JPH1074339A - 光記録媒体 - Google Patents
光記録媒体Info
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- JPH1074339A JPH1074339A JP8230116A JP23011696A JPH1074339A JP H1074339 A JPH1074339 A JP H1074339A JP 8230116 A JP8230116 A JP 8230116A JP 23011696 A JP23011696 A JP 23011696A JP H1074339 A JPH1074339 A JP H1074339A
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- JP
- Japan
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- wavelength
- layer
- recording
- optical
- recording medium
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- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】 (修正有)
【課題】波長620〜690nmの赤色レーザーで記録
再生可能で、且つ、770〜830nmのレーザーでも
記録再生可能とする。 【解決手段】記録再生に用いるレーザー光の波長をλ
1、λ2(λ1>λ2)、記録層のグルーブ部とランド
部の色素膜厚をdg1、dl1、基板のプリグルーブ部分の
深さをdsub 、光干渉層のグルーブ部とランド部の色素
膜厚をdg2、dl2、光干渉層の反射層側のプリグルーブ
部分の深さをdint 、記録層の波長λ1、λ2での屈折
率をnabs1、nabs2、干渉層の波長λ1、λ2での屈折
率をnint1、nint2、基板のλ1とλ2での屈折率をn
sub としたとき、光学位相差( △T1)=2[nsub ・dsub
- nabs1( dg1- dl1)-nint1( dg2- dl2)]/λ1
が、−0.1≦△T1≦0.5、光学位相差( △T2)=2[n
sub ・dsub- nabs2( dg1- dl1)-nint2( dg2- dl
2)]/λ2が、0.2≦△T2≦0.8、dg1+ dg2≦dl
1+ dl2+ dsub 及び dg1- dl1≦dsub とする。
再生可能で、且つ、770〜830nmのレーザーでも
記録再生可能とする。 【解決手段】記録再生に用いるレーザー光の波長をλ
1、λ2(λ1>λ2)、記録層のグルーブ部とランド
部の色素膜厚をdg1、dl1、基板のプリグルーブ部分の
深さをdsub 、光干渉層のグルーブ部とランド部の色素
膜厚をdg2、dl2、光干渉層の反射層側のプリグルーブ
部分の深さをdint 、記録層の波長λ1、λ2での屈折
率をnabs1、nabs2、干渉層の波長λ1、λ2での屈折
率をnint1、nint2、基板のλ1とλ2での屈折率をn
sub としたとき、光学位相差( △T1)=2[nsub ・dsub
- nabs1( dg1- dl1)-nint1( dg2- dl2)]/λ1
が、−0.1≦△T1≦0.5、光学位相差( △T2)=2[n
sub ・dsub- nabs2( dg1- dl1)-nint2( dg2- dl
2)]/λ2が、0.2≦△T2≦0.8、dg1+ dg2≦dl
1+ dl2+ dsub 及び dg1- dl1≦dsub とする。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、光記録媒体、特に
複数のレーザー波長に対して記録及び又は再生可能な光
記録媒体に関する。
複数のレーザー波長に対して記録及び又は再生可能な光
記録媒体に関する。
【0002】
【従来の技術】コンパクトディスク(以下、CDと略
す)規格に対応した追記型光記録媒体としてCD−R
(CD−Recordable)が提案・開発されてい
る[例えば、日経エレクトロニクス No.465,
P.107,1989年1月23日号、OPTICAL DATA S
TORAGE DIGEST SERIES vol.1 P45, 1989等]。このCD
−Rは〔図1〕に示すように透明樹脂基板1上に記録層
2、反射層3、保護層4がこの順で積層されており、該
記録層に高パワーのレーザー光を照射することにより、
記録層が物理的あるいは化学的変化を起こし、ピットの
形で情報を記録する。形成されたピット部位に低パワー
のレーザー光を照射し、反射率の変化を検出することに
よりピットの情報を再生することができる。このような
光記録媒体の記録・再生には一般に波長770〜830
nmの近赤外半導体レーザーを用いており、レッドブッ
クやオレンジブック等のCDの規格に準拠しているた
め、CDプレーヤーやCD−ROMプレーヤーと互換性
を有するという特徴を有する。
す)規格に対応した追記型光記録媒体としてCD−R
(CD−Recordable)が提案・開発されてい
る[例えば、日経エレクトロニクス No.465,
P.107,1989年1月23日号、OPTICAL DATA S
TORAGE DIGEST SERIES vol.1 P45, 1989等]。このCD
−Rは〔図1〕に示すように透明樹脂基板1上に記録層
2、反射層3、保護層4がこの順で積層されており、該
記録層に高パワーのレーザー光を照射することにより、
記録層が物理的あるいは化学的変化を起こし、ピットの
形で情報を記録する。形成されたピット部位に低パワー
のレーザー光を照射し、反射率の変化を検出することに
よりピットの情報を再生することができる。このような
光記録媒体の記録・再生には一般に波長770〜830
nmの近赤外半導体レーザーを用いており、レッドブッ
クやオレンジブック等のCDの規格に準拠しているた
め、CDプレーヤーやCD−ROMプレーヤーと互換性
を有するという特徴を有する。
【0003】最近、770nmよりも短波長の半導体レ
ーザーの開発が進み、波長680nm及び630nmの
の赤色半導体レーザーが実用化されている[例えば、日
経エレクトロニクス、No.592、P.65、199
3 年10月11日号]。記録・再生用レーザーの短波
長化によりビームスポットを小さくすることで、高密度
な光記録媒体が可能になる。実際に半導体レーザーの短
波長化とデータ圧縮技術などにより動画を長時間記録で
きる大容量の光記録媒体及びプレーヤーが検討されてい
る[例えば、日経エレクトロニクス、No.589、
P.55、1993年8月30日号、No.594、
P.169、1993年11月8日号]。また、630
nmよりさらに短波長の490nmの青/緑色半導体レ
ーザーも研究されているが、まだ実用化の段階まで至っ
ていない[例えば、AppliedPhysics L
etter,P.1272−1274,Vol.59
(1991)や『日経エレクトロニクス』No.55
2,P.90,1992年4月27日号]。
ーザーの開発が進み、波長680nm及び630nmの
の赤色半導体レーザーが実用化されている[例えば、日
経エレクトロニクス、No.592、P.65、199
3 年10月11日号]。記録・再生用レーザーの短波
長化によりビームスポットを小さくすることで、高密度
な光記録媒体が可能になる。実際に半導体レーザーの短
波長化とデータ圧縮技術などにより動画を長時間記録で
きる大容量の光記録媒体及びプレーヤーが検討されてい
る[例えば、日経エレクトロニクス、No.589、
P.55、1993年8月30日号、No.594、
P.169、1993年11月8日号]。また、630
nmよりさらに短波長の490nmの青/緑色半導体レ
ーザーも研究されているが、まだ実用化の段階まで至っ
ていない[例えば、AppliedPhysics L
etter,P.1272−1274,Vol.59
(1991)や『日経エレクトロニクス』No.55
2,P.90,1992年4月27日号]。
【0004】しかしながら、このような赤色レーザーを
用いた高密度光記録媒体及びプレーヤーが検討されて
も、ソフトの継続性の観点からも、既に大量に普及して
いる従来のシステムとの互換性を無視することはできな
い。即ち、赤色レーザーで記録及び/又は再生が可能
で、且つ、従来の780nm近赤外半導体レーザーでの
記録及び/又は再生が可能であるという互換性のある光
記録媒体が必要となる。
用いた高密度光記録媒体及びプレーヤーが検討されて
も、ソフトの継続性の観点からも、既に大量に普及して
いる従来のシステムとの互換性を無視することはできな
い。即ち、赤色レーザーで記録及び/又は再生が可能
で、且つ、従来の780nm近赤外半導体レーザーでの
記録及び/又は再生が可能であるという互換性のある光
記録媒体が必要となる。
【0005】従来のCDやCD−ROM媒体は反射率に
関して波長依存性が少なく、高密度対応プレーヤーで容
易に再生が可能である。一方、従来のCD−R媒体は記
録層に有機色素を用いているため、光学特性の波長依存
性が大きく、その結果CD−R媒体の反射率が波長によ
って大きく変化する。例えば、780nm付近の光に対
する反射率は65%以上有するが、620〜690nm
から選ばれた赤色光に対しては記録層に用いている有機
色素の吸収が大きく屈折率が小さいため、反射率は10
%程度と小さく、変調度も小さく、且つ記録波形に大き
な歪が観測される。反射率が10%程度では信号の検出
が困難になり、検出できてもエラーレートやジッターが
大きくなり高密度対応再生プレーヤーで再生することは
難しい。また再生光安定性に劣り、同じトラックを数回
連続再生しても劣化が生じ、実用に耐えることが出来な
いという問題も生じた。
関して波長依存性が少なく、高密度対応プレーヤーで容
易に再生が可能である。一方、従来のCD−R媒体は記
録層に有機色素を用いているため、光学特性の波長依存
性が大きく、その結果CD−R媒体の反射率が波長によ
って大きく変化する。例えば、780nm付近の光に対
する反射率は65%以上有するが、620〜690nm
から選ばれた赤色光に対しては記録層に用いている有機
色素の吸収が大きく屈折率が小さいため、反射率は10
%程度と小さく、変調度も小さく、且つ記録波形に大き
な歪が観測される。反射率が10%程度では信号の検出
が困難になり、検出できてもエラーレートやジッターが
大きくなり高密度対応再生プレーヤーで再生することは
難しい。また再生光安定性に劣り、同じトラックを数回
連続再生しても劣化が生じ、実用に耐えることが出来な
いという問題も生じた。
【0006】二層色素膜を設けた光記録媒体の例とし
て、特開昭58−112794号公報ではレーザービー
ムで変化を生じない高反射率の色素層と、光吸収能を有
する有機物質を順次積層した機能分離記録膜を提案して
いる。特開昭60−239948号公報では、高反射率
のシアニン色素またはメロシアニン色素と、有機光吸収
層を積層した媒体を提案している。特開昭63−153
192号公報では、異なる光学定数を有する色素記録層
を提案している。特開平1−110193号公報は、あ
るレーザー波長に対して透過率・吸収率の異なる二種の
有機色素の積層媒体が提案されている。特開平4−33
0649号公報は、あるレーザー光に対しての吸収率ま
たは融点の異なる有機二層記録層の積層を提案してい
る。
て、特開昭58−112794号公報ではレーザービー
ムで変化を生じない高反射率の色素層と、光吸収能を有
する有機物質を順次積層した機能分離記録膜を提案して
いる。特開昭60−239948号公報では、高反射率
のシアニン色素またはメロシアニン色素と、有機光吸収
層を積層した媒体を提案している。特開昭63−153
192号公報では、異なる光学定数を有する色素記録層
を提案している。特開平1−110193号公報は、あ
るレーザー波長に対して透過率・吸収率の異なる二種の
有機色素の積層媒体が提案されている。特開平4−33
0649号公報は、あるレーザー光に対しての吸収率ま
たは融点の異なる有機二層記録層の積層を提案してい
る。
【0007】しかしながら、これらの提案はいずれもあ
る一つの波長のレーザー光に対する反射率、光劣化、高
感度記録、エラー発生率等に対する改良にとどまるもの
であり、複数のレーザー光に対して記録・再生の互換性
を有する光記録媒体ではない。
る一つの波長のレーザー光に対する反射率、光劣化、高
感度記録、エラー発生率等に対する改良にとどまるもの
であり、複数のレーザー光に対して記録・再生の互換性
を有する光記録媒体ではない。
【0008】また、特開昭61−74149号公報は吸
収波長の異なる有機色素を積層して、ピットの深さ方向
の差をつけることで記録容量を上げることを提案してい
るが、これも複数のレーザー光に対して記録・再生の互
換性を有する光記録媒体ではない。
収波長の異なる有機色素を積層して、ピットの深さ方向
の差をつけることで記録容量を上げることを提案してい
るが、これも複数のレーザー光に対して記録・再生の互
換性を有する光記録媒体ではない。
【0009】さらに、グルーブに沿ってレーザーを位置
づかせるトラッキングの安定性を考慮するとプッシュプ
ル信号が適当な大きさ(CD規格には記録後のプッシュ
プル値(P/Pa)が0.04〜0.09の規定がある。)を有し、グ
ルーブとランドとの反射率のコントラストが適当な値(
CD規格には未記録のラジアルコントラスト(RCb) が
0.05より大きい、記録後のラジアルコントラスト(R
Ca) が0.2より大きい等の規定がある。)である必要
がある。しかしながら、従来の有機二層色素媒体におい
てここまで考慮されたものはない。
づかせるトラッキングの安定性を考慮するとプッシュプ
ル信号が適当な大きさ(CD規格には記録後のプッシュ
プル値(P/Pa)が0.04〜0.09の規定がある。)を有し、グ
ルーブとランドとの反射率のコントラストが適当な値(
CD規格には未記録のラジアルコントラスト(RCb) が
0.05より大きい、記録後のラジアルコントラスト(R
Ca) が0.2より大きい等の規定がある。)である必要
がある。しかしながら、従来の有機二層色素媒体におい
てここまで考慮されたものはない。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】本発明者らは、従来の
光記録媒体では記録層に用いている有機色素が、波長6
20〜690nmで吸収が大きく屈折率が小さいため反
射率が低く、波長620〜690nmの赤色レーザーで
の再生が困難であることを見出した。しかして本発明の
目的は、CD規格を満足するプッシュプル値、ラジアル
コントラスト値及びその他の良好な記録再生信号を得る
ことができ、且つ波長620〜690nmの範囲から選
択される赤色レーザーを用いて記録及び/又は再生可能
な光記録媒体を提供することにある。
光記録媒体では記録層に用いている有機色素が、波長6
20〜690nmで吸収が大きく屈折率が小さいため反
射率が低く、波長620〜690nmの赤色レーザーで
の再生が困難であることを見出した。しかして本発明の
目的は、CD規格を満足するプッシュプル値、ラジアル
コントラスト値及びその他の良好な記録再生信号を得る
ことができ、且つ波長620〜690nmの範囲から選
択される赤色レーザーを用いて記録及び/又は再生可能
な光記録媒体を提供することにある。
【0011】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、本発明を提案する
に至った。即ち、この問題は以下の発明によって解決さ
れる。
を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、本発明を提案する
に至った。即ち、この問題は以下の発明によって解決さ
れる。
【0012】 スパイラル状にプリグルーブが形成さ
れた基板上に、少なくとも記録層、光干渉層、反射層及
び保護層を有する光記録媒体において、該記録層と光干
渉層が有機色素を主成分とする層であり、波長λ1のレ
ーザー光を用いて記録及び/又は再生が可能であり、波
長λ1より短波長側の波長λ2のレーザー光を用いて記
録及び/又は再生が可能であり、該記録層のグルーブ部
の色素膜厚をdg1、ランド部の色素膜厚をdl1、基板
のプリグルーブ部分の深さをdsub 、該光干渉層の
グルーブ部の色素膜厚をdg2、ランド部の色素膜厚d
l2、記録層の波長λ1での屈折率をnabs1、波長λ
2での屈折率をnabs2、干渉層の波長λ1での屈折
率をnint2、波長λ2での屈折率をnint2、基板
のλ1とλ2での屈折率をnsubとしたとき、 光学位相差 (△T1)=2[nsub・dsub−nabs1(d
g1−dl1)−nint1(dg2−dl2)]/λ1が −0.1≦△T1≦0.5 であり、光学位相差 (△T2)=2[nsub・dsub−nabs2(d
g1−dl1)−nint2(dg2−dl2)]/λ2が 0.2≦△T2≦0.8 であり、且つdg1+dg2≦dl1+dl2+dsub及
びdg1−dl1≦dsubであることを特徴とする光記
録媒体、 該基板のプリグルーブ部分の深さdsubが、27
0nm≧dsub≧100nmである記載の光記録媒
体、 レーザー光の波長λ1が770〜830nmの範囲
から選択され、λ2が620〜690nmの範囲から選
択される又は記載の光記録媒体、 記録層の屈折率が、波長λ1で1.9〜2.7、λ
2で1.0〜1.6、消衰係数が、λ1で0.04〜
0.16、λ2で0.1〜0.6、および光干渉層の屈
折率が、波長λ1で1.7〜2.2、λ2で1.8〜
2.7、消衰係数が、λ1で0.04〜0.10、λ2
で0.04〜0.15である〜のいずれかに記載の
光記録媒体、 波長λ1のレーザー光を用いて記録及び再生が可能
であり、波長λ1より短波長側の波長λ2のレーザー光
を用いて再生が可能である〜のいずれかに記載の光
記録媒体、 基板を通して測定した波長λ1レーザー光のプリグ
ルーブ部の反射率が65%以上であり、且つ、λ2レー
ザー光のプリグルーブ部の反射率が15%以上である
〜のいずれかに記載の光記録媒体である。
れた基板上に、少なくとも記録層、光干渉層、反射層及
び保護層を有する光記録媒体において、該記録層と光干
渉層が有機色素を主成分とする層であり、波長λ1のレ
ーザー光を用いて記録及び/又は再生が可能であり、波
長λ1より短波長側の波長λ2のレーザー光を用いて記
録及び/又は再生が可能であり、該記録層のグルーブ部
の色素膜厚をdg1、ランド部の色素膜厚をdl1、基板
のプリグルーブ部分の深さをdsub 、該光干渉層の
グルーブ部の色素膜厚をdg2、ランド部の色素膜厚d
l2、記録層の波長λ1での屈折率をnabs1、波長λ
2での屈折率をnabs2、干渉層の波長λ1での屈折
率をnint2、波長λ2での屈折率をnint2、基板
のλ1とλ2での屈折率をnsubとしたとき、 光学位相差 (△T1)=2[nsub・dsub−nabs1(d
g1−dl1)−nint1(dg2−dl2)]/λ1が −0.1≦△T1≦0.5 であり、光学位相差 (△T2)=2[nsub・dsub−nabs2(d
g1−dl1)−nint2(dg2−dl2)]/λ2が 0.2≦△T2≦0.8 であり、且つdg1+dg2≦dl1+dl2+dsub及
びdg1−dl1≦dsubであることを特徴とする光記
録媒体、 該基板のプリグルーブ部分の深さdsubが、27
0nm≧dsub≧100nmである記載の光記録媒
体、 レーザー光の波長λ1が770〜830nmの範囲
から選択され、λ2が620〜690nmの範囲から選
択される又は記載の光記録媒体、 記録層の屈折率が、波長λ1で1.9〜2.7、λ
2で1.0〜1.6、消衰係数が、λ1で0.04〜
0.16、λ2で0.1〜0.6、および光干渉層の屈
折率が、波長λ1で1.7〜2.2、λ2で1.8〜
2.7、消衰係数が、λ1で0.04〜0.10、λ2
で0.04〜0.15である〜のいずれかに記載の
光記録媒体、 波長λ1のレーザー光を用いて記録及び再生が可能
であり、波長λ1より短波長側の波長λ2のレーザー光
を用いて再生が可能である〜のいずれかに記載の光
記録媒体、 基板を通して測定した波長λ1レーザー光のプリグ
ルーブ部の反射率が65%以上であり、且つ、λ2レー
ザー光のプリグルーブ部の反射率が15%以上である
〜のいずれかに記載の光記録媒体である。
【0013】
【発明の実施の形態】本発明に従えば、上記のようなプ
リグルーブを有する基板上に、適切な屈折率および消衰
係数を有する異なる有機色素を適当な膜形状で記録層と
干渉層に積層することより、波長620〜690nmの
赤色レーザーで良好な記録及び/又は再生可能で、且
つ、770〜830nmから選ばれたレーザーで良好な
記録及び/又は再生可能な光記録媒体が実現される。す
なわち、それぞれのレーザー波長において光の多重干渉
によるエンハンス効果があり、反射率が向上すること
で、変調度の大きい記録・再生が可能となる。各色素層
のグルーブ及びランド膜厚は各波長における各n、kの
値及び各波長でのバランスを考慮し、設定することで各
波長で大きなエンハンス効果が得られ、プッシュプル及
びラジアルコントラストの値が適当な光記録媒体とな
る。
リグルーブを有する基板上に、適切な屈折率および消衰
係数を有する異なる有機色素を適当な膜形状で記録層と
干渉層に積層することより、波長620〜690nmの
赤色レーザーで良好な記録及び/又は再生可能で、且
つ、770〜830nmから選ばれたレーザーで良好な
記録及び/又は再生可能な光記録媒体が実現される。す
なわち、それぞれのレーザー波長において光の多重干渉
によるエンハンス効果があり、反射率が向上すること
で、変調度の大きい記録・再生が可能となる。各色素層
のグルーブ及びランド膜厚は各波長における各n、kの
値及び各波長でのバランスを考慮し、設定することで各
波長で大きなエンハンス効果が得られ、プッシュプル及
びラジアルコントラストの値が適当な光記録媒体とな
る。
【0014】ここで本発明でいう波長620〜690n
mの赤色レーザーは680nm、650及び635nm
付近の発振波長の半導体レーザーであり、この三波長か
ら選択される一波長または複数波長において記録及び/
又は再生可能で、且つ770〜830nmから選ばれた
レーザーで記録及び/又は再生可能であることが本発明
の特徴である。また、記録及び/又は再生可能とは、そ
の波長で記録及び再生が可能、記録のみ可能、及び他の
波長で記録したものの再生のみ可能の三つの場合を意味
するものである。
mの赤色レーザーは680nm、650及び635nm
付近の発振波長の半導体レーザーであり、この三波長か
ら選択される一波長または複数波長において記録及び/
又は再生可能で、且つ770〜830nmから選ばれた
レーザーで記録及び/又は再生可能であることが本発明
の特徴である。また、記録及び/又は再生可能とは、そ
の波長で記録及び再生が可能、記録のみ可能、及び他の
波長で記録したものの再生のみ可能の三つの場合を意味
するものである。
【0015】本発明の具体的構成について以下に説明す
る。光記録媒体とは予め情報を記録されている再生専用
の光再生専用媒体及び情報を記録して再生することので
きる光記録媒体の両方を示すものである。但し、ここで
は適例として後者の情報を記録して再生のできる光記録
媒体、特に基板上に記録層、光干渉層、反射層及び保護
層をこの順で形成した光記録媒体に関して説明する。こ
の光記録媒体は〔図2〕に示すような5層構造を有して
いる。即ち、基板1’上に記録層2’、光干渉層3’が
形成されており、その上に密着して反射層4’が設けら
れており、さらにその上に保護層5’が反射層4’を覆
っている。ただし、記録層2’と光干渉層3’は積層順
序が逆転してもかまわない。
る。光記録媒体とは予め情報を記録されている再生専用
の光再生専用媒体及び情報を記録して再生することので
きる光記録媒体の両方を示すものである。但し、ここで
は適例として後者の情報を記録して再生のできる光記録
媒体、特に基板上に記録層、光干渉層、反射層及び保護
層をこの順で形成した光記録媒体に関して説明する。こ
の光記録媒体は〔図2〕に示すような5層構造を有して
いる。即ち、基板1’上に記録層2’、光干渉層3’が
形成されており、その上に密着して反射層4’が設けら
れており、さらにその上に保護層5’が反射層4’を覆
っている。ただし、記録層2’と光干渉層3’は積層順
序が逆転してもかまわない。
【0016】基板の材質としては、基本的には記録光及
び再生光の波長で透明であればよい。例えば、ポリカー
ボネート樹脂、塩化ビニル樹脂、ポリメタクリル酸メチ
ル等のアクリル樹脂、ポリスチレン樹脂、エポキシ樹脂
等の高分子材料やガラス等の無機材料が利用される。こ
れらの基板材料は射出成形法等により円盤状に基板に成
形される。本発明では、基板表面にプリグルーブが形成
されたものであり、通常CDとして用いる場合は、厚さ
1.2mm程度、直径80ないし120mm程度の円盤
状であり、中央に直径15mm程度の穴が開いている。
プリグルーブの深さは100〜300nmの深さのもの
が好適であるが、さらに望ましくは130〜270nm
である。
び再生光の波長で透明であればよい。例えば、ポリカー
ボネート樹脂、塩化ビニル樹脂、ポリメタクリル酸メチ
ル等のアクリル樹脂、ポリスチレン樹脂、エポキシ樹脂
等の高分子材料やガラス等の無機材料が利用される。こ
れらの基板材料は射出成形法等により円盤状に基板に成
形される。本発明では、基板表面にプリグルーブが形成
されたものであり、通常CDとして用いる場合は、厚さ
1.2mm程度、直径80ないし120mm程度の円盤
状であり、中央に直径15mm程度の穴が開いている。
プリグルーブの深さは100〜300nmの深さのもの
が好適であるが、さらに望ましくは130〜270nm
である。
【0017】本発明に用いる記録層に含有する有機色素
は、λmax が700nm付近に存在し、770〜830
nmでの屈折率が大きく、吸光度が小さいものが好まし
い。具体例として、ペンタメチンシアニン系色素、ヘプ
タメチンシアニン系色素、スクアリリウム系色素、アゾ
系色素、アントラキノン系色素、インドフェノール系色
素、フタロシアニン系色素、ナフタロシアニン系色素、
ピリリウム系色素、チオピリリウム系色素、アズレニウ
ム系色素、トリフェニルメタン系色素、キサンテン系色
素、インダンスレン系色素、インジゴ系色素、チオイン
ジゴ系色素、メロシアニン系色素、チアジン系色素、ア
クリジン系色素、オキサジン系色素、ジチオール金属錯
体系色素などから選択されるが、好ましくはフタロシア
ニン系色素、ナフタロシアニン系色素であり、複数の色
素を含有していてもよい。
は、λmax が700nm付近に存在し、770〜830
nmでの屈折率が大きく、吸光度が小さいものが好まし
い。具体例として、ペンタメチンシアニン系色素、ヘプ
タメチンシアニン系色素、スクアリリウム系色素、アゾ
系色素、アントラキノン系色素、インドフェノール系色
素、フタロシアニン系色素、ナフタロシアニン系色素、
ピリリウム系色素、チオピリリウム系色素、アズレニウ
ム系色素、トリフェニルメタン系色素、キサンテン系色
素、インダンスレン系色素、インジゴ系色素、チオイン
ジゴ系色素、メロシアニン系色素、チアジン系色素、ア
クリジン系色素、オキサジン系色素、ジチオール金属錯
体系色素などから選択されるが、好ましくはフタロシア
ニン系色素、ナフタロシアニン系色素であり、複数の色
素を含有していてもよい。
【0018】本発明において光干渉層に含有する有機色
素は、λmax が500nm付近に存在し、620〜69
0nmでの屈折率が大きく、吸光度が小さいものであ
る。具体的には、シアニン系色素、スクアリリウム系色
素、アゾ系色素、ナフトキノン系色素、アントラキノン
系色素、ポルフィリン系色素、テトラピラポルフィラジ
ン系色素、インドフェノール系色素、ピリリウム系色
素、チオピリリウム系色素、アズレニウム系色素、トリ
フェニルメタン系色素、キサンテン系色素、インダンス
レン系色素、インジゴ系色素、チオインジゴ系色素、メ
ロシアニン系色素、チアジン系色素、アクリジン系色
素、オキサジン系色素などがあるが、好ましくはアゾ系
色素、ポルフィリン系色素、シアニン系色素から選択さ
れるが、複数の色素を含有していてもよい。
素は、λmax が500nm付近に存在し、620〜69
0nmでの屈折率が大きく、吸光度が小さいものであ
る。具体的には、シアニン系色素、スクアリリウム系色
素、アゾ系色素、ナフトキノン系色素、アントラキノン
系色素、ポルフィリン系色素、テトラピラポルフィラジ
ン系色素、インドフェノール系色素、ピリリウム系色
素、チオピリリウム系色素、アズレニウム系色素、トリ
フェニルメタン系色素、キサンテン系色素、インダンス
レン系色素、インジゴ系色素、チオインジゴ系色素、メ
ロシアニン系色素、チアジン系色素、アクリジン系色
素、オキサジン系色素などがあるが、好ましくはアゾ系
色素、ポルフィリン系色素、シアニン系色素から選択さ
れるが、複数の色素を含有していてもよい。
【0019】記録層2’、光干渉層3’を作製する際に
は、記録特性、光学特性等を改良するためさらに、メタ
ロセン等の有機金属錯体あるいはニトロセルロース、エ
チルセルロース、アクリル樹脂、ポリスチレン樹脂、ウ
レタン樹脂等の樹脂やレベリング剤、消泡剤等の添加剤
を本発明の効果を損なわない程度に於いて併用すること
ができる。
は、記録特性、光学特性等を改良するためさらに、メタ
ロセン等の有機金属錯体あるいはニトロセルロース、エ
チルセルロース、アクリル樹脂、ポリスチレン樹脂、ウ
レタン樹脂等の樹脂やレベリング剤、消泡剤等の添加剤
を本発明の効果を損なわない程度に於いて併用すること
ができる。
【0020】また、必要に応じて、消光剤や紫外線吸収
剤等の添加剤を混合あるいは置換基として導入すること
も可能である。例えば、以下の式(1)〜(7)[化
1]で示されるものが挙げられる。
剤等の添加剤を混合あるいは置換基として導入すること
も可能である。例えば、以下の式(1)〜(7)[化
1]で示されるものが挙げられる。
【0021】
【化1】 (但し、A、A’はベンゼン環あるいは置換ベンゼン環
を形成するか、またはナフタレン環あるいは置換ナフタ
レン環を形成する原子群であり、同種であっても異種で
あっても良い。これらの置換基としては単数である場合
も複数である場合もあるが、アルキル基、アルコキシ
基、ヒドロキシ基、カルボキシル基、ハロゲン原子、ア
リル基、アルキルカルボキシル基、アルキルアルコキシ
ル基、アラルキル基、アルキルカルボニル基、金属イオ
ンと結合したスルホネートアルキル基、ニトロ基、アミ
ノ基、アルキルアミノ基、フェニル基、フェニルエチレ
ン基等がある。R1 〜R23は置換または未置換のアルキ
ル基、アルコキシ基、ヒドロキシ基、カルボキシル基、
ハロゲン原子、アリル基、アルキルカルボキシル基、ア
ルキルアルコキシル基、アラルキル基、アルキルカルボ
ニル基、金属イオンと結合したスルホネートアルキル
基、ニトロ基、アミノ基、アルキルアミノ基、フェニル
基、フェニルエチレン基等がある。Mは、Ni、Co、
Mn、Cu、Pd及びPtなどの遷移金属を示してい
る。Mは電荷を持ち、カチオンと塩構造をとっても良
い。aはイオン体の電価数を表し、0を含む正の整数で
ある。Zはカチオンを示し、a=b・cであり、a=0
のときは、b・c=0でZは存在せず、化合物は中性体
となる。) 記録層、光干渉層で使用する有機色素の含有量は、30
%以上、好ましくは60%以上である。
を形成するか、またはナフタレン環あるいは置換ナフタ
レン環を形成する原子群であり、同種であっても異種で
あっても良い。これらの置換基としては単数である場合
も複数である場合もあるが、アルキル基、アルコキシ
基、ヒドロキシ基、カルボキシル基、ハロゲン原子、ア
リル基、アルキルカルボキシル基、アルキルアルコキシ
ル基、アラルキル基、アルキルカルボニル基、金属イオ
ンと結合したスルホネートアルキル基、ニトロ基、アミ
ノ基、アルキルアミノ基、フェニル基、フェニルエチレ
ン基等がある。R1 〜R23は置換または未置換のアルキ
ル基、アルコキシ基、ヒドロキシ基、カルボキシル基、
ハロゲン原子、アリル基、アルキルカルボキシル基、ア
ルキルアルコキシル基、アラルキル基、アルキルカルボ
ニル基、金属イオンと結合したスルホネートアルキル
基、ニトロ基、アミノ基、アルキルアミノ基、フェニル
基、フェニルエチレン基等がある。Mは、Ni、Co、
Mn、Cu、Pd及びPtなどの遷移金属を示してい
る。Mは電荷を持ち、カチオンと塩構造をとっても良
い。aはイオン体の電価数を表し、0を含む正の整数で
ある。Zはカチオンを示し、a=b・cであり、a=0
のときは、b・c=0でZは存在せず、化合物は中性体
となる。) 記録層、光干渉層で使用する有機色素の含有量は、30
%以上、好ましくは60%以上である。
【0022】光学定数は複素屈折率(n+ki)で表現
される。式中のn,kは、実数部nと虚数部kに相当す
る係数である。ここでは、nを屈折率、kを消衰係数と
する。
される。式中のn,kは、実数部nと虚数部kに相当す
る係数である。ここでは、nを屈折率、kを消衰係数と
する。
【0023】一般に有機色素は、波長λに対し、屈折率
nと消衰係数kが大きく変化する特徴がある。この特徴
を利用して各レーザー波長において好ましい光学定数を
有する有機色素を用いて光干渉層を成膜する。これによ
り、各レーザー波長において、高い反射率を得ることが
できる。
nと消衰係数kが大きく変化する特徴がある。この特徴
を利用して各レーザー波長において好ましい光学定数を
有する有機色素を用いて光干渉層を成膜する。これによ
り、各レーザー波長において、高い反射率を得ることが
できる。
【0024】本発明においては、記録層に必要な光学定
数(屈折率n、消衰係数k)は前記レーザー光の波長λ
1において、nが1.8以上で、且つ、kが0.04〜
0.20である。λ2においては、nが1.0以上で、
且つ、kが0.04〜0.6である。波長λ1で、nが
これより小さい値になるとCD規格を満足する反射率と
信号変調度は得られず、波長λ2においても、nがこれ
より小さい値となると正確な信号読みとりに必要な反射
率が得られない。また、波長λ1において、kが0.2
0を越えると反射率が低下してCD規格を満足すること
が困難であり、kが0.02未満だと記録ができない。
また波長λ2において、kが0.6を越えると吸収が大
きくなりすぎ再生に必要な反射率が得られないだけでな
く、再生光により信号が変化しやすくなり実用に適さな
い。
数(屈折率n、消衰係数k)は前記レーザー光の波長λ
1において、nが1.8以上で、且つ、kが0.04〜
0.20である。λ2においては、nが1.0以上で、
且つ、kが0.04〜0.6である。波長λ1で、nが
これより小さい値になるとCD規格を満足する反射率と
信号変調度は得られず、波長λ2においても、nがこれ
より小さい値となると正確な信号読みとりに必要な反射
率が得られない。また、波長λ1において、kが0.2
0を越えると反射率が低下してCD規格を満足すること
が困難であり、kが0.02未満だと記録ができない。
また波長λ2において、kが0.6を越えると吸収が大
きくなりすぎ再生に必要な反射率が得られないだけでな
く、再生光により信号が変化しやすくなり実用に適さな
い。
【0025】また、本発明においては光干渉層に必要な
光学定数は前記レーザー光の波長λ1において、nが
1.5以上で、且つ、kが0.02〜0.15である。
λ2においては、nが1.7以上、且つ、kが0.04
〜0.25である。波長λ1で、nがこれより小さい値
になるとCD規格を満足する反射率と信号変調度は得ら
れず、波長λ2においても、nがこれより小さい値とな
ると正確な信号読みとりに必要な反射率が得られない。
また、波長λ1において、kが0.15を越えると反射
率が低下してCD規格を満足することが困難であり、ま
た波長λ2において、kが0.25を越えると吸収が大
きくなりすぎ再生に必要な反射率が得られないだけでな
く、再生光により信号が変化しやすくなり実用に適さな
い。
光学定数は前記レーザー光の波長λ1において、nが
1.5以上で、且つ、kが0.02〜0.15である。
λ2においては、nが1.7以上、且つ、kが0.04
〜0.25である。波長λ1で、nがこれより小さい値
になるとCD規格を満足する反射率と信号変調度は得ら
れず、波長λ2においても、nがこれより小さい値とな
ると正確な信号読みとりに必要な反射率が得られない。
また、波長λ1において、kが0.15を越えると反射
率が低下してCD規格を満足することが困難であり、ま
た波長λ2において、kが0.25を越えると吸収が大
きくなりすぎ再生に必要な反射率が得られないだけでな
く、再生光により信号が変化しやすくなり実用に適さな
い。
【0026】有機色素の特性を考慮した場合、記録層の
光学定数は、波長λ1において、nが1.9〜2.7
で、且つ、kが0.04〜0.16である。λ2におい
ては、nが1.0〜1.6で、且つ、kが0.1〜0.
6を満足する必要があり、光干渉層の光学定数は、波長
λ1において、nが1.7〜2.2で、且つ、kが0.
04〜0.10である。λ2においては、nが1.8〜
2.7で、且つ、kが0.04〜0.15を満足するこ
とが好ましい。
光学定数は、波長λ1において、nが1.9〜2.7
で、且つ、kが0.04〜0.16である。λ2におい
ては、nが1.0〜1.6で、且つ、kが0.1〜0.
6を満足する必要があり、光干渉層の光学定数は、波長
λ1において、nが1.7〜2.2で、且つ、kが0.
04〜0.10である。λ2においては、nが1.8〜
2.7で、且つ、kが0.04〜0.15を満足するこ
とが好ましい。
【0027】なお、ここで用いている光干渉層は記録層
がレーザー光で分解、燃焼、変形する際に一部は化学変
化及び物理変化を生じることが観測されているが、各レ
ーザー波長で反射率を向上させることが主な役割であ
る。
がレーザー光で分解、燃焼、変形する際に一部は化学変
化及び物理変化を生じることが観測されているが、各レ
ーザー波長で反射率を向上させることが主な役割であ
る。
【0028】〔図2〕において、記録層のグルーブ部の
色素膜厚をdg1、ランド部の色素膜厚dl1、基板のプ
リグルーブ部分の深さをdsub 、該光干渉層のグルーブ
部の色素膜厚をdg2、ランド部の色素膜厚dl2、光干
渉層の反射層側のプリグルーブ部分の深さをdint 、記
録層の波長λ1での屈折率をnabs1、波長λ2での屈折
率をnabs2、干渉層の波長λ1での屈折率をnint1、波
長λ2での屈折率をnint2、基板のλ1とλ2での屈折
率をnsub としたとき、ランド部の光学的距離(Xl)は、
nsub ・dsub + nabs1・dl1 +nint1・dl2、プリ
グルーブ部の光学的距離(Xp)は、nabs1・dg1 +nint1
・dg2であるから、基板側から波長λ1のレーザー光
を照射した際、反射層4’によりプリグルーブの部分と
ランド部分で反射されたレーザー光の光学的位相差( △
T1=2(Xl-Xp)/λ1) は、△T1=2[ nsub ・dsub - nab
s1(dg1-dl1)-nint1(dg2-dl2)]/λ1と表され、同
様にλ2の場合は光学位相差( △T2)=2[nsub・dsub -
nabs2(dg1-dl2)-nint2(dg2-dl2)]/λ2と表さ
れる。ただし、dg1+dg2≦dl1+dl2+dsub 及びdg1
-dl1≦dsub を満足する必要がある。
色素膜厚をdg1、ランド部の色素膜厚dl1、基板のプ
リグルーブ部分の深さをdsub 、該光干渉層のグルーブ
部の色素膜厚をdg2、ランド部の色素膜厚dl2、光干
渉層の反射層側のプリグルーブ部分の深さをdint 、記
録層の波長λ1での屈折率をnabs1、波長λ2での屈折
率をnabs2、干渉層の波長λ1での屈折率をnint1、波
長λ2での屈折率をnint2、基板のλ1とλ2での屈折
率をnsub としたとき、ランド部の光学的距離(Xl)は、
nsub ・dsub + nabs1・dl1 +nint1・dl2、プリ
グルーブ部の光学的距離(Xp)は、nabs1・dg1 +nint1
・dg2であるから、基板側から波長λ1のレーザー光
を照射した際、反射層4’によりプリグルーブの部分と
ランド部分で反射されたレーザー光の光学的位相差( △
T1=2(Xl-Xp)/λ1) は、△T1=2[ nsub ・dsub - nab
s1(dg1-dl1)-nint1(dg2-dl2)]/λ1と表され、同
様にλ2の場合は光学位相差( △T2)=2[nsub・dsub -
nabs2(dg1-dl2)-nint2(dg2-dl2)]/λ2と表さ
れる。ただし、dg1+dg2≦dl1+dl2+dsub 及びdg1
-dl1≦dsub を満足する必要がある。
【0029】シミュレーションにより、高い反射率が得
られ易く、適当なプッシュプル信号、ラジアルコントラ
ストが得られるのは−0.1≦△T1≦0.5、0.2≦
△T2≦0.8の範囲となり、λ1とλ2の波長において
バランスの取れた色素層の膜厚とする。
られ易く、適当なプッシュプル信号、ラジアルコントラ
ストが得られるのは−0.1≦△T1≦0.5、0.2≦
△T2≦0.8の範囲となり、λ1とλ2の波長において
バランスの取れた色素層の膜厚とする。
【0030】さらに、dsub を100nm以上にする、
さらに好ましくは130nm以上にすることにより、良
好なプッシュプル、ラジアルコントラストが得られる。
なお、反射率および成形のやり易さを考慮すると、dsu
b は270nm以下がより望ましい。
さらに好ましくは130nm以上にすることにより、良
好なプッシュプル、ラジアルコントラストが得られる。
なお、反射率および成形のやり易さを考慮すると、dsu
b は270nm以下がより望ましい。
【0031】上記の化合物、有機色素等を用いて、スピ
ンコート法やキャスト法等の塗布法やスパッタ法や化学
蒸着法、真空蒸着法等によって基板上のグルーブ上の厚
さが30〜300nm、好ましくは厚さ50〜200n
mの記録層や光干渉層を形成させる。記録層のグルーブ
上の膜厚を30nmより薄くすると、熱拡散が大きいた
め記録出来ないか、または記録信号に歪が発生する上、
信号振幅が小さくなりCD規格を満足しなくなる。ま
た、この膜厚が300nmより厚い場合は反射率が低下
し、再生信号特性が悪化する。一方、光干渉層のグルー
ブ膜厚を30nmより薄くすると、光エンハンス効果が
小さくなり反射率向上効果が得られない。
ンコート法やキャスト法等の塗布法やスパッタ法や化学
蒸着法、真空蒸着法等によって基板上のグルーブ上の厚
さが30〜300nm、好ましくは厚さ50〜200n
mの記録層や光干渉層を形成させる。記録層のグルーブ
上の膜厚を30nmより薄くすると、熱拡散が大きいた
め記録出来ないか、または記録信号に歪が発生する上、
信号振幅が小さくなりCD規格を満足しなくなる。ま
た、この膜厚が300nmより厚い場合は反射率が低下
し、再生信号特性が悪化する。一方、光干渉層のグルー
ブ膜厚を30nmより薄くすると、光エンハンス効果が
小さくなり反射率向上効果が得られない。
【0032】特に塗布法においては色素を溶解あるいは
分散させた塗布溶媒を用いるが、この際溶媒は基板にダ
メージを与えないものを選ぶことが好ましい。例えば、
メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、ア
リルアルコール、メチルセロソルブ、テトラフルオロプ
ロパノール等のアルコール系溶媒;ヘキサン、ヘプタ
ン、オクタン、デカン、シクロヘキサン、メチルシクロ
ヘキサン、ジメチルシクロヘキサン等の脂肪族又は脂環
式炭化水素系溶媒;トルエン、キシレン、ベンゼン等の
芳香族炭化水素系溶媒;四塩化炭素、クロロホルム等の
ハロゲン化炭化水素系溶媒;ジエチルエーテル、ジブチ
ルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジオキサン等の
エーテル系溶媒;アセトン等のケトン系溶媒、酢酸エチ
ル等のエステル系溶媒、水などが1種あるいは複数混合
して用いられる。
分散させた塗布溶媒を用いるが、この際溶媒は基板にダ
メージを与えないものを選ぶことが好ましい。例えば、
メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、ア
リルアルコール、メチルセロソルブ、テトラフルオロプ
ロパノール等のアルコール系溶媒;ヘキサン、ヘプタ
ン、オクタン、デカン、シクロヘキサン、メチルシクロ
ヘキサン、ジメチルシクロヘキサン等の脂肪族又は脂環
式炭化水素系溶媒;トルエン、キシレン、ベンゼン等の
芳香族炭化水素系溶媒;四塩化炭素、クロロホルム等の
ハロゲン化炭化水素系溶媒;ジエチルエーテル、ジブチ
ルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジオキサン等の
エーテル系溶媒;アセトン等のケトン系溶媒、酢酸エチ
ル等のエステル系溶媒、水などが1種あるいは複数混合
して用いられる。
【0033】また、記録層に使用する有機色素と光干渉
層に使用する有機色素は各々異なる極性の溶媒に溶解
し、もう一方の溶媒には溶解せず、2層目の色素層を塗
布する際には一層目の層に障害を与えないようにするこ
とが好ましい。例えば、一方の色素層に使用する色素
は、極性の高い溶媒、例えば、アルコール系溶媒、水等
に溶解し、もう一方の色素層に使用する色素は、極性の
低い溶媒、例えば、脂肪族又は脂環式炭化水素系溶媒、
芳香族炭化水素系溶媒、四塩化炭素、エーテル系溶媒に
溶解して塗布する。なお、樹脂性基板への障害、あるい
は多層膜の影響を減少させるためためには、各色素層塗
布成膜のための溶媒は、脂肪族又は脂環式炭化水素系溶
媒およびこれらと他溶媒の混合溶媒と、アルコール系溶
媒およびこれらと他溶媒の混合溶媒であり、それぞれに
可溶な色素の組み合わせが特に望ましい。
層に使用する有機色素は各々異なる極性の溶媒に溶解
し、もう一方の溶媒には溶解せず、2層目の色素層を塗
布する際には一層目の層に障害を与えないようにするこ
とが好ましい。例えば、一方の色素層に使用する色素
は、極性の高い溶媒、例えば、アルコール系溶媒、水等
に溶解し、もう一方の色素層に使用する色素は、極性の
低い溶媒、例えば、脂肪族又は脂環式炭化水素系溶媒、
芳香族炭化水素系溶媒、四塩化炭素、エーテル系溶媒に
溶解して塗布する。なお、樹脂性基板への障害、あるい
は多層膜の影響を減少させるためためには、各色素層塗
布成膜のための溶媒は、脂肪族又は脂環式炭化水素系溶
媒およびこれらと他溶媒の混合溶媒と、アルコール系溶
媒およびこれらと他溶媒の混合溶媒であり、それぞれに
可溶な色素の組み合わせが特に望ましい。
【0034】色素の塗布溶媒への溶解性の改良は、色素
分子内に適当な置換基を導入することで可能になる。例
えば、極性の低い溶媒に溶解しやすくするには、次のよ
うな置換基、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ
基、アルキルアリル基、アルキルカルボニル基、アルコ
キシカルボニル基、アルキルアミノ基、アルキルイミノ
基、アルキルカルボキシアミド基、アルカノイルイミノ
基、アルカンスルファニル基、アルカンスルフェニル
基、アルカンスルフォンアミド基等の導入を行えばよ
い。一方、極性の高い溶媒に溶解しやすくするには、次
のような置換基、末端がアミノ基、カルボキシル基、カ
ルバモイル基、メルカプト基、メルカプトアミノ基、ス
ルファモイル基、スルホン酸基、スルホンアミノ基等の
導入を行えばよい。なお記録層又は光干渉層は、色素を
高分子薄膜などに分散して用いたりすることもできる。
分子内に適当な置換基を導入することで可能になる。例
えば、極性の低い溶媒に溶解しやすくするには、次のよ
うな置換基、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ
基、アルキルアリル基、アルキルカルボニル基、アルコ
キシカルボニル基、アルキルアミノ基、アルキルイミノ
基、アルキルカルボキシアミド基、アルカノイルイミノ
基、アルカンスルファニル基、アルカンスルフェニル
基、アルカンスルフォンアミド基等の導入を行えばよ
い。一方、極性の高い溶媒に溶解しやすくするには、次
のような置換基、末端がアミノ基、カルボキシル基、カ
ルバモイル基、メルカプト基、メルカプトアミノ基、ス
ルファモイル基、スルホン酸基、スルホンアミノ基等の
導入を行えばよい。なお記録層又は光干渉層は、色素を
高分子薄膜などに分散して用いたりすることもできる。
【0035】また、基板にダメージを与えない溶媒を選
択できない場合はスパッタ法、化学蒸着法や真空蒸着法
などが有効である。さらに、基板と記録層又は光干渉層
の間には、有機化合物又は無機化合物からなる下引き層
を設けてもよい。
択できない場合はスパッタ法、化学蒸着法や真空蒸着法
などが有効である。さらに、基板と記録層又は光干渉層
の間には、有機化合物又は無機化合物からなる下引き層
を設けてもよい。
【0036】次に記録層の上に厚さ50〜300nm、
好ましくは70〜150nmの反射層を形成する。反射
層の材料としては、再生光の波長で反射率の十分高いも
の、例えば、Au、Al、Ag、Cu、Ti、Cr、N
i、Pt、Ta、Cr及びPdの金属を単独あるいは合
金にして用いることが可能である。このなかでもAu、
Al、Agは反射率が高く反射層の材料として適してい
る。これ以外でも下記のものを含んでいてもよい。例え
ば、Mg、Se、Hf、V、Nb、Ru、W、Mn、R
e、Fe、Co、Rh、Ir、Cu、Zn、Cd、G
a、In、Si、Ge、Te、Pb、Po、Sn、Bi
などの金属及び半金属を挙げることができる。
好ましくは70〜150nmの反射層を形成する。反射
層の材料としては、再生光の波長で反射率の十分高いも
の、例えば、Au、Al、Ag、Cu、Ti、Cr、N
i、Pt、Ta、Cr及びPdの金属を単独あるいは合
金にして用いることが可能である。このなかでもAu、
Al、Agは反射率が高く反射層の材料として適してい
る。これ以外でも下記のものを含んでいてもよい。例え
ば、Mg、Se、Hf、V、Nb、Ru、W、Mn、R
e、Fe、Co、Rh、Ir、Cu、Zn、Cd、G
a、In、Si、Ge、Te、Pb、Po、Sn、Bi
などの金属及び半金属を挙げることができる。
【0037】また、Auを主成分としているものは反射
率の高い反射層が容易に得られるため好適である。ここ
で主成分というのは含有率が50%以上のものをいう。
金属以外の材料で低屈折率薄膜と高屈折率薄膜を交互に
積み重ねて多層膜を形成し、反射層として用いることも
可能である。
率の高い反射層が容易に得られるため好適である。ここ
で主成分というのは含有率が50%以上のものをいう。
金属以外の材料で低屈折率薄膜と高屈折率薄膜を交互に
積み重ねて多層膜を形成し、反射層として用いることも
可能である。
【0038】反射層を形成する方法としては、例えば、
スパッタ法、イオンプレーテイング法、化学蒸着法、真
空蒸着法等が挙げられる。また、反射率を高めるためや
密着性をよくするために光干渉層又は記録層と反射層の
間に反射増幅層や接着層を設けることもできる。
スパッタ法、イオンプレーテイング法、化学蒸着法、真
空蒸着法等が挙げられる。また、反射率を高めるためや
密着性をよくするために光干渉層又は記録層と反射層の
間に反射増幅層や接着層を設けることもできる。
【0039】さらに、反射層の上の保護層の材料として
は反射層を外力から保護するものであれば特に限定しな
い。有機物質としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、
電子線硬化性樹脂、UV硬化性樹脂等を挙げることがで
きる。又、無機物質としては、SiO2 、SiN4 、M
gF2 、SnO2 等が挙げられる。熱可塑性樹脂、熱硬
化性樹脂などは適当な溶剤に溶解して塗布液を塗布し、
乾燥することによって形成することができる。UV硬化
性樹脂は、そのままもしくは適当な溶剤に溶解して塗布
液を調製した後にこの塗布液を塗布し、UV光を照射し
て硬化させることによって形成することができる。UV
硬化性樹脂としては、例えば、ウレタンアクリレート、
エポキシアクリレート、ポリエステルアクリレートなど
のアクリレート樹脂を用いることができる。これらの材
料は単独であるいは混合して用いても良いし、1層だけ
でなく多層膜にして用いてもいっこうに差し支えない。
は反射層を外力から保護するものであれば特に限定しな
い。有機物質としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、
電子線硬化性樹脂、UV硬化性樹脂等を挙げることがで
きる。又、無機物質としては、SiO2 、SiN4 、M
gF2 、SnO2 等が挙げられる。熱可塑性樹脂、熱硬
化性樹脂などは適当な溶剤に溶解して塗布液を塗布し、
乾燥することによって形成することができる。UV硬化
性樹脂は、そのままもしくは適当な溶剤に溶解して塗布
液を調製した後にこの塗布液を塗布し、UV光を照射し
て硬化させることによって形成することができる。UV
硬化性樹脂としては、例えば、ウレタンアクリレート、
エポキシアクリレート、ポリエステルアクリレートなど
のアクリレート樹脂を用いることができる。これらの材
料は単独であるいは混合して用いても良いし、1層だけ
でなく多層膜にして用いてもいっこうに差し支えない。
【0040】保護層の形成の方法としては、記録層や光
干渉層と同様にスピンコート法やキャスト法などの塗布
法やスパッタ法や化学蒸着法等の方法が用いられるが、
このなかでもスピンコート法が好ましい。保護層の膜厚
は、一般には0.1〜100μmの範囲であるが、本発
明においては、3〜30μmであり、好ましくは5〜2
0μmがより好ましい。保護層の上に更にレーベル等の
印刷を行うこともできる。また、反射層面に保護シート
または基板を貼り合わせる、あるいは反射層面相互を内
側とし対向させ光記録媒体2枚を貼り合わせる等の手段
を用いてもよい。このようにして得られる本発明の媒体
は、620〜690nmの範囲から選ばれた波長λ2の
レーザー光に対する基板側からの反射率が15%以上、
好ましくは20%以上あり、また、770nm〜830
nmの範囲から選ばれた波長λ1のレーザー光に対する
基板側からの反射率が65%以上有し、他の記録特性も
良好なCD規格を満足するものである。
干渉層と同様にスピンコート法やキャスト法などの塗布
法やスパッタ法や化学蒸着法等の方法が用いられるが、
このなかでもスピンコート法が好ましい。保護層の膜厚
は、一般には0.1〜100μmの範囲であるが、本発
明においては、3〜30μmであり、好ましくは5〜2
0μmがより好ましい。保護層の上に更にレーベル等の
印刷を行うこともできる。また、反射層面に保護シート
または基板を貼り合わせる、あるいは反射層面相互を内
側とし対向させ光記録媒体2枚を貼り合わせる等の手段
を用いてもよい。このようにして得られる本発明の媒体
は、620〜690nmの範囲から選ばれた波長λ2の
レーザー光に対する基板側からの反射率が15%以上、
好ましくは20%以上あり、また、770nm〜830
nmの範囲から選ばれた波長λ1のレーザー光に対する
基板側からの反射率が65%以上有し、他の記録特性も
良好なCD規格を満足するものである。
【0041】本発明における赤色レーザーは、620〜
690nmの波長のレーザーであればいずれでも良い。
例えば、可視領域の広範囲で波長選択のできる色素レー
ザーや波長633nmのヘリウムネオンレーザー、最近
開発されている波長680、650、635nmの高出
力半導体レーザーなどがあるが、装置に搭載することを
考えると半導体レーザーが好適である。また、近赤外レ
ーザーは、770〜830nmの波長のレーザーであれ
ば何でも良いが、市販のCDプレーヤーやCDレコーダ
ーに用いられている半導体レーザーが適している。
690nmの波長のレーザーであればいずれでも良い。
例えば、可視領域の広範囲で波長選択のできる色素レー
ザーや波長633nmのヘリウムネオンレーザー、最近
開発されている波長680、650、635nmの高出
力半導体レーザーなどがあるが、装置に搭載することを
考えると半導体レーザーが好適である。また、近赤外レ
ーザーは、770〜830nmの波長のレーザーであれ
ば何でも良いが、市販のCDプレーヤーやCDレコーダ
ーに用いられている半導体レーザーが適している。
【0042】
【実施例】以下に本発明の実施例を示すが、本発明はこ
れによりなんら限定されるものではない。 〔実施例1〕式(8)[化2]に示されるフタロシアニ
ン化合物0.15gをジメチルシクロヘキサン10ml
に溶解し、色素溶液1を調整する。基板は、ポリカーボ
ネート樹脂製で連続した案内溝(トラックピッチ:1.
6μm)を有する直径120mmφ、厚さ1.2mm、
プリグルーブの深さが230nmの円盤状のものを用い
た。基板の屈折率(nsub )は1.58であった。
れによりなんら限定されるものではない。 〔実施例1〕式(8)[化2]に示されるフタロシアニ
ン化合物0.15gをジメチルシクロヘキサン10ml
に溶解し、色素溶液1を調整する。基板は、ポリカーボ
ネート樹脂製で連続した案内溝(トラックピッチ:1.
6μm)を有する直径120mmφ、厚さ1.2mm、
プリグルーブの深さが230nmの円盤状のものを用い
た。基板の屈折率(nsub )は1.58であった。
【0043】この基板上に色素溶液1を回転数1600
rpmでスピンコートし、70℃2時間乾燥して、グル
ーブ膜厚110nm、ランド膜厚40nm記録層を形成
した。この記録層の光学定数は、780nmでnが2.
3、kは0.09であり、680nmではnが1.2、
kは0.50であり、650nmではnが1.2、kは
0.49であり、635nmではnが1.1、kは0.
32である。
rpmでスピンコートし、70℃2時間乾燥して、グル
ーブ膜厚110nm、ランド膜厚40nm記録層を形成
した。この記録層の光学定数は、780nmでnが2.
3、kは0.09であり、680nmではnが1.2、
kは0.50であり、650nmではnが1.2、kは
0.49であり、635nmではnが1.1、kは0.
32である。
【0044】さらに、式(9)[化3]に示されるアゾ
化合物0.1gを2,2,3,3-テトラフルオロ-1- プロパノ
ールとイソプロパノールの8:2体積比で混合した溶媒
10mlに溶解した色素溶液2を回転数1800rpm
でスピンコートし、70℃3時間乾燥して、グルーブ膜
厚70nm、ランド膜厚30nmの光干渉層を形成し
た。この光干渉層の光学定数は、780nmでnが1.
9、kは0.04であり、680nmではnが2.1、
kは0.04であり、650nmではnが2.2、kは
0.05であり、635nmではnが2.4、kは0.
09である。
化合物0.1gを2,2,3,3-テトラフルオロ-1- プロパノ
ールとイソプロパノールの8:2体積比で混合した溶媒
10mlに溶解した色素溶液2を回転数1800rpm
でスピンコートし、70℃3時間乾燥して、グルーブ膜
厚70nm、ランド膜厚30nmの光干渉層を形成し
た。この光干渉層の光学定数は、780nmでnが1.
9、kは0.04であり、680nmではnが2.1、
kは0.04であり、650nmではnが2.2、kは
0.05であり、635nmではnが2.4、kは0.
09である。
【0045】この色素層の上にバルザース社製スパッタ
装置(CDI−900)を用いてAuをスパッタし、厚
さ100nmの反射層を形成した。スパッタガスには、
アルゴンガスを用いた。スパッタ条件は、スパッタパワ
ー2.5kW、スパッタガス圧1.0×10-2Torr
で行った。さらに反射層の上に紫外線硬化樹脂SD−1
7(大日本インキ化学工業製)をスピンコートした後、
紫外線照射して厚さ6μmの保護層を形成し、光記録媒
体を作製した。
装置(CDI−900)を用いてAuをスパッタし、厚
さ100nmの反射層を形成した。スパッタガスには、
アルゴンガスを用いた。スパッタ条件は、スパッタパワ
ー2.5kW、スパッタガス圧1.0×10-2Torr
で行った。さらに反射層の上に紫外線硬化樹脂SD−1
7(大日本インキ化学工業製)をスピンコートした後、
紫外線照射して厚さ6μmの保護層を形成し、光記録媒
体を作製した。
【0046】この光記録媒体を780nm半導体レーザ
ーヘッドを搭載したフィリップス製ライター(CDD−
521)を用いて、線速度2.4m/s、レーザーパワ
ー8mWでEFM信号を記録した。記録後、P/Pa、
反射率、エラーレート及び変調度を測定した。いずれも
オレンジブック規格を満足した良好な値を示した。次に
この記録した媒体を780nm、680nm、650n
m及び635nm半導体レーザーヘッドを搭載したパル
ステック工業製光ディスク評価装置(DDU−100
0)を用いて信号を再生し、反射率(記録後のグルーブ
最大反射率)、エラーレート及び変調度を測定した。い
ずれも良好な値を示した。なお、RCbは780nm半
導体レーザーヘッドを搭載したパルステック工業製光デ
ィスク評価装置(DDU−1000)を用いて測定し
た。
ーヘッドを搭載したフィリップス製ライター(CDD−
521)を用いて、線速度2.4m/s、レーザーパワ
ー8mWでEFM信号を記録した。記録後、P/Pa、
反射率、エラーレート及び変調度を測定した。いずれも
オレンジブック規格を満足した良好な値を示した。次に
この記録した媒体を780nm、680nm、650n
m及び635nm半導体レーザーヘッドを搭載したパル
ステック工業製光ディスク評価装置(DDU−100
0)を用いて信号を再生し、反射率(記録後のグルーブ
最大反射率)、エラーレート及び変調度を測定した。い
ずれも良好な値を示した。なお、RCbは780nm半
導体レーザーヘッドを搭載したパルステック工業製光デ
ィスク評価装置(DDU−1000)を用いて測定し
た。
【0047】次にこの媒体を680nm赤色半導体レー
ザーヘッドを搭載したパルステック工業製光ディスク評
価装置(DDU−1000)及びKENWOOD製EF
Mエンコーダーを用いて、線速度5.6m/s、レーザ
ーパワー10mWで記録した。記録後、680nm及び
635nm赤色半導体レーザーヘッドを搭載した評価装
置を用いて信号を再生し、反射率、エラーレート及び変
調度を測定した結果、いずれも良好な値を示した。この
記録した媒体を、市販CDプレーヤー(YAMAHA
CDX−1050、レーザー波長786nm)を用い
て、前記680nmのドライブ(DDU−1000)で
記録した信号の再生を行い、P/Pa、反射率、エラー
レート及び変調度を測定した結果、いずれもオレンジブ
ック規格を満足した良好な値であった。
ザーヘッドを搭載したパルステック工業製光ディスク評
価装置(DDU−1000)及びKENWOOD製EF
Mエンコーダーを用いて、線速度5.6m/s、レーザ
ーパワー10mWで記録した。記録後、680nm及び
635nm赤色半導体レーザーヘッドを搭載した評価装
置を用いて信号を再生し、反射率、エラーレート及び変
調度を測定した結果、いずれも良好な値を示した。この
記録した媒体を、市販CDプレーヤー(YAMAHA
CDX−1050、レーザー波長786nm)を用い
て、前記680nmのドライブ(DDU−1000)で
記録した信号の再生を行い、P/Pa、反射率、エラー
レート及び変調度を測定した結果、いずれもオレンジブ
ック規格を満足した良好な値であった。
【0048】このように、この媒体は複数のレーザー波
長で記録及び再生を良好に行うことが出来た。なお、エ
ラーレートはケンウッド社製CDデコーダー(DR35
52)を用いて計測し、変調度は以下の式により求め
た。 変調度={(信号の最大強度)−(信号の最小強度)}
/(信号の最大強度) RCbは以下の式により求めた。 RCb=2(Il−Ig)/(Il+Ig) Il:未記録ランド反射電位 Ig:未記録グルーブ反射電位 P/Paは以下のように求めた。
長で記録及び再生を良好に行うことが出来た。なお、エ
ラーレートはケンウッド社製CDデコーダー(DR35
52)を用いて計測し、変調度は以下の式により求め
た。 変調度={(信号の最大強度)−(信号の最小強度)}
/(信号の最大強度) RCbは以下の式により求めた。 RCb=2(Il−Ig)/(Il+Ig) Il:未記録ランド反射電位 Ig:未記録グルーブ反射電位 P/Paは以下のように求めた。
【0049】| I1 −I2 | /Itop の0.1 μm 半
径方向にずれた時の値 I1 −I2 :2分割光検出器の差信号の値
径方向にずれた時の値 I1 −I2 :2分割光検出器の差信号の値
【0050】
【化2】
【0051】
【化3】
【0052】〔実施例2〕実施例1において、光干渉層
としてアゾ化合物(式(10) )[化4]0.18gを
用いること以外は同様にして光記録媒体を作製した。光
干渉層のグルーブ膜厚は90nm、ランド膜厚は40n
mであった。光干渉層の光学定数は、780nmでnが
1.8、kは0.05であり、680nmではnが2.
0、kは0.05であり、650nmではnが2.1、
kは0.07であり、635nmではnが2.3、kは
0.08であった。
としてアゾ化合物(式(10) )[化4]0.18gを
用いること以外は同様にして光記録媒体を作製した。光
干渉層のグルーブ膜厚は90nm、ランド膜厚は40n
mであった。光干渉層の光学定数は、780nmでnが
1.8、kは0.05であり、680nmではnが2.
0、kは0.05であり、650nmではnが2.1、
kは0.07であり、635nmではnが2.3、kは
0.08であった。
【0053】作製した媒体を実施例1と同様に780n
m半導体レーザーヘッドを搭載したフィリップス製ライ
ターと680nm赤色半導体レーザーヘッドを搭載した
パルステック工業製光ディスク評価装置(DDU−10
00)及びKENWOOD製EFMエンコーダーを用い
て記録した。記録後、実施例1と同様の測定を行った結
果、いずれも良好な記録特性を示した。
m半導体レーザーヘッドを搭載したフィリップス製ライ
ターと680nm赤色半導体レーザーヘッドを搭載した
パルステック工業製光ディスク評価装置(DDU−10
00)及びKENWOOD製EFMエンコーダーを用い
て記録した。記録後、実施例1と同様の測定を行った結
果、いずれも良好な記録特性を示した。
【0054】
【化4】
【0055】〔実施例3〕実施例1において、記録層に
フタロシアニン化合物(式(11) )[化5]0.15
gをシクロオクタン10mlに溶解したものを塗布す
る、光干渉層にシアニン化合物(NK-737; 日本感光色素
研究所製)(式(12) )[化6]0.2gを2,2,3,3-
テトラフルオロ-1- プロパノールとイソプロパノールの
6:4体積比で混合した溶媒10mlに溶解したものを
塗布すること以外は同様にして光記録媒体を作製した。
記録層のグルーブ膜厚は100nm、ランド膜厚は60
nmであった。光干渉層のグルーブ膜厚は110nm、
ランド膜厚は40nmであった。記録層の光学定数は、
780nmでnが2.2、kは0.09であり、680
nmではnが1.3、kは0.49であり、650nm
ではnが1.2、kは0.51であり、635nmでは
nが1.2、kは0.35であった。光干渉層の光学定
数は、780nmでnが1.9、kは0.07であり、
680nmではnが2.1、kは0.04であり、65
0nmではnが2.2、kは0.06であり、635n
mではnが2.4、kは0.07であった。
フタロシアニン化合物(式(11) )[化5]0.15
gをシクロオクタン10mlに溶解したものを塗布す
る、光干渉層にシアニン化合物(NK-737; 日本感光色素
研究所製)(式(12) )[化6]0.2gを2,2,3,3-
テトラフルオロ-1- プロパノールとイソプロパノールの
6:4体積比で混合した溶媒10mlに溶解したものを
塗布すること以外は同様にして光記録媒体を作製した。
記録層のグルーブ膜厚は100nm、ランド膜厚は60
nmであった。光干渉層のグルーブ膜厚は110nm、
ランド膜厚は40nmであった。記録層の光学定数は、
780nmでnが2.2、kは0.09であり、680
nmではnが1.3、kは0.49であり、650nm
ではnが1.2、kは0.51であり、635nmでは
nが1.2、kは0.35であった。光干渉層の光学定
数は、780nmでnが1.9、kは0.07であり、
680nmではnが2.1、kは0.04であり、65
0nmではnが2.2、kは0.06であり、635n
mではnが2.4、kは0.07であった。
【0056】作製した媒体を実施例1と同様に780n
m半導体レーザーヘッドを搭載したフィリップス製ライ
ターと680nm赤色レーザーヘッドを搭載したパルス
テック工業製光ディスク評価装置(DDU−1000)
及びKENWOOD製EFMエンコーダーを用いて記録
した。記録後、実施例1と同様の測定を行った結果、い
ずれも良好な記録特性を示した。
m半導体レーザーヘッドを搭載したフィリップス製ライ
ターと680nm赤色レーザーヘッドを搭載したパルス
テック工業製光ディスク評価装置(DDU−1000)
及びKENWOOD製EFMエンコーダーを用いて記録
した。記録後、実施例1と同様の測定を行った結果、い
ずれも良好な記録特性を示した。
【0057】
【化5】
【0058】
【化6】
【0059】〔実施例4〕実施例1において、基板に、
ポリカーボネート樹脂製で連続した案内溝(トラックピ
ッチ:1.6μm)を有する直径120mmφ、厚さ
1.2mm、プリグルーブの深さが270nmの円盤状
のものを用いた以外は同様にして光記録媒体を作製し
た。記録層のグルーブ膜厚は130nm、ランド膜厚は
35nmであった。光干渉層のグルーブ膜厚は80n
m、ランド膜厚は30nmであった。
ポリカーボネート樹脂製で連続した案内溝(トラックピ
ッチ:1.6μm)を有する直径120mmφ、厚さ
1.2mm、プリグルーブの深さが270nmの円盤状
のものを用いた以外は同様にして光記録媒体を作製し
た。記録層のグルーブ膜厚は130nm、ランド膜厚は
35nmであった。光干渉層のグルーブ膜厚は80n
m、ランド膜厚は30nmであった。
【0060】作製した媒体を実施例1と同様に780n
m半導体レーザーヘッドを搭載したフィリップス製ライ
ターと680nm赤色半導体レーザーヘッドを搭載した
パルステック工業製光ディスク評価装置(DDU−10
00)及びKENWOOD製EFMエンコーダーを用い
て記録した。記録後、実施例1と同様の測定を行った結
果、いずれも良好な記録特性を示した。
m半導体レーザーヘッドを搭載したフィリップス製ライ
ターと680nm赤色半導体レーザーヘッドを搭載した
パルステック工業製光ディスク評価装置(DDU−10
00)及びKENWOOD製EFMエンコーダーを用い
て記録した。記録後、実施例1と同様の測定を行った結
果、いずれも良好な記録特性を示した。
【0061】〔実施例5〕実施例1において、基板に、
ポリカーボネート樹脂製で連続した案内溝(トラックピ
ッチ:1.6μm)を有する直径120mmφ、厚さ
1.2mm、プリグルーブの深さが130nmの円盤状
のものを用い、式(8)に示されるフタロシアニン化合
物0.2gをジメチルシクロヘキサン10mlに溶解
し、式(9)に示されるアゾ化合物0.2gを2,2,3,3-
テトラフルオロ-1- プロパノールとイソプロパノールの
8:2体積比で混合した溶媒10mlに溶解する以外は
同様にして光記録媒体を作製した。記録層のグルーブ膜
厚は100nm、ランド膜厚は60nmであった。光干
渉層のグルーブ膜厚は100nm、ランド膜厚は70n
mであった。
ポリカーボネート樹脂製で連続した案内溝(トラックピ
ッチ:1.6μm)を有する直径120mmφ、厚さ
1.2mm、プリグルーブの深さが130nmの円盤状
のものを用い、式(8)に示されるフタロシアニン化合
物0.2gをジメチルシクロヘキサン10mlに溶解
し、式(9)に示されるアゾ化合物0.2gを2,2,3,3-
テトラフルオロ-1- プロパノールとイソプロパノールの
8:2体積比で混合した溶媒10mlに溶解する以外は
同様にして光記録媒体を作製した。記録層のグルーブ膜
厚は100nm、ランド膜厚は60nmであった。光干
渉層のグルーブ膜厚は100nm、ランド膜厚は70n
mであった。
【0062】作製した媒体を実施例1と同様に780n
m半導体レーザーヘッドを搭載したフィリップス製ライ
ターと680nm赤色半導体レーザーヘッドを搭載した
パルステック工業製光ディスク評価装置(DDU−10
00)及びKENWOOD製EFMエンコーダーを用い
て記録した。記録後、実施例1と同様の測定を行った結
果、いずれも良好な記録特性を示した。
m半導体レーザーヘッドを搭載したフィリップス製ライ
ターと680nm赤色半導体レーザーヘッドを搭載した
パルステック工業製光ディスク評価装置(DDU−10
00)及びKENWOOD製EFMエンコーダーを用い
て記録した。記録後、実施例1と同様の測定を行った結
果、いずれも良好な記録特性を示した。
【0063】〔実施例6〕実施例1において、式(8)
に示されるフタロシアニン化合物0.2gをジメチルシ
クロヘキサン10mlに溶解した溶液を回転数1200
rpmでスピンコートし、式(9)に示されるアゾ化合
物0.2gを2,2,3,3-テトラフルオロ-1-プロパノール
とイソプロパノールの8:2体積比で混合した溶媒10
mlに溶解した溶液を回転数1200rpmでスピンコ
ートする以外は同様にして光記録媒体を作製した。記録
層のグルーブ膜厚は170nm、ランド膜厚は80nm
であった。光干渉層のグルーブ膜厚は130nm、ラン
ド膜厚は90nmであった。
に示されるフタロシアニン化合物0.2gをジメチルシ
クロヘキサン10mlに溶解した溶液を回転数1200
rpmでスピンコートし、式(9)に示されるアゾ化合
物0.2gを2,2,3,3-テトラフルオロ-1-プロパノール
とイソプロパノールの8:2体積比で混合した溶媒10
mlに溶解した溶液を回転数1200rpmでスピンコ
ートする以外は同様にして光記録媒体を作製した。記録
層のグルーブ膜厚は170nm、ランド膜厚は80nm
であった。光干渉層のグルーブ膜厚は130nm、ラン
ド膜厚は90nmであった。
【0064】作製した媒体を実施例1と同様に780n
m半導体レーザーヘッドを搭載したフィリップス製ライ
ターと680nm赤色半導体レーザーヘッドを搭載した
パルステック工業製光ディスク評価装置(DDU−10
00)及びKENWOOD製EFMエンコーダーを用い
て記録した。記録後、実施例1と同様の測定を行った結
果、いずれも良好な記録特性を示した。
m半導体レーザーヘッドを搭載したフィリップス製ライ
ターと680nm赤色半導体レーザーヘッドを搭載した
パルステック工業製光ディスク評価装置(DDU−10
00)及びKENWOOD製EFMエンコーダーを用い
て記録した。記録後、実施例1と同様の測定を行った結
果、いずれも良好な記録特性を示した。
【0065】〔実施例7〕実施例1において、記録層に
フタロシアニン化合物(式(13) )[化7]0.20
gをエチルシクロヘキサン10mlに溶解したものを塗
布する、光干渉層にポルフィリン化合物(式(14) )
[化8]0.20gを2,2,3,3-テトラフルオロ-1- プロ
パノールと2,2,3,3,3-ペンタフルオロプロパノールを
8:2体積比で混合した溶媒10mlに溶解したものを
塗布すること以外は同様にして光記録媒体を作製した。
記録層のグルーブ膜厚は130nm、ランド膜厚は5
0nmであった。光干渉層のグルーブ膜厚は150n
m、ランド膜厚は70nmであった。記録層の光学定数
は、780nmでnが2.4、kは0.14であり、6
80nmではnが1.3、kは0.51であり、650
nmではnが1.2、kは0.39であり、635nm
ではnが1.2、kは0.28であった。光干渉層の光
学定数は、780nmでnが1.9、kは0.05であ
り、680nmではnが2.0、kは0.04であり、
650nmではnが2.0、kは0.10であり、63
5nmではnが2.0、kは0.14であった。
フタロシアニン化合物(式(13) )[化7]0.20
gをエチルシクロヘキサン10mlに溶解したものを塗
布する、光干渉層にポルフィリン化合物(式(14) )
[化8]0.20gを2,2,3,3-テトラフルオロ-1- プロ
パノールと2,2,3,3,3-ペンタフルオロプロパノールを
8:2体積比で混合した溶媒10mlに溶解したものを
塗布すること以外は同様にして光記録媒体を作製した。
記録層のグルーブ膜厚は130nm、ランド膜厚は5
0nmであった。光干渉層のグルーブ膜厚は150n
m、ランド膜厚は70nmであった。記録層の光学定数
は、780nmでnが2.4、kは0.14であり、6
80nmではnが1.3、kは0.51であり、650
nmではnが1.2、kは0.39であり、635nm
ではnが1.2、kは0.28であった。光干渉層の光
学定数は、780nmでnが1.9、kは0.05であ
り、680nmではnが2.0、kは0.04であり、
650nmではnが2.0、kは0.10であり、63
5nmではnが2.0、kは0.14であった。
【0066】作製した媒体を実施例1と同様に780n
m半導体レーザーヘッドを搭載したフィリップス製ライ
ターと680nm赤色半導体レーザーヘッドを搭載した
パルステック工業製光ディスク評価装置(DDU−10
00)及びKENWOOD製EFMエンコーダーを用い
て記録した。記録後、実施例1と同様の測定を行った結
果、いずれも良好な記録特性を示した。
m半導体レーザーヘッドを搭載したフィリップス製ライ
ターと680nm赤色半導体レーザーヘッドを搭載した
パルステック工業製光ディスク評価装置(DDU−10
00)及びKENWOOD製EFMエンコーダーを用い
て記録した。記録後、実施例1と同様の測定を行った結
果、いずれも良好な記録特性を示した。
【0067】
【化7】
【0068】
【化8】
【0069】〔比較例1〕実施例1において、基板に、
ポリカーボネート樹脂製で連続した案内溝(トラックピ
ッチ:1.6μm)を有する直径120mmφ、厚さ
1.2mm、プリグルーブの深さが270nmの円盤状
のものを用い、式(8)に示されるフタロシアニン化合
物0.2gをエチルシクロヘキサン10mlに溶解した
溶液を回転数1200rpmでスピンコートし、式
(9)に示されるアゾ化合物0.2gを2,2,3,3-テトラ
フルオロ-1- プロパノールと2,2,3,3,3-ペンタフルオロ
プロパノールを7:3体積比で混合した溶媒10溶媒1
0mlに溶解した溶液を回転数1200rpmでスピン
コートする以外は同様にして光記録媒体を作製した。記
録層のグルーブ膜厚は140nm、ランド膜厚は80n
mであった。光干渉層のグルーブ膜厚は130nm、ラ
ンド膜厚は100nmであった。
ポリカーボネート樹脂製で連続した案内溝(トラックピ
ッチ:1.6μm)を有する直径120mmφ、厚さ
1.2mm、プリグルーブの深さが270nmの円盤状
のものを用い、式(8)に示されるフタロシアニン化合
物0.2gをエチルシクロヘキサン10mlに溶解した
溶液を回転数1200rpmでスピンコートし、式
(9)に示されるアゾ化合物0.2gを2,2,3,3-テトラ
フルオロ-1- プロパノールと2,2,3,3,3-ペンタフルオロ
プロパノールを7:3体積比で混合した溶媒10溶媒1
0mlに溶解した溶液を回転数1200rpmでスピン
コートする以外は同様にして光記録媒体を作製した。記
録層のグルーブ膜厚は140nm、ランド膜厚は80n
mであった。光干渉層のグルーブ膜厚は130nm、ラ
ンド膜厚は100nmであった。
【0070】作製した媒体を実施例1と同様に780n
m半導体レーザーヘッドを搭載したフィリップス製ライ
ターと680nm赤色半導体レーザーヘッドを搭載した
パルステック工業製光ディスク評価装置(DDU−10
00)及びKENWOOD製EFMエンコーダーを用い
て記録した。記録後、実施例1と同様の測定を行った結
果、780nmでのRCb、P/Paの値が小さく、6
80、650及び635nmでの再生信号波形が歪み変
調度が小さかった。
m半導体レーザーヘッドを搭載したフィリップス製ライ
ターと680nm赤色半導体レーザーヘッドを搭載した
パルステック工業製光ディスク評価装置(DDU−10
00)及びKENWOOD製EFMエンコーダーを用い
て記録した。記録後、実施例1と同様の測定を行った結
果、780nmでのRCb、P/Paの値が小さく、6
80、650及び635nmでの再生信号波形が歪み変
調度が小さかった。
【0071】〔比較例2〕実施例1において、基板に、
ポリカーボネート樹脂製で連続した案内溝(トラックピ
ッチ:1.6μm)を有する直径120mmφ、厚さ
1.2mm、プリグルーブの深さが150nmの円盤状
のものを用い、式(8)に示されるフタロシアニン化合
物0.20gをエチルシクロヘキサン10mlに溶解し
た溶液を回転数1600rpmでスピンコートし、式
(9)に示されるアゾ化合物0.15gを2,2,3,3-テト
ラフルオロ-1- プロパノール溶媒10mlに溶解した溶
液を回転数1800rpmでスピンコートする以外は同
様にして光記録媒体を作製した。記録層のグルーブ膜厚
は120nm、ランド膜厚は40nmであった。光干渉
層のグルーブ膜厚は30nm、ランド膜厚は100nm
であった。
ポリカーボネート樹脂製で連続した案内溝(トラックピ
ッチ:1.6μm)を有する直径120mmφ、厚さ
1.2mm、プリグルーブの深さが150nmの円盤状
のものを用い、式(8)に示されるフタロシアニン化合
物0.20gをエチルシクロヘキサン10mlに溶解し
た溶液を回転数1600rpmでスピンコートし、式
(9)に示されるアゾ化合物0.15gを2,2,3,3-テト
ラフルオロ-1- プロパノール溶媒10mlに溶解した溶
液を回転数1800rpmでスピンコートする以外は同
様にして光記録媒体を作製した。記録層のグルーブ膜厚
は120nm、ランド膜厚は40nmであった。光干渉
層のグルーブ膜厚は30nm、ランド膜厚は100nm
であった。
【0072】作製した媒体を実施例1と同様に780n
m半導体レーザーヘッドを搭載したフィリップス製ライ
ターと680nm赤色半導体レーザーヘッドを搭載した
パルステック工業製光ディスク評価装置(DDU−10
00)及びKENWOOD製EFMエンコーダーを用い
て記録した。記録後、実施例1と同様の測定を行った結
果、780nmでのRCb、P/Paの値が小さく、6
80、650及び635nmでの再生信号波形が歪み変
調度が小さかった。
m半導体レーザーヘッドを搭載したフィリップス製ライ
ターと680nm赤色半導体レーザーヘッドを搭載した
パルステック工業製光ディスク評価装置(DDU−10
00)及びKENWOOD製EFMエンコーダーを用い
て記録した。記録後、実施例1と同様の測定を行った結
果、780nmでのRCb、P/Paの値が小さく、6
80、650及び635nmでの再生信号波形が歪み変
調度が小さかった。
【0073】以上の各媒体において、780nmでのR
Cb、780nmで記録した場合の、780、680、
650、635nmでの再生時の反射率、エラーレー
ト、変調度、780nmでのPPa、及び△T1、△T2を
〔表1〕にまとめて示す。
Cb、780nmで記録した場合の、780、680、
650、635nmでの再生時の反射率、エラーレー
ト、変調度、780nmでのPPa、及び△T1、△T2を
〔表1〕にまとめて示す。
【0074】
【表1】
【0075】
【発明の効果】 本発明によれば、プリグルー
ブを有する基板上に適切な屈折率および消衰係数を有す
る異なる有機色素を適当な膜形状で記録層と干渉層に積
層することより、波長620〜690nmの赤色レーザ
ーで良好な記録及び/又は再生可能で、且つ、770〜
830nmから選ばれたレーザーで良好な記録及び/又
は再生可能なCD規格を満足する互換性のある光記録媒
体が実現される。
ブを有する基板上に適切な屈折率および消衰係数を有す
る異なる有機色素を適当な膜形状で記録層と干渉層に積
層することより、波長620〜690nmの赤色レーザ
ーで良好な記録及び/又は再生可能で、且つ、770〜
830nmから選ばれたレーザーで良好な記録及び/又
は再生可能なCD規格を満足する互換性のある光記録媒
体が実現される。
【図1】従来の光記録媒体の層構成を示す断面構造図
【図2】本発明の光記録媒体の層構成を示す断面構造図
1 基板 2 記録層 3 反射層 4 保護層 1’ 基板 2’ 記録層 3’ 光干渉層 4’ 反射層 5’ 保護層 6’ ランド 7’ プリグルーブ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 徳弘 淳 神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地 三井 東圧化学株式会社内 (72)発明者 鈴木 祐子 神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地 三井 東圧化学株式会社内 (72)発明者 笹川 知由 神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地 三井 東圧化学株式会社内
Claims (6)
- 【請求項1】 スパイラル状にプリグルーブが形成され
た基板上に、少なくとも記録層、光干渉層、反射層及び
保護層を有する光記録媒体において、該記録層と光干渉
層が有機色素を主成分とする層であり、波長λ1のレー
ザー光を用いて記録及び/又は再生が可能であり、波長
λ1より短波長側の波長λ2のレーザー光を用いて記録
及び/又は再生が可能であり、該記録層のグルーブ部の
色素膜厚をdg1、ランド部の色素膜厚をdl1、基板の
プリグルーブ部分の深さをdsub 、該光干渉層のグルー
ブ部の色素膜厚をdg2、ランド部の色素膜厚dl2、記
録層の波長λ1での屈折率をnabs1、波長λ2での屈折
率をnabs2、干渉層の波長λ1での屈折率をnint2、波
長λ2での屈折率をnint2、基板のλ1とλ2での屈折
率をnsub としたとき、 光学位相差 ( △T1)=2[nsub ・dsub - nabs1(dg1- dl1)-nint
1(dg2-dl2)]/λ1が −0.1≦△T1≦0.5 であり、光学位相差 ( △T2)=2[nsub ・dsub - nabs2(dg1- dl1)-nint
2(dg2-dl2)]/λ2が 0.2≦△T2≦0.8 であり、且つdg1+ dg2≦dl1+ dl2+ dsub 及びdg
1- dl1≦dsub であることを特徴とする光記録媒体。 - 【請求項2】 該基板のプリグルーブ部分の深さdsub
が、270nm ≧dsub≧ 100nmである請求項1記載の光記
録媒体。 - 【請求項3】 レーザー光の波長λ1が770〜830
nmの範囲から選択され、λ2が620〜690nmの
範囲から選択される請求項1又は2記載の光記録媒体。 - 【請求項4】 記録層の屈折率が、波長λ1で1.9〜
2.7、λ2で1.0〜1.6、消衰係数が、λ1で
0.04〜0.16、λ2で0.1〜0.6、および光
干渉層の屈折率が、波長λ1で1.7〜2.2、λ2で
1.8〜2.7、消衰係数が、λ1で0.04〜0.1
0、λ2で0.04〜0.15である請求項1〜3のい
ずれかに記載の光記録媒体。 - 【請求項5】 波長λ1のレーザー光を用いて記録及び
再生が可能であり、波長λ1より短波長側の波長λ2の
レーザー光を用いて再生が可能である請求項1〜4のい
ずれかに記載の光記録媒体。 - 【請求項6】 基板を通して測定した波長λ1レーザー
光のプリグルーブ部の反射率が65%以上であり、且
つ、λ2レーザー光のプリグルーブ部の反射率が15%
以上である請求項1〜5のいずれかに記載の光記録媒
体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8230116A JPH1074339A (ja) | 1996-08-30 | 1996-08-30 | 光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8230116A JPH1074339A (ja) | 1996-08-30 | 1996-08-30 | 光記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1074339A true JPH1074339A (ja) | 1998-03-17 |
Family
ID=16902830
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8230116A Pending JPH1074339A (ja) | 1996-08-30 | 1996-08-30 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1074339A (ja) |
-
1996
- 1996-08-30 JP JP8230116A patent/JPH1074339A/ja active Pending
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