JPH11345809A - 半導体ウエハの熱処理方法及び熱処理治具 - Google Patents
半導体ウエハの熱処理方法及び熱処理治具Info
- Publication number
- JPH11345809A JPH11345809A JP10154019A JP15401998A JPH11345809A JP H11345809 A JPH11345809 A JP H11345809A JP 10154019 A JP10154019 A JP 10154019A JP 15401998 A JP15401998 A JP 15401998A JP H11345809 A JPH11345809 A JP H11345809A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- jig
- heat treatment
- holding
- semiconductor wafer
- wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】熱処理治具への装着や取り外しのハンドリング
作業が容易で且つ１回に熱処理できるウエハの枚数を増
加した半導体ウエハの熱処理方法及び熱処理治具を提供
すること。 【解決手段】半導体ウエハを１枚ずつ吊るした状態で熱
処理を行なうようにしたこと、及びこの方法を実現する
熱処理治具、すなわち円盤状の半導体ウエハの外周の少
なくとも２か所を保持するアームの折り返しからなる２
個の保持部と吊り下げるためのフックとを有する抑え治
具と、該抑え治具を掛ける支持治具とから成る熱処理治
具を用いたことにある。
作業が容易で且つ１回に熱処理できるウエハの枚数を増
加した半導体ウエハの熱処理方法及び熱処理治具を提供
すること。 【解決手段】半導体ウエハを１枚ずつ吊るした状態で熱
処理を行なうようにしたこと、及びこの方法を実現する
熱処理治具、すなわち円盤状の半導体ウエハの外周の少
なくとも２か所を保持するアームの折り返しからなる２
個の保持部と吊り下げるためのフックとを有する抑え治
具と、該抑え治具を掛ける支持治具とから成る熱処理治
具を用いたことにある。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハの熱
処理方法及び熱処理治具に関するものである。
処理方法及び熱処理治具に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】イオン注入を行なった半導体ウエハは、
注入されたイオンを電気的に活性化させるために高温熱
処理が必要である。例えば、半絶縁性ＧａＡｓウエハへ
ｎ層形成としてＳｉイオンを注入した場合、イオン注入
されたＳｉイオンを電気的に活性化させるためには８０
０℃以上の高温熱処理が必要となる。
注入されたイオンを電気的に活性化させるために高温熱
処理が必要である。例えば、半絶縁性ＧａＡｓウエハへ
ｎ層形成としてＳｉイオンを注入した場合、イオン注入
されたＳｉイオンを電気的に活性化させるためには８０
０℃以上の高温熱処理が必要となる。
【０００３】熱処理中、半導体ウエハを保持する治具が
必要であるが、この熱処理治具の形状として、ウエハを
横置きに設置するタイプと、ウエハを縦置きに設置する
タイプがある。熱処理用のヒータの均熱長の制約から１
回のウエハ処理枚数を多くすることができる縦置きに設
置するタイプが一般的である。
必要であるが、この熱処理治具の形状として、ウエハを
横置きに設置するタイプと、ウエハを縦置きに設置する
タイプがある。熱処理用のヒータの均熱長の制約から１
回のウエハ処理枚数を多くすることができる縦置きに設
置するタイプが一般的である。
【０００４】図５は、従来の半導体ウエハの熱処理治具
の斜視図である。図５の中には、溝部の側面拡大図も掲
載している。熱処理治具１１には、等間隔で溝部１２が
設けられており、この溝部１２にウエハ１３を縦置きに
装着する構造になっている。半導体ウエハ１３は、１枚
１枚溝部１２に装着され、装着が終わったらこの熱処理
治具を所定の温度雰囲気中に置くことにより、半導体ウ
エハが熱処理される。
の斜視図である。図５の中には、溝部の側面拡大図も掲
載している。熱処理治具１１には、等間隔で溝部１２が
設けられており、この溝部１２にウエハ１３を縦置きに
装着する構造になっている。半導体ウエハ１３は、１枚
１枚溝部１２に装着され、装着が終わったらこの熱処理
治具を所定の温度雰囲気中に置くことにより、半導体ウ
エハが熱処理される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体ウエハの
熱処理方法及び熱処理治具には以下の問題があった。
熱処理方法及び熱処理治具には以下の問題があった。
【０００６】熱処理を施す時の１回当たりのウエハの処
理枚数は、熱処理用ヒータの均熱長と熱処理治具１１に
設けられた溝部１２の間隔により決定される。熱処理用
ヒータの均熱長はむやみに長くすることはできないた
め、１回当たりのウエハの処理枚数を増加させるために
は、溝部１２の間隔を狭くすることが必要となる。しか
し、現状では溝部１２の間隔を狭くすると、熱処理治具
へウエハを装着する時や取り外しの時に、隣接するウエ
ハに接触してしまい、ウエハに傷や割れが発生するとい
う問題があった。
理枚数は、熱処理用ヒータの均熱長と熱処理治具１１に
設けられた溝部１２の間隔により決定される。熱処理用
ヒータの均熱長はむやみに長くすることはできないた
め、１回当たりのウエハの処理枚数を増加させるために
は、溝部１２の間隔を狭くすることが必要となる。しか
し、現状では溝部１２の間隔を狭くすると、熱処理治具
へウエハを装着する時や取り外しの時に、隣接するウエ
ハに接触してしまい、ウエハに傷や割れが発生するとい
う問題があった。
【０００７】従って本発明の目的は、前記した従来技術
の欠点を解消し、半導体ウエハの熱処理治具への装着や
取り外しのハンドリング作業が容易で、且つ１回に熱処
理できるウエハの枚数を増加した半導体ウエハの熱処理
方法及び熱処理治具を提供することにある。
の欠点を解消し、半導体ウエハの熱処理治具への装着や
取り外しのハンドリング作業が容易で、且つ１回に熱処
理できるウエハの枚数を増加した半導体ウエハの熱処理
方法及び熱処理治具を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は上記の目的を実
現するため、半導体ウエハを１枚ずつ吊るした状態で所
定の温度雰囲気にさらすという半導体ウエハの熱処理方
法を採用した。
現するため、半導体ウエハを１枚ずつ吊るした状態で所
定の温度雰囲気にさらすという半導体ウエハの熱処理方
法を採用した。
【０００９】本発明は上記の目的を実現するため、円盤
状の半導体ウエハの外周の少なくとも２か所を保持する
アームの折り返しからなる２個の保持部と吊り下げるた
めのフックとを有する抑え治具と、該抑え治具えを掛け
る支持治具とから構成される半導体ウエハの熱処理治具
を用いた。
状の半導体ウエハの外周の少なくとも２か所を保持する
アームの折り返しからなる２個の保持部と吊り下げるた
めのフックとを有する抑え治具と、該抑え治具えを掛け
る支持治具とから構成される半導体ウエハの熱処理治具
を用いた。
【００１０】
【発明の実施の形態】図１は、本発明の半導体ウエハの
熱処理方法及び熱処理治具の一実施例を示した斜視図で
ある。熱処理治具は、支持治具１と、抑え治具２とから
構成される。
熱処理方法及び熱処理治具の一実施例を示した斜視図で
ある。熱処理治具は、支持治具１と、抑え治具２とから
構成される。
【００１１】図２は、支持治具１の斜視図である。
【００１２】図３は、抑え治具２を示したものであっ
て、（ａ）は正面図、（ｂ）は側面図である。抑え治具
２には、半導体ウエハが保持できるようにアームの折り
返しからなる保持部３が２個設けられており、またこの
抑え治具２の頭部にはフック４が設けられている。この
フック４を用いて、抑え治具２を支持治具１の登頂部に
吊り下げる（掛ける）ことができるようになっている。
フック４の形状は、吊り下げるという機能を果たすもの
ならどんな形状であっても良い。
て、（ａ）は正面図、（ｂ）は側面図である。抑え治具
２には、半導体ウエハが保持できるようにアームの折り
返しからなる保持部３が２個設けられており、またこの
抑え治具２の頭部にはフック４が設けられている。この
フック４を用いて、抑え治具２を支持治具１の登頂部に
吊り下げる（掛ける）ことができるようになっている。
フック４の形状は、吊り下げるという機能を果たすもの
ならどんな形状であっても良い。
【００１３】図４は、ウエハ５を抑え治具２に装着した
図であって、（ａ）は正面図、（ｂ）は側面図である。
図であって、（ａ）は正面図、（ｂ）は側面図である。
【００１４】熱処理を開始する時には、ウエハ５を抑え
治具２の保持部３に装着し、この抑え治具２を支持治具
１に吊り下げる。その時、まず、支持治具１の登頂部の
抑え治具２が掛かっていない部分に抑え治具２を掛け、
それからその抑え治具２を左あるいは右に移動させ、ウ
エハ５が装着してある複数の抑え治具２を整列させるこ
とが望ましい。このようにして整列し終えた後、この熱
処理治具を所定の温度雰囲気にさらすことで、半導体ウ
エハ５が熱処理される。この場合、半導体ウエハは吊り
下げられた状態で熱処理が行なわれることになる。
治具２の保持部３に装着し、この抑え治具２を支持治具
１に吊り下げる。その時、まず、支持治具１の登頂部の
抑え治具２が掛かっていない部分に抑え治具２を掛け、
それからその抑え治具２を左あるいは右に移動させ、ウ
エハ５が装着してある複数の抑え治具２を整列させるこ
とが望ましい。このようにして整列し終えた後、この熱
処理治具を所定の温度雰囲気にさらすことで、半導体ウ
エハ５が熱処理される。この場合、半導体ウエハは吊り
下げられた状態で熱処理が行なわれることになる。
【００１５】熱処理終了後のウエハ５の取り外しは上記
の手順と逆の手順で行なえば良い。すなわち、抑え治具
２を支持治具１の登頂部の抑え治具２が掛かっていない
部分に移動し、それから抑え治具２を支持治具１から取
り外す。しかる後にウエハ５を抑え治具２の保持部３か
ら取り外す。
の手順と逆の手順で行なえば良い。すなわち、抑え治具
２を支持治具１の登頂部の抑え治具２が掛かっていない
部分に移動し、それから抑え治具２を支持治具１から取
り外す。しかる後にウエハ５を抑え治具２の保持部３か
ら取り外す。
【００１６】支持治具１及び抑え治具２の材質は、熱処
理において一般に使用されているＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、
ＰＢＮ等の耐熱性に優れ、且つウエハ５への汚染の心配
がないものであれば特にこだわらない。
理において一般に使用されているＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、
ＰＢＮ等の耐熱性に優れ、且つウエハ５への汚染の心配
がないものであれば特にこだわらない。
【００１７】また、支持治具１と抑え治具２とは独立さ
せているが、抑え治具２のフック４をリング状として予
め支持治具１の登頂部に取り付けて、分離できない構造
であっても構わない。この場合、抑え治具２へのウエハ
５の装着は、抑え治具２を支持治具１に掛かっている状
態から手前に引き出して行なうことができる。
せているが、抑え治具２のフック４をリング状として予
め支持治具１の登頂部に取り付けて、分離できない構造
であっても構わない。この場合、抑え治具２へのウエハ
５の装着は、抑え治具２を支持治具１に掛かっている状
態から手前に引き出して行なうことができる。
【００１８】さらに、抑え治具２の保持部３は２本のア
ームを折り返した２個所としたが、２という数には拘ら
ない。保持部３が、ウエハ５の略１／３の円周を抑える
ような円弧状であっても良い。
ームを折り返した２個所としたが、２という数には拘ら
ない。保持部３が、ウエハ５の略１／３の円周を抑える
ような円弧状であっても良い。
【００１９】以上で説明したように、ウエハを熱処理治
具に装着する時及びウエハを熱処理治具から取り外す
時、隣接するウエハに接触することは無くなり、ウエハ
の傷や割れの問題は解決した。
具に装着する時及びウエハを熱処理治具から取り外す
時、隣接するウエハに接触することは無くなり、ウエハ
の傷や割れの問題は解決した。
【００２０】
【発明の効果】本発明の半導体ウエハの熱処理方法及び
熱処理治具によれば、ウエハを１枚ずつ抑え治具に装着
して支持治具に吊るした状態で熱処理を行なうことか
ら、ウエハの装着や取り外しの際に隣接するウエハに接
触するという問題は無くなり、さらに１回当たりのウエ
ハの熱処理枚数が増え、品質向上や歩留まり向上に有効
である。
熱処理治具によれば、ウエハを１枚ずつ抑え治具に装着
して支持治具に吊るした状態で熱処理を行なうことか
ら、ウエハの装着や取り外しの際に隣接するウエハに接
触するという問題は無くなり、さらに１回当たりのウエ
ハの熱処理枚数が増え、品質向上や歩留まり向上に有効
である。
【図１】本発明の半導体ウエハの熱処理治具の一実施例
を示した斜視図である。
を示した斜視図である。
【図２】図１の支持治具の斜視図である。
【図３】図１の抑え治具を示したものであって、（ａ）
は正面図、（ｂ）は側面図である。
は正面図、（ｂ）は側面図である。
【図４】図１の抑え治具にウエハを装着した図であっ
て、（ａ）は正面図、（ｂ）は側面図である。
て、（ａ）は正面図、（ｂ）は側面図である。
【図５】従来の半導体ウエハの熱処理治具の斜視図であ
る。
る。
１ 支持治具 ２ 抑え治具 ３ 保持部 ４ フック ５ ウエハ １１ 熱処理治具 １２ 溝部 １３ ウエハ
Claims (2)
- 【請求項１】半導体ウエハを１枚ずつ吊るした状態で所
定の温度雰囲気にさらして熱処理することを特徴とする
半導体ウエハの熱処理方法。 - 【請求項２】円盤状の半導体ウエハの外周の少なくとも
２か所を保持するアームの折り返しからなる２個の保持
部と吊る下げるためのフックとを有する抑え治具と、該
抑え治具を掛ける支持治具とから成ることを特徴とする
半導体ウエハの熱処理治具。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10154019A JPH11345809A (ja) | 1998-06-03 | 1998-06-03 | 半導体ウエハの熱処理方法及び熱処理治具 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10154019A JPH11345809A (ja) | 1998-06-03 | 1998-06-03 | 半導体ウエハの熱処理方法及び熱処理治具 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11345809A true JPH11345809A (ja) | 1999-12-14 |
Family
ID=15575138
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10154019A Pending JPH11345809A (ja) | 1998-06-03 | 1998-06-03 | 半導体ウエハの熱処理方法及び熱処理治具 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11345809A (ja) |
-
1998
- 1998-06-03 JP JP10154019A patent/JPH11345809A/ja active Pending
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