JPH11284122A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ダイボンド後の半導体素子及びダイパッドの
反りを抑制し、反りに起因する接合不良やループ不良を
防止し、さらに、樹脂の未注入による不良を防止し、封
止樹脂とダイパッドの密着性を損なわないようにする。 【解決手段】 ダイパッド３の裏面に、接着材層４を介
して枠状の金属板５を接合した。金属板５は、フレーム
１１と同じ金属材料またはフレーム１１の金属と熱膨張
係数がほぼ等しい金属材料の材料よりなり、ここではフ
レーム１１及び金属板５は、銅または銅合金よりなる。
枠状の金属板５をダイパッド３に接合する際には、接着
材を用いる方法や、溶接にて接合する方法がある。半導
体素子１の大きさや、ダイパッド３のパターンの違いに
よる反りの大きさによって、適当な枚数の金属板５を接
合しても良い。また、枠状の金属板５に架橋を設けても
良い。
反りを抑制し、反りに起因する接合不良やループ不良を
防止し、さらに、樹脂の未注入による不良を防止し、封
止樹脂とダイパッドの密着性を損なわないようにする。 【解決手段】 ダイパッド３の裏面に、接着材層４を介
して枠状の金属板５を接合した。金属板５は、フレーム
１１と同じ金属材料またはフレーム１１の金属と熱膨張
係数がほぼ等しい金属材料の材料よりなり、ここではフ
レーム１１及び金属板５は、銅または銅合金よりなる。
枠状の金属板５をダイパッド３に接合する際には、接着
材を用いる方法や、溶接にて接合する方法がある。半導
体素子１の大きさや、ダイパッド３のパターンの違いに
よる反りの大きさによって、適当な枚数の金属板５を接
合しても良い。また、枠状の金属板５に架橋を設けても
良い。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、銅系フレームを使
用した樹脂封止型半導体装置に関するものである。
用した樹脂封止型半導体装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図８は、従来の銅系フレームを用いた樹
脂封止型半導体装置のダイボンド後の構造を示す断面図
である。図において、１は半導体素子、３はダイボンド
材２を用いて半導体素子１が固定される銅または銅合金
よりなるダイパッド、６ａはダイパッド３の周辺部に配
置され、半導体素子１の電極と金属細線で接続されるイ
ンナーリード、１１はダイパッド３及びインナーリード
６ａ等より構成される半導体用のフレームである。近
年、半導体素子１の高速化、高集積化に伴い、半導体素
子１からの発熱量が増える傾向にあり、半導体素子１を
包むパッケージの高放熱化が重要となっている。このた
め、最近では、フレーム１１の材料として、従来の鉄系
フレームに代わって、熱伝導度が高い銅及び銅合金より
なる銅系フレームの適用が増えてきている。
脂封止型半導体装置のダイボンド後の構造を示す断面図
である。図において、１は半導体素子、３はダイボンド
材２を用いて半導体素子１が固定される銅または銅合金
よりなるダイパッド、６ａはダイパッド３の周辺部に配
置され、半導体素子１の電極と金属細線で接続されるイ
ンナーリード、１１はダイパッド３及びインナーリード
６ａ等より構成される半導体用のフレームである。近
年、半導体素子１の高速化、高集積化に伴い、半導体素
子１からの発熱量が増える傾向にあり、半導体素子１を
包むパッケージの高放熱化が重要となっている。このた
め、最近では、フレーム１１の材料として、従来の鉄系
フレームに代わって、熱伝導度が高い銅及び銅合金より
なる銅系フレームの適用が増えてきている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、銅系フレーム
は、従来の鉄系フレームよりも強度が低く、また、熱膨
張係数が大きいため、図８に示すように、ダイボンド後
に半導体素子１とダイパッド３が上方に反る傾向が大き
くなる。このように、半導体素子１とダイパッド３が上
方に反っている場合、図９に示すように、次工程のワイ
ヤボンディング時にダイパッド３とヒートブロック７と
の間に間隙があるため、ツール８が半導体素子１上の電
極９に接した時に、半導体素子１とダイパッド３が上下
に振動し、金属細線１０の接合が不安定となり、接合部
の剥がれ等の接合不良が発生するという問題があった。
また、図１０に示すように、半導体素子１上の電極９と
金属細線１０の接合を行った後、金属細線１０をインナ
ーリード６ａへ移動する際にも、前述の半導体素子１及
びダイパッド３の上下方向の振動が残っており、この振
動が電極９から金属細線１０に伝わり、金属細線１０が
断線するループ不良の問題もあった。
は、従来の鉄系フレームよりも強度が低く、また、熱膨
張係数が大きいため、図８に示すように、ダイボンド後
に半導体素子１とダイパッド３が上方に反る傾向が大き
くなる。このように、半導体素子１とダイパッド３が上
方に反っている場合、図９に示すように、次工程のワイ
ヤボンディング時にダイパッド３とヒートブロック７と
の間に間隙があるため、ツール８が半導体素子１上の電
極９に接した時に、半導体素子１とダイパッド３が上下
に振動し、金属細線１０の接合が不安定となり、接合部
の剥がれ等の接合不良が発生するという問題があった。
また、図１０に示すように、半導体素子１上の電極９と
金属細線１０の接合を行った後、金属細線１０をインナ
ーリード６ａへ移動する際にも、前述の半導体素子１及
びダイパッド３の上下方向の振動が残っており、この振
動が電極９から金属細線１０に伝わり、金属細線１０が
断線するループ不良の問題もあった。
【０００４】一方、半導体素子とリードフレーム及び封
止樹脂の熱膨張係数の違いに起因するパッケージの反り
やクラックを防止する方法として、例えば特開平３−２
８３５５１号公報では、図１１に示すように、リードフ
レーム１１の半導体素子１搭載部の裏側に、リードフレ
ーム１１よりも熱膨張係数の小さい金属板１３を接着剤
１４にて接合した樹脂封止型半導体装置が提案されてい
る。この方法によれば、上述の銅系フレームにおいても
強度を向上させることができ、反りを抑制することが可
能であると考えられる。しかしながら、現在の樹脂封止
型半導体装置においては、パッケージの薄型化により封
止樹脂１２の厚さも薄くなる傾向にあり、特にリードフ
レーム１１の下部の封止樹脂１２の厚さは、約０. ２ｍ
ｍ程度となっている。このような薄型化の状況において
リードフレーム１１の裏側に金属板１３を接合すること
は、パッケージの内容物の体積を増加させることにな
り、封止樹脂１２の注入時にリードフレーム１１下部に
樹脂が十分に回り込むことができず、封止樹脂１２の未
注入による不良の発生を招くという問題があった。ま
た、主に封止樹脂１２との密着性向上のために、リード
フレーム１１の半導体素子搭載部（図８ではダイパッド
３）に多数の穴が設けられている場合があり、その場
合、金属板１３を接合することで穴が塞がれてしまい、
リードフレーム１１と封止樹脂１２の密着性が損なわれ
るという問題もあった。
止樹脂の熱膨張係数の違いに起因するパッケージの反り
やクラックを防止する方法として、例えば特開平３−２
８３５５１号公報では、図１１に示すように、リードフ
レーム１１の半導体素子１搭載部の裏側に、リードフレ
ーム１１よりも熱膨張係数の小さい金属板１３を接着剤
１４にて接合した樹脂封止型半導体装置が提案されてい
る。この方法によれば、上述の銅系フレームにおいても
強度を向上させることができ、反りを抑制することが可
能であると考えられる。しかしながら、現在の樹脂封止
型半導体装置においては、パッケージの薄型化により封
止樹脂１２の厚さも薄くなる傾向にあり、特にリードフ
レーム１１の下部の封止樹脂１２の厚さは、約０. ２ｍ
ｍ程度となっている。このような薄型化の状況において
リードフレーム１１の裏側に金属板１３を接合すること
は、パッケージの内容物の体積を増加させることにな
り、封止樹脂１２の注入時にリードフレーム１１下部に
樹脂が十分に回り込むことができず、封止樹脂１２の未
注入による不良の発生を招くという問題があった。ま
た、主に封止樹脂１２との密着性向上のために、リード
フレーム１１の半導体素子搭載部（図８ではダイパッド
３）に多数の穴が設けられている場合があり、その場
合、金属板１３を接合することで穴が塞がれてしまい、
リードフレーム１１と封止樹脂１２の密着性が損なわれ
るという問題もあった。
【０００５】本発明は、上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、ダイボンド後の半導体素子及び
ダイパッドの反りを抑制し、反りに起因する接合不良や
ループ不良を防止すると共に、封止樹脂の未注入による
不良を防止し、さらに封止樹脂とダイパッドの密着性を
損なわない樹脂封止型半導体装置を得ることを目的とす
る。
ためになされたもので、ダイボンド後の半導体素子及び
ダイパッドの反りを抑制し、反りに起因する接合不良や
ループ不良を防止すると共に、封止樹脂の未注入による
不良を防止し、さらに封止樹脂とダイパッドの密着性を
損なわない樹脂封止型半導体装置を得ることを目的とす
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明に係わる樹脂封止
型半導体装置は、周辺部にリードが配置されたフレーム
のダイパッド上に、ダイボンド材を用いて半導体素子が
固定され、樹脂封止された樹脂封止型半導体装置であっ
て、ダイパッド裏面の周縁部に枠状の金属板が接合され
ているものである。また、金属板の枠内には、枠を補強
する架橋が設けられているものである。また、周辺部に
リードが配置されたフレームのダイパッド上に、ダイボ
ンド材を用いて半導体素子が固定され、樹脂封止された
樹脂封止型半導体装置であって、ダイパッド表面の周縁
部に枠状の金属板が接合されているものである。
型半導体装置は、周辺部にリードが配置されたフレーム
のダイパッド上に、ダイボンド材を用いて半導体素子が
固定され、樹脂封止された樹脂封止型半導体装置であっ
て、ダイパッド裏面の周縁部に枠状の金属板が接合され
ているものである。また、金属板の枠内には、枠を補強
する架橋が設けられているものである。また、周辺部に
リードが配置されたフレームのダイパッド上に、ダイボ
ンド材を用いて半導体素子が固定され、樹脂封止された
樹脂封止型半導体装置であって、ダイパッド表面の周縁
部に枠状の金属板が接合されているものである。
【０００７】また、金属板は、フレームと同じ金属材料
またはフレームの金属と熱膨張係数がほぼ等しい金属材
料よりなるものである。さらに、フレーム及び金属板
は、銅または銅合金よりなるものである。また、金属板
は、ダイパッドに接着材を用いて接合されているもので
ある。また、金属板は、ダイパッドに溶接によって接合
されているものである。
またはフレームの金属と熱膨張係数がほぼ等しい金属材
料よりなるものである。さらに、フレーム及び金属板
は、銅または銅合金よりなるものである。また、金属板
は、ダイパッドに接着材を用いて接合されているもので
ある。また、金属板は、ダイパッドに溶接によって接合
されているものである。
【０００８】
【発明の実施の形態】実施の形態１．以下に、本発明の
実施の形態を図について説明する。図１は、本発明の実
施の形態１である樹脂封止型半導体装置のダイボンド後
の構造を示す断面図、図２は平面図である。図におい
て、１は半導体素子、３はダイボンド材２を用いて半導
体素子１が固定される銅または銅合金よりなるダイパッ
ド、５はダイパッド３裏面の周縁部に接着材層４を介し
て接合された枠状の金属板、６ａはダイパッド３の周辺
部に配置され、半導体素子１の電極（図示せず）と金属
細線（図示せず）で接続されるインナーリード、１１は
ダイパッド３及びインナーリード６ａ等より構成される
半導体用のフレームである。本実施の形態による半導体
装置は、周辺部にインナーリード６ａが配置されたフレ
ーム１１のダイパッド３上に、ダイボンド材２を用いて
半導体素子が固定され、後の封止工程にて樹脂封止され
る樹脂封止型半導体装置であって、ダイパッド３の裏面
に、接着材を用いて枠状の金属板５を接合したことを特
徴とする。金属板５は、フレーム１１と同じ金属材料ま
たはフレーム１１の金属と熱膨張係数がほぼ等しい金属
材料よりなり、本実施の形態では、フレーム１１及び金
属板５は、銅または銅合金よりなるものである。
実施の形態を図について説明する。図１は、本発明の実
施の形態１である樹脂封止型半導体装置のダイボンド後
の構造を示す断面図、図２は平面図である。図におい
て、１は半導体素子、３はダイボンド材２を用いて半導
体素子１が固定される銅または銅合金よりなるダイパッ
ド、５はダイパッド３裏面の周縁部に接着材層４を介し
て接合された枠状の金属板、６ａはダイパッド３の周辺
部に配置され、半導体素子１の電極（図示せず）と金属
細線（図示せず）で接続されるインナーリード、１１は
ダイパッド３及びインナーリード６ａ等より構成される
半導体用のフレームである。本実施の形態による半導体
装置は、周辺部にインナーリード６ａが配置されたフレ
ーム１１のダイパッド３上に、ダイボンド材２を用いて
半導体素子が固定され、後の封止工程にて樹脂封止され
る樹脂封止型半導体装置であって、ダイパッド３の裏面
に、接着材を用いて枠状の金属板５を接合したことを特
徴とする。金属板５は、フレーム１１と同じ金属材料ま
たはフレーム１１の金属と熱膨張係数がほぼ等しい金属
材料よりなり、本実施の形態では、フレーム１１及び金
属板５は、銅または銅合金よりなるものである。
【０００９】図３は、本実施の形態による樹脂封止後の
樹脂封止型半導体装置を示す断面図である。図におい
て、６ｂはアウターリード、１２は封止樹脂である。近
年のパッケージは薄型化の傾向にあり、その厚みは約１
ｍｍ程度である。このうち、半導体素子１の厚みは約
０. ３ｍｍ、フレーム１１の厚みは約０. １２５ｍｍで
あり、封止樹脂１２の厚みは上部（Ｌ1 ）よりも下部
（Ｌ2 ）の方が薄くなっている。本実施の形態では、金
属板５の厚みをフレーム１１と同程度の約０. １２５ｍ
ｍとし、その形状をダイパッド３裏面の周縁部のみを補
強する枠状とすることで、封止樹脂１２がダイパッド３
下部に回り込む空間を確保し、封止樹脂１２の未注入に
よる不良の発生を防止するものである。また、ダイパッ
ド３には、主に封止樹脂１２との密着性向上のために多
数の穴が設けられている場合があり、そのような場合で
も、本実施の形態による枠状の金属板５であれば、ダイ
パッド３の穴の効果を損なうことなく、ダイパッド３を
補強することができる。
樹脂封止型半導体装置を示す断面図である。図におい
て、６ｂはアウターリード、１２は封止樹脂である。近
年のパッケージは薄型化の傾向にあり、その厚みは約１
ｍｍ程度である。このうち、半導体素子１の厚みは約
０. ３ｍｍ、フレーム１１の厚みは約０. １２５ｍｍで
あり、封止樹脂１２の厚みは上部（Ｌ1 ）よりも下部
（Ｌ2 ）の方が薄くなっている。本実施の形態では、金
属板５の厚みをフレーム１１と同程度の約０. １２５ｍ
ｍとし、その形状をダイパッド３裏面の周縁部のみを補
強する枠状とすることで、封止樹脂１２がダイパッド３
下部に回り込む空間を確保し、封止樹脂１２の未注入に
よる不良の発生を防止するものである。また、ダイパッ
ド３には、主に封止樹脂１２との密着性向上のために多
数の穴が設けられている場合があり、そのような場合で
も、本実施の形態による枠状の金属板５であれば、ダイ
パッド３の穴の効果を損なうことなく、ダイパッド３を
補強することができる。
【００１０】以上のように、本実施の形態によれば、枠
状の金属板５をダイパッド３裏面の周縁部に接合するこ
とにより、ダイボンド後の半導体素子１及びダイパッド
３の反りを抑制し、次工程のワイヤボンド時において従
来発生していた半導体素子１の上下方向への振動を無く
し、この振動に起因する接合不良やループ不良を防止す
ることができる。また、金属板５を枠状とすることで、
封止樹脂１２の回り込む空間を確保し、封止樹脂１２の
未注入による不良を防止することができる。さらに、ダ
イパッド３に封止樹脂１２との密着性向上のための多数
の穴が設けられている場合にも、全ての穴を塞ぐことが
ないため、密着性を損なうことなくダイパッド３を補強
することが可能である。
状の金属板５をダイパッド３裏面の周縁部に接合するこ
とにより、ダイボンド後の半導体素子１及びダイパッド
３の反りを抑制し、次工程のワイヤボンド時において従
来発生していた半導体素子１の上下方向への振動を無く
し、この振動に起因する接合不良やループ不良を防止す
ることができる。また、金属板５を枠状とすることで、
封止樹脂１２の回り込む空間を確保し、封止樹脂１２の
未注入による不良を防止することができる。さらに、ダ
イパッド３に封止樹脂１２との密着性向上のための多数
の穴が設けられている場合にも、全ての穴を塞ぐことが
ないため、密着性を損なうことなくダイパッド３を補強
することが可能である。
【００１１】なお、本実施の形態では、枠状の金属板５
をダイパッド３の裏面に接合したが、図４及び図５に示
すように、枠状の金属板５をダイパッド３の表面に接合
しても良く、同様の効果を奏する。また、接合する金属
板５の枚数は１枚に限らず、半導体素子１の大きさや、
ダイパッド３のパターンの違いによる反りの大きさによ
って、適当な枚数の金属板５を重ねて接合しても良い。
このように、本実施の形態による枠状の金属板５は、反
り量に応じて金属板５の枚数を変化させることができる
ため、汎用性が高い。また、厚みの異なる枠状の金属板
５を数種類用意しても良い。
をダイパッド３の裏面に接合したが、図４及び図５に示
すように、枠状の金属板５をダイパッド３の表面に接合
しても良く、同様の効果を奏する。また、接合する金属
板５の枚数は１枚に限らず、半導体素子１の大きさや、
ダイパッド３のパターンの違いによる反りの大きさによ
って、適当な枚数の金属板５を重ねて接合しても良い。
このように、本実施の形態による枠状の金属板５は、反
り量に応じて金属板５の枚数を変化させることができる
ため、汎用性が高い。また、厚みの異なる枠状の金属板
５を数種類用意しても良い。
【００１２】実施の形態２．図６は、本発明の実施の形
態２である樹脂封止型半導体装置のダイボンド後の構造
を示す断面図である。なお、図中、同一、相当部分には
同一符号を付し説明を省略する。本実施の形態では、枠
状の金属板５をダイパッド３裏面に接合する際に、上記
実施の形態１で用いた接着材層４を介さずに、溶接にて
接合することを特徴とする。本実施の形態においても、
上記実施の形態１と同様の効果が得られ、さらに接着材
層４の厚みが無くなるため省スペース化が図られ、封止
樹脂１２の回り込みに有利であり、封止樹脂１２の未注
入による不良が防止できる。また、枠状の金属板５をダ
イパッド３の表面に接合する場合にも、本実施の形態に
よる溶接による接合を適用することができ、同様の効果
を奏する。
態２である樹脂封止型半導体装置のダイボンド後の構造
を示す断面図である。なお、図中、同一、相当部分には
同一符号を付し説明を省略する。本実施の形態では、枠
状の金属板５をダイパッド３裏面に接合する際に、上記
実施の形態１で用いた接着材層４を介さずに、溶接にて
接合することを特徴とする。本実施の形態においても、
上記実施の形態１と同様の効果が得られ、さらに接着材
層４の厚みが無くなるため省スペース化が図られ、封止
樹脂１２の回り込みに有利であり、封止樹脂１２の未注
入による不良が防止できる。また、枠状の金属板５をダ
イパッド３の表面に接合する場合にも、本実施の形態に
よる溶接による接合を適用することができ、同様の効果
を奏する。
【００１３】実施の形態３．図７は、本発明の実施の形
態３である樹脂封止型半導体装置に用いられる金属板の
形状例を示す平面図である。図において、５ａは枠状の
金属板に２本の平行な架橋を設けた金属板、５ｂは枠状
の金属板の対角線上でクロスする２本の架橋を設けた金
属板である。上記実施の形態１及び２において、ダイパ
ッド３の周縁部のみを補強する枠状の金属板５の代わり
に、本実施の形態で示したような架橋を設けた金属板５
ａ、５ｂを用いてもよく、半導体素子１及びダイパッド
３の反りに対してさらに強い抑制効果が得られる。ただ
し、架橋を設けた金属板５ａ、５ｂは、ダイパッド３の
裏面にのみ接合するものとする。なお、架橋の本数及び
位置はこれに限るものではない。また、架橋を設けた金
属板５ａ、５ｂも、半導体素子１及びダイパッド３の反
り量に応じて、複数枚重ねて接合してもよい。
態３である樹脂封止型半導体装置に用いられる金属板の
形状例を示す平面図である。図において、５ａは枠状の
金属板に２本の平行な架橋を設けた金属板、５ｂは枠状
の金属板の対角線上でクロスする２本の架橋を設けた金
属板である。上記実施の形態１及び２において、ダイパ
ッド３の周縁部のみを補強する枠状の金属板５の代わり
に、本実施の形態で示したような架橋を設けた金属板５
ａ、５ｂを用いてもよく、半導体素子１及びダイパッド
３の反りに対してさらに強い抑制効果が得られる。ただ
し、架橋を設けた金属板５ａ、５ｂは、ダイパッド３の
裏面にのみ接合するものとする。なお、架橋の本数及び
位置はこれに限るものではない。また、架橋を設けた金
属板５ａ、５ｂも、半導体素子１及びダイパッド３の反
り量に応じて、複数枚重ねて接合してもよい。
【００１４】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、周辺部
にリードが配置されたフレームのダイパッド上に、ダイ
ボンド材を用いて半導体素子が固定され、樹脂封止され
た樹脂封止型半導体装置において、ダイパッド裏面また
は表面の周縁部に枠状の金属板を接合することにより、
従来、ダイボンド後に生じていた半導体素子及びダイパ
ッドの反りを抑制することができ、次工程のワイヤボン
ド時に発生していた振動による接合不良やループ不良を
防止することができる。
にリードが配置されたフレームのダイパッド上に、ダイ
ボンド材を用いて半導体素子が固定され、樹脂封止され
た樹脂封止型半導体装置において、ダイパッド裏面また
は表面の周縁部に枠状の金属板を接合することにより、
従来、ダイボンド後に生じていた半導体素子及びダイパ
ッドの反りを抑制することができ、次工程のワイヤボン
ド時に発生していた振動による接合不良やループ不良を
防止することができる。
【００１５】また、ダイパッド裏面に接合する金属板を
枠状とすることで、封止樹脂がダイパッド下部に回り込
む空間を確保し、封止樹脂の未注入による不良を防ぎ、
且つダイパッドと封止樹脂との密着性を損なわない樹脂
封止型半導体装置が得られる。
枠状とすることで、封止樹脂がダイパッド下部に回り込
む空間を確保し、封止樹脂の未注入による不良を防ぎ、
且つダイパッドと封止樹脂との密着性を損なわない樹脂
封止型半導体装置が得られる。
【図１】 本発明の実施の形態１である樹脂封止型半導
体装置のダイボンド後の構造を示す断面図である。
体装置のダイボンド後の構造を示す断面図である。
【図２】 本発明の実施の形態１である樹脂封止型半導
体装置のダイボンド後の構造を示す平面図である。
体装置のダイボンド後の構造を示す平面図である。
【図３】 本発明の実施の形態１である樹脂封止型半導
体装置を示す断面図である。
体装置を示す断面図である。
【図４】 本発明の実施の形態１である別の樹脂封止型
半導体装置のダイボンド後の構造を示す断面図である。
半導体装置のダイボンド後の構造を示す断面図である。
【図５】 本発明の実施の形態１である別の樹脂封止型
半導体装置のダイボンド後の構造を示す平面図である。
半導体装置のダイボンド後の構造を示す平面図である。
【図６】 本発明の実施の形態２である樹脂封止型半導
体装置のダイボンド後の構造を示す断面図である。
体装置のダイボンド後の構造を示す断面図である。
【図７】 本発明の実施の形態３である樹脂封止型半導
体装置に用いられる金属板の形状例を示す平面図であ
る。
体装置に用いられる金属板の形状例を示す平面図であ
る。
【図８】 従来の樹脂封止型半導体装置のダイボンド後
の構造を示す断面図である。
の構造を示す断面図である。
【図９】 従来のダイボンド後の樹脂封止型半導体装置
の問題点を説明するための断面図である。
の問題点を説明するための断面図である。
【図１０】 従来のダイボンド後の樹脂封止型半導体装
置の問題点を説明するための断面図である。
置の問題点を説明するための断面図である。
【図１１】 リードフレームの裏面に金属板を接合した
従来の樹脂封止型半導体装置を示す断面図である。
従来の樹脂封止型半導体装置を示す断面図である。
１ 半導体素子、２ ダイボンド材、３ ダイパッド、
４ 接着材層、５、５ａ、５ｂ 金属板、６ａ インナ
ーリード、６ｂ アウターリード、７ ヒートブロッ
ク、８ ツール、９ 電極、１０ 金属細線、１１ フ
レーム、１２ 封止樹脂、１３ 金属板、１４ 接着
剤。
４ 接着材層、５、５ａ、５ｂ 金属板、６ａ インナ
ーリード、６ｂ アウターリード、７ ヒートブロッ
ク、８ ツール、９ 電極、１０ 金属細線、１１ フ
レーム、１２ 封止樹脂、１３ 金属板、１４ 接着
剤。
Claims (7)
- 【請求項１】 周辺部にリードが配置されたフレームの
ダイパッド上に、ダイボンド材を用いて半導体素子が固
定され、樹脂封止された樹脂封止型半導体装置であっ
て、上記ダイパッド裏面の周縁部に枠状の金属板が接合
されていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項２】 金属板の枠内には、枠を補強する架橋が
設けられていることを特徴とする請求項１記載の樹脂封
止型半導体装置。 - 【請求項３】 周辺部にリードが配置されたフレームの
ダイパッド上に、ダイボンド材を用いて半導体素子が固
定され、樹脂封止された樹脂封止型半導体装置であっ
て、上記ダイパッド表面の周縁部に枠状の金属板が接合
されていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項４】 金属板は、フレームと同じ金属材料また
はフレームの金属と熱膨張係数がほぼ等しい金属材料よ
りなることを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれか
一項に記載の樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項５】 フレーム及び金属板は、銅または銅合金
よりなることを特徴とする請求項４記載の樹脂封止型半
導体装置。 - 【請求項６】 金属板は、ダイパッドに接着材を用いて
接合されていることを特徴とする請求項１〜請求項５の
いずれか一項に記載の樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項７】 金属板は、ダイパッドに溶接によって接
合されていることを特徴とする請求項１〜請求項５のい
ずれか一項に記載の樹脂封止型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8541198A JPH11284122A (ja) | 1998-03-31 | 1998-03-31 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8541198A JPH11284122A (ja) | 1998-03-31 | 1998-03-31 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11284122A true JPH11284122A (ja) | 1999-10-15 |
Family
ID=13858073
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8541198A Pending JPH11284122A (ja) | 1998-03-31 | 1998-03-31 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11284122A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7362001B2 (en) | 2002-10-28 | 2008-04-22 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Generator-motor |
| US7411324B2 (en) | 2002-10-28 | 2008-08-12 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Generator-motor |
-
1998
- 1998-03-31 JP JP8541198A patent/JPH11284122A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7362001B2 (en) | 2002-10-28 | 2008-04-22 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Generator-motor |
| US7411324B2 (en) | 2002-10-28 | 2008-08-12 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Generator-motor |
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