JPH0822608A - 磁気ヘッド及びその製造方法 - Google Patents
磁気ヘッド及びその製造方法Info
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- JPH0822608A JPH0822608A JP15372594A JP15372594A JPH0822608A JP H0822608 A JPH0822608 A JP H0822608A JP 15372594 A JP15372594 A JP 15372594A JP 15372594 A JP15372594 A JP 15372594A JP H0822608 A JPH0822608 A JP H0822608A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 絶縁層のクラック及び巻線の断線，ショート
を防止し、信頼性の向上を図る。 【構成】 基板１に断面形状が略Ｖ字状の連続した溝２
を形成した後、これら溝２の表面に磁性薄膜３が形成さ
れる。磁性薄膜３は、軟磁性薄膜と層間絶縁膜とを交互
に成膜して所定の膜厚を有する積層構造である。各溝２
上に低融点ガラス４が充填される。このようなコアブロ
ック上に薄膜コイル６を形成し、絶縁層７を介してさら
に薄膜コイル９を形成し、絶縁層１０を介してギャップ
層１３を形成する。さらに、その上に磁性薄膜１４を形
成する。
を防止し、信頼性の向上を図る。 【構成】 基板１に断面形状が略Ｖ字状の連続した溝２
を形成した後、これら溝２の表面に磁性薄膜３が形成さ
れる。磁性薄膜３は、軟磁性薄膜と層間絶縁膜とを交互
に成膜して所定の膜厚を有する積層構造である。各溝２
上に低融点ガラス４が充填される。このようなコアブロ
ック上に薄膜コイル６を形成し、絶縁層７を介してさら
に薄膜コイル９を形成し、絶縁層１０を介してギャップ
層１３を形成する。さらに、その上に磁性薄膜１４を形
成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気ヘッド及びその製
造方法に関し、より詳細には、磁気記録媒体に情報の記
録又は再生を行う磁気ヘッドをフォトリソ工程などの微
細加工技術により製造する磁気ヘッド及びその製造方法
に関するものである。
造方法に関し、より詳細には、磁気記録媒体に情報の記
録又は再生を行う磁気ヘッドをフォトリソ工程などの微
細加工技術により製造する磁気ヘッド及びその製造方法
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】強磁性薄膜をフォトリソグラフィなどの
微細加工技術を用いて加工して得られる磁気ヘッドは、
従来の強磁性体バルク材料を加工して得られる磁気ヘッ
ドと比較して、狭トラック化や狭ギャップ化が容易であ
るために、高密度磁気記録装置の記録用又は再生用ヘッ
ドに適している。また、多素子化が容易なことから、マ
ルチチャンネル型ＰＣＭ（Pulse Code Modulation：パ
ルス符号変調）録音機や、ビデオテープレコーダ用の磁
気ヘッドとして有望視されている。
微細加工技術を用いて加工して得られる磁気ヘッドは、
従来の強磁性体バルク材料を加工して得られる磁気ヘッ
ドと比較して、狭トラック化や狭ギャップ化が容易であ
るために、高密度磁気記録装置の記録用又は再生用ヘッ
ドに適している。また、多素子化が容易なことから、マ
ルチチャンネル型ＰＣＭ（Pulse Code Modulation：パ
ルス符号変調）録音機や、ビデオテープレコーダ用の磁
気ヘッドとして有望視されている。
【０００３】図１０（ａ)〜(ｄ）〜図１１（ａ）,
（ｂ）は、従来の磁気ヘッドの製造工程を示す図で、図
中、３１は結晶化ガラス基板、３２はＶ字状の溝、３３
は磁性薄膜、３４は低融点ガラス、３５は絶縁層、３６
は第１導電層、３７は第２導電層、３８はフロントギャ
ップ部、３９はバックコア部である。
（ｂ）は、従来の磁気ヘッドの製造工程を示す図で、図
中、３１は結晶化ガラス基板、３２はＶ字状の溝、３３
は磁性薄膜、３４は低融点ガラス、３５は絶縁層、３６
は第１導電層、３７は第２導電層、３８はフロントギャ
ップ部、３９はバックコア部である。
【０００４】精度1000程度のブレードを用いたダイシン
グ加工によって、図１０（ａ）に示すように、結晶化ガ
ラス基板３１に断面形状が略Ｖ字状の連続した溝３２を
形成した後、図１０（ｂ）に示すように、これら溝３２
の表面に真空蒸着又はスパッタ法等によって、磁性薄膜
３３が形成される。その後、図１０（ｃ）に示すよう
に、各溝３２上に低融点ガラス３４が充填され、次い
で、図１０（ｄ）に示すように、前記低融点ガラス３４
の表面が各溝３２の表面側の頂点部に達するまで研磨さ
れ、平面状の研磨面が形成され、片側コアブロックが作
製される。
グ加工によって、図１０（ａ）に示すように、結晶化ガ
ラス基板３１に断面形状が略Ｖ字状の連続した溝３２を
形成した後、図１０（ｂ）に示すように、これら溝３２
の表面に真空蒸着又はスパッタ法等によって、磁性薄膜
３３が形成される。その後、図１０（ｃ）に示すよう
に、各溝３２上に低融点ガラス３４が充填され、次い
で、図１０（ｄ）に示すように、前記低融点ガラス３４
の表面が各溝３２の表面側の頂点部に達するまで研磨さ
れ、平面状の研磨面が形成され、片側コアブロックが作
製される。
【０００５】次いで、前記片側コアブロック上の研磨面
に薄膜コイルを形成する。まず、図１１（ａ）に示すよ
うに、スパッタ法等により絶縁層（ＳiＯ2等）３５を形
成した後、第１導電層（Ｃu，Ａl等）３６をＥＢ（Elec
tron Beam：電子ビーム）蒸着法等により形成する。前
記第１導電層３６を目的の巻線に加工するには、フォト
レジストをマスクに導入ガスＡrでイオンミーリング装
置を用いる。次いで、図１１（ｂ）に示すように、絶縁
層を介して、第２導電層３７をパターニング後、フロン
トギャップ部３８及びバックコア部３９の絶縁層を加工
して、片側コアブロックができる。ペア片側コアブロッ
クは、前記図１０（ｄ）において、フロントギャップ部
３８及びバックコア部３９を残して、他の部分をドライ
プロセス等を利用して加工される。
に薄膜コイルを形成する。まず、図１１（ａ）に示すよ
うに、スパッタ法等により絶縁層（ＳiＯ2等）３５を形
成した後、第１導電層（Ｃu，Ａl等）３６をＥＢ（Elec
tron Beam：電子ビーム）蒸着法等により形成する。前
記第１導電層３６を目的の巻線に加工するには、フォト
レジストをマスクに導入ガスＡrでイオンミーリング装
置を用いる。次いで、図１１（ｂ）に示すように、絶縁
層を介して、第２導電層３７をパターニング後、フロン
トギャップ部３８及びバックコア部３９の絶縁層を加工
して、片側コアブロックができる。ペア片側コアブロッ
クは、前記図１０（ｄ）において、フロントギャップ部
３８及びバックコア部３９を残して、他の部分をドライ
プロセス等を利用して加工される。
【０００６】図１２（ａ）,（ｂ）は、前記工程で作成
された２種類のコアブロックを溶着した構成図で、図
中、３１ａ，３１ｂは結晶化ガラス基板、３３ａ，３３
ｂは磁性薄膜、３４ａ，３４ｂは低融点ガラス、４０は
ギャップ部、４１，４２は絶縁層で、その他、図１０及
び図１２と同じ作用をする部分は同一の符号を付してい
る。前述した工程により、結晶化ガラス基板３１ａ，３
１ｂに設けられたＶ字状の溝３２ａ，３２ｂ及び磁性薄
膜３３ａ，３３ｂ，薄膜コイル３６を有する２種類のコ
アブロックを溶着することにより、磁気ヘッドが完成す
る。なお、図１２（ａ）はテープ摺動面を示した図であ
り、図１２（ｂ）は図１２（ａ）のＰ−Ｐ断面図であ
る。
された２種類のコアブロックを溶着した構成図で、図
中、３１ａ，３１ｂは結晶化ガラス基板、３３ａ，３３
ｂは磁性薄膜、３４ａ，３４ｂは低融点ガラス、４０は
ギャップ部、４１，４２は絶縁層で、その他、図１０及
び図１２と同じ作用をする部分は同一の符号を付してい
る。前述した工程により、結晶化ガラス基板３１ａ，３
１ｂに設けられたＶ字状の溝３２ａ，３２ｂ及び磁性薄
膜３３ａ，３３ｂ，薄膜コイル３６を有する２種類のコ
アブロックを溶着することにより、磁気ヘッドが完成す
る。なお、図１２（ａ）はテープ摺動面を示した図であ
り、図１２（ｂ）は図１２（ａ）のＰ−Ｐ断面図であ
る。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】前述した方法で作成さ
れる磁気ヘッドにおいては、低融点ガラス上に巻線を形
成する必要があるために、ガラス溶着の温度に耐えるこ
とができず、そのために、絶縁層にクラックが入り、ま
た、巻線の断線及びショートが発生し、出力の低下及び
信頼性に問題があった。
れる磁気ヘッドにおいては、低融点ガラス上に巻線を形
成する必要があるために、ガラス溶着の温度に耐えるこ
とができず、そのために、絶縁層にクラックが入り、ま
た、巻線の断線及びショートが発生し、出力の低下及び
信頼性に問題があった。
【０００８】本発明は、このような実情に鑑みてなされ
たもので、絶縁層のクラック及び巻線の断線，ショート
を防止し、信頼性の向上を図るようにした磁気ヘッド及
びその製造方法を提供することを目的としている。
たもので、絶縁層のクラック及び巻線の断線，ショート
を防止し、信頼性の向上を図るようにした磁気ヘッド及
びその製造方法を提供することを目的としている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するために、（１）略Ｖ字状の溝２とギャップ層１３
に対して傾斜して形成された第１の磁性薄膜３と、薄膜
コイル６,９とギャップ層１３に対して平行に形成され
た第２の磁性薄膜１４とを具備したこと、更には、
（２）基板の表面に略Ｖ字状の複数の溝２を形成し、各
溝２の一方の溝壁面に沿って軟磁性薄膜と層間絶縁膜と
を交互に積層して第１の磁性薄膜３を設け、その後、略
Ｖ字状の複数の溝２に低融点ガラス４を充填し、薄膜コ
イル６,９とギャップ層１３を形成後、第２の磁性薄膜
１４を形成したこと、更には、（３）一方の基板１ａ上
に磁性薄膜３ａと薄膜コイル６,９を設け、もう一方の
基板１ｂ表面に略Ｖ字状の溝２と該Ｖ字状の溝の壁面に
磁性薄膜３ｂを設け、該Ｖ字状の溝に低融点ガラス４を
モールド後、該基板３ｂ表面の一部を残して物理的に２
種類の加工を施し、前記２つの基板１ａ，１ｂを溶着す
ることを特徴としたものである。
決するために、（１）略Ｖ字状の溝２とギャップ層１３
に対して傾斜して形成された第１の磁性薄膜３と、薄膜
コイル６,９とギャップ層１３に対して平行に形成され
た第２の磁性薄膜１４とを具備したこと、更には、
（２）基板の表面に略Ｖ字状の複数の溝２を形成し、各
溝２の一方の溝壁面に沿って軟磁性薄膜と層間絶縁膜と
を交互に積層して第１の磁性薄膜３を設け、その後、略
Ｖ字状の複数の溝２に低融点ガラス４を充填し、薄膜コ
イル６,９とギャップ層１３を形成後、第２の磁性薄膜
１４を形成したこと、更には、（３）一方の基板１ａ上
に磁性薄膜３ａと薄膜コイル６,９を設け、もう一方の
基板１ｂ表面に略Ｖ字状の溝２と該Ｖ字状の溝の壁面に
磁性薄膜３ｂを設け、該Ｖ字状の溝に低融点ガラス４を
モールド後、該基板３ｂ表面の一部を残して物理的に２
種類の加工を施し、前記２つの基板１ａ，１ｂを溶着す
ることを特徴としたものである。
【００１０】
【作用】本発明の磁気ヘッドは、略Ｖ字状の溝とギャッ
プ層に対して傾斜して形成された一方の磁性層と、薄膜
コイルとギャップ層に対して平行に形成された他方の磁
性層とを有しており、（１）狭トラック幅の磁気ヘッド
を作製するにあたり、ガラス溶着工程がないため、低融
点ガラス上に形成された巻線があっても、絶縁層のクラ
ック及び巻線の断線，ショートを防止することができ、
信頼性及び歩留の向上並びに出力低下の防止を図ること
ができる。また、（２）狭トラック幅の磁気ヘッドを作
製するにあたり、巻線の下部に低融点ガラスがないため
に、ガラス溶着しても絶縁層のクラック及び巻線の断線
やショートを防止することができ、信頼性及び歩留の向
上並びに出力低下の防止を図れる。また、（３）巻線を
形成していないペアブロックを２種類の物理加工を施し
ているので、コア間の距離を大きくすることができ、そ
のために、磁束のもれが減少し出力の向上が図れる。
プ層に対して傾斜して形成された一方の磁性層と、薄膜
コイルとギャップ層に対して平行に形成された他方の磁
性層とを有しており、（１）狭トラック幅の磁気ヘッド
を作製するにあたり、ガラス溶着工程がないため、低融
点ガラス上に形成された巻線があっても、絶縁層のクラ
ック及び巻線の断線，ショートを防止することができ、
信頼性及び歩留の向上並びに出力低下の防止を図ること
ができる。また、（２）狭トラック幅の磁気ヘッドを作
製するにあたり、巻線の下部に低融点ガラスがないため
に、ガラス溶着しても絶縁層のクラック及び巻線の断線
やショートを防止することができ、信頼性及び歩留の向
上並びに出力低下の防止を図れる。また、（３）巻線を
形成していないペアブロックを２種類の物理加工を施し
ているので、コア間の距離を大きくすることができ、そ
のために、磁束のもれが減少し出力の向上が図れる。
【００１１】
【実施例】実施例について、図面を参照して以下に説明
する。図１（ａ)〜(ｄ）〜図５（ａ)〜(ｃ）は、本発明
による磁気ヘッド及びその製造方法の一実施例を説明す
るための構成図である。図中、１は基板、２はＶ字状の
溝、３は磁性薄膜、４は低融点ガラス、５は絶縁層、６
は第１導電層、７は絶縁層、８は絶縁層の一部、９は第
２導電層、１０は絶縁層、１１はフロントギャップ部、
１２はバックコア部、１３はギャップ部、１４は磁性薄
膜である。
する。図１（ａ)〜(ｄ）〜図５（ａ)〜(ｃ）は、本発明
による磁気ヘッド及びその製造方法の一実施例を説明す
るための構成図である。図中、１は基板、２はＶ字状の
溝、３は磁性薄膜、４は低融点ガラス、５は絶縁層、６
は第１導電層、７は絶縁層、８は絶縁層の一部、９は第
２導電層、１０は絶縁層、１１はフロントギャップ部、
１２はバックコア部、１３はギャップ部、１４は磁性薄
膜である。
【００１２】前述の従来工程と同様に、精度1000程度の
ブレードを用いたダイシング加工によって、図１（ａ）
に示すように、基板１である結晶化ガラス基板やセラミ
ック基板に断面形状が略Ｖ字状の連続した溝２を形成し
た後、これら溝２の表面に真空蒸着やスパッタ法等によ
って、図１（ｂ）に示すように、磁性薄膜３が形成され
る。ここで、磁性薄膜３は、高周波領域での特性改善
（損失改善）のため、軟磁性薄膜（センダスト合金膜，
窒化鉄等）と層間絶縁膜（ＳiＯ2，ＳiＯ，Ａl2Ｏ3，Ｓ
i3Ｎ4等）とを交互に成膜して所定の膜厚（トラック幅
に相当する寸法）を有する積層構造の磁性薄膜３とな
る。
ブレードを用いたダイシング加工によって、図１（ａ）
に示すように、基板１である結晶化ガラス基板やセラミ
ック基板に断面形状が略Ｖ字状の連続した溝２を形成し
た後、これら溝２の表面に真空蒸着やスパッタ法等によ
って、図１（ｂ）に示すように、磁性薄膜３が形成され
る。ここで、磁性薄膜３は、高周波領域での特性改善
（損失改善）のため、軟磁性薄膜（センダスト合金膜，
窒化鉄等）と層間絶縁膜（ＳiＯ2，ＳiＯ，Ａl2Ｏ3，Ｓ
i3Ｎ4等）とを交互に成膜して所定の膜厚（トラック幅
に相当する寸法）を有する積層構造の磁性薄膜３とな
る。
【００１３】その後は、図１（ｃ）に示すように、各溝
２上に低融点ガラス４が充填され、次いで、図１（ｄ）
に示すように、前記低融点ガラス４の表面が各溝２の表
面側の頂点部に達するまで研磨され、平面状の研磨面が
形成されてコアブロックとして作製される。
２上に低融点ガラス４が充填され、次いで、図１（ｄ）
に示すように、前記低融点ガラス４の表面が各溝２の表
面側の頂点部に達するまで研磨され、平面状の研磨面が
形成されてコアブロックとして作製される。
【００１４】次に、前記コアブロック上の研磨面に薄膜
コイルを形成する。まず、図２（ａ）に示すように、ス
パッタ法等により、絶縁層５（Ａl2Ｏ3，ＳiＯ2，Ｓi
Ｏ，Ｓi3Ｎ4等）を形成した後、図２（ｂ）に示すよう
に、ＥＢ蒸着法等により第１導電層６（Ｃu，Ａl，Ａl
−Ｃu等）を形成する。前記第１導電層６を巻線パター
ンに加工するには、図２（ｂ）,（ｃ）に示すように、
フォトレジストをマスクにし、導入ガスＡr，Ａr＋Ｏ2
等を用い、イオンミーリング装置により加工を施す。な
お、図２（ｃ）は図２（ｂ）のＡ−Ａ断面図である。次
に、図２（ｄ）に示すように、絶縁層７（ＳiＯ2，Ｓi
Ｏ，Ａl2Ｏ3，Ｓi3Ｎ4等）を形成後、平坦化処理を行
う。
コイルを形成する。まず、図２（ａ）に示すように、ス
パッタ法等により、絶縁層５（Ａl2Ｏ3，ＳiＯ2，Ｓi
Ｏ，Ｓi3Ｎ4等）を形成した後、図２（ｂ）に示すよう
に、ＥＢ蒸着法等により第１導電層６（Ｃu，Ａl，Ａl
−Ｃu等）を形成する。前記第１導電層６を巻線パター
ンに加工するには、図２（ｂ）,（ｃ）に示すように、
フォトレジストをマスクにし、導入ガスＡr，Ａr＋Ｏ2
等を用い、イオンミーリング装置により加工を施す。な
お、図２（ｃ）は図２（ｂ）のＡ−Ａ断面図である。次
に、図２（ｄ）に示すように、絶縁層７（ＳiＯ2，Ｓi
Ｏ，Ａl2Ｏ3，Ｓi3Ｎ4等）を形成後、平坦化処理を行
う。
【００１５】次に、第１導電層６と第２導電層９を接続
するために、図３（ａ）,（ｂ）に示すように、絶縁層
７の一部８をフォトレジストをマスクにして、ＲＩＥ
（リアクティブ・イオン・エッチング）等でエッチング
する。なお、図３（ｂ）は図３（ａ）のＢ−Ｂ断面図で
ある。次に、図３（ｃ）,（ｄ）に示すように、第２導
電層９を第１導電層６と同様な方法で形成し、その後、
図３（ｅ）に示すように、絶縁層１０を形成し、平坦化
処理を行う。なお、図３（ｄ）は図３（ｃ）のＣ−Ｃ断
面図である。次に、図４（ａ）,（ｂ）に示すように、
フロントギャップ部１１及びバックコア部１２の絶縁層
を加工後、図４（ｃ）に示すように、ギャップ部１３を
形成する。なお、図４（ｂ）は図４（ａ）のＤ−Ｄ断面
図である。
するために、図３（ａ）,（ｂ）に示すように、絶縁層
７の一部８をフォトレジストをマスクにして、ＲＩＥ
（リアクティブ・イオン・エッチング）等でエッチング
する。なお、図３（ｂ）は図３（ａ）のＢ−Ｂ断面図で
ある。次に、図３（ｃ）,（ｄ）に示すように、第２導
電層９を第１導電層６と同様な方法で形成し、その後、
図３（ｅ）に示すように、絶縁層１０を形成し、平坦化
処理を行う。なお、図３（ｄ）は図３（ｃ）のＣ−Ｃ断
面図である。次に、図４（ａ）,（ｂ）に示すように、
フロントギャップ部１１及びバックコア部１２の絶縁層
を加工後、図４（ｃ）に示すように、ギャップ部１３を
形成する。なお、図４（ｂ）は図４（ａ）のＤ−Ｄ断面
図である。
【００１６】最後に、上部コアとして、軟磁性薄膜（セ
ンダスト合金膜，窒化鉄等）と絶縁膜（ＳiＯ2，Ｓi
Ｏ，Ａl2Ｏ3，Ｓi3Ｎ4等）を交互に成膜して磁性薄膜１
４とする。ここで、磁性薄膜１４は全面に形成せず、メ
タルマスク等を用いて巻線部の近傍のみに形成する。そ
の理由は、磁性薄膜を全面に形成すると、図５（ａ）〜
（ｃ）に示すように、下地絶縁層との選択比（エッチン
グ速度比）から加工が難しく、また、工程が増すためで
ある。なお、図５（ｂ）は図５（ａ）のＥ−Ｅ断面図、
図５（ｃ）は図５（ａ）のＦ−Ｆ断面図で、テープ摺動
面の構造である。
ンダスト合金膜，窒化鉄等）と絶縁膜（ＳiＯ2，Ｓi
Ｏ，Ａl2Ｏ3，Ｓi3Ｎ4等）を交互に成膜して磁性薄膜１
４とする。ここで、磁性薄膜１４は全面に形成せず、メ
タルマスク等を用いて巻線部の近傍のみに形成する。そ
の理由は、磁性薄膜を全面に形成すると、図５（ａ）〜
（ｃ）に示すように、下地絶縁層との選択比（エッチン
グ速度比）から加工が難しく、また、工程が増すためで
ある。なお、図５（ｂ）は図５（ａ）のＥ−Ｅ断面図、
図５（ｃ）は図５（ａ）のＦ−Ｆ断面図で、テープ摺動
面の構造である。
【００１７】図６（ａ)〜(ｅ）〜図９（ａ)〜(ｃ）は、
本発明による磁気ヘッド及びその製造方法の他の実施例
を説明するための構成図で、図６（ａ)〜(ｅ）〜図７
（ａ)〜(ｃ）は、一方の種類であるブロック（Ａ）の工
程図で、図８（ａ）〜（ｆ）は、他方の種類のブロック
（Ｂ）の工程図で、図９（ａ）〜（ｃ）はブロック
（Ａ）とブロック（Ｂ）の溶着の工程図を各々示してい
る。図中、１ａ，１ｂは基板、３ａ，３ｂは磁性薄膜、
２０は溝、２１はフロントギャップ部、２２はバックコ
ア部で、その他、図１〜５と同じ作用をする部分は同一
の符号を付してある。
本発明による磁気ヘッド及びその製造方法の他の実施例
を説明するための構成図で、図６（ａ)〜(ｅ）〜図７
（ａ)〜(ｃ）は、一方の種類であるブロック（Ａ）の工
程図で、図８（ａ）〜（ｆ）は、他方の種類のブロック
（Ｂ）の工程図で、図９（ａ）〜（ｃ）はブロック
（Ａ）とブロック（Ｂ）の溶着の工程図を各々示してい
る。図中、１ａ，１ｂは基板、３ａ，３ｂは磁性薄膜、
２０は溝、２１はフロントギャップ部、２２はバックコ
ア部で、その他、図１〜５と同じ作用をする部分は同一
の符号を付してある。
【００１８】まず、ブロック（Ａ）の工程について説明
する。図６（ａ）に示すように、基板１ａである結晶化
ガラス基板やセラミック基板に、軟磁性薄膜（センダス
ト合金膜，窒化鉄等）と層間絶縁膜（ＳiＯ2，ＳiＯ，
Ｓi3Ｎ4，Ａl2Ｏ3等）とを交互に成膜して磁性薄膜３ａ
とし、さらに、その上に絶縁層５を形成する。
する。図６（ａ）に示すように、基板１ａである結晶化
ガラス基板やセラミック基板に、軟磁性薄膜（センダス
ト合金膜，窒化鉄等）と層間絶縁膜（ＳiＯ2，ＳiＯ，
Ｓi3Ｎ4，Ａl2Ｏ3等）とを交互に成膜して磁性薄膜３ａ
とし、さらに、その上に絶縁層５を形成する。
【００１９】次に、図６（ｂ）,（ｃ）に示すように、
前述した方法で第１導電層（巻線部）６を形成後、図６
（ｄ）,（ｅ）に示すように、絶縁層７を形成して平坦
化処理を行い、第２導電層（巻線部）９を形成後、絶縁
層１０を形成して平坦化処理を行う。なお、図６（ｃ）
は図６（ｂ）のＧ−Ｇ断面図、図６（ｅ）は図６（ｄ）
のＨ−Ｈ断面図である。
前述した方法で第１導電層（巻線部）６を形成後、図６
（ｄ）,（ｅ）に示すように、絶縁層７を形成して平坦
化処理を行い、第２導電層（巻線部）９を形成後、絶縁
層１０を形成して平坦化処理を行う。なお、図６（ｃ）
は図６（ｂ）のＧ−Ｇ断面図、図６（ｅ）は図６（ｄ）
のＨ−Ｈ断面図である。
【００２０】次に、図７（ａ）〜（ｃ）に示すように、
フロントギャップ部１１及びバックコア部１２の絶縁層
を加工後、ギャップ部１３として絶縁層を形成する。な
お、図７（ｂ）は図７（ａ）のＩ−Ｉ断面図、図７
（ｃ）は図７（ａ）のＪ−Ｊ断面図である。
フロントギャップ部１１及びバックコア部１２の絶縁層
を加工後、ギャップ部１３として絶縁層を形成する。な
お、図７（ｂ）は図７（ａ）のＩ−Ｉ断面図、図７
（ｃ）は図７（ａ）のＪ−Ｊ断面図である。
【００２１】次に、ブロック（Ｂ）の工程について説明
する。前述の工程と同様に、精度1000程度のブレードを
用いたダイシング加工によって、図８（ａ）に示すよう
に、基板１ｂである結晶化ガラス基板やセラミック基板
に断面形状が略Ｖ字状の連続した溝２を形成後、これら
溝２の表面にＥＢ蒸着法等により、軟磁性薄膜（センダ
スト合金膜等）と層間絶縁膜（ＳiＯ2等）とを交互に成
膜して磁性薄膜３ｂを形成する。
する。前述の工程と同様に、精度1000程度のブレードを
用いたダイシング加工によって、図８（ａ）に示すよう
に、基板１ｂである結晶化ガラス基板やセラミック基板
に断面形状が略Ｖ字状の連続した溝２を形成後、これら
溝２の表面にＥＢ蒸着法等により、軟磁性薄膜（センダ
スト合金膜等）と層間絶縁膜（ＳiＯ2等）とを交互に成
膜して磁性薄膜３ｂを形成する。
【００２２】次に、図８（ｂ）に示すように、各溝２に
低融点ガラス４を充填し、溝２の頂点部に達するまで研
磨し、平面状の研磨面を形成する。次に、図８（ｃ）,
（ｄ）に示すように、ペアブロック上に形成した巻線部
のフロントギャップ部とバックコア部の距離よりも若干
小さい幅で、台形，半円形又は略Ｖ,Ｕ形状のブレード
を用いてダイシング加工により、深さ５μ〜１００μ程
度の溝２０を形成する。なお、図８（ｄ）は図８（ｃ）
のＫ−Ｋ断面図である。
低融点ガラス４を充填し、溝２の頂点部に達するまで研
磨し、平面状の研磨面を形成する。次に、図８（ｃ）,
（ｄ）に示すように、ペアブロック上に形成した巻線部
のフロントギャップ部とバックコア部の距離よりも若干
小さい幅で、台形，半円形又は略Ｖ,Ｕ形状のブレード
を用いてダイシング加工により、深さ５μ〜１００μ程
度の溝２０を形成する。なお、図８（ｄ）は図８（ｃ）
のＫ−Ｋ断面図である。
【００２３】さらに、図８（ｅ）,（ｆ）に示すよう
に、フォトレジストをマスクに、フロントギャップ部２
１及びバックコア部２２を残して、導入ガスＡrでイオ
ンミング装置により５μ〜１０μ加工する。なお、図８
（ｆ）は図８（ｅ）のＬ−Ｌ断面図である。なお、前記
ダイシング加工とイオンミーリング装置により、加工は
工程を逆にしても同様の効果が得られる。
に、フォトレジストをマスクに、フロントギャップ部２
１及びバックコア部２２を残して、導入ガスＡrでイオ
ンミング装置により５μ〜１０μ加工する。なお、図８
（ｆ）は図８（ｅ）のＬ−Ｌ断面図である。なお、前記
ダイシング加工とイオンミーリング装置により、加工は
工程を逆にしても同様の効果が得られる。
【００２４】次に、溶着工程について説明する。図７
（ａ）に示すブロック（Ａ）と、図８（ｅ）に示すブロ
ック（Ｂ）とを、フロントギャップ部１１，２１，バッ
クコア部１２，２２が合致するようにガラス溶着を行う
と、図９（ａ）〜（ｃ）に示すような磁気ヘッドが完成
する。なお、図９（ｂ）は図９（ａ）のＭ−Ｍ断面図
で、図９（ｃ）は図９（ａ）のＮ−Ｎ断面図で、テープ
摺動面の構造である。
（ａ）に示すブロック（Ａ）と、図８（ｅ）に示すブロ
ック（Ｂ）とを、フロントギャップ部１１，２１，バッ
クコア部１２，２２が合致するようにガラス溶着を行う
と、図９（ａ）〜（ｃ）に示すような磁気ヘッドが完成
する。なお、図９（ｂ）は図９（ａ）のＭ−Ｍ断面図
で、図９（ｃ）は図９（ａ）のＮ−Ｎ断面図で、テープ
摺動面の構造である。
【００２５】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によると、以下のような効果がある。 （１）請求項１,２に対応する効果：基板の表面に略Ｖ
字状の複数の溝を形成し、各溝の一方の溝壁面に沿って
第１の磁性薄膜を設け、その後、溝に低融点ガラスを充
填して薄膜コイルとギャップ層を形成後、第２の磁性薄
膜を形成して狭トラック幅の磁気ヘッドを製造している
ので、ガラス溶着工程がないため、低融点ガラス上に巻
線が形成されていても、絶縁層のクラックや巻線の断線
ショートを防止でき、信頼性や歩留の向上及び出力の低
下を防止できる。 （２）請求項３に対応する効果：一方の基板上に磁性薄
膜と薄膜コイルを設け、もう一方の基板上にはＶ溝と磁
性薄膜を設け、低融点ガラスをモールド後、基板の一部
を残して２種類の加工を施し、上記２つの基板を溶着し
て、狭トラック幅の磁気ヘッドを製造しているので、巻
線部の下地に低融点ガラスが存在しないため、ガラス溶
着しても絶縁層のクラックや巻線の断線ショートがなく
なり、信頼性や歩留の向上が図れる。また、巻線を形成
していないブロックを２種類の物理的加工を施している
ので、コア間の距離が大きくなり、そのため磁束の漏れ
が減少し、出力の向上が図れる。
によると、以下のような効果がある。 （１）請求項１,２に対応する効果：基板の表面に略Ｖ
字状の複数の溝を形成し、各溝の一方の溝壁面に沿って
第１の磁性薄膜を設け、その後、溝に低融点ガラスを充
填して薄膜コイルとギャップ層を形成後、第２の磁性薄
膜を形成して狭トラック幅の磁気ヘッドを製造している
ので、ガラス溶着工程がないため、低融点ガラス上に巻
線が形成されていても、絶縁層のクラックや巻線の断線
ショートを防止でき、信頼性や歩留の向上及び出力の低
下を防止できる。 （２）請求項３に対応する効果：一方の基板上に磁性薄
膜と薄膜コイルを設け、もう一方の基板上にはＶ溝と磁
性薄膜を設け、低融点ガラスをモールド後、基板の一部
を残して２種類の加工を施し、上記２つの基板を溶着し
て、狭トラック幅の磁気ヘッドを製造しているので、巻
線部の下地に低融点ガラスが存在しないため、ガラス溶
着しても絶縁層のクラックや巻線の断線ショートがなく
なり、信頼性や歩留の向上が図れる。また、巻線を形成
していないブロックを２種類の物理的加工を施している
ので、コア間の距離が大きくなり、そのため磁束の漏れ
が減少し、出力の向上が図れる。
【図１】本発明による磁気ヘッド及びその製造方法の一
実施例を説明するための構成図（その１）である。
実施例を説明するための構成図（その１）である。
【図２】本発明による磁気ヘッド及びその製造方法の一
実施例を説明するための構成図（その２）である。
実施例を説明するための構成図（その２）である。
【図３】本発明による磁気ヘッド及びその製造方法の一
実施例を説明するための構成図（その３）である。
実施例を説明するための構成図（その３）である。
【図４】本発明による磁気ヘッド及びその製造方法の一
実施例を説明するための構成図（その４）である。
実施例を説明するための構成図（その４）である。
【図５】本発明による磁気ヘッド及びその製造方法の一
実施例を説明するための構成図（その５）である。
実施例を説明するための構成図（その５）である。
【図６】本発明による磁気ヘッド及びその製造方法の他
の実施例を説明するための構成図（その１）である。
の実施例を説明するための構成図（その１）である。
【図７】本発明による磁気ヘッド及びその製造方法の他
の実施例を説明するための構成図（その２）である。
の実施例を説明するための構成図（その２）である。
【図８】本発明による磁気ヘッド及びその製造方法の他
の実施例を説明するための構成図（その３）である。
の実施例を説明するための構成図（その３）である。
【図９】本発明による磁気ヘッド及びその製造方法の他
の実施例を説明するための構成図（その４）である。
の実施例を説明するための構成図（その４）である。
【図１０】従来の磁気ヘッドの製造工程図（その１）で
ある。
ある。
【図１１】従来の磁気ヘッドの製造工程図（その２）で
ある。
ある。
【図１２】従来の磁気ヘッドの製造工程図（その３）で
ある。
ある。
１ａ，１ｂ…基板、２…Ｖ字状の溝、３ａ，３ｂ…磁性
薄膜、４…低融点ガラス、５…絶縁層、６…第１導電
層、７…絶縁層、８…絶縁層の一部、９…第２導電層、
１０…絶縁層、１１…フロントギャップ部、１２…バッ
クコア部、１３…ギャップ部、１４…磁性薄膜、２０…
溝、２１…フロントギャップ部、２２…バックコア部。
薄膜、４…低融点ガラス、５…絶縁層、６…第１導電
層、７…絶縁層、８…絶縁層の一部、９…第２導電層、
１０…絶縁層、１１…フロントギャップ部、１２…バッ
クコア部、１３…ギャップ部、１４…磁性薄膜、２０…
溝、２１…フロントギャップ部、２２…バックコア部。
Claims (3)
- 【請求項１】 略Ｖ字状の溝とギャップ層に対して傾斜
して形成された第１の磁性薄膜と、薄膜コイルとギャッ
プ層に対して平行に形成された第２の磁性薄膜とを具備
したことを特徴とする磁気ヘッド。 - 【請求項２】 基板の表面に略Ｖ字状の複数の溝を形成
し、各溝の一方の溝壁面に沿って軟磁性薄膜と層間絶縁
膜とを交互に積層して第１の磁性薄膜を設け、その後、
略Ｖ字状の複数の溝に低融点ガラスを充填し、薄膜コイ
ルとギャップ層を形成後、第２の磁性薄膜を形成したこ
とを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項３】 一方の基板上に磁性薄膜と薄膜コイルを
設け、もう一方の基板表面に略Ｖ字状の溝と該Ｖ字状の
溝の壁面に磁性薄膜を設け、該Ｖ字状の溝に低融点ガラ
スをモールド後、該基板表面の一部を残して物理的に２
種類の加工を施し、前記２つの基板を溶着することを特
徴とする磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06153725A JP3135021B2 (ja) | 1994-07-05 | 1994-07-05 | 磁気ヘッドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06153725A JP3135021B2 (ja) | 1994-07-05 | 1994-07-05 | 磁気ヘッドの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0822608A true JPH0822608A (ja) | 1996-01-23 |
| JP3135021B2 JP3135021B2 (ja) | 2001-02-13 |
Family
ID=15568737
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP06153725A Expired - Fee Related JP3135021B2 (ja) | 1994-07-05 | 1994-07-05 | 磁気ヘッドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3135021B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0655829A (ja) * | 1987-07-07 | 1994-03-01 | Asahi Glass Co Ltd | 記録シート |
| US7070840B2 (en) | 2001-04-27 | 2006-07-04 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Inkjet recording sheet |
-
1994
- 1994-07-05 JP JP06153725A patent/JP3135021B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0655829A (ja) * | 1987-07-07 | 1994-03-01 | Asahi Glass Co Ltd | 記録シート |
| US7070840B2 (en) | 2001-04-27 | 2006-07-04 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Inkjet recording sheet |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3135021B2 (ja) | 2001-02-13 |
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