JPH1083512A - 磁気ヘッド及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 インダクタンス値を大きくすることなく、磁
束が磁気ヘッド内をスムーズに通過できる磁気ヘッドを
提供する。 【解決手段】 磁気ヘッド3は、一面が開口したコイル
巻線溝15を有する第１突き合わせ半体1と、該コイル巻
線溝15の開口に対向し、第１突き合わせ半体1に接合さ
れるべき第２突き合わせ半体2とから成る。第１突き合
わせ半体1は、前記コイル巻線溝15が開設された第１コ
ア半体13の第２突き合わせ半体2との対向面上に、コイ
ル巻線溝15を挟んで上下にギャップスペーサ4、40と第
２強磁性薄膜12、12を成膜して形成される。第１コア半
体13は、強磁性体からなり、コイル巻線溝15が開設され
たコア半体部材14を具え、該コア半体部材14の第２突き
合わせ半体2との対向面上で、記録媒体との対向面側
に、第１強磁性薄膜11を成膜して成る。更に、第１、第
２突き合わせ半体1、2の記録媒体との対向面は非磁性材
にて形成されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ハードディスクド
ライブ等の磁気記録再生装置に用いられる磁気ヘッド及
びその製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】コンピュータ等の外部記憶装置としての
ハードディスクドライブに於いては、記録密度の向上が
求められており、それに使用される磁気ヘッドにも高抗
磁力の記録媒体に対応できる電磁変換特性、高周波の記
録再生信号に対応できるような低インダクタンス特性、
短波長の記録再生信号に対応できるギャップ長精度が要
求されている。このような動向に対応するために、以前
から一対のコア半体間に幅狭のギャップを形成し、各コ
ア半体のギャップとの突き合わせ面に、夫々強磁性の金
属薄膜を形成した所謂ＭＩＧ（Metal In Gap）型の磁気
ヘッドが提案されている（特公平７−７８８５３号参
照）。出願人はこのＭＩＧ型の磁気ヘッドを改良したも
のとして、以前第４６図に示すものを開示している(特
開平６−２５９７１８号参照)。

【０００３】これは、何れもＭn−Ｚnフェライト等の磁
性材から形成された一対の第１、第２コア半体(13)(52)
を、ＳiＯ2等からなる非磁性のギャップスペーサ(４)を
介して突き合わせてなり、上面が記録媒体たるハードデ
ィスクに対向する。第２コア半体(52)の両側面には、補
強ガラス(54)(54)の層が配備され、ハードディスクとの
対向面上である上面に形成された凹部(55)(55)によりギ
ャップ幅Ｗが定められている。ギャップ幅Ｗはハードデ
ィスク上のトラック幅に略等しく設けられている。

【０００４】第４７図は第４６図をＱ−Ｑ線で切断した
破断図である。第１コア半体(13)には前面が開口したコ
イル巻線溝(15)が開設され、第１コア半体(13)の前面で
コイル巻線溝(15)の上側には、斜め内向きに傾いた下地
面(19)が形成されている。該下地面(19)上には、第１コ
ア半体(13)の上面に直交した垂直面(11a)と、該垂直面
(11a)の下端から連続し、下地面(19)に平行な傾斜面(11
b)とを一体に具えた第１強磁性薄膜(11)が形成されてい
る。第２コア半体(52)の第１強磁性薄膜(11)との対向面
上には、第２強磁性薄膜(12)が形成され、前記ギャップ
スペーサ(４)を介して、第２ガラス(16)により両コア半
体(13)(52)が接合されている。第１、第２強磁性薄膜(1
1)(12)は、何れもＦeＡlＳi系の合金からなり、ハード
ディスク記録再生時に磁束は、第２強磁性薄膜(12)、コ
ア半体(13)(52)、第１強磁性薄膜(11)を周回通過する。

【０００５】第４７図に於いて、ギャップスペーサ(４)
の厚みtをギャップ長、第１コア半体(13)上面から第１
強磁性薄膜(11)の傾斜面(11b)上端までの深さdをギャッ
プデプスと夫々呼ぶ。またギャップスペーサ(４)及びギ
ャップスペーサ(４)を挟む磁性材を、合わせてギャップ
部と呼ぶ。磁気ヘッド(３)にギャップスペーサ(４)を形
成するには、所謂突き合わせギャップ法と呼ばれる方法
が用いられる。突き合わせギャップ法とは、第４８図に
示すように、コア半体(13)(52)となるべき一対の基板
(6)(8)を用意し、両基板(６)(８)の突き合わせ面上に予
めギャップスペーサ(４)となる非磁性層を形成してお
き、両基板(６)(８)を加圧して突き合わせ、ギャップス
ペーサ(４)を形成する方法である。接合された両基板
(６)(８)をスライスして磁気ヘッド(３)を得る。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】上記磁気ヘッドについ
て、出願人は以下の改良すべき点を発見した。 １. 従来の磁気ヘッド(３)では、第１、第２コア半体(1
3)(52)上のギャップ部の近傍にて、ハードディスクとの
対向面上に磁性材が露出している。しかし、かかる箇所
の磁性材は記録再生には不要であり、却って、ギャップ
部以外からの箇所からの漏れ磁束が多くなるとともに、
磁気ヘッド(３)のインダクタンスが大きくなる要因とな
っている。また、磁束が第２コア半体(52)内をスムーズ
に通過する為には、第２コア半体(52)内部の磁気抵抗は
小さくする必要がある。 ２. ギャップスペーサ(４)を形成する上記方法に於い
て、両基板(６)(８)を押圧する際に、基板(６)(８)の長
手方向の全ての箇所を均一に密着させて、押圧するのは
困難である。従って、接合された基板(６)(８)をスライ
スして、磁気ヘッド(３)を形成した際に、ギャップスペ
ーサ(４)の厚み、即ちギャップ長tがバラ付く。ギャッ
プ長のバラ付きは、磁気特性に与える影響が大きいこと
は言うまでもない。本発明の目的は、ギャップ部以外の
箇所からの漏れ磁束を防ぐとともに、磁束が磁気ヘッド
内をスムーズに通過できる磁気ヘッドを提供することに
ある。本発明の更なる目的は、ギャップ長のバラ付きを
小さくし、量産時に磁気特性がバラ付かない磁気ヘッド
を提供することにある。

【０００７】

【課題を解決する為の手段】磁気ヘッドは、前面が開口
したコイル巻線溝(15)を有する第１突き合わせ半体(１)
と、該コイル巻線溝(15)の開口に対向し、第１突き合わ
せ半体(１)に接合させるべき第２突き合わせ半体(２)と
を具え、前記第１突き合わせ半体(１)は、コイル巻線溝
(15)が開設され強磁性材からなるコア半体部材(14)の前
面上にて、コイル巻線溝(15)よりも記録媒体側に第１強
磁性薄膜(11)を形成してなる第１コア半体(13)を有し、
該第１コア半体(13)の前面に、ギャップスペーサ(４)(4
0)と第２強磁性薄膜(12)を順に重ねて形成し、第１強磁
性薄膜(11)は、上端が記録媒体との対向面に露出した垂
直面(11a)と、該垂直面(11a)の下端から内向きに傾いた
傾斜面(11b)とを具え、該傾斜面(11b)上には前面が垂直
面(11a)に一致する第２ガラス(16)の層が形成され、一
方のギャップスペーサ(４)は、垂直面(11a)及び第２ガ
ラス(16)の層上に設けられ、第２突き合わせ半体(２)
は、第２強磁性薄膜(12)に接合して、第１突き合わせ半
体(１)との間で、磁束の周回通過を許す磁性材部分を具
え、第２突き合わせ半体(２)の記録媒体との対向面は、
非磁性材にて形成されるとともに、第１突き合わせ半体
(１)のコア半体部材(14)の記録媒体との対向面は、第２
ガラス(16)よりも高融点の第１ガラス(31)の層により被
覆されている。また、磁気ヘッド(３)は、第１突き合わ
せ半体(１)の一部となるべき強磁性の大基板(６)を用意
し、該大基板(６)上に記録媒体のトラック幅方向に沿っ
た第１ガラス充填溝(60)を形成し、該第１ガラス充填溝
(60)に第１ガラス(31)を充填する工程と、該大基板(６)
上に、トラック幅方向に沿って、第１ガラス充填溝(60)
に掛かるデプスエンド溝(61)を形成する工程と、該大基
板(６)の上面全体に第１強磁性薄膜(11)を被着し、その
上に第２ガラス(16)を充填し、上面を研削、研磨して、
第１強磁性薄膜(11)の断面を上面に露出させる工程と、
大基板(６)の上面に、ギャップスペーサ(４)となる非磁
性薄膜と第２強磁性薄膜(12)を重ねて成膜した後に、エ
ッチング処理を施し、記録媒体のトラック幅に略等しい
幅狭部(４a)(12a)と、幅狭部(４a)(12a)の内端に連続し
た幅広部(４b)(12b)を一体に形成し、かつ第１強磁性薄
膜(11)を幅狭部(４a)(12a)と同じ幅に形成する工程を経
て、形成される。

【０００８】

【作用及び効果】本発明は以下の効果を有する。 １. 第２突き合わせ半体(２)の記録媒体との対向面及び
第１突き合わせ半体(１)を構成するコア半体部材(14)の
記録媒体との対向面は、非磁性材にて覆われるから、ギ
ャップ部以外の箇所からの磁束漏れを防ぐとともに、磁
気ヘッド(３）のインダクタンスは小さくなり、磁気特
性が改善される。特に、コア半体部材（１４）の記録媒
体との対向面が、非磁性材である第１ガラス(31)により
覆われることにより、第１突き合わせ半体(１)と第２突
き合わせ半体(２)を周回する磁束がコア半体部材(14)の
記録媒体との対向面から漏れることはなく、磁束は確実
にギャップ部に於いて、記録媒体との間を流飛する。従
って、ギャップ部に於ける磁束密度が高まるとともに、
ギャップ部以外からの磁束漏れを防ぐことで、短波長信
号の記録再生に有利になる。 ２. 第２強磁性薄膜(12)とギャップスペーサ(４)は何れ
もスパッタリング等による成膜の後に、第１強磁性薄膜
(11)を含めてエッチング等により形成される。従って、
ギャップスペーサ(４)の厚みであるギャップ長t及びギ
ャップ幅はバラ付きが少なく、磁気ヘッド(３)の磁気特
性のバラ付きは小さくなる。

【０００９】

【発明の実施の形態】以下に、本発明に係わる磁気ヘッ
ドについて説明する。従来と同一の構成については、同
一符号を用い、説明を省略する。以下に示す磁気ヘッド
は、何れもハードディスクドライブ装置に使用されるも
のであり、ハードディスクドライブ装置は、第４４図に
示す如く、装置本体(７)内に複数のハードディスク(71)
(71)を上下に並列して、図示しない回転機構により回転
している。各ハードディスク(71)に対応して、先端部に
磁気ヘッドスライダ(９)を取り付けたヘッド支持機構(7
2)が装置本体(７)内に配備されており、磁気ヘッドスラ
イダ(９)は、ハードディスク(71)の高速回転に起因する
空気圧によって、数１０nm浮上し、ハードディスク(71)
への信号の記録再生が行なわれる。磁気ヘッドスライダ
(９)は、第４５図に示すように、上面にエアベアリング
部(91)を有するスライダ本体(90)に、嵌合溝(92)を開設
し、該嵌合溝(92)に以下に示す各磁気ヘッド(３)を嵌め
込み固定して形成される。以下の各例に於ける磁気ヘッ
ド(３)は何れもＭＩＧ型の磁気ヘッド(３)である。

【００１０】(第１実施例)第１図は、磁気ヘッド(３)の
斜視図であり、第２図は第１図をＡ−Ａ線で切断した破
断図、第３Ａ、Ｂ図は、夫々磁気ヘッド(３)をＢ−Ｂ線
で切断した左、右側面図である。磁気ヘッド(３)は、前
面が開口したコイル巻線溝(15)を有する第１突き合わせ
半体(１)に、上面に非磁性材を露出させた第２突き合わ
せ半体(２)を突き合わせてなり、コイル巻線溝(15)を通
って第２突き合わせ半体(２)にコイル(30)が巻かれる。
従来と同様に、磁気ヘッド(３)の上面は記録媒体である
ハードディスクに対向する。以下の記載に於いて、コア
半体とは磁気ヘッド(３)の構成部材のうち、ギャップス
ペーサ(４)を介して両側に配備されるものを指し、本例
に於ける第２突き合わせ半体(２)の磁性材部分と第２強
磁性薄膜(12)が、従来の第２コア半体(52)に相当する。

【００１１】第１突き合わせ半体(１)は、コイル巻線溝
(15)を有する第１コア半体(13)の前面に、非磁性のギャ
ップスペーサ(４)(40)及びＦｅＡｌＳi合金やＦeＴaＮ
合金等からなる第２強磁性薄膜(12)の層をスパッタリン
グ等で形成して成る。ギャップスペーサは、コイル巻線
溝(15)の上側に位置する対向面側ギャップスペーサ(４)
と、下側に位置する奥部側ギャップスペーサ(40)とに分
離している。第１コア半体(13)は、Ｍｎ−Ｚｎフェライ
ト等の強磁性体からなるコア半体部材(14)の上部から突
出した突部(10)の前面に、ＦｅＡｌＳi合金やＦeＴaＮ
合金等からなる第１強磁性薄膜(11)の層を形成したもの
である。

【００１２】該突部(10)の先端面は、斜め内向きに傾
き、該先端面上に形成された第１強磁性薄膜(11)は、上
端がハードディスクとの対向面に露出した垂直面(11a)
と、該垂直面(11a)下端から斜め内向きに延びた傾斜面
(11b)を一体に具えている。該傾斜面(11b)上には、垂直
面(11a)と前面が一致する第２ガラス(16)の層が形成さ
れている。第１コア半体(13)の上面は、第２ガラス(16)
より高融点の第１ガラス(31)により覆われ、これにより
第１突き合わせ半体(１)上面から、周回磁束が漏れ出る
ことを防ぐ。

【００１３】第２突き合わせ半体(２)は、非磁性材から
なる基台(25)と、該基台(25)の第１突き合わせ半体(１)
との対向面内に設けられた第３強磁性薄膜(20)とからな
る。第３強磁性薄膜(20)はＦｅＡｌＳi合金やＦeＴaＮ
合金等からなり、該第３強磁性薄膜(20)の上下端部は第
２強磁性薄膜(12)に接合し、上端はハードディスクとの
対向面よりも内側に位置する。ここで、第２強磁性薄膜
(12)は、第３図に示すように、幅がトラック幅に略等し
い幅狭部(12a)と、第３強磁性薄膜(20)に接触する幅広
部(12b)を一体に具えてなる。従って、第３強磁性薄膜
(20)の上端は、ギャップ部の近傍に於いて、ハードディ
スクとの対向面に露出せず、非磁性材である基台(25)の
上面が露出する。

【００１４】第１図に示すように、第１強磁性薄膜(1
1)、対向面側及び奥部側ギャップスぺーサ(４)(40)、第
２強磁性薄膜(12)、第１突き合わせ半体(１)の側面は、
外部衝撃からの保護の為、第２ガラス(16)より低融点の
第３ガラス(17)により覆われる。尚、第３強磁性薄膜(2
0)の厚みは数μm、第２突き合わせ半体(２)の厚みは百
数十μmに設定される。また、第１突き合わせ半体(１)
の上面から、第１強磁性薄膜(11)の垂直面(11a)の下端
までは、２μm前後に形成される。

【００１５】ハードディスク再生時に於いて、反時計方
向の磁束は、第２図に一点鎖線で示すように、第２強磁
性薄膜(12)、第３強磁性薄膜(20)を通過して、コア半体
部材(14)内を周回し、第１強磁性薄膜(11)からハードデ
ィスクに抜ける。対向面側ギャップスペーサ(４)を介し
て第２強磁性薄膜(12)に対向する第１強磁性薄膜(11)の
垂直面(11a)の面積が小さいので、磁気抵抗が大きく、
磁束は対向面側ギャップスペーサ(４)を通過しない。ま
た磁束は、第２強磁性薄膜(12)と第３強磁性薄膜(20)の
接触部である幅広部(12b)を通過するので、磁気抵抗が
少なく、磁束は第３強磁性薄膜(20)内をスムーズに通過
する。

【００１６】更に、奥部側ギャップスペーサ(40)と第２
強磁性薄膜(12)との対向面積が大きいから、磁気抵抗が
少なく、磁束は奥部側ギャップスペーサ(40)をスムーズ
に通過する。かかる磁束の通過による再生出力がコイル
(30)から取り出される。尚、第１図に於いて、第３強磁
性薄膜(20)の残り部分(200)が磁気ヘッド(３)の上面及
び側面に露出しているのは、磁気ヘッド(３)の製造上の
都合によるものであり、本願の技術的特徴をなすもので
はない。また、該残り部分(200)はギャップスペーサ
(４)から離れ、かつ周囲が非磁性材で囲まれているの
で、磁気ヘッド(３)の磁気特性に影響を与えない。

【００１７】かかる磁気ヘッド(３)は、以下のように製
造される。まず、第４図に示すように、Ｍｎ−Ｚｎフェ
ライトからなり、第１突き合わせ半体(１)となるべき大
基板(６)の上面に第１ガラス充填溝(60)を形成した後
に、該第１ガラス充填溝(60)に、第１ガラス(31)を充填
する。次に、第１ガラス充填溝(60)に一部掛かるよう
に、断面三角形のデプスエンド溝(61)を形成する。次
に、大基板(６)の上面全体に第１強磁性薄膜(11)を被着
し、その上に第５図に示すように、第１ガラス(31)より
低融点の第２ガラス(16)を充填する。第２ガラス(16)充
填後に上面を研削、研磨して、第１強磁性薄膜(11)の断
面を第２ガラス(16)と同一面内に露出させる。ここで第
２ガラス(16)が第１ガラス(31)よりも低融点なのは、仮
に第２ガラス(16)が第１ガラス(31)よりも高融点又は同
一融点であれば、第２ガラス(16)充填時に、第１ガラス
(31)が溶け出し、デプスエンド溝(61)上の第１強磁性薄
膜(11)が崩れるおそれがあるからである。

【００１８】次に、第６図に示すように、大基板(６)の
上面に、ギャップスペーサ(４)(40)となる非磁性薄膜と
第２強磁性薄膜(12)を重ねてスパッタリング等により形
成した後に、レジストパターンを形成してエッチング処
理を施し、対向面側ギャップスペーサ(４)と奥部側ギャ
ップスペーサ(40)となる部分を残す。この際には、第７
図に拡大して示すように、第１ガラス(31)、第２ガラス
(16)の層の表面を一部除去することがある。エッチング
処理には、イオンビームエッチング法を用いるのが一般
的である。奥部側ギャップスペーサ(40)は対向面側ギャ
ップスペーサ(４)より面積が大きく、各ギャップスペー
サ(４)(40)は、その上に重なる第２強磁性薄膜(12)と同
一形状に形成される。即ち、対向面側ギャップスペーサ
(４)は、幅狭部(４a)と、該幅狭部(４a)よりも内側に位
置する幅広部(４b)とを一体に具える。また、該エッチ
ング工程により、第１強磁性薄膜(11)の先端部は、幅狭
部(４a)(12a)と同幅に形成される(第７図参照)。

【００１９】ギャップスペーサ(４)及び第２強磁性薄膜
(12)の幅狭部(４a)(12a)を第１強磁性薄膜(11)と合わせ
てエッチング処理にて形成することにより、幅狭部(４
a)(12a)及び第１強磁性薄膜(11)の幅は、トラック幅に
合わせて正確に定まる。また、第７図に一点鎖線で示す
ように、エッチング工程に於いて、幅狭部(12a)の先端
に幅狭部(12a)より広い冗長部(12c)を設け、後工程で、
冗長部(12c)を除去すれば、幅狭部(12a)の幅寸法を精度
よく形成できることが確認されている。この後に、第８
図に示すように、対向面側、奥部側ギャップスペーサ
(４)(40)間に、コイル巻線溝(15)を開設する。

【００２０】一方、第１突き合わせ半体(１)と突き合わ
さるべき第２突き合わせ半体(２)は、以下の如く設けら
れる。第９図に示すように、アルミナ系セラミック等か
らなる小基板(８)の上面に、第３強磁性薄膜(20)が成膜
される凹溝(80)と、該凹溝(80)より深い第２予備加工溝
(81)を形成する。次に、第１０図に示すように、小基板
(８)の上面全体に第３強磁性薄膜(20)をスパッタリング
等により形成し、その上に第３ガラス(17)を充填する。
この後、上面を研削、研磨して平坦化し、第３強磁性薄
膜(20)の断面を第３ガラス(17)と同一面内に露出させ
る。

【００２１】この後に、大基板(６)と小基板(８)を、第
１１図に示すように突き合わせ、加熱して第３ガラス(1
7)のみを溶融させる。第２予備加工溝(81)を充填した第
３ガラス(17)はギャップ部の側方に流れ込み、大基板
(６)と小基板(８)を接合する。しかる後に、各ブロック
毎にＰ−Ｐ線で切断する。第１２図は、切断した各ブロ
ックの中心断面図であり、この状態で、Ｃ−Ｃ線、Ｄ−
Ｄ線、Ｘ−Ｘ線に沿って、不要な箇所を切削し、磁気ヘ
ッド(３)が作成される。第１３図は、第１突き合わせ半
体(１)のギャップ部の拡大斜視図であるが、第１強磁性
薄膜(11)の上端破断面と第２強磁性薄膜(12)の幅狭部(1
2a)の上面が、記録媒体との対向面に露出する。

【００２２】上記工程を経て形成される磁気ヘッド(３)
は、第１突き合わせ半体(１)のコア半体部材(14)のハー
ドディスクとの対向面及び第２突き合わせ半体(２)のハ
ードディスクとの対向面の大部分が、夫々非磁性材であ
る第１ガラス(31)、第３ガラス(17)により覆われている
から、従来の磁気ヘッド(３)に比して、ハードディスク
との対向面に露出した磁性体の面積は小さい。従って、
第１、第２突き合わせ半体(１)(２)上では、ギャップ部
以外の箇所からの磁束漏れが防げるとともに、磁気ヘッ
ド(３)のインダクタンス値は小さくなる。また、磁束は
第１強磁性薄膜(11)と第２強磁性薄膜(12)以外の箇所か
ら外部に漏れないので、ギャップ部に於ける磁束密度が
高まるとともに、短波長に対応した記録再生が可能にな
る。即ち、第２図に二点鎖線で示すように、第１突き合
わせ半体(１)から漏れ磁束φ３があると、記録媒体との
対向面上を流れる磁束の距離は長く、短波長の記録再生
に対応できないが、本例の磁気ヘッド(３)は、磁束は記
録媒体との対向面上に於いて、第１強磁性薄膜(11)と第
２強磁性薄膜(12)間を流れるのみであるから、短波長の
記録再生に対応できる。

【００２３】更に、本例に係わる磁気ヘッド(３)では、
ハードディスクから信号を再生する際に、隣接トラック
からのクロストークを防止することができる。即ち、第
１４図に示すように、ハードディスク(71)上には、ディ
スク中心と同心のトラック(73)が隙間なく形成される
が、磁気ヘッド(３)の幅はトラック幅より大きいから、
隣接トラック(73)からの信号のクロストーク成分を再生
する虞れがある。然るに、本例に係わる磁気ヘッド(３)
では、ハードディスクとの対向面上にて、ギャップ部以
外の箇所は、殆ど非磁性材で覆われているから、ギャッ
プ部が隣接トラック(73)に掛からない限り、クロストー
ク成分を再生する虞れはない。

【００２４】また、第２強磁性薄膜(12)とギャップスペ
ーサ(４)は何れもスパッタリング等による成膜の後に、
第１強磁性薄膜(11)を含めてエッチング等により形成さ
れる。従って、ギャップ長はバラ付きが少なく、磁気ヘ
ッド(３)の磁気特性のバラ付きは小さくなる。また、第
２強磁性薄膜(12)と第３強磁性薄膜(20)とはハードディ
スクとの対向面よりも内側で接合されているから、該接
合部の面積、即ち第２強磁性薄膜(12)の幅広部(12b)は
大きく設けることができる。従って、第２突き合わせ半
体(２)の磁気抵抗は増大せず、磁束は第２強磁性薄膜(1
2)から第３強磁性薄膜(20)にスムーズに流れる。

【００２５】尚、第３強磁性薄膜(20)と、第２強磁性薄
膜(12)の幅広部(12b)の接合を強固にするためには、第
１２図に示す接合工程の前工程に於いて、少なくとも一
方の薄膜(20)(12)の突き合わせ面上に、厚さが２０nm程
度のＳiＯ2からなる膜と、厚さが４５nm程度のガラスか
らなる膜を重ねて形成しておくとよい。この場合、膜を
形成することで、磁気抵抗の増大が考えられる。しか
し、第３強磁性薄膜(20)に接合する第２強磁性薄膜(12)
の幅広部(12b)が、幅狭部(12a)に対して十分広いので、
磁気抵抗はそれほど増大せず、実用上支障ないことが出
願人により確認されている。更に溶融した第３ガラス(1
7)によって、第１、第２強磁性薄膜(11)(12)の側面が浸
食されないために、上記ＳiＯ₂とガラスからなる膜と第
２強磁性薄膜(12)との間に、厚さ１０nm程度のＣr膜を
介在させてもよい。

【００２６】尚、出願人は本例に示す磁気ヘッド(３)の
応用例として、第４０図に示すものを提案している。こ
れは、第２突き合わせ半体(２)の上面を第３ガラス(17)
の層で覆ったものであり、第１突き合わせ半体(１)は第
１図と同じものである。かかる磁気ヘッド(３)を製造す
るには、第４１図に示すように、非磁性材からなる小基
板(８)に第２予備加工溝(81)(81)を両端部に形成し、第
４２図に示すように、第２予備加工溝(81)に第３ガラス
(17)を充填した後に、上面を研削・研磨し、第３強磁性
薄膜(20)をスパッタリングにより形成する。この後に、
エッチング処理を施して、第３強磁性薄膜(20)を露出さ
せる。この小基板(８)をギャップスペーサ(４)と第２強
磁性薄膜(12)を形成した前記大基板(６)に突き合わせ接
合してスライスし、第４３図に示すように、Ｃ−Ｃ線、
Ｄ−Ｄ線、Ｘ−Ｘ線に沿って不要な箇所を切削して、第
４０図に示す磁気ヘッド(３)を得る。

【００２７】(第２実施例)第１５図は、第１図に示す磁
気ヘッド(３)を一部変えたものであり、第１７図は第１
５図の磁気ヘッド(３)をＦ−Ｆ線で切断した右側面図で
ある。磁気ヘッド(３)をＦ−Ｆ線で切断した左側面図
は、第３Ａ図と同じである。第１図に示す磁気ヘッド
(３)と異なる点は、第２強磁性薄膜(12)とギャップスペ
ーサ(４)の幅広部(12b)(４b)が磁気ヘッド(３)の側面に
露出している点であり、これにより磁気ヘッド(３)を製
造中にギャップデプスdを容易に確認できる。また、第
１強磁性薄膜(11)の垂直面(11a)と傾斜面(11b)の交線を
デプスエンドラインと呼ぶが、該デプスエンドライン
は、磁気ヘッド(３)完成後にコイル巻線溝(15)の側面か
ら直接観測することはできない。しかし、第２強磁性薄
膜(12)を形成する際に、コイル巻線溝(15)の側部に露出
する幅広部(12b)とデプスエンドラインとの相対位置を
正確に設定しておけば、完成後の磁気ヘッド(３)のコイ
ル巻線溝(15)側部から、幅広部(12b)を観測すること
で、該磁気ヘッド(３)のデプスエンドラインを間接的に
検知できる。

【００２８】該磁気ヘッド(３)の製造工程は、上記磁気
ヘッド(３)の製造工程とほぼ同様であるが、大基板(６)
のエッチング工程に於いて、第１６図に示すように、大
基板(６)上ひ並列して形成される対向面側ギャップスペ
ーサ(４)及び第２強磁性薄膜(12)の幅広部(４b)(12b)を
トラック幅方向に延長し、連結杆(41)で繋げる。この状
態で、コイル巻線溝(15)を形成した後に、第１８図に示
すように、大基板(６)と小基板(８)を突き合わせ、ガラ
ス溶着した後に、スライスする。この後上記と同様に不
要な部分を切断すると、第１５図に示す磁気ヘッド(３)
が得られる。

【００２９】(第３実施例)第１９図は、他の磁気ヘッド
(３)を示す斜視図、第２０図は、第１９図の磁気ヘッド
(３)をＧ−Ｇ線で切断した断面図である。磁気ヘッド
(３)は、第１実施例と同じように、第１突き合わせ半体
(１)の前面に、第２突き合わせ半体(２)を突き合わせて
成るが、第２突き合わせ半体(２)は磁性材からなる基体
(５)のハードディスクとの対向面を、非磁性材で第２ガ
ラス(16)よりも低融点の第３ガラス(17)で被覆してな
る。第１強磁性薄膜(11)の垂直面(11a)下端から、第２
突き合わせ半体(２)の上面を覆う第３ガラス(17)の層の
下端までの長さhは、約１０μm以下に形成される。

【００３０】ハードディスクの再生時に於いて、反時計
方向の磁束は、第２０図に一点鎖線で示すように、第２
強磁性薄膜(12)、第２突き合わせ半体(２)、コア半体部
材(14)、第１強磁性薄膜(11)内を通過する。本例に於い
ては、第２突き合わせ半体(２)の磁性材部分である基体
(５)と第２強磁性薄膜(12)が、従来の第２コア半体(52)
に相当する。第１実施例と異なるのは、第２突き合わせ
半体(２)の構造のみであり、第１突き合わせ半体(１)は
第１実施例の第１突き合わせ半体(１)と同じものである
から、第１９図の磁気ヘッド(３)をＨ−Ｈ線で切断した
右断面図は、第３Ｂ図と同じである。第１突き合わせ半
体(１)との対向面の中央部には、第３ガラス(17)が充填
される充填溝(50)が開設され、該充填溝(50)内の第３ガ
ラス(17)は、溶融してギャップ部の側方に流れ込み、両
突き合わせ半体(１)(２)を接合する。

【００３１】上記磁気ヘッド(３)の製造方法は、第２１
図乃至第２４図に示される。第１突き合わせ半体(１)は
第１実施例と同じものであり、製造方法も同じであるか
ら記載を省略する。第２突き合わせ半体(２)を作成する
には、まず第２１図に示すように、Ｍｎ−Ｚｎフェライ
ト等からなる強磁性小基板(８)を用意し、該強磁性小基
板(８)の上面中央部に充填溝(50)を、該充填溝(50)の両
側に、充填溝(50)より深い突き合わせ溝(83)(83)を夫々
開設する。突き合わせ溝(83)(83)は、夫々第１突き合わ
せ半体(１)の対向面側ギャップスペーサ(４)の上端部、
奥部側ギャップスペーサ(40)の下端部に対向する。次
に、第２２図に示すように、充填溝(50)、突き合わせ溝
(83)(83)に第３ガラス(17)を充填した後に、上面を研
削、研磨して第３ガラス(17)の上面と、強磁性小基板
(８)の上面を一致させる。

【００３２】次に、第２３図に示すように、強磁性小基
板(８)と第１突き合わせ半体(１)となる大基板(６)を突
き合わせて、加熱炉(図示せず)内で加熱し、第３ガラス
(17)のみを溶融させる。充填溝(50)から流れ出た第３ガ
ラス(17)は強磁性小基板(８)と大基板(６)を接合する。
尚、実際には強磁性小基板(８)を下側にして、加熱炉内
を所定の圧力に設定すれば、溶融した第３ガラス(17)は
表面張力により、ギャップ部の側方に流れ込む。この
後、第２４図に示すように、Ｃ−Ｃ、Ｄ−Ｄ線、Ｘ−Ｘ
線に沿って切断して、第１９図に示す磁気ヘッド(３)を
得る。尚、第１実施例で示したＳiＯ₂膜とガラス膜から
なる膜を、第２強磁性薄膜(12)又は第２突き合わせ半体
(２)の突き合わせ面の少なくとも一方に予め形成して、
接合強度を上げてもよい。

【００３３】第１、第２突き合わせ半体(１)(２)のハー
ドディスクとの対向面は、ギャップ部を除き、非磁性材
で覆われているから、第１実施例と同様に、従来の磁気
ヘッド(３)に比して、ハードディスクとの対向面に露出
した磁性体の面積は小さい。従って、磁気ヘッド(３)の
インダクタンス値が小さくなり、磁気特性が改善され
る。また、第２強磁性薄膜(12)とギャップスペーサ(４)
は何れもスパッタリング等による成膜の後に、第１強磁
性薄膜(11)を含めてエッチング等により形成される。従
って、ギャップ長はバラ付きが少なく、磁気ヘッド(３)
の磁気特性のバラ付きは小さくなる。

【００３４】(第４実施例)第２５図は、第１９図に示す
磁気ヘッド(３)を一部変えたものである。第１９図に示
す磁気ヘッド(３)と異なる点は、第２実施例と同様に、
第２強磁性薄膜(12)とギャップスペーサ(４)の幅広部(1
2b)(４b)が、磁気ヘッド(３)の側面に露出している点で
ある。これにより、第２実施例と同様に、磁気ヘッド
(３)を製造中にギャップデプスを容易に確認できる。該
磁気ヘッド(３)の製造工程は、上記第３実施例に於ける
磁気ヘッド(３)の製造工程とほぼ同様である。但し、エ
ッチング工程に於いて、第１６図に示すように、大基板
(６)上の対向面側ギャップスペーサ(４)及び第２強磁性
薄膜(12)の幅広部(４b)(12b)を連結杆(41)で繋げる点が
異なる。この状態で、コイル巻線溝(15)を形成した後
に、大基板(６)と小基板(８)を突き合わせ、ガラス溶着
した後にスライスすると、第２４図に示す磁気ヘッド
(３)が得られる。

【００３５】(第５実施例)第２６図は、他の磁気ヘッド
(３)の斜視図であり、第２７Ａ、Ｂ図は、磁気ヘッド
(３)をＩ−Ｉ線で切断し、夫々左、右側から見た側面図
である。磁気ヘッド(３)は、第４実施例で示したのと同
様に、側面に対向面側ギャップスペーサ(４)と第２強磁
性薄膜(12)を露出させた第１突き合わせ半体(１)に、ハ
ードディスクとの対向面を非磁性の第３ガラス(17)で覆
った第２突き合わせ半体(２)を突き合わせ接合したもの
である。第２突き合わせ半体(２)は、磁性材からなる基
体(５)の上下面及び両側面を第３ガラス(17)で被覆し、
これにより第２突き合わせ半体(２)の機械的強度を向上
させている。

【００３６】第２６図に示すように、第１突き合わせ半
体(１)と第２突き合わせ半体(２)は、第３ガラス(17)に
より接合される。両突き合わせ半体(１)(２)を接続する
第３ガラス(17)の量が、第３実施例の磁気ヘッド(第１
９図参照)より少ないのは、磁気ヘッド製造上の都合で
あり、技術的特徴ではない。ハードディスクとの対向面
に露出した第２強磁性薄膜(12)の上面は、第２突き合わ
せ半体(２)に向かって、円弧状に湾曲しており、この点
が後記するように、本例の特徴の１つである。

【００３７】上記磁気ヘッド(３)は、以下の工程を経て
作成される。まず、第５図に示すように、第１強磁性薄
膜(11)の断面を、第１、第２ガラス(31)(16)と同一面内
に露出させた大基板(６)を用意する。ここまでの工程
は、第１実施例と同じである。次に、大基板(６)の上面
に、ギャップスペーサ(４)(40)となる非磁性薄膜と第２
強磁性薄膜(12)を重ねてスパッタリング等により形成し
た後に、レジストパターンを形成してエッチング処理を
施し、第２８図に示すように、対向面側ギャップスペー
サ(４)を含むギャップ部と奥部側ギャップスペーサ(40)
となる部分を残す。第２強磁性薄膜(12)は、各ギャップ
スペーサ(４)(40)と同一形状に形成される。第２強磁性
薄膜(12)及び対向面側ギャップスペーサ(４)の幅広部(1
2b)(４b)及び奥部側ギャップスペーサ(40)は横方向に延
び、磁気ヘッド(３)形成時に幅広部(４b)(12b)及び奥部
側ギャップスペーサ(40)が磁気ヘッド(３)側面から露出
する。

【００３８】次に、大基板(６)の上面全域に感光性材料
からなるフォトレジスト(65)を塗付した後に、イオンビ
ームを照射する。第２９図は、第２８図の大基板(６)に
イオンビーム照射後、Ｚ方向から見た断面図であるが、
第２強磁性薄膜(12)の幅狭部(12a)は、大基板(６)の上
面から突出しているので、該幅狭部(12a)を覆うフォト
レジスト(65)は、他の箇所を覆うフォトレジスト(65)に
比して薄い。従って、イオンビームを照射し続けると、
他の箇所を覆うフォトレジスト(65)は残存しているにも
拘らず、幅狭部(12a)の先端部を覆うフォトレジスト(6
5)がなくなり、第２強磁性薄膜(12)が削られ始める。し
かる後にイオンビームの照射を停止し、フォトレジスト
(65)を除去すると、第３０図に示すように、第２強磁性
薄膜(12)の幅狭部(12a)の上面は膨らみを上側に向けた
円弧形に形成される。次に、上記各実施例と同様に、大
基板(６)上で、両ギャップスペーサ(４)(40)の間に、コ
イル巻線溝(15)を形成する(第３４図参照)。

【００３９】一方、第３１図に示すように、Ｍｎ−Ｚｎ
フェライト等からなる強磁性小基板(８)に突き合わせ溝
(83)(83)を形成するとともに、該突き合わせ溝(83)(83)
に直交して凹み溝(84)を形成する。突き合わせ溝(83)(8
3)は、夫々第１突き合わせ半体(１)の対向面側ギャップ
スペーサ(４)、奥部側ギャップスペーサ(40)に対向す
る。この後、第３２図に示すように、突き合わせ溝(83)
(83)、凹み溝(84)を第３ガラス(17)で充填した後に、上
面を研削、研磨して平坦にする。次に、第３３図に示す
ように、大基板(６)のコイル巻線溝(15)に対向する調整
溝(85)を形成する。該調整溝(85)を形成するのは、両突
き合わせ半体(１)(２)を接合する第３ガラス(17)の量を
調整するためであり、磁気ヘッド(３)のインダクタンス
を小さくする為でもある。

【００４０】次に、第３４図に示すように、両基板(６)
(８)を突き合わせて加熱し、第３ガラス(17)を溶融させ
る。第３ガラス(17)は突き合わせ溝(83)及び凹み溝(84)
から流れ出して、両基板(６)(８)を接合する。このと
き、第３実施例と同様に、小基板(８)を下側にして、第
３ガラス(17)をギャップ部の側方に流し込む。最後に接
合された両基板(６)(８)をＰ−Ｐ線に沿ってブロック毎
に切断した後に、各ブロックを第３５図に示すＣ−Ｃ
線、Ｄ−Ｄ線及びＸ−Ｘ線で切断して、第２６図に示す
磁気ヘッド(３)を得る。尚、第１実施例で示したＳiＯ₂
膜とガラス膜からなる膜を、第２強磁性薄膜(12)又は第
２突き合わせ半体(２)の突き合わせ面の少なくとも一方
に予め形成して、接合強度を上げてもよい。上記工程を
経て製造された磁気ヘッド(３)に於いては、上記各例に
於ける磁気ヘッド(３)と同様に、インダクタンス値を小
さくする等の効果の他に、第２強磁性薄膜(12)の前面形
状が、円弧状に湾曲することによって、所謂コンター効
果(contour effect)による再生出力波形の歪みを小さく
する効果がある。

【００４１】ここでコンター効果を説明する。第３６図
はハードディスク上の磁極と磁気ヘッド(３)の関係を示
す図であり、Ｓ極とＮ極を互いに逆方向の矢印で示す。
一般に、ハードディスク回転時に於いて、磁極と対向面
側ギャップスペーサ(４)が対向したときには、磁気ヘッ
ド(３)内を回転する主磁束φ1の他に、第２強磁性薄膜
(12)と第３ガラス(17)の境目部分に於いて浮遊磁束φ2
をも生じ得る。かかる磁束の重畳により再生出力波形に
歪みを生じることをコンタ−効果と言う。ここにおい
て、浮遊磁束φ2の影響の大きさは、上記境目部分と、
ハードディスクの磁極とが対向する長さに比例する。換
言すれば、境目部分がトラック幅方向に沿って直線状に
延びていれば、浮遊磁束φ2の影響は大きい。従って、
第２強磁性薄膜(12)と第３ガラス(17)との境目がトラッ
ク幅に対して、湾曲していれば、該境目上にて、ハード
ディスクの同一磁極に対向する箇所は短く、第２強磁性
薄膜(12)と第３ガラス(17)の境目がトラック幅に沿って
延びている場合よりも、浮遊磁束φ2の影響は小さくな
る。従って、本例による磁気ヘッド(３)では、コンター
効果による再生出力波形の歪みは小さくなる。

【００４２】第３７図は、このコンター効果により再生
出力波形歪みを少なくする別の磁気ヘッド(３)を示す斜
視図である。第３ガラス(17)に対向した第２強磁性薄膜
(12)の前面は、波状に湾曲している。この磁気ヘッド
(３)を作成するには、前記エッチング処理後のフォトレ
ジスト除去工程に於いて、第３８図に示すように、トラ
ック幅方向に直交して延びる複数のスリット(67)を有す
るフォトマスク(66)をフォトレジスト(65)の上方に配置
し、露光を行なう。第２強磁性薄膜(12)の幅狭部(12a)
を覆うフォトレジスト(65)は、第３９図に示すように波
状に湾曲する、この状態で、イオンビームを照射する
と、幅狭部(12a)の上面が波状に湾曲した形状に形成さ
れ、最終的に第３７図に示す磁気ヘッド(３)が得られ
る。尚、幅狭部(12a)の上面を波状に湾曲させるには、
エッチング処理工程の後に、第２強磁性薄膜(12)以外の
領域をフォトレジストで覆い、サンドブラスト加工を行
なって形成してもよい。

【００４３】以上、各例の磁気ヘッド(３)に共通する効
果は、記録媒体であるハードディスクに対向する磁性体
の面積が従来のものより小さいので、インダクタンス値
が小さくなり、磁気特性が改善される点、及び対向面側
ギャップスペーサ(４)及び第２強磁性薄膜(12)がともに
第１コア半体(13)上に被膜された後に、第１強磁性薄膜
(11)とともにエッチング加工により形成されることによ
り、ギャップ長t精度が向上する点である。

【００４４】上記実施例の説明は、本発明を説明するた
めのものであって、特許請求の範囲に記載の発明を限定
し、或は範囲を減縮する様に解すべきではない。又、本
発明の各部構成は上記実施例に限らず、特許請求の範囲
に記載の技術的範囲内で種々の変形が可能であることは
勿論である。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１実施例の磁気ヘッドの斜視図である。

【図２】第１図をＡ−Ａ線で切断した破断図である。

【図３】Ａ図は、第１図をＢ−Ｂ線で切断した左側面
図、Ｂ図は同上の右側面図である。

【図４】第１ガラス充填溝に第１ガラスを充填した後
に、デプスエンド溝を形成した大基板の斜視図である。

【図５】第４図の大基板に第１ガラスを充填した状態の
斜視図である。

【図６】エッチング工程後の大基板の斜視図である。

【図７】冗長部を形成した大基板の要部斜視図である。

【図８】第６図の大基板にコイル巻線溝を形成した状態
の斜視図である。

【図９】第２予備加工溝と凹溝を形成した小基板の斜視
図である。

【図１０】第９図の小基板に第２ガラスを充填した状態
の斜視図である。

【図１１】小基板と大基板の突き合わせ状態を示す斜視
図である。

【図１２】第１１図に示す大基板と小基板をＰ−Ｐ線で
切断したブロックの中心断面図である。

【図１３】第１突き合わせ半体のギャップ部の斜視図で
ある。

【図１４】ハードディスク上のトラックと磁気ヘッドの
関係を示す平面図である。

【図１５】第２実施例の磁気ヘッドの斜視図である。

【図１６】第１５図の磁気ヘッドに用いる大基板のエッ
チング加工後の斜視図である。

【図１７】第１５図の磁気ヘッドをＦ−Ｆ線で切断した
右側面図である。

【図１８】小基板と大基板の突き合わせ状態を示す斜視
図である。

【図１９】第３実施例の磁気ヘッドの斜視図である。

【図２０】第１９図の磁気ヘッドをＧ−Ｇ線で切断した
断面図である。

【図２１】突き合わせ溝と充填溝を形成した小基板の斜
視図である。

【図２２】第２１図の小基板に第３ガラスを充填した状
態の斜視図である。

【図２３】小基板と大基板の突き合わせ状態を示す斜視
図である。

【図２４】第２３図に示す大基板と小基板をＰ−Ｐ線で
切断したブロックの中心断面図である。

【図２５】第４実施例の磁気ヘッドの斜視図である。

【図２６】第５実施例の磁気ヘッドの斜視図である。

【図２７】Ａ図は、第２６図の磁気ヘッドをＩ−Ｉ線で
切断した左側面図、Ｂ図は同上の右側面図である。

【図２８】第５実施例の磁気ヘッドに用いられる大基板
のエッチング工程後の斜視図である。

【図２９】第２８図の大基板にフォトレジストを塗付し
た状態をＺ方向から見た図である。

【図３０】イオンビーム照射後の大基板を示す図であ
る。

【図３１】第５実施例に用いられる小基板の斜視図であ
る。

【図３２】第２ガラスを充填した小基板の斜視図であ
る。

【図３３】調整溝を形成した小基板の斜視図である。

【図３４】小基板と大基板の突き合わせ状態を示す斜視
図である。

【図３５】第３４図に示す大基板と小基板をＰ−Ｐ線で
切断したブロックの中心断面図である。

【図３６】ハードディスク再生時に於ける主磁束φ1と
浮遊磁束φ2を示す図である。

【図３７】第５実施例の応用例である磁気ヘッドの斜視
図である。

【図３８】フォトマスクをフォトレジストの上方に配置
した露光工程を示す断面図である。

【図３９】上面が波形に湾曲したフォトレジストを示す
断面図である。

【図４０】第１実施例の応用例である磁気ヘッドの斜視
図である。

【図４１】第４０図の磁気ヘッドに用いられる小基板の
斜視図である。

【図４２】第２ガラスと第３強磁性薄膜を充填した小基
板の斜視図である。

【図４３】第４２図の小基板を用いて磁気ヘッドを形成
する状態を示す断面図である。

【図４４】ハードディスクが設けられた装置本体内部の
斜視図である。

【図４５】スライダ本体の斜視図である。

【図４６】従来の磁気ヘッドの斜視図である。

【図４７】同上の磁気ヘッドをＱ−Ｑ線で破断した断面
図である。

【図４８】従来の磁気ヘッドに於けるギャップスペーサ
形成方法を示す平面図である。

【符号の説明】

(１) 第１突き合わせ半体 (２) 第２突き合わせ半体 (４) ギャップスペーサ (６) 大基板 (８) 小基板 (11) 第１強磁性薄膜 (12) 第２強磁性薄膜 (15) コイル巻線溝 (16) 第２ガラス (17) 第３ガラス (20) 第３強磁性薄膜 (31) 第１ガラス

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 石原 宏三 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内 (72)発明者 伊藤 清隆 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内 (72)発明者 上田 穣 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内 (72)発明者 福本 詳史 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内 (72)発明者 小川 隆弘 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内 (72)発明者 古閑 和彦 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内 (72)発明者 浦野 敏行 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内 (72)発明者 奥田 裕之 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内

Claims (18)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 記録媒体に対向して、磁束の周回通過
   を許す磁気ヘッドであって、 前面が開口したコイル巻線溝(15)を有する第１突き合わ
   せ半体(１)と、該コイル巻線溝(15)の開口に対向し、第
   １突き合わせ半体(１)に接合させるべき第２突き合わせ
   半体(２)とを具え、 前記第１突き合わせ半体(１)は、コイル巻線溝(15)が開
   設され強磁性材からなるコア半体部材(14)の前面上であ
   って、コイル巻線溝(15)よりも記録媒体側に第１強磁性
   薄膜(11)を形成してなる第１コア半体(13)を有し、該第
   １コア半体(13)の前面に、ギャップスペーサ(４)(40)と
   第２強磁性薄膜(12)を順に重ねて形成し、 第１強磁性薄膜(11)は、上端が記録媒体との対向面に露
   出した垂直面(11a)と、該垂直面(11a)の下端から内向き
   に傾いた傾斜面(11b)とを具え、該傾斜面(11b)上には前
   面が垂直面(11a)に一致する第２ガラス(16)の層が形成
   され、一方のギャップスペーサ(４)は、垂直面(11a)及
   び第２ガラス(16)の層上に設けられ、 第２突き合わせ半体(２)は、第２強磁性薄膜(12)に接合
   して、第１突き合わせ半体(１)との間で、磁束の周回通
   過を許す磁性材部分を具え、 第２突き合わせ半体(２)の記録媒体との対向面は、非磁
   性材にて形成されるとともに、第１突き合わせ半体(１)
   のコア半体部材(14)の記録媒体との対向面は、第２ガラ
   ス(16)よりも高融点の第１ガラス(31)の層により被覆さ
   れたことを特徴とする磁気ヘッド。
2. 【請求項２】 第２強磁性薄膜(12)は、先端が記録媒体
   との対向面に露出する幅狭部(12a)と、該幅狭部(12a)の
   内端に連続して第２突き合わせ半体(２)に接合する幅広
   部(12b)を一体に具えている請求項１に記載の磁気ヘッ
   ド。
3. 【請求項３】 第１強磁性薄膜(11)のギャップスペーサ
   (４)に接する部分は、第２強磁性薄膜(12)の幅狭部(12
   a)と同じ幅を有する請求項２に記載の磁気ヘッド。
4. 【請求項４】 第２強磁性薄膜(12)の幅広部(12b)は第
   １突き合わせ半体(１)の側面に露出している請求項２に
   記載の磁気ヘッド。
5. 【請求項５】 記録媒体との対向面に露出した第１強磁
   性薄膜(11)、ギャップスペーサ(４)、第２強磁性薄膜(1
   2)の側方には、第１ガラス(31)、第２ガラス(16)より低
   融点の第３ガラス(17)が配されている請求項３に記載の
   磁気ヘッド。
6. 【請求項６】 第２突き合わせ半体(２)の磁性材部分
   は、第３強磁性薄膜(20)からなる請求項１に記載の磁気
   ヘッド。
7. 【請求項７】 第３強磁性薄膜(20)は、非磁性の基台(2
   5)に埋め込まれている請求項６に記載の磁気ヘッド。
8. 【請求項８】 第３強磁性薄膜(20)は、非磁性の基台(2
   5)上に形成され、第３強磁性薄膜(20)の記録媒体対向面
   側には第３ガラス(17)が配されている請求項６に記載の
   磁気ヘッド。
9. 【請求項９】 第２突き合わせ半体(２)の磁性材部分は
   強磁性体からなる基体(５)であり、第２突き合わせ半体
   (２)は該基体(５)の記録媒体との対向面を、非磁性の第
   ３ガラス(17)で被覆して成る請求項１に記載の磁気ヘッ
   ド。
10. 【請求項１０】 第２強磁性薄膜(12)の幅狭部(12a)の
    第２突き合わせ半体(２)との対向面は曲面形状を有する
    請求項２に記載の磁気ヘッド。
11. 【請求項１１】 第１突き合わせ半体(１)の一部となる
    べき強磁性の大基板(６)と、第２突き合わせ半体(２)の
    一部となるべき小基板(８)を用意し、 該大基板(６)上に記録媒体のトラック幅方向に沿った第
    １ガラス充填溝(60)を形成し、該第１ガラス充填溝(60)
    に第１ガラス(31)を充填する工程と、 該大基板(６)上に、トラック幅方向に沿って、第１ガラ
    ス充填溝(60)に一部掛かるデプスエンド溝(61)を形成す
    る工程と、 該大基板(６)の上面全体に第１強磁性薄膜(11)を被着
    し、その上に第１ガラス(31)より低融点の第２ガラス(1
    6)を充填し、上面を研削、研磨して、第１強磁性薄膜(1
    1)の断面を上面に露出させる工程と、 大基板(６)の上面に、ギャップスペーサ(４)となる非磁
    性薄膜と第２強磁性薄膜(12)を重ねて成膜した後に、エ
    ッチング処理を施し、記録媒体のトラック幅に略等しい
    幅狭部(４a)(12a)と、幅狭部(４a)(12a)の内端に連続し
    た幅広部(４b)(12b)を一体に形成し、かつ第１強磁性薄
    膜(11)を幅狭部(４a)(12a)と同じ幅に形成する工程と、 小基板(８)に前記第２ガラス(16)より低融点の第３ガラ
    ス(17)を充填するとともに、大基板(６)との突き合せ面
    上に磁束の通過を許す磁性材を露出させる工程と、 大基板(６)と小基板(８)を突き合わせ接合し、小基板
    (８)から露出した磁性材と、大基板(６)の第２強磁性薄
    膜(12)を接触させ、トラック幅に直交する面に沿ってス
    ライスし、記録媒体との対向面にギャップスペーサ
    (４)、第２強磁性薄膜(12)及び第１強磁性薄膜(11)の断
    面を露出させ、大基板(６)の記録媒体との対向面に第１
    ガラス(31)を露出させるともに、小基板(８)の記録媒体
    との対向面には非磁性材を露出させる工程を有する磁気
    ヘッドの製造方法。
12. 【請求項１２】 大基板(６)と小基板(８)とは、第１ガ
    ラス(31)、第２ガラス(16)が融解せずに、第３ガラス(1
    7)が融解する温度の下で突き合わせ接合される請求項１
    １に記載の磁気ヘッドの製造方法。
13. 【請求項１３】 小基板(８)は非磁性材から形成され、
    トラック幅方向に平行な凹溝(80)及び凹溝(80)に直交す
    る第２予備加工溝(81)が開設され、 小基板(８)の上面に、第２強磁性薄膜(12)に合わさるべ
    き第３強磁性薄膜(20)を形成した後に、第３ガラス(17)
    を充填して、上面を研磨して、第３強磁性薄膜(20)を露
    出させる請求項１１に記載の磁気ヘッドの製造方法。
14. 【請求項１４】 小基板(８)は、非磁性材から形成さ
    れ、 トラック幅方向に沿って延びた第２予備加工溝(81)(81)
    を前後端部に形成し、該第２予備加工溝(81)(81)に第３
    ガラス(17)を充填し、上面を研磨する工程と、 第２予備加工溝(81)(81)の間で、小基板(８)上に、第２
    予備加工溝(81)に直交した第３強磁性薄膜(20)を形成す
    る工程を有する請求項１１に記載の磁気ヘッドの製造方
    法。
15. 【請求項１５】 小基板(８)は強磁性材から形成され、
    該小基板(８)の両端部には、トラック幅に平行な突き合
    わせ溝(83)(83)が開設され、 突き合わせ溝(83)(83)に、第３ガラス(17)が充填される
    請求項１１に記載の磁気ヘッドの製造方法。
16. 【請求項１６】 エッチング工程では、幅広部(４b)(12
    b)は、トラック幅方向に延びて形成され、磁気ヘッド
    (３)完成後に磁気ヘッド(３)の側面から露出する請求項
    １１に記載の磁気ヘッドの製造方法。
17. 【請求項１７】 エッチング工程の後に、大基板(６)上
    面全体にフォトレジストを塗付して、イオンビームを照
    射し、塗付厚みの薄い第２強磁性薄膜(12)の幅狭部(12
    a)の上面を曲面形状に加工する工程を設けた請求項１１
    に記載の磁気ヘッドの製造方法。
18. 【請求項１８】 フォトレジスト塗付後で、イオンビー
    ム照射工程前に、露光工程を設け、該露光工程はトラッ
    ク幅方向に直交して延びる複数のスリット(67)を有する
    フォトマスク(66)をフォトレジスト(65)の上方に配置し
    て行なう請求項１１に記載の磁気ヘッドの製造方法。