂのフロントギャップｆｇ側の形状は、円
弧状又は多角形状であっても良い。

【００４０】また、巻線溝４ｂの深さは、磁性層５が分
断されない深さであれば良いが、深すぎると、磁路長が
大きくなり、磁束伝達の効率が低下する。また、巻線溝
４ｂの幅は、後の工程にて形成される薄膜コイル７の幅
と巻線数によって決定される。そして、本実施の形態で
は、巻線溝４ｂの幅は、約１４０μｍとし、巻線溝の深
さは、約２０μｍとした。

【００４１】一方、分離溝４ｃは、磁性層５が分断され
ていれば任意の形状で良く、例えば加工が容易な矩形状
とする。この分離溝４ｃの深さは、磁気コア溝４ａの底
面から約１５０μｍの深さまで形成した。また、分離溝
４ｃの幅は、磁性層５のフロントギャップｆｇ側部分の
長さと、磁性層５のバックギャップｂｇ側部分の長さと
を規定する。したがって、分離溝４ｃの幅は、所望する
磁気ヘッド１のフロントギャップｆｇの長さとバックギ
ャップｂｇの長さの兼ね合いによって決定される。ただ
し、フロントギャップｆｇの長さは、最終的に磁気ヘッ
ド１を所定の形状に加工する際に媒体摺動面をラップす
るため、最終的に所望するフロントギャップｆｇの長さ
よりも長めに設定して分離溝４ｃを形成する。したがっ
て、本実施の形態においては、フロントギャップｆｇの
長さが約３００μｍ、バックギャップｂｇの長さが約８
５μｍとなるように分離溝４ｃを形成している。

【００４２】次いで、図７に示すように、磁気コア溝４
ａ、巻線溝４ｂ及び分離溝４ｃに低融点のガラス６を溶
解充填し、その後、ガラス６表面に対して鏡面処理を施
す。

【００４３】次に、図８及び図９に示すように、端子溝
９を基板４上にて薄膜コイル７の引き出し部７ａと接続
可能となるような位置に形成する。この端子溝９は、本
実施の形態において、幅を約２００μｍ、深さを約１５
０μｍとなるように、ライン状に砥石により形成した。
なお、この端子溝９の断面形状は、長方形、多角形、及
び端子溝９の底部が丸底になるように形成しても良い。

【００４４】次に、図１０に示すように、この端子溝９
内に、導電性の線材１０を配設する。なお、このとき、
線材１０を両側から引くような治具を用いることによ
り、さらに確実に端子溝９内に線材１０を配設すること
が可能である。

【００４５】この線材１０は、通常、電気配線等で用い
られる銅線がコスト的にも安く入手し易い。ただし、こ
の後の工程で充填材を溶解させるために加えられる約３
５０度の熱に耐えられるものであれば任意である。この
線材１０としては、例えばスズメッキ線、アルミ線、金
線等が好適である。また、この線材１０は、皮膜等の絶
縁物が施されていないものが好ましい。

【００４６】また、この線材１０が金線であれば、半田
接着性、絶縁膜の皮膜等が施されていないという点で好
適である。本実施の形態において、線材１０は、端子溝
９の幅程度の直径寸法を有する円筒形状の導線を採用し
たが、端子溝９内に配設可能な大きさならば、直径寸法
を任意としても良いし、断面形状を任意としても良い。

【００４７】さらに、この線材１０は、端子溝９に対し
て１本のみ配設するとは限らず、直径寸法が小さい線材
１０を端子溝９に対して複数本配設しても良い。ただ
し、この線材１０は、磁気ヘッド半体２が接合された際
に、端子溝９の断面にワイヤーボンディング等が行われ
ることを考慮して、できるだけ大きい断面形状を有する
ことが望ましい。

【００４８】次に、端子溝９内に配設された線材１０を
固定させるために、充填材を端子溝９内に充填する。こ
の充填材としては、低融点ガラス、接着剤、導電性ペー
ストが好適である。

【００４９】充填材として低融点ガラス１１を用いる場
合には、図１１に示すように、端子溝９上に、棒状の低
融点ガラス１１を配設した後に、加熱することによって
低融点ガラス１１を融解させて線材１０と端子溝９との
間隙に充填させる。この後、この融解した低融点ガラス
１１を冷却固定させることによって線材１０を固定す
る。

【００５０】また、充填材として接着剤を用いる場合に
は、線材１０上から、端子溝９に対して接着剤を流し込
む。そして、この接着剤を線材１０と端子溝９との間隙
に充填させ、この接着剤を硬化させることによって線材
１０を固定する。

【００５１】さらに、充填材として導電性ペースト１２
を用いる場合には、図１２に示すように、線材１０上か
ら、導電性ペースト１２を流し込む。次に、端子溝９上
に隆起して堆積した導電性ペーストを除去して表面を平
坦化する。この後、この端子溝内に充填した導電性ペー
スト１２を約３５０度にて加熱焼成させる。

【００５２】このように、充填材は、低融点ガラス１
１、接着剤、導電性ペースト１２が使用され、線材１０
を充填材により固定させた後に、図１３に示すように、
端子溝９近傍を研磨することによって平坦化させる。こ
のとき、充填材の近傍の研磨は、線材１０の一部が表面
上に現れるまで研削を行う必要がある。したがって、端
子溝９の深さは、使用する線材１０を考慮して決定され
る。

【００５３】この後、端子溝９の表面には、薄膜コイル
７が形成が容易になるように、鏡面処理が施され、端子
溝９の形成が終了する。

【００５４】このように構成された端子溝９は、線材１
０を端子溝９内に配設し、その後、充填材により線材１
０が固定されるので、電解メッキ法のように基板４の表
面をアルカリ性又は酸性溶液に浸す必要が無いために、
前工程での磁気コア溝４ａに充填するガラス６に対する
影響を無くすことが可能であり、選択可能なガラス６の
組成範囲を広くすることが可能である。また、この線材
１０を固定する充填材として低融点ガラス１１、接着
剤、導電性ペースト１２を用いて端子溝９を充填させる
ので、端子溝９内に空気を混入させることがない。した
がって、端子溝９内に充填された導電性材料が、酸化さ
れることによる腐食、錆等を防止することが可能であ
る。また、この端子溝９は、溝内に導電性材料を充填さ
せることが容易であるから、溝の深さを大きくすること
が可能である。したがって、この端子溝９は、磁気ヘッ
ド１の表面に露呈される断面積を大きくすることが可能
であるので、ワイヤーボンディング等にて端子部８ａ、
８ｂと、外部端子との接続を容易に行うことが可能であ
る。

【００５５】次に、図１４及び図１５に示すように、薄
膜形成プロセスによって、ガラス６部分に、巻線溝４ｂ
を通過するように、磁気コア毎に渦巻状の薄膜コイル７
を形成する。この薄膜コイル７の形成は、先ず、薄膜コ
イル７と、この薄膜コイル７の引き出し部７ａとが設置
される部分に約５μｍの凹部を形成する。その後、レジ
ストにより薄膜コイル７の形状をパターニングした後に
電解メッキ法等によりＣｕ等の導電性材料を約３μｍ形
成する。ここで、薄膜コイルの引き出し部７ａは、その
端部が端子溝９に配設された線材１０に接触するように
形成される。なお、本実施の形態では、薄膜コイル７の
導電性材料のパターンを電解メッキ法により成長させて
いるが、電解メッキ法に限らず、スパッタリング法や蒸
着法等でも良い。

【００５６】したがって、端子溝９に線材１０が配設さ
せることによって薄膜コイル７の形成が容易になるとと
もに、確実に薄膜コイル７の引き出し部７ａと、線材１
０とを電気的に接続することが可能になる。

【００５７】次に、基板４上には、各磁気ヘッド半体２
ａ、２ｂを接合するために、接合部に例えばＡｕ薄膜の
パターニングを施す。このＡｕ薄膜のパターニングは、
薄膜コイル７、磁性層５より構成される磁気コアのフロ
ントギャップｆｇ及びバックギャップｂｇの各形成部分
のみにフォトレジスト層を形成する。そして、このフォ
トレジスト層をマスクとしてＡｕ薄膜にエッチングを施
す。

【００５８】次に、基板４を各端子溝９と平行に分割し
て各磁気ヘッドブロック半体を作製する。その後、図１
６に示すように、各磁気ヘッドブロック半体を各Ａｕ薄
膜を接触させるように突き合わせ、荷重を加えながら金
属拡散結合させて磁気ヘッドブロックを形成する。な
お、この磁気ヘッド半体を１列ずつ接合させても良い。
また、この磁気ヘッドブロック半体の接合は、本実施の
形態において金属拡散結合を採用しているが、接着剤等
の化学的な接合法等でも良い。

【００５９】したがって、このような磁気ヘッド１の製
造方法によれば、端子溝９内に導電性の線材１０を配設
して、充填材によって線材１０を固定する。したがっ
て、端子溝内が確実に導電性材料で充填され、線材１０
等の酸化による腐食、錆等を防止することが可能であ
る。また、端子部８ａ、８ｂの構造を簡単にすることが
可能であるとともに、端子溝９の形成に要する工程数が
極端に少なくなり磁気ヘッド１の生産性、歩留まりが向
上する。

【００６０】また、このように構成された磁気ヘッド１
の端子部８ａ、８ｂは、上述の磁気ヘッド１の製造方法
により、端子溝９を深くすることが容易となるので、断
面積が大きくなり、ワイヤーボンディングが高速自動装
置で容易に行うことが可能であるので、生産性が極めて
向上する。

【００６１】

【発明の効果】以上詳細に説明したように本発明にかか
る磁気ヘッドは、端子溝に導電性を有する線材を配設
し、線材が充填材により固定された端子部を有する。

【００６２】このように構成された磁気ヘッドは、端子
部の構造が簡単になり歩留まりが向上するとともに、工
数が極端に少なくなり量産性が向上させることが可能で
ある。また、端子溝の深さを大きくすることにより断面
積が大きくなり、高速自動装置でワイヤーボンディング
等が可能であるので、生産性が向上させることが可能で
ある。

【００６３】また、本発明にかかる磁気ヘッドの製造方
法は、薄膜コイル形成前に、端子溝を形成し、端子溝に
導電性を有する線材を配設し、線材を充填材により固定
する工程を有する。

【００６４】このような磁気ヘッドの製造方法によれ
ば、磁気ヘッドの構造が簡単になり歩留まりが向上する
とともに、工数が極端に少なくなり量産性が向上させる
ことが可能である。また、端子溝の深さを大きくするこ
とにより断面積が大きくなり、高速自動装置でワイヤー
ボンディング等が可能であるので、生産性が向上させる
ことが可能である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明にかかる磁気ヘッドの構成を示す斜視図
である。

【図２】同磁気ヘッドの磁気ギャップ近傍を示す要部拡
大斜視図である。

【図３】基板を示す斜視図である。

【図４】基板に磁気コア溝を形成した状態を示す斜視図
である。

【図５】磁気コア溝が形成された基板上に磁性層を形成
した状態を示す斜視図である。

【図６】基板上に巻線溝と、分離溝を形成した状態を示
す斜視図である。

【図７】基板上にガラスを充填した状態を示す斜視図で
ある。

【図８】基板上に充填されたガラス上に端子溝を形成し
た状態を示す斜視図である。

【図９】基板上に端子溝を形成した状態を示す概略図で
ある。

【図１０】基板上に形成された端子溝内に導電性の線材
を配設した状態を示す概略図である。

【図１１】基板上に形成された端子溝内に導電性の線材
を配設し、充填材として低融点ガラスを這わせた状態を
示す概略図である。

【図１２】基板上に形成された端子溝内に導電性の線材
を配設し、充填材として導電性ペーストを充填した状態
を示す概略図である。

【図１３】基板上に形成された端子溝内に充填材を充填
して、線材を固定した状態を示す概略図である。

【図１４】基板上に薄膜コイルの引き出し部を線材に接
触するように形成した状態を示す要部拡大概略図であ
る。

【図１５】薄膜コイルを形成した状態を示す斜視図であ
る。

【図１６】基板を端子溝と平行に切断し、磁気ヘッド半
体ブロックを接合する状態を示す斜視図である。

【符号の説明】

１磁気ヘッド、２磁気ヘッド半体、４基板、５
磁性層、７薄膜コイル、７ａ引き出し部、８端子
部、９端子溝、１０線材、１１低融点ガラス、１
２導電性ペースト

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】非磁性基板上に形成された磁性層と、上
記磁性層を巻回する薄膜コイルとを有する一対の磁気ヘ
ッド半体が、磁気ギャップを介して接合されてなる磁気
ヘッドにおいて、一対の磁気コア半体の少なくとも一方に、薄膜コイルの
端子を形成するための端子溝が形成され、上記端子溝内には、薄膜コイルと導通した導電性を有す
る線材が配設され、上記線材は、上記端子溝内に充填された充填材により上
記端子溝内に固定され、上記線材の少なくとも一部が、薄膜コイルの端子として
外部に露呈していることを特徴とする磁気ヘッド。
【請求項２】上記充填材は、低融点ガラス、接着剤又
は導電性ペーストであることを特徴とする請求項１記載
の磁気ヘッド。
【請求項３】非磁性基板上に形成された磁性層と、上
記磁性層を巻回する薄膜コイルとを有する一対の磁気ヘ
ッド半体が、磁気ギャップを介して接合されてなる磁気
ヘッドの製造方法において、一対の磁気コア半体の少なくとも一方に、薄膜コイルの
端子を形成するための端子溝が形成する工程と、上記端子溝内に導電性を有する線材を配設する工程と、上記端子溝内に充填材を充填することにより、上記線材
を上記端子溝内に固定する工程と、上記線材に導通するように薄膜コイルを形成する工程と
を有する磁気ヘッドの製造方法。
【請求項４】上記充填材として、低融点ガラス、接着
剤又は導電性ペーストを使用することを特徴とする請求
項３記載の磁気ヘッドの製造方法。