JPH1147701A - ウエハ状の物品、特にシリコンウエハの処理装置 - Google Patents

ウエハ状の物品、特にシリコンウエハの処理装置

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JPH1147701A
JPH1147701A JP10138968A JP13896898A JPH1147701A JP H1147701 A JPH1147701 A JP H1147701A JP 10138968 A JP10138968 A JP 10138968A JP 13896898 A JP13896898 A JP 13896898A JP H1147701 A JPH1147701 A JP H1147701A
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JP
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wafer
nozzle
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cleaning liquid
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JP10138968A
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Gerald Wagner
ゲラルト・バグナー
Helmut Frey
ヘルムート・フレイ
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Lam Research AG
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SEZ AG
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    • H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
    • H10P72/0448—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like

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Abstract

(57)【要約】 【課題】従来の処理装置を、ウエハ状の物品の縁部の領
域においても、ウエハ状の物品の、支持体に向いた面
で、酸残分を除去することができるように構成するこ
と。 【解決手段】洗浄液を前記ノズル（２０）から前記ウエ
ハ状の物品（２）の上面の縁部領域へ、及び前記支持体
（１）の、前記物品（２）に向いた前記面（５）と、前
記物品（２）の下面の縁部領域との間へ、噴射すること
ができるように、前記ノズル（２０）の注ぎ口（２１）
の軸は前記ウエハ状の物品（２）の縁部領域に向けられ
ている。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、上に保持する物品
と共に自らの軸線を中心に回転可能である支持体（チャ
ック）と、この支持体の、物品に向いた面の上方に設け
られ、かつこの面に対し傾斜している洗浄液用のノズル
とを具備する、ウエハ状の物品、特にシリコンウエハの
処理装置に関する。
【０００２】
【従来技術】ウエハ状の物品、特にシリコンウエハは、
その処理の際に、例えばエッチングの際に、エッチング
媒体で処理が行なわれている間、支持体に保持され、こ
の支持体によって回転される。そして、エッチング後
に、エッチング媒体を除去するために、ウエハは、洗浄
液、例えば水で洗浄される。
【０００３】特に、ウエハ状の物品の、支持体に向いた
面の、外縁の領域において、洗浄液による、特に、支持
体とは反対側の面（上面）において物品へ注がれる（脱
イオン）水による洗浄後にも、まだ酸残分が残っている
ことが明らかになっている。これは望ましくない。
【０００４】支持体において保持される物品と共に自ら
の軸線を中心に回転可能である支持体と、この支持体
の、物品に向いた面の上方に設けられ、かつこの面に対
し傾斜している洗浄液用のノズルとを具備する、ウエハ
状の物品、特にシリコンウエハの処理装置は、EP 753 8
84 A 及びWO 96/35227 から公知である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし乍ら、公知の処
理装置の洗浄液用のノズルによっては、ウエハ状の物品
の、支持体から離隔した（上方に向いた）面のみを洗浄
することができるのである。物品の、支持体へ向いた下
（面）に残っているエッチング媒体の残りの問題は公知
の処理装置では解決されない。
【０００６】本発明の課題は、支持した物品と共に自ら
の軸線を中心に回転可能である支持体と、この支持体
の、物品に向いた面の上方に設けられ、かつこの面に対
し傾斜している洗浄液用のノズルとを具備する、ウエハ
状の物品、特にシリコンウエハの処理装置を、ウエハ状
の物品の縁部の領域においても、ウエハ状の物品の、支
持体に向いた面で、酸残分を除去することができるよう
に構成することである。
【０００７】
【発明を解決するための手段】上記課題は、洗浄液をノ
ズルからウエハ状の物品の上面の縁部領域へ、及び支持
体の、物品に向いた面と、物品の下面の縁部領域との間
へ、噴射することができるように、ノズルの注ぎ口の軸
線はウエハ状の物品の縁部領域に向けられていること、
により解決される。
【０００８】本発明の処理装置を用いて、エッチング及
びアンダエッチング（支持体に向いた面の外縁の領域で
のエッチング）後に、ウエハ状の物品、好ましくはシリ
コンウエハにおける縁部領域に、ノズルから放出される
洗浄液、好ましくは脱イオン水を噴射する。ノズルの整
列及び洗浄剤の噴射の圧力に従って、ウエハ状の物品と
支持体との間へ多かれ少なかれ奥に侵入し、その直後、
物品の回転の故に、再度遠心分離され、その際に酸残分
を連行する。
【０００９】本発明の装置の好ましくかつ好都合な構成
は副請求項の主題である。
【００１０】本発明の装置のその他の詳細、特徴及び利
点は、図面に略示された実施の形態についての以下の記
述から明らかである。
【００１１】
【発明の実施の形態】図１に示すように、物品２が支持
される支持体（チャック）１に関連してノズル２０が設
けられている。このノズル２０の注ぎ口２１を、矢印２
２の方向にノズル２０を移動させる調整によって、ウエ
ハ状の物品２の外縁１６の脇に設けることができる。物
品２、例えば、（シリコン）ウエハは、支持体１に対し
て動かないように、ベルヌーイの原理によって保たれか
つピン７によって横方向に支持されるか、あるいは低圧
によって動かないように保たれる。回転駆動部を、処理
中に物品２を回転することができるように、支持体１に
関連して設けることができる。
【００１２】ノズル２０から注がれる洗浄液、例えば脱
イオン水は、物品２の外縁１６、及び支持体１の上向き
の面５に当たり、ウエハ状の物品２と、支持体１の、物
品２に向いた面５との間に浸入する。洗浄液の浸入の程
度は、洗浄液をノズル２０から出すために用いる圧力に
依り、更に、角度γを変化することによって付加的に調
節することができる。この角度γは、ノズル２０の、詳
しくはノズル２０の注ぎ口２１の軸線と半径方向の面２
５との間で規定されている。更に、洗浄液の浸入の程度
にとっては、ノズル２０の注ぎ口２１の軸線つまり洗浄
液の噴射方向と、支持体１の面５との間の角度αも基準
となっている。
【００１３】ウエハ状の物品２、（例えばシリコンウエ
ハ）の縁部領域をも、支持体１に向いた下面においてエ
ッチングした後には（アンダエッチング）、物品２の上
面（支持体１から離隔した側）に注がれる洗浄媒体を用
いて、物品２の、下面の縁部領域において洗浄すること
によって、アンダエッチングの領域に残った酸残分を効
果的に除去することを、図１及び２に図示されかつ支持
体１に関連して設けられたノズル２０によって、確実に
行なうことができる。更に、ノズル２０から洗浄液を噴
霧する最中に、ノズル２０は、洗浄効果を改善するため
に、例えば矢印２２の方向にも往復移動され得る。前記
角度γは、ノズル２０、即ち、このノズル２０の注ぎ口
２１の軸線と、半径方向の面２５とによって規定され、
角度αは、ノズル２０の注ぎ口２１の軸線と、物品２の
平面とによって規定されている。最善の結果を達成すべ
く、角度γ及び／又は角度αを変えることができる。角
度α及び角度γを一度選択して調節すれば、それを維持
することができるか、又は洗浄工程中に（周期的に）変
えることができる。
【００１４】ノズル２０から注がれる洗浄液、好ましく
は脱イオン水は、上記の如く、洗浄液の圧力及びノズル
２０の整列に従って、物品２と、支持体１の、物品２に
向いた面５との間へ、多かれ少なかれ奥に浸入し、支持
体１従ってまた物品２の回転に従って、支持体１の軸線
を中心に再度遠心分離される。この場合、洗浄液は、ウ
エハ状の物品２の下面に沿って、場合によってはまだ付
着しているエッチング媒体を洗い流す。このことは図３
に略示されている。図３は、ノズル２０から放出される
洗浄液が、物品２の上面の外縁をも洗浄し、従って、物
品２と支持体１の間にのみ限定的に浸入しないことを示
している。
【００１５】本発明の装置の好ましい実施の形態を以下
のように記述することができる。
【００１６】ウエハ状の物品２、特にシリコンウエハ
を、処理媒体好ましくはエッチング液で処理した後に、
ウエハ状の物品２の下面で、つまり、ウエハ状の物品２
用の支持体１に向いた面で、この面の縁部領域に付着し
た処理媒体の残りを除去するために、ノズル２０が設け
られている。洗浄液、好ましくは脱イオン水を、ノズル
２０から物品２の外縁へ及び支持体１とウエハ状の物品
２との間へ、噴射することができる。洗浄液をノズル２
０から放出するために用いる圧力と、ウエハ状の物品２
に対するノズル２０の整列とに従って、多かれ少なかれ
奥に浸入する洗浄液は、ウエハ状の物品２の回転によっ
て、再度遠心分離され、その際に、処理媒体の残りを連
行する。最適な作用のためには、ウエハ状の物品２の縁
部１６に対するノズル２０の整列を変えることができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、支持体に設けられたウエハ状の物品
と、洗浄液用のノズルとを有する支持体の平面図であ
る。
【図２】図２は、支持体に設けられたウエハ状の物品
と、図１に図示したノズルとを有する支持体の側面図で
ある。
【図３】図３は図２の部分拡大図である。
【符号の説明】
１ 支持体 ２ 物品 ５ 面 １６ 縁部 ２０ ノズル ２１ 注ぎ口 ２２ 矢印 ２５ 面。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ヘルムート・フレイ オーストリア国、アー − 9170 フェル ラハ（ケルンテン）、レスニヒベーク 34

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 物品（２）を上に支持し、この物品と共
    に自らの軸線を中心に回転可能な支持体（１）と、この
    支持体（１）の、前記物品（２）に向いた面（５）の上
    方に設けられ、かつこの面（５）に対し傾斜している洗
    浄液用のノズル（２０）とを具備する、ウエハ状の物品
    （２）、特にシリコンウエハの処理装置において、 洗浄液を前記ノズル（２０）から前記ウエハ状の物品
    （２）の上面の縁部領域へ、及び前記支持体（１）の、
    前記物品（２）に向いた前記面（５）と、前記物品
    （２）の下面の縁部領域との間へ、噴射することができ
    るように、前記ノズル（２０）の注ぎ口（２１）の軸線
    は前記ウエハ状の物品（２）の縁部領域に向けられてい
    ることを特徴とする処理装置。
  2. 【請求項２】 前記ノズル（２０）は前記支持体（１）
    に対して位置が調整可能であることを特徴とする請求項
    １に記載の処理装置。
  3. 【請求項３】 前記ノズル（２０）は、自らの長手方向
    （矢印２２）に移動かのに保たれていることを特徴とす
    る請求項２に記載の処理装置。
  4. 【請求項４】 前記ノズル（２０）は、回動可能に保た
    れていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１
    に記載の処理装置。
  5. 【請求項５】 前記ノズル（２０）は、このノズル（２
    ０）が、前記支持体（１）の軸線を通る半径方向の面
    （２５）から、前記ウエハ状の物品（２）の縁部（１
    ６）に対しほぼ接線方向の位置まで回動可能であること
    を特徴とする請求項１乃至４のいずれか１に記載の処理
    装置。
  6. 【請求項６】 前記ノズル（２０）の前記注ぎ口（２
    １）は、前記ウエハ状の物品（２）の前記縁部（１６）
    に関連付けられた自らの位置において、前記ウエハ状の
    物品（２）の前記縁部（１６）の直ぐ脇に設けられてい
    ることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１に記載
    の処理装置。
  7. 【請求項７】 前記ノズル（２０）の前記注ぎ口（２
    １）の軸線は、前記支持体（１）の、前記物体（２）に
    向いた前記面（５）と、鋭角（α）を形成していること
    を特徴とする請求項１乃至６のいずれか１に記載の処理
    装置。
  8. 【請求項８】 前記ノズル（２０）の前記注ぎ口（２
    １）の軸線は、前記ノズル（２０）の前記注ぎ口（２
    １）及び前記支持体（１）の軸線を通る前記半径方向の
    面（２５）と、鋭角（γ）を形成していることを特徴と
    する請求項１乃至７のいずれか１に記載の処理装置。
JP10138968A 1997-05-23 1998-05-20 ウエハ状の物品、特にシリコンウエハの処理装置 Pending JPH1147701A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100717445B1 (ko) * 1999-07-09 2007-05-14 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 에지 비드 제거/회전형 세척 건조(ebr/srd)모듈

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW419716B (en) * 1997-04-28 2001-01-21 Tokyo Electron Ltd Processing apparatus
TW385489B (en) * 1997-08-26 2000-03-21 Tokyo Electron Ltd Method for processing substrate and device of processing device
DE19901291C2 (de) * 1999-01-15 2002-04-18 Sez Semiconduct Equip Zubehoer Vorrichtung zur Ätzbehandlung eines scheibenförmigen Gegenstandes
DE59900743D1 (de) * 1999-04-28 2002-02-28 Sez Semiconduct Equip Zubehoer Vorrichtung und Verfahren zur Flüssigkeitsbehandlung von scheibenförmigen Gegenständen
US6796517B1 (en) 2000-03-09 2004-09-28 Advanced Micro Devices, Inc. Apparatus for the application of developing solution to a semiconductor wafer
EP1372186B1 (de) * 2000-10-31 2008-12-10 Sez Ag Vorrichtung zur Flüssigkeitsbehandlung von scheibenförmigen Gegenständen
DE10108369A1 (de) * 2001-02-21 2002-08-29 B L E Lab Equipment Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Ablösen eines Halbleiterwafers von einem Träger
JP2003031536A (ja) * 2001-07-12 2003-01-31 Nec Corp ウエハの洗浄方法
US6689418B2 (en) 2001-08-03 2004-02-10 Applied Materials Inc. Apparatus for wafer rinse and clean and edge etching
US8192555B2 (en) 2002-12-31 2012-06-05 Micron Technology, Inc. Non-chemical, non-optical edge bead removal process
US20060046499A1 (en) * 2004-08-20 2006-03-02 Dolechek Kert L Apparatus for use in thinning a semiconductor workpiece
US7354649B2 (en) 2004-08-20 2008-04-08 Semitool, Inc. Semiconductor workpiece
US20060040111A1 (en) * 2004-08-20 2006-02-23 Dolechek Kert L Process chamber and system for thinning a semiconductor workpiece
US7288489B2 (en) * 2004-08-20 2007-10-30 Semitool, Inc. Process for thinning a semiconductor workpiece
US7193295B2 (en) * 2004-08-20 2007-03-20 Semitool, Inc. Process and apparatus for thinning a semiconductor workpiece
CN101389415A (zh) * 2006-02-22 2009-03-18 赛迈有限公司 单侧工件处理
CN103084349A (zh) * 2011-11-03 2013-05-08 无锡华润上华科技有限公司 晶片清洗方法
CN111640689A (zh) * 2019-03-01 2020-09-08 北京北方华创微电子装备有限公司 清洗装置及清洗腔室
WO2022126403A1 (en) * 2020-12-16 2022-06-23 Acm Research (Shanghai) , Inc. Substrate supporting apparatus
CN115116822A (zh) * 2021-03-22 2022-09-27 华为数字能源技术有限公司 沟槽清洗方法和装置

Family Cites Families (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL126623C (ja) * 1960-10-28
JPS5819350B2 (ja) * 1976-04-08 1983-04-18 富士写真フイルム株式会社 スピンコ−テイング方法
US4838289A (en) * 1982-08-03 1989-06-13 Texas Instruments Incorporated Apparatus and method for edge cleaning
US4510176A (en) * 1983-09-26 1985-04-09 At&T Bell Laboratories Removal of coating from periphery of a semiconductor wafer
JPH0829287B2 (ja) * 1987-09-18 1996-03-27 東京応化工業株式会社 塗布方法及び装置
AT389959B (de) * 1987-11-09 1990-02-26 Sez Semiconduct Equip Zubehoer Vorrichtung zum aetzen von scheibenfoermigen gegenstaenden, insbesondere von siliziumscheiben
US5235995A (en) * 1989-03-27 1993-08-17 Semitool, Inc. Semiconductor processor apparatus with dynamic wafer vapor treatment and particulate volatilization
US5028955A (en) * 1989-02-16 1991-07-02 Tokyo Electron Limited Exposure apparatus
JPH03274722A (ja) * 1990-03-26 1991-12-05 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法及び製造装置
JPH03286530A (ja) * 1990-04-03 1991-12-17 Seiko Epson Corp ウエハ洗浄装置
JPH0471232A (ja) * 1990-07-11 1992-03-05 Nec Kyushu Ltd 洗浄装置
JP3241058B2 (ja) * 1991-03-28 2001-12-25 大日本スクリーン製造株式会社 回転式塗布装置及び回転式塗布方法
US5139132A (en) * 1991-09-09 1992-08-18 Ball Corporation Orientation apparatus and method for disk shaped parts
JPH05121388A (ja) * 1991-10-28 1993-05-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置の洗浄方法と洗浄装置
US5209028A (en) * 1992-04-15 1993-05-11 Air Products And Chemicals, Inc. Apparatus to clean solid surfaces using a cryogenic aerosol
JP2654314B2 (ja) * 1992-06-04 1997-09-17 東京応化工業株式会社 裏面洗浄装置
US5384986A (en) * 1992-09-24 1995-01-31 Ebara Corporation Polishing apparatus
JPH06120192A (ja) * 1992-10-01 1994-04-28 Sumitomo Precision Prod Co Ltd 両面スクラブ洗浄装置
JPH06123887A (ja) * 1992-10-09 1994-05-06 Canon Inc 液晶素子
US5608943A (en) * 1993-08-23 1997-03-11 Tokyo Electron Limited Apparatus for removing process liquid
US5489341A (en) * 1993-08-23 1996-02-06 Semitool, Inc. Semiconductor processing with non-jetting fluid stream discharge array
JP2796245B2 (ja) * 1994-02-04 1998-09-10 日特エンジニアリング株式会社 偏向ヨークの巻線装置
KR0132274B1 (ko) * 1994-05-16 1998-04-11 김광호 웨이퍼 연마 설비
US5529626A (en) * 1994-10-24 1996-06-25 Nec Electronics, Inc. Spincup with a wafer backside deposition reduction apparatus
JP3200326B2 (ja) * 1995-04-24 2001-08-20 東京応化工業株式会社 円板状被処理物の移載方法及び移載装置
AT405225B (de) * 1995-05-02 1999-06-25 Sez Semiconduct Equip Zubehoer Vorrichtung zum behandeln annähernd runder oder kreisscheibenförmiger gegenstände, insbesondere siliziumwafer
JP3337870B2 (ja) * 1995-05-11 2002-10-28 大日本スクリーン製造株式会社 回転式基板洗浄装置
JP3250090B2 (ja) * 1995-06-27 2002-01-28 東京エレクトロン株式会社 洗浄処理装置及び洗浄処理方法
JPH09106980A (ja) * 1995-10-11 1997-04-22 Kawasaki Steel Corp 塗布膜形成装置及び塗布膜形成方法
KR19980021330A (ko) * 1996-09-16 1998-06-25 문정환 웨이퍼 가장자리의 감광막 제거방법
US5725414A (en) * 1996-12-30 1998-03-10 Intel Corporation Apparatus for cleaning the side-edge and top-edge of a semiconductor wafer

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100717445B1 (ko) * 1999-07-09 2007-05-14 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 에지 비드 제거/회전형 세척 건조(ebr/srd)모듈

Also Published As

Publication number Publication date
US5904164A (en) 1999-05-18
AT407806B (de) 2001-06-25
EP0881664A2 (de) 1998-12-02
TW521333B (en) 2003-02-21
KR19980087206A (ko) 1998-12-05
EP0881664A3 (de) 2000-05-10
ATA88697A (de) 2000-10-15

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