JPH11328765A - 光磁気ヘッド装置 - Google Patents
光磁気ヘッド装置Info
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- JPH11328765A JPH11328765A JP10331737A JP33173798A JPH11328765A JP H11328765 A JPH11328765 A JP H11328765A JP 10331737 A JP10331737 A JP 10331737A JP 33173798 A JP33173798 A JP 33173798A JP H11328765 A JPH11328765 A JP H11328765A
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10532—Heads
- G11B11/10541—Heads for reproducing
- G11B11/10543—Heads for reproducing using optical beam of radiation
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- Optical Head (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 高再生信号Ｓ／Ｎを得つつ磁気超解像再生を
可能とする光磁気ヘッド装置及び光磁気再生方法。 【解決手段】 光磁気ディスク１にｐ偏光の平行光が照
射され、反射される。反射光は第１のビームスプリッタ
１４で反射されて再生信号検出系２０に供給される。こ
の反射光は遮光板２１に供給され、偏光膜２１ｂの領域
でｐ偏光成分は略１００％の透過率で透過し、ｓ偏光成
分は略０％の透過率、即ち反射又は吸収されて遮光され
る。遮光板２１を透過した光は偏光ビームスプリッタ１
９に入射されてｐ偏光成分とｓ偏光成分とに分けられ、
再生信号が差分検出される。フォトダイオード２２，２
３の出力は、光の振幅ではなく光のパワーに比例してい
るので、遮光板２１を透過する光量が多いほど再生信号
自体が大きくなり、Ｓ／Ｎが向上する。
可能とする光磁気ヘッド装置及び光磁気再生方法。 【解決手段】 光磁気ディスク１にｐ偏光の平行光が照
射され、反射される。反射光は第１のビームスプリッタ
１４で反射されて再生信号検出系２０に供給される。こ
の反射光は遮光板２１に供給され、偏光膜２１ｂの領域
でｐ偏光成分は略１００％の透過率で透過し、ｓ偏光成
分は略０％の透過率、即ち反射又は吸収されて遮光され
る。遮光板２１を透過した光は偏光ビームスプリッタ１
９に入射されてｐ偏光成分とｓ偏光成分とに分けられ、
再生信号が差分検出される。フォトダイオード２２，２
３の出力は、光の振幅ではなく光のパワーに比例してい
るので、遮光板２１を透過する光量が多いほど再生信号
自体が大きくなり、Ｓ／Ｎが向上する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光磁気記録された
データを再生する光磁気ヘッド装置に関し、特に、高密
度記録されたデータの再生に関する。
データを再生する光磁気ヘッド装置に関し、特に、高密
度記録されたデータの再生に関する。
【０００２】
【従来の技術】光磁気ディスク装置は、大容量のデータ
を記憶することが可能であり、マルチメディアシステム
において更なる大容量化が要望されている。本願発明者
らは、光磁気ディスク装置の光ヘッド部に遮光板を配す
ることにより、光ディスクに記録されたデータの超解像
再生が可能な光ヘッド装置を提案している（特許登録番
号 2664327号）。
を記憶することが可能であり、マルチメディアシステム
において更なる大容量化が要望されている。本願発明者
らは、光磁気ディスク装置の光ヘッド部に遮光板を配す
ることにより、光ディスクに記録されたデータの超解像
再生が可能な光ヘッド装置を提案している（特許登録番
号 2664327号）。
【０００３】この光ヘッド装置では、光源である半導体
レーザから出射された光ビームがコリメータレンズで平
行光となり、真円補正プリズムで光ビーム断面を円形に
した後、第１のビームスプリッタを透過して対物レンズ
で光磁気ディスク上に集光される。光磁気ディスクに
は、記録膜の磁化を記録すべきデータに対応する方向に
向けることによりデータが記録されている。光ビームの
照射による加熱で昇温され、キュリー温度以上になった
記録膜に外部磁界を与えることにより、記録膜の磁化が
所望の方向を向く。
レーザから出射された光ビームがコリメータレンズで平
行光となり、真円補正プリズムで光ビーム断面を円形に
した後、第１のビームスプリッタを透過して対物レンズ
で光磁気ディスク上に集光される。光磁気ディスクに
は、記録膜の磁化を記録すべきデータに対応する方向に
向けることによりデータが記録されている。光ビームの
照射による加熱で昇温され、キュリー温度以上になった
記録膜に外部磁界を与えることにより、記録膜の磁化が
所望の方向を向く。
【０００４】光磁気ディスクからの反射光は、対物レン
ズで平行光となり、第１のビームスプリッタに再び入射
されて反射される。反射された光は第２のビームスプリ
ッタで２分され、一方はサーボ信号検出に用いられ、他
方は再生信号検出に用いられる。再生信号検出のための
光は、まず遮光板を透過して再生信号検出部に入射され
る。再生信号検出部には、1/2 波長板, 偏光ビームスプ
リッタ及びフォトダイオードが配されている。遮光板は
透明基板の略中央に不透明膜を設けて形成されており、
不透明膜が形成された部分は光が透過されず、周縁部で
光が透過するようになっている。
ズで平行光となり、第１のビームスプリッタに再び入射
されて反射される。反射された光は第２のビームスプリ
ッタで２分され、一方はサーボ信号検出に用いられ、他
方は再生信号検出に用いられる。再生信号検出のための
光は、まず遮光板を透過して再生信号検出部に入射され
る。再生信号検出部には、1/2 波長板, 偏光ビームスプ
リッタ及びフォトダイオードが配されている。遮光板は
透明基板の略中央に不透明膜を設けて形成されており、
不透明膜が形成された部分は光が透過されず、周縁部で
光が透過するようになっている。
【０００５】遮光板の周縁側を透過した光は1/2 波長板
を通って45°回転され、偏光ビームスプリッタによりｐ
偏光成分とｓ偏光成分とに分けられる。光源からの出射
光がｐ偏光である場合は、記録膜の磁気カー効果により
光磁気ディスクの反射光には信号成分であるｓ偏光成分
が含まれている。1/2 波長板を通って45°回転され、偏
光ビームスプリッタで分けられたｐ偏光成分及びｓ偏光
成分は夫々フォトダイオードに受光され、これらの差分
を求めることにより再生信号が得られる。
を通って45°回転され、偏光ビームスプリッタによりｐ
偏光成分とｓ偏光成分とに分けられる。光源からの出射
光がｐ偏光である場合は、記録膜の磁気カー効果により
光磁気ディスクの反射光には信号成分であるｓ偏光成分
が含まれている。1/2 波長板を通って45°回転され、偏
光ビームスプリッタで分けられたｐ偏光成分及びｓ偏光
成分は夫々フォトダイオードに受光され、これらの差分
を求めることにより再生信号が得られる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】以上の如き構成の光磁
気ヘッド装置では、光磁気ディスクからの反射光が遮光
板を通ることにより光磁気ディスクの照射スポットの反
射光の中央部分が遮光されるので、再生信号に超解像効
果が得られる。図１１は、光磁気ヘッド装置の伝達関数
の振幅特性の１例を示す。縦軸は変調度を表し、横軸は
空間周波数を表している。グラフ中、遮光板有りのグラ
フは上述した光磁気ヘッド装置の特性を示し、遮光板無
しのグラフは、再生信号検出用の反射光の全てを用いて
差分検出を行なった特性を示している。グラフから判る
ように、空間周波数が800 〜1000（サイクル／mm）で遮
光板を配した光磁気ヘッドの方が高い変調度を得てい
る。従って、中央部分の光の透過を遮えぎる遮光板を配
することにより、高密度記録されたデータを分解能良く
再生することができる。
気ヘッド装置では、光磁気ディスクからの反射光が遮光
板を通ることにより光磁気ディスクの照射スポットの反
射光の中央部分が遮光されるので、再生信号に超解像効
果が得られる。図１１は、光磁気ヘッド装置の伝達関数
の振幅特性の１例を示す。縦軸は変調度を表し、横軸は
空間周波数を表している。グラフ中、遮光板有りのグラ
フは上述した光磁気ヘッド装置の特性を示し、遮光板無
しのグラフは、再生信号検出用の反射光の全てを用いて
差分検出を行なった特性を示している。グラフから判る
ように、空間周波数が800 〜1000（サイクル／mm）で遮
光板を配した光磁気ヘッドの方が高い変調度を得てい
る。従って、中央部分の光の透過を遮えぎる遮光板を配
することにより、高密度記録されたデータを分解能良く
再生することができる。
【０００７】このように、上述した構成の光磁気ヘッド
では、高密度記録されたデータを超解像再生することが
できる。しかしながら、遮光板を透過する光の一部が遮
光されるために、フォトダイオードが受光する光量が少
なくなる。図１２は遮光板の透過率分布を示すグラフで
あり、縦軸は透過率を表し、横軸は遮光板の中心からの
距離を表している。グラフから判るように、遮光板の中
央の半径ｒ0 の領域で透過率が０％になっている。これ
により、遮光板を配さない構成の光磁気ヘッドと比較し
てフォトダイオードの受光量が低く、再生信号の分解能
は高いが再生信号自体は小さくなる。このために、再生
信号のＳ／Ｎが劣化するという問題があった。
では、高密度記録されたデータを超解像再生することが
できる。しかしながら、遮光板を透過する光の一部が遮
光されるために、フォトダイオードが受光する光量が少
なくなる。図１２は遮光板の透過率分布を示すグラフで
あり、縦軸は透過率を表し、横軸は遮光板の中心からの
距離を表している。グラフから判るように、遮光板の中
央の半径ｒ0 の領域で透過率が０％になっている。これ
により、遮光板を配さない構成の光磁気ヘッドと比較し
てフォトダイオードの受光量が低く、再生信号の分解能
は高いが再生信号自体は小さくなる。このために、再生
信号のＳ／Ｎが劣化するという問題があった。
【０００８】本発明は、かかる事情に鑑みてなされたも
のであり、所定の偏光成分を他の偏光成分よりも高率で
透過させる遮光手段、又は所定の偏光成分を透過し、他
の偏光成分を遮光する遮光手段を配することにより、再
生信号自体を大きくしてＳ／Ｎを向上させ、且つ超解像
再生が可能な光磁気ヘッド装置を提供することを目的と
する。
のであり、所定の偏光成分を他の偏光成分よりも高率で
透過させる遮光手段、又は所定の偏光成分を透過し、他
の偏光成分を遮光する遮光手段を配することにより、再
生信号自体を大きくしてＳ／Ｎを向上させ、且つ超解像
再生が可能な光磁気ヘッド装置を提供することを目的と
する。
【０００９】
【課題を解決するための手段】第１発明に係る光磁気ヘ
ッド装置は、光磁気記録媒体で反射された反射光を用い
て再生信号を得る光磁気ヘッド装置において、前記反射
光が入射される遮光手段を備え、該遮光手段は入射され
る反射光の略中央部分にて所定の偏光成分が他の偏光成
分よりも高い透過率を有する偏光膜を備えることを特徴
とする。
ッド装置は、光磁気記録媒体で反射された反射光を用い
て再生信号を得る光磁気ヘッド装置において、前記反射
光が入射される遮光手段を備え、該遮光手段は入射され
る反射光の略中央部分にて所定の偏光成分が他の偏光成
分よりも高い透過率を有する偏光膜を備えることを特徴
とする。
【００１０】第１発明にあっては、偏光膜を有する前記
遮光手段に入射される反射光の略中央部分、即ち、光振
幅分布中の中央部分で所定の偏光成分を他の偏光成分よ
りも多く透過させる。ここで所定の偏光成分とは信号成
分ではない偏光成分である。再生信号を検出する際のフ
ォトダイオードの出力は、光の振幅ではなく光のパワー
に比例しているので、遮光手段を透過する光量が多いほ
ど再生信号自体が大きくなり、Ｓ／Ｎが向上する。ま
た、信号成分である偏光成分は透過率が低いので、超解
像再生が可能となる。
遮光手段に入射される反射光の略中央部分、即ち、光振
幅分布中の中央部分で所定の偏光成分を他の偏光成分よ
りも多く透過させる。ここで所定の偏光成分とは信号成
分ではない偏光成分である。再生信号を検出する際のフ
ォトダイオードの出力は、光の振幅ではなく光のパワー
に比例しているので、遮光手段を透過する光量が多いほ
ど再生信号自体が大きくなり、Ｓ／Ｎが向上する。ま
た、信号成分である偏光成分は透過率が低いので、超解
像再生が可能となる。
【００１１】第２発明に係る光磁気ヘッド装置は、光磁
気記録媒体で反射された反射光を入射せしめるレンズ
と、前記反射光を再生信号検出部とフォーカシングエラ
ー及びトラッキングエラー検出部とに分割するビームス
プリッタと、前記反射光が入射される遮光手段と、該遮
光手段を透過した反射光を用いて再生信号を検出する再
生信号検出部とを備える光磁気ヘッド装置において、前
記遮光手段は、入射される反射光の略中央部分にて所定
の偏光成分が他の偏光成分よりも高い透過率を有する偏
光膜を備え、前記ビームスプリッタで分割された反射光
が入射される位置に配してあることを特徴とする。
気記録媒体で反射された反射光を入射せしめるレンズ
と、前記反射光を再生信号検出部とフォーカシングエラ
ー及びトラッキングエラー検出部とに分割するビームス
プリッタと、前記反射光が入射される遮光手段と、該遮
光手段を透過した反射光を用いて再生信号を検出する再
生信号検出部とを備える光磁気ヘッド装置において、前
記遮光手段は、入射される反射光の略中央部分にて所定
の偏光成分が他の偏光成分よりも高い透過率を有する偏
光膜を備え、前記ビームスプリッタで分割された反射光
が入射される位置に配してあることを特徴とする。
【００１２】第２発明にあっては、前記ビームスプリッ
タで反射光を分割した後にその一方を遮光手段に入射し
て所定の偏光成分を透過させ、他方をフォーカシングエ
ラー及びトラッキングエラー検出系に用いている。再生
信号を検出する際のフォトダイオードの出力は、光の振
幅ではなく光のパワーに比例しているので、遮光手段を
透過する光量が多いほど再生信号自体は大きくなり、Ｓ
／Ｎが向上する。また、信号成分である偏光成分は遮光
するので、超解像再生が可能となる。また、遮光手段に
て遮光した後に前記ビームスプリッタで反射光を分割す
る場合と比較して、フォーカシングエラー及びトラッキ
ングエラー検出用の光量が多くなる。
タで反射光を分割した後にその一方を遮光手段に入射し
て所定の偏光成分を透過させ、他方をフォーカシングエ
ラー及びトラッキングエラー検出系に用いている。再生
信号を検出する際のフォトダイオードの出力は、光の振
幅ではなく光のパワーに比例しているので、遮光手段を
透過する光量が多いほど再生信号自体は大きくなり、Ｓ
／Ｎが向上する。また、信号成分である偏光成分は遮光
するので、超解像再生が可能となる。また、遮光手段に
て遮光した後に前記ビームスプリッタで反射光を分割す
る場合と比較して、フォーカシングエラー及びトラッキ
ングエラー検出用の光量が多くなる。
【００１３】第３発明に係る光磁気ヘッド装置は、光磁
気記録媒体で反射された反射光を入射せしめるレンズ
と、前記反射光を再生信号検出部とフォーカシングエラ
ー及びトラッキングエラー検出部とに分割するビームス
プリッタと、前記反射光が入射される遮光手段と、該遮
光手段を透過した反射光を用いて再生信号を検出する再
生信号検出部とを備える光磁気ヘッド装置において、前
記遮光手段は、入射される反射光の略中央部分にて所定
の偏光成分が他の偏光成分よりも高い透過率を有する偏
光膜を備え、前記遮光手段を透過した反射光が前記ビー
ムスプリッタに入射される位置に配してあることを特徴
とする。
気記録媒体で反射された反射光を入射せしめるレンズ
と、前記反射光を再生信号検出部とフォーカシングエラ
ー及びトラッキングエラー検出部とに分割するビームス
プリッタと、前記反射光が入射される遮光手段と、該遮
光手段を透過した反射光を用いて再生信号を検出する再
生信号検出部とを備える光磁気ヘッド装置において、前
記遮光手段は、入射される反射光の略中央部分にて所定
の偏光成分が他の偏光成分よりも高い透過率を有する偏
光膜を備え、前記遮光手段を透過した反射光が前記ビー
ムスプリッタに入射される位置に配してあることを特徴
とする。
【００１４】第３発明にあっては、前記遮光手段で反射
光の光振幅分布中の中央部分で所定の偏光成分を透過し
た後、前記ビームスプリッタで反射光を分割し、その一
方を再生信号検出系に入射し、他方をフォーカシングエ
ラー及びトラッキングエラー検出系に用いている。再生
信号を検出する際のフォトダイオードの出力は、光の振
幅ではなく光のパワーに比例しているので、遮光手段を
透過する光量が多いほど再生信号自体は大きくなり、Ｓ
／Ｎが向上する。また、信号成分である偏光成分は遮光
するので、超解像再生が可能となる。
光の光振幅分布中の中央部分で所定の偏光成分を透過し
た後、前記ビームスプリッタで反射光を分割し、その一
方を再生信号検出系に入射し、他方をフォーカシングエ
ラー及びトラッキングエラー検出系に用いている。再生
信号を検出する際のフォトダイオードの出力は、光の振
幅ではなく光のパワーに比例しているので、遮光手段を
透過する光量が多いほど再生信号自体は大きくなり、Ｓ
／Ｎが向上する。また、信号成分である偏光成分は遮光
するので、超解像再生が可能となる。
【００１５】第４発明に係る光磁気ヘッド装置は、第１
乃至第３発明のいずれかにおいて、前記偏光膜は、所定
の偏光成分を透過し、他の偏光成分を反射又は吸収する
誘電体多層膜であることを特徴とする。
乃至第３発明のいずれかにおいて、前記偏光膜は、所定
の偏光成分を透過し、他の偏光成分を反射又は吸収する
誘電体多層膜であることを特徴とする。
【００１６】第４発明にあっては、前記偏光膜として誘
電体多層膜を用いる。従って、所定の偏光成分を略１０
０％透過し、その他の偏光成分を略１００％反射又は吸
収する。ここで所定の偏光成分とは、信号成分ではない
偏光成分であり、遮光手段を透過する光量がさらに多い
ので再生信号自体がさらに大きくなり、Ｓ／Ｎが向上す
る。また、信号成分である偏光成分を高率で遮光するの
で、さらに高分解能での超解像再生が可能となる。
電体多層膜を用いる。従って、所定の偏光成分を略１０
０％透過し、その他の偏光成分を略１００％反射又は吸
収する。ここで所定の偏光成分とは、信号成分ではない
偏光成分であり、遮光手段を透過する光量がさらに多い
ので再生信号自体がさらに大きくなり、Ｓ／Ｎが向上す
る。また、信号成分である偏光成分を高率で遮光するの
で、さらに高分解能での超解像再生が可能となる。
【００１７】第５発明に係る光磁気ヘッド装置は、第１
又は第４発明のいずれかにおいて、前記偏光膜を選択的
に透過させる所定の偏光成分は、前記光磁気記録媒体に
照射されるビーム光の偏光方向と同方向であることを特
徴とする。
又は第４発明のいずれかにおいて、前記偏光膜を選択的
に透過させる所定の偏光成分は、前記光磁気記録媒体に
照射されるビーム光の偏光方向と同方向であることを特
徴とする。
【００１８】第５発明にあっては、出射されたビーム光
が光磁気記録媒体に照射され、ここで反射されて遮光手
段に入射される。このビーム光の偏光方向が例えばｐ偏
光である場合は、ビーム光が反射する際に磁気カー効果
により信号成分としてｓ偏光成分が生じ、ｐ偏光成分は
信号成分ではない偏光成分である。従って、信号成分で
はない偏光成分を透過させるので、遮光手段を透過する
光量が多くなり、再生信号自体が大きくなる。また、信
号成分である偏光成分は遮光するので、超解像再生が可
能となる。
が光磁気記録媒体に照射され、ここで反射されて遮光手
段に入射される。このビーム光の偏光方向が例えばｐ偏
光である場合は、ビーム光が反射する際に磁気カー効果
により信号成分としてｓ偏光成分が生じ、ｐ偏光成分は
信号成分ではない偏光成分である。従って、信号成分で
はない偏光成分を透過させるので、遮光手段を透過する
光量が多くなり、再生信号自体が大きくなる。また、信
号成分である偏光成分は遮光するので、超解像再生が可
能となる。
【００１９】第６発明に係る光磁気ヘッド装置は、第１
又は第５発明のいずれかにおいて、前記遮光手段を透過
した反射光を集光する集光手段を配してあることを特徴
とする。
又は第５発明のいずれかにおいて、前記遮光手段を透過
した反射光を集光する集光手段を配してあることを特徴
とする。
【００２０】第６発明にあっては、反射光に含まれる偏
光成分の夫々が、光の略中央部分と周縁部分とで透過率
を異ならせて遮光手段を透過し、この透過光が集光して
いるので、前記中央部分と周縁部分との光が光学的に重
なり、これが再生信号検出部に与えられる。これによ
り、中央部分の透過光が、再生信号の大きさに比例する
光の成分ａに直接関わり、ａを増大させるので再生信号
のＳ／Ｎがさらに向上する。集光手段には例えば集光レ
ンズが用いられ、集光レンズは反射光の光路中、遮光手
段と再生信号検出部との間に配される。又は、遮光手段
の入り側に配されても良い。この場合は、反射光が合焦
するまでに遮光手段を透過するように、集光レンズと遮
光手段との距離は、集光レンズの焦点距離以内であるこ
とが好ましい。
光成分の夫々が、光の略中央部分と周縁部分とで透過率
を異ならせて遮光手段を透過し、この透過光が集光して
いるので、前記中央部分と周縁部分との光が光学的に重
なり、これが再生信号検出部に与えられる。これによ
り、中央部分の透過光が、再生信号の大きさに比例する
光の成分ａに直接関わり、ａを増大させるので再生信号
のＳ／Ｎがさらに向上する。集光手段には例えば集光レ
ンズが用いられ、集光レンズは反射光の光路中、遮光手
段と再生信号検出部との間に配される。又は、遮光手段
の入り側に配されても良い。この場合は、反射光が合焦
するまでに遮光手段を透過するように、集光レンズと遮
光手段との距離は、集光レンズの焦点距離以内であるこ
とが好ましい。
【００２１】
【発明の実施の形態】以下、本発明をその実施の形態を
示す図面に基づき具体的に説明する。図１は、本発明の
実施の形態の光磁気ヘッド装置の構成図である。図中、
１１は半導体レーザ光源であり、ここから出射されたレ
ーザ光はコリメータレンズ１２で平行光とされた後、真
円補正プリズム１３で円形の平行光となる。この平行光
はｐ偏光であり、第１のビームスプリッタ１４を介して
対物レンズ１５に入射され、対物レンズ１５により光磁
気ディスク１上に集光される。光磁気ディスク１は透明
基板２と記録膜３とを備えており、平行光は対物レンズ
１５により記録膜３上に集光される。なお、光磁気ディ
スク１の上方には磁気ヘッド４が配されており、光磁気
ディスク１の記録／再生時に所定の磁界を印加するよう
になっている。
示す図面に基づき具体的に説明する。図１は、本発明の
実施の形態の光磁気ヘッド装置の構成図である。図中、
１１は半導体レーザ光源であり、ここから出射されたレ
ーザ光はコリメータレンズ１２で平行光とされた後、真
円補正プリズム１３で円形の平行光となる。この平行光
はｐ偏光であり、第１のビームスプリッタ１４を介して
対物レンズ１５に入射され、対物レンズ１５により光磁
気ディスク１上に集光される。光磁気ディスク１は透明
基板２と記録膜３とを備えており、平行光は対物レンズ
１５により記録膜３上に集光される。なお、光磁気ディ
スク１の上方には磁気ヘッド４が配されており、光磁気
ディスク１の記録／再生時に所定の磁界を印加するよう
になっている。
【００２２】光磁気ディスク１からの反射光は前記対物
レンズ１５により平行光にされた後、前記第１のビーム
スプリッタ１４により反射され、第２のビームスプリッ
タ１６に入射される。第２のビームスプリッタ１６に入
射された平行光は二分され、一方は再生信号検出系２０
に供給され、他方はサーボ信号検出部１７に供給され
る。サーボ信号検出部１７では図示しない四分割光検出
器の出力に基づいてフォーカシングエラー信号及びトラ
ッキングエラー信号が検出される。
レンズ１５により平行光にされた後、前記第１のビーム
スプリッタ１４により反射され、第２のビームスプリッ
タ１６に入射される。第２のビームスプリッタ１６に入
射された平行光は二分され、一方は再生信号検出系２０
に供給され、他方はサーボ信号検出部１７に供給され
る。サーボ信号検出部１７では図示しない四分割光検出
器の出力に基づいてフォーカシングエラー信号及びトラ
ッキングエラー信号が検出される。
【００２３】再生信号検出系２０に供給される平行光
は、本発明の特徴である遮光板２１に供給され、遮光板
２１を透過した光が２分の１波長板（以下、１／２波長
板と記す）１８に入射される。図２は遮光板２１の構成
を示す平面図である。遮光板２１は、平面視で略矩形状
の透明平板２１ａと、該透明平板２１ａの一面に形成さ
れた偏光膜２１ｂとを有している。偏光膜２１ｂは透明
平板２１ａの略中央に円形状を有して形成され、その位
置及び半径ｒ0 は反射光の中央部分を遮るように設定し
てある。また偏光膜２１ｂは、例えば誘電体多層膜で構
成されており、偏光ビームスプリッタに用いられる膜と
同様に所定の偏光成分を反射又は吸収する機能を有して
いる。
は、本発明の特徴である遮光板２１に供給され、遮光板
２１を透過した光が２分の１波長板（以下、１／２波長
板と記す）１８に入射される。図２は遮光板２１の構成
を示す平面図である。遮光板２１は、平面視で略矩形状
の透明平板２１ａと、該透明平板２１ａの一面に形成さ
れた偏光膜２１ｂとを有している。偏光膜２１ｂは透明
平板２１ａの略中央に円形状を有して形成され、その位
置及び半径ｒ0 は反射光の中央部分を遮るように設定し
てある。また偏光膜２１ｂは、例えば誘電体多層膜で構
成されており、偏光ビームスプリッタに用いられる膜と
同様に所定の偏光成分を反射又は吸収する機能を有して
いる。
【００２４】図３は、本実施の形態に用いる遮光板の光
の透過率分布を示すグラフである。縦軸は透過率を表
し、横軸は遮光板の中心からの距離を表している。グラ
フ中、実線はｐ偏光成分を示し、破線はｓ偏光成分を示
している。グラフから判るように、偏光膜２１ｂの領域
以外ではｐ偏光成分及びｓ偏光成分の双方が略１００％
の透過率で透過するが、偏光膜２１ｂの領域ではｐ偏光
成分は略１００％の透過率で透過し、ｓ偏光成分は略０
％の透過率、即ち反射又は吸収されて遮光される。
の透過率分布を示すグラフである。縦軸は透過率を表
し、横軸は遮光板の中心からの距離を表している。グラ
フ中、実線はｐ偏光成分を示し、破線はｓ偏光成分を示
している。グラフから判るように、偏光膜２１ｂの領域
以外ではｐ偏光成分及びｓ偏光成分の双方が略１００％
の透過率で透過するが、偏光膜２１ｂの領域ではｐ偏光
成分は略１００％の透過率で透過し、ｓ偏光成分は略０
％の透過率、即ち反射又は吸収されて遮光される。
【００２５】そして、遮光板２１を透過した光が１／２
波長板１８に入射されて偏光方向を４５°回転され、偏
光ビームスプリッタ１９に入射されてｐ偏光成分とｓ偏
光成分とに分けられる。ｐ偏光成分及びｓ偏光成分の夫
々はフォトダイオード（ＰＤ１）２２及びフォトダイオ
ード（ＰＤ２）２３で受光され、電気信号に変換されて
差動増幅器２４に入力され、再生信号が差分検出され
る。
波長板１８に入射されて偏光方向を４５°回転され、偏
光ビームスプリッタ１９に入射されてｐ偏光成分とｓ偏
光成分とに分けられる。ｐ偏光成分及びｓ偏光成分の夫
々はフォトダイオード（ＰＤ１）２２及びフォトダイオ
ード（ＰＤ２）２３で受光され、電気信号に変換されて
差動増幅器２４に入力され、再生信号が差分検出され
る。
【００２６】以上の如き構成の光磁気ヘッド装置の効果
を示すために、まず、光学経路における各位置での光の
偏光状態を説明する。図４は、図１に示す光学経路の各
位置での偏光状態を説明するグラフであり、縦軸はｓ偏
光成分振幅を表し、横軸はｐ偏光成分の振幅を表してい
る。図４（ａ）はα−α線での偏光状態を示している。
真円補正プリズム１３から出射された平行光はｐ偏光で
あり、これが光磁気ディスク１に照射される。記録膜３
の磁化方向は、記録すべきデータに応じて上又は下方向
であり、光は反射する際に磁気カー効果によって±θk
だけ偏光方向が回転され、ｓ偏光成分が生じる。この状
態がβ−β線での偏光状態であり、図４（ｂ）に示す。
この光が１／２波長板により偏光方向を４５°回転さ
せ、図４（ｃ）に示したγ−γ線での偏光状態でフォト
ダイオード２２，２３で受光され、差動増幅器２４で再
生信号が差分検出される。
を示すために、まず、光学経路における各位置での光の
偏光状態を説明する。図４は、図１に示す光学経路の各
位置での偏光状態を説明するグラフであり、縦軸はｓ偏
光成分振幅を表し、横軸はｐ偏光成分の振幅を表してい
る。図４（ａ）はα−α線での偏光状態を示している。
真円補正プリズム１３から出射された平行光はｐ偏光で
あり、これが光磁気ディスク１に照射される。記録膜３
の磁化方向は、記録すべきデータに応じて上又は下方向
であり、光は反射する際に磁気カー効果によって±θk
だけ偏光方向が回転され、ｓ偏光成分が生じる。この状
態がβ−β線での偏光状態であり、図４（ｂ）に示す。
この光が１／２波長板により偏光方向を４５°回転さ
せ、図４（ｃ）に示したγ−γ線での偏光状態でフォト
ダイオード２２，２３で受光され、差動増幅器２４で再
生信号が差分検出される。
【００２７】次に、差分検出原理を説明する。図５は、
本発明の光磁気ヘッド装置を用いて行なう差分検出の原
理を説明するグラフである。縦軸はｓ偏光成分振幅を表
し、横軸はｐ偏光成分振幅を表している。カー回転角±
θk に対応するｐ偏光成分振幅及びｓ偏光成分振幅は以
下の式で表される（以下、複合同順）。
本発明の光磁気ヘッド装置を用いて行なう差分検出の原
理を説明するグラフである。縦軸はｓ偏光成分振幅を表
し、横軸はｐ偏光成分振幅を表している。カー回転角±
θk に対応するｐ偏光成分振幅及びｓ偏光成分振幅は以
下の式で表される（以下、複合同順）。
【００２８】
【数１】
【００２９】このｐ偏光成分振幅及びｓ偏光成分振幅は
フォトダイオード２２，２３で光電変換され、電気信号
となる。フォトダイオード２２，２３からの出力は光の
振幅に比例するのではなく、パワーに比例するため、フ
ォトダイオード２２，２３からの出力は夫々以下の式で
表される。
フォトダイオード２２，２３で光電変換され、電気信号
となる。フォトダイオード２２，２３からの出力は光の
振幅に比例するのではなく、パワーに比例するため、フ
ォトダイオード２２，２３からの出力は夫々以下の式で
表される。
【００３０】
【数２】
【００３１】また、これらの出力の差、即ち再生信号は
以下の式で表される。
以下の式で表される。
【００３２】
【数３】
【００３３】（１）式から判るように、再生信号はカー
回転角±θk によって生じたｓ偏光成分による±ｂのみ
に比例しているのではなく、ｐ偏光成分によるａにも比
例している。ｂは信号成分であるが、ａは信号成分では
ない。このことから、上述した如き遮光板２１により反
射光の中央部分でｐ偏光成分を透過し、ｓ偏光成分のみ
を遮光することによりａの値が大きくなり、再生信号自
体を大きくできる。また、信号成分に関与するｓ偏光成
分を遮光するので、超解像再生が可能である。
回転角±θk によって生じたｓ偏光成分による±ｂのみ
に比例しているのではなく、ｐ偏光成分によるａにも比
例している。ｂは信号成分であるが、ａは信号成分では
ない。このことから、上述した如き遮光板２１により反
射光の中央部分でｐ偏光成分を透過し、ｓ偏光成分のみ
を遮光することによりａの値が大きくなり、再生信号自
体を大きくできる。また、信号成分に関与するｓ偏光成
分を遮光するので、超解像再生が可能である。
【００３４】このように、ｐ偏光成分を大きくするため
に上述した如き遮光板２１を用いた場合を説明してい
る。図１に示す如き光磁気ヘッド装置の構成では受光量
が増大するので信号レベルは高くなり、その結果、再生
信号のＳ／Ｎは増大する。しかしながら、中央部分の光
とその他の部分の光とを各別に光電変換しているので、
遮光板２１の中央部分を透過した光のＰ偏光成分の振幅
は上記（１）式のａに反映されず、従って、ａを大きく
したことにはならない。実際に（１）式のａを大きくす
るためには、遮光板２１の中央部分を透過したｐ偏光成
分の光と、周縁部分を透過したｓ偏光成分を含む光とを
光学的に重ねた後、フォトダイオード２２，２３で光電
変換する必要がある。そこで次に、遮光板２１の中央部
分を透過した光が（１）式のａに反映され、信号成分の
ａを大きくできる実際的な光磁気ヘッド装置について説
明する。
に上述した如き遮光板２１を用いた場合を説明してい
る。図１に示す如き光磁気ヘッド装置の構成では受光量
が増大するので信号レベルは高くなり、その結果、再生
信号のＳ／Ｎは増大する。しかしながら、中央部分の光
とその他の部分の光とを各別に光電変換しているので、
遮光板２１の中央部分を透過した光のＰ偏光成分の振幅
は上記（１）式のａに反映されず、従って、ａを大きく
したことにはならない。実際に（１）式のａを大きくす
るためには、遮光板２１の中央部分を透過したｐ偏光成
分の光と、周縁部分を透過したｓ偏光成分を含む光とを
光学的に重ねた後、フォトダイオード２２，２３で光電
変換する必要がある。そこで次に、遮光板２１の中央部
分を透過した光が（１）式のａに反映され、信号成分の
ａを大きくできる実際的な光磁気ヘッド装置について説
明する。
【００３５】図６は、図１の装置をさらに改良した光磁
気ヘッド装置の構成図である。遮光板２１と１／２波長
板１８との間に集光レンズ２５を配している。その他の
構成は図１と同様であり、対応する部分に同符号を付し
て説明を省略する。遮光板２１を透過した光は集光レン
ズ２５により集光され、遮光板２１の中央部分を透過し
たｐ偏光成分の光と、周縁部分を透過したｓ偏光成分を
含む光とが光学的に重なり合って、夫々のフォトダイオ
ード２２，２３で受光される。フォトダイオード２２，
２３で光電変換された信号は、上述した（１）式に示す
如き再生信号となり、遮光板２１の中央部分を透過した
ｐ偏光成分の光がａに反映され、ａが大きくなる。
気ヘッド装置の構成図である。遮光板２１と１／２波長
板１８との間に集光レンズ２５を配している。その他の
構成は図１と同様であり、対応する部分に同符号を付し
て説明を省略する。遮光板２１を透過した光は集光レン
ズ２５により集光され、遮光板２１の中央部分を透過し
たｐ偏光成分の光と、周縁部分を透過したｓ偏光成分を
含む光とが光学的に重なり合って、夫々のフォトダイオ
ード２２，２３で受光される。フォトダイオード２２，
２３で光電変換された信号は、上述した（１）式に示す
如き再生信号となり、遮光板２１の中央部分を透過した
ｐ偏光成分の光がａに反映され、ａが大きくなる。
【００３６】従って、図６に示す光磁気ヘッド装置で
は、光磁気ディスク１に照射するレーザ光、即ち往路の
レーザ光がｐ偏光の場合に、反射光の中央部分で、超解
像効果に関与するｓ偏光成分を遮光し、信号成分ではな
いｐ偏光成分のみを透過させるので再生信号自体が大き
くなり、Ｓ／Ｎが改善される。また、超解像効果に関与
するｓ偏光成分は従来通り遮光するので、高分解能での
超解像再生が可能となる。
は、光磁気ディスク１に照射するレーザ光、即ち往路の
レーザ光がｐ偏光の場合に、反射光の中央部分で、超解
像効果に関与するｓ偏光成分を遮光し、信号成分ではな
いｐ偏光成分のみを透過させるので再生信号自体が大き
くなり、Ｓ／Ｎが改善される。また、超解像効果に関与
するｓ偏光成分は従来通り遮光するので、高分解能での
超解像再生が可能となる。
【００３７】なお、遮光板２１を透過した光をフォトダ
イオード２２，２３に集光させるための集光レンズ２５
の配位置は、遮光板２１と１／２波長板１８との間に限
らず、第１及び第２のビームスプリッタ１４，１６の間
でも良いし、第２のビームスプリッタ１６と遮光板２１
との間でも良いし、１／２波長板１８と偏光ビームスプ
リッタ１９との間にあっても良い。また、２枚の集光レ
ンズを用いて、一方を偏光ビームスプリッタ１９とフォ
トダイオード２２との間に、他方を偏光ビームスプリッ
タ１９とフォトダイオード２３との間に設けてあっても
良い。
イオード２２，２３に集光させるための集光レンズ２５
の配位置は、遮光板２１と１／２波長板１８との間に限
らず、第１及び第２のビームスプリッタ１４，１６の間
でも良いし、第２のビームスプリッタ１６と遮光板２１
との間でも良いし、１／２波長板１８と偏光ビームスプ
リッタ１９との間にあっても良い。また、２枚の集光レ
ンズを用いて、一方を偏光ビームスプリッタ１９とフォ
トダイオード２２との間に、他方を偏光ビームスプリッ
タ１９とフォトダイオード２３との間に設けてあっても
良い。
【００３８】上述した光磁気ヘッドの実施の形態では、
遮光板２１を１／２波長板１８の直前に配した場合を説
明しているが、遮光板の位置はこれに限るものではな
い。遮光板の配置位置が異なる他の実施の形態を以下に
説明する。
遮光板２１を１／２波長板１８の直前に配した場合を説
明しているが、遮光板の位置はこれに限るものではな
い。遮光板の配置位置が異なる他の実施の形態を以下に
説明する。
【００３９】図７は、本発明の他の実施の形態の光磁気
ヘッド装置を示す構成図である。遮光板２１及び集光レ
ンズ２５は、１／２波長板１８と偏光ビームスプリッタ
１９との間に配されており、１／２波長板１８，遮光板
２１，集光レンズ２５及び偏光ビームスプリッタ１９の
順である。１／２波長板１８で偏光方向を４５°回転さ
れた平行光が遮光板２１を通り、略中央部分で信号成分
が遮光される。透過光は集光されて偏光ビームスプリッ
タ１９に入射され、フォトダイオード２３，２４で受光
される。遮光板２１は１／２波長板１８からの平行光を
受けるために、図２に示す遮光板２１を平面内で４５°
回転させた向きに配されている。その他の構成は、図１
に示す磁気ヘッド装置の構成と同様であり、同部分に同
符号を付して説明を省略する。
ヘッド装置を示す構成図である。遮光板２１及び集光レ
ンズ２５は、１／２波長板１８と偏光ビームスプリッタ
１９との間に配されており、１／２波長板１８，遮光板
２１，集光レンズ２５及び偏光ビームスプリッタ１９の
順である。１／２波長板１８で偏光方向を４５°回転さ
れた平行光が遮光板２１を通り、略中央部分で信号成分
が遮光される。透過光は集光されて偏光ビームスプリッ
タ１９に入射され、フォトダイオード２３，２４で受光
される。遮光板２１は１／２波長板１８からの平行光を
受けるために、図２に示す遮光板２１を平面内で４５°
回転させた向きに配されている。その他の構成は、図１
に示す磁気ヘッド装置の構成と同様であり、同部分に同
符号を付して説明を省略する。
【００４０】このような構成の光磁気ヘッド装置にあっ
ては、図１の遮光板２１と同様の作用、即ち、超解像効
果に関与する信号成分を遮光し、信号成分でない偏光成
分のみを透過させるので、上述した磁気ヘッド装置と同
様の効果を得ることができる。
ては、図１の遮光板２１と同様の作用、即ち、超解像効
果に関与する信号成分を遮光し、信号成分でない偏光成
分のみを透過させるので、上述した磁気ヘッド装置と同
様の効果を得ることができる。
【００４１】なお、遮光板２１を透過した光をフォトダ
イオード２２，２３に集光させるための集光レンズ２５
の配位置は、遮光板２１と偏光ビームスプリッタ１９と
の間に限らない。例えば第１及び第２のビームスプリッ
タ１４，１６の間でも良いし、第２のビームスプリッタ
１６と１／２波長板１８との間でも良いし、１／２波長
板１８と遮光板２１との間にあっても良い。また、２枚
の集光レンズを用いて、一方を偏光ビームスプリッタ１
９とフォトダイオード２２との間に、他方を偏光ビーム
スプリッタ１９とフォトダイオード２３との間に設けて
あっても良い。
イオード２２，２３に集光させるための集光レンズ２５
の配位置は、遮光板２１と偏光ビームスプリッタ１９と
の間に限らない。例えば第１及び第２のビームスプリッ
タ１４，１６の間でも良いし、第２のビームスプリッタ
１６と１／２波長板１８との間でも良いし、１／２波長
板１８と遮光板２１との間にあっても良い。また、２枚
の集光レンズを用いて、一方を偏光ビームスプリッタ１
９とフォトダイオード２２との間に、他方を偏光ビーム
スプリッタ１９とフォトダイオード２３との間に設けて
あっても良い。
【００４２】また、図８は、本発明のさらに他の実施の
形態の光磁気ヘッド装置を示す構成図である。遮光板２
１は第１のビームスプリッタ１４と第２のビームスプリ
ッタ１６との間に配されており、集光レンズ２５は、第
２のビームスプリッタ１６と１／２波長板１８との間に
配されている。第１のビームスプリッタ１４で反射され
た平行光が遮光板２１を通り、略中央部分でｓ偏光成分
が遮光されて第２のビームスプリッタ１６に入射され
る。第２ビームスプリッタ１６から再生信号検出系２０
に供給される平行光は、集光レンズ２５により集光され
て１／２波長板１８に入射され、フォトダイオード２
３，２４で受光される。その他の構成は、図１に示す磁
気ヘッド装置の構成と同様であり、同部分に同符号を付
して説明を省略する。
形態の光磁気ヘッド装置を示す構成図である。遮光板２
１は第１のビームスプリッタ１４と第２のビームスプリ
ッタ１６との間に配されており、集光レンズ２５は、第
２のビームスプリッタ１６と１／２波長板１８との間に
配されている。第１のビームスプリッタ１４で反射され
た平行光が遮光板２１を通り、略中央部分でｓ偏光成分
が遮光されて第２のビームスプリッタ１６に入射され
る。第２ビームスプリッタ１６から再生信号検出系２０
に供給される平行光は、集光レンズ２５により集光され
て１／２波長板１８に入射され、フォトダイオード２
３，２４で受光される。その他の構成は、図１に示す磁
気ヘッド装置の構成と同様であり、同部分に同符号を付
して説明を省略する。
【００４３】このような構成の光磁気ヘッド装置にあっ
ては、図１の遮光板２１と同様の作用、即ち、超解像効
果に関与するｓ偏光成分を遮光し、信号成分でないｐ偏
光成分のみを透過させるので、上述した磁気ヘッド装置
と同様の効果を得ることができる。
ては、図１の遮光板２１と同様の作用、即ち、超解像効
果に関与するｓ偏光成分を遮光し、信号成分でないｐ偏
光成分のみを透過させるので、上述した磁気ヘッド装置
と同様の効果を得ることができる。
【００４４】なお、遮光板２１を透過した光をフォトダ
イオード２２，２３に集光させるための集光レンズ２５
の配位置は、第２のビームスプリッタ１６と１／２波長
板１８との間に限らない。例えば第１のビームスプリッ
タ１４と遮光板２１との間でも良いし、遮光板２１と第
２のビームスプリッタ１６の間でも良いし、１／２波長
板１８と偏光ビームスプリッタ１９との間にあっても良
い。また、２枚の集光レンズを用いて、一方を偏光ビー
ムスプリッタ１９とフォトダイオード２２との間に、他
方を偏光ビームスプリッタ１９とフォトダイオード２３
との間に設けてあっても良い。
イオード２２，２３に集光させるための集光レンズ２５
の配位置は、第２のビームスプリッタ１６と１／２波長
板１８との間に限らない。例えば第１のビームスプリッ
タ１４と遮光板２１との間でも良いし、遮光板２１と第
２のビームスプリッタ１６の間でも良いし、１／２波長
板１８と偏光ビームスプリッタ１９との間にあっても良
い。また、２枚の集光レンズを用いて、一方を偏光ビー
ムスプリッタ１９とフォトダイオード２２との間に、他
方を偏光ビームスプリッタ１９とフォトダイオード２３
との間に設けてあっても良い。
【００４５】さらに図９は、本発明のさらに他の実施の
形態の光磁気ヘッド装置を示す構成図である。遮光板２
１は第１のビームスプリッタ１４と対物レンズ１５との
間に配されており、集光レンズ２５は、第２のビームス
プリッタ１６と１／２波長板１８との間に配されてい
る。光磁気ディスク１で反射された反射光が対物レンズ
１５で平行光にされた後、遮光板２１を通り、略中央部
分でｓ偏光成分が遮光されて第１のビームスプリッタ１
４で反射され、第２のビームスプリッタに入射される。
第２ビームスプリッタ１６から再生信号検出系２０に供
給される平行光は、集光レンズ２５により集光されて１
／２波長板１８に入射され、フォトダイオード２３，２
４で受光される。その他の構成は、図１に示す光磁気ヘ
ッド装置の構成と同様であり、同部分に同符号を付して
説明を省略する。なお、半導体レーザ光源１１から出射
された往路のレーザ光も遮光板２１を通るが、遮光板２
１はｐ偏光成分を透過させるため、ｐ偏光である往路の
レーザ光は透過されるので不都合はない。
形態の光磁気ヘッド装置を示す構成図である。遮光板２
１は第１のビームスプリッタ１４と対物レンズ１５との
間に配されており、集光レンズ２５は、第２のビームス
プリッタ１６と１／２波長板１８との間に配されてい
る。光磁気ディスク１で反射された反射光が対物レンズ
１５で平行光にされた後、遮光板２１を通り、略中央部
分でｓ偏光成分が遮光されて第１のビームスプリッタ１
４で反射され、第２のビームスプリッタに入射される。
第２ビームスプリッタ１６から再生信号検出系２０に供
給される平行光は、集光レンズ２５により集光されて１
／２波長板１８に入射され、フォトダイオード２３，２
４で受光される。その他の構成は、図１に示す光磁気ヘ
ッド装置の構成と同様であり、同部分に同符号を付して
説明を省略する。なお、半導体レーザ光源１１から出射
された往路のレーザ光も遮光板２１を通るが、遮光板２
１はｐ偏光成分を透過させるため、ｐ偏光である往路の
レーザ光は透過されるので不都合はない。
【００４６】このような構成の光磁気ヘッド装置にあっ
ては、図１の遮光板２１と同様の作用、即ち、超解像効
果に関与するｓ偏光成分を遮光し、信号成分でないｐ偏
光成分のみを透過させるので、上述した光磁気ヘッド装
置と同様の効果を得ることができる。
ては、図１の遮光板２１と同様の作用、即ち、超解像効
果に関与するｓ偏光成分を遮光し、信号成分でないｐ偏
光成分のみを透過させるので、上述した光磁気ヘッド装
置と同様の効果を得ることができる。
【００４７】なお、遮光板２１を透過した光をフォトダ
イオード２２，２３に集光させるための集光レンズ２５
の配位置は、第２のビームスプリッタ１６と１／２波長
板１８との間に限らない。例えば第１及び第２のビーム
スプリッタ１４，１６の間でも良いし、１／２波長板１
８と偏光ビームスプリッタ１９との間にあっても良い。
また、２枚の集光レンズを用いて、一方を偏光ビームス
プリッタ１９とフォトダイオード２２との間に、他方を
偏光ビームスプリッタ１９とフォトダイオード２３との
間に設けてあっても良い。
イオード２２，２３に集光させるための集光レンズ２５
の配位置は、第２のビームスプリッタ１６と１／２波長
板１８との間に限らない。例えば第１及び第２のビーム
スプリッタ１４，１６の間でも良いし、１／２波長板１
８と偏光ビームスプリッタ１９との間にあっても良い。
また、２枚の集光レンズを用いて、一方を偏光ビームス
プリッタ１９とフォトダイオード２２との間に、他方を
偏光ビームスプリッタ１９とフォトダイオード２３との
間に設けてあっても良い。
【００４８】また、上述した遮光板２１の偏光膜２１ｂ
は、図２に示すように、略円形状を有しているが、これ
に限るものではなく、遮光板２１を通る平行光の略中央
部分に対応する位置に偏光膜が形成されてあれば良い。
図１０は他の遮光板の構造を示す遮光板の平面図であ
る。遮光板２１は透明平板２１ａと偏光膜２１ｃとを有
している。透明平板２１ａは平面視で略矩形状を有し、
その一面の略中央に帯状の偏光膜２１ｃが形成されてい
る。このような構造の遮光板２１を用いることにより、
上述した光磁気ヘッド装置と同様の効果を得ることがで
きる。
は、図２に示すように、略円形状を有しているが、これ
に限るものではなく、遮光板２１を通る平行光の略中央
部分に対応する位置に偏光膜が形成されてあれば良い。
図１０は他の遮光板の構造を示す遮光板の平面図であ
る。遮光板２１は透明平板２１ａと偏光膜２１ｃとを有
している。透明平板２１ａは平面視で略矩形状を有し、
その一面の略中央に帯状の偏光膜２１ｃが形成されてい
る。このような構造の遮光板２１を用いることにより、
上述した光磁気ヘッド装置と同様の効果を得ることがで
きる。
【００４９】さらに、上述した遮光板２１は透明平板２
１ａと偏光膜２１ｃとで構成してある場合を説明してい
るが、これに限るものではなく、偏光膜２１ｃのみから
なるものであっても良い。例えば、ビームスプリッタ又
は１／２波長板１８の出光面に偏光膜２１ｃを設けてあ
っても良い。
１ａと偏光膜２１ｃとで構成してある場合を説明してい
るが、これに限るものではなく、偏光膜２１ｃのみから
なるものであっても良い。例えば、ビームスプリッタ又
は１／２波長板１８の出光面に偏光膜２１ｃを設けてあ
っても良い。
【００５０】さらにまた、上述した遮光板２１の偏光膜
２１ｂ，２１ｃとして、所定の偏光方向成分を略１００
％透過させ、他の偏光方向成分を略０％の透過、即ち遮
光する誘電体多層膜を用いた場合を説明しているが、こ
れに限るものではなく、偏光方向により透過率が異なる
偏光板のような膜を用いても良い。
２１ｂ，２１ｃとして、所定の偏光方向成分を略１００
％透過させ、他の偏光方向成分を略０％の透過、即ち遮
光する誘電体多層膜を用いた場合を説明しているが、こ
れに限るものではなく、偏光方向により透過率が異なる
偏光板のような膜を用いても良い。
【００５１】さらにまた、上述した光磁気ヘッド装置
は、往路のレーザ光がｐ偏光である場合を説明している
が、これに限るものではなく、ｓ偏光であっても適用で
きる。ただしこの場合は、ｐ偏光成分よりもｓ偏光成分
の方が高い透過率を有する偏光膜を備える遮光板を用
い、さらに、偏光方向に係わる構成をｐ偏光用とｓ偏光
用とで入れ替える。
は、往路のレーザ光がｐ偏光である場合を説明している
が、これに限るものではなく、ｓ偏光であっても適用で
きる。ただしこの場合は、ｐ偏光成分よりもｓ偏光成分
の方が高い透過率を有する偏光膜を備える遮光板を用
い、さらに、偏光方向に係わる構成をｐ偏光用とｓ偏光
用とで入れ替える。
【００５２】なお、上述した実施の形態は、光磁気ディ
スクからの反射光を対物レンズで平行光とし、平行光が
遮光手段を透過する構成とした場合を説明しているが、
平行光に限るものではなく、例えば、再生信号検出部へ
集束する集束光が遮光手段を透過する構成であっても良
い。
スクからの反射光を対物レンズで平行光とし、平行光が
遮光手段を透過する構成とした場合を説明しているが、
平行光に限るものではなく、例えば、再生信号検出部へ
集束する集束光が遮光手段を透過する構成であっても良
い。
【００５３】また、上述した実施の形態は、偏光ビーム
スプリッタにより反射光を偏光成分に分けて再生信号を
差動検出する場合を説明しているが、これに限るもので
はなく、各偏光成分を用いて再生信号を検出する構成で
あれば良い。
スプリッタにより反射光を偏光成分に分けて再生信号を
差動検出する場合を説明しているが、これに限るもので
はなく、各偏光成分を用いて再生信号を検出する構成で
あれば良い。
【００５４】
【発明の効果】以上のように、本発明においては、光磁
気ディスクでの反射光が遮光手段を透過し、反射光の略
中央部分で、信号成分でない偏光成分よりも信号成分で
ある偏光成分の方を高率で透過させるので、再生信号を
大きくしてＳ／Ｎを向上させ、且つ、超解像再生が可能
となる。また、遮光手段を透過した光を集光させるの
で、再生信号の大きさに比例する光の成分を大きくで
き、再生信号のＳ／Ｎがさらに向上する等、本発明は優
れた効果を奏する。
気ディスクでの反射光が遮光手段を透過し、反射光の略
中央部分で、信号成分でない偏光成分よりも信号成分で
ある偏光成分の方を高率で透過させるので、再生信号を
大きくしてＳ／Ｎを向上させ、且つ、超解像再生が可能
となる。また、遮光手段を透過した光を集光させるの
で、再生信号の大きさに比例する光の成分を大きくで
き、再生信号のＳ／Ｎがさらに向上する等、本発明は優
れた効果を奏する。
【図１】本実施の形態の光磁気ヘッド装置の構成図であ
る。
る。
【図２】本実施の形態の遮光板の平面図である。
【図３】本実施の形態の遮光板の光透過率を示すグラフ
である。
である。
【図４】本実施の形態の遮光板での光の偏光状態を示す
グラフである。
グラフである。
【図５】本実施の形態の再生信号の差分検出を説明する
グラフである。
グラフである。
【図６】本実施の形態の他の光磁気ヘッド装置の構成図
である。
である。
【図７】他の実施の形態の光磁気ヘッド装置の構成図で
ある。
ある。
【図８】さらに他の実施の形態の光磁気ヘッド装置の構
成図である。
成図である。
【図９】さらに他の実施の形態の光磁気ヘッド装置の構
成図である。
成図である。
【図１０】他の実施の形態の遮光板の平面図である。
【図１１】従来の光磁気ヘッド装置の伝達関数の振幅特
性を示すグラフである。
性を示すグラフである。
【図１２】従来の光磁気ヘッド装置の遮光板の光透過率
を示すグラフである。
を示すグラフである。
１ 光磁気ディスク ４ 磁気ヘッド １４ 第１のビームスプリッタ １５ 対物レンズ １６ 第２のビームスプリッタ １８ １／２波長板 １９ 偏光ビームスプリッタ ２１ 遮光板 ２１ｂ，２１ｃ 偏光膜 ２５ 集光レンズ
Claims (6)
- 【請求項１】 光磁気記録媒体で反射された反射光を用
いて再生信号を得る光磁気ヘッド装置において、 前記反射光が入射される遮光手段を備え、該遮光手段は
入射される反射光の略中央部分にて所定の偏光成分が他
の偏光成分よりも高い透過率を有する偏光膜を備えるこ
とを特徴とする光磁気ヘッド装置。 - 【請求項２】 光磁気記録媒体で反射された反射光を入
射せしめるレンズと、前記反射光を再生信号検出部とフ
ォーカシングエラー及びトラッキングエラー検出部とに
分割するビームスプリッタと、前記反射光が入射される
遮光手段と、該遮光手段を透過した反射光を用いて再生
信号を検出する再生信号検出部とを備える光磁気ヘッド
装置において、 前記遮光手段は、入射される反射光の略中央部分にて所
定の偏光成分が他の偏光成分よりも高い透過率を有する
偏光膜を備え、前記ビームスプリッタで分割された反射
光が入射される位置に配してあることを特徴とする光磁
気ヘッド装置。 - 【請求項３】 光磁気記録媒体で反射された反射光を入
射せしめるレンズと、前記反射光を再生信号検出部とフ
ォーカシングエラー及びトラッキングエラー検出部とに
分割するビームスプリッタと、前記反射光が入射される
遮光手段と、該遮光手段を透過した反射光を用いて再生
信号を検出する再生信号検出部とを備える光磁気ヘッド
装置において、 前記遮光手段は、入射される反射光の略中央部分にて所
定の偏光成分が他の偏光成分よりも高い透過率を有する
偏光膜を備え、前記遮光手段を透過した反射光が前記ビ
ームスプリッタに入射される位置に配してあることを特
徴とする光磁気ヘッド装置。 - 【請求項４】 前記偏光膜は、所定の偏光成分を透過
し、他の偏光成分を反射又は吸収する誘電体多層膜であ
る請求項１乃至３のいずれかに記載する光磁気ヘッド装
置。 - 【請求項５】 前記偏光膜を選択的に透過させる所定の
偏光成分は、前記光磁気記録媒体に照射されるビーム光
の偏光方向と同方向である請求項１乃至４のいずれかに
記載の光磁気ヘッド装置。 - 【請求項６】 前記遮光手段を透過した反射光を集光す
る集光手段を配してある請求項１乃至５のいずれかに記
載する光磁気ヘッド装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33173798A JP3554844B2 (ja) | 1998-03-19 | 1998-11-20 | 光磁気ヘッド装置 |
| PCT/JP1999/000799 WO2004075182A1 (ja) | 1998-03-19 | 1999-02-22 | 光磁気ヘッド装置 |
| US09/600,799 US6741528B1 (en) | 1998-03-19 | 1999-02-22 | Magneto-optical head device |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10-70518 | 1998-03-19 | ||
| JP7051898 | 1998-03-19 | ||
| JP33173798A JP3554844B2 (ja) | 1998-03-19 | 1998-11-20 | 光磁気ヘッド装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11328765A true JPH11328765A (ja) | 1999-11-30 |
| JP3554844B2 JP3554844B2 (ja) | 2004-08-18 |
Family
ID=26411673
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33173798A Expired - Fee Related JP3554844B2 (ja) | 1998-03-19 | 1998-11-20 | 光磁気ヘッド装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6741528B1 (ja) |
| JP (1) | JP3554844B2 (ja) |
| WO (1) | WO2004075182A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100421455B1 (ko) * | 2000-11-10 | 2004-03-09 | 삼성전기주식회사 | 정보기록 재생장치 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003203407A (ja) * | 2001-12-28 | 2003-07-18 | Fujitsu Ltd | 光磁気記録再生装置 |
| US8775997B2 (en) | 2003-09-15 | 2014-07-08 | Nvidia Corporation | System and method for testing and configuring semiconductor functional circuits |
| US8711156B1 (en) | 2004-09-30 | 2014-04-29 | Nvidia Corporation | Method and system for remapping processing elements in a pipeline of a graphics processing unit |
| US20110205036A1 (en) * | 2010-02-23 | 2011-08-25 | Allen Ku | Power-saving wireless input device |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0756709B2 (ja) | 1981-10-29 | 1995-06-14 | シャ−プ株式会社 | 光磁気記憶装置 |
| US5189651A (en) * | 1986-05-12 | 1993-02-23 | Pioneer Electronic Corporation | Optical system in magneto-optical recording and reproducing device |
| JP2664327B2 (ja) * | 1993-06-21 | 1997-10-15 | 富士通株式会社 | 光学的ヘッド及び光学的記録再生方法 |
| JPH07141681A (ja) | 1993-11-18 | 1995-06-02 | Ricoh Co Ltd | 光ヘッド |
| JPH07141714A (ja) | 1993-11-19 | 1995-06-02 | Dainippon Ink & Chem Inc | 光情報検出装置 |
| JP2655077B2 (ja) * | 1994-05-17 | 1997-09-17 | 日本電気株式会社 | 光ヘッド装置 |
| JPH0831002A (ja) | 1994-07-13 | 1996-02-02 | Dainippon Ink & Chem Inc | 光情報検出装置 |
| JPH08221795A (ja) | 1995-02-14 | 1996-08-30 | Hitachi Ltd | 光ディスク装置 |
| JPH10302302A (ja) * | 1997-04-24 | 1998-11-13 | Sanyo Electric Co Ltd | 光ピックアップ装置 |
-
1998
- 1998-11-20 JP JP33173798A patent/JP3554844B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1999
- 1999-02-22 US US09/600,799 patent/US6741528B1/en not_active Expired - Fee Related
- 1999-02-22 WO PCT/JP1999/000799 patent/WO2004075182A1/ja not_active Ceased
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100421455B1 (ko) * | 2000-11-10 | 2004-03-09 | 삼성전기주식회사 | 정보기록 재생장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6741528B1 (en) | 2004-05-25 |
| JP3554844B2 (ja) | 2004-08-18 |
| WO2004075182A1 (ja) | 2004-09-02 |
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