JPH1049823A - 磁気ヘッド及びその製造方法 - Google Patents
磁気ヘッド及びその製造方法Info
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- JPH1049823A JPH1049823A JP20831696A JP20831696A JPH1049823A JP H1049823 A JPH1049823 A JP H1049823A JP 20831696 A JP20831696 A JP 20831696A JP 20831696 A JP20831696 A JP 20831696A JP H1049823 A JPH1049823 A JP H1049823A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 一対の磁気ヘッド半体を接合してなる磁気ヘ
ッドの物理的な衝撃等に対する接合強度の向上を図る。 【解決手段】 磁気ヘッド1は、一対の磁気ヘッド半体
2a、2bが、金属拡散結合されてなる磁気ヘッド1で
あって、一対の磁気ヘッド半体2a、2bの接合面のう
ち、金属拡散結合された部分以外の少なくとも一部に低
融点ガラス及び各種接着剤等の接合剤3が充填されてお
り、一対の磁気ヘッド半体2a、2bの接合強度が補強
されてなる。また、この磁気ヘッド1の製造方法は、一
対の磁気ヘッド半体2a、2bを金属拡散結合する前
に、補強溝を形成する工程と、一対の磁気ヘッド半体を
金属拡散結合した後にこの補強溝に接合剤を充填する工
程とを有する。
ッドの物理的な衝撃等に対する接合強度の向上を図る。 【解決手段】 磁気ヘッド1は、一対の磁気ヘッド半体
2a、2bが、金属拡散結合されてなる磁気ヘッド1で
あって、一対の磁気ヘッド半体2a、2bの接合面のう
ち、金属拡散結合された部分以外の少なくとも一部に低
融点ガラス及び各種接着剤等の接合剤3が充填されてお
り、一対の磁気ヘッド半体2a、2bの接合強度が補強
されてなる。また、この磁気ヘッド1の製造方法は、一
対の磁気ヘッド半体2a、2bを金属拡散結合する前
に、補強溝を形成する工程と、一対の磁気ヘッド半体を
金属拡散結合した後にこの補強溝に接合剤を充填する工
程とを有する。
Description
【0001】
【発明の属する分野】本発明は、ビデオカセットテープ
等の記録再生用磁気ヘッド及びその製造方法に関し、特
に、外部からの物理的な衝撃に対する強度を向上させた
磁気ヘッド及びその製造方法に関する。
等の記録再生用磁気ヘッド及びその製造方法に関し、特
に、外部からの物理的な衝撃に対する強度を向上させた
磁気ヘッド及びその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】ビデオカセットレコーダ等に用いられる
磁気ヘッドの製造方法は、コストダウンや生産性を考慮
して、製造工程の短縮化及び簡素化が要求されている。
磁気ヘッドの製造方法は、コストダウンや生産性を考慮
して、製造工程の短縮化及び簡素化が要求されている。
【0003】例えば、ビデオカセットレコーダ等に用い
られる磁気ヘッドは、一対の磁気ヘッド半体を磁気ギャ
ップを介して突き合わさるようにして接合一体化されて
なる。この磁気ヘッドを構成する磁気ヘッド半体は、非
磁性基板と、この非磁性基板上に成膜され磁気コアとし
て機能する磁性層と、この磁性層上に充填されたガラス
と、ガラス部分に薄膜形成プロセスによって形成される
ことによって磁気コアの内部に埋め込まれた薄膜コイル
とを有してなる。
られる磁気ヘッドは、一対の磁気ヘッド半体を磁気ギャ
ップを介して突き合わさるようにして接合一体化されて
なる。この磁気ヘッドを構成する磁気ヘッド半体は、非
磁性基板と、この非磁性基板上に成膜され磁気コアとし
て機能する磁性層と、この磁性層上に充填されたガラス
と、ガラス部分に薄膜形成プロセスによって形成される
ことによって磁気コアの内部に埋め込まれた薄膜コイル
とを有してなる。
【0004】このように構成された磁気ヘッドは、磁気
コアが形成される傾斜面を基板上に形成する磁気コア溝
形成工程と、この傾斜面上に磁性層を形成する磁性層形
成工程と、この磁性層を形成した後に磁気コア溝に対し
て直角に、薄膜コイルを形成するための巻線溝を形成す
る巻線溝形成工程と、磁性層を磁気コア毎に分離する分
離溝を形成する分離溝形成工程と、上記磁気コア溝、巻
線溝及び分離溝にガラスを溶解充填するガラス充填工程
と、充填されたガラス部分に上記の薄膜コイルを形成す
る薄膜コイル形成工程と、以上の工程により形成された
一対の磁気ヘッド半体を接合する磁気ヘッド半体接合工
程とを経て製造される。
コアが形成される傾斜面を基板上に形成する磁気コア溝
形成工程と、この傾斜面上に磁性層を形成する磁性層形
成工程と、この磁性層を形成した後に磁気コア溝に対し
て直角に、薄膜コイルを形成するための巻線溝を形成す
る巻線溝形成工程と、磁性層を磁気コア毎に分離する分
離溝を形成する分離溝形成工程と、上記磁気コア溝、巻
線溝及び分離溝にガラスを溶解充填するガラス充填工程
と、充填されたガラス部分に上記の薄膜コイルを形成す
る薄膜コイル形成工程と、以上の工程により形成された
一対の磁気ヘッド半体を接合する磁気ヘッド半体接合工
程とを経て製造される。
【0005】したがって、この磁気ヘッドの製造工程に
よれば、巻線溝及び分離溝が形成されることによって、
磁気ギャップとして機能するフロントギャップと、バッ
クギャップとが形成される。
よれば、巻線溝及び分離溝が形成されることによって、
磁気ギャップとして機能するフロントギャップと、バッ
クギャップとが形成される。
【0006】また、上記磁気ヘッド半体接合工程おい
て、各磁気ヘッド半体は、薄膜コイル接続部、フロント
ギャップ、バックギャップ上にAu薄膜等の金属膜が形
成される。この後に、このAu薄膜等の金属膜が形成さ
れた磁気ヘッド半体は、Au薄膜等の金属膜が突き合わ
されることによって金属拡散接合される。また、このA
u薄膜等の金属膜は、コイル接続端子上に形成されてい
ることから、コイル接続端子が金属拡散接合されること
によって、各磁気ヘッド半体に形成された薄膜コイルが
電気的に接続される。
て、各磁気ヘッド半体は、薄膜コイル接続部、フロント
ギャップ、バックギャップ上にAu薄膜等の金属膜が形
成される。この後に、このAu薄膜等の金属膜が形成さ
れた磁気ヘッド半体は、Au薄膜等の金属膜が突き合わ
されることによって金属拡散接合される。また、このA
u薄膜等の金属膜は、コイル接続端子上に形成されてい
ることから、コイル接続端子が金属拡散接合されること
によって、各磁気ヘッド半体に形成された薄膜コイルが
電気的に接続される。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】このように構成された
磁気ヘッドは、金属拡散接合により磁気ヘッド半体を接
合する場合、磁気ギャップと薄膜コイル接続部以外に金
属膜の形成を行って接合している。しかし、このように
接合された磁気ヘッドは、接合強度不足によりその後の
加工中に接合した磁気ヘッド半体が剥がれるという問題
がある。
磁気ヘッドは、金属拡散接合により磁気ヘッド半体を接
合する場合、磁気ギャップと薄膜コイル接続部以外に金
属膜の形成を行って接合している。しかし、このように
接合された磁気ヘッドは、接合強度不足によりその後の
加工中に接合した磁気ヘッド半体が剥がれるという問題
がある。
【0008】この金属膜は、例えば、Cu等からなる下
地膜と、Au等からなる接合用の金属膜とがスパッタリ
ング法により基板の全面に形成された後に、フォトプロ
セスによってパターニングされる。このフォトプロセス
のパターニングにおいては、フォトレジスト層を基板の
全面に塗布した後に露光・現像を行い、エッチングによ
り所定の金属膜のパターンになるように形成する。
地膜と、Au等からなる接合用の金属膜とがスパッタリ
ング法により基板の全面に形成された後に、フォトプロ
セスによってパターニングされる。このフォトプロセス
のパターニングにおいては、フォトレジスト層を基板の
全面に塗布した後に露光・現像を行い、エッチングによ
り所定の金属膜のパターンになるように形成する。
【0009】このとき、金属膜表面は、酸化されるため
に、ピュアな金属膜表面を維持することが困難である。
また、金属膜の表面は、不純物の付着が起こるために、
ピュアな金属膜の表面を維持することが困難である。こ
れは、金属膜の表面が上記のフォトプロセスを経ること
によって、有機物のフォトレジスト層で汚染されるため
である。この付着したフォトレジスト層のような有機物
は、通常行われる有機溶剤による洗浄程度では原子レベ
ル的には完全に除去できない。このため、金属膜の表面
には、酸素プラズマによる灰化処理や逆スパッタ等の表
面層除去を行う必要がある。しかしながら、このような
処理を行っても、その処理が不十分であったり、接合時
に加わる荷重が不均等であったりした場合、接合は不安
定になり、一部分のみに接合が行われる場合があり、さ
らには全面的に接合されない場合もある。
に、ピュアな金属膜表面を維持することが困難である。
また、金属膜の表面は、不純物の付着が起こるために、
ピュアな金属膜の表面を維持することが困難である。こ
れは、金属膜の表面が上記のフォトプロセスを経ること
によって、有機物のフォトレジスト層で汚染されるため
である。この付着したフォトレジスト層のような有機物
は、通常行われる有機溶剤による洗浄程度では原子レベ
ル的には完全に除去できない。このため、金属膜の表面
には、酸素プラズマによる灰化処理や逆スパッタ等の表
面層除去を行う必要がある。しかしながら、このような
処理を行っても、その処理が不十分であったり、接合時
に加わる荷重が不均等であったりした場合、接合は不安
定になり、一部分のみに接合が行われる場合があり、さ
らには全面的に接合されない場合もある。
【0010】このように酸化されたり、不純物が付着し
た金属膜表面であっても、接合時に加える荷重を増加す
れば金属拡散接合を行うことが可能である。しかし、余
りに大きな荷重を加えると、磁気コアを支えるガラスや
基板に欠けが生じたり、接合治具が破損する恐れがあ
る。したがって、接合時に加える荷重には、限界があ
る。
た金属膜表面であっても、接合時に加える荷重を増加す
れば金属拡散接合を行うことが可能である。しかし、余
りに大きな荷重を加えると、磁気コアを支えるガラスや
基板に欠けが生じたり、接合治具が破損する恐れがあ
る。したがって、接合時に加える荷重には、限界があ
る。
【0011】この金属拡散接合の重要な点は、金属膜に
単位面積当たりに加わる接合時に加える荷重と、接合に
加える荷重の均一性、金属膜表面の反りや粗さ、金属膜
表面の状態である。ただし、接合時に加える荷重は、大
きすぎると磁気ヘッド半体を支える基板やガラスが割れ
たり、ひびが入るために接合治具が破損する恐れがある
ため、必要以上には上げられない。この荷重は、パター
ニングを施した金属膜を金属拡散結合する為に単位面積
当たり20〜30MPa以上必要であるが、上述した問
題から、単位面積当たり50kg以内が許容範囲であ
る。
単位面積当たりに加わる接合時に加える荷重と、接合に
加える荷重の均一性、金属膜表面の反りや粗さ、金属膜
表面の状態である。ただし、接合時に加える荷重は、大
きすぎると磁気ヘッド半体を支える基板やガラスが割れ
たり、ひびが入るために接合治具が破損する恐れがある
ため、必要以上には上げられない。この荷重は、パター
ニングを施した金属膜を金属拡散結合する為に単位面積
当たり20〜30MPa以上必要であるが、上述した問
題から、単位面積当たり50kg以内が許容範囲であ
る。
【0012】金属拡散接合においては、金属膜接合面に
加わる荷重の分布に偏りが生じると、磁気ヘッド半体の
接合が不安定になる。また、金属膜の表面積が大きい
と、単位面積当たりに加わる荷重が小さくなり、磁気ヘ
ッド半体の接合が不安定になる。
加わる荷重の分布に偏りが生じると、磁気ヘッド半体の
接合が不安定になる。また、金属膜の表面積が大きい
と、単位面積当たりに加わる荷重が小さくなり、磁気ヘ
ッド半体の接合が不安定になる。
【0013】そこで、従来は、例えば金属拡散結合によ
る接合面積を減らし、単位面積当たりに加わる力を増加
させることによって確実な金属拡散結合が行われるよう
にしていた。しかしながら、金属膜接合面積が減少する
と、当然のことながら、全体としての接合強度は弱くな
ってしまう。いう不都合を生ずる。したがって、このよ
うに構成された各磁気ヘッド半体は、その後のチップ切
断加工や媒体摺動面研削加工等における機械的な負荷に
耐えられず、磁気コアが割れるという不良が多発すると
いう問題が生じている。
る接合面積を減らし、単位面積当たりに加わる力を増加
させることによって確実な金属拡散結合が行われるよう
にしていた。しかしながら、金属膜接合面積が減少する
と、当然のことながら、全体としての接合強度は弱くな
ってしまう。いう不都合を生ずる。したがって、このよ
うに構成された各磁気ヘッド半体は、その後のチップ切
断加工や媒体摺動面研削加工等における機械的な負荷に
耐えられず、磁気コアが割れるという不良が多発すると
いう問題が生じている。
【0014】そこで本発明は、上述のような問題点に鑑
みて提案されたものであり、各磁気ヘッド半体の接合部
の機械的な負荷に対する接合強度を向上させることによ
って生産性、歩留まりを向上する磁気ヘッド及びその製
造方法を提供することを目的とする。
みて提案されたものであり、各磁気ヘッド半体の接合部
の機械的な負荷に対する接合強度を向上させることによ
って生産性、歩留まりを向上する磁気ヘッド及びその製
造方法を提供することを目的とする。
【0015】
【課題を解決するための手段】このような課題を解決す
る本発明にかかる磁気ヘッドは、非磁性基板上に形成さ
れた磁性層と、磁性層を巻回する薄膜コイルとを有する
一対の磁気ヘッド半体が、金属拡散接合されてなる磁気
ヘッドであって、一対の磁気ヘッド半体の接合面のう
ち、金属拡散接合された部分以外の少なくとも一部に接
合剤が充填されており、接合剤により一対の磁気ヘッド
半体の接合強度が補強されている。
る本発明にかかる磁気ヘッドは、非磁性基板上に形成さ
れた磁性層と、磁性層を巻回する薄膜コイルとを有する
一対の磁気ヘッド半体が、金属拡散接合されてなる磁気
ヘッドであって、一対の磁気ヘッド半体の接合面のう
ち、金属拡散接合された部分以外の少なくとも一部に接
合剤が充填されており、接合剤により一対の磁気ヘッド
半体の接合強度が補強されている。
【0016】このように構成された磁気ヘッドは、一対
の磁気ヘッド半体の接合面の一部に接合剤が充填されて
いるので、各磁気ヘッド半体の接合強度が向上し、歩留
まり及び生産性が向上する。
の磁気ヘッド半体の接合面の一部に接合剤が充填されて
いるので、各磁気ヘッド半体の接合強度が向上し、歩留
まり及び生産性が向上する。
【0017】また、本発明にかかる磁気ヘッドの製造方
法は、非磁性基板上に形成された磁性層と、磁性層を巻
回する薄膜コイルとを有する一対の磁気ヘッド半体が、
金属拡散接合されてなる磁気ヘッドの製造方法であっ
て、一対の磁気ヘッド半体を金属拡散接合する前に、一
対の磁気ヘッド半体の接合面の少なくとも一方に溝を形
成し、一対の磁気ヘッド半体を金属拡散接合した後に、
溝に接合剤を充填して一対の磁気ヘッド半体の接合強度
を補強する。
法は、非磁性基板上に形成された磁性層と、磁性層を巻
回する薄膜コイルとを有する一対の磁気ヘッド半体が、
金属拡散接合されてなる磁気ヘッドの製造方法であっ
て、一対の磁気ヘッド半体を金属拡散接合する前に、一
対の磁気ヘッド半体の接合面の少なくとも一方に溝を形
成し、一対の磁気ヘッド半体を金属拡散接合した後に、
溝に接合剤を充填して一対の磁気ヘッド半体の接合強度
を補強する。
【0018】このような磁気ヘッドの製造方法によれ
ば、一対の磁気ヘッド半体の接合面の一部に接合剤を充
填しているので、各磁気ヘッド半体の接合強度が向上
し、磁気ヘッド製造時の歩留まり及び生産性が向上する
ことが可能である。
ば、一対の磁気ヘッド半体の接合面の一部に接合剤を充
填しているので、各磁気ヘッド半体の接合強度が向上
し、磁気ヘッド製造時の歩留まり及び生産性が向上する
ことが可能である。
【0019】
【発明の実施の形態】以下、本発明にかかる磁気ヘッド
及びその製造方法の実施の形態について図面を参照しな
がら詳細に説明する。なお、本実施の形態は、ビデオカ
セットテープ用の磁気ヘッドに本発明を適用したもので
ある。
及びその製造方法の実施の形態について図面を参照しな
がら詳細に説明する。なお、本実施の形態は、ビデオカ
セットテープ用の磁気ヘッドに本発明を適用したもので
ある。
【0020】本実施の形態の磁気ヘッド1は、図1及び
図2に示すように、一対の磁気ヘッド半体2a、2bが
磁気ギャップgを介して突き合わされて接合一体化して
なる。この磁気ヘッド1は、一対の磁気ヘッド半体2
a、2bの表面に形成されたAu等の金属膜を金属拡散
結合させて磁気ギャップgを形成して接合するととも
に、少なくとも一部を接合剤である低融点ガラス3等に
て接合している。
図2に示すように、一対の磁気ヘッド半体2a、2bが
磁気ギャップgを介して突き合わされて接合一体化して
なる。この磁気ヘッド1は、一対の磁気ヘッド半体2
a、2bの表面に形成されたAu等の金属膜を金属拡散
結合させて磁気ギャップgを形成して接合するととも
に、少なくとも一部を接合剤である低融点ガラス3等に
て接合している。
【0021】この磁気ヘッド1は、予め磁気ヘッド1と
しての機能に影響の無い部分に後述する補強溝が形成さ
れ、一対の磁気ヘッド半体2a、2bを金属拡散接合さ
せてなる。そして、接合剤である低融点ガラス3が、補
強溝に充填されて各磁気ヘッド半体2a、2bを接合す
る。この接合剤は、低融点ガラス3に限らず、各種接着
剤等でも良い。
しての機能に影響の無い部分に後述する補強溝が形成さ
れ、一対の磁気ヘッド半体2a、2bを金属拡散接合さ
せてなる。そして、接合剤である低融点ガラス3が、補
強溝に充填されて各磁気ヘッド半体2a、2bを接合す
る。この接合剤は、低融点ガラス3に限らず、各種接着
剤等でも良い。
【0022】これら磁気ヘッド半体2a、2bは、基板
4と、この基板4上に成膜されて磁気コアとして機能す
る磁性層5と、これら基板4及び磁性層5上に充填され
たガラス6と、このガラス6部分に薄膜形成プロセスに
よって形成された薄膜コイル7とを有してなる。そし
て、一対の磁気ヘッド半体2a、2bは、それぞれの磁
性層5が突き合わされて各磁性層5間にフロントギャッ
プfg及びバックギャップbgとが形成されるように接
合される。また、この一対の磁気ヘッド半体2a、2b
には、ガラス6部分に形成された薄膜コイル7の端子部
8a、8bが設けられている。
4と、この基板4上に成膜されて磁気コアとして機能す
る磁性層5と、これら基板4及び磁性層5上に充填され
たガラス6と、このガラス6部分に薄膜形成プロセスに
よって形成された薄膜コイル7とを有してなる。そし
て、一対の磁気ヘッド半体2a、2bは、それぞれの磁
性層5が突き合わされて各磁性層5間にフロントギャッ
プfg及びバックギャップbgとが形成されるように接
合される。また、この一対の磁気ヘッド半体2a、2b
には、ガラス6部分に形成された薄膜コイル7の端子部
8a、8bが設けられている。
【0023】このように構成された磁気ヘッド1は、各
磁気ヘッド半体2a、2bの接合強度を向上させるため
に、少なくとも一部が接合剤にて形成されている。した
がって、この磁気ヘッド1は、各磁気ヘッド半体2a、
2bの接合強度が向上し、砥石加工及びテープラッピン
グ等の物理的な衝撃に対する強度が向上しているため、
歩留まり及び生産性を向上させることが可能である。
磁気ヘッド半体2a、2bの接合強度を向上させるため
に、少なくとも一部が接合剤にて形成されている。した
がって、この磁気ヘッド1は、各磁気ヘッド半体2a、
2bの接合強度が向上し、砥石加工及びテープラッピン
グ等の物理的な衝撃に対する強度が向上しているため、
歩留まり及び生産性を向上させることが可能である。
【0024】以下、上記磁気ヘッド1の製造方法につい
て説明する。
て説明する。
【0025】先ず、図3に示すように、MnO−NiO
混合燃結材等の非磁性材料よりなる平板上の基板4を例
えば長さ約30mm、幅約30mm、厚み約2mmに成
形する。
混合燃結材等の非磁性材料よりなる平板上の基板4を例
えば長さ約30mm、幅約30mm、厚み約2mmに成
形する。
【0026】次いで、図4に示すように、片面を45度
に成形した砥石により基板4の一主面に斜面が約45度
の傾きを持つように磁気コアを形成するための複数の磁
気コア溝4aをそれぞれ等間隔かつ平行に形成する。こ
こで、磁気コア溝4aの斜面の傾きは、45度に限定さ
れるものではない。ただし、完成した磁気ヘッド1に生
じる疑似ギャップや、トラック幅精度を考慮すると約4
5度が好適である。また、本実施の形態においては、磁
気コア溝4aの深さを約130μm、幅を約150μm
に形成した。
に成形した砥石により基板4の一主面に斜面が約45度
の傾きを持つように磁気コアを形成するための複数の磁
気コア溝4aをそれぞれ等間隔かつ平行に形成する。こ
こで、磁気コア溝4aの斜面の傾きは、45度に限定さ
れるものではない。ただし、完成した磁気ヘッド1に生
じる疑似ギャップや、トラック幅精度を考慮すると約4
5度が好適である。また、本実施の形態においては、磁
気コア溝4aの深さを約130μm、幅を約150μm
に形成した。
【0027】次いで、磁気コア溝4aが形成された基板
4上には、図5に示すように、磁性層5が形成される。
この磁性層5は、膜厚約5μmのセンダスト(Fe−A
l−Si合金)からなる金属磁性膜と、膜厚約0.15
μmのAl2O3からなる絶縁膜とを交互に、金属磁性膜
が3層となるように積層されてなる。
4上には、図5に示すように、磁性層5が形成される。
この磁性層5は、膜厚約5μmのセンダスト(Fe−A
l−Si合金)からなる金属磁性膜と、膜厚約0.15
μmのAl2O3からなる絶縁膜とを交互に、金属磁性膜
が3層となるように積層されてなる。
【0028】この磁性層5の構造は、単一の金属磁性膜
としても良いが、渦電流損を低減し、高周波帯域におい
て高感度をもたせるために、多層構造にしている。上述
のように絶縁膜の膜厚は、少なくとも絶縁効果の得られ
る厚み以上が必要であるが、厚すぎると、実効的なトラ
ック幅があまり低下しないように、しまうことから、薄
くする必要がある。
としても良いが、渦電流損を低減し、高周波帯域におい
て高感度をもたせるために、多層構造にしている。上述
のように絶縁膜の膜厚は、少なくとも絶縁効果の得られ
る厚み以上が必要であるが、厚すぎると、実効的なトラ
ック幅があまり低下しないように、しまうことから、薄
くする必要がある。
【0029】この磁性層5の形成方法は、スパッタリン
グ法が好適であるが、蒸着法、分子線エピタキシー(M
BE)法等のようなスパッタリング法以外の物理的な成
膜方法や、化学的な成膜方法等を用いても良い。
グ法が好適であるが、蒸着法、分子線エピタキシー(M
BE)法等のようなスパッタリング法以外の物理的な成
膜方法や、化学的な成膜方法等を用いても良い。
【0030】また、この金属磁性膜の材料としては、セ
ンダストが好適であるが、その他の金属磁性体、例え
ば、センダストに類似した合金、窒化系軟磁性合金、炭
化系軟磁性合金等も使用可能である。一方、絶縁膜の材
料としては、Al2O3、SiO2、又はSiO等も使用
可能であり、また、これらAl2O3、SiO2、SiO
等の混合状態でも使用可能である。
ンダストが好適であるが、その他の金属磁性体、例え
ば、センダストに類似した合金、窒化系軟磁性合金、炭
化系軟磁性合金等も使用可能である。一方、絶縁膜の材
料としては、Al2O3、SiO2、又はSiO等も使用
可能であり、また、これらAl2O3、SiO2、SiO
等の混合状態でも使用可能である。
【0031】次いで、この磁性層5が成膜された基板4
上には、図6に示すように、磁気コア溝4aに対して直
角に、薄膜コイル7を形成するための巻線溝4bと、磁
性層5を磁気コア毎に分離する分離溝4cとが形成され
る。
上には、図6に示すように、磁気コア溝4aに対して直
角に、薄膜コイル7を形成するための巻線溝4bと、磁
性層5を磁気コア毎に分離する分離溝4cとが形成され
る。
【0032】この巻線溝4bは、図2に示すように、フ
ロントギャップfg側の磁性層5がフロントギャップf
gに向けて斜めに絞り込んだ形となるように、例えば、
巻線溝4bのフロントギャップfg側を約45度の斜面
をもつ砥石にて形成する。このように、フロントギャッ
プfg側の磁性層5がフロントギャップfgに向けて絞
り込んだ形になっていると、磁束が集中して高い記録感
度が得られる。
ロントギャップfg側の磁性層5がフロントギャップf
gに向けて斜めに絞り込んだ形となるように、例えば、
巻線溝4bのフロントギャップfg側を約45度の斜面
をもつ砥石にて形成する。このように、フロントギャッ
プfg側の磁性層5がフロントギャップfgに向けて絞
り込んだ形になっていると、磁束が集中して高い記録感
度が得られる。
【0033】ただし、巻線溝4bの形状は、フロントギ
ャップfg側の磁性層5がフロントギャップfgに向け
て絞り込んだ形になっていれば、巻線溝4bのフロント
ギャップfg側の斜面の角度は45度でなくても良い。
さらに、巻線溝4bのフロントギャップfg側の形状
は、円弧状又は多角形状であっても良い。
ャップfg側の磁性層5がフロントギャップfgに向け
て絞り込んだ形になっていれば、巻線溝4bのフロント
ギャップfg側の斜面の角度は45度でなくても良い。
さらに、巻線溝4bのフロントギャップfg側の形状
は、円弧状又は多角形状であっても良い。
【0034】また、巻線溝4bの深さは、磁性層5が分
断されない深さであれば良いが、深すぎると、磁路長が
大きくなり、磁束伝達の効率が低下する。また、巻線溝
4bの幅は、後の工程にて形成される薄膜コイル7の線
幅と巻線数によって決定される。そして、本実施の形態
では、巻線溝4bの幅は、約140μmとし、巻線溝4
bの深さは、約20μmとした。
断されない深さであれば良いが、深すぎると、磁路長が
大きくなり、磁束伝達の効率が低下する。また、巻線溝
4bの幅は、後の工程にて形成される薄膜コイル7の線
幅と巻線数によって決定される。そして、本実施の形態
では、巻線溝4bの幅は、約140μmとし、巻線溝4
bの深さは、約20μmとした。
【0035】一方、分離溝4cは、磁性層5が分断され
ていれば任意の形状で良く、例えば加工が容易な矩形状
とする。この分離溝4cの深さは、磁気コア溝4aの底
面から約150μmの深さまで形成した。また、分離溝
4cの幅は、磁性層5のフロントギャップfg側部分の
長さと、磁性層5のバックギャップbg側部分の長さと
を規定する。したがって、分離溝4cの幅は、所望する
磁気ヘッド1のフロントギャップfgの長さとバックギ
ャップbgの長さの兼ね合いによって決定される。ただ
し、フロントギャップfgの長さは、最終的に磁気ヘッ
ド1を所定の形状に加工する際に媒体摺動面をラップす
るため、最終的に所望するフロントギャップfgの長さ
よりも長めに設定して分離溝4cを形成する。したがっ
て、本実施の形態においては、フロントギャップfgの
長さが約300μm、バックギャップbgの長さが約8
5μmとなるように分離溝4cを形成している。
ていれば任意の形状で良く、例えば加工が容易な矩形状
とする。この分離溝4cの深さは、磁気コア溝4aの底
面から約150μmの深さまで形成した。また、分離溝
4cの幅は、磁性層5のフロントギャップfg側部分の
長さと、磁性層5のバックギャップbg側部分の長さと
を規定する。したがって、分離溝4cの幅は、所望する
磁気ヘッド1のフロントギャップfgの長さとバックギ
ャップbgの長さの兼ね合いによって決定される。ただ
し、フロントギャップfgの長さは、最終的に磁気ヘッ
ド1を所定の形状に加工する際に媒体摺動面をラップす
るため、最終的に所望するフロントギャップfgの長さ
よりも長めに設定して分離溝4cを形成する。したがっ
て、本実施の形態においては、フロントギャップfgの
長さが約300μm、バックギャップbgの長さが約8
5μmとなるように分離溝4cを形成している。
【0036】次いで、図7に示すように、磁気コア溝4
a、巻線溝4b及び分離溝4cに低融点のガラス6を溶
解充填し、その後、ガラス6表面に対して鏡面処理を施
して平滑化する。
a、巻線溝4b及び分離溝4cに低融点のガラス6を溶
解充填し、その後、ガラス6表面に対して鏡面処理を施
して平滑化する。
【0037】次に、図8に示すように、ガラス6によっ
て充填された分離溝4cに端子溝9を形成する。この端
子溝9は、後の工程で導電性材料が充填され、薄膜コイ
ル7の形成の際に薄膜コイル7の引き出し部7aが電気
的に接続される。本実施の形態において、この端子溝9
の深さは、約100μm、端子溝9の幅は、約200μ
mとした。なお、この端子溝9の深さ及び幅は任意であ
っても良い。
て充填された分離溝4cに端子溝9を形成する。この端
子溝9は、後の工程で導電性材料が充填され、薄膜コイ
ル7の形成の際に薄膜コイル7の引き出し部7aが電気
的に接続される。本実施の形態において、この端子溝9
の深さは、約100μm、端子溝9の幅は、約200μ
mとした。なお、この端子溝9の深さ及び幅は任意であ
っても良い。
【0038】次に、図9に示すように、端子溝9内にメ
ッキ等により、Cu等の導電性材料を充填した後に、再
び表面を平滑化する。
ッキ等により、Cu等の導電性材料を充填した後に、再
び表面を平滑化する。
【0039】次に、図10に示すように、薄膜形成プロ
セスによって、ガラス6部分に、巻線溝4bを通過する
ように、磁気コア毎に渦巻状の薄膜コイル7を形成す
る。この薄膜コイル7の形成は、先ず、薄膜コイル7及
びこの薄膜コイル7の引き出し部7aが設置される部分
に約5μmの凹部を形成する。その後、レジストにより
薄膜コイルの形状をパターニングした後に電解メッキに
よりCu等の導電性材料を約3μm形成する。ここで、
薄膜コイル7は、その引き出し部7aが端子溝9に至る
ように形成する。なお、本実施の形態では、薄膜コイル
7のコイルパターンを電解メッキ法により成長させてい
るが、電解メッキ法に限らず、スパッタリング法や蒸着
法等でも良い。
セスによって、ガラス6部分に、巻線溝4bを通過する
ように、磁気コア毎に渦巻状の薄膜コイル7を形成す
る。この薄膜コイル7の形成は、先ず、薄膜コイル7及
びこの薄膜コイル7の引き出し部7aが設置される部分
に約5μmの凹部を形成する。その後、レジストにより
薄膜コイルの形状をパターニングした後に電解メッキに
よりCu等の導電性材料を約3μm形成する。ここで、
薄膜コイル7は、その引き出し部7aが端子溝9に至る
ように形成する。なお、本実施の形態では、薄膜コイル
7のコイルパターンを電解メッキ法により成長させてい
るが、電解メッキ法に限らず、スパッタリング法や蒸着
法等でも良い。
【0040】次に、図11(a)及び図11(b)に示
すように、分離溝の近傍であって、磁気ヘッド1として
の機能に影響のない位置に、補強溝10を形成する。こ
の補強溝10は、後の工程で、接合剤である低融点ガラ
ス3等を流し込む為の溝である。この補強溝10は、金
属拡散結合により接合されることが必要な部分以外に形
成することが可能である。すなわち、この補強溝10
は、磁気ヘッド1としての機能に影響のない位置であれ
ば任意の位置に形成可能である。したがって、補強溝1
0は、各磁気ヘッド半体2a、2bの薄膜コイル7を接
続する引き出し部7aや、磁気ヘッド1の磁気ギャップ
gとして機能するフロントギャップfg等以外の部分に
形成することが可能である。
すように、分離溝の近傍であって、磁気ヘッド1として
の機能に影響のない位置に、補強溝10を形成する。こ
の補強溝10は、後の工程で、接合剤である低融点ガラ
ス3等を流し込む為の溝である。この補強溝10は、金
属拡散結合により接合されることが必要な部分以外に形
成することが可能である。すなわち、この補強溝10
は、磁気ヘッド1としての機能に影響のない位置であれ
ば任意の位置に形成可能である。したがって、補強溝1
0は、各磁気ヘッド半体2a、2bの薄膜コイル7を接
続する引き出し部7aや、磁気ヘッド1の磁気ギャップ
gとして機能するフロントギャップfg等以外の部分に
形成することが可能である。
【0041】したがって、この補強溝10は、各磁気ヘ
ッド半体2a、2bが接合された状態において、図12
(a)に示すように、一対の磁気ヘッド半体2a、2b
に均等になるように形成しても良い。また、補強溝10
は、図12(b)に示すように、一対の磁気ヘッド半体
2a、2bのうちの一方のみに形成しても良い。さら
に、補強溝10は、図12(c)に示すように一対の磁
気ヘッド半体2a、2bの少なくとも一部が溶着するよ
うに形成しても良い。
ッド半体2a、2bが接合された状態において、図12
(a)に示すように、一対の磁気ヘッド半体2a、2b
に均等になるように形成しても良い。また、補強溝10
は、図12(b)に示すように、一対の磁気ヘッド半体
2a、2bのうちの一方のみに形成しても良い。さら
に、補強溝10は、図12(c)に示すように一対の磁
気ヘッド半体2a、2bの少なくとも一部が溶着するよ
うに形成しても良い。
【0042】なお、この補強溝10は、砥石研削や各種
エッチングにより形成する。また、補強溝10の形成
は、Au等による金属拡散接合前であればどの時点でも
良い。
エッチングにより形成する。また、補強溝10の形成
は、Au等による金属拡散接合前であればどの時点でも
良い。
【0043】このような磁気ヘッド1においては、少な
くとも各磁気ヘッド半体2a、2bに形成された磁気コ
アに巻回する各薄膜コイル7の接続部分7b及び磁気ギ
ャップに相当する磁性層5の接合部分が、金属拡散接合
によって接合される必要がある。したがって、その他の
部分は、薄膜コイル7の接続部7b及び磁気ギャップに
相当する磁性層5の接合部分の補強であり、必ずしも金
属拡散接合でなくても良い。
くとも各磁気ヘッド半体2a、2bに形成された磁気コ
アに巻回する各薄膜コイル7の接続部分7b及び磁気ギ
ャップに相当する磁性層5の接合部分が、金属拡散接合
によって接合される必要がある。したがって、その他の
部分は、薄膜コイル7の接続部7b及び磁気ギャップに
相当する磁性層5の接合部分の補強であり、必ずしも金
属拡散接合でなくても良い。
【0044】上述のように、補強溝10を形成した基板
4上には、各磁気ヘッド半体2a、2bを接合するため
に、図13に示すように、接合部にAu薄膜11のパタ
ーニングを施す。このAu薄膜11のパターニングは、
全面にAu薄膜11を形成した後、薄膜コイル接続部7
bと、磁性層5より構成される磁気コアのフロントギャ
ップfgと、バックギャップbgとにフォトレジスト層
を形成する。そして、このフォトレジスト層をマスクと
してAu薄膜11にエッチングを施す。したがって、図
13に示すように、薄膜コイル7の接続部7b、フロン
トギャップfg、バックギャップbgにAu薄膜11が
形成される。
4上には、各磁気ヘッド半体2a、2bを接合するため
に、図13に示すように、接合部にAu薄膜11のパタ
ーニングを施す。このAu薄膜11のパターニングは、
全面にAu薄膜11を形成した後、薄膜コイル接続部7
bと、磁性層5より構成される磁気コアのフロントギャ
ップfgと、バックギャップbgとにフォトレジスト層
を形成する。そして、このフォトレジスト層をマスクと
してAu薄膜11にエッチングを施す。したがって、図
13に示すように、薄膜コイル7の接続部7b、フロン
トギャップfg、バックギャップbgにAu薄膜11が
形成される。
【0045】また、補強溝10は、図14に示すよう
に、Au薄膜11を各磁気ヘッド半体2a、2bの全面
に形成した後に、磁気ヘッド1としての機能に影響のな
いように、端子溝9より下の部分を省くように形成して
も良い。
に、Au薄膜11を各磁気ヘッド半体2a、2bの全面
に形成した後に、磁気ヘッド1としての機能に影響のな
いように、端子溝9より下の部分を省くように形成して
も良い。
【0046】次に、基板4を各端子溝9と平行に分割し
て各磁気ヘッドブロック半体を作製する。その後、図1
5に示すように、各磁気ヘッドブロック半体を各Au薄
膜11が接触するように突き合わせ、荷重を加えながら
金属拡散結合させて磁気ヘッドブロックを形成する。
て各磁気ヘッドブロック半体を作製する。その後、図1
5に示すように、各磁気ヘッドブロック半体を各Au薄
膜11が接触するように突き合わせ、荷重を加えながら
金属拡散結合させて磁気ヘッドブロックを形成する。
【0047】次に、この金属拡散接合された磁気ヘッド
ブロックに、図16に示すように形成された補強溝10
に接合剤である低融点ガラス3を充填する。この低融点
ガラス3を充填する工程は、低融点ガラス3が補強溝1
0に浸透しやすいように、真空中で行うことが好まし
い。また、この接合剤は、低融点ガラス3に限らず、他
の部分に悪影響を与えない温度範囲で接着することが可
能な各種接着剤等も使用可能である。
ブロックに、図16に示すように形成された補強溝10
に接合剤である低融点ガラス3を充填する。この低融点
ガラス3を充填する工程は、低融点ガラス3が補強溝1
0に浸透しやすいように、真空中で行うことが好まし
い。また、この接合剤は、低融点ガラス3に限らず、他
の部分に悪影響を与えない温度範囲で接着することが可
能な各種接着剤等も使用可能である。
【0048】なお、図17に示すように、磁気ヘッドブ
ロックには、この低融点ガラス3を各磁気ヘッド半体2
間に充填させるように補強溝10を形成しても良い。こ
のように構成された磁気ヘッドは、分離溝4bの近傍で
あって、磁気ヘッドとしての機能に影響のないように、
補強溝10を形成するとともに、各磁気ヘッド半体2間
に補強溝10aを形成することによって、物理的な接合
強度をさらに向上させることが可能である。
ロックには、この低融点ガラス3を各磁気ヘッド半体2
間に充填させるように補強溝10を形成しても良い。こ
のように構成された磁気ヘッドは、分離溝4bの近傍で
あって、磁気ヘッドとしての機能に影響のないように、
補強溝10を形成するとともに、各磁気ヘッド半体2間
に補強溝10aを形成することによって、物理的な接合
強度をさらに向上させることが可能である。
【0049】そして、低融点ガラス3が充填された磁気
ヘッドブロックから各磁気ヘッド半体2a、2b毎に切
断し、その後、所定の形状に加工して、上述の図1に示
したような一対の磁気ヘッド半体2a、2bを接合して
なる磁気ヘッド1が製造される。
ヘッドブロックから各磁気ヘッド半体2a、2b毎に切
断し、その後、所定の形状に加工して、上述の図1に示
したような一対の磁気ヘッド半体2a、2bを接合して
なる磁気ヘッド1が製造される。
【0050】このような磁気ヘッド1の製造方法は、少
なくとも一部に接合剤を充填して各磁気ヘッド半体2
a、2bを接合するので、Au薄膜11等により金属拡
散結合させる面積が小さくなり、Au薄膜11の単位面
積当たりに加わる荷重を増加させることが可能であると
ともに、金属拡散接合させるのに要する荷重を減少させ
ることが可能である。
なくとも一部に接合剤を充填して各磁気ヘッド半体2
a、2bを接合するので、Au薄膜11等により金属拡
散結合させる面積が小さくなり、Au薄膜11の単位面
積当たりに加わる荷重を増加させることが可能であると
ともに、金属拡散接合させるのに要する荷重を減少させ
ることが可能である。
【0051】したがって、この磁気ヘッドの製造方法に
よれば、各磁気ヘッド半体2a、2bを、より安定して
接合することが可能であるとともに、金属拡散接合させ
るのに要する荷重が減少して接合治具への物理的な負荷
を小さくすることが可能である。また、磁気コアを支え
るガラス6や基板4への物理的な負荷を減少させること
によって、ガラス6や基板4に発生するかけやひびをな
くすことが可能である。さらに、磁気コアを形成する磁
性層5への応力を減少させることによって、磁気特性の
劣化を防止することが可能である。
よれば、各磁気ヘッド半体2a、2bを、より安定して
接合することが可能であるとともに、金属拡散接合させ
るのに要する荷重が減少して接合治具への物理的な負荷
を小さくすることが可能である。また、磁気コアを支え
るガラス6や基板4への物理的な負荷を減少させること
によって、ガラス6や基板4に発生するかけやひびをな
くすことが可能である。さらに、磁気コアを形成する磁
性層5への応力を減少させることによって、磁気特性の
劣化を防止することが可能である。
【0052】
【発明の効果】以上詳細に説明したように本発明にかか
る磁気ヘッドは、一対の磁気ヘッド半体の接合面のう
ち、金属膜により金属拡散接合される部分以外の少なく
とも一部に接合剤が充填されているので、磁気ヘッド半
体の接合強度が補強されている。
る磁気ヘッドは、一対の磁気ヘッド半体の接合面のう
ち、金属膜により金属拡散接合される部分以外の少なく
とも一部に接合剤が充填されているので、磁気ヘッド半
体の接合強度が補強されている。
【0053】このように構成された磁気ヘッドは、外部
からの物理的な負荷に対する接合強度を向上させること
が可能であり、この磁気ヘッドの歩留まり、生産性を向
上させることが可能である。
からの物理的な負荷に対する接合強度を向上させること
が可能であり、この磁気ヘッドの歩留まり、生産性を向
上させることが可能である。
【0054】また、本発明にかかる磁気ヘッドの製造方
法は、一対の磁気ヘッド半体を金属拡散接合する前に、
一対の磁気ヘッド半体の接合面の少なくとも一方に溝を
形成する工程と、一対の磁気ヘッド半体を金属拡散接合
した後に、この溝に接合剤を充填して一対の磁気ヘッド
半体の接合強度を補強する工程とを有する。
法は、一対の磁気ヘッド半体を金属拡散接合する前に、
一対の磁気ヘッド半体の接合面の少なくとも一方に溝を
形成する工程と、一対の磁気ヘッド半体を金属拡散接合
した後に、この溝に接合剤を充填して一対の磁気ヘッド
半体の接合強度を補強する工程とを有する。
【0055】このような磁気ヘッドの製造方法によれ
ば、磁気ヘッドの外部からの物理的な負荷に対する接合
強度を向上させることが可能であり、この磁気ヘッドの
歩留まり、生産性を向上させることが可能である。
ば、磁気ヘッドの外部からの物理的な負荷に対する接合
強度を向上させることが可能であり、この磁気ヘッドの
歩留まり、生産性を向上させることが可能である。
【図1】本発明にかかる磁気ヘッドの一構成例を示す斜
視図である。
視図である。
【図2】同磁気ヘッドの磁気ギャップ近傍を示す要部拡
大斜視図である。
大斜視図である。
【図3】基板を示す斜視図である。
【図4】基板に磁気コア溝を形成した状態を示す斜視図
である。
である。
【図5】磁気コア溝が形成された基板上に磁性層を形成
した状態を示す斜視図である。
した状態を示す斜視図である。
【図6】基板上に巻線溝と分離溝とを形成した状態を示
す斜視図である。
す斜視図である。
【図7】基板上にガラスを充填した状態を示す斜視図で
ある。
ある。
【図8】基板上に充填されたガラス上に端子溝を形成し
た状態を示す斜視図である。
た状態を示す斜視図である。
【図9】端子溝に良導電性の材料を充填した状態を示す
斜視図である。
斜視図である。
【図10】ガラス上に薄膜コイルを形成した状態を示す
斜視図である。
斜視図である。
【図11】ガラス上に補強溝を形成した状態を示す斜視
図及び要部拡大斜視図である。
図及び要部拡大斜視図である。
【図12】一対の磁気ヘッド半体を接合した状態を示す
要部拡大斜視図である。
要部拡大斜視図である。
【図13】磁気ヘッド半体に金属膜を形成した状態の一
例を示す平面図である。
例を示す平面図である。
【図14】磁気ヘッド半体に金属膜を形成した状態の他
の例を示す平面図である。
の例を示す平面図である。
【図15】基板を端子溝と平行に切断し、磁気ヘッド半
体ブロックを接合する様子を示す斜視図である。
体ブロックを接合する様子を示す斜視図である。
【図16】磁気ヘッド半体ブロックを接合した状態を示
す斜視図である。
す斜視図である。
【図17】磁気ヘッド半体ブロックを接合した状態の他
の例を示す斜視図である。
の例を示す斜視図である。
1 磁気ヘッド、2 磁気ヘッド半体、3 低融点ガラ
ス、4 基板、5 磁性層、7 薄膜コイル
ス、4 基板、5 磁性層、7 薄膜コイル
Claims (5)
- 【請求項1】 非磁性基板上に形成された磁性層と、上
記磁性層を巻回する薄膜コイルとを有する一対の磁気ヘ
ッド半体が、金属拡散接合されてなる磁気ヘッドにおい
て、 上記一対の磁気ヘッド半体の接合面のうち、金属拡散接
合された部分以外の少なくとも一部に接合剤が充填され
ており、 上記接合剤により上記一対の磁気ヘッド半体の接合強度
が補強されていることを特徴とする磁気ヘッド。 - 【請求項2】 上記接合剤は、低融点ガラスであること
を特徴とする請求項1記載の磁気ヘッド。 - 【請求項3】 一方の磁気ヘッド半体に形成された薄膜
コイルと、他方の磁気ヘッド半体に形成された薄膜コイ
ルとが、上記金属拡散接合に用いる金属によって導通し
ていることを特徴とする請求項1記載の磁気ヘッド。 - 【請求項4】 非磁性基板上に形成された磁性層と、上
記磁性層を巻回する薄膜コイルとを有する一対の磁気ヘ
ッド半体が、金属拡散接合されてなる磁気ヘッドの製造
方法において、 上記一対の磁気ヘッド半体を金属拡散接合する前に、上
記一対の磁気ヘッド半体の接合面の少なくとも一方に溝
を形成し、 上記一対の磁気ヘッド半体を金属拡散接合した後に、上
記溝に接合剤を充填して上記一対の磁気ヘッド半体の接
合強度を補強することを特徴とする磁気ヘッドの製造方
法。 - 【請求項5】 上記接合剤として、低融点ガラスを使用
することを特徴とする請求項4記載の磁気ヘッドの製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20831696A JPH1049823A (ja) | 1996-08-07 | 1996-08-07 | 磁気ヘッド及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20831696A JPH1049823A (ja) | 1996-08-07 | 1996-08-07 | 磁気ヘッド及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1049823A true JPH1049823A (ja) | 1998-02-20 |
Family
ID=16554249
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20831696A Withdrawn JPH1049823A (ja) | 1996-08-07 | 1996-08-07 | 磁気ヘッド及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1049823A (ja) |
-
1996
- 1996-08-07 JP JP20831696A patent/JPH1049823A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20040316 |